JPWO2016104494A1 - 電解用陰極及びその製造方法、並びに、電解用電解槽 - Google Patents

電解用陰極及びその製造方法、並びに、電解用電解槽 Download PDF

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Abstract

導電性基材と、前記導電性基材上にRu元素を含む触媒層と、を有し、前記触媒層は、X線光電子分光測定での280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度に対する281.4eV〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度の比が0.45以上である電解用陰極を提供する。

Description

本発明は、水、又は、アルカリ金属化合物水溶液の電解用途に使用される陰極に関するものであり、特に水素発生用電極に用いることのできる電解用陰極及びその製造方法、並びに、電解用電解槽に関する。
水素発生用陰極は、水、又は、アルカリ金属化合物(典型的にはアルカリ金属塩化物)の水溶液を電解して水素、塩素、又は苛性ソーダなどを製造する電解(電気分解)に使用されている。電解工業において、エネルギー消費量の削減、具体的には電解電圧の低減が大きな課題である。近年、食塩水などのアルカリ金属塩化物水溶液の電解法としてはイオン交換膜法が主流であり、これまで様々な検討がなされてきた。実際に電解を行う場合、電解電圧は理論的に求められる食塩の電気分解に必要な電圧に加え、陽極反応(塩素発生)の過電圧、陰極反応(水素発生)の過電圧、イオン交換膜の抵抗による電圧、アノードとカソードとの電極間距離による電圧が必要である。これらの電圧のうち、電極反応による過電圧について注目すると、塩素発生用陽極としては所謂DSA(Dimensionally Stable Anode)と呼ばれる貴金属系の電極が開発されており、当該電極では塩素過電圧は50mV以下にまで大きく低減されている。
一方、水素発生を伴う陰極に関しても、近年、省エネルギーの観点から、水素過電圧が低く、耐久性のある陰極が求められている。かつては、水素発生用陰極としては、軟鋼、ステンレス及びニッケルが使用されていた。また、これら水素発生用陰極の表面を活性化し、水素過電圧を低減することが検討され、これら技術について、これまでに多くの特許出願がされている。水素発生用陰極の触媒としては、ニッケル、酸化ニッケル、ニッケルとスズとの合金、活性炭と酸化物との組合せ、酸化ルテニウム、白金などが挙げられる。これら触媒を含む触媒層は合金めっき、分散・複合めっき、熱分解、溶射及びそれらの組み合わせにより形成される。
特許文献1(特開2000−239882)では、導電性基材上に触媒組成として、ランタン系金属化合物と白金族化合物とからなる触媒層を形成し、低い過電圧を有する陰極を形成している。特許文献2(特開2008−133532)では、硝酸ルテニウムとランタンのカルボン酸塩を導電性基材上に塗布し、大気中で焼成して触媒層を形成することで高電流密度での運転においても触媒層を長期間安定化させている。特許文献3(特開2008−240001)では、触媒層上に水素吸着層を形成し、水素発生効率を向上している。
特開2000−239882号 特開2008−133532号 特開2008−240001号
以上のように電力消費量を削減する目的で、多くの取り組みがなされ、様々な水素発生用陰極が提案されている。しかし、水素過電圧が十分に低く、電解停止時の逆電流に対する耐性を有し、かつ安定な触媒層を有する水素発生用陰極は未だ得られていない。
本発明は、前記の問題点を解決しようとするものであって、水素過電圧が低く、電解停止時の逆電流に対する耐性を有する電解用陰極及びその製造方法、並びに、電解用電解槽を提供することを目的とするものである。
本発明は以下のとおりである。
[1]
導電性基材と、前記導電性基材上にRu元素を含む触媒層と、を有し、前記触媒層は、X線光電子分光測定での280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度に対する281.4eV〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度の比が0.45以上である電解用陰極。
[2]
前記触媒層は、X線回折測定での2θ=28°の角度領域に観測されるミラー指数(110)面の酸化Ruのピーク強度に対する2θ=35°の角度領域に観測されるミラー指数(101)面の酸化Ruのピーク強度の比が1.5以下である[1]に記載の電解用陰極。
[3]
前記導電性基材がNiを含む[1]又は[2]に記載の電解用陰極。
[4]
前記触媒層が、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含む[1]から[3]のいずれか1つに記載の電解用陰極。
[5]
前記第2成分の元素の量が、前記Ru元素1モルに対して0.01モル以上1モル未満である[1]から[4]のいずれか1つに記載の電解用陰極。
[6]
前記触媒層が、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含む[5]に記載の電解用陰極。
[7]
前記第3成分の元素の量が、前記Ru元素1モルに対して0.01モル以上1モル未満である[1]から[6]のいずれか1つに記載の電解用陰極。
[8]
前記触媒層において、前記第2成分及び前記第3成分の少なくともいずれかが、酸化物又は水酸化物として存在する[4]から[7]のいずれか1つに記載の電解用陰極。
[9]
前記触媒層に含まれる前記Ru元素は、酸化ルテニウム又はルテニウム水酸化物である[1]から[8]のいずれか1つに記載の電解用陰極。
[10]
前記Ru元素の担持量が1〜20g/mである[1]から[9]のいずれか1つに記載の電解用陰極。
[11]
[1]から[10]のいずれか1つに記載の電解用陰極を備えた、水又はアルカリ金属塩化物水溶液の電解用電解槽。
[12]
導電性基材上に、第1成分としてRu元素を含み、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含み、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含む塗布液を塗布する塗布工程と、
前記塗布液を乾燥させて塗布膜を形成する膜形成工程と、
前記塗布膜を加熱して熱分解させる熱分解工程と、
を経て前記導電性基材上に触媒層を形成する電解用陰極の製造方法。
[13]
