JPWO2016052473A1 - 多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 - Google Patents
多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016052473A1 JPWO2016052473A1 JP2016552043A JP2016552043A JPWO2016052473A1 JP WO2016052473 A1 JPWO2016052473 A1 JP WO2016052473A1 JP 2016552043 A JP2016552043 A JP 2016552043A JP 2016552043 A JP2016552043 A JP 2016552043A JP WO2016052473 A1 JPWO2016052473 A1 JP WO2016052473A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous body
- photocurable composition
- mold
- meth
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 155
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 description 71
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 11
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 11
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 11
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 9
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Chemical group 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N pentafluoropropane Chemical compound FC(F)CC(F)(F)F MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 4
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N (2,2-dimethyl-3-prop-2-enoyloxypropyl) prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C=C MXFQRSUWYYSPOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000701 coagulant Substances 0.000 description 2
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical class OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCORJEZCUPLHGW-UHFFFAOYSA-N (2-ethyl-1-hydroxy-2-methylhexyl) prop-2-enoate Chemical compound CCCCC(C)(CC)C(O)OC(=O)C=C PCORJEZCUPLHGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKZFIPFKXAGEBP-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2-dimethylpropyl) benzoate Chemical compound OCC(C)(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1 DKZFIPFKXAGEBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKRWRXWNQFQGRU-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-tridecafluorooctane Chemical compound CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SKRWRXWNQFQGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoropentane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)C(F)(F)C(F)(F)F RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFMFNYKEUDLDTL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)F YFMFNYKEUDLDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoroethane Chemical compound CC(F)(F)F UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDBYQQQHBYGLEQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4-heptafluorocyclopentane Chemical compound FC1CC(F)(F)C(F)(F)C1(F)F IDBYQQQHBYGLEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJYFYGVCLHNRKB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(F)(F)CF MJYFYGVCLHNRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- ZZHIDJWUJRKHGX-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(chloromethyl)benzene Chemical group ClCC1=CC=C(CCl)C=C1 ZZHIDJWUJRKHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound COCC(C)OCC(C)O WGYZMNBUZFHYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIXZBXRQFZHIT-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-hydroxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]-3-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(O)COC(C)COC(C)CO XUIXZBXRQFZHIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHNZEZWIUMJCGF-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1,1-difluoroethane Chemical compound CC(F)(F)Cl BHNZEZWIUMJCGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOUGCJDAQLKBQH-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1,2,2,2-tetrafluoroethane Chemical compound FC(Cl)C(F)(F)F BOUGCJDAQLKBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecoxyhexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCC FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSMSSYSRCUNIFX-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-prop-1-enylbenzene Chemical compound CC=CC1=CC=C(C)C=C1 LSMSSYSRCUNIFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKJNETINGMOHJG-UHFFFAOYSA-N 1-prop-1-enoxyprop-1-ene Chemical class CC=COC=CC ZKJNETINGMOHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWGXFDJTVCWPAR-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorohexane Chemical compound CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(C)(F)F DWGXFDJTVCWPAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)Cl OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZVAVMGKRNEAT-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropane-1,3-diol;3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical compound OCC(C)(C)CO.OCC(C)(C)C(O)=O CZZVAVMGKRNEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNDAGYLOQWQWIM-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropyl 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoate Chemical compound CC(C)(C)COC(=O)C(C)(C)CO XNDAGYLOQWQWIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXRLMCRCYDHQFW-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,3-tetrafluoropropene Chemical compound FC(=C)C(F)(F)F FXRLMCRCYDHQFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLIQLHSBZXDKLV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)-1-phenoxyethanol Chemical compound OCCOCC(O)OC1=CC=CC=C1 HLIQLHSBZXDKLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UECGJSXCVLTIMQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxycarbonyl)cyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(=O)OCCOC(=O)C=C UECGJSXCVLTIMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTOMIYMZGQUKIW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxypropoxycarbonyl)benzoic acid Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O RTOMIYMZGQUKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIOCEWASVZHBTK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-oxo-2-phenylacetyl)oxyethoxy]ethyl 2-oxo-2-phenylacetate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FIOCEWASVZHBTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXHDHAPOSIFMIG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethoxy]-1-phenoxyethanol Chemical compound OCCOCCOCCOCC(O)OC1=CC=CC=C1 XXHDHAPOSIFMIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBFOSROPNNOGQF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]-1-phenoxyethanol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCOCC(O)OC1=CC=CC=C1 OBFOSROPNNOGQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUWPYLDHGXPITC-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl 2-prop-2-enoylperoxycarbonylbenzoate Chemical compound C(C=1C(C(=O)OOC(C=C)=O)=CC=CC=1)(=O)OCCO AUWPYLDHGXPITC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004924 2-naphthylethyl group Chemical group C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- AGNTUZCMJBTHOG-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(2,3-dihydroxypropoxy)-2-hydroxypropoxy]propane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)COCC(O)COCC(O)CO AGNTUZCMJBTHOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical class OCC(C)(C)C(O)=O RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCOC(=O)C=C CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(O)C=C1 JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical group NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- HBDYKNFBMHEVTK-UHFFFAOYSA-N OC.OC.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.C1CC2CCC1C2 Chemical compound OC.OC.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.C1CC2CCC1C2 HBDYKNFBMHEVTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical class CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N [(e)-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(\C)=N\OC(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N 0.000 description 1
- QROGIFZRVHSFLM-QHHAFSJGSA-N [(e)-prop-1-enyl]benzene Chemical compound C\C=C\C1=CC=CC=C1 QROGIFZRVHSFLM-QHHAFSJGSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical class C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004799 bromophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- KQBTUOVABZLXGP-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol;ethane-1,2-diol Chemical compound OCCO.OCCCCO KQBTUOVABZLXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDPAAMHROJBRGE-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.OCCCCO DDPAAMHROJBRGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical class 0.000 description 1
- UMDIGDVSRWAXPJ-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O UMDIGDVSRWAXPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 1
- JPZYWLWSLROXQG-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-prop-2-enoylperoxycarbonylbenzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OOC(=O)C=C JPZYWLWSLROXQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006343 heptafluoro propyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 description 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005246 nonafluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical group C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- WZESLRDFSNLECD-UHFFFAOYSA-N phenyl prop-2-eneperoxoate Chemical class C=CC(=O)OOC1=CC=CC=C1 WZESLRDFSNLECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical class OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- RUVINXPYWBROJD-ONEGZZNKSA-N trans-anethole Chemical compound COC1=CC=C(\C=C\C)C=C1 RUVINXPYWBROJD-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZEOZJQLTRFNCU-UHFFFAOYSA-N trifluoro(trifluoromethoxy)methane Chemical group FC(F)(F)OC(F)(F)F WZEOZJQLTRFNCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005219 trimethyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76817—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics using printing or stamping techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0053—Moulding articles characterised by the shape of the surface, e.g. ribs, high polish
