JP5779487B2 - 圧力センサモジュール - Google Patents
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Description
圧力センサ装置の一面側には、圧力が加わると撓むダイアフラムと、その撓み量に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗が形成されている。この抵抗値の変化を電気信号として取り出すことにより、ダイアフラムに加わった圧力(大気圧)を計測することができる。温度補償装置には、周辺環境の温度を測定する温度測定部と、測定した温度に基づいて圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償部とが形成されている。(例えば、特許文献1,特許文献2参照)。
(請求項1発明の作用・効果)
第一の発明の圧力センサモジュールによれば、圧力センサ装置が、温度補償装置の温度測定部と重なる領域に配置されている。圧力センサ装置と温度測定部とを近接して配置することで、温度測定部は、従来よりも圧力センサ装置の温度を正確に測定することが可能となり、ひいては圧力センサ装置の出力値を高精度に温度補償することができる。その結果、正確な圧力値を出力することが可能な圧力センサモジュールを提供することができる。
本発明の請求項2に記載の圧力センサモジュールは、請求項1において、前記圧力センサ装置は、前記温度測定部と伝熱性の接合層を介して配置されていることを特徴とする。
(請求項2発明の作用・効果)
第二の発明の圧力センサモジュールによれば、圧力センサ装置が、伝熱性の接合層を介して温度測定部と重なる領域に配置されているため、圧力センサ装置の温度が温度測定部に伝わり易い。したがって、温度測定部は、圧力センサ装置の温度を正確に測定することができる。
本発明の請求項3に記載の圧力センサモジュールは、請求項1又は2において、前記圧力センサ装置は、半導体基板の一面側に形成された圧力検出部と、前記半導体基板の一面側から他面まで貫通する貫通伝熱路とを有し、前記半導体基板の一面側と前記温度測定部とが、前記貫通伝熱路を通じて熱的に接続されていることを特徴とする。
(請求項3発明の作用・効果)
第三の発明の圧力センサモジュールによれば、半導体基板の一面側から他面まで貫通する貫通伝熱路が形成されており、半導体基板の一面側と温度測定部とが貫通電熱路を通じて熱的に接続されている。このため、半導体基板の一面側の温度が温度測定部に伝わり易い。したがって、温度測定部は、圧力センサ装置の温度を正確に測定することができる。
以下、本発明の第一実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本実施形態の圧力センサモジュール1A(1)の一構成例を示す模式図であり、図1(a)は断面側面図、図1(b)は平面図である。
この圧力センサモジュール1A(1)は、圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置10と、温度測定部22を有し前記温度測定部22の出力値に基づいて前記圧力センサ装置10の出力値を温度補償する機能を備えた温度補償装置20と、を少なくとも備えてなる。
また、半導体基板21の一面21aにおいて、前記温度測定部22及びデバイス層23を被覆するように、デバイス保護層24が配されている。
さらにデバイス保護層24上に第二接続パッド25が設けられ、圧力センサ装置の第一接続パッド16と、温度補償装置の第二接続パッド25とは、接続線26により電気的に接続されている。
本発明の圧力センサモジュール1A(1)では、温度測定部22が形成されている領域γと重なる領域に、前記圧力センサ装置10が配置されている。圧力センサ装置10と温度測定部22(領域γ)とを近接して配置することで効果的に伝熱がなされ、前記温度測定部22は、従来よりも圧力センサ装置10の温度を正確に測定することができ、ひいては温度補償が適切に行われる。その結果、本発明の圧力センサモジュール1A(1)では、正確な圧力値を出力することが可能である。
これにより温度測定部22は、従来よりも圧力センサ装置10(特にダイアフラム部13やゲージ抵抗14の近傍)の温度を正確に測定することができ、ひいては温度補償が適切に行われる。その結果、圧力センサモジュール1A(1)では、正確な圧力値を出力することが可能である。
なお、貫通伝熱路40とデバイス保護層24とは電気的に絶縁されているため、貫通伝熱路40と温度補償装置20は電気的に絶縁されている。
次に、本発明の圧力センサモジュールの第2実施形態について説明する。
なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
図3は、本実施形態の圧力センサモジュール1B(1)の一構成例を示す模式図であり、図3(a)は断面側面図、図3(b)は平面図である。
ゲージ抵抗Rの上面に絶縁層15を介してゲージ抵抗被覆パッド50が形成されており、配線パッド41とゲージ抵抗被覆パッド50が、第二の伝熱路として表面接続配線51を介して接続されている。
これにより圧力センサモジュール1B(1)において、圧力センサ装置10と温度測定部22との間でより効果的に伝熱がなされ、前記温度測定部22は、圧力センサ装置10(特にダイアフラム部13およびゲージ抵抗14の近傍)の温度をより正確に測定することができ、ひいては温度補償が適切に行われる。その結果、本実施形態の圧力センサモジュール1B(1)では、より正確な圧力値を出力することが可能となる。
次に、本発明の圧力センサモジュールの第3実施形態について説明する。
なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
図4は、本実施形態の圧力センサモジュール1C(1)の一構成例を模式的に示す断面側面図である。
本実施形態の圧力センサモジュール1C(1)では、温度測定部22を被覆するように、デバイス保護層24の上面に、半導体基板11の他面11b側と温度測定部22とを熱的に接続する接合部として金属薄膜層60が形成されている。
これにより圧力センサモジュール1C(1)において、圧力センサ装置10と温度測定部22との間でより正確に伝熱がなされ、前記温度測定部22は、圧力センサ装置10(特にダイアフラム部13およびゲージ抵抗14の近傍)の温度をより正確に測定することができ、ひいては温度補償が適切に行われる。その結果、本実施形態の圧力センサモジュール1C(1)では、より正確な圧力値を出力することが可能となる。
また、金属薄膜層60の厚みとしては特に限定されるものではないが、例えば0.5μm〜5μmとすることが好ましい。
次に、本発明の圧力センサモジュールの第4実施形態について説明する。
なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
図5は、本実施形態の圧力センサモジュール1D(1)の一構成例を模式的に示す断面側面図である。
上述した第3実施形態の圧力センサモジュール1C(1)では、接合部として金属薄膜層60が配されていたが、本実施形態の圧力センサモジュール1D(1)では、温度センサ部22(温度センサ領域γ)を被覆するように、デバイス保護層24の上面に、半導体基板11の他面側と温度センサ領域γとを熱的に接続する接合部として金属接合層70が形成されている。
これにより圧力センサモジュール1D(1)において、圧力センサ部10と温度センサ部22との間でより正確に伝熱がなされ、前記温度センサ部22は、圧力センサ部10(特にダイアフラム部13近傍)の温度をより正確に測定することができ、ひいては温度補正が適切に行われる。その結果、本実施形態の圧力センサモジュール1D(1)では、より正確な圧力値を出力することが可能となる。
また、金属ペースト層70の厚みとしては特に限定されるものではないが、例えば金属粒子を含有したペーストを印刷して形成した場合は10μm〜100μm、スパッタリング法を用いて形成した場合は100nm〜3μm、めっき法を用いて形成した場合は1μm〜30μmとすることが好ましい。
次に、本発明の圧力センサモジュールの第5実施形態について説明する。
なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、第一実施形態と同様の部分については、その説明を省略する。
図6は、本実施形態の圧力センサモジュール1E(1)の一構成例を模式的に示す断面側面図である。
側面伝熱路80は熱伝導性の良好な金属、例えば、銀、銅、アルミ、およびそれらの合金からなる。
これにより温度測定部22は、従来よりも圧力センサ装置10(特にダイアフラム部13およびゲージ抵抗14の近傍)の温度を正確に測定することができ、ひいては温度補償が適切に行われる。その結果、圧力センサモジュール1E(1)では、正確な圧力値を出力することが可能である。
例えば、上述した実施形態は例示であって、仕様等によりゲージ抵抗又はリード抵抗等の配置が変わっても良いことは言うまでもない。
Claims (3)
- 圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置と、温度測定部を有し前記温度測定部の出力値に基づいて前記圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償装置と、を少なくとも備えてなる圧力センサモジュールであって、
前記圧力センサ装置は、前記温度補償装置の前記温度測定部と重なる領域に配置され、半導体基板の一面側に形成された前記圧力検出部と、前記半導体基板の一面側から他面まで貫通する貫通伝熱路とを有し、前記半導体基板の一面側と前記温度測定部とが、前記貫通伝熱路を通じて熱的に接続されていること、を特徴とする圧力センサモジュール。 - 前記圧力センサ装置は、前記温度測定部と伝熱性の接合層を介して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサモジュール。
- 第二の伝熱路をさらに備え、該第二の伝熱路は、その一端が前記貫通伝熱路の一面側に位置する端部に接続され、他端が前記圧力検出部を構成するゲージ抵抗の信号ラインの一部に接続されていること、を特徴とする請求項1又は2に記載の圧力センサモジュール。
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