前記塗布液中に含まれる前記第1成分が硝酸塩、ジニトロジアンミン錯体、ニトロシル硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つであり、
前記第2成分が硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つであり、
前記第3成分が硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つである[12]に記載の電解用陰極の製造方法。
[14]
前記塗布工程、前記膜形成工程及び熱分解工程を2回以上繰り返す[12]又は[13]に記載の電解用陰極の製造方法。
[15]
前記熱分解工程を、350℃以上600℃未満の温度で行う[12]から[14]のいずれか1つに記載の電解用陰極の製造方法。
[16]
前記熱分解工程の前に、100℃以上350℃未満の温度で1分間〜60分間の仮焼成を行う[12]から[15]のいずれか1つに記載の電解用陰極の製造方法。
[17]
前記膜形成工程において、前記塗布液の乾燥を100℃以下の温度で行う[12]から[16]のいずれか1つに記載の電解用陰極の製造方法。
本発明によれば、水、又は、アルカリ金属化合物の水溶液の電気分解に使用できる電解用陰極であって、水素過電圧が低く、電解停止時の逆電流に対する耐性を有する、電解用陰極及びその製造方法、並びに、電解用陰極を備えた電解用電解槽が提供される。
実施例及び比較例で得られた水素発生用陰極の逆電流印加試験での陰極電位上昇挙動を示す図である。 他の実施例及び比較例で得られた水素発生用陰極の逆電流印加試験での陰極電位上昇挙動を示す図である。 実施例及び比較例1のX線光電子分光スペクトルを示す図である。 他の実施例及び比較例1のX線光電子分光スペクトルを示す図である。 他の実施例及び比較例4のX線光電子分光スペクトルを示す図である。 他の実施例及び比較例4のX線光電子分光スペクトルを示す図である。 実施例及び比較例1のX線回折パターンを示す図である。 他の実施例及び比較例1のX線回折パターンを示す図である。 他の実施例及び比較例4のX線回折パターンを示す図である。 他の実施例及び比較例4のX線回折パターンを示す図である。
本発明者らは、X線光電子分光測定において、ルテニウム(Ru元素)を含み、且つ、280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークに対する281.4eV〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピーク強度の比が0.45以上である触媒層を有する陰極では、逆電流耐性が高く、水素過電圧が低くなることを見出した。ここで、『280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークに対する281.4eV〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピーク強度の比』とは、[281.4eV〜282.4eVの間の最大ピーク強度(cps)]/[280.0eV〜281.0eVの最大ピーク強度(cps)]から算出される比を意味する(以下、当該比を『第1の強度比』と称することがある。)。
第1の強度比の変化は、Ru元素の電子状態の変化に由来すると考えられる。280.0eV〜281.0eVの間のピークは酸化ルテニウムに起因すると考えられる。一方、281.4eV〜282.4eVの間のピークは、280.0eV〜281.0eVの間に現れる酸化ルテニウムとは異なる電子状態の酸化ルテニウム又はルテニウムの水酸化物に起因すると考えられる。詳細な原理については未だ特定できていないが、水素過電圧が低下する原因として、280.0eV〜281.0eVの間にピークを示す電子状態のRu元素より、281.4eV〜282.4eVの間にピークを示す電子状態のRu元素の方が、水素発生反応の電極触媒活性が高いためであると考えられる。また、逆電流耐性が高くなる原因としては、280.0eV〜281.0eVの間にピークを示す電子状態のRu元素より、281.4eV〜282.4eVの間にピークを示す電子状態のRu元素の方がより還元された状態にあるため、逆電流が流れた際、ルテニウムの酸化にはより多くの電気量が必要であると考えられる。このため、逆電流に対して耐久性が高くなると考えられる。
一般的に水の電解還元による水素発生反応は、以下に示す反応式(I)から(III)の組み合わせで進行すると考えられている。
反応式(I):HO+e→H・+OH
反応式(II):2H・→H
反応式(III):H・+HO+e→H+OH
反応式(I)に示される反応と反応式(II)に示される反応の逐次反応、または反応式(I)に示される反応と反応式(III)に示される逐次反応の2通りの経路が考えられている。水素過電圧を低減させるためには、律速反応を促進させることが必要である。律速段階が反応式(I)、(II)、(III)のうちいずれであるかは明確ではないが、280.0eV〜281.0eVの間にピークを示す電子状態のRu元素より、281.4eV〜282.4eVの間にピークを示す電子状態のRu元素の方が律速段階になっている反応を促進し、水素過電圧が低下するものと考えられる。第1の強度比が0.45以上である場合には、触媒表面にルテニウム水酸化物が多く形成されていることを示しており、このルテニウム水酸化物が触媒活性に大きく寄与していると考えられる。このため、第2および第3成分を添加すると、ルテニウム水酸化物が触媒表面に安定に形成され、低い水素過電圧を示す特異な触媒層が形成されると推察される。
以上の観点から、本実施形態においては、X線電子分光測定における280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度に対する281.4eV〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度の比は、0.45以上であり、好ましくは、0.6以上であり、さらに好ましくは、0.8以上である。また前記Ru 3d 5/2ピークの最大強度の比の上限は、5以下が好ましく、4以下がより好ましく、3以下がさらに好ましい。X線電子分光測定における各Ru 3d 5/2ピークの最大強度は後述する実施例における方法と同様の方法にて測定することができる。
