KR102609714B1 - 센서 - Google Patents

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진원혁
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엘지전자 주식회사
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Abstract

센서가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 센서는, 제1 기판; 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제2 기판에 형성된 전극; 상기 전극의 적어도 일부를 덮으며, 상기 제2 기판 상에 형성되는 감지부; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제2 기판에 형성되며, 상기 전극과 전기적으로 연결되는 패드전극; 그리고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제1 기판에 형성되며, 상기 패드전극과 전기적으로 연결되는 본딩패드를 포함한다.

Description

센서{SENSOR}
본 발명은 센서에 관한 것으로, 기체를 감지할 수 있는 가스센서에 관한 것이다.
센서는 주어진 환경에서 상태 또는 그 상태의 변화를 감지하고, 그에 대응되는 신호를 제공하는 것이다(A sensor is an object whose purpose is to detect events or changes in its environment, and then provide a corresponding output). 센서는 일종의 변환장치인데, 다양한 형태의 신호를 제공할 수 있으나, 주로 전기적 또는 광학적 신호를 제공할 수 있다(A sensor is a type of transducer; sensors may provide various types of output, but typically use electrical or optical signals).
가스센서는 주어진 환경의 기체의 구성 또는 기체의 분포 등을 감지할 수 있는 장치이다(A gas sensor or a gas detector is a device that detects the presence of gases in an area). 이러한 가스센서는 사람이나 동물과 같은 생명체에 유해할 수 있는 많은 가스를 감지할 수 있어 매우 중요하다 할 수 있다(This type of device is important because there are many gases that can be harmful to organic life, such as humans or animals).
최근, 소형화 기술의 발전에 따라, 이러한 센서의 소형화가 이루어지고 있는데, 센서의 크기가 미리 미터에서 마이크로 미터 단위까지 작아지고 있다. 센서의 소형화 기술은 센서의 크기를 미세하게 줄이는 것뿐만 아니라, 센서의 감도, 센서의 반응신속성, 센서의 내구성, 그리고 센서제조의 경제성 등을 유지하기 위한 것이 될 수 있다.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른(another) 목적은 가스 감응 특성을 향상시킬 수 있는 가스센서를 제공하는 것일 수 있다.
또 다른 목적은 내구성을 향상시킬 수 있는 가스센서를 제공하는 것일 수 있다.
또 다른 목적은 센서 내부로 가스의 유입 또는 유출이 용이한 가스센서를 제공하는 것일 수 있다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 기판; 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제2 기판에 형성된 전극; 상기 전극의 적어도 일부를 덮으며, 상기 제2 기판 상에 형성되는 감지부; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제2 기판에 형성되며, 상기 전극과 전기적으로 연결되는 패드전극; 그리고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제1 기판에 형성되며, 상기 패드전극과 전기적으로 연결되는 본딩패드를 포함하는 센서를 제공한다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제1 기판은, 상기 감지부에 인접한 개구부를 구비할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제2 기판은, 상기 감지부의 주위에 형성되는 개구부를 구비할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제1 기판은, 상기 감지부에 인접한 제1 개구부를 구비하고, 상기 제2 기판은, 상기 감지부의 주위에 형성되는 제2 개구부를 구비하며, 상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부를 통해 기체가 유입 또는 유출될 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제2 기판은, 중앙이 빈공간을 구비하는 아우터기판; 상기 빈공간에 위치하고, 상기 아우터기판으로부터 이격되는 이너기판; 그리고, 상기 아우터기판과 상기 이너기판을 연결하는 브릿지를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 패드전극은, 상기 아우터 기판 상에 위치하고, 상기 전극은, 상기 브릿지를 경유하여 상기 패드전극과 연결될 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 본딩전극은, 상기 제2 기판의 코너에 인접하는 가이드부를 구비하고, 상기 가이드부는, 상기 제2 기판의 측면과 마주할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제1 기판에 고정되는 필터를 더 포함하고, 상기 제1 기판은, 상기 감지부에 인접한 개구부를 구비하고, 상기 필터는 상기 개구부를 덮을 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제2 기판에 고정되는 필터를 더 포함하고, 상기 제2 기판은 상기 감지부의 주위에 형성되는 개구부를 구비하고, 상기 필터는 상기 개구부를 덮을 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 전극은, 상기 감지부와 절연되는 히팅전극, 그리고, 상기 감지부와 전기적으로 연결되는 감지전극을 구비할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 감지전극은, 상기 히팅전극과 상하로 배치될 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 감지전극은, 상기 히팅전극과 좌우로 배치될 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 제1 기판 상에 형성되고, 상기 본딩패드와 전기적으로 연결되는 전극라인을 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 본딩패드는, 상면에 단차가 형성되고, 상기 제2 기판의 코너는, 상기 단차에 인접하여 위치할 수 있다.
또한 본 발명의 다른(another) 측면에 따르면, 상기 감지부는, 금속산화물(metal oxide, MOx)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 가스 감응 특성을 향상시킬 수 있는 가스센서를 제공하는 것일 수 있다.
또 다른 목적은 내구성을 향상시킬 수 있는 가스센서를 제공하는 것일 수 있다.
또 다른 목적은 센서 내부로 가스의 유입 또는 유출이 용이한 가스센서를 제공하는 것일 수 있다.
도 1은 본 발명과 관련된 가스센서 패키지의 일 예를 도시한 도면이다.
도 2 내지 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 예들을 도시한 도면이다.
도 6 및 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 단면의 예들을 도시한 도면이다.
도 8 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 예들을 도시한 도면이다.
도 15 내지 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 패키지 기판의 예들 을 도시한 도면이다.
도 19 내지 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 패키지의 예들을 도시한 도면이다.
도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 감지 효과의 일 예를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
가스센서(gas sensor)는 크게 고체 전해질타입, 접촉 연소타입, 전기화학타입, 반도체타입 센서로 구분될 수 있다. 반도체타입 가스센서는 반도체식 마이크로 가스센서라 호칭될 수 있다. 반도체타입 가스센서는, 특정 기체가 센서의 감지물질에 흡착될 때, 그 감지 물질의 전기 전도도가 변화하는 것을 측정하여 일정 농도 이상의 기체의 유무를 검출할 수 있다.
이하에서, 반도체타입 가스센서를 일 예로 들어 설명하지만, 앞서 언급한 다른 타입의 가스센서의 활용을 배제하는 것은 아니다.
가스센서는, 일산화탄소(CO), 메탄(CH4), 에탄올(CH2H6O) 등을 감지할 수 있다. 가스센서가 탐지 또는 감지할 수 있는 기체의 종류는 매우 다양하며, 앞서 언급한 기체에 한정되지 않는다.
다시 말해, 가스센서는 인체에 유해한 기체뿐만 아니라 인체에 무해하거나 유익한 기체를 탐지(detect) 또는 감지(sensing)할 수 있다. 예를 들어, 가스센서는 주어진 환경의 공기의 질을 감지할 수 있는데, 이러한 공기의 질에는 유해한 가스뿐만 아니라 산소 등의 유익한 가스를 포함할 수 있음을 의미한다.
도 1은 본 발명과 관련된 가스센서 패키지의 일 예를 도시한 도면이다.
제1 기판(10)은 전극라인(12)이 형성될 수 있다. 전극라인(12)은 복수개의 전극라인(12)일 수 있다. 제2 기판(20)은 제1 기판(10) 위에 고정될 수 있다. 제2 기판(20)은 제1 기판(10) 상에 본딩될 수 있다. 제2 기판(20)은 제1 기판(10) 위에 금속페이스트(metal paste)에 의해 고정될 수 있다.
전극(22)은 제2 기판(20) 상에 형성될 수 있다. 전극(22)은 히팅전극 또는 감지전극일 수 있다. 감지부(24)는 전극(22) 상에 형성될 수 있다. 감지부(24)는 기체의 유무를 감지할 수 있다. 예를 들어, 감지부(24)는 금속산화물을 포함할 수 있다. 금속산화물은 SnO2일 수 있다. 감지부(24)는 기체분자가 접촉하거나 접착되면 전도성이 변할 수 있다.
패드전극(26)은 제2 기판(20) 상에 형성될 수 있다. 패드전극(26)은 감지부(24) 및 전극(22)과 이격될 수 있다. 패드전극(26)은 전극(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 패드전극(26)과 전극라인(12)은 와이어(W)에 의해 본딩될 수 있다.
하우징(30)은 제1 기판(10)에 결합될 수 있다. 하우징(30)은 감지부(24) 상측에 빈공간(cavity)을 형성할 수 있다. 하우징(30)은 개구부(31,32)를 구비할 수 있다. 개구부(31,32)는 복수개의 개부구(31,32)일 수 있다.
이에 따라, 개구부(31,32)를 통해 유입된 기체는 하우징(30) 내부에서 감지부(24)에 접촉 또는 접착될 수 있다. 기체 등의 이물질이 감지부(24)에 접촉 또는 접착되면 감지부(24)의 전도성이 변할 수 있다. 이러한 반응을 위해, 전극(22) 중 히팅전극은 감지부(24)에 열을 제공할 수 있다. 변화되는 전도성은 전극(22) 중 감지전극 간의 저항의 변화를 야기하여 전기적으로 기체의 유무를 확인할 수 있다.
그러나, 이러한 가스센서 패키지는 감지부(24)와 전극(22) 또는 제2 기판(20)의 결합성이 좋지 않은 관계로, 패드전극(26)과 전극라인(12)의 와이어(W)결합시 물리적 또는 열적 충격으로 감지부(24)가 이탈 또는 박리될 수 있다.
또, 감지부(24) 등을 보호하기 위해 구비된 하우징(30)에 의해 기체의 확산이 제한될 수 있고, 이는 가스센서의 기체 감응성을 저하시킬 수 있다. 예를 들면, 한번 유입된 기체가 외부로 빠져 나가지 않고, 계속 머물게 됨으로써 감지반응이 지속되는 문제가 있을 수 있다.
도 2 내지 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 예들을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 전극(110)은 히팅전극일 수 있다. 히팅전극(110)은 발열부(116), 연결부(113,115), 그리고 패드(112,114)를 구비할 수 있다. 발열부(116)는 저항을 가지는 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 발열부(116)의 저항은 100옴일 수 있다. 발열부(116)는 와인딩될 수 있다. 발열부(116)는 복수의 횟수로 굽어질 수 있다. 이에 따라, 발열부(116)의 단위면적 당 발열면적을 높일 수 있다.
제1 연결부(113)는 발열부(116)의 일단에 형성될 수 있다. 제2 연결부(115)는 발열부(116)의 타단에 형성될 수 있다. 제1 연결부(113)는 제1 패드(112)와 발열부(116)를 연결할 수 있다. 제2 연결부(115)는 제2 패드(114)와 발열부(116)를 연결할 수 있다. 히팅전극(110)은 발열부(116), 연결부(113,115), 그리고 패드(112,114)가 일체로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 발열부(116)는 평판부(116b), 그리고 와인딩부(116a,116c)를 구비할 수 있다. 평판부(116b)는 박막의 플레이트일 수 있다. 와인딩부(116a,116c)는 제1 와인딩부(116a), 그리고 제2 와인딩부(116c)를 구비할 수 있다. 제1 와인딩부(116a)는 평판부(116b)의 일측에 연결될 수 있다. 제2 와인딩부(116c)는 평판부(116b)의 타측에 연결될 수 있다. 평판부(116b)는 제1 와인딩부(116a)와 제2 와인딩부(116c) 사이에 위치할 수 있다. 평판부(116b), 제1 와인딩부(116a), 그리고 제2 와인딩부(116c)는 일체로 형성된 전극일 수 있다.
도 4를 참조하면, 전극(120)은 감지전극일 수 있다. 감지전극(120)은 연장부(126), 연결부(123,125), 그리고 패드(122,124)를 구비할 수 있다. 연장부(126)는 저항을 가지는 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 연장부(126)의 저항은 수백 킬로옴일 수 있다. 연장부(126)는 와인딩될 수 있다. 연장부(126)는 복수의 횟수로 굽어질 수 있다. 이에 따라, 연장부(126)의 단위면적 당 감지면적을 높일 수 있다.
