CN107873080B - 半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法 - Google Patents

半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107873080B
CN107873080B CN201580074237.7A CN201580074237A CN107873080B CN 107873080 B CN107873080 B CN 107873080B CN 201580074237 A CN201580074237 A CN 201580074237A CN 107873080 B CN107873080 B CN 107873080B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor device
evaluating
tool
temperature detection
electrode pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580074237.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107873080A (zh
Inventor
野口贵也
冈田章
望月浩一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Corp
Original Assignee
Mitsubishi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Corp filed Critical Mitsubishi Corp
Publication of CN107873080A publication Critical patent/CN107873080A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107873080B publication Critical patent/CN107873080B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K2007/163—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements provided with specially adapted connectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

半导体装置评价用工具(20)的导电性的板状的基体(21)，在表面(21a)具有对半导体装置(30)进行载置的载置区域(R1、R2、R3)，在该载置区域(R1、R2、R3)内具有将基体(21)贯穿的贯穿孔(21e)。温度检测元件(22)安装于基体(21)。电极焊盘(23)与温度检测元件(22)电连接，且形成于表面(21a)侧。

Description

半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置 评价方法
技术领域
本发明涉及半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法，特别是涉及具有用于对半导体装置的温度进行检测的温度检测元件的半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法。
背景技术
在对作为被测定物的半导体装置的电气特性进行评价时，对评价时的半导体装置的温度高精度地进行测量是重要的。特别是在温度特性的评价中，如果评价时的温度测量不稳定，则温度特性本身会包含误差。另外，在应对施加大电流、高电压的要求而对电气特性进行评价时，有时由于施加大电流、高电压而使半导体装置的温度变化。在该情况下，与电气特性一起对半导体装置的温度变化进行测量是重要的。
在如上所述的状况下，作为半导体装置的温度测定方法，已知接触式、非接触式的方法。例如，就接触式而言，使热电偶直接与半导体装置的表面接触，对半导体装置的表面温度进行测量。但是，在该方法中，会伴随接触而发生热量的移动，因此并未准确地测量半导体装置本身的温度。另外，就非接触式而言，存在通过光学式的辐射温度计进行的测量。但是，在半导体装置的表面为镜面的情况下，难以测定，即使能够测量，检测温度也易于根据辐射率的设定而变化，因此并未准确地测量半导体装置的温度。
在例如日本特开2010－26715号公报(参照专利文献1)、日本特开2013－254873号公报(参照专利文献2)等中公开了被测定物的温度评价方法。
在日本特开2010－26715号公报中，在设置被测定物的树脂制的设置台设置有温度传感器，基于由该温度传感器测量出的温度对槽内的温度进行控制。另外，在日本特开2013－254873号公报中，在功率模块内设置有带引线的热敏电阻，通过该热敏电阻对半导体元件的温度进行测量。
专利文献1：日本特开2010－26715号公报
专利文献2：日本特开2013－254873号公报
发明内容
但是，日本特开2010－26715号公报中的温度传感器设置于由树脂构成的设置台，且与被测定物分离。因此，无法对被测定物本身的温度高精度地进行检测。
另外，日本特开2013－254873号公报中的热敏电阻隔着空气层对半导体元件的温度进行测量。因此，无法对半导体元件本身的温度高精度地进行检测。
本发明就是鉴于上述的课题而提出的，其提供一种在半导体装置的评价时能够对半导体装置的温度高精度地进行测定的半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法。
本发明的半导体装置评价用工具被用在用于对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置评价装置中，且是配置于半导体装置评价装置的工作台之上而使用的。该半导体装置评价用工具具有：导电性的板状的基体、第1电极焊盘、至少1个温度检测元件。导电性的板状的基体具有彼此相对的第1面及第2面，在第1面具有对半导体装置进行载置的载置区域，在载置区域内具有从第1面贯穿至第2面的贯穿孔。至少1个温度检测元件安装于基体。第1电极焊盘与温度检测元件电连接，且该第1电极焊盘形成于第1面侧。
发明的效果
根据本发明，在基体形成有贯穿孔，因此能够通过来自工作台的真空吸附而将半导体装置密接地固定在导电性的基体。由此，能够经过导电性的基体通过温度检测元件而对半导体装置的温度进行检测，因此能够对半导体装置的温度高精度地进行检测。
另外，与温度检测元件电连接的第1电极焊盘形成于基体的第1面侧。由此，通过使用本发明的半导体装置评价用工具，从而能够利用已有的半导体装置评价装置，如上所述对半导体装置的温度高精度地进行检测。由此，无需准备新的半导体装置评价装置。
附图说明
图1是概略地表示本发明的实施方式1中的半导体装置评价装置的结构的图。
图2是概略地表示本发明的实施方式1中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。
图3是概略地表示在图2的半导体装置评价用工具中使用的温度检测元件的结构的剖视图。
图4是概略地表示通过图1所示的半导体装置评价装置进行评价的半导体装置的结构的剖视图。
图5是概略地表示使用图1所示的半导体装置评价装置对半导体装置进行评价的情形的图。
图6是用于对在本发明的实施方式1中使用的接触探针的动作进行说明的概略图。
图7是概略地表示本发明的实施方式2中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。
图8是概略地表示本发明的实施方式2中的半导体装置评价用工具的结构的后视图。
图9是沿图7的IX－IX线的半导体装置评价用工具及半导体装置的概略剖视图。
图10是概略地表示本发明的实施方式3中的半导体装置评价用工具及半导体装置的结构的局部剖视图。
图11是概略地表示本发明的实施方式4中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。
图12是概略地表示本发明的实施方式5中的半导体装置评价用工具及半导体装置的结构的剖视图。
具体实施方式
下面，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
实施方式1.