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C44/00—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
- B29C44/02—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles for articles of definite length, i.e. discrete articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C44/00—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
- B29C44/02—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles for articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C44/12—Incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or reinforcements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/7682—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing the dielectric comprising air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5283—Cross-sectional geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C44/00—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
- B29C44/02—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles for articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C44/12—Incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or reinforcements
- B29C44/1219—Foaming between a movable mould part and the preformed part
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2033/00—Use of polymers of unsaturated acids or derivatives thereof as moulding material
- B29K2033/04—Polymers of esters
- B29K2033/12—Polymers of methacrylic acid esters, e.g. PMMA, i.e. polymethylmethacrylate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/0002—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped monomers or prepolymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/0094—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped having particular viscosity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/04—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped cellular or porous
- B29K2105/041—Microporous
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/04—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped cellular or porous
- B29K2105/045—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped cellular or porous with open cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2909/00—Use of inorganic materials not provided for in groups B29K2803/00 - B29K2807/00, as mould material
- B29K2909/02—Ceramics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0003—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B29K2995/0006—Dielectric
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1005—Formation and after-treatment of dielectrics
- H01L2221/1042—Formation and after-treatment of dielectrics the dielectric comprising air gaps
- H01L2221/1047—Formation and after-treatment of dielectrics the dielectric comprising air gaps the air gaps being formed by pores in the dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
Abstract
Description
デュアルダマシン法とは、絶縁膜にビア・トレンチ構造をエッチングなどの方法で形成し、電解めっき法でCu等の配線材料を埋め込んで配線層を形成する技術である。絶縁膜には信号遅延を抑制するために低誘電率材料が採用され、低誘電率材料として多孔質シリカ膜等が用いられている。
インプリント法とは、パターンが形成された金型(一般的にモールド、スタンパと呼ばれる)を押し当てることにより、材料に微細パターンを転写する技術である。インプリント法としては、その転写方法から熱インプリント法、光インプリント法と呼ばれる方法が提案されている。
インプリント用光硬化性組成物としては、例えば、シルセスキオキサン等が提案されている(特許文献2)。
ここで、多孔質膜からなるパターン形成体は、従来、多孔質材料からなる絶縁膜をエッチング処理して製造しており、手間を要するものであった。
しかしながら、従来のインプリント法では、多孔質体を製造することが困難であった。
<1> 凝集性ガスと重合性化合物とを含む光硬化性組成物を、基材上またはモールド上に適用し、基材とモールドとで光硬化性組成物を挟んだ後、光硬化性組成物に光を照射して光硬化性組成物を硬化させ、硬化した光硬化性組成物の表面からモールドを離型する、多孔質体の製造方法。
<2> 光硬化性組成物は、下式(1)で表されるΔSPが15(J/cm3)1/2以下である重合性化合物を含むものを用いる、<1>に記載の多孔質体の製造方法;
ΔSP=|重合性化合物のSP値−光硬化性組成物に含まれる凝集性ガスのSP値| ・・・(1)。
<3> 光硬化性組成物は、凝集性ガスが飽和溶解している、<1>または<2>に記載の多孔質体の製造方法。
<4> モールドは、パターンを有する、<1>〜<3>のいずれかに記載の多孔質体の製造方法。
<5> モールドは、線幅50nm以下のパターンを有する、<1>〜<4>のいずれかに記載の多孔質体の製造方法。
<6> モールドは、多段の凹凸パターンを有する、<1>〜<5>のいずれかに記載の多孔質体の製造方法。
<7> 凝集性ガスおよびヘリウムガスから選ばれる1種以上が存在する雰囲気中で、基材上またはモールド上に適用した光硬化性組成物を、基材とモールドとで挟む、<1>〜<6>のいずれかに記載の多孔質体の製造方法。
<8> (メタ)アクリル樹脂を含み、25℃での比誘電率が3.4以下である多孔質体。
<9> 多孔質体は、パターンを有する、<8>に記載の多孔質体。
<10> 多孔質体は、多段の凹凸パターンを有する、<8>または<9>に記載の多孔質体。
<11> <1>〜<7>のいずれかに記載の多孔質体の製造方法を含むデバイスの製造方法。
<12> <8>〜<10>のいずれかに記載の多孔質体を含むデバイス。
<13> <1>〜<7>のいずれかに記載の多孔質体の製造方法を含む配線構造の製造方法。
<14> <8>〜<10>のいずれかに記載の多孔質体と、配線層とを有する配線構造。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「(メタ)アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「(メタ)アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書において、「インプリント」は、好ましくは、1nm〜10mmのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ10nm〜100μmのサイズ(ナノインプリント)のパターン転写をいう。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書において、「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。放射線には、例えばマイクロ波、電子線、EUV、X線が含まれる。また248nmエキシマレーザー、193nmエキシマレーザー、172nmエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルタを通したモノクロ光(単一波長光)を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。
