JPWO2016117105A1 - 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法 - Google Patents

Abstract

半導体装置評価用治具（２０）の導電性の板状の基体（２１）は、表面（２１ａ）に半導体装置（３０）を載置する載置領域（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）を有し、この載置領域（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）内において基体（２１）を貫通する貫通孔（２１ｅ）を有している。温度検出素子（２２）は、基体（２１）に取り付けられている。電極パッド（２３）は、温度検出素子（２２）と電気的に接続され、かつ表面（２１ａ）側に形成されている。

Description

本発明は、半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法に関し、特に半導体装置の温度を検出するための温度検出素子を有する半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法に関するものである。

被測定物である半導体装置の電気的特性を評価する際、評価時の半導体装置の温度を精度よく計測することは重要である。特に温度特性の評価において、評価時の温度計測が不安定であれば、温度特性そのものに誤差が含まれることになる。また、大電流、高電圧印加の要求に応えて電気的特性を評価する際、大電流、高電圧印加によって半導体装置の温度が変化することがある。その場合にも電気的特性とともに、半導体装置の温度変化を計測することは重要である。

このような状況の下、半導体装置の温度測定方法としては、接触式、非接触式の手法が知られている。例えば、接触式では、熱電対を直接半導体装置の表面に接触させて、半導体装置の表面温度が計測される。しかしながら、この手法では、接触に伴い熱の移動が生じるため、半導体装置そのものの温度を正確に計測するものではない。また非接触式には、光学式の放射温度計による計測がある。しかし、半導体装置の表面が鏡面である場合、測定は困難であり、計測できたとしても、放射率の設定次第で検出温度は容易に可変するため、半導体装置の温度を正確に計測するものではない。

被測定物の温度評価方法は、例えば特開２０１０−２６７１５号公報（特許文献１参照）、特開２０１３−２５４８７３号公報（特許文献２参照）などに開示されている。

特開２０１０−２６７１５号公報においては、被測定物を設置する樹脂製の設置台に温度センサが設置され、この温度センサで計測された温度に基づいて槽内の温度が制御されている。また特開２０１３−２５４８７３号公報においては、パワーモジュール内にリード付サーミスタが設けられ、そのサーミスタにより半導体素子の温度が計測されている。

特開２０１０−２６７１５号公報 特開２０１３−２５４８７３号公報

しかしながら、特開２０１０−２６７１５号公報における温度センサは、樹脂よりなる設置台に設置されており、かつ被測定物から離れている。このため、被測定物そのものの温度を精度よく検出することができない。

また特開２０１３−２５４８７３号公報におけるサーミスタは、空気層を介して半導体素子の温度を計測している。このため、半導体素子そのものの温度を精度よく検出することができない。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体装置の評価時に半導体装置の温度を精度よく測定できる半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法を提供することである。

本発明の半導体装置評価用治具は、半導体装置の電気的特性の評価するための半導体装置評価装置に用いられ、かつ半導体装置評価装置のステージ上に配置されて使用されるものである。この半導体装置評価用治具は、導電性の板状の基体と、少なくとも１つの温度検出素子と、第１の電極パッドとを備えている。導電性の板状の基体は、互いに対向する第１の面および第２の面を有し、第１の面に半導体装置を載置する載置領域を有し、載置領域内において第１の面から第２の面に貫通する貫通孔を有している。少なくとも１つの温度検出素子は、基体に取り付けられている。第１の電極パッドは、温度検出素子と電気的に接続され、かつ第１の面側に形成されている。

本発明によれば、基体に貫通孔が形成されているため、ステージからの真空吸着により半導体装置を導電性の基体に密着して固定することができる。これにより導電性の基体を通じて温度検出素子により半導体装置の温度を検出できるため半導体装置の温度を精度よく検出することが可能となる。

また温度検出素子と電気的に接続された第１の電極パッドが基体の第１の面側に形成されている。これにより本発明の半導体装置評価用治具を用いることで、既存の半導体装置評価装置を利用して、上記のとおり半導体装置の温度を精度よく検出することが可能となる。よって、新たな半導体装置評価装置を準備する必要がない。

本発明の実施の形態１における半導体装置評価装置の構成を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態１における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す平面図である。 図２の半導体装置評価用治具に用いられる温度検出素子の構成を概略的に示す断面図である。 図１に示す半導体装置評価装置で評価される半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。 図１に示す半導体装置評価装置を用いて半導体装置を評価する様子を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態１に用いるコンタクトプローブの動作を説明するための概略図である。 本発明の実施の形態２における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態２における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す背面図である。 図７のＩＸ−ＩＸ線に沿う半導体装置評価用治具および半導体装置の概略断面図である。 本発明の実施の形態３における半導体装置評価用治具および半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態４における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す平面図である。 本発明の実施の形態５における半導体装置評価用治具および半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
実施の形態１．
まず本実施の形態の半導体装置評価装置の構成について図１を用いて説明する。

図１は、本実施の形態における半導体装置評価装置の構成を概略的に示す図である。図１に示されるように、半導体装置評価装置１０は、チャックステージ（ステージ）１と、複数のコンタクトプローブ（プローブ）２と、絶縁基体（絶縁支持部材）３と、接続部４と、信号線５と、評価部（制御部）６と、移動アーム７と、半導体装置評価用治具２０とを主に有している。

チャックステージ１は、表面１ａを有し、その表面１ａに半導体装置評価用治具２０を接触させて固定する台座である。このチャックステージ１は、真空吸着により半導体装置評価用治具２０および半導体装置３０を固定できる構成を有している。

具体的には、チャックステージ１には、吸着溝１ｂと、吸着孔１ｃ、１ｄとが形成されている。吸着溝１ｂは、チャックステージ１の表面１ａに形成されている。吸着孔１ｃは、チャックステージ１内に形成されており、かつ吸着溝１ｂの底面に接続されている。吸着孔１ｄは、チャックステージ１の内部を延びてチャックステージ１の表面１ａに達して開口している。吸着孔１ｃ、１ｄの各々には、真空ポンプなどの排気装置（図示せず）が接続されている。

半導体装置評価用治具２０はチャックステージ１の表面１ａに載置されている。この半導体装置評価用治具２０は、吸着溝１ｂおよび吸着孔１ｄの開口部を覆っている。半導体装置評価用治具２０は、半導体装置３０の評価時にはチャックステージ１に真空吸着されている。また半導体装置３０の評価時には、半導体装置評価用治具２０上に被測定物である半導体装置３０が載置されている。半導体装置評価用治具２０の詳細な構成については後述する。

複数のコンタクトプローブ２は絶縁基体３に支持されている。複数のコンタクトプローブ２の各々は、コンタクト部２ａと、先端部２ｂと、押し込み部２ｃと、絶縁基体設置部２ｄと、電気的接続部２ｅとを有している。

コンタクト部２ａは先端部２ｂの先端に設けられている。このコンタクト部２ａは、半導体装置評価用治具２０の電極パッド（第１の電極パッド）２３、電極パッド（第２の電極パッド）２４、半導体装置３０の表面パッド部に機械的かつ電気的に接続される部分である。押し込み部２ｃは、一方端側にて先端部２ｂに接続され、かつ他方端側の一部が絶縁基体設置部２ｄ内に挿入されている。

絶縁基体設置部２ｄは、基台として形成されており、かつ絶縁基体３に接続されている。絶縁基体設置部２ｄの内部には、スプリングなどのばね部材（図示せず）が組み込まれている。押し込み部２ｃは、絶縁基体設置部２ｄ内のばね部材により、絶縁基体設置部２ｄに対して先端部２ｂ側に付勢されている。

これによりコンタクトプローブ２のコンタクト部２ａが被測定物の表面に接触していない状態においては、押し込み部２ｃは絶縁基体設置部２ｄに対して先端部２ｂ側に移動しており、コンタクトプローブ２は伸びきった状態となっている。またコンタクトプローブ２のコンタクト部２ａが被測定物の表面に接触した状態では、押し込み部２ｃがばね部材の付勢力に抗いながら絶縁基体設置部２ｄ内に所定量押し込まれている。このように押し込み部２ｃは絶縁基体設置部２ｄに対して摺動可能である。

コンタクトプローブ２の電気的接続部２ｅは、先端部２ｂと電気的に通じており、外部への出力端となる部分である。

各コンタクトプローブ２は導電性を有する材料、例えば銅、タングステン、レニウムタングステンなどの単独または任意の組合せからなる材料（金属材料、合金材料）により作製されているが、これらに限定されるものではない。特にコンタクト部２ａは導電性向上や耐久性向上などの観点から、上記とは別の部材、例えば金、パラジウム、タンタル、プラチナなどの単独の金属材料またはこれらの任意の組合せからなる合金材料が被覆された部分であってもよい。

コンタクトプローブ２は、大電流を印加することを想定して、個々の半導体装置３０に対して複数個設置されている。複数のコンタクトプローブ２の各々は接続部４に電気的に接続されている。

この接続部４は絶縁基体３に形成されている。また各コンタクトプローブ２と接続部４との間は、図示していないが、例えば絶縁基体３上に設けた金属板により電気的に接続されている。複数のコンタクトプローブ２と、絶縁基体３と、接続部４とによりプローブ基体８が構成されている。

信号線５は接続部４を介在して複数のコンタクトプローブ２の各々に電気的に接続されている。評価部６は、信号線５および接続部４を介在して複数のコンタクトプローブ２の各々に電気的に接続されている。評価部６は、被測定物である半導体装置３０の電気的特性を評価する機能を有している。

移動アーム７は、プローブ基体８を任意の方向へ移動可能なように構成されている。本実施の形態では、プローブ基体８が１つの移動アーム７のみにより保持される構成としたが、これに限定されるものではなく、複数の移動アームにより安定的に保持されてもよい。また、プローブ基体８が移動アーム７により移動するのではなく、半導体装置３０、つまりはチャックステージ１側が移動するように構成されていてもよい。

次に、本実施の形態の半導体装置評価用治具２０の構成について図１および図２を用いて説明する。

図２は、本実施の形態における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す平面図である。図２におけるＩ−Ｉ線に沿う断面の構成は図１に示された半導体装置評価用治具２０の断面構成に対応する。

図１および図２に示されるように、本実施の形態における半導体装置評価用治具２０は半導体装置３０の電気的特性評価時において半導体装置３０の温度を精度よく検出するためのものである。半導体装置評価用治具２０は、上記の半導体装置評価装置１０に用いられ、かつ半導体装置評価装置１０のチャックステージ１と被測定物である半導体装置３０との間に配置されるものである。

具体的には、基体２１は、互いに対向する表面（第１の面）２１ａおよび裏面（第２の面）２１ｂを有している。基体２１の表面２１ａは、半導体装置３０を載置するための面である。基体２１の裏面２１ｂは、チャックステージ１の表面１ａに当接させる面であり、使用時において半導体装置評価用治具２０はチャックステージ１上に配置されている。

半導体装置評価用治具２０は、基体２１と、少なくとも１つ（例えば２つ）の温度検出素子２２と、電極パッド２３、２４と、配線部２５とを主に有している。

基体２１は、導電性を有しており、例えば銅、アルミニウムなどの単独の金属材料またはこれらの組合せからなる合金材料よりなっているが、これに限定されるものではない。また基体２１は、板形状を有している。基体２１の平面形状は、評価する半導体装置３０の平面形状に合わせた形状を有しており、例えば四角形を有しているが、四角形に限定されるものではない。なお平面形状とは、基体２１の表面２１ａに垂直な方向から見た（平面視における）形状を意味する。

基体２１は、その表面２１ａに、半導体装置３０を載置する載置領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３（図２中において破線で示される領域）を有している。載置領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各々は半導体装置３０の載置想定領域の例である。

載置領域Ｒ１は小さい平面形状を有する半導体装置３０の載置領域を示し、載置領域Ｒ３は大きい平面形状を有する半導体装置３０の載置領域を示している。また載置領域Ｒ２は載置領域Ｒ１とＲ３との間の大きさの平面形状を有する半導体装置３０の載置領域を示している。

基体２１は、少なくとも１つ（例えば４つ）の貫通孔２１ｅを有している。貫通孔２１ｅは、基体２１の表面２１ａから裏面２１ｂに貫通している。貫通孔２１ｅは、基体２１の表面２１ａの中央近傍に位置している。

ここで基体２１の表面２１ａの中央とは、基体２１の平面形状が四角形の場合には対角線同士の交点であり、基体２１の平面形状が円形の場合には円の中心である。また貫通孔２１ｅが基体２１の表面２１ａの中央近傍に位置するとは、被測定物として想定する最も平面形状の小さい載置領域Ｒ１内に貫通孔２１ｅが位置することを意味する。

表面２１ａの中央近傍への貫通孔２１ｅの配置は、様々な大きさの半導体装置３０に対応させるためである。これにより、小さな半導体装置３０でも貫通孔２１ｅを覆うように半導体装置評価用治具２０の表面２１ａに載置することができる。このため、小さな半導体装置３０でもチャックステージ１および半導体装置評価用治具２０に真空吸着により固定することが可能となる。

貫通孔２１ｅは、裏面２１ｂ側での開口面積Ｓ２が表面２１ａでの開口面積Ｓ１よりも大きくなうようなテーパー形状を有している。つまり貫通孔２１ｅは、表面２１ａ側から裏面２１ｂ側に向かって徐々に面積が大きくなるように形成されている。

基体２１は、表面２１ａに凹部（第１の電極パッド用凹部）２１ｃと、凹部（第２の電極パッド用凹部）２１ｄとを有している。凹部２１ｃ、２１ｄのそれぞれは、表面２１ａから所定の深さに位置する底面２１ｃａ、２１ｄａを有している。凹部２１ｃ、２１ｄの各々は、例えばザグリ部である。

凹部２１ｃ、２１ｄの各々の底面２１ｃａ、２１ｄａは、平坦な面を有し、バリや突起を有しないことが好ましい。底面２１ｃａ、２１ｄａの各々が平坦な面を有することにより、凹部２１ｃ、２１ｄ内に配置される設置物の設置面にダメージを与えることが抑制されている。平坦な底面２１ｃａ、２１ｄａは、洗浄や研磨工程により形成可能である。

基体２１が金属材料であれば、凹部２１ｃ、２１ｄ形成のためのザグリ加工と、貫通孔２１ｅ形成のための機械加工とにより基体２１を製造することができる。基体２１が導電性の樹脂材であれば、成形加工にて基体２１を製造することができる。

凹部２１ｃ内には、温度検出素子２２と、電極パッド２３と、配線部２５とが配置されている。また凹部２１ｄ内には、電極パッド２４が配置されている。これらの温度検出素子２２と、電極パッド２３、２４と、配線部２５とは基体２１の表面２１ａ側に配置されている。

温度検出素子２２は、半導体装置３０の電気的特性を評価する際の半導体装置３０の温度を測定するものである。温度検出素子２２は例えばダイオードである。温度検出素子２２は、凹部２１ｃの底面２１ｃａに例えばダイボンディングで実装されることで基体２１に取り付けられている。

本実施の形態では２つの温度検出素子２２が並列に配置された例を示すが、温度検出素子２２の配置はこれに限定されるものではない。複数の温度検出素子２２が基体２１の表面２１ａにおいて中央側から端部側へ向かって１列に並んで配置されていてもよい。これにより半導体装置３０の平面形状の大きさに関わらず、半導体装置３０の温度を精度よく検出することができる。また複数個の温度検出素子２２が設置されることで、温度が均一に分布しているかの確認が容易となる。温度検出素子２２の詳細な構成については後述する。

配線部２５は、母材部２５ａと、配線２５ｂとを有している。母材部２５ａは、凹部２１ｃの底面２１ｃａに接着などにより取り付けられている。母材部２５ａは、例えばセラミックよりなっている。セラミックは熱伝導性に優れるため、半導体装置３０を含めた、半導体装置評価用治具２０の温度の均一化が短時間で実現可能である。

この母材部２５ａの材質はセラミックに限定されるものではない。母材部２５ａは、加工が容易で安価な樹脂、または薄厚で形状の自由度が高いフレキシブル基板（可撓性を有する基板）であってもよい。

この母材部２５ａの表面には、配線２５ｂと電極パッド２３とが形成されている。配線２５ｂおよび電極パッド２３の各々は、導電性を有する銅またはアルミニウムが母材部２５ａの表面に成膜された後にパターニングされることにより形成されている。電極パッド２３はコンタクトプローブ２を温度検出素子２２に電気的に接続するための部分である。配線２５ｂと半導体装置３０の表面パッドとの間は、接続ワイヤ２６によって電気的に接続されている。

また凹部２１ｄ内には、電極パッド２４が形成されている。この電極パッド２４はコンタクトプローブ２を基体２１に電気的に接続するための部分である。電極パッド２４は基体２１に電気的に接続するように形成されている。基体２１が導電性を有しているため、コンタクトプローブ２を電極パッド２４に接続することにより、コンタクトプローブ２を半導体装置３０の裏面側の電極に電気的に接続することが可能となる。電極パッド２４は、基体２１と同じ材質で基体２１と一体的に形成されていてもよく、また基体２１と異なる材質で形成されていてもよい。

本実施の形態においては、大電流に対応すべく２つの電極パッド２４を設置した場合について説明したが、電極パッド２４の個数は２つに限定されるものではなく、３つ以上であってもよい。また複数のコンタクトプローブ２の各々が接続される部分（例えば図２に示す２つの電極パッド２４同士）が、１つの電極パッドとなるように互いに連結されることにより電極面積が拡大されてもよい。

図１に示されるように、電極パッド２３、母材部２５ａ、配線２５ｂおよび接続ワイヤ２６の各々は、凹部２１ｃ内に配置されており、基体２１の表面２１ａの高さ位置よりも上方（半導体装置３０が載置される側）に突き出していない。また電極パッド２４は、凹部２１ｄ内に配置されており、基体２１の表面２１ａの高さ位置よりも上方に突き出していない。

図２に示されるように、温度検出素子は載置領域Ｒ２およびＲ３の真下に配置されている。平面視において、電極パッド２３は温度検出素子２２よりも基体２１の表面２１ａにおける端部側に配置されている。具体的には、基体２１の表面２１ａの中央に貫通孔２１ｅが配置されており、その貫通孔２１ｅよりも基体２１の端部側に温度検出素子２２が配置されており、その温度検出素子２２よりも基体２１の端部側に電極パッド２３が配置されている。電極パッド２４は貫通孔２１ｅを挟んで電極パッド２３とは反対側の基体２１の表面２１ａにおける端部に配置されている。

次に、本実施の形態の温度検出素子２２の構成について図３を用いて説明する。
図３は、図２の半導体装置評価用治具に用いられる温度検出素子の構成を概略的に示す断面図である。図３に示されるように、温度検出素子２２は例えばダイオードであり、単結晶シリコン層２２ａと、絶縁層２２ｂと、ｎ型多結晶シリコン層２２ｃと、ｐ型多結晶シリコン層２２ｄと、電極パッド２２ｅと、金属電極２２ｆとを有している。

単結晶シリコン層２２ａの上には、絶縁層２２ｂを介在して、ｎ型多結晶シリコン層２２ｃとｐ型多結晶シリコン層２２ｄとが形成されている。絶縁層２２ｂは例えばシリコン酸化膜である。ｎ型多結晶シリコン層２２ｃとｐ型多結晶シリコン層２２ｄとは互いに隣り合って形成されている。ｎ型多結晶シリコン層２２ｃとｐ型多結晶シリコン層２２ｄとの間のｐｎ接合によってダイオードが構成されている。ｎ型多結晶シリコン層２２ｃとｐ型多結晶シリコン層２２ｄとのそれぞれには電極パッド２２ｅが接続されている。また単結晶シリコン層２２ａに接するように金属電極２２ｆが形成されている。

金属電極２２ｆは、図１に示される基体２１の凹部２１ｃの底面２１ｃａに例えばダイボンディングにより取り付けられている。電極パッド２２ｅは、図１に示される配線２５ｂに接続ワイヤ２６を介在して電気的に接続されている。これによりコンタクトプローブ２を電極パッド２３に接触させることで、コンタクトプローブ２と温度検出素子２２とを配線部２５を介在して電気的に接続することが可能となる。

本実施の形態では温度検出素子２２として、上記のように多結晶シリコンなどで形成されたチップタイプのダイオード素子が想定されている。しかしながら温度検出素子２２は、このようなチップタイプに限られず、例えば表面実装型のパッケージ品でもよい。その場合、温度検出素子２２は、接続ワイヤ２６を介在せずに配線２５ｂの端部に半田などにより直接接続されてもよい。

次に、本実施の形態の半導体装置評価装置１０の被測定物である半導体装置３０の構成の一例について図４を用いて説明する。

図４は、図１に示す半導体装置評価装置で評価される半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。図４に示されるように、半導体装置３０は、例えば縦型平面ゲート構造のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）である。

半導体装置３０は、ｐ⁺コレクタ領域３０ａと、ｎ⁺領域３０ｂと、ｎ^-領域３０ｃと、ｐ型ベース領域３０ｄと、ｎ⁺エミッタ領域３０ｅと、ｐ⁺コンタクト領域３０ｆと、ゲート絶縁層３０ｇと、ゲート電極層３０ｈと、層間絶縁層３０ｉと、エミッタ電極３０ｊと、コレクタ電極３０ｋとを主に有している。

互いに対向する一方表面３０ｌａおよび他方表面３０ｌｂを有する半導体基板３０ｌ内には、ｐ⁺コレクタ領域３０ａ、ｎ⁺領域３０ｂ、ｎ^-領域３０ｃ、ｐ型ベース領域３０ｄ、ｎ⁺エミッタ領域３０ｅおよびｐ⁺コンタクト領域３０ｆが形成されている。

半導体基板３０ｌの他方表面３０ｌｂには、ｐ⁺コレクタ領域３０ａが形成されている。このｐ⁺コレクタ領域３０ａの一方表面３０ｌａ側には、ｎ⁺領域３０ｂを介在してｎ^-領域３０ｃが形成されている。ｎ^-領域３０ｃの一方表面３０ｌａには選択的にｐ型ベース領域３０ｄが形成されている。ｐ型ベース領域３０ｄ内の一方表面３０ｌａには、ｎ⁺エミッタ領域３０ｅおよびｐ⁺コンタクト領域３０ｆが互いに隣り合って形成されている。

ｎ⁺エミッタ領域３０ｅとｎ^-領域３０ｃとに挟まれるｐ型ベース領域３０ｄ上には、ゲート絶縁層３０ｇを介在してゲート電極層３０ｈが形成されている。ｎ⁺エミッタ領域３０ｅ、ｎ^-領域３０ｃ、ｐ型ベース領域３０ｄ、ゲート絶縁層３０ｇおよびゲート電極層３０ｈにより絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部が構成されている。

ゲート電極層３０ｈを覆うように半導体基板３０ｌの一方表面３０ｌａ上に層間絶縁層３０ｉが形成されている。層間絶縁層３０ｉにはｎ⁺エミッタ領域３０ｅおよびｐ⁺コンタクト領域３０ｆに達するコンタクトホール３０ｉａが形成されている。

コンタクトホール３０ｉａを通じてｎ⁺エミッタ領域３０ｅおよびｐ⁺コンタクト領域３０ｆと電気的に接続するように層間絶縁層３０ｉ上にエミッタ電極３０ｊが形成されている。また半導体基板３０ｌの他方表面３０ｌｂ上には、ｐ⁺コレクタ領域３０ａに電気的に接続するようにコレクタ電極３０ｋが形成されている。

なお上記においては半導体装置３０として縦型平面ゲート構造のＩＧＢＴについて説明したが、半導体装置３０はこれに限定されるものではない。半導体装置３０は、たとえば縦型平面ゲート構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）トランジスタであってもよく、また縦型トレンチゲート構造のＩＧＢＴまたはＭＩＳトランジスタであってもよい。

また半導体装置３０は、半導体装置３０の一面において入出力を行う横型構造のデバイス（横型平面ゲート構造のＩＧＢＴまたはＭＩＳトランジスタ、横型トレンチゲート構造のＩＧＢＴまたはＭＩＳトランジスタなど）であってもよい。

図４に示すような縦型構造の半導体装置３０の電気的特性を評価する際には、コレクタ電極３０ｋは導電性の基体２１に電気的に接続され、基体２１の電極パッド２４を通じてコンタクトプローブ２と電気的に接続される。

また半導体装置３０は、エミッタ電極３０ｊおよびゲート電極層３０ｈの各々に電気的に接続された表面パッドを有している。この表面パッドの各々にコンタクトプローブ２が直接接続されることにより、コンタクトプローブ２の各々はエミッタ電極３０ｊおよびゲート電極層３０ｈの各々と電気的に接続される。

次に、本実施の形態の半導体装置評価方法について図１、図４および図５を用いて説明する。

図１を参照して、まず半導体装置３０の電気的特性の評価前に、半導体装置評価用治具２０がチャックステージ１の表面１ａ上に載置される。この際、チャックステージ１の表面１ａに基体２１の裏面２１ｂが接触する。また、チャックステージ１の吸着孔１ｄの表面１ａにおける開口の上方に基体２１の貫通孔２１ｅが位置し、吸着孔１ｄと貫通孔２１ｅとが連通する。

半導体装置３０が半導体装置評価用治具２０上に載置される。この際、半導体装置３０は、基体２１の貫通孔２１ｅ上を覆う。また、図４に示す半導体装置３０のコレクタ電極３０ｋが基体２１の表面２１ａに接触する。

半導体装置評価用治具２０および半導体装置３０が、チャックステージ１の表面１ａに真空吸着により固定される。具体的には、吸着孔１ｃおよび吸着溝１ｂを通じた真空吸着により、半導体装置評価用治具２０がチャックステージ１の表面１ａに固定される。また吸着孔１ｄおよび貫通孔２１ｅを通じた真空吸着により、半導体装置３０が半導体装置評価用治具２０を介在してチャックステージ１の表面１ａに固定される。この真空吸着により半導体装置３０の裏面（コレクタ電極３０ｋ）が基体２１の表面２１ａに密着する。

この後、移動アーム７を利用してプローブ基体８の移動動作が行われる。この移動アーム７の移動動作により、プローブ基体８は半導体装置３０および半導体装置評価用治具２０側へ向かって移動する（下降する）。

図５に示されるように、上記のプローブ基体８の移動により複数のコンタクトプローブ２のそれぞれが、電極パッド２３、２４と、半導体装置３０の表面パッドとに接続される。この状態で、複数のコンタクトプローブ２から半導体装置３０に電流、電圧が印加される。これにより半導体装置３０の電気的特性に関する評価が行われる。また温度検出素子２２により半導体装置３０の温度が検出される。

評価が終了した後、コンタクトプローブ２が電極パッド２３、２４および半導体装置３０の表面パッドから離される。この後、半導体装置３０が半導体装置評価用治具２０から取り外され、別の半導体装置３０が新たに半導体装置評価用治具２０に載置されて、評価が継続される。

複数個の半導体装置３０が１つの半導体装置評価用治具２０上に載置された場合、半導体装置評価用治具２０に載置されたすべての半導体装置３０が評価された後に、複数個の半導体装置３０が半導体装置評価用治具２０から取り外され、別の複数の半導体装置３０が新たに半導体装置評価用治具２０に載置されて評価が継続される。

次に、本実施の形態の半導体装置評価装置１０のコンタクトプローブの動作について図６（Ａ）〜図６（Ｃ）を用いて説明する。

図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、図１に示すコンタクトプローブの動作を説明するための概略図である。図６（Ａ）に示されるように、初期状態においては、コンタクトプローブ２の押し込み部２ｃが絶縁基体設置部２ｄ内部のばね部材（図示せず）により先端部２ｂ側に付勢されている。これによりコンタクトプローブ２は伸びきった状態となっている。

図６（Ｂ）に示されるように、上記初期状態から、評価動作時にはコンタクトプローブ２は半導体装置３０側へ下降する。そして所定量下降したところで、コンタクトプローブ２のコンタクト部２ａが半導体装置３０の上面の表面パッド３０ｍに接触する。

図６（Ｃ）に示されるように、その後、さらにコンタクトプローブ２が半導体装置３０側へ下降すると、押し込み部２ｃが絶縁基体設置部２ｄ内のばね部材の付勢力に抗いながら絶縁基体設置部２ｄ内に押し込まれる。これにより、コンタクトプローブ２と半導体装置３０の表面パッド３０ｍとの接触が確実なものとなる。

なお上記においてはコンタクトプローブ２は、軸方向に摺動性を有したスプリング式のものについて説明したが、これに限定されるものではなく、カンチレバー式のコンタクトプローブであってもよい。なおコンタクトプローブ２が軸方向に摺動性を有するものである場合には、スプリング式に限らず、積層プローブ、ワイヤープローブなどであってもよい。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態によれば、図１に示されるように半導体装置評価用治具２０の基体２１に貫通孔２１ｅが形成されている。このため、チャックステージ１による真空吸着で貫通孔２１ｅを通じて半導体装置３０を導電性の基体２１に密着して固定することが可能となる。密着した固定は電気的な抵抗成分を抑制するため、温度検出の精度向上につながる。

また基体２１は、導電性であるため熱伝導性に優れている。この基体２１には温度検出素子２２が取り付けられている。これにより空気層を介在せずに、熱伝導性に優れた基体２１を通じて半導体装置３０と温度検出素子２２とが接続されることになる。このため半導体装置３０の温度を温度検出素子２２により精度よく検出することが可能となる。

また温度検出素子２２と電気的に接続された電極パッド２３が基体２１の表面２１ａ側に形成されている。このため、図４に示されるように半導体装置３０の電気的特性評価時に、温度検出素子２２にもコンタクトプローブ２を接続することができる。これにより本実施の形態の半導体装置評価用治具２０を用いることで、既存の半導体装置評価装置１０を利用して低コストで、上記のとおり半導体装置３０の温度を精度よく検出することが可能となる。よって、新たな半導体装置評価装置を準備する必要がない。

また半導体装置評価用治具２０を用いることで、既存の半導体装置評価装置１０を用いながらも、大きさの異なる半導体装置３０にも対応可能となる。このため、多種の半導体装置評価用治具２０を準備する必要がなく、この点での低コストの効果もある。

また図１に示されるように基体２１の表面２１ａ側には、基体２１に電気的に接続された電極パッド２４が形成されている。このため半導体装置３０として例えば図４に示されるような縦型のデバイスが用いられた場合でも、そのデバイスの裏面側の電極（例えばコレクタ電極３０ｋ）に基体２１と電極パッド２４とを介在してコンタクトプローブ２を電気的に接続することが可能となる。

また図１に示されるように温度検出素子２２は、基体２１の表面２１ａ側において基体２１に取り付けられている。これにより温度検出素子２２、電極パッド２３、２４、配線部２５および接続ワイヤ２６を基体２１の表面２１ａ側に集約することができる。このため、半導体装置評価用治具２０の製造が容易となり、製造コストが低減する。

また図１に示されるように温度検出素子２２、電極パッド２３、配線部２５および接続ワイヤ２６が凹部２１ｃ内に配置されている。また電極パッド２４が凹部２１ｄ内に配置されている。これにより、基体２１の表面２１ａに凸部が生じないため、表面２１ａへの半導体装置３０の載置に制約がなく、その載置が容易であり、工程短縮の効果も見込める。

また図１に示されるように温度検出素子２２は凹部２１ｃの底面２１ｃａに設置されている。これにより、温度検出素子２２を例えばダイボンディングによって基体２１へ取り付けることが容易となる。

また図２に示されるように複数の温度検出素子２２が１列に並んで配置されている。これにより半導体装置３０の大きさによらず、半導体装置３０の評価温度の検出精度を維持することができる。

また図１に示されるように基体２１の貫通孔２１ｅは、表面２１ａ側で小さな開口面積Ｓ１を有し、かつ裏面２１ｂ側で大きな開口面積Ｓ２を有している。貫通孔２１ｅの裏面２１ｂ側の開口面積Ｓ２を大きくすることにより、貫通孔２１ｅとチャックステージ１の吸着孔１ｄとの位置合わせが容易となる。また貫通孔２１ｅの表面２１ａ側の開口面積Ｓ１を小さくすることにより、コンタクトプローブ２のコンタクト部２ａと貫通孔２１ｅとの位置が一致することが回避されやすく、半導体装置３０の破損が抑制される。

また図１および図２に示されるように、温度検出素子２２は、電極パッド２３を形成した配線部２５の配線２５ｂに接続ワイヤ２６を用いて接続されている。これにより、電極パッド２３を温度検出素子２２から離して配置することが容易となる。このため、平面視において電極パッド２３を半導体装置３０から離して配置することも容易となり、電極パッド２３の設置位置の自由度が向上する。

また図１に示されるように温度検出素子２２は載置領域Ｒ２またはＲ３の真下に配置されている。これにより、温度検出素子２２を半導体装置３０により近付けることができ、温度の検出精度が向上する。

また母材部２５ａがセラミックよりなっている場合、セラミックは熱伝導性がよいため熱抵抗とならず、評価温度の変動が抑制される。

また母材部２５ａが樹脂よりなっている場合、安価でかつ形状の自由度が高い母材部２５ａを容易に製造することが可能となる。

また母材部２５ａがフレキシブル基板よりなる場合、薄い厚みで、形状の自由度が高い母材部２５ａを容易に製造することが可能となる。

また図２に示されるように平面視において電極パッド２３は、温度検出素子２２よりも基体２１の表面２１ａにおける端部側に配置されている。これにより、電極パッド２３に接するコンタクトプローブ２を半導体装置３０から離して配置することができる。このため、電極パッド２３に接するコンタクトプローブ２と半導体装置３０または他のコンタクトプローブ２との間での放電を抑制することができる。

また図２に示されるように平面視において電極パッド２４は貫通孔２１ｅを挟んで電極パッド２３とは反対側の基体２１の端部に配置されている。これにより、電極パッド２４に接するコンタクトプローブ２を、電極パッド２３に接するコンタクトプローブ２から離して配置することができ、双方のコンタクトプローブ２の間での放電を抑制することができる。

また本実施の形態における半導体装置の評価方法によれば、半導体装置３０の評価時に、複数のコンタクトプローブ２の各々を電極パッド２３、２４と半導体装置３０の表面パッドとの各々に電気的に接続することができる。これによりコンタクトプローブ２との電気的な接続のすべてを基体２１の表面２１ａ側で行うことができ、半導体装置３０の電気的評価が容易となる。

実施の形態２．
図７および図８は、本実施の形態における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す平面図および背面図である。図９は、図７のＩＸ−ＩＸ線に沿う半導体装置評価用治具および半導体装置の概略断面図である。

図７〜図９に示されるように、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、温度検出素子２２、電極パッド２３、配線部２５および接続ワイヤ２６が基体２１の裏面２１ｂ側において基体２１に取り付けられている点において異なっている。

主に図８および図９に示されるように、本実施の形態においては、凹部２１ｃは基体２１の表面２１ａではなく、裏面２１ｂに形成されている。凹部２１ｃ内には、温度検出素子２２と、配線部２５と、接続ワイヤ２６とが配置されている。

温度検出素子２２は、凹部２１ｃの底面２１ｃａに例えばダイボンディングで実装されることで基体２１に取り付けられている。配線部２５の母材部２５ａは、凹部２１ｃの底面２１ｃａに接着などにより取り付けられている。この母材部２５ａの下面には、配線２５ｂが形成されている。配線２５ｂと温度検出素子２２との間は、接続ワイヤ２６によって電気的に接続されている。

主に図７および図９に示されるように、基体２１は、凹部２１ｃの底面２１ｃａから表面２１ａに達する孔部２１ｆを有している。電極パッド２３は、孔部２１ｆを通じて基体２１の表面２１ａ側に露出している。この電極パッド２３は、母材部２５ａの上面に形成されている。この電極パッド２３と配線２５ｂとは、母材部２５ａを貫通するスルーホール２５ａａ内を埋め込む導電層２５ａｂによって電気的に接続されている。

主に図８および図９に示されるように、電極パッド２３の真下であって、配線２５ｂの下側には補強部２７が設けられている。この補強部２７は、電気伝導性を有しない材料、例えば樹脂材料にて形成されている。

なお上記以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

本実施の形態によれば、温度検出素子２２が基体２１の裏面２１ｂ側に設置されている。このため、基体２１を介した温度検出素子２２と半導体装置３０との距離が実施の形態１の構成よりも近くなる。よって、半導体装置３０の温度検出の精度を向上することが可能となる。

また図９に示されるように温度検出素子２２、配線部２５および接続ワイヤ２６が凹部２１ｃ内に配置されている。また電極パッド２３が孔部２１ｆ内に配置されており、電極パッド２４が凹部２１ｄ内に配置されている。これにより、基体２１の表面２１ａに凸部が生じないため、表面２１ａへの半導体装置３０の載置に制約がなく、その載置が容易であり、工程短縮の効果も見込める。

また補強部２７が設けられたことにより、コンタクトプローブ２が電極パッド２３に接する際における配線部２５の撓みが抑制される。

またコンタクトプローブ２と接するパッド（電極パッド２３、２４および表面パッド）が全て同じ面に集約されている。このため、評価工程が容易となり、半導体装置評価装置１０の構成を簡略化することができる。

実施の形態３．
図１０は、本実施の形態における半導体装置評価用治具および半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。図１０に示されるように、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、凹部２１ｃの側面２１ｃｂが傾斜しており、その傾斜した側面２１ｃｂに温度検出素子２２が取り付けられている点において異なっている。

側面２１ｃｂは、基体２１の表面２１ａに対して傾斜しており、かつ凹部２１ｃの底面２１ｃａと鈍角を構成している。傾斜面とされる側面２１ｃｂは、載置領域Ｒ２、Ｒ３の範囲内にある側面（つまり半導体装置３０を載置した時に半導体装置３０の真下に位置する側面）である。

なお上記以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

本実施の形態によれば、傾斜した側面２１ｃｂ上に温度検出素子２２を設置することにより、基体２１を介在した温度検出素子２２と半導体装置３０との距離が実施の形態１の構成よりも近くなる。このため、半導体装置３０の温度検出の精度を向上することが可能となる。

なお上記においては実施の形態１の構成における凹部２１ｃの側面２１ｃｂが傾斜している場合について説明したが、実施の形態２における凹部２１ｃの側面が同様に傾斜しており、その傾斜した側面に温度検出素子が配置されていてもよい。

実施の形態４．
図１１は、本実施の形態における半導体装置評価用治具の構成を概略的に示す平面図である。図１１に示されるように、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、複数の温度検出素子２２が貫通孔２１ｅを取り囲む仮想の円ＣＩの円周上に沿って配置されている点において異なっている。

仮想の円ＣＩは、基体２１の中央を中心とする円であることが好ましい。この仮想の円ＣＩの円周上に沿って、複数（例えば３つ）の温度検出素子２２が配置されている。

なお上記以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

本実施の形態によれば、上記のように複数の温度検出素子２２を配置することにより、半導体装置３０の周囲の一部を取り囲む位置に複数の温度検出素子２２を配置することができる。このように半導体装置３０の周囲の温度分布を検出することで、半導体装置３０の温度分布の検出精度が向上する。

なお上記においては実施の形態１の構成における複数の温度検出素子２２が仮想の円ＣＩの円周上に沿って配置された場合について説明したが、実施の形態２における複数の温度検出素子２２が同様に配置されていてもよい。この場合、温度検出素子２２と半導体装置３０との距離がより近くなるため、半導体装置３０の温度検出の精度を向上することが可能となる。

実施の形態５．
図１２は、本実施の形態における半導体装置評価用治具および半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。図１２に示されるように、本実施の形態の構成は、実施の形態１の基体２１の表面２１ａ側に設けられた凹部２１ｃおよび凹部２１ｃ内の構成と、実施の形態２の基体２１の裏面２１ｂ側に設けられた凹部２１ｃおよび凹部２１ｃ内の構成とが組み合わされた構成を有している。

なお上記以外の本実施の形態の構成は、実施の形態１および２の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

このように基体２１の表面２１ａおよび裏面２１ｂの双方に温度検出素子２２を設けることにより、半導体装置３０の温度分布をより詳細に知ることができる。

上記の実施の形態においては、一つの半導体装置評価用治具２０に一つの半導体装置３０を載置する場合について説明したが、一つの半導体装置評価用治具２０に載置される半導体装置３０の個数は複数個であってもよい。

また上記の実施の形態１〜４は適宜組み合わされてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ チャックステージ、１ａ，２１ａ，３０ｌａ 表面、１ｂ 吸着溝、１ｃ，１ｄ 吸着孔、２ コンタクトプローブ、２ａ コンタクト部、２ｂ 先端部、２ｃ 押し込み部、２ｄ 絶縁基体設置部、２ｅ 電気的接続部、３ 絶縁基体、４ 接続部、５ 信号線、６ 評価部、７ 移動アーム、８ プローブ基体、１０ 半導体装置評価装置、２０ 半導体装置評価用治具、２１ 基体、２１ｂ 裏面、２１ｃ 凹部、２１ｃａ 底面、２１ｃｂ 側面、２１ｅ 貫通孔、２１ｆ 孔部、２２ 温度検出素子、２２ａ 単結晶シリコン層、２２ｂ 絶縁層、２２ｃ ｎ型多結晶シリコン層、２２ｄ ｐ型多結晶シリコン層、２２ｅ，２３，２４ 電極パッド、２２ｆ 金属電極、２５ 配線部、２５ａ 母材部、２５ａｂ 導電層、２５ｂ 配線、２６ 接続ワイヤ、２７ 補強部、３０ 半導体装置、３０ａ ｐ⁺コレクタ領域、３０ｂ ｎ⁺領域、３０ｃ ｎ^-領域、３０ｄ ｐ型ベース領域、３０ｅ ｎ⁺エミッタ領域、３０ｆ ｐ⁺コンタクト領域、３０ｇ ゲート絶縁層、３０ｈ ゲート電極層、３０ｉ 層間絶縁層、３０ｉａ コンタクトホール、３０ｊ エミッタ電極、３０ｋ コレクタ電極、３０ｌ 半導体基板、３０ｍ 表面パッド。

Claims (22)

1. 半導体装置の電気的特性を評価するための半導体装置評価装置に用いられ、かつ前記半導体装置評価装置のステージ上に配置されて使用される半導体装置評価用治具であって、
   互いに対向する第１の面および第２の面を有し、前記第１の面に前記半導体装置を載置する載置領域を有し、前記載置領域内において前記第１の面から前記第２の面に貫通する貫通孔を有する導電性の板状の基体と、
   前記基体に取り付けられた少なくとも１つの温度検出素子と、
   前記温度検出素子と電気的に接続され、かつ前記第１の面側に形成された第１の電極パッドとを備えた、半導体装置評価用治具。
2. 前記基体の前記第１の面側に形成され、かつ前記基体に電気的に接続された第２の電極パッドをさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置評価用治具。
3. 前記基体は前記第１の面に第２の電極パッド用凹部を有し、前記第２の電極パッドは前記第２の電極パッド用凹部内に配置されている、請求項２に記載の半導体装置評価用治具。
4. 前記第２の電極パッドは前記貫通孔を挟んで前記第１の電極パッドとは反対側の前記基体の前記第１の面における端部に配置されている、請求項２または請求項３に記載の半導体装置評価用治具。
5. 前記温度検出素子は、前記第１の面側において前記基体に取り付けられている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
6. 前記温度検出素子は、前記第２の面側において前記基体に取り付けられている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
7. 前記少なくとも１つの温度検出素子は、第１および第２の温度検出素子を含み、
   前記第１の温度検出素子は前記第１の面側において前記基体に取り付けられており、前記第２の温度検出素子は前記第２の面側において前記基体に取り付けられている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
8. 前記基体は前記第１の面および前記第２の面の少なくとも１つの面に第１の電極パッド用凹部を有し、前記少なくとも１つの温度検出素子は前記第１の電極パッド用凹部内に配置されている、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
9. 前記温度検出素子と前記第１の電極パッドとを電気的に接続する配線部をさらに備え、
   前記配線部は前記第１の電極パッド用凹部内に配置されている、請求項８に記載の半導体装置評価用治具。
10. 前記配線部は、前記基体に取り付けられた母材部と、前記母材部に取り付けられた配線とを含み、
    前記母材部はセラミックよりなっている、請求項９に記載の半導体装置評価用治具。
11. 前記配線部は、前記基体に取り付けられた母材部と、前記母材部に取り付けられた配線とを含み、
    前記母材部は樹脂よりなっている、請求項９に記載の半導体装置評価用治具。
12. 前記第１の電極パッド用凹部は前記第２の面に形成されており、前記基体は前記第１の電極パッド用凹部の底面から前記第１の面に達する孔部を有し、
    前記第１の電極パッドは前記孔部を通じて前記第１の面側に露出している、請求項８〜請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
13. 前記第１の電極パッド用凹部の少なくとも１つの壁面は前記第１の面に対して傾斜した傾斜面であり、前記温度検出素子は前記傾斜面に設置されている、請求項８〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
14. 前記温度検出素子は前記第１の電極パッド用凹部の底面に設置されている、請求項８〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
15. 前記少なくとも１つの温度検出素子は複数の温度検出素子を含み、
    前記複数の温度検出素子は１列に並んで配置されている、請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
16. 前記少なくとも１つの温度検出素子は複数の温度検出素子を含み、
    前記複数の温度検出素子は前記貫通孔を取り囲む円周上に配置されている、請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
17. 前記貫通孔は、前記第２の面側での前記貫通孔の開口面積が前記第１の面側での前記貫通孔の開口面積よりも大きくなるようなテーパ形状を有している、請求項１〜請求項１６のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
18. 前記温度検出素子は前記載置領域の真下に配置されている、請求項１〜請求項１７のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
19. 前記第１の電極パッドは、前記温度検出素子よりも前記基体の前記第１の面における端部側に配置されている、請求項１〜請求項１８のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
20. 前記温度検出素子はダイオードである、請求項１〜請求項１９のいずれか１項に記載の半導体装置評価用治具。
21. 請求項１〜請求項２０のいずれか１項に記載の前記半導体装置評価用治具と、
    前記半導体装置評価用治具を載置する前記ステージと、
    前記半導体装置の表面パッドに接続される第１のプローブおよび前記第１の電極パッドに接続される第２のプローブと、
    前記第１のプローブおよび前記第２のプローブと電気的に接続され、かつ前記半導体装置の電気的特性と温度と評価する評価部とを備えた、半導体装置評価装置。
22. 請求項２１に記載の前記半導体装置評価装置を用いた半導体装置評価方法であって、
    前記ステージ上に前記半導体装置評価用治具を載置する工程と、
    前記半導体装置評価用治具上に前記半導体装置を載置する工程と、
    前記第１のプローブを前記半導体装置の前記表面パッドに電気的に接続するとともに、前記第２のプローブを前記第１の電極パッドに電気的に接続して、前記半導体装置の電気的特性を評価する工程と、を備えた半導体装置評価方法。

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