首先，使用图1对本实施方式的半导体装置评价装置的结构进行说明。
图1是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价装置的结构的图。如图1所示，半导体装置评价装置10主要具有：卡盘台(工作台)1、多个接触探针(探针)2、绝缘基体(绝缘支撑部件)3、连接部4、信号线5、评价部(控制部)6、移动臂7、半导体装置评价用工具20。
卡盘台1是基座，其具有表面1a，使半导体装置评价用工具20接触并固定在该表面1a。该卡盘台1具有能够通过真空吸附对半导体装置评价用工具20及半导体装置30进行固定的结构。
具体地说，在卡盘台1形成有吸附槽1b、吸附孔1c、1d。吸附槽1b形成于卡盘台1的表面1a。吸附孔1c形成于卡盘台1内，且与吸附槽1b的底面连接。吸附孔1d在卡盘台1的内部延伸，到达至卡盘台1的表面1a而形成开口。向吸附孔1c、1d分别连接有真空泵等排气装置(未图示)。
半导体装置评价用工具20载置于卡盘台1的表面1a。该半导体装置评价用工具20将吸附槽1b及吸附孔1d的开口部覆盖。半导体装置评价用工具20在半导体装置30的评价时被真空吸附于卡盘台1。另外，在半导体装置30的评价时，在半导体装置评价用工具20之上载置有作为被测定物的半导体装置30。关于半导体装置评价用工具20的详细的结构在后面记述。
多个接触探针2支撑于绝缘基体3。多个接触探针2分别具有：接触部2a、前端部2b、压入部2c、绝缘基体设置部2d、电连接部2e。
接触部2a设置于前端部2b的前端。该接触部2a是与半导体装置评价用工具20的电极焊盘(第1电极焊盘)23、电极焊盘(第2电极焊盘)24、半导体装置30的表面焊盘部机械且电连接的部分。压入部2c在一端侧与前端部2b连接，且另一端侧的一部分插入至绝缘基体设置部2d内。
绝缘基体设置部2d形成为基台，且与绝缘基体3连接。在绝缘基体设置部2d的内部组装有弹簧等弹性部件(未图示)。压入部2c由绝缘基体设置部2d内的弹性部件，相对于绝缘基体设置部2d而向前端部2b侧被预紧。
由此，在接触探针2的接触部2a没有与被测定物的表面接触的状态下，压入部2c相对于绝缘基体设置部2d而向前端部2b侧移动，成为接触探针2完全伸长后的状态。另外，在接触探针2的接触部2a与被测定物的表面接触的状态下，压入部2c一边对抗弹性部件的预紧力、一边以规定量压入至绝缘基体设置部2d内。如上所述，压入部2c能够相对于绝缘基体设置部2d进行滑动。
接触探针2的电连接部2e与前端部2b电连通，是成为向外部的输出端的部分。
各接触探针2是利用由具有导电性的材料，例如铜、钨、钨铼合金等单独或者任意的组合构成的材料(金属材料、合金材料)进行制作的，但并不限定于此。特别是从提高导电性、提高耐久性等观点出发，接触部2a也可以是被上述之外的部件，例如金、钯、钽、铂等单独的金属材料或者由它们的任意组合构成的合金材料包覆的部分。
关于接触探针2，设想到施加大电流，针对各个半导体装置30而设置有多个该接触探针2。多个接触探针2分别与连接部4电连接。
该连接部4形成于绝缘基体3。另外，虽然未图示，但各接触探针2和连接部4之间由例如设置在绝缘基体3之上的金属板电连接。由多个接触探针2、绝缘基体3和连接部4构成探针基体8。
信号线5经由连接部4而与多个接触探针2各自电连接。评价部6经由信号线5及连接部4而与多个接触探针2各自电连接。评价部6具有对作为被测定物的半导体装置30的电气特性进行评价的功能。
移动臂7构成为能够使探针基体8向任意的方向移动。在本实施方式中，设为探针基体8仅由1个移动臂7保持的结构，但并不限定于此，也可以由多个移动臂稳定地保持。另外，也可以构成为，并非是探针基体8通过移动臂7进行移动，而是使半导体装置30，即卡盘台1侧进行移动。
接下来，使用图1及图2，对本实施方式的半导体装置评价用工具20的结构进行说明。
图2是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。沿图2中的I－I线的剖面的结构与图1所示的半导体装置评价用工具20的剖面结构相对应。
如图1及图2所示，本实施方式中的半导体装置评价用工具20是在半导体装置30的电气特性评价时用于对半导体装置30的温度高精度地进行检测的工具。半导体装置评价用工具20被用在上述的半导体装置评价装置10中，且配置于半导体装置评价装置10的卡盘台1和作为被测定物的半导体装置30之间。
具体地说，基体21具有彼此相对的表面(第1面)21a及背面(第2面)21b。基体21的表面21a是用于载置半导体装置30的面。基体21的背面21b是与卡盘台1的表面1a抵接的面，在使用时半导体装置评价用工具20配置于卡盘台1之上。
半导体装置评价用工具20主要具有：基体21、电极焊盘23、24、配线部25、至少1个(例如2个)温度检测元件22。
基体21具有导电性，是利用例如铜、铝等单独的金属材料或者由它们的组合构成的合金材料形成的，但并不限定于此。另外，基体21具有板形状。基体21的平面形状具有与所要评价的半导体装置30的平面形状相匹配的形状，例如具有四边形，但并不限定于四边形。此外，平面形状是指从与基体21的表面21a垂直的方向观察到的(俯视观察时的)形状。
基体21在其表面21a具有对半导体装置30进行载置的载置区域R1、R2、R3(在图2中由虚线表示的区域)。载置区域R1、R2、R3分别是半导体装置30的载置设想区域的例子。
载置区域R1表示具有小平面形状的半导体装置30的载置区域，载置区域R3表示具有大平面形状的半导体装置30的载置区域。另外，载置区域R2表示具有载置区域R1和R3之间的大小的平面形状的半导体装置30的载置区域。
基体21具有至少1个(例如4个)贯穿孔21e。贯穿孔21e从基体21的表面21a贯穿至背面21b。贯穿孔21e位于基体21的表面21a的中央附近。