本発明における質量平均分子量および数平均分子量は、特に述べない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)で測定したものをいう。GPCは、得られたポリマーについて、溶媒を除去することによって単離し、得られた固形分をテトラヒドロフランにて0.1質量%に希釈して、HLC−8020GPC(東ソー(株)製)にて、TSKgel Super Multipore HZ−H(東ソー(株)製、4.6mmID×15cm)を3本直列につないだものをカラムとして測定することができる。条件は、試料濃度を0.35質量%、流速を0.35mL/min、サンプル注入量を10μL、測定温度を40℃とし、RI検出器を用いて行うことができる。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書における固体、液体、ガスは、特に述べない限り、0.1MPa、25℃におけるものをいう。
本明細書において、粘度は、東機産業(株)社製のRE−80L型回転粘度計を用い、25±0.2℃において、測定時の回転速度として、0.5mPa・s以上5mPa・s未満は100rpm、5mPa・s以上10mPa・s未満は50rpm、10mPa・s以上30mPa・s未満は20rpm、30mPa・s以上60mPa・s未満は10rpmで、それぞれ設定して測定した値である。
本発明によれば、凝集性ガスと重合性化合物とを含む光硬化性組成物を用いることにより、光硬化性組成物の硬化時に凝集性ガスが揮散して、凝集性ガスが溶解していた領域に孔が形成され、多孔質体を製造できる。また、パターンを有するモールドを用いた場合には、パターンを有する多孔質体を製造することができる。
なお、本明細書において、多孔質体とは、水分子が外部から自由に浸入でき、かつ、空孔の直径(本発明において空孔の直径とは最大内接円の直径を意味する)が100nmより小さい開孔部を持ち、開孔部からの最大深さが開孔部の直径より大きな空孔を有する構造をいう。多孔質体であることは、サンプルの断面を走査型電子顕微鏡観察することで観測することができる。
まず、本発明の多孔質体の製造方法で用いる光硬化性組成物について説明する。
本発明の多孔質体の製造方法で用いる光硬化性組成物は、凝集性ガスと、重合性化合物とを含む。
本発明において、凝集性ガスとは、25℃における気液平衡となる圧力が0.05〜1MPaであるものを意味する。
凝集性ガスは、大気圧(0.1MPa)での沸点が15〜30℃であることが好ましい。
凝集性ガスは、重合性基を有していてもよい。
凝集性ガスとしては、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1〜4の炭化水素が挙げられる。凝集性ガスの具体例としては、2,2−ジクロロ−1,1,1−トリフルオロエタン、1−クロロ−1,1−ジフルオロエタン、1,1,1,2−テトラフルオロエタン、1,1,1,2,3,3,3−ヘプタフルオロプロパン、1,1,1,2,2,3,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−トリデカフルオロオクタン、1−クロロ−1,2,2,2−テトラフルオロエタン、ジフルオロメタン、1,1,1−トリフルオロエタン、1,1,1,3,3−ペンタフルオロプロパン、1,1,2,2,3,3,4−ヘプタフルオロシクロペンタン、2,3,3,3−テトラフルオロ−1−プロペン、2−ブテン等が挙げられる。
また、ヘンリーの法則に従い、雰囲気に存在する凝集性ガスの分圧を上げることで、溶解量を増やすことが可能である。
本発明において、光硬化性組成物は、凝集性ガスが飽和溶解していることが好ましい。より好ましくは、光硬化性組成物を、基材上またはパターンを有するモールド上に適用する際に、適用の際の圧力および温度条件下で飽和溶解している。
なお、本発明において、「凝集性ガスが飽和溶解している」とは、光硬化性組成物を凝集性ガスが充満された密閉容器に配置し、密閉容器内に配置した光硬化性組成物の質量を電子天秤で測定して、光硬化性組成物の質量変化が0.1質量%/min以下となる状態を意味する。
本発明において、重合性化合物は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に限定されるものではない。重合性化合物が有する重合性基としては、エチレン性不飽和結合を含有する基、エポキシ基、オキセタニル基等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を含有する基としては、(メタ)アクリレート基、(メタ)アクリルアミド基、ビニル基、アリル基、ビニルエーテル基等が挙げられる。好ましくは(メタ)アクリレート基である。すなわち、重合性化合物は、(メタ)アクリレート化合物が好ましい。
重合性基の数は、1〜6が好ましく、1〜3がより好ましく、1または2が更に好ましい。
重合性化合物としては、例えば、エチレン性不飽和結合を含有する基を1〜6個有する化合物;エポキシ化合物、オキセタン化合物;ビニルエーテル化合物;スチレン誘導体;プロペニルエーテル;ブテニルエーテル等を挙げることができる。重合性化合物の具体例としては、特開2011−231308号公報の段落番号0020〜0098に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。重合性化合物としては、(メタ)アクリレート化合物が好ましい。
重合性化合物の含有量は、溶剤および凝集性ガスを除く全組成物中、70〜99.9質量%が好ましく、より好ましくは80〜99.9質量%であり、さらに好ましくは85〜99.9質量%である。2種類以上の重合性化合物を用いる場合は、その合計量が上記範囲であることが好ましい。
エチレン性不飽和結合を含有する基を1〜6個有する化合物(1〜6官能の重合性化合物)について説明する。
芳香族構造および/または脂環式炭化水素構造を有する単官能(メタ)アクリレートは、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジル(メタ)アクリレート(好ましい置換基としては炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、シアノ基)、1−または2−ナフチル(メタ)アクリレート、1−または2−ナフチルメチル(メタ)アクリレート、1−または2−ナフチルエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレートが好ましく、2−フェノキシエチルアクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジル(メタ)アクリレート、ナフタレン構造を有する単官能(メタ)アクリレート化合物がより好ましい。
エチレン性不飽和結合を含有する基を2個以上有する化合物の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ECH変性1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、PO変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、EO変性ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、ECH変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド(以後「PO」という。)変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ECH変性フタル酸ジ(メタ)アクリレート、ポリ(エチレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリ(プロピレングリコール−テトラメチレングリコール)ジ(メタ)アクリレート、ポリエステル(ジ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ECH変性プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、シリコーンジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、EO変性トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素、o−,m−,p−キシリレンジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジアクリレート、ノルボルナンジメタノールジアクリレートが例示される。
これらの中で特に、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、o−,m−,p−ベンゼンジ(メタ)アクリレート、o−,m−,p−キシリレンジ(メタ)アクリレート、等の2官能(メタ)アクリレートが本発明に好適に用いられる。
また、芳香族構造および/または脂環式炭化水素構造を有する2〜6官能の(メタ)アクリレート化合物を用いることもできる。例えば、芳香族基(好ましくはフェニル基、ナフチル基)を含有し、(メタ)アクリレート基を2〜4つ有する多官能(メタ)アクリレート化合物が挙げられる。具体例としては、以下に示す化合物などが挙げられる。
エポキシ化合物はその製法は問わないが、例えば、丸善KK出版、第四版実験化学講座20有機合成II、213〜、平成4年、Ed.by Alfred Hasfner,The chemistry of heterocyclic compounds−Small Ring Heterocycles part3 Oxiranes,John & Wiley and Sons,An Interscience Publication,New York,1985、吉村、接着、29巻12号、32、1985、吉村、接着、30巻5号、42、1986、吉村、接着、30巻7号、42、1986、特開平11−100378号公報、特許第2906245号公報、特許第2926262号公報などの文献を参考にして合成できる。
シリコン原子および/またはフッ素原子を有する重合性化合物が有する重合性基としては、(メタ)アクリレート基が好ましい。重合性基の数は、1または2が好ましく、1がより好ましい。
フッ素原子を有する重合性化合物は、フロロアルキル基およびフロロアルキルエーテル基から選ばれる含フッ素基を有する化合物が好ましい。
フロロアルキル基としては、炭素数が2〜20のフロロアルキル基が好ましく、4〜8のフロロアルキル基より好ましい。好ましいフロロアルキル基としては、トリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基、ヘキサフロロイソプロピル基、ノナフロロブチル基、トリデカフロロヘキシル基、ヘプタデカフロロオクチル基が挙げられる。
フロロアルキルエーテル基としては、トリフロロメチル基を有しているものが好ましく、パーフロロエチレンオキシ基、パーフロロプロピレンオキシ基を含有するものが好ましい。−(CF(CF3)CF2O)−などのトリフロロメチル基を有するフロロアルキルエーテルユニットおよび/またはフロロアルキルエーテル基の末端にトリフロロメチル基を有するものが好ましい。