また、X線回折測定において、ミラー指数(110)の酸化ルテニウムのピーク強度に対して、ミラー指数(101)の酸化ルテニウムのピーク強度が小さい値を示す酸化Ruを含む触媒層を有する陰極では、水素過電圧が低く、逆電流耐性が高くなることを見出した。ここで、JCPDSカード番号431027を参照すると、ミラー指数(110)の回折線は28°に観測され、ミラー指数(101)の回折線は35°観測される。同じ酸化ルテニウム結晶でも、結晶の配向が異なることにより、ルテニウム結晶表面の水素吸着の状態や、水素吸着量等に影響していると考えられ、水素過電圧の低下や逆電流耐性の向上に、結晶の配向が関与していると考えられる。
以上の観点から、本実施形態においては、X線回折測定における2θ=28°の角度領域に観測されるミラー指数(110)面の酸化Ruのピーク強度に対する2θ=35°の角度領域に観測されるミラー指数(101)面の酸化ルテニウムのピーク強度の比(以下、当該比を『第2の強度比』と称することがある。)は、好ましくは1.5以下であり、より好ましくは、1.48以下である。さらに好ましくは、1.30以下である。また、前記第2の強度比の下限は、0.40以上が好ましく、0.50以上がより好ましく、0.60以上がさらに好ましい。ここで、『2θ=28°の角度領域に観測されるミラー指数(110)面の酸化Ruのピーク強度に対する2θ=35°の角度領域に観測されるミラー指数(101)面の酸化ルテニウムのピーク強度の比』とは、[ミラー指数(101)面の35°の角度領域のピーク強度(count)]/[ミラー指数(110)面の28°の角度領域のピーク強度(count)]から算出される比を意味する。
X線回折測定における各ピーク強度に比(第2の強度比)は後述する実施例における方法と同様の方法にて測定することができる。
上述の観点から、本発明の実施形態における電解用陰極は、導電性基材と、前記導電性基材上にRu元素を含む触媒層と、を有し、前記触媒層は、X線光電子分光測定での280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度に対する281.4〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度の比(第1の強度比)が0.45以上である。
また、本発明の他の実施形態における触媒層は、X線回折測定での2θ=28°の角度領域に観測されるミラー指数(110)面の酸化Ruのピーク強度に対する2θ=35°の角度領域に観測されるミラー指数(101)面の酸化Ruのピーク強度の比(第2の強度比)を1.5以下とすることができる。
これら電解用陰極は、水素過電圧が低く、電解停止時の逆電流に対する耐性を有し、例えば、電解中の触媒層消耗量が少なく長期間にわたって使用することができる。また、これら電解用陰極は、例えば、ゼロギャップ電解槽等の電解用電極に好適に使用することができる。
導電性基材としては、特に限定されるものではないが、例えばニッケル、ニッケル合金、ステンレススチールなどを使用できる。しかし、ステンレススチールを高濃度のアルカリ水溶液中で用いた場合、鉄及びクロムが溶出すること、及びステンレススチールの電気伝導性がニッケルの1/10程度であることを考慮すると、導電性基材としてはニッケル(Ni)を含む基材が好ましい。
導電性基材の形状は特に限定されず、目的によって適切な形状を選択することができる。特に限定されるものではないが、導電性基材としては、多孔板、エキスパンド形状、ニッケル線を編んで作製したいわゆるウーブンメッシュなどを好適に用いることができる。導電性基材の形状については、電解槽における陽極と陰極との距離によって好適な仕様がある。特に限定されるものではないが、陽極と陰極とが有限な距離を有する場合には、多孔板又はエキスパンド形状を用いることができ、イオン交換膜と電極とが接するいわゆるゼロギャップ電解槽の場合には、細い線を編んだウーブンメッシュなどを用いることができる。
本実施形態の導電性基材においては、導電性基材を酸化雰囲気中で焼鈍することによって加工時の残留応力を緩和することが好ましい。また、導電性基材の表面には、前記表面に被覆される触媒層との密着性を向上させるために、スチールグリッド、アルミナ粉などを用いて凹凸を形成し、その後酸処理により表面積を増加させることが好ましい。
導電性基材上に設けられる触媒層はRu元素を含む。Ru元素は触媒層中にてルテニウム化合物として存在していてもよく、当該ルテニウム化合物としては、例えば、酸化ルテニウム又はルテニウム水酸化物を用いることができる。触媒層は、例えば、Ru元素を含む塗布液を導電性基材上に塗布し、その後、必要に応じて乾燥や熱分解させることで形成することができる。上述のように塗布液中のルテニウム元素は、例えば、ルテニウム化合物として塗布液中に含めることができる。
触媒層を形成するための塗布液の成分として用いることのできるルテニウム化合物は、例えば、硝酸塩、ジニトロジアンミン錯体、ニトロシル硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩のいずれの形態でも構わないが、熱分解のし易さなどの観点から硝酸塩を好適に用いることができる。ルテニウム化合物の金属濃度は、特に限定されないが、1回当たりの被覆層の塗布厚みとの兼ね合いで、10g/L〜200g/Lの範囲が好ましく、50g/L〜120g/Lの範囲が更に好ましい。
触媒層は、Ru元素の他に他の成分を含んでいてもよく、例えば、希土類化合物やその他の元素(第3元素)を含む化合物を含んでいてもよい。触媒層に含まれる希土類化合物及び第3元素は、硝酸塩、塩化物塩、酢酸塩のいずれの形態でも構わないが、熱分解のし易さなどの観点から、硝酸塩を好適に用いることができる。また、硫黄元素(S)を用いる場合には、硫黄元素を含む化合物、例えば、硫酸ナトリウム等の硫酸塩、硫化アンモニウム等の硫化物、チオ尿素などの硫黄含有有機化合物を用いることもできる。
触媒層は、例えば、第1成分としてRu元素を含み、更に第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含むことができる。また、触媒層は、更に第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含めることができる。触媒層中において、第1〜第3成分はそれぞれ互いに溶け合っていてもよく、例えば、触媒層中において前記第2成分及び前記第3成分が、Ru元素を含む第1成分と固溶体を形成していてもよい。更に、触媒層において、第2の成分や第3の成分が含まれる場合、これらは酸化物又は水酸化物として触媒層中に存在することができる。