在这里，关于基体21的表面21a的中央，在基体21的平面形状为四边形的情况下是指对角线之间的交点，在基体21的平面形状为圆形的情况下是指圆的中心。另外，贯穿孔21e位于基体21的表面21a的中央附近是指，贯穿孔21e位于作为被测定物而设想出的平面形状最小的载置区域R1内。
贯穿孔21e向表面21a的中央附近进行配置是为了与各种大小的半导体装置30相对应。由此，即使是小的半导体装置30，也能够以将贯穿孔21e覆盖的方式载置于半导体装置评价用工具20的表面21a。因此，即使是小的半导体装置30，也能够通过真空吸附而固定于卡盘台1及半导体装置评价用工具20。
贯穿孔21e具有下述锥形状，即，背面21b侧的开口面积S2大于表面21a处的开口面积S1。即，贯穿孔21e形成为从表面21a侧朝向背面21b侧，面积逐渐地变大。
基体21在表面21a具有凹部(第1电极焊盘用凹部)21c和凹部(第2电极焊盘用凹部)21d。凹部21c、21d分别具有从表面21a算起位于规定的深度处的底面21ca、21da。凹部21c、21d分别是例如锪孔部。
凹部21c、21d各自的底面21ca、21da具有平坦的面，优选不具有毛刺、凸起。通过底面21ca、21da分别具有平坦的面，由此抑制对在凹部21c、21d内配置的设置物的设置面造成损伤。平坦的底面21ca、21da能够通过清洗、研磨工序形成。
如果基体21是金属材料，则能够通过用于形成凹部21c、21d的锪孔加工和用于形成贯穿孔21e的机械加工而制造基体21。如果基体21是导电性的树脂材料，则能够通过成型加工来制造基体21。
在凹部21c内配置有温度检测元件22、电极焊盘23和配线部25。另外，在凹部21d内配置有电极焊盘24。上述温度检测元件22、电极焊盘23、24、配线部25配置于基体21的表面21a侧。
温度检测元件22对评价半导体装置30的电气特性时的半导体装置30的温度进行测定。温度检测元件22例如是二极管。通过例如利用芯片键合将温度检测元件22安装于凹部21c的底面21ca，从而将温度检测元件22安装于基体21。
在本实施方式中，示出2个温度检测元件22并列地配置的例子，但温度检测元件22的配置并不限定于此。多个温度检测元件22也可以在基体21的表面21a从中央侧朝向端部侧排成1列地配置。由此，无论半导体装置30的平面形状的大小如何，都能够对半导体装置30的温度高精度地进行检测。另外，通过设置多个温度检测元件22，从而使关于温度是否均一地分布的确认变得容易。关于温度检测元件22的详细的结构，在后面记述。
配线部25具有母材部25a和配线25b。母材部25a通过粘接等而安装于凹部21c的底面21ca。母材部25a例如由陶瓷形成。陶瓷的导热性优异，因此能够以短时间实现连同半导体装置30在内的半导体装置评价用工具20的温度的均一化。
该母材部25a的材质并不限定于陶瓷。母材部25a也可以是加工容易且低价的树脂、或者在薄厚方面形状的自由度高的柔性基板(具有挠性的基板)。
在该母材部25a的表面形成有配线25b和电极焊盘23。配线25b及电极焊盘23分别是通过将具有导电性的铜或者铝在母材部25a的表面成膜后进行图案化而形成的。电极焊盘23是用于将接触探针2与温度检测元件22电连接的部分。配线25b和半导体装置30的表面焊盘之间通过连接导线26而电连接。
另外，在凹部21d内形成有电极焊盘24。该电极焊盘24是用于将接触探针2与基体21电连接的部分。电极焊盘24形成为与基体21电连接。由于基体21具有导电性，因此通过将接触探针2与电极焊盘24连接，从而能够将接触探针2与半导体装置30的背面侧的电极电连接。电极焊盘24也可以通过与基体21相同的材质而与基体21一体地形成，另外，也可以通过与基体21不同的材质形成。
在本实施方式中，对为了应对大电流而设置有2个电极焊盘24的情况进行了说明，但电极焊盘24的个数并不限定于2个，也可以是大于或等于3个。另外，关于多个接触探针2各自所连接的部分(例如图2所示的2个电极焊盘24)，也可以通过将这些部分相互连结而成为1个电极焊盘，从而使电极面积扩大。
如图1所示，电极焊盘23、母材部25a、配线25b及连接导线26分别配置于凹部21c内，没有与基体21的表面21a的高度位置相比向上方(半导体装置30被载置侧)凸出。另外，电极焊盘24配置于凹部21d内，没有与基体21的表面21a的高度位置相比向上方凸出。
如图2所示，温度检测元件配置于载置区域R2及R3的正下方。在俯视观察时，电极焊盘23与温度检测元件22相比配置于基体21的表面21a的端部侧。具体地说，在基体21的表面21a的中央配置有贯穿孔21e，与该贯穿孔21e相比在基体21的端部侧配置有温度检测元件22，与该温度检测元件22相比在基体21的端部侧配置有电极焊盘23。电极焊盘24配置于隔着贯穿孔21e而与电极焊盘23相反侧的基体21的表面21a的端部。
接下来，使用图3，对本实施方式的温度检测元件22的结构进行说明。
图3是概略地表示在图2的半导体装置评价用工具中使用的温度检测元件的结构的剖视图。如图3所示，温度检测元件22例如是二极管，具有：单晶硅层22a、绝缘层22b、n型多晶硅层22c、p型多晶硅层22d、电极焊盘22e和金属电极22f。
在单晶硅层22a之上，隔着绝缘层22b而形成有n型多晶硅层22c和p型多晶硅层22d。绝缘层22b例如是氧化硅膜。n型多晶硅层22c和p型多晶硅层22d彼此相邻地形成。由n型多晶硅层22c和p型多晶硅层22d之间的pn结构成二极管。向n型多晶硅层22c和p型多晶硅层22d分别连接有电极焊盘22e。另外，以与单晶硅层22a接触的方式形成有金属电极22f。