フッ素原子を有する重合性化合物としては、トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、(パーフルオロブチル)エチル(メタ)アクリレート、パーフルオロブチル−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、(パーフルオロヘキシル)エチル(メタ)アクリレート、オクタフルオロペンチル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、ヘキサフルオロプロピル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4−ヘキサフロロペンタンジ(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフロロヘキサンジ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
フッ素原子を有する重合性化合物としては、例えば国際公開特許2010/137724号公報の段落0022〜0023の記載も参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
シリコン原子を有する化合物としては、例えば、特開2012−2310733号公報に記載のものを好ましく採用することができる。
また、本発明では、シリコン原子および/またはフッ素原子を有する重合性化合物を実質的に含まない態様としてもよい。
ΔSP=|重合性化合物のSP値−光硬化性組成物に含まれる凝集性ガスのSP値| ・・・(1)
すなわち、ポアサイズの大きい多孔質体を得たい場合は、ΔSPが小さい重合性化合物を用いることが好ましい。ポアサイズの小さい多孔質体を得たい場合は、ΔSP値が大きい重合性化合物を用いることが好ましい。
また、多孔質体を配線構造形成の用途に用いる場合においては、重合性化合物(A)は、ΔSPが1〜12(J/cm3)1/2であることが好ましく、5〜9(J/cm3)1/2がより好ましい。
なお、SP値は、本発明では、Hoy法による値を用いる。Hoy法の文献としては、H.L.Hoy:J.Paint Tech.,42(540),76−118(1970)や、SP値 基礎・応用と計算方法(山本、情報機構、2005)に従う。但し、本文献に記載の方法で測定できない特別な事情がある場合は、他の方法によって測定してもよい。
また、重合性基を2個有する重合性化合物の合計は、全重合性化合物に対して40〜100質量%が好ましい。下限は、50質量%以上がより好ましく、60質量%以上がより好ましい。上限は、例えば、99質量%以下とすることができる。
光硬化性組成物に含まれる全重合性化合物のうち、脂環式炭化水素構造および/または芳香族構造を有する重合性化合物の合計は、全重合性化合物の、10〜100質量%であることが好ましい。下限は、例えば、20質量%以上がより好ましく、30質量%以上が更に好ましい。上限は、85質量%以下がより好ましく、80質量%以下がより好ましい。
光硬化性組成物は、光重合開始剤を含むことが好ましい。
光重合開始剤としては、光照射により上述の重合性化合物を重合する活性種を発生する化合物であれば、いずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤およびカチオン重合開始剤が好ましく、ラジカル重合開始剤がより好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
ラジカル光重合開始剤としては、例えば、市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、例えば、特開2008−105414号公報の段落番号0091に記載のものを好ましく採用することができる。この中でもアセトフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。市販品としては、イルガキュアOXE−01、イルガキュアOXE−02、イルガキュア127、イルガキュア819、イルガキュア379、イルガキュア369、イルガキュア754、イルガキュア1800、イルガキュア651、イルガキュア907、ルシリンTPO、ダロキュア1173等(以上、BASF社製)が挙げられる。
光重合開始剤の含有量は、溶剤を除く全組成物中、0.01〜15質量%がことが好ましく、より好ましくは0.1〜12質量%であり、さらに好ましくは0.2〜7質量%である。光硬化性組成物は、光重合開始剤を1種類のみ含んでいてもよく、2種類以上含んでいてもよい。2種類以上含む場合は、その合計量が上記範囲となることが好ましい。
光硬化性組成物は、界面活性剤を含有することができる。界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤が好ましい。
ノニオン性界面活性剤とは、少なくとも一つの疎水部と少なくとも一つのノニオン性親水部を有する化合物である。疎水部と親水部は、それぞれ、分子の末端にあっても、内部にあっても良い。疎水部は、炭化水素基、含フッ素基、含Si基から選択される疎水基で構成され、疎水部の炭素数は、1〜25が好ましく、2〜15がより好ましく、4〜10が更に好ましく、5〜8が最も好ましい。ノニオン性親水部は、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、エーテル基(好ましくはポリオキシアルキレン基、環状エーテル基)、アミド基、イミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基、スルホンアミド基、ラクトン基、ラクタム基、シクロカーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有することが好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、炭化水素系、フッ素系、Si系、またはフッ素・Si系のいずれノニオン性界面活性剤であっても良いが、フッ素系またはSi系がより好ましく、フッ素系が更に好ましい。ここで、「フッ素・Si系界面活性剤」とは、フッ素系界面活性剤およびSi系界面活性剤の両方の要件を併せ持つものをいう。
また、本発明では、界面活性剤を実質的に含有しない態様とすることもできる。界面活性剤を実質的に含有しないとは、例えば、界面活性剤の含有量が0.01質量%以下であることが好ましく、0.005質量%以下がより好ましく、含有しないことが一層好ましい。
光硬化性組成物は、末端に少なくとも1つ水酸基を有するか、または、水酸基がエーテル化されたポリアルキレングリコール構造を有し、フッ素原子およびシリコン原子を実質的に含有しない非重合性化合物を含んでいてもよい。ここで、非重合性化合物とは、重合性基を持たない化合物をいう。また、フッ素原子およびシリコン原子を実質的に含有しないとは、例えば、フッ素原子およびシリコン原子の合計含有率が1%以下であることを表し、フッ素原子およびシリコン原子を全く有していないことが好ましい。フッ素原子およびシリコン原子を有さないことにより、重合性化合物との相溶性が向上し、特に溶剤を含有しない組成物において、塗布均一性、インプリント時のパターン形成性、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが良好となる。
さらに、末端の置換基を除き実質的にポリアルキレングリコール構造のみで構成されていてもよい。ここで実質的にとは、ポリアルキレングリコール構造以外の構成要素が全体の5質量%以下であることをいい、好ましくは1質量%以下であるこという。特に、非重合性化合物として、実質的にポリプロピレングリコール構造のみからなる化合物を含むことが特に好ましい。
ポリアルキレングリコール構造としてはアルキレングリコール構成単位を3〜100個有していることが好ましく、4〜50個有していることがより好ましく、5〜30個有していることがさらに好ましく、6〜20個有していることが特に好ましい。
非重合性化合物の好ましい具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、これらのモノまたはジメチルエーテル、モノまたはジブチルエーテル、モノまたはジオクチルエーテル、モノまたはジセチルエーテル、モノステアリン酸エステル、モノオレイン酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル、ポリオキシプロピレングリセリルエーテル、これらのトリメチルエーテルである。
本発明において、光硬化性組成物が非重合性化合物を含有する場合、非重合性化合物の含有量は、溶剤を除く全組成物中、0.1〜20質量%が好ましく、0.2〜15質量%がより好ましく、0.5〜10質量%がさらに好ましい。また、本発明では、非重合性化合物を実質的に含有しない態様とすることもできる。非重合性化合物を実質的に含有しないとは、例えば、非重合性化合物の含有量が0.01質量%以下であることが好ましく、0.005質量%以下がより好ましく、含有しないことが一層好ましい。
光硬化性組成物は、非重合性化合物以外のポリマー成分を実質的に含まない態様とすることもできる。
光硬化性組成物は、溶剤を含有していてもよい。光硬化性組成物中の溶剤の含有量は、5質量%以下であることが好ましく、3質量%以下であることがより好ましく、実質的に溶剤を含有しないことが特に好ましい。ここで、実質的に溶剤を含有しないとは、例えば、光硬化性組成物中の総質量に対して1質量%以下であることをいう。
光硬化性組成物をインクジェット法で基板上またはモールド上に適用する場合、溶剤の配合量が少ないと、溶剤の揮発による組成物の粘度変化を抑制できるため、好ましい。
本発明で用いる光硬化性組成物は、必ずしも、溶剤を含むものではないが、組成物の粘度を微調整する際などに、任意に添加してもよい。光硬化性組成物に好ましく使用できる溶剤の種類としては、各成分を溶解および均一分散させるものであればよく、かつ、これらの成分と反応しないものであれば特に限定されない。溶剤の例としては、特開2008−105414号公報の段落番号0088に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