一般に、食塩電解において水素発生反応の進行中は、陰極の電位は、およそ−1.2V(vs.Ag|AgCl参照電極)に維持されている。しかし、電解を停止し、陰極に逆電流が流れると、陰極上で酸化反応が進行しながら陰極の電位が上昇する。陰極上では、様々な酸化反応が、酸化還元電位が卑である順に優先的に進行する。例えば、Ru元素を含む触媒層で表面を被覆されたNi基材を陰極に使用した場合、まず−1.0V(vs.Ag|AgCl)付近で陰極に吸着している水素の酸化反応(1)が進行する。次に、−0.9V(vs.Ag|AgCl)付近でNi金属(Ni基材表面)の酸化反応(2)が進行する。その後、−0.1V(vs.Ag|AgCl)付近で触媒層の成分であるRu元素の酸化溶出反応(3)が進行する。
このように、触媒層の成分であるRu元素の酸化溶出反応(3)は、逆電流が流れたとき直ちに始まるのではなく、酸化還元電位がより卑な物質の酸化反応(1)や酸化反応(2)が終了した後に始まる。このため、触媒層の比表面積を増加させることによっても、触媒層のRu元素よりも卑な酸化還元電位をもつ酸化反応(1)や酸化反応(2)等の反応が増加するため、陰極の電位上昇が遅れ、その結果、触媒層のRu元素の酸化溶出反応(3)までの時間を長くすることができる。
上述の第2成分として用いることのできる、Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素の酸化物は、Ru元素の電子状態を変化させ水素過電圧を低減させる効果、及び水酸化ナトリウム水溶液中で、水素発生電解を実施すると水酸化物へ還元されるとともに、針状結晶へと形態が変化し、触媒として機能するルテニウム化合物が、基材から脱落することを抑制し、かつ表面積の増加により、逆電流に対する耐久性を向上させる効果があると考えられる。触媒層中における第2成分、即ち、Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素は、ルテニウム元素1モルに対して0.01モル以上だと、ルテニウム化合物を保持することが容易であり、物理的脱落が生じにくく、電解電圧を低減させる効果が発現し、さらに逆電流に対して十分な耐久性を付与できる。一方、1モル未満だと、熱分解して形成される被覆層において、触媒活性を持たない酸化物がルテニウム化合物の表面を完全に覆わないため、電解電圧の低い陰極が得られる。
このような触媒層を形成するための混合液(塗布液)において、当該塗布液に含まれる成分が熱分解して形成される触媒層(被覆層)においてより充分な効果、すなわち水素過電圧を低くしかつルテニウムの消耗も抑制する観点から、ルテニウム元素1モルに対して、Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素(第2成分)の塗布液中の量は好ましくは0.01モル以上1モル未満であり、より好ましくは0.02以上1モル未満である。更に好ましくは、0.05モル以上0.5モル以下である。さらに好ましくは第2成分の含有量は、ルテニウム元素1モルに対して0.05モル以上0.25以下である。
触媒層中におけるNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素(第2成分)の含有量は、水素過電圧を低くしルテニウムの消耗を抑制する観点から、ルテニウム元素1モルに対して0.01モル以上1モル未満が好ましく、より好ましくは、ルテニウム元素1モルに対して、0.02モル以上1モル未満の範囲である。さらに好ましくは、第2成分の含有量は、ルテニウム元素1モルに対して0.05モル以上0.5モル以下である。さらに好ましくは、第2成分の含有量は、ルテニウム元素1モルに対して0.05モル以上0.25以下である。
第3成分として用いることのできる触媒層中におけるMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素から選ばれる少なくとも一つ以上の元素(第3成分)の含有量は、ルテニウム元素1モルに対して0.01モル以上だと、ルテニウムの電子状態を変化させ電解電圧の低減効果、表面積を増加させることにより逆電流に対する十分な耐久性が得られる。一方、1モル未満だと、Mn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素の酸化物がルテニウム化合物の表面を被覆しないため電解電圧の低い陰極が得られる。
このような触媒層を形成するための混合液(塗布液)において、当該塗布液に含まれる成分が熱分解して形成される触媒層(被覆層)においてより充分な効果、すなわち水素過電圧を低くしかつルテニウムの消耗も抑制する観点から、ルテニウム元素1モルに対して、Mn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素(第3成分)の塗布液中の含有量は、ルテニウム元素1モルに対して、0.01モル以上1モル未満の範囲であることが好ましく、0.02モル以上1モル未満の範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは0.05モル以上0.5モル以下の範囲である。さらに好ましくは、0.05モル以上0.25モル以下である。
触媒層中におけるMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素(第3成分)の含有量は、水素過電圧を低くしルテニウムの消耗を抑制する観点から、0.01モル以上1モル未満が好ましく、より好ましくは、ルテニウム元素1モルに対して、0.02モル以上1モル未満の範囲である。さらに好ましくは、0.05モル以上0.5モル以下の範囲である。さらに好ましくは、第3成分の含有量は、ルテニウム元素1モルに対して0.05モル以上0.25以下である。
第2成分として添加できるNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy、第3成分として添加できるMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbの酸化物は全て4価未満の酸化物を形成することができる。このため、触媒層において上述の第2成分及び第3成分をRu元素と共に用いると、前記元素の酸化物がRu元素の周囲に存在するため、添加元素との界面に存在するRu元素が完全な4価の酸化物を形成することを抑制され、触媒成分であるRu元素の価数が一部変化していると考えられる。本実施形態の電解用陰極によれば、これによりRu元素が律速段階の反応を促進した結果、水素過電圧を低下させることができる可能性が考えられる。
本実施形態において、電解用陰極は、導電性基材上に、触媒層形成用の塗布液、例えば、第1成分としてRu元素を含み、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含み、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含む塗布液を塗布する塗布工程と、必要に応じて、前記塗布液を乾燥させて塗布膜を形成する膜形成工程と、前記塗布膜を加熱して熱分解させる熱分解工程と、を経ることで前記導電性基材上に触媒層を形成する電解用電極の製造方法により製造することができる。
前記塗布工程は、導電性基材上に少なくともRu元素を含む塗布液を塗布する工程である。前記塗布液としては、例えば、Ru元素を含み、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含み、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含む混合物が挙げられる。また、塗布液中における第1〜第3成分の組み合わせは、特に限定されるものではないが、当該塗布液中に含まれる前記第1成分が、硝酸塩、ジニトロジアンミン錯体、ニトロシル硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記第2成分が硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記第3成分が硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つである組み合わせとすることができる。
触媒層を形成するための塗布液、例えば、Ru元素を含み、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含み、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含む混合物を導電性基材上に塗布する方法としては、導電性基材を塗布液に浸漬するディップ法、塗布液を刷毛で塗る方法、スポンジ状のロールに塗布液を含浸させて塗布するロール法及び塗布液と導電性基材とを反対荷電に帯電させてスプレー等を用いて噴霧を行う静電塗布法などを好適に用いることができる。これら塗布方法の中でも、生産性と電極表面へ塗布液が均一に塗布できることとの観点からロール法や静電塗布法を好適に用いることができる。
前記膜形成工程は、前記塗布液を乾燥させて塗布膜を形成する工程である。膜形成工程において塗布液を乾燥させる乾燥温度は特に限定されるものではないが、例えば、100℃以下であることが好ましく、30〜100℃程度の温度であることが更に好ましい。また、乾燥時間も特に限定されるものではないが、例えば、5分間〜60分間とすることができる。
上述のように触媒層の形成過程において、導電性基材に塗布液を塗布した後(塗布工程の後)、30〜100℃程度の温度で5分間〜60分間の範囲で乾燥し(膜形成工程)、その後、350以上600℃未満に加熱した焼成炉に入れて熱分解(熱分解工程)を行うことが好ましい。熱分解工程は、膜形成工程にて導電性基材上に形成された塗布膜を加熱して熱分解させる工程である。ここで、『熱分解』とは、塗布膜を加熱し、含まれる金属塩を金属とガス状物質とへの分解を促進する反応のことをいう。その雰囲気に依存するものではあるが、酸素雰囲気下では多くの金属は、酸素と結びつき酸化物を形成しやすい傾向にある。
熱分解工程において、触媒層を形成するための塗布液、例えば、Ru元素を含み、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含み、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含む混合物の熱分解を促進するためには、熱分解温度としては350℃以上600℃未満の温度範囲が好ましい。350℃以上の温度では、混合物の熱分解の速度を高めることができ、一方、600℃以上であるとニッケル基材の軟化が急速に進行し、電極としての形状を保ちにくくなる。そのため、混合物の熱分解促進とニッケル基材の強度保持との観点から350℃以上550℃以下の温度範囲が好ましく、更に水素過電圧とルテニウムの消耗の観点からは、350℃以上500℃以下が好ましい。熱分解を充分行うためには、熱分解の時間が長い方が好ましいが、熱分解物が完全に酸化されるのを防止するため、及び電極の生産性の点を考慮すると、1回当たりの熱分解時間は、好ましくは5分間〜60分間、更に好ましくは10分間〜30分間の範囲である。
また、前記焼成(熱分解)を行う前(前記熱分解工程の前)に、塗布液に含まれる各成分の結晶水がなくなる温度である100℃以上350℃未満の温度範囲にて仮焼成を実施してもよい。仮焼成の温度は、好ましくは120℃以上350℃未満、さらに好ましくは150℃から300℃である。仮焼成の時間としては、1分間〜60分間が好ましい。さらに好ましくは1分間から30分間、より好ましくは1分間から15分間である。
所定の被覆層(触媒層)の厚みは、塗布(塗布工程)・乾燥(膜形成工程)・熱分解焼成(熱分解工程)のサイクルを必要に応じて2回以上繰り返すことにより得られる。現実的な範囲から20回以下が好ましい。被覆層の厚みは、厚ければ厚い方が低い過電圧を維持できる期間が長くなるが、経済性の観点から、形成した触媒層中のRu元素の担持量が1〜20g/mとなるように被覆することが好ましく、2〜18g/mがより好ましい。更に好ましくは3〜15g/mである。
触媒層を所定の厚みに形成するためには、1回当たりの塗布量を増やすか、或いはルテニウム化合物の金属濃度を高くすればよい。しかし、1回当たりの塗布量が多いと塗布時にムラが生じる恐れがあり、触媒層が均一に形成されないことがある。このため、触媒層の形成においては、数回にわたり塗布・乾燥・熱分解の焼成を行うのが好ましい。以上の観点から、塗布工程における導電性基材上の塗布液の1回当たりの塗布量は、形成された触媒層中のRu元素が0.1〜2g/m程度にすることが好ましく、0.2〜1.8g/mにすることがより好ましい。更に好ましくは、0.5〜1.6g/mである。
本実施形態を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。各評価は後述の方法で実施した。
(X線光電子分光測定)
光線光電子分光測定は次のようにして行った。
試験陰極を約5mm×15mmに切り出し、X線光電子分光法(XPS:X−ray Photoelectron Spectroscopy)によりRu 3dスペクトルを測定した。その際、試験陰極は試料ホルダの信号を検出しないようにするために、試料下部に凹みのある試料ホルダに橋渡しして固定し、X線光電子分光装置(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製ESCALAB250)を用い、X線源:単色化AlKα、X線源電圧:15kV、X線源電流:10mA、レンズモード:LargeAreaXLモード、Pass energy: 20eV、分析サイズ:1mm(形状は楕円)の条件で測定を行った。尚、測定時の帯電に伴うピークの補正は、Ru 3d 3/2及び表面汚染炭化水素のC 1sが重なって生じるピークの結合エネルギーを284.6eVに合わせることで実施した。また、図3〜6中に示したスペクトルは、後述の比較例1の280.0〜281.0eVの間に現れる3d5/2ピークの最大強度を1.0とし、その他の試験陰極のスペクトルの280.0〜281.0eVの間に現れる3d5/2ピークの最大強度が後述の比較例1と同じ強度になるよう規格化した。
(Ru 3d 5/2ピーク強度比測定)
帯電補正後、結合エネルギー274eV〜298eVの範囲についてShirley法でバックグラウンドを除去したのち、280.0eV〜281.0eVの間のRu 3d 5/2ピークと、281.4eV〜282.4eVの間のRu 3d 5/2ピークの最大強度を比較した。Shirley法によるバックグラウンドの引き方は、「表面分析技術選書 X線光電子分光法、日本表面学会 編、114−115頁」などに記載されている。以下に強度比(第1の強度比)の計算式を示す。
(計算式)
強度比=[281.4eV〜282.4eVの間の最大ピーク強度(cps)]/[280.0eV〜281.0eVの最大ピーク強度(cps)]
第2及び第3成分がRu元素周囲に存在する場合には、Ru元素の電子状態に影響を与え、極大値を与えるエネルギー位置がわずかに変化する場合がある。このため、Ru 3d 5/2のピーク強度は、281.4eV〜282.4eV、280.0eV〜281.0eVの範囲で最大値を抽出し、前記計算式に当てはめて算出した。前記強度比が0.45以上の触媒層が本発明の電解用陰極となる。
(酸化ルテニウムのX線回折測定)
試験陰極を30mm×30mmに切り出し、アルミ試料板((株)リガク製)に固定した。X線回折装置(UltraX18、(株)リガク製)を使用した。X線源としてCuKα線(λ=1.54184Å)を用い、加速電圧50kV、電流200mA、走査軸が2θ/θ、ステップ間隔が0.02°、スキャンスピード2.0°/min、測定範囲は2θ=20〜60°の範囲を測定した。また、図7〜10では、各試験陰極の28°のピーク強度が後述の比較例1の28°のピーク強度と同じになるよう試験陰極のピーク強度を規格化した。
(酸化ルテニウムの回折ピーク強度比測定)
次に、それぞれベースラインを差し引いた酸化ルテニウムのミラー指数(110)面の28°のピーク強度とミラー指数(101)面の35°のピーク強度とを比較した。酸化ルテニウムの回折線位置はJCPDSカード番号431027を参照した。以下に強度比(第2の強度比)の計算式を示す。
(計算式)
強度比=ミラー指数(101)面の35°のピーク強度(count)/ミラー指数(110)面の28°のピーク強度(count)
前記強度比が1.5以下の触媒層が本発明の電解用陰極となる。酸化ルテニウムの回折線位置は、酸化ルテニウムと第2及び第3元素との固溶体形成を形成した場合、カードデータ値からズレが生じる。酸化ルテニウムが第2及び第3元素と固溶体を形成した場合、酸化ルテニウムの回折線は、酸化ルテニウムの回折線位置と固溶した元素の酸化物の回折線位置との間にピークトップが現れる。そのピークトップを回析線位置とする。そのズレの大きさは固溶比率により異なる(べガード則)。
(逆電流印加試験)
逆電流に対する耐性の評価は次の手順で行った。試験陰極を30mm×30mmに切り出し、電解セルにニッケル製のネジで固定した。対極には白金板を使用し、80℃、32質量%水酸化ナトリウム水溶液中で電解電流密度1kA/mで20分間、2kA/m及び3kA/mで各3分間、4kA/mで30分間、試験陰極が水素を発生させるよう電解を行った後、参照極にAg/AgClを用いて陰極電位を測定しながら、電流密度0.05kA/mで逆電解を行った。図1〜2に逆電解中の陰極電位の上昇挙動を示した。図1〜2の横軸は、後述の比較例1の陰極がルテニウム溶解電位−0.1V vs.Ag/AgClに到達する時間を1.0として、相対値を記載した。後述の表1及び表2の逆電流耐久時間は、各試験陰極がルテニウム溶解電位−0.1V vs.Ag/AgClに到達する時間(相対値)を記載した。
(イオン交換膜法食塩電解試験)
小型電解セルを用いてイオン交換膜法食塩電解試験を実施し、電解電圧を測定した。本試験では、陰極以外の構成要素である陽極、イオン交換膜、電解セル等は同一のものを使用しているため、電解電圧の低下は陰極の水素過電圧の低下を反映する。試験陰極は95mm×110mmのサイズに切り出し、4辺約2mmを直角に折り曲げた。集電体としては、ニッケル製エキスパンドメタルを使用した。集電体のサイズは95mm×110mmであった。ニッケル細線で編んだマットを集電体の上に置き、その上に折り曲げ加工を行った前記試験陰極を折り曲げ部を集電体に向けた状態で置き、試験陰極の四隅をテフロン(登録商標)で作製した紐で集電体に固定した。陽極としては、チタン基材上に酸化ルテニウム、酸化イリジウム及び酸化チタンの固溶体が形成された、いわゆるDSAを用いた。EPDM(エチレンプロピレンジエン)製のゴムガスケットによってイオン交換膜をはさんで陽極セルと陰極セルとを隔てた状態で電気分解を行った。イオン交換膜としては「Aciplex」(登録商標)F6801(旭化成ケミカルズ(株)製)を使用した。陽極、イオン交換膜、陰極は密着させた状態で電解を行った(ゼロギャップ電解)。
また、イオン交換膜法食塩電解試験後のルテニウムの残存率を蛍光X線分析で確認した。当該分析においてサーモサイエンティフィック製のNiton XL3t−800Sを使用した。測定モードはPrecious Metalモード、積算時間は20秒とした。試験前後で陰極面内の5点を測定し、その測定平均値からルテニウム残存率を算出した。
陽極室の塩水濃度205g/L、陰極室の水酸化ナトリウム濃度32質量%となるように陽陰極タンク内の溶液濃度を調整した。また、電解セル内の温度が90℃になるように、陽陰極タンク内の温度を調節した。電解電流密度は6kA/mの一定で任意の期間電解を行った。
[実施例1〜16]
(塗布工程)
導電性基材として、直径0.15mmのニッケル細線を40メッシュの目開きで編んだウーブンメッシュを用いた。JIS R6001(1998)規格の320番のアルミナ粒子を用いてブラストし、次に6Nの塩酸にて室温で5分間酸処理した後、水洗、乾燥した。