金属电极22f通过例如芯片键合而安装于图1所示的基体21的凹部21c的底面21ca。电极焊盘22e经由连接导线26而与图1所示的配线25b电连接。由此，通过使接触探针2与电极焊盘23接触，从而能够经由配线部25将接触探针2和温度检测元件22电连接。
在本实施方式中，作为温度检测元件22，设想的是如上述所示由多晶硅等形成的芯片型二极管元件。但是，温度检测元件22并不限定于如上所述的芯片型，例如也可以是表面安装型的封装件。在该情况下，温度检测元件22也可以并非是经由连接导线26，而是通过焊料等与配线25b的端部直接连接。
接下来，使用图4，对本实施方式的半导体装置评价装置10的被测定物即半导体装置30的结构的一个例子进行说明。
图4是概略地表示通过图1所示的半导体装置评价装置进行评价的半导体装置的结构的剖视图。如图4所示，半导体装置30例如是纵向型平面栅极构造的IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor)。
半导体装置30主要具有：p+集电极区域30a、n+区域30b、n-区域30c、p型基极区域30d、n+发射极区域30e、p+接触区域30f、栅极绝缘层30g、栅极电极层30h、层间绝缘层30i、发射极电极30j和集电极电极(collector electrode)30k。
在具有彼此相对的一个表面30la及另一个表面30lb的半导体基板30l内，形成有p+集电极区域30a、n+区域30b、n-区域30c、p型基极区域30d、n+发射极区域30e及p+接触区域30f。
在半导体基板30l的另一个表面30lb形成有p+集电极区域30a。在该p+集电极区域30a的一个表面30la侧隔着n+区域30b而形成有n-区域30c。在n-区域30c的一个表面30la选择性地形成有p型基极区域30d。n+发射极区域30e及p+接触区域30f彼此相邻地形成于p型基极区域30d内的一个表面30la。
在被n+发射极区域30e和n-区域30c夹着的p型基极区域30d之上，隔着栅极绝缘层30g而形成有栅极电极层30h。由n+发射极区域30e、n-区域30c、p型基极区域30d、栅极绝缘层30g及栅极电极层30h构成绝缘栅型场效应晶体管部。
以将栅极电极层30h覆盖的方式在半导体基板30l的一个表面30la之上形成有层间绝缘层30i。在层间绝缘层30i形成有到达至n+发射极区域30e及p+接触区域30f的接触孔30ia。
以经过接触孔30ia而与n+发射极区域30e及p+接触区域30f电连接的方式在层间绝缘层30i之上形成有发射极电极30j。另外，在半导体基板30l的另一个表面30lb之上，以与p+集电极区域30a电连接的方式形成有集电极电极30k。
此外，在上述中，作为半导体装置30而对纵向型平面栅极构造的IGBT进行了说明，但半导体装置30并不限定于此。半导体装置30也可以是例如纵向型平面栅极构造的MIS(Metal Insulator Semiconductor)晶体管，另外，也可以是纵向型沟槽栅极构造的IGBT或者MIS晶体管。
另外，半导体装置30也可以是在半导体装置30的一面进行输入输出的横向型构造的器件(横向型平面栅极构造的IGBT或者MIS晶体管、横向型沟槽栅极构造的IGBT或者MIS晶体管等)。
在对如图4所示的纵向型构造的半导体装置30的电气特性进行评价时，集电极电极30k与导电性的基体21电连接，经过基体21的电极焊盘24而与接触探针2电连接。
另外，半导体装置30具有分别与发射极电极30j及栅极电极层30h电连接的表面焊盘。通过将接触探针2与该表面焊盘分别直接连接，从而使接触探针2分别与发射极电极30j及栅极电极层30h各自电连接。
接下来，使用图1、图4及图5，对本实施方式的半导体装置评价方法进行说明。
参照图1，首先在半导体装置30的电气特性的评价前，半导体装置评价用工具20载置于卡盘台1的表面1a之上。此时，基体21的背面21b与卡盘台1的表面1a接触。另外，基体21的贯穿孔21e位于卡盘台1的吸附孔1d的表面1a的开口的上方，吸附孔1d和贯穿孔21e连通。
半导体装置30载置于半导体装置评价用工具20之上。此时，半导体装置30将基体21的贯穿孔21e之上覆盖。另外，图4所示的半导体装置30的集电极电极30k与基体21的表面21a接触。
半导体装置评价用工具20及半导体装置30通过真空吸附而固定在卡盘台1的表面1a。具体地说，利用经过吸附孔1c及吸附槽1b进行的真空吸附，半导体装置评价用工具20被固定在卡盘台1的表面1a。另外，利用经过吸附孔1d及贯穿孔21e进行的真空吸附，半导体装置30被隔着半导体装置评价用工具20而固定在卡盘台1的表面1a。通过该真空吸附，半导体装置30的背面(集电极电极30k)与基体21的表面21a密接。
此后，利用移动臂7进行探针基体8的移动动作。通过该移动臂7的移动动作，探针基体8朝向半导体装置30及半导体装置评价用工具20侧进行移动(下降)。
如图5所示，通过上述的探针基体8的移动，多个接触探针2分别与电极焊盘23、24、半导体装置30的表面焊盘连接。在该状态下，从多个接触探针2对半导体装置30施加电流、电压。由此，进行关于半导体装置30的电气特性的评价。另外，通过温度检测元件22对半导体装置30的温度进行检测。
在评价结束后，使接触探针2与电极焊盘23、24及半导体装置30的表面焊盘分离。然后，将半导体装置30从半导体装置评价用工具20拆下，将其他半导体装置30新载置于半导体装置评价用工具20，继续进行评价。
在多个半导体装置30载置于1个半导体装置评价用工具20之上的情况下，在对载置于半导体装置评价用工具20的全部半导体装置30进行评价后，将多个半导体装置30从半导体装置评价用工具20拆下，将其他多个半导体装置30新载置于半导体装置评价用工具20而继续进行评价。
接下来，使用图6(A)～图6(C)，对本实施方式的半导体装置评价装置10的接触探针的动作进行说明。
图6(A)～图6(C)是用于对图1所示的接触探针的动作进行说明的概略图。如图6(A)所示，在初始状态下，接触探针2的压入部2c由绝缘基体设置部2d内部的弹性部件(未图示)向前端部2b侧预紧。由此，接触探针2成为完全伸长后的状态。
如图6(B)所示，从上述初始状态起，在评价动作时接触探针2向半导体装置30侧下降。然后，在以规定量下降后，接触探针2的接触部2a与半导体装置30的上表面的表面焊盘30m接触。
如图6(C)所示，此后，如果接触探针2进一步向半导体装置30侧下降，则压入部2c一边对抗绝缘基体设置部2d内的弹性部件的预紧力、一边被压入至绝缘基体设置部2d内。由此，接触探针2和半导体装置30的表面焊盘30m之间的接触变得可靠。
此外，在上述中，对接触探针2是在轴向上具有滑动性的弹簧式接触探针进行了说明，但并不限定于此，也可以是悬臂式的接触探针。此外，在接触探针2是在轴向上具有滑动性的接触探针的情况下，并不限定于弹簧式，也可以是层叠探针、线探针等。
接下来，对本实施方式的作用效果进行说明。
根据本实施方式，如图1所示，在半导体装置评价用工具20的基体21形成有贯穿孔21e。因此，能够利用通过卡盘台1实现的真空吸附，经过贯穿孔21e而将半导体装置30密接地固定在导电性的基体21。密接状态下的固定会对电阻成分进行抑制，因此使得温度检测的精度提高。
另外，基体21由于具有导电性，因此导热性优异。在该基体21安装有温度检测元件22。由此，并非是隔着空气层，而是经过导热性优异的基体21而将半导体装置30和温度检测元件22连接。因此，能够通过温度检测元件22对半导体装置30的温度高精度地进行检测。
另外，与温度检测元件22电连接的电极焊盘23形成在基体21的表面21a侧。因此，如图4所示，在半导体装置30的电气特性评价时，能够使接触探针2也与温度检测元件22连接。由此，通过使用本实施方式的半导体装置评价用工具20，从而能够利用已有的半导体装置评价装置10而以低成本如上所述地对半导体装置30的温度高精度地进行检测。由此，无需准备新的半导体装置评价装置。
另外，通过使用半导体装置评价用工具20，从而即使使用的是已有的半导体装置评价装置10，也能够应对大小不同的半导体装置30。因此，无需准备多种半导体装置评价用工具20，从这一点来说，还具有低成本的效果。
另外，如图1所示，在基体21的表面21a侧，形成有与基体21电连接的电极焊盘24。因此，在使用例如图4所示的纵向型的器件作为半导体装置30的情况下，也能够经由基体21和电极焊盘24而将接触探针2与该器件的背面侧的电极(例如集电极电极30k)电连接。
另外，如图1所示，温度检测元件22在基体21的表面21a侧安装于基体21。由此，能够将温度检测元件22、电极焊盘23、24、配线部25及连接导线26汇集在基体21的表面21a侧。因此，半导体装置评价用工具20的制造变得容易，制造成本降低。
另外，如图1所示，温度检测元件22、电极焊盘23、配线部25及连接导线26配置于凹部21c内。另外，电极焊盘24配置于凹部21d内。由此，在基体21的表面21a不会产生凸部，因此不会限制半导体装置30向表面21a的载置，其载置是容易的，还预见到工序缩短的效果。
另外，如图1所示，温度检测元件22设置于凹部21c的底面21ca。由此，通过例如芯片键合而将温度检测元件22向基体21安装变得容易。
另外，如图2所示，多个温度检测元件22排成1列地配置。由此，无论半导体装置30的大小如何，都能够维持半导体装置30的评价温度的检测精度。
另外，如图1所示，基体21的贯穿孔21e在表面21a侧具有小的开口面积S1，且在背面21b侧具有大的开口面积S2。通过将贯穿孔21e的背面21b侧的开口面积S2变大，从而贯穿孔21e和卡盘台1的吸附孔1d之间的对位变得容易。另外，通过将贯穿孔21e的表面21a侧的开口面积S1变小，从而易于避免接触探针2的接触部2a和贯穿孔21e之间的位置一致，抑制半导体装置30的损坏。
另外，如图1及图2所示，温度检测元件22是使用连接导线26而与形成了电极焊盘23的、配线部25的配线25b连接的。由此，将电极焊盘23与温度检测元件22分离地配置变得容易。因此，在俯视观察时将电极焊盘23与半导体装置30分离地配置也变得容易，电极焊盘23的设置位置的自由度提高。
另外，如图1所示，温度检测元件22配置于载置区域R2或者R3的正下方。由此，能够使温度检测元件22更接近半导体装置30，温度的检测精度提高。
另外，在母材部25a由陶瓷形成的情况下，由于陶瓷的导热性良好，因此不会变成热阻，评价温度的变动受到抑制。
另外，在母材部25a由树脂形成的情况下，能够容易地制造低价且形状的自由度高的母材部25a。
另外，在母材部25a由柔性基板构成的情况下，能够容易地制造厚度薄、形状的自由度高的母材部25a。
另外，如图2所示，在俯视观察时电极焊盘23与温度检测元件22相比，配置在基体21的表面21a的端部侧。由此，能够将接触至电极焊盘23的接触探针2与半导体装置30分离地配置。因此，能够对接触至电极焊盘23的接触探针2与半导体装置30或者其他接触探针2之间的放电进行抑制。
另外，如图2所示，在俯视观察时电极焊盘24配置于隔着贯穿孔21e而与电极焊盘23相反侧的基体21的端部。由此，能够将接触至电极焊盘24的接触探针2与接触至电极焊盘23的接触探针2分离地配置，能够对这两个接触探针2间的放电进行抑制。
另外，根据本实施方式中的半导体装置的评价方法，在半导体装置30的评价时，能够将多个接触探针2分别与电极焊盘23、24、半导体装置30的表面焊盘各自电连接。由此，能够在基体21的表面21a侧进行与接触探针2的全部电连接，半导体装置30的电气评价变得容易。
实施方式2.