光硬化性組成物は、上述した成分の他に、必要に応じて、重合禁止剤、光増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、熱重合開始剤、光塩基発生剤、着色剤、無機粒子、エラストマー粒子、塩基性化合物、光酸発生剤、光酸増殖剤、連鎖移動剤、帯電防止剤、流動調整剤、消泡剤、分散剤、離型剤等を含んでいてもよい。このような成分の具体例としては、特開2008−105414号公報の段落番号0092〜0093、および段落番号0099〜0137に記載のものが挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、WO2011/126101号パンフレット、WO2013/051735パンフレット、特開2012−041521号公報および特開2013−093552号公報の対応する記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフッ素樹脂、ナイロン−6、ナイロン−6,6等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン樹脂(高密度、超高分子量を含む)等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン(高密度ポリプロピレンを含む)およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、例えば、0.003〜5.0μm程度が適している。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、組成物に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせても良い。その際、第1のフィルタでのフィルタリングは、1回のみでもよいし、2回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて2回以上フィルタリングを行う場合は1回目のフィルタリングの孔径より2回目以降の孔径が同じ、もしくは小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第1のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社(旧日本マイクロリス株式会社)又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
また、光硬化性組成物をインクジェット法で適用する場合は、光硬化性組成物の粘度は、25℃において15mPa・s以下であることが好ましく、12mPa・s以下であることがより好ましく、11mPa・s以下であることがさらに好ましく、10mPa・s以下であることが特に好ましい。このような範囲とすることにより、インクジェット吐出精度やパターン形成性を向上させることができる。
また、液晶ディスプレイ(LCD)などに用いられる永久膜(構造部材用のレジスト)や電子材料の基板加工に用いられるレジストにおいては、製品の動作を阻害しないようにするため、レジスト中の金属あるいは有機物のイオン性不純物の混入を極力避けることが望ましい。このため、多孔質体を上述の用途に用いる場合には、光硬化性組成物中における金属または有機物のイオン性不純物の濃度としては、1ppm以下、望ましくは100ppb以下、さらに好ましくは10ppb以下にすることが好ましい。
次に、本発明の多孔質体の製造方法の各工程について説明する。
本発明の多孔質体の製造方法は、上述した光硬化性組成物を、基材上またはモールド上に適用し、基材とモールドとで光硬化性組成物を挟んだ後、光硬化性組成物に光を照射して光硬化性組成物を硬化させ、硬化した光硬化性組成物の表面からモールドを離型することを含む。
本発明は、後述するように、特別に、温度、圧力をかける工程を除き、10〜30℃の温度範囲で、0.05〜0.2MPaの圧力範囲で行うことが好ましい。以下各工程について説明する。
まず、上述した光硬化性組成物を、基材上またはモールド上に適用する。
光硬化性組成物の適用量は、多孔質体の用途によって異なる。例えば、乾燥後の膜厚が0.03〜30μm程度が好ましい。また、光硬化性組成物を、多重塗布により塗布してもよい。インクジェット法などにより基材上に液滴を設置する方法において、液滴の量は1pl〜20pl程度が好ましく、液滴を、間隔をあけて基材上またはモールド上に配置することが好ましい。
基材の形状も特に限定されるものではなく、板状でもよいし、ロール状でもよい。また、モールドとの組み合わせ等に応じて、光透過性、または、非光透過性のものを選択することができる。
基材は、光硬化性組成物と密着性を向上させるために、基材表面に下層膜形成用組成物を適用して、下層膜を形成したものを用いてもよい。下層膜形成用樹脂組成物は、例えば、重合性化合物と溶剤とを含むものが用いられる。下層膜形成用樹脂組成物としては、例えば、特開2014−24322号公報の段落番号0017〜0068、特開2013−93552号公報の段落番号0016〜0044に記載されたものを用いることができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。下層膜形成用樹脂組成物の適用方法としては、塗布法が好ましい。塗布法としては、例えば、上述した方法が挙げられる。
モールド上のパターンは、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等によって、所望する加工精度に応じて形成できる。例えば、モールドには、幅300nm以下のパターンが形成されていることが好ましく、100nm以下のパターンが形成されていることがより好ましく、50nm以下のパターンが形成されていることがさらにより好ましい。パターンの線幅を小さくすることにより、配線構造の製造に適した多孔質パターン形成体を得ることができる。
また、モールドが有するパターンのアスペクト比は、0.1〜10が好ましく、1〜5がより好ましい。
また、モールドには、多段の凹凸パターンが形成されていることも好ましい。この態様によれば、例えば、配線構造の製造に適した多孔質パターン形成体を得ることができる。なお、多段の凹凸パターンとは、凸部が基端側(パターン底面)から先端側(パターン上面)に向かって段階的に縮径した段状のパターンを意味する。例えば、図1に示すようなパターンが一例として挙げられる。
モールドの材質は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。また、光透過性の基材を用いた場合には、非光透過型のモールドを用いることもできる。非光透過型のモールドの材質としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ni、Cu、Cr、Feなどの金属基板、SiC、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどが例示され、特に制約されない。また、モールドの形状も特に制約されるものではなく、板状モールド、ロール状モールドのどちらでもよい。ロール状モールドは、特に転写の連続生産性が必要な場合に適用される。
モールドは、光硬化性組成物とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコン系やフッソ系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業(株)製のオプツールDSXや、住友スリーエム(株)製のNovec EGC−1720等、市販の離型剤も好適に用いることができる。
次に、基材とモールドとで光硬化性組成物を挟む。転写されるべきパターンが形成されたモールドを用いた場合においては、モールドの押圧表面にあらかじめ形成されたパターンを、基材とモールドとの間に挟まれた光硬化性組成物に転写することができる。
本発明は、光硬化性組成物をモールドと基材とで挟む際には、凝集性ガスをモールドと基材との間に導入し、集性ガスが存在する雰囲気中で、基材上またはモールド上に適用した光硬化性組成を、基材とモールドとで挟むことが好ましい。このような方法を用いることにより、導入された凝縮性ガスが凝縮して体積が減少することを利用し、残留気泡の消滅をさらに促進させることができる。凝縮性ガスとしては、上述した光硬化性組成物で説明したものが挙げられ、これらを用いることができる。モールドと基材との間に導入する凝集性ガスは、光硬化性組成物に溶解させた凝集性ガスと同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、凝集性ガスのかわりに、ヘリウムガスをモールドと基材との間に導入し、ヘリウムガスが存在する雰囲気中で、基材上またはモールド上に適用した光硬化性組成を、基材とモールドとで挟んでもよい。このような方法を用いることにより、気体の石英モールドの透過を促進して、残留気泡の消失を促進させることができる。また、光硬化性組成物中の溶存酸素を低減することで、露光におけるラジカル重合阻害を抑制することができる。
また、ヘリウムガスと凝縮性ガスとを基材との間に導入して、ヘリウムガスと凝集性ガスが存在する雰囲気中で、基材上またはモールド上に適用した光硬化性組成を、基材とモールドとで挟んでもよい。
次に、基材とモールドとで挟まれた光硬化性組成物に光を照射して光硬化性組成物を硬化させる。光照射の照射量は、光硬化性組成物の硬化に必要な照射量よりも十分大きければよい。硬化に必要な照射量は、光硬化性組成物の不飽和結合の消費量や硬化膜のタッキネスを調べて適宜決定される。
上述のようにして光硬化性組成物を硬化させたのち、硬化した光硬化性組成物の表面からモールドを離型することで、モールドの形状に沿った多孔質体を基材上に形成できる。
モールドの離型方法は、得られる多孔質体に欠損が生じにくい方法であればよい例えば、基材の縁部から徐々に離型させる方法や、モールドの側から加圧しながら離型させ、モールドが多孔質体から離型する境界線上での多孔質体へかかる力を低減させて剥離する方法などの方法を用いることができる。さらに、多孔質体の近傍を加温して離型する方法を適用することも可能である。なお、上記の方法を適宜組み合わせた複合的手法を用いてもよい。
本発明により得られる多孔質体は、パターンを有していてもよい。すなわち、本発明により得られる多孔質体は、多孔質パターン形成体であってもよい。
多孔質体が有するパターンサイズは、用途により異なる。例えば、幅300nm以下のパターンを有することが好ましく、幅100nm以下のパターンを有することがより好ましく、幅50nm以下のパターンを有することが更に好ましい。また、パターンのアスペクト比は、0.1〜10が好ましく、1〜5がより好ましい。
また、多孔質体は、多段の凹凸パターンを有する多孔質パターン形成体であることも好ましい。
多孔質体は、25℃での比誘電率が3.4以下であることが好ましく、3.2以下であることがより好ましい。なお、本明細書において、比誘電率の値は、後述する実施例に示す方法で測定した値である。
インプリント法の詳細は、段落番号0103〜0115の記載を参酌でき、これらの内容は本特開2010−109092号公報(対応US出願は、US2011/199592)の段願明細書に組み込まれる。
次に、上述した多孔質体の製造方法を実現するための多孔質体製造システムについて説明する。
図3は、多孔質体製造システムの概略構成図である。同図に示す多孔質体製造システム100は、基材102上に光硬化性組成物を、適用する光硬化性組成物適用部104と、モールド112および光照射装置114を備える多孔質体形成部106と、基材102を搬送する搬送部108と、を備えて構成される。
シリアル型のヘッドによる液体吐出では、x方向についての液体吐出が終わると、y方向について基材とヘッドとを相対的に移動させて、次のx方向についての液体吐出が実行される。このような、動作を繰り返すことで、基材の全面にわたって打滴が行われる。但し、基材のy方向の長さがx方向の1回の走査で対応できる場合は、y方向について基材とヘッドとの相対移動は不要である。
フルライン型のヘッドによる液体吐出では、ヘッドをx方向に移動させることなく、基材搬送方向について基材とヘッドを相対的に移動させる動作を1回行うだけで基材上の所望位置に液滴を配置することができ、光硬化性組成物の塗布速度の高速化を図ることができる。
インクジェットヘッドの詳細については、特開2012−11310号公報の段落番号0057〜0130の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
なお、インクジェット法以外の方法で、光硬化性組成物を適用する場合は、各種適用方法に応じた適用装置を用いる。スピンコート法で適用する場合は、インクジェット装置のかわりに、スピンコート装置を用いる。
モールド112は、パターンを有さないブランクモールドであってもよいし、転写されるべきパターンを有していてもよい。パターンを有するモールドを用いることで、パターンを有する多孔質体(多孔質パターン形成体)を製造することができる。
多孔質体形成部106では、光硬化性組成物が適用された基材102の表面にモールド112を押し当てた状態で、基材102の裏側から光照射を行い、基材102上の光硬化性組成物を硬化させ、硬化した光硬化性組成物の表面からモールドを離型することにより多孔質体を形成する。
次に、本発明の多孔質体について説明する。
本発明の多孔質体は、(メタ)アクリル樹脂を含み、25℃での比誘電率が3.4以下である。多孔質体の比誘電率は、3.4以下であることが好ましく、3.2以下であることがより好ましい。
本発明の多孔質体は、パターンを有することが好ましく、多段の凹凸パターンを有することがさらに好ましい。多段の凹凸パターンを有する多孔質体(多孔質パターン形成体)は、デュアルダマシン構造の配線構造の形成用の絶縁膜として好ましく用いることができる。デュアルダマシン構造の配線構造としては、図2に示す配線構造が一例として挙げられる。図2に示す配線構造は、基板10上に形成された、多段の凹凸パターンからなる多孔質パターン形成体11の凹部に、配線材料が埋め込まれて配線層12が形成されている。
本発明の多孔質体は、LSI(largescale integrated circuit:大規模集積回路)などの各種デバイスの絶縁膜として好ましく用いることができる。
また、配線構造における絶縁膜としても好ましく用いることができる。配線構造としては、多孔質体と配線層とを有するものが挙げられる。
本発明のデバイスの製造方法は、上述した多孔質体の製造方法を含む。すなわち、上述した方法で多孔質体を製造した後、各種デバイスの製造に用いられている方法を適用してデバイスを製造できる。デバイスとしては、LSI(largescale integrated circuit:大規模集積回路)などの半導体デバイスが挙げられる。
本発明の配線構造の製造方法は、上述した多孔質体の製造方法を含む。すなわち、上述した方法で多孔質体(好ましくは、多孔質パターン形成体)を製造した後、銅などの配線材料をパターン内に導入して配線層を形成することで、多孔質体からなる絶縁膜と配線層とを有する配線構造を製造できる。配線層の形成方法としては、特に限定はない。例えば、無電解めっき、電解めっき等の方法が挙げられる。
(実施例1〜4で使用した光硬化性組成物)
下記表に示す原料を混合し、0.1μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)フィルタでろ過し、各光硬化性組成物を調製した。
その後、各組成物をグローブボックスに移し、電子天秤にて重量を測定した。その後、グローブボックス内を凝集性ガスである1,1,1,3,3,−ペンタフルオロプロパン(SP値=13(J/cm3)1/2)で充満させた。そして、グローブボックス内に移した組成物の質量変化が0.1質量%/分となったのち、グローボックスから組成物を取り出して、凝集性ガスが溶解した光硬化性組成物を調製した。グローボックス内の組成物の質量変化が0.1質量%/分である状態は、組成物中に凝集性ガスが飽和溶解している状態である。
なお、組成物に凝集性ガスを溶解させている間は、グローボックス内には、凝集性ガスを供給し続けて、内部の凝集性ガス濃度がほぼ一定となるように維持した。
(比較例1〜5で使用した光硬化性組成物)
下記表に示す原料を混合し、0.1μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)フィルタでろ過して光硬化性組成物を調製した。
比較例1〜5で用いた光硬化性組成物は、凝集性ガスを含まない光硬化性組成物である。
インクジェット装置 (FUJIFILM Dimatix社製 DMP−2831)を用いて、シリコンウエハ上に、各光硬化性組成物を塗布した。液滴サイズは6pLで140μm間隔の正方格子状に塗布した。
次に、シリコンウエハとの間隔が1μmとなるように、パターンが未転写の石英モールドを固定し、間隙に下記表に記載の雰囲気ガスを吹き付けた。雰囲気ガスを吹き付け後、10秒以内にモールドを0.15MPaの圧力でコンタクトし、25℃、0.1MPa(大気圧)にて30秒放置後、石英モールド面から高圧水銀ランプにて光硬化した。照射量は100mJ/cm2とした。
硬化後、石英モールドを離型することで膜厚が200〜300nmの試験片を製造した。
上記方法にて製造した試験片の比誘電率を、水銀プローバ CVmap92A (Four Dimensions. Inc.社製)を用いて測定した。25℃にて測定エリア0.014cm2の領域を3点測定し、その平均値を試験片の比誘電率とした。
これに対し、凝集性ガスを含まない光硬化性組成物を用いた比較例1〜5は、多孔質体の試験片を製造することができなかった。
なお、多孔質体であることは、試験片の断面を走査型電子顕微鏡観察することで確認した。
また、試験片の作製において、モールドとして、線幅30nm、深さ60nmのLine/Spaceパターンを有する石英モールドを使用することで、線幅30nmのパターンを有する多孔質体を製造できた。
また、試験片の作製において、モールドとして、多段の凹凸パターンを有する石英モールドを使用することで、多段の凹凸パターンを有する多孔質体を製造できた。
実施例1の組成物をポリプロピレングリコールモノエチルエーテルに溶解させた薬液(固形分濃度5質量%)を密着剤付のSi基板上にスピンコート塗布(1000rpmで30秒)し、80℃に加熱したホットプレート上で分乾燥させた以外は、上記<試験片の製造>と同条件にて試験片を作製したところ、多孔質体の試験片を製造できた。また、得られた試験片について、上記<比誘電率の測定>の方法にて比誘電率を測定したところ、比誘電率は2.8であった。
凝集性ガスの溶解による質量増加量=(凝集性ガス溶解後の組成物の質量(g)/凝集性ガス溶解前の組成物の質量(g))
表中の記号は以下である。
(重合性化合物)
A−1:下記化合物(α,α’−ジクロロ−p−キシレンとアクリル酸より合成、SP値=21(J/cm3)1/2)
A−3:グリセロール 1,3−ジグリセロールジアクリレート(SP値=25(J/cm3)1/2)
(光重合開始剤)
B−1:イルガキュア819(BASF社製)
(界面活性剤)
C−1:Capstone FS−3100(Dupont社製)
(ガス)
PFP:1,1,1,3,3,−ペンタフルオロプロパン
He:ヘリウム
11:多孔質パターン形成体
12:配線層
100:多孔質体製造システム
102:基材
104:光硬化性組成物適用部
106:多孔質体形成部
108:搬送部
110:インクジェットヘッド
112:モールド
114:光照射装置
Claims (14)
- 凝集性ガスと重合性化合物とを含む光硬化性組成物を、基材上またはモールド上に適用し、前記基材と前記モールドとで前記光硬化性組成物を挟んだ後、前記光硬化性組成物に光を照射して前記光硬化性組成物を硬化させ、前記硬化した光硬化性組成物の表面から前記モールドを離型する、多孔質体の製造方法。
- 前記光硬化性組成物は、下式(1)で表されるΔSPが15(J/cm3)1/2以下である重合性化合物を含むものを用いる、請求項1に記載の多孔質体の製造方法;
ΔSP=|重合性化合物のSP値−光硬化性組成物に含まれる凝集性ガスのSP値| ・・・(1)。 - 前記光硬化性組成物は、前記凝集性ガスが飽和溶解している、請求項1または2に記載の多孔質体の製造方法。
- 前記モールドは、パターンを有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多孔質体の製造方法。
- 前記モールドは、線幅50nm以下のパターンを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の多孔質体の製造方法。
- 前記モールドは、多段の凹凸パターンを有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の多孔質体の製造方法。
- 凝集性ガスおよびヘリウムガスから選ばれる1種以上が存在する雰囲気中で、前記基材上または前記モールド上に適用した前記光硬化性組成物を、前記基材と前記モールドとで挟む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の多孔質体の製造方法。
- (メタ)アクリル樹脂を含み、25℃での比誘電率が3.4以下である多孔質体。
- 前記多孔質体は、パターンを有する、請求項8に記載の多孔質体。
- 前記多孔質体は、多段の凹凸パターンを有する、請求項8または9に記載の多孔質体。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の多孔質体の製造方法を含むデバイスの製造方法。
- 請求項8〜10のいずれか1項に記載の多孔質体を含むデバイス。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の多孔質体の製造方法を含む配線構造の製造方法。
- 請求項8〜10のいずれか1項に記載の多孔質体と、配線層とを有する配線構造。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014201568 | 2014-09-30 | ||
JP2014201568 | 2014-09-30 | ||
PCT/JP2015/077449 WO2016052473A1 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-29 | 多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016052473A1 true JPWO2016052473A1 (ja) | 2017-08-31 |
JP6298897B2 JP6298897B2 (ja) | 2018-03-20 |
Family
ID=55630500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016552043A Active JP6298897B2 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-29 | 多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10373863B2 (ja) |
