JP6494438B2 - ガスセンサパッケージの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 108
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 95
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 144
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
- G01D11/245—Housings for sensors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Description
Claims (15)
- ガスセンサパッケージの製造方法において、
−半導体チップ(3)を担体(2)に取り付けるステップと、
−前記半導体チップ(3)を少なくとも部分的に包囲するモールド材料(1)を供給し、該モールド材料(1)によって覆われていない前記半導体チップ(3)の部分との接触部を提供する開口部(11)を前記モールド材料(1)に形成するステップと、
−前記開口部(11)を介して、前記半導体チップ(3)の前記覆われていない部分に感応材料を供給し、ガスに対して感応性の感応層(31)を形成するステップと、
を備えていることを特徴とする、方法。 - 前記モールド材料(1)を供給する前に、前記半導体チップ(3)を取り付け、
前記モールド材料(1)が供給された後に、前記感応材料を供給する、
請求項1に記載の方法。 - −複数の半導体チップ(3)を受容するように構成されている共通の担体(2)である、前記担体(2)上に複数の半導体チップ(3)を取り付けるステップと、
−各半導体チップ(3)に対して、少なくとも部分的に前記半導体チップ(3)を包囲するモールド材料(1)を供給し、前記モールド材料(1)によって覆われていない前記半導体チップ(3)の部分との接触部を提供する開口部(11)を形成するステップと、
−各半導体チップ(3)に対して、前記開口部(11)を介して、前記半導体チップ(3)の前記覆われていない部分に前記感応材料を供給し、ガスに対して感応性の感応層(31)を形成するステップと、
によって、複数のガスセンサパッケージを製造する、
請求項1又は2に記載の方法。 - 一つ以上の前記半導体チップ(3)を前記担体(2)に取り付ける前に、
−前記半導体チップ(3)の表面(fs)に処理回路(36)を集積し、
−前記半導体チップ(3)の表面(fs)にヒータ(34)を集積し、
−前記ヒータ(34)の直下において、前記半導体チップ(3)の裏面(bs)に凹部(32)を形成して、前記半導体チップ(3)にダイヤフラム(39)を形成することによって、
一つ以上の前記半導体チップ(3)を準備する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。 - −前記半導体チップ(3)が前記共通の担体(2)に配置されている間に、前記半導体チップ(3)の前記ヒータ(34)を加熱するステップを備えており、
−前記共通の担体(2)又は該共通の担体(2)の少なくとも一部に電流を供給することによって前記ヒータ(34)を加熱し、
−前記電流の供給時間及び大きさを、前記感応層(31)の熱処理に関して設定する、
請求項4と組み合わされた請求項3に記載の方法。 - 前記モールド材料(1)を、一つの共通の製造ステップにおいて、前記共通の担体(2)上の全ての半導体チップ(3)に供給し、前記共通の担体(2)にわたり途切れのないモールド材料(1)を形成する、
請求項3又は5に記載の方法。 - 前記共通の担体(2)は、導電性のリードフレーム(4)を含み、
前記リードフレーム(4)は、前記半導体チップ(3)を取り付けるためのダイパッド(21)と、前記ガスセンサパッケージの電気的な接触接続を行うための複数のコンタクトパッド(22〜27)と、前記ダイパッド(21)及び前記コンタクトパッド(22〜27)に接続されている支持リード(41,411,412,42,421)とを含み、
前記方法は、
前記モールド材料(1)を供給し、前記開口部(11)を、前記モールド材料(1)の表面(FS)に配置し、前記ダイパッド(21)と、前記コンタクトパッド(22〜27)の少なくとも一部とを、前記表面(FS)とは反対側の、前記モールド材料(1)の裏面(BS)において、前記モールド材料(1)から露出させるステップ、
を備えている、
請求項3,5,6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コンタクトパッド(22〜27)に接続されている前記支持リード(41,411,42,421)又は前記コンタクトパッド(22〜27)を前記裏面(BS)から切断し、
前記支持リード(411)又は前記コンタクトパッド(22〜27)を鋸引きによって切断する、
請求項7に記載の方法。 - 各ダイパッド(21)は、それぞれが四つの角を持つ矩形の形状を有しており、
前記コンタクトパッド(22〜27)は、対応するダイパッド(21)の対向する辺に配置されており、
各ダイパッド(21)に接続されている前記支持リード(421)は、他の二つの辺のうちの少なくとも一つの辺において、前記ダイパッド(21)から延びており、
対応する前記ダイパッド(21)の一つの辺に配置されている前記コンタクトパッド(22〜27)、又はそれぞれの前記支持リード(411)を、鋸引きによって同時に切断し、
前記ダイパッド(21)に接続されている前記支持リード(421)は未だ切断しない、
請求項8に記載の方法。 - 前記複数のコンタクトパッドのうちの一つのコンタクトパッド(26)を、各ガスセンサチップ(3)のための前記ヒータ(34)に電流を供給するためのピンとして使用し、
前記複数のコンタクトパッドのうちの別の一つのコンタクトパッド(24)を、前記ヒータ(34)を除いて前記ガスセンサチップ(3)を動作させる電力を供給するための給電ピンとして使用し、
前記共通の担体(2)に配置されている各ガスセンサチップ(3)に関して、加熱電流を、ヒータピンとして使用される前記コンタクトパッド(26)に供給する、
請求項9と組み合わされた請求項5に記載の方法。 - 前記複数のコンタクトパッドのうちの第3のコンタクトパッド(23)を接地ピンとして使用し、且つ、前記ダイパッド(21)に電気的に接続し、
前記共通の担体(2)に配置されている各ガスセンサチップ(3)に関して、加熱電流を、ヒータピンとして使用される前記コンタクトパッド(26)と、接地ピンとして使用される前記第3のコンタクトパッド(23)と、の間に供給する、
請求項10に記載の方法。 - 前記感応層(31)を熱処理した後に、前記モールド材料(1)及び前記共通の担体(2)をダイシングし、前記複数のガスセンサパッケージに個別化する、
請求項5に記載の方法。 - 前記感応層(31)を熱処理した後に、且つ、個別のガスセンサパッケージにダイシングする前に、前記ガスセンサチップ(3)を検査及び/又は較正する、
請求項12に記載の方法。 - 前記モールド材料(1)を供給した後、且つ、前記感応材料を供給した後に、前記切断ステップを実施する、
請求項8に記載の方法。 - 前記感応材料を、非接触式の分配によって、又は、インクジェット印刷によって、一つ以上の前記半導体チップ(3)の前記覆われていない部分に供給する、
請求項1乃至14のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14171633.2 | 2014-06-06 | ||
EP14171633.2A EP2952886B1 (en) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | Method for manufacturing a gas sensor package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015230316A JP2015230316A (ja) | 2015-12-21 |
JP6494438B2 true JP6494438B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=51059253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015115026A Active JP6494438B2 (ja) | 2014-06-06 | 2015-06-05 | ガスセンサパッケージの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2952886B1 (ja) |
JP (1) | JP6494438B2 (ja) |
CN (1) | CN105158299B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3124962B1 (en) * | 2015-07-29 | 2022-09-28 | Sensirion AG | Gas sensor array and a method for manufacturing thereof |
CA3034248A1 (en) | 2016-08-18 | 2018-02-22 | Carrier Corporation | Isolated sensor and method of isolating a sensor |
EP3139159A1 (en) * | 2016-08-23 | 2017-03-08 | Sensirion AG | Sensor assembly |
CN106226361A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种新型微热板式气体敏感元件 |
NL2017885B1 (en) * | 2016-11-29 | 2018-06-11 | Sencio B V | Sensor package and method of manufacturing the same |
EP3355348B1 (en) * | 2017-01-26 | 2021-06-23 | Sensirion AG | Method for manufacturing a semiconductor package |
EP3396329A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-10-31 | Sensirion AG | Sensor package |
US11300534B2 (en) | 2019-09-06 | 2022-04-12 | General Electric Company | Monolithic gas-sensing chip assembly and method |
WO2022176739A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | 京セラ株式会社 | センサパッケージ、センサモジュール、及びセンサ装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59183356A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-18 | Hitachi Ltd | 湿度センサ |
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CN103674399B (zh) * | 2013-12-25 | 2016-04-27 | 北京必创科技有限公司 | 一种应力分散mems塑封压力传感器及其制备方法 |
-
2014
- 2014-06-06 EP EP14171633.2A patent/EP2952886B1/en active Active
-
2015
- 2015-06-05 JP JP2015115026A patent/JP6494438B2/ja active Active
- 2015-06-08 CN CN201510309850.4A patent/CN105158299B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2952886A8 (en) | 2016-02-10 |
JP2015230316A (ja) | 2015-12-21 |
CN105158299B (zh) | 2020-03-03 |
EP2952886B1 (en) | 2020-09-23 |
CN105158299A (zh) | 2015-12-16 |
EP2952886A1 (en) | 2015-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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