图7及图8是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图及后视图。图9是沿图7的IX－IX线的半导体装置评价用工具及半导体装置的概略剖视图。
如图7～图9所示，本实施方式的结构与实施方式1的结构相比，不同点在于，温度检测元件22、电极焊盘23、配线部25及连接导线26在基体21的背面21b侧安装于基体21。
主要如图8及图9所示，在本实施方式中，凹部21c并非是形成于基体21的表面21a，而是形成于背面21b。在凹部21c内配置有温度检测元件22、配线部25和连接导线26。
通过例如利用芯片键合将温度检测元件22安装于凹部21c的底面21ca，从而将温度检测元件22安装于基体21。配线部25的母材部25a通过粘接等而安装于凹部21c的底面21ca。在该母材部25a的下表面形成有配线25b。配线25b和温度检测元件22之间通过连接导线26而电连接。
主要如图7及图9所示，基体21具有从凹部21c的底面21ca到达至表面21a的孔部21f。电极焊盘23经过孔部21f而向基体21的表面21a侧露出。该电极焊盘23形成于母材部25a的上表面。该电极焊盘23和配线25b是通过在将母材部25a贯穿的通孔25aa内埋入的导电层25ab而电连接的。
主要如图8及图9所示，在电极焊盘23的正下方，在配线25b的下侧设置有加强部27。该加强部27由不具有导电性的材料，例如树脂材料形成。
此外，除了上述以外的本实施方式的结构与实施方式1的结构大致相同，因此对同一要素标注相同的标号，不重复其说明。
根据本实施方式，温度检测元件22设置于基体21的背面21b侧。因此，隔着基体21的温度检测元件22和半导体装置30之间的距离比实施方式1的结构更近。由此，能够使半导体装置30的温度检测的精度提高。
另外，如图9所示，温度检测元件22、配线部25及连接导线26配置于凹部21c内。另外，电极焊盘23配置于孔部21f内，电极焊盘24配置于凹部21d内。由此，在基体21的表面21a不会产生凸部，因此不会限制半导体装置30向表面21a的载置，其载置是容易的，还预见到工序缩短的效果。
另外，通过设置有加强部27，使接触探针2与电极焊盘23接触时的配线部25的挠曲得到抑制。
另外，与接触探针2接触的焊盘(电极焊盘23、24及表面焊盘)全部汇集至相同的面。因此，评价工序变得容易，能够将半导体装置评价装置10的结构简化。
实施方式3.
图10是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价用工具及半导体装置的结构的局部剖视图。如图10所示，本实施方式的结构与实施方式1的结构相比，不同点在于，凹部21c的侧面21cb倾斜，在其倾斜的侧面21cb安装有温度检测元件22。
侧面21cb相对于基体21的表面21a而倾斜，且与凹部21c的底面21ca构成钝角。被设为倾斜面的侧面21cb是处于载置区域R2、R3的范围内的侧面(即，在载置了半导体装置30时，位于半导体装置30的正下方的侧面)。
此外，除了上述以外的本实施方式的结构与实施方式1的结构大致相同，因此对同一要素标注相同的标号，不重复其说明。
根据本实施方式，通过在倾斜的侧面21cb之上设置温度检测元件22，从而使隔着基体21的温度检测元件22和半导体装置30之间的距离比实施方式1的结构更近。因此，能够提高半导体装置30的温度检测的精度。
此外，在上述中，对实施方式1的结构中的凹部21c的侧面21cb倾斜的情况进行了说明，但也可以是实施方式2中的凹部21c的侧面同样地倾斜，在其倾斜的侧面配置有温度检测元件。
实施方式4.
图11是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价用工具的结构的俯视图。如图11所示，本实施方式的结构与实施方式1的结构相比，不同点在于，多个温度检测元件22沿将贯穿孔21e包围的假想的圆CI的圆周而配置在该圆周上。
假想的圆CI优选是以基体21的中央为中心的圆。沿该假想的圆CI的圆周，在该圆周上配置有多个(例如3个)温度检测元件22。
此外，除了上述以外的本实施方式的结构与实施方式1的结构大致相同，因此对同一要素标注相同的标号，不重复其说明。
根据本实施方式，通过如上述所示地配置多个温度检测元件22，从而能够在将半导体装置30的周围的一部分包围的位置配置多个温度检测元件22。如上所述，通过对半导体装置30的周围的温度分布进行检测，从而使半导体装置30的温度分布的检测精度提高。
此外，在上述中，对实施方式1的结构中的多个温度检测元件22沿假想的圆CI的圆周而配置在该圆周上的情况进行了说明，但实施方式2中的多个温度检测元件22也可以同样地配置。在该情况下，温度检测元件22和半导体装置30之间的距离变得更近，因此能够提高半导体装置30的温度检测的精度。
实施方式5.