JP (1) | JP6298897B2 (ja) |
KR (1) | KR101885096B1 (ja) |
TW (1) | TWI664066B (ja) |
WO (1) | WO2016052473A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6503606B2 (ja) * | 2015-10-29 | 2019-04-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | インプリント装置 |
JP6757241B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2020-09-16 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法及びレプリカモールドの製造方法 |
TWI780227B (zh) * | 2017-09-26 | 2022-10-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 壓印用下層膜形成用組成物、壓印用下層膜形成用組成物及壓印用硬化性組成物之套組、壓印用硬化性組成物、積層體、積層體的製造方法、硬化物圖案的製造方法及電路基板的製造方法 |
WO2020137473A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 株式会社巴川製紙所 | 温度制御ユニット、温度制御装置 |
JP7325018B2 (ja) * | 2019-10-15 | 2023-08-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 紫外線硬化性樹脂組成物、発光装置の製造方法、発光装置、及びタッチパネル |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61137711A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 多孔質プラスチツク成形品及びその製造方法 |
JPH03136051A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 軽量感光性樹脂複合版 |
JP2007507860A (ja) * | 2003-09-29 | 2007-03-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 製造方法 |
WO2013069466A1 (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
WO2014112495A1 (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、およびインプリント装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10284600A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4983262B2 (ja) | 2007-01-10 | 2012-07-25 | Jnc株式会社 | ナノインプリント用組成物 |
JP5882922B2 (ja) | 2012-01-19 | 2016-03-09 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、およびインプリント装置 |
EP3012097A3 (en) * | 2012-06-13 | 2016-06-22 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Function transfer product, functional layer transfer method, packed product, and function transfer film roll |
JP6278645B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2018-02-14 | キヤノン株式会社 | 光硬化性組成物及びこれを用いた膜の製造方法 |
JP6748399B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2020-09-02 | キヤノン株式会社 | インプリント方法およびインプリント用硬化性組成物 |
-
2015
- 2015-09-23 TW TW104131343A patent/TWI664066B/zh active
- 2015-09-29 WO PCT/JP2015/077449 patent/WO2016052473A1/ja active Application Filing
- 2015-09-29 JP JP2016552043A patent/JP6298897B2/ja active Active
- 2015-09-29 KR KR1020177008406A patent/KR101885096B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-03-24 US US15/468,911 patent/US10373863B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61137711A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 多孔質プラスチツク成形品及びその製造方法 |
JPH03136051A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 軽量感光性樹脂複合版 |
JP2007507860A (ja) * | 2003-09-29 | 2007-03-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 製造方法 |
WO2013069466A1 (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
WO2014112495A1 (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、およびインプリント装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
LARLUS O. ET AL.: "Silicalite-1/polymer films with low-k dielectric constants", APPLIED SURFACE SCIENCE, vol. Vol.226, Issues 1-3, JPN6015051515, 15 March 2003 (2003-03-15), NL, pages 155 - 160, ISSN: 0003696038 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170048465A (ko) | 2017-05-08 |
US20170200639A1 (en) | 2017-07-13 |
WO2016052473A1 (ja) | 2016-04-07 |
KR101885096B1 (ko) | 2018-08-03 |
TW201611982A (en) | 2016-04-01 |
US10373863B2 (en) | 2019-08-06 |
JP6298897B2 (ja) | 2018-03-20 |
TWI664066B (zh) | 2019-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10373863B2 (en) | Method of manufacturing porous body, porous body, method of manufacturing device, device, method of manufacturing wiring structure, and wiring structure | |
WO2014069552A1 (ja) | インプリント用密着膜の製造方法およびパターン形成方法 | |
KR101670775B1 (ko) | 광 임프린트용 경화성 조성물, 패턴 형성 방법, 미세 패턴 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
KR20110097810A (ko) | 임프린트용 경화성 조성물, 패터닝 방법, 및 패턴 | |
TWI635365B (zh) | Sublayer film forming composition, laminate, pattern forming method, imprint forming kit, and device manufacturing method | |
JPWO2017002833A1 (ja) | 光硬化性組成物、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
TW201506096A (zh) | 噴墨吐出方法、圖案形成方法及圖案 | |
JP6457545B2 (ja) | 硬化性組成物、パターン形成方法、パターンおよびデバイスの製造方法 | |
JP6340088B2 (ja) | インプリント用光硬化性組成物、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
JP6267802B2 (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
JP6379220B2 (ja) | インプリント用光硬化性組成物、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
TWI662087B (zh) | 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案 | |
JP6259383B2 (ja) | パターン形成体の製造方法、インクジェット用光硬化性組成物およびデバイスの製造方法 | |
JP2017039809A (ja) | 硬化性組成物、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
WO2015146710A1 (ja) | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン | |
JP6363215B2 (ja) | パターン形成体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6298897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |