JP2015034718A - 可燃性ガス検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイヤフラム構造部を有する熱伝導式の可燃性ガス検出装置の検出精度を向上させた可燃性ガス検出装置を提供する。
【解決手段】表面と底面との間を貫通する空洞部301を有する基板5上に、空洞部の表面側を閉塞するとともに、被検出雰囲気に晒されるダイヤフラム構造部39Dが形成され、当該ダイヤフラム構造部に、自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体8を備えたガス検出素子3と、ガス検出素子を搭載する配線基板2と、を備えた可燃性ガス検出装置10であって、基板における空洞部の周囲に位置するリム部5の底面5Rと配線基板の表面25Rとの間のうち、その一部に、ガラスを含む接着層61が介装され、該接着層が介装されない部位を介して空洞部が外部と連通している。
【選択図】図2
【解決手段】表面と底面との間を貫通する空洞部301を有する基板5上に、空洞部の表面側を閉塞するとともに、被検出雰囲気に晒されるダイヤフラム構造部39Dが形成され、当該ダイヤフラム構造部に、自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体8を備えたガス検出素子3と、ガス検出素子を搭載する配線基板2と、を備えた可燃性ガス検出装置10であって、基板における空洞部の周囲に位置するリム部5の底面5Rと配線基板の表面25Rとの間のうち、その一部に、ガラスを含む接着層61が介装され、該接着層が介装されない部位を介して空洞部が外部と連通している。
【選択図】図2
Description
本発明は、ダイヤフラム構造部を有するガス検出素子を配線基板に搭載した可燃性ガス検出装置に関する。
近年、環境・自然保護などの社会的要求から、高効率で、クリーンなエネルギー源として燃料電池の研究が活発に行われている。その中で、低温作動、高出力密度等の利点により、家庭用、車載用などのエネルギー源として固体高分子型燃料電池(PEFC)や水素内燃機関が期待されている。これらのシステムでは、例えば、可燃性ガスである水素を燃料としているため、ガス漏れの検知が重要な課題の一つとして挙げられている。
この種の被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度を検出するガス検出装置として、被検出雰囲気内にガス検出素子を配置し、このガス検出素子に、自身の温度変化(発熱)により抵抗値が変化する発熱抵抗体を備えた熱伝導式のガス検出装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、このガス検出装置では、発熱抵抗体に通電されて発熱抵抗体が発熱した際に可燃性ガスへの熱伝導(気体熱伝導)が生じる。そのため、ガス検出素子の温度を一定の温度に制御する場合、熱伝導によって発熱抵抗体の温度が変化するとともに抵抗値が変化するため、その変化量に基づき、被検出ガスを検出することができる。
そして、上記ガス検出素子はMEMSの技術を用いて作製されており、基板上にダイヤフラムを形成する絶縁層を設け、この絶縁層に発熱抵抗体を配置させる構成を採っている。これにより、発熱抵抗体から基板への熱逃げがダイヤフラム部分で少なくなるので、発熱抵抗体の熱が被検出ガスへ伝わり易くなる。
そして、上記ガス検出素子はMEMSの技術を用いて作製されており、基板上にダイヤフラムを形成する絶縁層を設け、この絶縁層に発熱抵抗体を配置させる構成を採っている。これにより、発熱抵抗体から基板への熱逃げがダイヤフラム部分で少なくなるので、発熱抵抗体の熱が被検出ガスへ伝わり易くなる。
又、ダイヤフラム構造部を有するガス検出素子を配線基板内に接着剤により固定、保持することが行われている(例えば、特許文献2参照)。
ところで、ガス検出素子を配線基板に固定するための接着剤としては、一般にエポキシ樹脂や銀ペースト等が用いられている。
しかしながら、これらの接着剤は、高湿度環境等に晒されると経年劣化して変質し、熱伝導率が初期の値から変化する。このため、ダイヤフラム構造部近傍でガス検出素子から配線基板へ接着剤を介して逃げる熱量も変化してしまい、ガス検出素子の測定精度が低下するおそれがある。特に、上記した熱伝導式のガス検出素子の場合、可燃性ガスへの熱伝導を用いてガスを検出しているため、ガス検出素子から配線基板への熱逃げ量が変化すると、測定精度の低下が大きくなる。
しかしながら、これらの接着剤は、高湿度環境等に晒されると経年劣化して変質し、熱伝導率が初期の値から変化する。このため、ダイヤフラム構造部近傍でガス検出素子から配線基板へ接着剤を介して逃げる熱量も変化してしまい、ガス検出素子の測定精度が低下するおそれがある。特に、上記した熱伝導式のガス検出素子の場合、可燃性ガスへの熱伝導を用いてガスを検出しているため、ガス検出素子から配線基板への熱逃げ量が変化すると、測定精度の低下が大きくなる。
そこで、本発明は、ダイヤフラム構造部を有する熱伝導式の可燃性ガス検出装置の検出精度を向上させた可燃性ガス検出装置の提供を目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の可燃性ガス検出装置は、表面と底面との間を貫通する空洞部を有する基板上に、前記空洞部の表面側を閉塞するとともに、被検出雰囲気に晒されるダイヤフラム構造部が形成され、当該ダイヤフラム構造部に、自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体を備えたガス検出素子と、前記ガス検出素子を搭載する配線基板と、を備えた可燃性ガス検出装置であって、前記基板における前記空洞部の周囲に位置するリム部の底面と前記配線基板の表面との間のうち、その一部に、ガラスを含む接着層が介装され、該接着層が介装されない部位を介して前記空洞部が外部と連通している。
この可燃性ガス検出装置によれば、ガス検出素子を配線基板に固定する接着層はガラスを含むので、エポキシ樹脂や粘着テープ等の樹脂からなる接着層のように高湿度環境等に晒されて劣化、変質することが少なく、熱伝導率が初期の値からほとんど変化しない。このため、ダイヤフラム構造部近傍でガス検出素子から配線基板へ接着層を介して逃げる熱量も変化せず、ガス検出素子の測定精度の低下を抑制することができる。
又、ダイヤフラム構造部の下側の空洞部が外部と連通しているので、空洞部が密閉されず、可燃性ガス検出装置が加熱又は冷却された場合に、空洞部の気圧が高くなりすぎ、あるいは低くなりすぎて、ダイヤフラム構造部が破損する不具合が防止される。
この可燃性ガス検出装置によれば、ガス検出素子を配線基板に固定する接着層はガラスを含むので、エポキシ樹脂や粘着テープ等の樹脂からなる接着層のように高湿度環境等に晒されて劣化、変質することが少なく、熱伝導率が初期の値からほとんど変化しない。このため、ダイヤフラム構造部近傍でガス検出素子から配線基板へ接着層を介して逃げる熱量も変化せず、ガス検出素子の測定精度の低下を抑制することができる。
又、ダイヤフラム構造部の下側の空洞部が外部と連通しているので、空洞部が密閉されず、可燃性ガス検出装置が加熱又は冷却された場合に、空洞部の気圧が高くなりすぎ、あるいは低くなりすぎて、ダイヤフラム構造部が破損する不具合が防止される。
前記リム部の前記底面の内側縁よりも外側に前記接着層が付着していることが好ましい。換言すれば、前記リム部の内側縁に前記接着層が付着していないことが好ましい。
ガス検出素子と配線基板との隙間の毛管現象により、接着層となる接着剤が周囲へ広がってゆく。この場合、接着剤がリム部の底面の内側縁に付着していると、毛管現象によって接着剤がダイヤフラム構造部(リム部)の内壁面にも付着し、ダイヤフラム構造部の開口容積が小さくなる。すると、ダイヤフラム構造部近傍でガス検出素子から配線基板へ逃げる熱量も変化し、ガス検出素子の測定精度が低下するが、本実施形態によれば接着剤がダイヤフラム構造部(リム部)の内壁面に付着しないので、かかる不具合を抑制することができる。
ガス検出素子と配線基板との隙間の毛管現象により、接着層となる接着剤が周囲へ広がってゆく。この場合、接着剤がリム部の底面の内側縁に付着していると、毛管現象によって接着剤がダイヤフラム構造部(リム部)の内壁面にも付着し、ダイヤフラム構造部の開口容積が小さくなる。すると、ダイヤフラム構造部近傍でガス検出素子から配線基板へ逃げる熱量も変化し、ガス検出素子の測定精度が低下するが、本実施形態によれば接着剤がダイヤフラム構造部(リム部)の内壁面に付着しないので、かかる不具合を抑制することができる。
前記接着層は軟化点が600℃以下の低融点ガラスからなることが好ましい。
この可燃性ガス検出装置によれば、接着時にガス検出素子や配線基板への熱影響を少なくすることができる。
この可燃性ガス検出装置によれば、接着時にガス検出素子や配線基板への熱影響を少なくすることができる。
この発明によれば、ダイヤフラム構造部を有する熱伝導式の可燃性ガス検出装置の検出精度を向上させることができる。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る可燃性ガス検出装置10の分解斜視図、図2は保護キャップを外した可燃性ガス検出装置本体1の平面図である。
図1において、可燃性ガス検出装置10は、ガス検出素子3を搭載(実装)した配線基板(支持体)2からなる可燃性ガス検出装置本体1と、この可燃性ガス検出装置本体1(配線基板2)の被保護面2S及びこれに囲まれたキャビティ21(凹部)を覆う保護カバー9とを備える。
図1は、本発明の実施形態に係る可燃性ガス検出装置10の分解斜視図、図2は保護キャップを外した可燃性ガス検出装置本体1の平面図である。
図1において、可燃性ガス検出装置10は、ガス検出素子3を搭載(実装)した配線基板(支持体)2からなる可燃性ガス検出装置本体1と、この可燃性ガス検出装置本体1(配線基板2)の被保護面2S及びこれに囲まれたキャビティ21(凹部)を覆う保護カバー9とを備える。
配線基板2は、略直方体形状を有しており、略四角枠状の被保護面2Sに囲まれ、内部にガス検出素子3を搭載する空間をなすキャビティ21が凹設されている。配線基板2の対向する短辺の側壁は内側に凹んだ案内凹部2A,2Bを構成している。また、この案内凹部2A,2Bは、被保護面2Sの裏面2E側(図3参照)でさらに一段内側に凹み、係合凹部2C,2Dが形成されている。
又、配線基板2はセラミック絶縁層、具体的には4層のアルミナ質のセラミック絶縁層24,25,26,27を積層してなる多層基板である。そして、配線基板2の対向する長辺の側壁には、略半円筒、あるいは1/4円筒状に凹設されたいわゆるキャステレーションが複数形成されている。配線基板2の内部配線は、このキャステレーション部分に引き出され、さらにこのキャステレーションを通じて、図示しないこの配線基板2の裏面2Eまで引き回され、プリント配線基板などにハンダ付け接続可能となっている。
又、配線基板2はセラミック絶縁層、具体的には4層のアルミナ質のセラミック絶縁層24,25,26,27を積層してなる多層基板である。そして、配線基板2の対向する長辺の側壁には、略半円筒、あるいは1/4円筒状に凹設されたいわゆるキャステレーションが複数形成されている。配線基板2の内部配線は、このキャステレーション部分に引き出され、さらにこのキャステレーションを通じて、図示しないこの配線基板2の裏面2Eまで引き回され、プリント配線基板などにハンダ付け接続可能となっている。
図3に示すように、配線基板2は、最下層に位置する略矩形平板状のセラミック絶縁層24上に、セラミック絶縁層25が積層され、さらに、略矩形枠状のセラミック絶縁層26が積層されている。さらに、この上には、セラミック絶縁層26より幅細で略矩形枠状のセラミック絶縁層27が積層されている。これにより、セラミック絶縁層25がキャビティ21の底面(表面)25Rを構成し、セラミック絶縁層26がキャビティ21内の段部22を構成している。段部22は被保護面2Sより段状に下がりつつ、表面25Rを矩形枠状に囲んでいる。
底面25Rは特許請求の範囲の「配線基板の表面」に相当する。
そして、段部22のうち、一辺(図1、図2の下側の辺)に相当するパッド形成辺部22P(図2参照)には、3つの基板側パッド23が一列に並んで形成されている。具体的には図2に示すように、図2の左から、第1パッド23A,第2パッド23B,グランドパッド23Cがこの順に一列に並んでいる。
底面25Rは特許請求の範囲の「配線基板の表面」に相当する。
そして、段部22のうち、一辺(図1、図2の下側の辺)に相当するパッド形成辺部22P(図2参照)には、3つの基板側パッド23が一列に並んで形成されている。具体的には図2に示すように、図2の左から、第1パッド23A,第2パッド23B,グランドパッド23Cがこの順に一列に並んでいる。
なお、これらの基板側パッド23は、公知の構造によって外部と接続可能となっている。具体的には、基板側パッド23は、それぞれ図示しない内部配線を通じて、配線基板2の側面に形成されたキャステレーションに引き出され、このキャステレーションに形成された導電層を通じて、その裏面2Eの接続パッド(図示しない)に接続している。これにより、プリント配線基板などの支持基板に、この可燃性ガス検出装置10を搭載することができる。
次に、ガス検出素子3の構成について説明する。図4はガス検出素子3の平面図を示し、図5は図4のB−B矢視断面図を示す。
図4に示すように、ガス検出素子3は、平面視矩形状(平面視四角形状)をなしており、表裏面を貫通する空洞部301(図5参照)を有するシリコン基板5と、空洞部301の表面側を閉塞する(覆う)ようにシリコン基板5上に形成された絶縁層6とを備えたダイヤフラム構造部39Dを有している。そして、このダイヤフラム構造部39D(詳細には絶縁層6)内に、渦巻き状にパターン形成された発熱抵抗体8が埋設されている。なお、シリコン基板5は、自身の底面側からダイヤフラム構造部39Dに向かってピラミッド形状(四角錐形状)に除去されており、シリコン基板5は空洞部301の周囲を囲むリム部(枠部、周縁部)となっている。従って、シリコン基板5が特許請求の範囲の「基板」に相当すると共に、「リム部」に相当する。又、シリコン基板(リム部)5の底面5Rは、平面から見てロ字状(四角形枠状)をなしている。
図4に示すように、ガス検出素子3は、平面視矩形状(平面視四角形状)をなしており、表裏面を貫通する空洞部301(図5参照)を有するシリコン基板5と、空洞部301の表面側を閉塞する(覆う)ようにシリコン基板5上に形成された絶縁層6とを備えたダイヤフラム構造部39Dを有している。そして、このダイヤフラム構造部39D(詳細には絶縁層6)内に、渦巻き状にパターン形成された発熱抵抗体8が埋設されている。なお、シリコン基板5は、自身の底面側からダイヤフラム構造部39Dに向かってピラミッド形状(四角錐形状)に除去されており、シリコン基板5は空洞部301の周囲を囲むリム部(枠部、周縁部)となっている。従って、シリコン基板5が特許請求の範囲の「基板」に相当すると共に、「リム部」に相当する。又、シリコン基板(リム部)5の底面5Rは、平面から見てロ字状(四角形枠状)をなしている。
発熱抵抗体8は、被検出ガスの温度(詳細には、可燃性ガスへの気体熱伝導)に伴う自身の温度変化により抵抗値が変化する抵抗体である。発熱抵抗体8は、温度抵抗係数が大きい導電性材料で構成され、本実施形態では白金(Pt)で形成されている。可燃性ガスとしての水素ガスを検出する場合、水素ガスへの熱伝導によって発熱抵抗体8から奪われる熱量の大きさは、水素ガス濃度に応じた大きさとなる。このことから、発熱抵抗体8における抵抗値の変化に基づいて、水素ガス濃度を検出することが可能となる。
そして、絶縁層6のうち、空洞部301に対応するダイヤフラム構造部39Dの内部に発熱抵抗体8を設けることにより、発熱抵抗体8が周囲から断熱されるため、短時間にて昇温又は降温する。このため、ガス検出素子3の熱容量を小さくすることができる。
絶縁層6は、単一の材料で形成されてもよいし、異なる材料を用いて複数層を成すように形成されてもよい。絶縁層6としては、窒化珪素(Si3N4)、酸化ケイ素(SiO2)等を例示することができる。
そして、絶縁層6のうち、空洞部301に対応するダイヤフラム構造部39Dの内部に発熱抵抗体8を設けることにより、発熱抵抗体8が周囲から断熱されるため、短時間にて昇温又は降温する。このため、ガス検出素子3の熱容量を小さくすることができる。
絶縁層6は、単一の材料で形成されてもよいし、異なる材料を用いて複数層を成すように形成されてもよい。絶縁層6としては、窒化珪素(Si3N4)、酸化ケイ素(SiO2)等を例示することができる。
測温抵抗体7は、可燃性ガス検出装置10の検出空間内に存在する被検出ガスの温度を検出するためのものであり、ガス検出素子3の上辺(一辺)に沿って、絶縁層6に埋設されている。測温抵抗体7は、抵抗値が温度に比例して変化(本実施形態では、温度の上昇に伴って抵抗値が増大)する導電性材料で構成され、本実施形態では白金(Pt)で形成されている。
そして、ガス検出素子3の一辺3P(図3の下側の辺、以下、「電極取出し辺」という)上には、図4の左側から4個の電極パッド3A〜3Dが、この順に一列に並んでおり、これらのパッドはワイヤボンディング可能になっている。ここで、発熱抵抗体8の左端は所定の配線を介して電極パッド3Bに接続され、発熱抵抗体8の右端は所定の配線を介して電極パッド3Cに接続されている。測温抵抗体7は、所定の配線を介して電極パッド3A及び電極パッド3Dに接続されている。
電極パッド3A〜3Dは、コンタクトホール3H(図5)を介して露出し、例えば、アルミニウム(Al)又は金(Au)で形成されている。
そして、ガス検出素子3の一辺3P(図3の下側の辺、以下、「電極取出し辺」という)上には、図4の左側から4個の電極パッド3A〜3Dが、この順に一列に並んでおり、これらのパッドはワイヤボンディング可能になっている。ここで、発熱抵抗体8の左端は所定の配線を介して電極パッド3Bに接続され、発熱抵抗体8の右端は所定の配線を介して電極パッド3Cに接続されている。測温抵抗体7は、所定の配線を介して電極パッド3A及び電極パッド3Dに接続されている。
電極パッド3A〜3Dは、コンタクトホール3H(図5)を介して露出し、例えば、アルミニウム(Al)又は金(Au)で形成されている。
ガス検出素子3は、縦横ともに数mm(例えば3mm×3mm)程度の大きさであり、例えば、シリコン半導体基板を用いたマイクロマシニング技術(マイクロマシニング加工)により製造される。
そして、図1、図2に示すように、配線基板2のキャビティ21内には、パッド形成辺部22Pにガス検出素子3の電極取出し辺3Pが対向するようにしてガス検出素子3が収容され、後述する接着層を介して両者が固定(接着)される。
さらに、図2に示すように、ガス検出素子3の電極パッド3Aは配線基板2の第1パッド23Aに、電極パッド3Bは第2パッド23Bに、電極パッド3C及び電極パッド3Dはグランドパッド23Cに、それぞれボンディングワイヤ51A,51B,51C,51Dを介して接続される。
さらに、図2に示すように、ガス検出素子3の電極パッド3Aは配線基板2の第1パッド23Aに、電極パッド3Bは第2パッド23Bに、電極パッド3C及び電極パッド3Dはグランドパッド23Cに、それぞれボンディングワイヤ51A,51B,51C,51Dを介して接続される。
そして、後述する接着層によりガス検出素子3が配線基板2に実装されて可燃性ガス検出装置本体1が構成され、この可燃性ガス検出装置本体1を保護すべく保護カバー9が取り付けられる。
図1に示すように、保護カバー9は、略平板状で配線基板2の被保護面2S及びキャビティ21を覆う大きさの保護プレート面91を有している。このうち、保護プレート面91には、複数の所定位置に通気孔91Aが穿孔され、この通気孔91Aを通じて、被測定ガスがガス検出素子3に導かれる。また、保護プレート面91には、この保護カバー9の取り付け方向を示す方向指示切り欠き91Bがその周縁に形成されて、180度回転した状態で誤って可燃性ガス検出装置本体1(配線基板2)に取り付けられるのを防止している。
そして、接着剤又は粘着テープ等を介して配線基板2の被保護面2Sと保護カバー9とを接着(固定)する。
なお、配線基板としては、セラミック製の配線基板に限られず、樹脂製またはグレーズ製の配線基板であっても良い。また、配線基板とガス検出素子との接続は、両者のパッド同士をボンディングワイヤで接続するほか、TABリードを用いることもできる。
図1に示すように、保護カバー9は、略平板状で配線基板2の被保護面2S及びキャビティ21を覆う大きさの保護プレート面91を有している。このうち、保護プレート面91には、複数の所定位置に通気孔91Aが穿孔され、この通気孔91Aを通じて、被測定ガスがガス検出素子3に導かれる。また、保護プレート面91には、この保護カバー9の取り付け方向を示す方向指示切り欠き91Bがその周縁に形成されて、180度回転した状態で誤って可燃性ガス検出装置本体1(配線基板2)に取り付けられるのを防止している。
そして、接着剤又は粘着テープ等を介して配線基板2の被保護面2Sと保護カバー9とを接着(固定)する。
なお、配線基板としては、セラミック製の配線基板に限られず、樹脂製またはグレーズ製の配線基板であっても良い。また、配線基板とガス検出素子との接続は、両者のパッド同士をボンディングワイヤで接続するほか、TABリードを用いることもできる。
次に、図2、図3を参照し、接着層61によりガス検出素子3を配線基板2に固定(実装)する態様について説明する。まず、配線基板2のセラミック絶縁層25の表面25Rの所定位置に接着層61となる接着剤を供給(塗着)した後、キャビティ21内にガス検出素子3を収容する。
ここで、本実施形態では接着層61(接着剤)はガラスからなるので、エポキシ樹脂や粘着テープ等の樹脂からなる接着層のように高湿度環境等に晒されて劣化、変質することが少なく、熱伝導率が初期の値からほとんど変化しない。このため、ダイヤフラム構造部39D近傍でガス検出素子3から配線基板2へ接着層61を介して逃げる熱量も変化せず、ガス検出素子3の測定精度の低下を抑制することができる。特に、上記した熱伝導式のガス検出素子の場合、可燃性ガスへの熱伝導を用いてガスを検出しているため、ガス検出素子3から配線基板2への熱逃げ量が変化すると、測定精度の低下が大きくなるので、接着層61にガラスを用いることが有効である。
接着層61に用いるガラスは特に制限されず、例えばケイ酸塩を主成分とするガラスを用いてもよいが、接着時にガス検出素子3や配線基板2への熱影響を少なくするため、軟化点が600℃以下の低融点ガラスを用いることが好ましい。上記低融点ガラスとしては、バナジウム(V-P-O)系、ビスマス(Bi-B-O)系、鉛(Pb-B-O)系のものが挙げられる。ここで、V-P-Oとは、バナジウム酸化物とリン酸化物とを所定の配合比で含むガラス組成を表す。
又、本実施形態では、接着層61(接着剤)がガラスからなるが、これに限られず、本発明の効果を発揮できる範囲で接着層61がガラスと、ガラス以外の成分とを含んでもよい。例えば、接着層61(接着剤)がガラスを主体(50質量%以上)とし、金属等のガラス以外の成分を含有してもよい。
ここで、本実施形態では接着層61(接着剤)はガラスからなるので、エポキシ樹脂や粘着テープ等の樹脂からなる接着層のように高湿度環境等に晒されて劣化、変質することが少なく、熱伝導率が初期の値からほとんど変化しない。このため、ダイヤフラム構造部39D近傍でガス検出素子3から配線基板2へ接着層61を介して逃げる熱量も変化せず、ガス検出素子3の測定精度の低下を抑制することができる。特に、上記した熱伝導式のガス検出素子の場合、可燃性ガスへの熱伝導を用いてガスを検出しているため、ガス検出素子3から配線基板2への熱逃げ量が変化すると、測定精度の低下が大きくなるので、接着層61にガラスを用いることが有効である。
接着層61に用いるガラスは特に制限されず、例えばケイ酸塩を主成分とするガラスを用いてもよいが、接着時にガス検出素子3や配線基板2への熱影響を少なくするため、軟化点が600℃以下の低融点ガラスを用いることが好ましい。上記低融点ガラスとしては、バナジウム(V-P-O)系、ビスマス(Bi-B-O)系、鉛(Pb-B-O)系のものが挙げられる。ここで、V-P-Oとは、バナジウム酸化物とリン酸化物とを所定の配合比で含むガラス組成を表す。
又、本実施形態では、接着層61(接着剤)がガラスからなるが、これに限られず、本発明の効果を発揮できる範囲で接着層61がガラスと、ガラス以外の成分とを含んでもよい。例えば、接着層61(接着剤)がガラスを主体(50質量%以上)とし、金属等のガラス以外の成分を含有してもよい。
又、本実施形態では、キャビティ21内の四隅にそれぞれ接着剤を供給する。これにより、ガス検出素子3のシリコン基板(リム部)5の底面5Rと、配線基板2の表面25Rとの間の一部(底面5Rの四隅に相当)に接着層61が介装される。そして、底面5Rと表面25Rとの間のうち接着層61が介装されなかった部分では、底面5Rと表面25Rとに隙間Gが生じ、この隙間Gを介して空洞部301が外部と連通している。これにより、空洞部301が密閉されないので、例えば可燃性ガス検出装置本体1が加熱又は冷却された場合に、空洞部301の気圧が高くなりすぎ、あるいは低くなりすぎて、空洞部301の表面側のダイヤフラム構造部39Dが破損する不具合が防止される。
これに対し、例えば底面5Rの四周に切れ目なく接着層61を介装した場合、空洞部301が密閉されるので、可燃性ガス検出装置本体1の温度変化等に伴い、ダイヤフラム構造部39Dが破損するおそれがある。
なお、リム部5の底面5Rとは、実装時にガス検出素子3が配線基板2に対向する面であり、配線基板の表面25Rとは、実装時に配線基板2がガス検出素子3に対向する面である。
これに対し、例えば底面5Rの四周に切れ目なく接着層61を介装した場合、空洞部301が密閉されるので、可燃性ガス検出装置本体1の温度変化等に伴い、ダイヤフラム構造部39Dが破損するおそれがある。
なお、リム部5の底面5Rとは、実装時にガス検出素子3が配線基板2に対向する面であり、配線基板の表面25Rとは、実装時に配線基板2がガス検出素子3に対向する面である。
接着層61となる接着剤は、例えば、ノズルで点状(ドット状)に表面25Rの所定位置(図2の例では4箇所)に供給することができる。又、図2、図3の例では、接着層61は底面5Rの外縁から配線基板2の段部22寄りにはみ出し、全体として1つの円(ドット状)になっている。接着層6が底面5Rの外縁からはみ出していると、接着層61が適切に塗着されたか否かを目視で容易に検査することができる。
又、ガス検出素子3の底面5Rが、少なくとも対向する2箇所で配線基板2に固定(接着)されていると、ガス検出素子3のダイヤフラム構造部39Dが片持ち式でなく2点以上で固定される。その結果として、ワイヤボンディング等の際に生じる衝撃や振動により、ガス検出素子3が振れてダイヤフラム構造部39Dが破損することが抑制される。
又、ガス検出素子3の底面5Rが、少なくとも対向する2箇所で配線基板2に固定(接着)されていると、ガス検出素子3のダイヤフラム構造部39Dが片持ち式でなく2点以上で固定される。その結果として、ワイヤボンディング等の際に生じる衝撃や振動により、ガス検出素子3が振れてダイヤフラム構造部39Dが破損することが抑制される。
さらに、図3に示すように、本実施形態では、シリコン基板(リム部)5の底面5Rの内側縁よりも外側に接着層61が付着している。換言すれば、シリコン基板(リム部)5の内側縁5eに接着層61が付着しておらず、内側縁5eより外側の底面5Rに接着層61が介装されている。配線基板2の表面25Rに接着剤を供給(塗着)した後、ガス検出素子3(の底面5R)を押し付けると、ガス検出素子3とセラミック絶縁層25との隙間の毛管現象により、接着剤が周囲へ広がってゆく。この場合、接着剤がリム部5の内側縁5eに付着していると、毛管現象によって接着剤がダイヤフラム構造部39D(リム部5)の内壁面39Aにも付着し、空洞部301の開口容積が小さくなる。すると、ダイヤフラム構造部39D近傍でガス検出素子3から配線基板2へ逃げる熱量も変化し、ガス検出素子3の測定精度が低下する場合がある。
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。例えば、上記実施形態では1個のガス検出素子を配線基板に実装したが、2個以上のガス検出素子を1つの配線基板に実装してもよい。
又、ガス検出素子3の平面形状は四角形状に限らず、多角形状であればよく、その大きさ、厚み、各部材の配置も限定されるものではない。
又、ガス検出素子3の平面形状は四角形状に限らず、多角形状であればよく、その大きさ、厚み、各部材の配置も限定されるものではない。
2 配線基板
3 ガス検出素子
5 リム部(基板)
5R リム部の底面
5e リム部の内側縁
8 発熱抵抗体
10 可燃性ガス検出装置
25R 配線基板の表面
39D ダイヤフラム構造部
61 接着層
301 空洞部
3 ガス検出素子
5 リム部(基板)
5R リム部の底面
5e リム部の内側縁
8 発熱抵抗体
10 可燃性ガス検出装置
25R 配線基板の表面
39D ダイヤフラム構造部
61 接着層
301 空洞部
Claims (3)
- 表面と底面との間を貫通する空洞部を有する基板上に、前記空洞部の表面側を閉塞するとともに、被検出雰囲気に晒されるダイヤフラム構造部が形成され、
当該ダイヤフラム構造部に、自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体を備えたガス検出素子と、
前記ガス検出素子を搭載する配線基板と、を備えた可燃性ガス検出装置であって、
前記基板における前記空洞部の周囲に位置するリム部の底面と前記配線基板の表面との間のうち、その一部に、ガラスを含む接着層が介装され、該接着層が介装されない部位を介して前記空洞部が外部と連通している可燃性ガス検出装置。 - 前記リム部の前記底面の内側縁よりも外側に前記接着層が付着している請求項1に記載の可燃性ガス検出装置。
- 前記接着層は軟化点が600℃以下の低融点ガラスからなる請求項1又は2に記載の可燃性ガス検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013164811A JP2015034718A (ja) | 2013-08-08 | 2013-08-08 | 可燃性ガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2013164811A JP2015034718A (ja) | 2013-08-08 | 2013-08-08 | 可燃性ガス検出装置 |
Publications (1)
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JP2015034718A true JP2015034718A (ja) | 2015-02-19 |
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ID=52543349
Family Applications (1)
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JP2013164811A Pending JP2015034718A (ja) | 2013-08-08 | 2013-08-08 | 可燃性ガス検出装置 |
Country Status (1)
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- 2013-08-08 JP JP2013164811A patent/JP2015034718A/ja active Pending
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