次に、硝酸ルテニウム溶液((株)フルヤ金属製、ルテニウム濃度100g/L)に対して金属が下記表1に記載の組成になるように第2成分である希土類硝酸塩及び第3成分であるMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも一つ以上の元素の硝酸塩を加え、塗布液を調製した。ただしS(硫黄元素)については、チオ尿素を使用した。
塗布ロールの最下部に前記塗布液を入れたバットを設置し、EPDM製の塗布ロールに塗布液をしみこませ、その上部にロールと塗布液とが常に接するように塗布ロールを設置した。さらにその上にPVC(ポリ塩化ビニル)製のローラを設置して、前記導電性基材上に塗布液を塗布した(ロール法)。
(膜形成工程)
その後、導電性基材上に塗布された塗布液を50℃で10分間乾燥させて塗布膜を形成した。塗布膜を形成した後、マッフル炉(製品名:KM−600、アドヴァンテック社製)を用いて大気中にて150℃で3分間仮焼成をした。
(熱分解工程)
続いて、表1に記載の焼成温度で10分間の加熱焼成を行い、前記塗布膜を熱分解させた。
上述のロール塗布(塗布工程)、乾燥(膜形成工程)、熱分解(熱分解工程)のサイクルをRuの重量が8±2g/mの範囲になるまで繰り返し電解用陰極を作製した。触媒層中のRu元素の塗布量は、各添加元素が塗布液中の比率を維持したまま、酸化物を形成したと仮定し、それらの質量比から算出した。ただし、Sは酸化されず、Sのまま触媒層中に存在するものとした。
先述の方法により、イオン交換膜法食塩電解試験及び逆電流印加試験、X線光電子分光測定、X線回折測定、を実施した。実施例1〜16のイオン交換膜法食塩電解試験の7日後における電解電圧および試験後のルテニウムの残存率、逆電流印加試験でのRu溶解電位までの到達時間(逆電流耐久時間)、X線電子分光測定でのRu 3d 5/2ピーク強度比(第1の強度比)、X線回折測定で算出した酸化ルテニウムの回折線強度比(第2の強度比)を下記表1に示す。
[比較例1]
導電性基材として、直径0.15mmのニッケル細線を40メッシュの目開きで編んだウーブンメッシュを用いた。JIS R6001(1998)規格の320番のアルミナ粒子を用いてブラストし、次に6Nの塩酸にて室温で5分間酸処理した後、水洗、乾燥した。
前記導電性基材以外については、日本国公開特許公報特開2006−299395号の、(9)頁、14〜29行目(段落0035の4行目から段落0036)に記載された実施例1の方法で、電解用陰極を作製した。すなわち、メタル濃度100g/L の塩化ルテニウム水溶液に対して、それぞれの金属がRu:Ce:Nb=1:1/4:1/16 のモル比になるように、塩化セリウム、塩化ニオブを加えた。これを90℃で1昼夜撹拌を行い、混合水溶液を調製した。この混合水溶液をそのまま塗布液として用いた。
塗布ロールの最下部に、この塗布液を入れたバットを設置し、EPDM製の塗布ロールに塗布液をしみこませて、その上部にロールと常に接するようにロールを設置し、さらにその上にPVC製のローラを設置して、ニッケル製のエキスパンド基材に塗布を行った。
乾燥する前に手早く、2つのEPDM製スポンジロールの間に触媒液を塗布した基材を通して、過剰な触媒液を取り除いた。その後50℃で10分間乾燥した後、大気中にて500℃で10分間焼成を行い、ロール塗布、乾燥、500℃ の焼成を合計10回繰り返し行い、最後に550℃で1時間焼成を行った。
比較例1のイオン交換膜法食塩電解試験の7日後における電解電圧および試験後のルテニウムの残存率、逆電流印加試験でのRu溶解電位までの到達時間(逆電流耐久時間)、X線電子分光測定でのRu 3d 5/2ピーク強度比(第1の強度比)、X線回折測定で算出した酸化ルテニウムの回折線強度比(第2の強度比)を下記表2に示す。実施例1〜16では、逆電流耐久時間が比較例1を1.0としたとき、3.0以上となることから、実施例1〜16では、逆電流発生中にRuの溶解までの時間が長くなり、逆電流耐性が向上していた。また、実施例1〜16では、イオン交換膜法食塩電解試験での電解電圧も比較例1より低い値を示しており、電圧低減の効果が示された。さらに、比較例1のX線回折測定では、酸化ルテニウムのミラー指数(110)の28°のピークとミラー指数(101)面の35°のピークとのピーク同士の強度比(第2の強度比)が1.69であるのに対し、実施例1〜16ではすべて1.5以下の範囲となっている。比較例1のX線回折では、ミラー指数(110)の28°のピークの高角度側に酸化セリウムの回折線も重なっているため、ピーク分離を実施した。
[比較例2]
導電性基材として、直径0.15mmのニッケル細線を40メッシュの目開きで編んだウーブンメッシュを用いた。JIS R6001(1998)規格の320番のアルミナ粒子を用いてブラストし、次に6Nの塩酸にて室温で5分間酸処理した後、水洗、乾燥した。
前記導電性基材以外については、日本国公開特許公報特開2000−239882号の、(4)頁の左欄43行目〜同頁右欄10行目(段落0014)に記載された実施例1の方法で電解用陰極を作製した。すなわち、硝酸セリウムとジニトロジアンミン白金塩(モル比1:1)を溶媒である8重量%硝酸に溶解して合計の濃度が5重量%である塗布液を調製した。この塗布液を、刷毛を使用して前記ニッケルメッシュの両面に塗布し、これを60℃で乾燥後、電気炉内で500℃20分間焼成を行った。これを3回繰り返し最終的な触媒被覆量が4g/mである活性化陰極を作製した。
比較例2のイオン交換膜法食塩電解試験の7日後における電解電圧を表2に示す。
[比較例3]
導電性基材として、直径0.15mmのニッケル細線を40メッシュの目開きで編んだウーブンメッシュを用いた。JIS R6001(1998)規格の320番のアルミナ粒子を用いてブラストし、次に6Nの塩酸にて室温で5分間酸処理した後、水洗、乾燥した。
前記導電性基材以外については、日本国公開特許公報特開2008−240001号、(8)頁の39行目〜44行目(段落番号[0039])に記載された実施例3の方法で電解用陰極を作製した。すなわち、塩化白金酸を含む2%塩酸水溶液に、ニッケル板を浸漬して5分後に取り出し、これを60℃で乾燥後、電気炉内で500℃、10分間の焼成を行った。これを3回繰り返し、最終的な全触媒量が3g/mであるPt皮膜を有する触媒層(触媒を形成したメッシュ)を作製した。硝酸セリウム溶液(濃度)を5wt%溶解した液を作製し、これに上記触媒を形成したメッシュを浸漬してからゆっくり引き上げ、これを60℃で乾燥後、電気炉内で500℃、10分の焼成を行った。これを2回繰り返し、最終的なCeO触媒量が0.5g/mである水素発生用陰極とした。
比較例3のイオン交換膜法食塩電解試験の7日後における電解電圧を表2に示す。
[比較例4]
第3成分の元素がTiであるになったこと以外は実施例1〜16と同じ方法で表2の組成に従い電解用陰極を作製した。
比較例4のイオン交換膜法食塩電解試験の7日後における電解電圧および試験後のルテニウムの残存率、逆電流印加試験でのRu溶解電位までの到達時間(逆電流耐久時間)、X線電子分光測定でのRu 3d 5/2ピーク強度比(第1の強度比)、X線回折測定で算出した酸化ルテニウムの回折線強度比(第2の強度比)を表2に示す。
実施例1〜16では、280.0〜281.0eVの間のRu 3d 5/2ピークの最大強度に対する、281.4〜282.4eVの間のRu 3d 5/2ピークの最大強度の比(第1の強度比)は、0.46以上であるのに対し、比較例1のRu 3d 5/2ピークの最大強度比は0.41となった。
[実施例17]
第3成分元素の添加量を1とし、Ru:Sm:Zn=1:0.25:1のモル比で、実施例9と組成のモル比以外については同様の方法で、電解用陰極を作製した。実施例17の電解用陰極を電流密度6kA/mで7日間電解すると、触媒層に含まれるルテニウム量は初期値に比較して94%に減少した。なお、実施例1〜16の電解用陰極は同条件で電解を実施しても99%以上のルテニウムが残存した。
2014年12月26日に出願された日本国特許出願2014−264303号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
また、明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
本発明の電解用陰極は、水、又は、アルカリ金属化合物水溶液の電解用途に使用され、特に水素発生用陰極として好適である。

Claims (17)

  1. 導電性基材と、前記導電性基材上にRu元素を含む触媒層と、を有し、前記触媒層は、X線光電子分光測定での280.0eV〜281.0eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度に対する281.4eV〜282.4eVの間に現れるRu 3d 5/2ピークの最大強度の比が0.45以上である電解用陰極。
  2. 前記触媒層は、X線回折測定での2θ=28°の角度領域に観測されるミラー指数(110)面の酸化Ruのピーク強度に対する2θ=35°の角度領域に観測されるミラー指数(101)面の酸化Ruのピーク強度の比が1.5以下である請求項1に記載の電解用陰極。
  3. 前記導電性基材がNiを含む請求項1又は請求項2に記載の電解用陰極。
  4. 前記触媒層が、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含む請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電解用陰極。
  5. 前記第2成分の元素の量が、前記Ru元素1モルに対して0.01モル以上1モル未満である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電解用陰極。
  6. 前記触媒層が、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含む請求項5に記載の電解用陰極。
  7. 前記第3成分の元素の量が、前記Ru元素1モルに対して0.01モル以上1モル未満である請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電解用陰極。
  8. 前記触媒層において、前記第2成分及び前記第3成分の少なくともいずれかが、酸化物又は水酸化物として存在する請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の電解用陰極。
  9. 前記触媒層に含まれる前記Ru元素は、酸化ルテニウム又はルテニウム水酸化物である請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の電解用陰極。
  10. 前記Ru元素の担持量が1〜20g/mである請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の電解用陰極。
  11. 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の電解用陰極を備えた、水又はアルカリ金属塩化物水溶液の電解用電解槽。
  12. 導電性基材上に、第1成分としてRu元素を含み、第2成分としてNd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dyから選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含み、第3成分としてMn,Fe,Co,Zn,Ga,S,Pbから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含む塗布液を塗布する塗布工程と、
    前記塗布液を乾燥させて塗布膜を形成する膜形成工程と、
    前記塗布膜を加熱して熱分解させる熱分解工程と、
    を経て前記導電性基材上に触媒層を形成する電解用陰極の製造方法。
  13. 前記塗布液中に含まれる前記第1成分が硝酸塩、ジニトロジアンミン錯体、ニトロシル硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つであり、
    前記第2成分が硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つであり、
    前記第3成分が硝酸塩、塩化物塩、及び酢酸塩から選ばれる少なくとも一つである請求項12に記載の電解用陰極の製造方法。
  14. 前記塗布工程、前記膜形成工程及び熱分解工程を2回以上繰り返す請求項12又は請求項13に記載の電解用陰極の製造方法。
  15. 前記熱分解工程を、350℃以上600℃未満の温度で行う請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の電解用陰極の製造方法。
  16. 前記熱分解工程の前に、100℃以上350℃未満の温度で1分間〜60分間の仮焼成を行う請求項12から請求項15のいずれか1項に記載の電解用陰極の製造方法。
  17. 前記膜形成工程において、前記塗布液の乾燥を100℃以下の温度で行う請求項12から請求項16のいずれか1項に記載の電解用陰極の製造方法。
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