图12是概略地表示本实施方式中的半导体装置评价用工具及半导体装置的结构的俯视图。如图12所示，就本实施方式的结构而言，具有的是将下述部分进行了组合的结构，即：实施方式1的在基体21的表面21a侧设置的凹部21c及凹部21c内的结构；以及实施方式2的在基体21的背面21b侧设置的凹部21c及凹部21c内的结构。
此外，除了上述以外的本实施方式的结构与实施方式1及2的结构大致相同，因此对同一要素标注相同的标号，不重复其说明。
如上所述，通过在基体21的表面21a及背面21b两者设置温度检测元件22，从而能够更详细地获知半导体装置30的温度分布。
在上述的实施方式中，对在一个半导体装置评价用工具20载置一个半导体装置30的情况进行了说明，但在一个半导体装置评价用工具20载置的半导体装置30的个数也可以是多个。
另外，上述的实施方式1～4也可以适当组合。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面都是例示，不是限制性的内容。本发明的范围并非由上述说明表示，而是由权利要求书表示，包含与权利要求书等同的含义以及范围内的全部变更。
标号的说明
1卡盘台，1a、21a、30la表面，1b吸附槽，1c、1d吸附孔，2接触探针，2a接触部，2b前端部，2c压入部，2d绝缘基体设置部，2e电连接部，3绝缘基体，4连接部，5信号线，6评价部，7移动臂，8探针基体，10半导体装置评价装置，20半导体装置评价用工具，21基体，21b背面，21c凹部，21ca底面，21cb侧面，21e贯穿孔，21f孔部，22温度检测元件，22a单晶硅层，22b绝缘层，22c n型多晶硅层，22d p型多晶硅层，22e、23、24电极焊盘，22f金属电极，25配线部，25a母材部，25ab导电层，25b配线，26连接导线，27加强部，30半导体装置，30a p+集电极区域，30b n+区域，30c n-区域，30d p型基极区域，30e n+发射极区域，30f p+接触区域，30g栅极绝缘层，30h栅极电极层，30i层间绝缘层，30ia接触孔，30j发射极电极，30k集电极电极，30l半导体基板，30m表面焊盘。

Claims (20)

1.一种半导体装置评价用工具，其被用在用于对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置评价装置中，且是配置于所述半导体装置评价装置的工作台之上而使用的，
该半导体装置评价用工具具有：
导电性的板状的基体，其具有彼此相对的第1面及第2面，在所述第1面具有对所述半导体装置进行载置的载置区域，在所述载置区域内具有从所述第1面贯穿至所述第2面的贯穿孔；
至少1个温度检测元件，其安装于所述基体；
第1电极焊盘，其与所述温度检测元件电连接，且形成于所述第1面侧；以及
第2电极焊盘，其形成于所述基体的所述第1面侧，且与所述基体电连接，
所述基体在所述第1面具有第2电极焊盘用凹部，所述第2电极焊盘配置于所述第2电极焊盘用凹部内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述第2电极焊盘配置于隔着所述贯穿孔而与所述第1电极焊盘相反侧的所述基体的所述第1面的端部。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述温度检测元件在所述第1面侧安装于所述基体。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述温度检测元件在所述第2面侧安装于所述基体。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述至少1个温度检测元件包含第1温度检测元件及第2温度检测元件，
所述第1温度检测元件在所述第1面侧安装于所述基体，所述第2温度检测元件在所述第2面侧安装于所述基体。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述基体在所述第1面及所述第2面的至少1个面具有第1电极焊盘用凹部，所述至少1个温度检测元件配置于所述第1电极焊盘用凹部内。
7.根据权利要求6所述的半导体装置评价用工具，其中，
还具有配线部，该配线部将所述温度检测元件和所述第1电极焊盘电连接，
所述配线部配置于所述第1电极焊盘用凹部内。
8.根据权利要求7所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述配线部包含安装于所述基体的母材部和安装于所述母材部的配线，
所述母材部由陶瓷形成。
9.根据权利要求7所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述配线部包含安装于所述基体的母材部和安装于所述母材部的配线，
所述母材部由树脂形成。
10.根据权利要求6所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述第1电极焊盘用凹部形成于所述第2面，所述基体具有从所述第1电极焊盘用凹部的底面到达至所述第1面的孔部，
所述第1电极焊盘经过所述孔部而向所述第1面侧露出。
11.根据权利要求6所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述第1电极焊盘用凹部的至少1个壁面是相对于所述第1面倾斜的倾斜面，所述温度检测元件设置于所述倾斜面。
12.根据权利要求6所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述温度检测元件设置于所述第1电极焊盘用凹部的底面。
13.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述至少1个温度检测元件包含多个温度检测元件，
所述多个温度检测元件排成1列地配置。
14.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述至少1个温度检测元件包含多个温度检测元件，
所述多个温度检测元件配置在将所述贯穿孔包围的圆周上。
15.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述贯穿孔具有下述锥形状，即，所述第2面侧的所述贯穿孔的开口面积大于所述第1面侧的所述贯穿孔的开口面积。
16.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述温度检测元件配置于所述载置区域的正下方。
17.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述第1电极焊盘与所述温度检测元件相比配置于所述基体的所述第1面的端部侧。
18.根据权利要求1或2所述的半导体装置评价用工具，其中，
所述温度检测元件是二极管。
19.一种半导体装置评价装置，其具有：
权利要求1至18中任一项记载的所述半导体装置评价用工具；
所述工作台，其对所述半导体装置评价用工具进行载置；
与所述半导体装置的表面焊盘连接的第1探针及与所述第1电极焊盘连接的第2探针；以及
评价部，其与所述第1探针及所述第2探针电连接，且对所述半导体装置的电气特性和温度进行评价。
20.一种半导体装置评价方法，其使用了权利要求19记载的所述半导体装置评价装置，
该半导体装置评价方法具有下述工序：
在所述工作台之上载置所述半导体装置评价用工具；
在所述半导体装置评价用工具之上载置所述半导体装置；以及
将所述第1探针与所述半导体装置的所述表面焊盘电连接，并且将所述第2探针与所述第1电极焊盘电连接，对所述半导体装置的电气特性进行评价。
CN201580074237.7A 2015-01-23 2015-01-23 半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法 Active CN107873080B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/051759 WO2016117105A1 (ja) 2015-01-23 2015-01-23 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107873080A CN107873080A (zh) 2018-04-03
CN107873080B true CN107873080B (zh) 2019-12-20

Family

ID=56416670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580074237.7A Active CN107873080B (zh) 2015-01-23 2015-01-23 半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10168380B2 (zh)