제1 연결부(123)는 연장부(126)의 일단에 형성될 수 있다. 제2 연결부(125)는 연장부(126)의 타단에 형성될 수 있다. 제1 연결부(123)는 제1 패드(122)와 연장부(126)를 연결할 수 있다. 제2 연결부(125)는 제2 패드(124)와 연장부(126)를 연결할 수 있다. 감지전극(120)은 연장부(126), 연결부(123,125), 그리고 패드(122,124)가 일체로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 히팅전극(110)과 감지전극(120)은 서로 오버랩될 수 있다. 이에 따라, 히팅전극(110)은 감지전극(120)에 열을 제공할 수 있고, 감지전극(120)은 일정 온도에서 기체를 탐지 또는 감지할 수 있다.
도 6 및 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 단면의 예들을 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 기판(130)의 상측에 히팅전극(140)이 형성될 수 있다. 히팅전극(140)의 상부에 절연막(150)이 형성될 수 있다. 절연막(150)의 상측에 감지전극(120)이 형성될 수 있다. 다시 말해, 감지전극(120)은 히팅전극(110)과 수직배치될 수 있다.
감지부(160)는 감지전극(120)의 상측에 형성될 수 있는데, 감지전극(120)의 전부 또는 일부를 덮을 수 있다. 또한, 감지부(160)는 절연막(150)의 일부를 덮을 수 있다. 단열막(140)은 히팅전극(110)과 기판(130) 사이에 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 히팅전극(110)은 기판(130)의 상측에 형성될 수 있다. 감지전극(120)은 기판(130)의 상측 및 히팅전극(110)의 좌측 또는 우측에 형성될 수 있다. 다시 말해, 감지전극(120)은 히팅전극(110)과 수평배치될 수 있다.
이때, 히팅전극(110)과 감지전극(120)의 절연을 위해 절연막(150)이 히팅전극(110)과 감지전극(120) 사이에 형성될 수 있다. 절연막(150)은 히팅전극(110)의 전부를 덮을 수 있다. 이에 반해, 절연막(150)은 감지전극(120)의 일부만 덮을 수 있다. 즉, 감지전극(120)의 적어도 일부는 절연막(150) 외부로 노출될 수 있다.
감지부(160)는 절연막(150)의 상측에 형성될 수 있다. 감지부(160)는 절연막(150)의 상측에서 일부가 노출되는 감지전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 예들을 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 기판(200)은 전체적으로 사각형의 형상일 수 있다. 기판(200)은 절연체일 수 있다. 기판(200)은 개구부(210,220)를 구비할 수 있다. 개구부(210,220)는 전체적으로 사각형의 형상일 수 있다. 개구부(210,220)는 복수개의 개구부(210,220)일 수 있다. 제1 개구부(210)는 기판(200)의 평면 상에 형성될 수 있는데, 기판(200) 평면의 우측 영역에 형성될 수 있다. 제2 개구부(220)는 기판(200)의 좌측 영역에 형성될 수 있는데, 기판(200) 평면의 좌측 영역에 형성될 수 있다. 즉, 제1 개구부(210)는 제2 개구부(220)와 대칭을 이룰 수 있다.
다른 관점에서, 기판(200)은 이너기판(230S)과 아우터기판(240S)을 구비할 수 있다. 아우터기판(240S)은 중앙에 빈공간이 형성될 수 있다. 이너기판(230S)은 아우터기판(240S)의 내측에 위치할 수 있다. 이너기판(230S)은 상기 빈공간에 위치할 수 있다. 이너기판(230S)은 아우터기판(240S)과 이격될 수 있다. 즉, 아우터기판(240S)은 이너기판(230S)의 외부에 일정거리 이격되어 위치할 수 있다.
브릿지(250,260)는 아우터기판(240S)과 이너기판(230S)을 연결할 수 있다. 브릿지(250,260)는 복수개의 브릿지(250,260)를 포함할 수 있다. 제1 브릿지(250)는 이너기판(230S)의 상측에서 아우터기판(240S)의 상부하단에 연결될 수 있다. 제2 브릿지(260)는 이너기판(230S)의 하측에서 아우터기판(240S)의 하부상단에 연결될 수 있다.
히팅전극(110)은 기판(200)의 상면에 형성될 수 있다. 발열부(116)는 이너기판(230S)의 상면에 형성될 수 있다. 패드전극(112,114)은 아우터기판(240S)의 상면에 형성될 수 있다. 패드전극(112,114)은 아우터기판(240S)의 상면의 코너에 인접하여 위치할 수 있다. 제1 패드전극(112)은 아우터기판(240S)의 상면의 좌측코너에 인접하여 위치할 수 있다. 제2 패드전극(114)은 아우터기판(240S)의 상면의 우측코너에 인접하여 위치할 수 있다.
제1 연결부(113)는 발열부(116)와 제1 패드전극(112)을 연결할 수 있다. 제1 연결부(113)의 일부는 제1 브릿지(250)의 상면에 형성될 수 있다. 즉, 제1 연결부(113)는 아우터기판(240S)의 상면에서 발열부(116)로부터 연장되되, 제1 브릿지(250)의 상면에 형성되며, 아우터기판(240S)의 상면에서 제1 패드전극(112)에 연결될 수 있다.
제2 연결부(115)는 발열부(116)와 제2 패드전극(114)을 연결할 수 있다. 제2 연결부(115)의 일부는 제1 브릿지(250)의 상면에 형성될 수 있다. 즉, 제2 연결부(115)는 아우터기판(240S)의 상면에서 발열부(116)로부터 연장되되, 제1 브릿지(250)의 상면에 형성되며, 아우터기판(240S)의 상면에서 제2 패드전극(114)에 연결될 수 있다.
감지전극(120)은 기판(200)의 상면에 형성될 수 있다. 연장부(126)는 이너기판(230S)의 상면에 형성될 수 있다. 연장부(126)는 길게 연장되며 형성될 수 있다. 즉, 연장부(126)는 앞서 설명한 바와 다르게 와인딩되거나 굽어지지 않으며 거의 직선을 형성하며 연장될 수 있음을 의미한다.
연장부(126)는 복수개의 연장부(126)를 구비할 수 있다. 연장부(126)는 제1 연장부(126a), 그리고 제2 연장부(126b)를 구비할 수 있다. 제1 연장부(126a)는 히팅전극(110)의 발열부(116)에 인접하여 형성될 수 있다. 즉, 제1 연장부(126a)는 히팅전극(110)의 발열부(116)의 내측에서 직선을 형성하며 곧게 연장되면서 이너기판(230S)의 상면에 형성될 수 있다.
제2 연장부(126b)는 제1 연장부(126a)의 옆에 형성될 수 있으며, 동일한 형상을 지닐 수 있다. 이때, 제2 연장부(126b)는 제1 연장부(126a)에 평행할 수 있다. 이와 달리, 제2 연장부(126b)는 제1 연장부(126a)에 약간의 기울기를 가지며 배치될 수도 있다.
제1 연장부(126a)와 제2 연장부(126b)는 서로 이격될 수 있다. 제1 패드전극(122)은 제1 연장부(126a)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 패드전극(122)은 아우터기판(240S)의 상면의 일 코너에 형성될 수 있다. 제2 패드전극(124)은 아우터기판(240S)의 상면의 다른 코너에 형성될 수 있다.
제1 연결부(123)는 제1 패드전극(122)과 제1 연장부(126a)를 연결할 수 있다. 제2 연결부(125)는 제2 패드전극(124)과 제2 연장부(126b)를 연결할 수 있다. 예를 들어, 제1 연결부(123)는 제1 연장부(126a)와 이너기판(230S) 상에서 연결되고, 제2 브릿지(260)의 상면에 일부가 형성되되, 아우터기판(240S) 상에서 제1 패드전극(122)과 연결될 수 있다.
예를 들어, 제2 연결부(125)는 제2 연장부(126b)와 이너기판(230S) 상에서 연결되고, 제2 브릿지(260)의 상면에 일부가 형성되되, 아우터기판(240S) 상에서 제2 패드전극(124)과 연결될 수 있다.
여기서, 히팅전극(110)이 기판(200) 상에 형성된 후, 히팅전극(110)의 위에 절연막(미도시)이 형성될 수 있다. 절연막은 히팅전극(110)에서 발생하는 열이 외부로 쉽게 방열되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 히팅전극(110)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 즉, 절연막이 히팅전극(110) 및 기판(200)의 상면에 형성됨으로써 단열성 및 안정성을 향상시킬 수 있다. 감지전극(120)은 절연막에 의해 히팅전극(110)과 절연될 수 있다.
도 9를 참조하면, 개구부(210,220,230)는 복수개의 개구부(210,220,230)를 포함할 수 있는데, 복수개의 개구부(210,220,230)는 3개의 개구부일 수 있다. 제1 개구부(210)는 기판(200)의 평면에서 위쪽 영역에 형성될 수 있다. 제2 개구부(220)는 기판(200)의 평면에서 오른쪽 영역에 형성될 수 있다. 제3 개구부(230)는 기판(200)의 평면에서 왼쪽 영역에 형성될 수 있다. 제2 개구부(220)와 제3 개구부(230)는 마주할 수 있다. 또 이들은 대칭을 이룰 수 있다.
다른 관점에서, 브릿지(252,254,260)는 이너기판(230S)과 아우터기판(240S)을 연결할 수 있다. 브릿지(252,254,260)는 복수개의 브릿지(252,254,260)를 포함할 수 있다. 복수개의 브릿지(252,254,260)는 3개의 브릿지일 수 있다. 제1 브릿지(252)는 이너기판(230S)의 좌측코너에 위치할 수 있다. 제1 브릿지(252)는 이너기판(230S)의 좌측코너에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다. 제2 브릿지(254)는 이너기판(230S)의 우측코너에 위치할 수 있다. 제2 브릿지(254)는 이너기판(230S)의 우측코너에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다. 제3 브릿지(260)는 이너기판(230S)의 하변에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다.
히팅전극(110)의 제1 연결부(113)는 제1 브릿지(252)를 통해 발열부(116)를 제1 패드전극(112)에 연결할 수 있다. 히팅전극(110)의 제2 연결부(115)는 제2 브릿지(254)를 통해 발열부(116)를 제2 패드전극(114)에 연결할 수 있다.
감지전극(120)의 제1 연결부(123)는 제3 브릿지(260)를 통해 발열부(116)를 제1 패드전극(122)에 연결할 수 있다. 감지전극(120)의 제2 연결부(125)는 제3 브릿지(260)를 통해 발열부(116)를 제2 패드전극(124)에 연결할 수 있다.
도 10을 참조하면, 개구부(210,220,230,240)는 복수개의 개구부(210,220,230,240)를 포함할 수 있는데, 복수개의 개구부(210,220,230,240)는 4개의 개구부일 수 있다.
제1 개구부(210)는 기판(200)의 평면에서 위쪽 영역에 형성될 수 있다. 제2 개구부(220)는 기판(200)의 평면에서 오른쪽 영역에 형성될 수 있다. 제3 개구부(230)는 기판(200)의 평면에서 왼쪽 영역에 형성될 수 있다. 제4 개구부(240)는 기판(200)의 평면에서 아래쪽 영역에 형성될 수 있다.
제1 개구부(210)와 제4 개구부(240)는 마주하거나 대칭을 이룰 수 있다. 제2 개구부(220)와 제3 개구부(230)는 마주할 수 있다. 또 이들은 대칭을 이룰 수 있다.
다른 관점에서, 브릿지(252,254,262,264)는 이너기판(230S)과 아우터기판(240S)을 연결할 수 있다. 브릿지(252,254,262,264)는 복수개의 브릿지(252,254,262,264)를 포함할 수 있다. 복수개의 브릿지(252,254,262,264)는 4개의 브릿지일 수 있다.
제1 브릿지(252)는 이너기판(230S)의 상좌측코너에 위치할 수 있다. 제1 브릿지(252)는 이너기판(230S)의 상좌측코너에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다. 제2 브릿지(254)는 이너기판(230S)의 상우측코너에 위치할 수 있다. 제2 브릿지(254)는 이너기판(230S)의 상우측코너에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다. 제3 브릿지(262)는 이너기판(230S)의 하좌측코너에 위치할 수 있다. 제3 브릿지(262)는 이너기판(230S)의 하좌측코너에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다. 제4 브릿지(264)는 이너기판(230S)의 하우측코너에 위치할 수 있다. 제4 브릿지(264)는 이너기판(230S)의 하우측코너에서 아우터기판(240S)으로 연장될 수 있다.
히팅전극(110)의 제1 연결부(113)는 제1 브릿지(252)를 통해 발열부(116)를 제1 패드전극(112)에 연결할 수 있다. 히팅전극(110)의 제2 연결부(115)는 제2 브릿지(254)를 통해 발열부(116)를 제2 패드전극(114)에 연결할 수 있다.
감지전극(120)의 제1 연결부(123)는 제3 브릿지(262)를 통해 발열부(116)를 제1 패드전극(122)에 연결할 수 있다. 감지전극(120)의 제2 연결부(125)는 제4 브릿지(264)를 통해 발열부(116)를 제2 패드전극(124)에 연결할 수 있다.
도 11을 참조하면, 이너기판(230S)은 원형일 수 있다. 아우터기판(240S)은 사각형일 수 있다. 아우터기판(240S)의 중앙은 원형의 빈공간을 형성할 수 있다. 이너기판(230S)은 상기 빈공간에 위치할 수 있다.
기판(200)은 개구부(210,220)를 구비할 수 있다. 개구부(210,220)는 복수개의 개구부(210,220)를 포함할 수 있다. 복수개의 개구부(210,220)는 2개일 수 있다. 제1 개구부(210)는 이너기판(230S)의 우측에 위치할 수 있다. 제2 개구부(220)는 이너기판(230S)의 좌측에 위치할 수 있다. 제1 개구부(210)는 제2 개구부(220)와 마주할 수 있다. 제1 개구부(210)는 제2 개구부(220)와 대칭을 이룰 수 있다.
다른 관점에서, 브릿지(250,260)는 이너기판(230S)의 일부와 아우터기판(240S)의 일부를 연결할 수 있다. 브릿지(250,260)는 복수개의 브릿지(250,260)를 포함할 수 있다. 복수개의 브릿지(250,260)는 2개일 수 있다. 제1 브릿지(250)는 이너기판(230S)의 상측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 제2 브릿지(260)는 이너기판(230S)의 하측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 즉, 제1 브릿지(250)는 제2 브릿지(260)와 이너기판(230S)을 중심으로 대칭을 이룰 수 있다.
도 12를 참조하면, 기판(200)은 개구부(210,220,230)를 구비할 수 있다. 개구부(210,220,230)는 복수개의 개구부(210,220,230)를 포함할 수 있다. 복수개의 개구부(210,220,230)는 3개일 수 있다. 제1 개구부(210)는 이너기판(230S)의 상측에 위치할 수 있다. 제2 개구부(220)는 이너기판(230S)의 우측에 위치할 수 있다. 제3 개구부(230)는 이너기판(230S)의 좌측에 위치할 수 있다.
다른 관점에서, 브릿지(252,254,260)는 이너기판(230S)의 일부와 아우터기판(240S)의 일부를 연결할 수 있다. 브릿지(252,254,260)는 복수개의 브릿지(252,254,260)를 포함할 수 있다. 복수개의 브릿지(252,254,260)는 3개일 수 있다. 제1 브릿지(252)는 이너기판(230S)의 좌상측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 제2 브릿지(254)는 이너기판(230S)의 우상측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 제3 브릿지(260)는 이너기판(230S)의 하측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다.
도 13 및 14를 참조하면, 기판(200)은 개구부(210,220,230,240)를 구비할 수 있다. 개구부(210,220,230,240)는 복수개의 개구부(210,220,230,240)를 포함할 수 있다. 복수개의 개구부(210,220,230,240)는 4개일 수 있다. 제1 개구부(210)는 이너기판(230S)의 상측에 위치할 수 있다. 제2 개구부(220)는 이너기판(230S)의 우측에 위치할 수 있다. 제3 개구부(230)는 이너기판(230S)의 하측에 위치할 수 있다. 제4 개구부(240)는 이너기판(240S)의 좌측에 위치할 수 있다.
다른 관점에서, 브릿지(252,254,262,264)는 이너기판(230S)의 일부와 아우터기판(240S)의 일부를 연결할 수 있다. 브릿지(252,254,262,264)는 복수개의 브릿지(252,254,262,264)를 포함할 수 있다. 복수개의 브릿지(252,254,262,264)는 4개일 수 있다. 제1 브릿지(252)는 이너기판(230S)의 좌상측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 제2 브릿지(254)는 이너기판(230S)의 우상측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 제3 브릿지(262)는 이너기판(230S)의 좌하측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다. 제4 브릿지(264)는 이너기판(230S)의 우하측과 아우터기판(240S)의 내측을 연결할 수 있다.
이너기판(230S)의 전면의 상측에 감지부(300)가 위치할 수 있다. 감지부(300)는 히팅전극(110) 또는 감지전극(120)의 상측에 형성될 수 있다. 감지부(300)는 적어도 히팅전극(110) 또는 감지전극(120)의 일부를 덮을 수 있다.
감지전극(120)의 제1 연장부(126a)는 제2 연장부(126b)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연장부(126a)는 감지부(300)에 의해서 제2 연장부(126b)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 15 내지 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 패키지 기판의 예들 을 도시한 도면이다. 도 16 내지 18은 도 15의 C영역을 확대한 예들의 도면이다.
도 15를 참조하면, 기판(130)은 중앙에 개구부(132)를 구비할 수 있다. 개구부(132)는 기판(130)을 관통하여 형성될 수 있다. 본딩패드(134,135,136,137)는 개구부(132)의 주위에 형성될 수 있다. 본딩패드(134,135,136,137)는 금속전극일 수 있다. 기판(130)은 복수개의 본딩패드(134,135,136,137)를 구비할 수 있다. 복수개의 본딩패드(134,135,136,137)는 4개일 수 있다. 4개의 본딩패드(134,135,136,137)는 개구부(132)의 주위에 순차적으로 위치할 수 있다.
제1 본딩패드(134), 제2 본딩패드(135), 제3 본딩패드(136), 그리고 제4 본딩패드(137)는 개구부(132)에 인접한 기판(130) 상에 순차적으로 형성될 수 있다.
제1 전극라인(131a)은 제1 본딩패드(134)와, 제2 전극라인은(131b) 제2 본딩패드(135)와, 제3 전극라인(131c)은 제3 본딩패드(136)와, 제4 전극라인(131d)은 제4 본딩패드(137)와 연결될 수 있다.
도 16을 참조하면, 제1 본딩패드(134)는 제1 가이드(134G1), 그리고 제2 가이드(134G2)를 구비할 수 있다. 제1 가이드(134G1)는 제2 가이드(134G2)와 연결될 수 있다. 제1 가이드(134G1) 및 제2 가이드(134G2)는 기판(130)의 개구부(132)에 인접하여 위치할 수 있다. 제1 가이드(134G1) 및 제2 가이드(134G2)는 전체적으로 굽은 형상을 지닐 수 있다. 예를 들어, 제1 가이드(134G1) 및 제2 가이드(134G2)는 전체적으로 ㄱ 또는 ㄴ 형상을 지닐 수 있다. 제2 본딩패드(135) 내지 제4 본딩패드(137)의 설명은 동일하다.
제1 가이드(134G1), 제2 가이드(134G2), 그리고 개구부(132) 사이에 금속페이스트가 놓여질 수 있다. 제1 내지 제4 본딩패드(134,135,136,137)의 높이는 제1 내지 제4 전극라인(131a,131b,131c,131d)의 높이 보다 높을 수 있다.
이에 따라, 감지부(300)를 구비하는 제2 기판(200)을 제1 기판(130)에 플립칩 본딩을 할 때, 제2 기판(200)을 정위치에 정렬할 수 있을 뿐만 아니라, 본딩시에 본딩패드 간 또는 패드전극간에 전기적인 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 17을 참조하면, 제1 본딩패드(134)는 제1 가이드(134G1), 제2 가이드(134G2), 제3 가이드(134G3), 그리고 제4 가이드(134G4)를 포함할 수 있다. 제3 가이드(134G3)는 제1 가이드(134G1)에서 제1 기판(130)의 개구부(132)를 향해 연장될 수 있다. 제4 가이드(134G4)는 제2 가이드(134G2)에서 제1 기판(130)의 개구부(132)를 향해 연장될 수 있다. 제1 가이드(134G1) 내지 제4 가이드(134G4)는 전체적으로 C 형상을 지닐 수 있다.
제1 가이드(134G1)와 제2 가이드(134G2)의 높이는 같을 수 있다. 제3 가이드(134G3)와 제4 가이드(134G4)의 높이는 같을 수 있다. 이때, 제1 가이드(134G1) 및 제2 가이드(134G2)의 높이와 제3 가이드(134G3) 및 제4 가이드(134G4)의 높이는 다를 수 있다. 즉, 제1 가이드(134G1)의 높이는 제3 가이드(134G3)의 높이보다 높을 수 있고, 제2 가이드(134G2)의 높이는 제4 가이드(134G4)의 높이보다 높을 수 있다.
이에 따라, 금속페이스트가 본딩패드(134,135,136,137) 내측에 위치할 수 있게 되고, 본딩패드(134,135,136,137) 외측으로 번지는 것을 방지하여, 본딩패드간 또는 패드전극간에 전기적인 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다시 말해, 감지부(300)를 구비하는 제2 기판(200)을 제1 기판(130)에 플립칩 본딩을 할 때, 제2 기판(200)을 정위치에 정렬할 수 있을 뿐만 아니라, 본딩시에 본딩패드 간 또는 패드전극간에 전기적인 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 18을 참조하면, 제1 본딩패드(134)는 제1 벽(134W1), 제2 벽(134W2), 제3 벽(134W3), 그리고 제4 벽(134W4)을 구비할 수 있다. 제1 벽(134W1) 및 제2 벽(134W2)은 같은 높이를 지니면서 서로 연결될 수 있다. 제1 벽(134W1) 및 제2 벽(134W2)은 전체적으로 ㄱ 또는 ㄴ 형상을 지닐 수 있다. 제1 벽(134W1) 및 제2 벽(134W2)은 개구부(132)로부터 이격되어 형성될 수 있다.
제3 벽(134W3) 및 제4 벽(134W4)은 서로 같은 높이를 지니면서 서로 연결될 수 있다. 이때, 제1 벽(134W1) 및 제2 벽(134W2)의 높이는 제3 벽(134W3) 및 제4 벽(134W4)의 높이 보다 높을 수 있다. 제3 벽(134W3) 및 제4 벽(134W4)은 전체적으로 ㄱ 또는 ㄴ 형상을 지닐 수 있다. 제3 벽(134W3) 및 제4 벽(134W4)은 개구부(132)에 인접하여 개구부(132)에 의해 벽(134W)의 일부가 잘릴 수 있다. 이때, 제3 벽(134W3) 및 제4 벽(134W4)에 의해 형성되는 코너는 개구부(132)로부터 이격될 수 있다. 이에 따라, 금속페이스트가 분포되는 영역이 제한될 수 있다.
즉, 제1 내지 제4 벽(134W1,134W2,134W3,134W4)은 전체적으로 ㅁ형상을 지닐 수 있고, 이에 따라 금속페이스트는 제1 내지 제4 벽(134W1,134W2,134W3,134W4)의 내측에 포위될 수 있다. 이에 따라, 금속페이스트가 본딩패드(134,135,136,137) 내측에 위치할 수 있게 되고, 본딩패드(134,135,136,137) 외측으로 번지는 것을 방지하여, 본딩패드간 또는 패드전극간에 전기적인 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다시 말해, 감지부(300)를 구비하는 제2 기판(200)을 제1 기판(130)에 플립칩 본딩을 할 때, 제2 기판(200)을 정위치에 정렬할 수 있을 뿐만 아니라, 본딩시에 본딩패드 간 또는 패드전극간에 전기적인 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 19 내지 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 패키지의 예들을 도시한 도면이다.
도 19를 참조하면, 제1 기판(130)은 제2 기판(200)에 대향될 수 있다. 이때, 제1 기판(130)의 본딩패드(134)가 형성된 면은 제2 기판(200)의 패드전극(112)이 형성된 면과 마주할 수 있다. 제2 기판(200)은 제1 기판(130) 위에 놓여질 때, 본딩패드(134)의 제1 벽(134W1) 또는 제2 벽(134W2)에 의해 정위치가 정렬될 수 있다. 또한, 패드전극(112)은 본딩패드(134)와 접촉하면서 결합될 수 있다. 즉, 패드전극(112)이 본딩패드(134)에 금속페이스트(P)에 의해 본딩될 수 있다. 이에 따라, 패드전극(112)은 본딩패드(134)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 19의 설명은, 도 17 및 18의 실시예들에 적용될 수 있을 뿐만 아니라 도 16의 실시예에도 적용될 수 있다.
도 20을 참조하면, 제2 기판(200)은 제1 기판(130) 상에 놓여질 수 있다. 이때, 제2 기판(200)은 감지부(300)가 형성된 기판의 면이 제1 기판(130)의 전극라인(131)이 형성된 면을 향하여 놓여질 수 있다.
제2 기판(200)은 본딩패드(134,135,136,137)에 의해 자세가 정렬되면서 제1 기판(130) 상에 놓여질 수 있다.
이때, 복수개의 개구부(210,220,230,240)는 제2 기판(200)에 의해 가려진 감지부(300)에 외기를 제공할 수 있다. 즉, 제2 기판(200)에 형성된 복수개의 개구부(210,220,230,240)에 의해 외부 공기 또는 기체가 감지부(300)를 향해 유입 또는 유출될 수 있음을 의미할 수 있다.
도 21을 참조하면, 패드전극(112,114)은 제1 기판(130)과 제2 기판(200) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 제1 기판(130)은 패드전극(112,114)을 사이에 두고 제2 기판(200)과 마주할 수 있다. 본딩패드(134,135)는 제1 기판(130)과 제2 기판(200) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 제1 기판(130)은 본딩패드(134,135)를 사이에 두고 제2 기판(200)과 마주할 수 있다.
패드전극(112,114)은 본딩패드(134,135)와 제2 기판(200) 사이에 위치할 수 있다. 이때, 패드전극(112,114)은 본딩패드(134,135)에 접촉하거나 결합될 수 있다. 즉, 패드전극(112,114)은 본딩패드(134,135)에 본딩되어 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 관점에서, 본딩패드(134,135)는 패드전극(112,114)과 제1 기판(130) 사이에 위치할 수 있다. 이때, 본딩패드(134,135)는 패드전극(112,114)에 접촉하거나 결합될 수 있다. 즉, 본딩패드(134,135)는 패드전극(112,114)에 본딩되어 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 본딩패드(134,135)는 일부가 제2 기판(200)의 측면과 마주할 수 있다. 본딩패드(134,135)의 일부는 제2 기판(200)의 측면의 위치를 제한함으로써 제2 기판(200)의 전체적인 정렬을 가이드할 수 있다.
제2 기판(200)의 측면은 본딩패드(134,135)에 의해서 가이드될 수 있다. 즉, 본딩패드(134,135)가 제2 기판(200)의 측면의 제1 기판(130) 상에서의 위치를 제한할 수 있다. 즉, 제2 기판(200)은 본딩패드(134,135)에 의해 정위치에 정렬될 수 있음을 의미한다.
히팅전극(116)은 제1 기판(130)과 제2 기판(200) 사이에 위치할 수 있다. 감지전극(126) 또한 제1 기판(130)과 제2 기판(200) 사이에 위치할 수 있다. 감지부(300) 또한 제1 기판(130)과 제2 기판(200) 사이에 위치할 수 있다.
히팅전극(116), 감지전극(126), 및/또는 감지부(300)는 제1 기판(130)의 개구부(132)에 인접하여 위치할 수 있다. 이들은 제1 기판(130)의 개구부(132)와 마주할 수 있다. 이는, 제1 기판(130)의 개구부(132)를 통해 외부에서 기체가 유입되어 감지부(300)에 접촉할 수 있음을 의미한다.
또한, 제2 기판(200)에 형성된 개구부(210,220)를 통해서 외부에서 기체가 유입되어 감지부(300)에 접촉할 수 있다. 아울러, 제1 기판(130)의 개구부(210,220)를 통해 유입된 기체는 제2 기판(200)의 개구부(210,220)를 통해 유출되거나 제1 기판(130)의 개구부(132)를 통해 유출될 수 있다. 반대로, 제2 기판(200)의 개구부(210,220)를 통해 유입된 기체는 제1 기판(130)의 개구부(132)를 통해 유출되거나 제2 기판(200)의 개구부(210,220)를 통해 유출될 수 있다. 즉, 외부에서 제1 기판(130) 및 제2 기판(200)을 통과하여 감지부(300)를 향하는 기체의 유동성이 향상될 수 있음을 의미한다.
또한, 감지부(300) 등의 보호를 위해 별도의 하우징이 불필요하여 가스센서의 제조가 용이하며, 제1 기판(130) 및 제2 기판(200)에 의해 감지부(300)가 보호됨으로써 가스센서의 내구성이 향상될 수 있다.
또한, 와이어 본딩이 불필요하여, 와이어 본딩시 발생하는 충격에 의해 가스센서가 망실되는 것을 방지할 수 있다.
도 22를 참조하면, 필터(310)는 제1 기판(130)의 개구부(132)를 덮을 수 있다. 필터(310)는 제1 기판(130)의 개구부(132)를 통해 유입 또는 유출되는 기체에 포함된 수분 등을 제거하여 센서의 감도를 향상시킬 수 있다. 이때, 필터(310)는 제1 기판(130)에 접착부재(E)에 의해서 고정될 수 있다. 예를 들어, 접착부재(E)는 에폭시일 수 있다.
제1 기판(130)의 전면이 제2 기판(200)과 마주한다면, 필터(310)는 제1 기판(130)의 후면에 위치할 수 있다. 필터(310)는 제1 필터라 칭할 수 있다.
도 23을 참조하면, 필터(320)는 제2 기판(200)의 개구부(210,220)를 덮을 수 있다. 필터(320)는 제2 기판(200)의 개구부(210,220)를 통해 유입 또는 유출되는 기체에 포함된 수분 등을 제거하여 센서의 감도를 향상시킬 수 있다. 이때, 필터(320)는 제2 기판(200)에 접착부재(E)에 의해서 고정될 수 있다. 예를 들어, 접착부재(E)는 에폭시일 수 있다.
제2 기판(200)의 전면이 제1 기판(130)과 마주한다면, 필터(320)는 제2 기판(200)의 후면에 위치할 수 있다. 필터(320)는 제2 필터라 칭할 수 있다.
도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 감지 효과의 일 예를 도시한 도면이다.
X축은 시간을 나타낸다. Y축은 저항을 나타낸다. 저항 값 또는 저항값의 변화는 센서의 감도와 관련된다. 실선은 종래의 가스센서의 감도를 의미한다. 점선은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서의 감도를 의미한다.
예를 들어, 히팅전극(110)은 감지부(300)를 섭씨 약 250 내지 300도로 가열할 수 있다. 이때, 에탄올을 포함하는 기체를 약 5ppm 투입하면, 점선은 실선에 비하여 높은 저항 수치의 값을 가진다. 이는, 가스센서의 감도가 향상된 것을 의미한다.
앞에서 설명된 본 발명의 어떤 실시예들 또는 다른 실시예들은 서로 배타적이거나 구별되는 것은 아니다. 앞서 설명된 본 발명의 어떤 실시예들 또는 다른 실시예들은 각각의 구성 또는 기능이 병용되거나 조합될 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

Claims (15)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제2 기판에 형성된 전극;
    상기 전극의 적어도 일부를 덮으며, 상기 제2 기판 상에 형성되는 감지부;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제2 기판에 형성되며, 상기 전극과 전기적으로 연결되는 패드전극; 그리고,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 위치하고, 상기 제1 기판에 형성되며, 상기 패드전극과 전기적으로 연결되는 본딩패드를 포함하며,
    상기 제1 기판은,
    상기 감지부에 인접한 제1 개구부를 구비하고,
    상기 제2 기판은,
    상기 감지부의 주위에 형성되는 제2 개구부를 구비하며,
    상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부를 통해 기체가 유입 또는 유출되는 센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 기판은,
    중앙이 빈공간을 구비하는 아우터기판;
    상기 빈공간에 위치하고, 상기 아우터기판으로부터 이격되는 이너기판; 그리고,
    상기 아우터기판과 상기 이너기판을 연결하는 브릿지를 포함하는 센서.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 패드전극은,
    상기 아우터 기판 상에 위치하고,
    상기 전극은,
    상기 브릿지를 경유하여 상기 패드전극과 연결되는 센서.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩패드는,
    상기 제2 기판의 코너에 인접하는 가이드부를 구비하고,
    상기 가이드부는,
    상기 제2 기판의 측면과 마주하는 센서.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판에 고정되는 필터를 더 포함하고,
    상기 제1 기판은,
    상기 감지부에 인접한 개구부를 구비하고,
    상기 필터는 상기 개구부를 덮는 센서.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 기판에 고정되는 필터를 더 포함하고,
    상기 제2 기판은 상기 감지부의 주위에 형성되는 개구부를 구비하고,
    상기 필터는 상기 개구부를 덮는 센서.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은,
    상기 감지부와 절연되는 히팅전극, 그리고,
    상기 감지부와 전기적으로 연결되는 감지전극을 구비하는 센서.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 감지전극은,
    상기 히팅전극과 상하로 배치되는 센서.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 감지전극은,
    상기 히팅전극과 좌우로 배치되는 센서.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 형성되고,
    상기 본딩패드와 전기적으로 연결되는 전극라인을 더 포함하는 센서.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩패드는,
    상면에 단차가 형성되고,
    상기 제2 기판의 코너는,
    상기 단차에 인접하여 위치하는 센서.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지부는,
    금속산화물(metal oxide, MOx)을 포함하는 센서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3315956A1 (en) * 2016-10-31 2018-05-02 Sensirion AG Multi-parametric sensor with bridge structure
US11713899B2 (en) * 2017-03-15 2023-08-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Management apparatus, air conditioning management system, and air conditioning management method
DE102017131204A1 (de) 2017-12-22 2019-06-27 Tdk Electronics Ag Sensorkomponente und Mobilkommunikationsvorrichtung einschließlich derselben
KR102466332B1 (ko) * 2018-01-02 2022-11-15 삼성전자주식회사 가스 센서 패키지

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012098233A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Figaro Eng Inc ガスセンサ及びその製造方法
JP2014132610A (ja) * 2013-01-07 2014-07-17 Seiko Epson Corp パッケージ、光学モジュール、及び電子機器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525413B1 (en) * 2000-07-12 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Die to die connection method and assemblies and packages including dice so connected
JP2002174608A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Figaro Eng Inc ガスセンサ及びその製造方法
JP5403695B2 (ja) * 2010-09-30 2014-01-29 フィガロ技研株式会社 ガスセンサ
US9754848B2 (en) * 2014-01-14 2017-09-05 Lg Innotek Co., Ltd. Gas sensor package
EP3001186B1 (en) * 2014-09-26 2018-06-06 Sensirion AG Sensor chip

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012098233A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Figaro Eng Inc ガスセンサ及びその製造方法
JP2014132610A (ja) * 2013-01-07 2014-07-17 Seiko Epson Corp パッケージ、光学モジュール、及び電子機器

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