JP (1) JP6351763B2 (zh)
CN (1) CN107873080B (zh)
DE (1) DE112015006037T5 (zh)
WO (1) WO2016117105A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6739326B2 (ja) * 2016-12-27 2020-08-12 三菱電機株式会社 評価装置及び評価方法
CN108507705A (zh) * 2018-07-04 2018-09-07 上海捷策创电子科技有限公司 一种芯片测温装置
JP7328008B2 (ja) * 2019-05-29 2023-08-16 ローム株式会社 半導体装置
CN110286308A (zh) * 2019-06-27 2019-09-27 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 一种压接型单芯片的测试装置
CN113655242B (zh) * 2020-04-29 2024-04-19 株洲中车时代半导体有限公司 Igbt器件动态测试用夹具及方法
CN114355040A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 芜湖尼晶电子科技有限公司 一种热敏电阻智能测验装置
DE102021202150A1 (de) * 2021-03-05 2022-09-08 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul mit Alterungserkennung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155006U (zh) * 1987-03-30 1988-10-12
JPH0275729U (zh) 1988-11-28 1990-06-11
US6744346B1 (en) 1998-02-27 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece
JP3940694B2 (ja) * 2003-04-18 2007-07-04 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US7368312B1 (en) * 2004-10-15 2008-05-06 Morgan Research Corporation MEMS sensor suite on a chip
JP2008300426A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Shimadzu Corp 真空チャック
JP2009094393A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Panasonic Corp 検査用装置及びそれを用いた検査方法
JP2010026715A (ja) 2008-07-17 2010-02-04 Sony Corp 温度制御装置、及び評価方法
JP5295932B2 (ja) * 2009-11-02 2013-09-18 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ及びその評価方法、並びにその製造方法
JP5691092B2 (ja) 2011-01-06 2015-04-01 三菱電機株式会社 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置
KR20120104812A (ko) * 2011-03-14 2012-09-24 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 장치 및 방법
JP5755601B2 (ja) 2012-06-07 2015-07-29 株式会社日立製作所 パワーモジュールおよびその製造方法
SG10201503482QA (en) * 2012-06-11 2015-06-29 Ultratech Inc Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
JP6084469B2 (ja) * 2013-01-28 2017-02-22 三菱電機株式会社 半導体評価装置および半導体評価方法
US20160329304A1 (en) * 2013-05-07 2016-11-10 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP5885701B2 (ja) * 2013-05-21 2016-03-15 三菱電機株式会社 半導体装置の評価装置
JP6339345B2 (ja) * 2013-10-31 2018-06-06 三菱電機株式会社 半導体評価装置および半導体評価方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016117105A1 (ja) 2017-10-05
US20180088169A1 (en) 2018-03-29
CN107873080A (zh) 2018-04-03
WO2016117105A1 (ja) 2016-07-28
DE112015006037T5 (de) 2017-11-09
JP6351763B2 (ja) 2018-07-04
US10168380B2 (en) 2019-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107873080B (zh) 半导体装置评价用工具、半导体装置评价装置及半导体装置评价方法
JP6573784B2 (ja) ガスセンサパッケージ
JP5737536B2 (ja) プローバ
JP6494438B2 (ja) ガスセンサパッケージの製造方法
US20120201272A1 (en) Method for Determining the Temperature of a Power Semiconductor
US20160377486A1 (en) Contact-probe type temperature detector, semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluating method
JP2016025124A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN110612600B (zh) 半导体装置
US11333702B2 (en) Semiconductor device test method
JPWO2012124209A1 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
US20200158673A1 (en) Humidity sensor
JP2017059672A (ja) 半導体装置
US9559024B2 (en) Power semiconductor module
JP2018100838A (ja) 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体装置
JP2016095272A (ja) 半導体評価装置、半導体評価方法および試験治具
JP6365953B1 (ja) プローバ
KR101807492B1 (ko) 센서 탑재 웨이퍼
JP2020013923A (ja) 半導体装置
US8692244B2 (en) Semiconductor device
JP2015010980A (ja) プローブ装置
JP5892912B2 (ja) 半導体装置の評価方法
US20140167800A1 (en) Method for Testing Semiconductor Chips or Semiconductor Chip Modules
JP5020271B2 (ja) 半導体試験装置および半導体試験方法
CN112768503B (zh) Igbt芯片、其制造方法及功率模块
US9972705B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant