JPWO2016038848A1 - 制御回路、制御方法 - Google Patents

Abstract

ハードウエア技術者は、ＬＳＩへ入力される信号の立ち上がり時間が規定の範囲内になるように抵抗値を調整するが、調整するのに多くの工数を要するという課題を解決する為、本発明の制御回路は、入力される電気信号を集積回路に伝える導線と、前記導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、前記導線を伝わる前記電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間を計測する計測手段と、前記計測手段が計測した時間が所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記計測手段が計測した時間が前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗値を一定量大きな値に変更する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する。

Description

本発明は、制御回路、制御方法に関し、特に、抵抗値を調整する制御回路、制御方法に関する。

一般的に、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）に入力される高周波信号は、その立ち上がり時間や立ち下がり時間がＬＳＩ製造者規定の時間範囲内（例えば、１００〜５００ｎｓ）である必要がある。なぜなら、ＬＳＩが誤動作する可能性があるからである。高周波信号は、高周波信号を発生させる信号源とＬＳＩを接続する配線の長さよりも短い波長の信号である。

立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定の時間範囲内である高周波信号がＬＳＩに入力されるよう、ＬＳＩを用いて基板設計を行うハードウエア技術者は、ＬＳＩ前段にテブナン終端回路やプルダウン抵抗を設置し、その抵抗値を手動で調整する。その際、ハードウエア技術者は、ＬＳＩへ入力される高周波信号の波形をオシロスコープ等により確認し、その立ち上がり時間、立ち下がり時間が規定の時間範囲内でなければ、抵抗値を変更し、規定の時間範囲内になったかどうか確認する作業を繰り返す。ハードウエア技術者は、電子基板上に実装するＬＳＩ全てについて、抵抗値の調整を手動で行うので、多くの開発工数を要してしまうという課題があった。

上述の課題に関連する技術が、以下の特許文献１に開示されている。

特許文献１の制御回路は、判定手段と制御手段を備える。判定手段は、入力信号がオーバーシュート、又は、アンダーシュートしているか否かを判定する。すなわち、判定手段は、入力信号の振幅が第１の閾値（電圧値）を超えている（オーバーシュート）か、又は、入力信号の振幅が第２の閾値（電圧値）を下回っている（アンダーシュート）か、を判定する。制御手段は、入力信号がオーバーシュート又はアンダーシュートしている場合には、メモリ内部の終端抵抗の抵抗値を大きい値に切り替え、入力信号の振幅を小さくする。特許文献１の制御回路は、入力信号のオーバーシュート又はアンダーシュートを抑えられることができる。

上述の構成や動作の通り、特許文献１の制御回路は、オーバーシュートやアンダーシュートを抑える為の抵抗値を自動的に求めるので、ハードウエア技術者が抵抗値を調整する為の開発工数を不要とすることができる。

特許文献２には、複数の抵抗素子を徐々にオンさせることにより、オンにより発生する急激な電流変化を抑える回路が記載されている。特許文献３には、温度による変動に応じてトランジスタをオンして、出力信号の波形を一定に保つ回路が記載されている。

特開２０１１−８１７３３号公報 特開２００９−１５２８６５号公報 特開２００８−１８２５１６号公報

しかし、ハードウエア技術者は、ＬＳＩへ入力される高周波信号（以下、「入力信号」という）の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定の範囲内になるよう抵抗値を調整するのに、多くの開発工数を要してしまうという課題が依然としてあった。

なぜなら、特許文献１の制御回路は、オーバーシュート等を抑えるように抵抗値を調整するものの、入力信号の立ち上がり、立ち下がり時間が規定の範囲内となるよう抵抗値を調整せず、規定の範囲内となったか否かもハードウエア技術者に通知しないからである。その為、ハードウエア技術者は、特許文献１の制御回路を用いたとしても、入力信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定の範囲内となることを期待できず、また、偶然に規定の範囲内になっていたとしても、それを判別できない。その結果、ハードウエア技術者は、電子基板に実装した全てのＬＳＩについて、依然として手動で抵抗値を調整しなければならず、多くの開発工数を要してしまっていた。

また、特許文献２、３の回路は、抵抗素子を徐々にオンしたり、温度の変動に応じてトランジスタをオンするが、ＬＳＩへの入力信号の立ち上がり時間等が規定の範囲内となるよう調整するよう制御するものではない。その結果、ハードウエア技術者は、特許文献２、３の回路を用いたとしても、入力信号の立ち上がり時間等が規定の範囲内となることを期待できず、また、偶然に規定の範囲内になっていたとしても、それを判別できない。ハードウエア技術者は、電子基板上の全てのＬＳＩについて、手動で抵抗値を調整しなければならず、多くの開発工数を要してしまっていた。

本発明は、上記課題を解決する制御回路、制御方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の制御回路は、入力される電気信号を、接続される集積回路に伝える導線と、前記導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、前記抵抗回路と前記集積回路間の前記導線を伝わる前記電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から、前記第３の電圧値よりも小さい所定の第４の電圧値になるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測する計測手段と、前記計測手段が計測した時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記計測手段が計測した時間の少なくともいずれかが前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する。

上記目的を達成するために、本発明の制御方法は、集積回路に接続する導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、前記集積回路と、の間の前記導線を伝わる電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から、前記第３の電圧値よりも小さい所定の第４の電圧値に前記電圧値がなるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測し、計測された前記時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、計測された前記時間の少なくともいずれかが前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更し、前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する。

本発明によれば、ハードウエア技術者は、ＬＳＩに入力される高周波信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定の範囲内になるように抵抗値を調整する手間を減らせ、開発工数を削減することができる。

本発明の第１の実施の形態における制御回路を含むＬＳＩの構成例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態における制御回路に備わるプルダウン抵抗回路の機能を説明する為の図である。 本発明の第１の実施の形態における制御回路で制御する立ち上がり時間と立ち下がり時間を説明する為の図である。 本発明の第１の実施の形態における制御回路で用いる反射係数を説明する為の図である。 本発明の第１の実施の形態における制御回路の動作を示す図である。 本発明の第１の実施の形態における制御回路の動作（図５Ａからの続きの動作）を示す図である。 本発明の第２の実施の形態における制御回路の構成例を示す図である。

次に本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。

≪第１の実施の形態≫
[概要]
本実施形態の制御回路は、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）に含まれ、抵抗値が変更可能なプルダウン抵抗回路を備える。プルダウン抵抗回路は、入力される高周波信号がＬＳＩ本体に伝わる導線に接続され、且つ、接地されている。本実施形態の制御回路は、ＬＳＩ本体に入力される信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定される範囲内となるようにプルダウン抵抗回路の抵抗値を変更する。本実施形態の制御回路は、所定回数、プルダウン抵抗回路の抵抗値を変更しても、上述の立ち上がり時間と立ち下がり時間が規定される範囲にならない場合には、ＡＬＭ（Ａｌａｒｍ）信号をＬＳＩ外に出力する。

ハードウエア技術者は、本実施形態の制御回路を含むＬＳＩを電子基板に実装したとき、ＡＬＭ信号が出力されるＬＳＩだけ、抵抗値を調整すればよい。ハードウエア技術者は、電子基板に実装したＬＳＩ全てについて、必ずしも抵抗値を調整する必要がなく、その分、開発工数を削減することができる。

以下に、プルダウン抵抗回路の抵抗値の具体的な変更方法も含め、本実施形態の制御回路を含むＬＳＩの構成や機能、動作について説明する。

［構成の説明］
まず、本発明の第１の実施の形態における制御回路を含むＬＳＩの構成と機能について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態における制御回路を含むＬＳＩの構成例を示す図である。

（１）本発明の第１の実施の形態における制御回路を含むＬＳＩの構成
本実施形態の制御回路を含むＬＳＩ（以下、「本実施形態のＬＳＩ」という）は、図１に示されるように、受信端子１０と、プルダウン抵抗回路１１と、電圧検出回路１２と、制御部１３と、ＡＬＭ端子１４と、ＬＳＩ本体１５と、を備える。ＬＳＩ本体１５以外の回路（すなわち、受信端子１０、プルダウン抵抗回路１１、電圧検出回路１２、制御部１３、及びＡＬＭ端子１４）が、本実施形態の制御回路である。

受信端子１０は、ＬＳＩ本体１５と導線により接続される。当該導線には、プルダウン抵抗回路１１と電圧検出回路１２も接続される。電圧検出回路１２は、制御部１３と接続される。制御部１３は、ＡＬＭ端子１４とプルダウン抵抗回路１１に接続される。プルダウン抵抗回路１１は、接地される。

受信端子１０は、高周波信号を発生させるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１６と配線され、接続される。高周波信号は、ごく短い波長（正確には、ＩＣ１６と受信端子１０を接続する配線の長さよりも短い波長）の信号である。ＩＣ１６は、発振器であってもよい。

（２）本実施形態における制御回路に備わるプルダウン抵抗回路１１の構成
プルダウン抵抗回路１１は、複数の抵抗１００＿１〜１００＿ｎ（ｎは、プルダウン抵抗回路１１に実装される抵抗の数）と、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０１＿１〜１０１＿（ｎ−１）を備える。また、プルダウン抵抗回路１１は、ＦＥＴ１０２＿１〜１０２＿（ｎ−１）と、ＦＥＴ１０３＿１〜１０３＿（ｎ−１）と、を備える。

抵抗１００＿１〜１００＿ｎのうち、隣り合う抵抗１００＿ｋと抵抗１００＿ｋ＋１（ｋは、１〜（ｎ−１）の任意の整数）は、図１に示されるように、ＦＥＴ１０１＿ｋ、ＦＥＴ１０２＿ｋ、及びＦＥＴ１０３＿ｋを介して接続される。

制御部１３は、全てのＦＥＴ（以下、「ＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）」という）と接続される。図１では、１本の同じ配線で制御部１３と各ＦＥＴが接続されているように記載されているが、実際は異なる配線で接続されている。

（３）制御回路の各部位の機能
（３−１）受信端子１０の機能
受信端子１０は、一般的な入力端子である。受信端子１０は、ＩＣ１６から高周波信号である電気信号を受信する。受信端子１０は、電気信号を受信すると、受信した電気信号を、プルダウン抵抗回路１１、電圧検出回路１２、及びＬＳＩ本体１５に出力する。

（３−２）プルダウン抵抗回路１１の機能
図２は、本発明の第１の実施の形態における制御回路に備わるプルダウン抵抗回路１１の機能を説明する為の図である。

各ＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）は、一般的なＦＥＴであり、制御部１３からゲートに一定量の電圧が印加されることで、スイッチング動作を行う。具体的には、各ＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）は、制御部１３からゲートに電圧が印加されたとき、ソース―ドレイン間を接続する。図１のＦＥＴ１０１＿１に記載している「Ｇ」「Ｓ」「Ｇ」は、ゲート、ソース、ドレインを示している。ＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）各々は、ゲートに制御部１３から電圧が印加されないときには、ソース―ドレイン間を開放する。

なお、ＦＥＴ１０２＿ｋ（ｋは、１〜（ｎ−１）の任意の整数）は、制御部１３からゲートに電圧が印加され、ソース―ドレイン間を接続したとき、抵抗１００＿ｋと抵抗１００＿（ｋ＋１）を直列に接続する。例えば、図２の下図に示されるように、ＦＥＴ１０２＿１は、制御部１３からゲートに電圧が印加され、ソース―ドレイン間を接続したとき、抵抗１００＿１と抵抗１００＿２を直列に接続する。ＦＥＴ１０２＿１〜ＦＥＴ１０２＿（ｎ−１）は、直列接続用のＦＥＴである。

同様に、ＦＥＴ１０１＿ｋと１０３＿ｋ（ｋは、１〜（ｎ−１）の任意の整数）は、制御部１３からゲートに電圧が印加され、ソース―ドレイン間を接続したとき、抵抗１００＿ｋと抵抗１００＿（ｋ＋１）を並列に接続する。例えば、図２の上図に示されるように、ＦＥＴ１０１＿１とＦＥＴ１０３＿１は、制御部１３によってゲートに電圧が印加され、ソース―ドレイン間を接続したときは、抵抗１００＿１と抵抗１００＿２を並列に接続する。ＦＥＴ１０１＿１〜ＦＥＴ１０１＿（ｎ−１）、ＦＥＴ１０３＿１〜ＦＥＴ１０３＿（ｎ−１）は、並列接続用のＦＥＴである。

上述のように、プルダウン抵抗回路１１は、制御部１３からＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）各々に電圧が印加されることで、抵抗１００＿１〜抵抗１００＿ｎを直列、又は並列に接続する。プルダウン抵抗回路１１は、並列に接続していた抵抗１００＿ｋと抵抗１００＿ｋ＋１を直列に接続することで、自身の抵抗値（合成抵抗値）を並列接続時に比べて一定量増加させる。プルダウン抵抗回路１１は、直列に接続していた抵抗１００＿ｋと抵抗１００＿ｋ＋１（ｋは、１〜（ｎ−１）の任意の整数）を並列に接続することで、自身の抵抗値（合成抵抗値）を直列接続時に比べて一定量減少させる。プルダウン抵抗回路１１は、制御部１３から各ＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）に電圧が印加されることで、抵抗１００＿１〜抵抗１００＿ｎを直列、又は並列に接続し、自身の抵抗値（合成抵抗値）を変更する機能を有する。

（３−３）電圧検出回路１２の機能
電圧検出回路１２は、所定のタイミングになると、入力される電気信号の電圧値を検出し、検出した電圧値を電気信号として制御部１３に出力する。

上述の所定のタイミングは、一定間隔のタイミングであり、ＬＳＩ製造者によって電圧検出回路１２に設定される。なお、電気信号が高周波信号であるので、ＬＳＩ製造者は、高周波信号の１周期より短い時間間隔（例えば、数百μｓ毎）を所定のタイミングとして電圧検出回路１２に設定する。電圧検出回路１２は、一般的な電圧計、又はコンパレータ回路を備え、それらによって、入力される電気信号の電圧値を検出してもよい。

（３−４）ＬＳＩ本体１５について
ＬＳＩ本体１５は、一般的な集積回路であり、電気信号（高周波信号）が入力される。

ＬＳＩ本体１５は、入力される電気信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が、本実施形態のＬＳＩ製造者によって、以下のように規定される。

・立ち上がり時間＝入力される電気信号の電圧がＶＩＬからＶＩＨになるまでの時間。

・立ち下がり時間＝入力される電気信号の電圧がＶＩＨからＶＩＬになるまでの時間。

ＶＩＬ＝ＬＳＩ本体１５の動作電圧値×一定の割合Ａ（例えば２０％）
ＶＩＨ＝ＬＳＩ本体１５の動作電圧値×一定の割合Ｂ（例えば８０％）
動作電圧値は、ＬＳＩ本体１５を動作させるために必要な電圧値であり、例えば３．
３Ｖである。上述の割合Ａは割合Ｂより小さい値である。

上述の立ち上がり時間は、例えば、図３に示すように、電圧値ＶＩＬ（０．６６Ｖ）からＶＩＨ（２．６４Ｖ）になるまでの時間であってもよい。上述の立ち下がり時間は、図３に示すように、電圧値ＶＩＨ（２．６４Ｖ）からＶＩＬ（０．６６Ｖ）になるまでの時間であってもよい。図３は、本発明の第１の実施の形態における制御回路で規定される立ち上がり時間と立ち下がり時間を説明する為の図である。なお、ＬＳＩ製造者は、規定したＶＩＬ、ＶＩＨ、立ち上がり時間等の各値を、ＬＳＩ本体１５のデータシートに纏めてもよい。

さらに、ＬＳＩ本体１５は、ＬＳＩ製造者によって、上述の立ち上がり時間の範囲（具体的には、立ち上がり時間の最大時間ＭＡＸ＿Ａと立ち上がり時間の最小時間ＭＩＮ＿Ａ）が規定される。同様に、ＬＳＩ本体１５は、上述の立ち下がり時間の範囲（具体的には、立ち下がり時間の最大時間ＭＡＸ＿Ｂと立ち下がり時間の最小時間ＭＩＮ＿Ｂ）がＬＳＩ製造者によって規定される。最大時間ＭＡＸ＿Ａと最小時間ＭＩＮ＿Ａは、立ち上がり時間の最長時間と最短時間である。最大時間ＭＡＸ＿Ｂと最小時間ＭＩＮ＿Ｂは、立ち下がり時間の最長時間と最短時間である。ＬＳＩ製造者は、最大時間ＭＡＸ＿Ａ、最小時間ＭＩＮ＿Ａ、最大時間ＭＡＸ＿Ｂ、及び最小時間ＭＩＮ＿ＢをＬＳＩ本体１５のデータシートに纏めてもよい。

（３−５）制御部１３の機能
（３−５−１）制御部１３に事前に設定される値
制御部１３には、上述のＶＩＬ、ＶＩＨが本実施形態のＬＳＩ製造者によって設定される。

また、制御部１３には、立ち上がり時間の範囲（最大時間ＭＡＸ＿Ａ、最小時間ＭＩＮ＿Ａ）と、立ち下がり時間の範囲（最大時間ＭＡＸ＿Ｂ、及び最小時間ＭＩＮ＿Ｂ）と、が本実施形態のＬＳＩ製造者によって設定される。

（３−５−２）立ち上がり時間、立ち下がり時間測定機能
制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値をもとに、ＬＳＩに入力される電気信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間を計測する。

具体的には、制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値がＶＩＬ以上になると、自身に備わる計時機能（以下、「タイマ」という）を起動し、時間の計測を開始する。タイマは、ピコ秒の精度を持つ高精度タイマＨＰＥＴ（Ｈｉｇｈ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｖｅｎｔ Ｔｉｍｅｒ）であってもよい。制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値がＶＩＨ以上になると、タイマを停止する。このとき、タイマで計測された時間は、立ち上がり時間である。制御部１３は、立ち上がり時間を計測することができる。

制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号が示す）電圧値がＶＩＨ以下になると、タイマを起動し、時間の計測を開始する。制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される信号が示す電圧値がＶＩＬ以下になると、タイマを停止する。このとき、タイマで計測された時間は立ち下がり時間である。制御部１３は、立ち下がり時間を計測することができる。

（３−５−３）立ち上がり時間、立ち下がり時間が規定の時間範囲内かを判別する機能
制御部１３は、計測した立ち上がり時間と立ち下がり時間が規定の時間範囲内か否かを判定する。具体的には、制御部１３は、計測した立ち上がり時間が上述の最小時間ＭＩＮ＿Ａ〜最大時間ＭＡＸ＿Ａの間の時間か否かを判定する。同様に、制御部１３は、計測した立ち下がり時間が上述の最小時間ＭＩＮ＿Ｂ〜最大時間ＭＡＸ＿Ｂの間の時間か否かを判定する。

制御部１３は、立ち上がり時間が、上述の最小時間ＭＩＮ＿Ａ〜最大時間ＭＡＸ＿Ａの間の時間でないと判定したとき、その立ち上がり時間は最大時間ＭＡＸ＿Ａより長いのか、最小時間ＭＩＮ＿Ａより短いのかを判定する。同様に、制御部１３は、立ち下がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ｂ〜最大時間ＭＡＸ＿Ｂの間の時間でないと判定したとき、その立ち下がり時間は最大時間ＭＡＸ＿Ｂより長いのか、最小時間ＭＩＮ＿Ｂより短いのかを判定する。

（３−５−４）抵抗値調整機能
制御部１３は、立ち上がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ａよりも長いときには、立ち上がり時間が短くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きくする制御を行う。同様に、制御部１３は、立ち下がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ｂよりも長いときには、立ち下がり時間が短くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きくする制御を行う。プルダウン抵抗回路の抵抗値を大きくすると、立ち上がり時間や立ち下がり時間が短くなる理由については、後述「（３−７）立ち上がり時間、立ち下がり時間について」にて説明をする。

上述のプルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きくする制御は、制御部１３が、直列接続用ＦＥＴ１０２＿１のゲートに対して一定量の電圧を印加することで実現される。その際、制御部１３は、並列接続用のＦＥＴ１０１＿１とＦＥＴ１０３＿１のゲートには電圧を印加しない。制御部１３は、すでにＦＥＴ１０２＿１のゲートに電圧を印加していた場合には、その他の直列接続用ＦＥＴ１０２＿ｙ（ｙは、２〜ｎまでのいずれかの数値）のゲートに電圧を印加する。このとき、制御部１３は、並列接続用のＦＥＴ１０１＿ｙとＦＥＴ１０３＿ｙのゲートには電圧を印加しない。

さらに、制御部１３は、立ち上がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ａよりも短いときには、立ち上がり時間が長くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を小さくする制御を行う。同様に、制御部１３は、立ち下がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ｂよりも短いときには、立ち下がり時間が長くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を小さくする制御を行う。プルダウン抵抗回路の抵抗値を小さくすると、立ち上がり時間や立ち下がり時間が長くなる理由については、後述「（３−７）立ち上がり時間、立ち下がり時間について」にて説明をする。

上述のプルダウン抵抗回路１１の抵抗値を小さくする制御は、制御部１３が、並列接続用ＦＥＴ１０１＿１とＦＥＴ１０３＿１のゲートに対して一定量の電圧を印加することで実現される。その際、制御部１３は、直列接続用のＦＥＴ１０２＿１のゲートには電圧を印加しない。制御部１３は、すでにＦＥＴ１０１＿１とＦＥＴ１０３＿１のゲートに一定量の電圧を印加していた場合には、その他の並列接続用ＦＥＴ１０１＿ｙとＦＥＴ１０３＿ｙ（ｙは、２〜ｎまでのいずれかの数値）のゲートに電圧を印加する。このとき、制御部１３は、直列接続用のＦＥＴ１０２＿ｙのゲートには電圧を印加しない。

（３−５−５）調整回数カウント機能
制御部１３は、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きく、又は小さくする制御（すなわち、抵抗値の調整）を行うと、自身に備わるカウンタの値を１つインクリメントする。このカウンタは、プルダウン抵抗回路の抵抗値を調整した回数を数える為のカウンタであり、デフォルト値は０である。

制御部１３は、カウンタ値、すなわちプルダウン抵抗回路１１の抵抗値を調整した回数が所定の最大試行回数となっているか否かを判別する。所定の最大試行回数は、本実施形態のＬＳＩ製造者によって予め制御部１３に設定される値である。

制御部１３は、カウンタ値（抵抗値を調整した回数）が所定の最大試行回数であった場合、アラームを示す電気信号（以下、「ＡＬＭ信号」という）をＡＬＭ端子１４に出力する。繰り返し抵抗値を調整しても入力信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が、規定される範囲にならなかったことを、本実施形態のＬＳＩを用いてハード設計を行うハードウエア技術者に知らせる為である。

制御部１３は、カウンタ値（抵抗値を変更した回数）が所定の最大試行回数でない場合には、上述の（３−５−２）〜（３−５−４）の機能を実施する。なお、制御部１３は、立ち上がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ａ〜最大時間ＭＡＸ＿Ａの間の時間であり、且つ、立ち下がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ｂ〜最大時間ＭＡＸ＿Ｂの間の時間となった場合には、処理を終了する。

制御部１３は、電子回路やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリ、及び一般的なマイコンを用いて実現することができる。

（３−６）ＡＬＭ端子１４の機能
ＡＬＭ端子１４は、一般的な出力端子であり、制御部１３から入力されたＡＬＭ信号を本実施形態のＬＳＩ外部に出力する。

ＡＬＭ端子１４には、赤色のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が接続されていてもよい。その場合、ＡＬＭ端子１４は、ＡＬＭ信号が入力されると、電流をＬＥＤに出力する。赤いＬＥＤは、電流がＡＬＭ端子１４から供給される間、赤く発光し、抵抗値がうまく調整できなかったことを、ＬＳＩを用いて設計を行うハードウエア技術者に知らせる。

（３−７）立ち上がり時間、立ち下がり時間について
（３−７−１）立ち上がり時間、立ち下がり時間が短くなる理由
図４は、本発明の第１の実施の形態における制御回路で用いる反射係数を説明する為の図である。一般的な話ではあるが、プルダウン抵抗回路の抵抗値を大きくすると、立ち上がり時間や立ち下がり時間が短くなる理由を以下に説明する。

まず、ＬＳＩ本体１５に入力される電気信号は高周波信号（波）なので、一般的にＬＳＩ本体１５から反射波が発生し、ＬＳＩ本体１５に入力される信号（以下、「ＬＳＩ入力信号」という）の波形は、反射波を合成したものとなる。どの程度、ＬＳＩ本体１５が反射するのかは、反射係数によって表わされる。一般的に、反射係数が大きい程、大きな反射波が存在し、その大きな反射波が合成されるＬＳＩ入力信号の波形は、より大きな振幅（電圧値）の波となり、その立ち上がり時間や立ち下がり時間もより早い（短い）ものとなる。

ここで、図４に示す回路の場合、反射係数（Γ）は、一般的に、以下の式１の通りであることが知られている。

反射係数（Γ）＝（Ｒｔ − Ｚ０）／（Ｒｔ ＋ Ｚ０） …（式１）
上述の式１は、プルダウン抵抗の抵抗値Ｒｔが大きくなるほど、反射係数（Γ）も大きくなることを示している。

本実施形態のＬＳＩは、図４に示す回路と同じ構成を備える回路である。プルダウン抵抗回路１１が図４に示される抵抗に対応し、ＬＳＩ本体１５が図４に示される回路Ａに対応する。

その為、本実施形態のＬＳＩは、プルダウン抵抗の抵抗値Ｒｔを大きくするほど、その反射係数（Γ）が大きくなる。すなわち、本実施形態のＬＳＩでは、プルダウン抵抗の抵抗値Ｒｔを大きくするほど、大きな反射波が存在し、ＬＳＩ入力信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間は短くなる。

（３−７−２）立ち上がり時間、立ち下がり時間が長くなる理由
プルダウン抵抗回路の抵抗値を小さくすると、立ち上がり時間や立ち下がり時間が長くなる理由を以下に説明する。

まず、繰り返しとなるが、ＬＳＩ本体１５に入力されるＬＳＩ入力信号の波形は、反射波を合成したものとなる。どの程度、反射するのかは、反射係数によって表わされる。一般的に、反射係数が小さい程、反射波は小さくなり、その反射波が合成されるＬＳＩ入力信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間は遅い（長い）。

本実施形態のＬＳＩは、図４に示す回路と同じ構成を備える回路なので、プルダウン抵抗の抵抗値Ｒｔを小さくするほど、反射係数（Γ）も小さくなる。すなわち、本実施形態のＬＳＩでは、プルダウン抵抗の抵抗値Ｒｔを小さくするほど、ＬＳＩ入力信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間は、より遅く（長く）なる。

［動作の説明］
図５Ａ、図５Ｂは、本発明の第１の実施の形態における制御回路の動作を示す図である。図５Ａ、図５Ｂを用いて、本実施形態のシステムの詳細な動作を以下に説明する。

（１）事前設定について
まず、本実施形態の制御回路の制御部１３には、図５Ａに示されるように、本実施形態のＬＳＩ製造者によって、上述の電圧値（ＶＩＬ、ＶＩＨ）、立ち上がり時間の範囲（最大時間ＭＡＸ＿Ａと最小時間ＭＩＮ＿Ａ）が設定される（Ｓ１）。また、制御部１３には、本実施形態のＬＳＩ製造者によって、立ち下がり時間の範囲（最大時間ＭＡＸ＿Ｂと最小時間ＭＩＮ＿Ｂ）も設定される。

制御部１３が一般的なマイコンによって実現されている場合には、ハードウエア技術者は、一般的な開発統合環境ソフトウエアを用いて上述の各種値をマイコン（制御部１３）に設定してもよい。

ハードウエア技術者は、ＬＳＩ本体１５のデータシートを確認し、工場出荷時等に上述のＶＩＬ等の各種値をマイコンに設定してもよい。

（２）抵抗値設定動作
次に、制御部１３は、ＦＥＴ１０１＿１〜１０３＿（ｎ−１）の任意のゲートに対して電圧を印加し、プルダウン抵抗回路１１に任意の抵抗値を設定する（Ｓ２）。

具体的には、制御部１３は、直列接続用ＦＥＴ１０２＿１〜１０２＿（ｎ−１）のうちＦＥＴ１０２＿ｋ（ｋは、１〜（ｎ−１）のいずれか）を任意に選択し、そのゲートに電圧を印加する。このとき、制御部１３は、並列接続用ＦＥＴ１０１＿ｋ、１０３＿ｋのゲートには電圧は印加しない。さらに、制御部１３は、プルダウン抵抗回路１１をグラウンドに接続する為、並列接続用ＦＥＴ１０１＿ｋ、１０３＿ｋ以外の全ての並列接続用ＦＥＴ１０１＿ｚ、１０３＿ｚ（ｚは、ｋ以外の１〜（ｎ−１））のゲートに電圧を印加する。

（３）立ち上がり時間測定動作
次に、図示していないが、本実施形態のＬＳＩに、ＩＣ１６から高周波信号である電気信号が入力されたとする。

そのとき、本実施形態のＬＳＩの受信端子１０は、ＩＣ１６から入力され、受信した電気信号（高周波信号）を電圧検出回路１２に出力する（Ｓ３）。

ここで、電圧検出回路１２は、所定のタイミング毎に、入力される電気信号の電圧値を検出し、検出した電圧値を制御部１３に出力している（Ｓ４）。

所定のタイミングは、ごく短い一定間隔（例えば、数十ｐｓ毎）のタイミングである。上述のＳ４により、制御部１３には、電気信号（高周波信号）の電圧値が電圧検出回路１２から入力される。

次に、制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値がＶＩＬ以上になると、自身に備わる計時機能（すなわち、タイマ）を起動し、時間の計測を開始する（Ｓ５）。

タイマは、ピコ秒の精度を持つ高精度タイマＨＰＥＴ（Ｈｉｇｈ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｖｅｎｔ Ｔｉｍｅｒ）であってもよい。

次に、制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値がＶＩＨ以上になると、タイマを停止する（Ｓ６）。

このとき、タイマにて計測された時間は、立ち上がり時間である。制御部１３は、立ち上がり時間を計測することができる。

（４）立ち上がり時間が規定の範囲内か否かの判定
次に、制御部１３は、タイマで計測された時間（すなわち、立ち上がり時間）が規定の時間範囲内か否かを判定する（Ｓ７）。

具体的には、制御部１３は、タイマで計測された立ち上がり時間が所定の最小時間ＭＩＮ＿Ａ〜最大時間ＭＡＸ＿Ａの間の時間か否かを判定する。

（５）立ち上がり時間が規定の範囲内でないときの抵抗値変更処理等
（５−１）抵抗値を所定の回数、調整したか否かの判別
次に、制御部１３は、立ち上がり時間が規定の時間範囲内でない場合（Ｓ７でＮｏの場合）、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を調整した回数（後述のＳ１０、Ｓ１１、Ｓ３０、Ｓ３１で動作するカウンタの値）が最大試行回数となっているか否かを判別する（Ｓ８）。

最大試行回数は、本実施形態のＬＳＩ製造者によって、予め制御部１３に設定される値である。

次に、制御部１３は、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を調整した回数が最大試行回数でない場合（Ｓ８でＮｏの場合）、上述のＳ６で求めた立ち上がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ａより長いのか、若しくは、最小時間ＭＩＮ＿Ａよりも短いのかを判別する（Ｓ９）。

例えば、最大時間ＭＡＸ＿Ａが５００ｐｓで、最小時間ＭＩＮ＿Ａが１００ｐｓであり、上述のＳ５、Ｓ６で求めた立ち上がり時間が７００ｐｓであるとき、制御部１３は、立ち上がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ａより長いと判別する。上述のＳ６で求めた立ち上がり時間が８０ｐｓだとすると、制御部１３は、立ち上がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ａより短いと判別する。

（５−２）立ち上がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ａより長いときの抵抗値変更処理
次に、制御部１３は、上述のＳ９において、立ち上がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ａより長いと判別した場合（Ｓ９でＮｏの場合）、立ち上がり時間が短くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きくする制御を行う（Ｓ１０）。

具体的には、制御部１３は、立ち上がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ａより長いと判別した場合、直列接続用ＦＥＴ１０２＿１のゲートに対して一定量の電圧を印加する。制御部１３は、すでにＦＥＴ１０２＿１のゲートに電圧を印加していた場合には、その他の直列接続用ＦＥＴ１０２＿ｙ（ｙは、２〜（ｎ−１）の任意の整数）のゲートのいずれかに電圧を印加する。このとき、制御部１３は、並列接続用のＦＥＴ１０１＿ｙとＦＥＴ１０３＿ｙのゲートには電圧を印加しない。その結果、制御部１３は、抵抗１００＿ｙと抵抗１００＿（ｙ＋１）を直列に接続し、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値（合成抵抗値）を一定量大きくすることができる。制御部１３は、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値（合成抵抗値）を一定量大きくすることで、電気信号（高周波信号）の立ち上がり時間を短くする。プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きくすると、電気信号（高周波信号）の立ち上がり時間を短くできることは、上述の「（３−７）立ち上がり時間、立ち下がり時間について」で説明した通りである。

なお、制御部１３は、上述のＳ１０を実施した後、図示していないが、自身に備わるカウンタの値を１つインクリメントして処理を一旦、終了する。上述のカウンタによって、プルダウン抵抗回路の抵抗値を調整した回数がカウントされる。上述のカウンタのデフォルト値は０である。

その後、本実施形態の制御回路は、接続されたＩＣ１６から電気信号が入力されると、再度上述のＳ３以降の処理を行う。

（５−３）立ち上がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ａより短いときの抵抗値変更処理
なお、制御部１３は、上述のＳ９において、立ち上がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ａより短いと判別した場合（Ｓ９でＹｅｓの場合）には、立ち上がり時間が長くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を小さくする制御を行う（Ｓ１１）。

具体的には、制御部１３は、立ち上がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ａより短いと判別した場合、並列接続用ＦＥＴ１０１＿１とＦＥＴ１０３＿１のゲートに対して一定量の電圧を印加する。制御部１３は、ＦＥＴ１０１＿１とＦＥＴ１０３＿１のゲートにすでに電圧を印加していた場合には、その他の並列接続用ＦＥＴ１０１＿ｙとＦＥＴ１０３＿ｙ（ｙは、２〜（ｎ−１）の任意の整数）のゲートのいずれかに電圧を印加する。このとき、制御部１３は、直列接続用のＦＥＴ１０２＿ｙのゲートには電圧を印加しない。その結果、制御部１３は、抵抗１００＿ｙと抵抗１００＿（ｙ＋１）を並列に接続し、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値（合成抵抗値）を一定量小さくすることができる。制御部１３は、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値（合成抵抗値）を一定量小さくすることで、電気信号（高周波信号）の立ち上がり時間を長くする。プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を小さくすると、電気信号（高周波信号）の立ち上がり時間を長くできることは、上述の「（３−７）立ち上がり時間、立ち下がり時間について」で説明した通りである。

なお、制御部１３は、上述のＳ１１を実施すると、自身に備わるカウンタの値を１つインクリメントした上で、処理を一旦終了する。このカウンタは、プルダウン抵抗回路の抵抗値を調整した回数を数える為のカウンタである。

その後、本実施形態の制御回路は、接続されたＩＣ１６から電気信号が入力されると、再度、上述のＳ３〜Ｓ１１を繰り返す。

（５−４）上述のＳ８で最大試行回数に達した時の処理
上述のＳ３〜Ｓ１１を繰り返した結果、制御部１３は、上述のＳ８において、カウンタ値（すなわち、抵抗値を調整した回数）が所定の最大試行回数となった場合（Ｓ８でＹｅｓの場合）には、アラームを示す電気信号をＡＬＭ端子１４に出力する（Ｓ３２）。Ｓ３２は、図５Ｂに示される。

上述のＡＬＭ端子１４は、制御部１３から入力されたアラームを示す電気信号（すなわち、ＡＬＭ信号）をＬＳＩ外部に出力し、ＬＳＩを用いて設計を行うハードウエア技術者に対して抵抗値がうまく調整できなかったことを知らせる。ＡＬＭ端子１４は、ＡＬＭ信号（電気信号）が入力されると赤色のＬＥＤを点灯させる点灯部を備えてもよい。ＡＬＭ信号が入力された点灯部は、赤色のＬＥＤを点灯させ、抵抗値がうまく調整できなかったことをハードウエア技術者に知らせる。点灯部は、電池と、ＬＥＤと、電気信号が入力されると電池とＬＥＤを繋ぐスイッチを備えた回路であってもよい。

（６）立ち下がり時間を計測する処理
上述のＳ７の判別において、立ち上がり時間が規定の時間範囲内である場合（Ｓ７でＹｅｓの場合）には、図示していないが、制御部１３は、処理を一旦終了する。

その後、本実施形態の制御回路の受信端子１０に、ＩＣ１６から継続して電気信号（高周波信号）が入力されているものとする。

そのとき、受信端子１０は、上述のＳ３と同様、図５Ｂに示されるように、入力された信号を電圧検出回路１２に出力する（Ｓ２３）。

電圧検出回路１２は、上述のＳ４と同様、所定のタイミング毎に、入力される電気信号の電圧値を検出し、検出した電圧値を制御部１３に出力している（Ｓ２４）。

所定のタイミングは、ごく短い一定間隔のタイミング（例えば、数十ｐｓ毎）である。上述のＳ２４により、制御部１３には、電気信号（高周波信号）の電圧値が電圧検出回路１２から入力される。

次に、制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値がＶＩＨ以下になると、自身に備わる計時機能（すなわち、タイマ）を起動し、時間の計測を開始する（Ｓ２５）。

次に、制御部１３は、電圧検出回路１２から入力される（電気信号の）電圧値がＶＩＬ以下になると、タイマを停止する（Ｓ２６）。

このとき、タイマにて計測された時間は、立ち下がり時間である。制御部１３は、立ち下がり時間を計測することができる。

（７）立ち上がり時間が規定の範囲内か否かの判定
次に、制御部１３は、上述のＳ７と同様、タイマで計測された時間（すなわち、立ち下がり時間）が規定の時間範囲内か否かを判定する（Ｓ２７）。

具体的には、制御部１３は、タイマで計測された立ち下がり時間が最小時間ＭＩＮ＿Ｂ〜最大時間ＭＡＸ＿Ｂの間の時間か否かを判定する。

（８）立ち下がり時間が規定の範囲内でないときの抵抗値変更処理等
（８−１）抵抗値を所定の回数、調整したか否かの判別
次に、制御部１３は、立ち下がり時間が規定の時間範囲内でない場合（Ｓ２７でＮｏの場合）、上述のＳ８と同様、プルダウン抵抗回路の抵抗値を調整した回数（上述のＳ１０、Ｓ１１で動作したカウンタの値）が最大試行回数となっているか否かを判別する（Ｓ２８）。

次に、制御部１３は、上述の抵抗値を調整した回数が最大試行回数となっていない場合（Ｓ２８でＮｏの場合）、上述のＳ２５、Ｓ２６で求めた立ち下がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ｂより長いのか、若しくは、最小時間ＭＩＮ＿Ｂよりも短いのかを判別する（Ｓ２９）。

（８−２）立ち下がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ｂより長いときの抵抗値変更処理
次に、制御部１３は、上述のＳ２９において、立ち下がり時間が最大時間ＭＡＸ＿Ｂより長いと判別した場合（Ｓ２９でＮｏの場合）、立ち下がり時間が短くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を大きくする制御を行う（Ｓ３０）。

具体的には、制御部１３は、上述のＳ１０と同じ処理を行う。また、制御部１３は、上述のＳ１０と同じ処理を行うと、自身に備わるカウンタの値を１つインクリメントする。プルダウン抵抗回路の抵抗値を調整した回数をカウントする為である。

（８−３）立ち上がり時間は最小時間ＭＩＮ＿Ｂより短いときの抵抗値変更処理
次に、制御部１３は、上述のＳ２９において、立ち下がり時間は最小時間ＭＩＮ＿Ｂより短いと判別した場合（Ｓ２９でＹｅｓの場合）、立ち下がり時間が長くなるよう、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を小さくする制御を行う（Ｓ３１）。

具体的には、制御部１３は、上述のＳ１１と同じ処理を行う。また、制御部１３は、上述のＳ１１と同じ処理を行うと、自身に備わるカウンタの値を１つインクリメントする。プルダウン抵抗回路の抵抗値を調整した回数をカウントする為である。

その後、本実施形態の制御回路は、接続されたＩＣ１６から入力される電気信号について、再度、上述のＳ３〜Ｓ３１を繰り返し、立ち上がり時間と立ち下がり時間の両方が規定の時間範囲内か否かを再度判定する。

（８−４）上述のＳ２８で最大試行回数に達した時の処理
上述のＳ３〜Ｓ３１を繰り返した結果、制御部１３は、上述のＳ２８において、カウンタ値（すなわち、抵抗値を調整した回数）が最大試行回数となった判別した場合（Ｓ２８でＹｅｓの場合）、上述のＳ８と同様、ＡＬＭ信号をＡＬＭ端子１４に出力する（Ｓ３２）。

ＡＬＭ端子１４は、図示していないが、制御部１３から入力されたアラームを示す電気信号（すなわち、ＡＬＭ信号）をＬＳＩ外部に出力し、ＬＳＩを用いて設計を行うハードウエア技術者に対して抵抗値がうまく調整できなかったことを知らせる。ＡＬＭ端子１４は、ＡＬＭ信号（電気信号）が入力されると赤色のＬＥＤを点灯させる点灯部を備えてもよい。ＡＬＭ信号が入力された点灯部は、赤色のＬＥＤを点灯させ、抵抗値がうまく調整できなかったことをハードウエア技術者に知らせる。

（９）立ち上がり時間と立ち下がり時間を規定の範囲内に収めた後に実施してもよい処理
（９−１）処理終了の有無を判別する処理とパラメータを変更する処理
制御部１３は、上述のＳ２７において、立ち下がり時間が規定の時間範囲内である場合（Ｓ２７でＹｅｓの場合）には、上述のＳ２〜Ｓ３２の処理を再実行するか否か、判別する（Ｓ３３）。

具体的には、制御部１３は、所定の時間、ＬＥＤを点滅させる信号（以下、「点滅信号」という）を一定間隔毎にＡＬＭ端子１４に出力し、所定の時間が経過するまでに、処理再実行を示す信号が入力されるか否かを判別する。

ここで、ＡＬＭ端子１４は、点滅信号が制御部１３から一定間隔毎に繰り返し入力される間は、接続する赤色のＬＥＤを点滅させ、本実施形態のＬＳＩを用いて設計を行うハードウエア技術者に対し、上述のＳ２〜Ｓ３２を再度実施するか判断を促してもよい。制御部１３は、図示していないが、押下されると、処理再実行を示す信号を制御部１３に出力する再開ボタンに接続されている。ハードウエア技術者は、上述のＳ２〜Ｓ３２を再度実施したい場合には、赤色のＬＥＤが点滅している間に、再開ボタンを押下し、処理再実行を示す信号を制御部１３に入力する。所定の時間は、ＬＳＩ製造者によって制御部１３に予め設定される。所定の時間は、十分に長い時間が好ましい。

次に、制御部１３は、上述のＳ３３において、所定の時間が経過するまでに、処理再実行を示す信号が入力されない場合（Ｓ３３でＮｏの場合）には、処理を終了する。

一方、制御部１３は、所定の時間が経過するまでに、処理再実行を示す信号が入力された場合（Ｓ３３でＹｅｓの場合）、点滅信号を出力することを止め、Ｓ２に戻り、各ＦＥＴに対して電圧を印加した上で再度Ｓ２〜Ｓ３３を実施する。

なお、制御部１３がマイコンによって動作している場合、制御部１３（マイコン）は、Ｓ２に戻る前に、パラメータ値（すなわち、ＶＩＬ、ＶＩＨ、最大時間ＭＡＸ＿Ａ、最小時間ＭＩＮ＿Ａ、最大時間ＭＡＸ＿Ｂ、最小時間ＭＩＮ＿Ｂ）を変更してもよい（Ｓ３４）。

具体的には、制御部１３（マイコン）は、上述のＳ３３を実施した後、上述のパラメータ値が入力されるのを一定時間待つ。一定時間の間にハードウエア技術者は、一般的な開発統合環境ソフトウエアを用いて上記パラメータ値を制御部１３（マイコン）に入力する。制御部１３（マイコン）は、上記パラメータ値が入力されると、入力されたパラメータ値を自身に設定し、再度Ｓ２〜Ｓ３３を実施する。制御部１３（マイコン）は、一定時間待っても、何も入力されなければ、それまでパラメータ値を変更することなく、再度Ｓ２〜Ｓ３３を実施する。

上述のＳ３４は、制御部１３がマイコンによって機能を実現される場合に実施可能である。その為、制御部１３は、Ｓ３４を省略してもよい。

なお、制御部１３は、Ｓ３４において、パラメータ値入力を一定時間待つ間、ハードウエア技術者により再開ボタンが押下されたときには、Ｓ３〜Ｓ３４の処理を実施してもよい。その場合、制御部１３は、Ｓ２を実施しないので、プルダウン抵抗回路１１の抵抗値を初期化せず、それまでと同じ抵抗値でＳ３〜Ｓ３４の処理を実施する。

（９−２）Ｓ３３について
制御部１３は、立ち下がり時間が規定の時間範囲内である場合（Ｓ２７でＹｅｓの場合）には、上述のＳ３３を実施せず、そのまま処理を終了してもよい。

（９−３）Ｓ３〜Ｓ１１とＳ２３〜Ｓ３１について
さらに、ＬＳＩ本体１５が、立ち上がり時間、立ち下がり時間の一方のみを規定内に収めればよいものであった場合、本実施形態の制御回路は、Ｓ３〜Ｓ１１、又は、Ｓ２３〜Ｓ３１のいずれかを繰り返し実施してもよい。その場合、本実施形態の制御回路には、ＬＳＩ製造者によって、Ｓ３〜Ｓ１１を示す情報、若しくはＳ２３〜Ｓ３１を示す情報が設定される。本実施形態の制御回路は、Ｓ３〜Ｓ１１を示す情報が設定されている場合には、Ｓ３〜Ｓ１１を実施し、Ｓ２３〜Ｓ３１を示す情報が設定されている場合には、Ｓ２３〜Ｓ３１を実施する。

（９−４）本実施形態の制御回路について
上記では、本実施形態の制御回路は、ＬＳＩの中に備わる場合を記載したが、ＬＳＩの外に備わっていてもよい。

［効果の説明］
本実施形態によれば、ハードウエア技術者は、ＬＳＩに入力される高周波信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定の範囲内になるように抵抗値を調整する手間を減らし、開発工数を削減することができる。

なぜならば、本実施形態のＬＳＩに含まれる制御回路が、ＬＳＩ本体に入力される高周波信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定される範囲内となるよう抵抗値を調整し、調整できない場合には、ＡＬＭ信号を出力するからである。ハードウエア技術者は、電子基板に実装した本実施形態のＬＳＩのうち、ＡＬＭ信号を出力しているＬＳＩについてだけ、抵抗値を調整すればよい。その為、ハードウエア技術者は、電子基板に実装したＬＳＩ全てについて、必ずしも抵抗値を調整する必要がなく、その分、抵抗値を調整する手間を減らせ、開発工数を削減できる。

≪第２の実施の形態≫
図６は、本発明の第２の実施の形態における制御回路の構成例を示す図である。以下に、第２の実施の形態の制御回路の構成と動作について説明する。

［構成の説明］
（１）第２の実施形態の制御回路の構成
本実施形態の制御回路２０は、図６に示されるように、集積回路２１に接続される。集積回路２１は、一般的なＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）であってもよい。

また、本実施形態の制御回路２０には、図６に示されるように、電気信号が入力される。上述の電気信号は、一般的な信号源から出力される高周波信号であってもよい。

本実施形態の制御回路２０は、図６に示されるように、導線２００と、抵抗回路２０１と、計測部２０２と、制御部２０３と、を備える。

（２）本実施形態の制御回路の各部位の機能
導線２００は、入力される電気信号を、接続される集積回路２１に伝える導線である。

抵抗回路２０１は、導線２００に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な回路である。

計測部２０２は、抵抗回路２０１と集積回路２１間の導線２００を伝わる電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から所定の第４の電圧値になるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測する。

上述の第２の電圧値は、上述の第１の電圧値よりも大きな電圧値である。また、上述の第４の電圧値は、上述の前記第３の電圧値よりも小さい電圧値である。第１〜第４の各電圧値は、本実施形態の制御回路２０を用いるハードウエア技術者によって、予め計測部２０２に設定される。

ハードウエア技術者は、集積回路２１のデータシートを確認し、立ち上がり時間を規定する電圧値（例えば、上述の「（３−４）ＬＳＩ本体１５の機能」で上述したＶＩＬ、ＶＩＨ）を第１、２の電圧値として計測部２０２に設定する。また、ハードウエア技術者は、集積回路２１のデータシートを確認し、立ち下がり時間を規定する電圧値（例えば、ＶＩＨ、ＶＩＬ）を第３、第４の電圧値として計測部２０２に設定する。

制御部２０３は、計測部２０２が計測した時間の少なくともいずれか（例えば、立ち上がり時間）が所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量小さな値に変更する。また、制御部２０３は、計測部２０２が計測した時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量大きな値に変更する。

ハードウエア技術者は、集積回路２１のデータシートを確認し、規定される立ち上がり時間の時間範囲と、規定される立ち下がり時間の時間範囲と、に共通する時間範囲を、所定の時間範囲として制御部２０３に設定する。具体的には、ハードウエア技術者は、共通する時間範囲の最小時間と最大時間を、所定の時間範囲の最小時間と最大時間として制御部２０３に設定する。時間範囲が、１００ｎｓ〜５００ｎｓである場合、その最小時間は１００ｎｓで、最大時間は５００ｎｓである。

制御部２０３は、抵抗回路２０１の抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する。例えば、制御部２０３は、抵抗回路２０１の抵抗値を所定回数変更したときには、調整不可を示す信号を出力してもよい。所定回数は、ハードウエア技術者によって、予め制御部２０３に設定される。

[動作の説明]
次に、本実施形態のシステムの動作を説明する。

まず、本実施形態の制御回路２０に、接続される信号源（図示せず）から電気信号（高周波信号）が入力されたとする。

（Ｉ）そのとき、本実施形態の制御回路２０の計測部２０２は、抵抗回路２０１と集積回路２２間の導線２００を伝わる電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間を計測する。

（ＩＩ）次に、本実施形態の制御回路２０の制御部２０３は、計測部２０２が計測した立ち上がり時間が所定の時間範囲の最小時間（例えば１００ｎｓ）よりも短いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量小さな値に変更する。立ち上がり時間を長くする為である。また、制御部２０３は、計測部２０２が計測した立ち上がり時間が所定の時間範囲の最大時間（例えば５００ｎｓ）よりも長いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量大きな値に変更する。立ち上がり時間を短くする為である。

計測部２０２と制御部２０３は、上述の（Ｉ）、（ＩＩ）の処理を繰り返す。

（ＩＩＩ）制御部２０３は、上述の（Ｉ）、（ＩＩ）の処理を繰り返し、抵抗回路２０１の抵抗値を所定回数変更しても、立ち上がり時間が所定の時間範囲内にならない場合には、調整不可を示す信号を出力する。

調整不可を示す信号により、集積回路２１を用いて設計を行うハードウエア技術者は、本実施形態の制御回路２０が抵抗値をうまく調整できなかったことを知ることができる。ハードウエア技術者は、基板上の複数の集積回路２１のうち、調整不可を示す信号を出力した本実施形態の制御回路２０に接続されている集積回路２１についてのみ、抵抗値を調整すればよい。ハードウエア技術者は、基板上の全ての集積回路２１について必ずしも抵抗値を調整する必要がない。

なお、計測部２０２は、上述の（Ｉ）において、立ち上がり時間を計測する代わりに、電気信号の電圧値が、所定の第３の電圧値から所定の第４の電圧値になるまでの立ち下がり時間を計測してもよい。その場合、制御部２０３は、上述の（ＩＩ）において、計測した立ち下がり時間が所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量小さな値に変更する。制御部２０３は、（計測部２０２が計測した）立ち下がり時間が所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量大きな値に変更する。

また、計測部２０２は、上述の（Ｉ）において、上述の立ち上がり時間と立ち下がり時間の両方を計測してよい。その場合、立ち上がり時間と立ち下がり時間の両方を計測した場合には、制御部２０３は、上述の（ＩＩ）において、以下の処理を実施する。

・制御部２０３は、（計測部２０２が計測した）立ち上がり時間と立ち下がり時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量小さな値に変更する。また、制御部２０３は、（計測部２０２が計測した）立ち上がり時間と立ち下がり時間の少なくともいずれかがが所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、抵抗回路２０１の抵抗値を一定量大きな値に変更する。

なお、上述の集積回路２１が、立ち上がり時間のみを規定するものであった場合、ハードウエア技術者は、規定される立ち上がり時間の時間範囲を所定の時間範囲として制御部２０３に設定してもよい。具体的には、ハードウエア技術者は、規定される立ち上がり時間の時間範囲の最大時間と最小時間を、制御部２０３に設定する。

同様に、上述の集積回路２１が、立ち下がり時間のみを規定するものであった場合、ハードウエア技術者は、規定される立ち下がり時間の時間範囲を所定の時間範囲として制御部２０３に設定してもよい。具体的には、ハードウエア技術者は、規定される立ち下がり時間の時間範囲の最大時間と最小時間を、制御部２０３に設定する。

［効果の説明］
本実施形態によれば、ハードウエア技術者は、集積回路に入力される高周波信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定の範囲内になるように抵抗値を調整する手間を減らし、開発工数を削減することができる。

なぜならば、本実施形態の制御回路が、集積回路に入力される高周波信号の立ち上がり時間や立ち下がり時間が規定される範囲内となるよう抵抗値を調整し、調整できない場合には、ＡＬＭ信号を出力するからである。ハードウエア技術者は、電子基板に実装した集積回路のうち、ＡＬＭ信号を出力した制御回路に接続されている集積回路についてだけ、抵抗値を調整すればよい。その為、ハードウエア技術者は、電子基板に実装した集積回路全てについて、必ずしも抵抗値を調整する必要がなく、その分、抵抗値を調整する手間を減らせ、開発工数を削減できる。

以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

この出願は、２０１４年９月９日に出願された日本出願特願２０１４−１８２８３６を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

さらに、上記の各実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
（付記１）
入力される電気信号を、接続される集積回路に伝える導線と、
前記導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、
前記抵抗回路と前記集積回路間の前記導線を伝わる前記電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から、前記第３の電圧値よりも小さい所定の第４の電圧値になるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測する計測手段と、
前記計測手段が計測した時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記計測手段が計測した時間の少なくともいずれかが前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する、
ことを特徴とする制御回路。
（付記２）
前記第１の電圧値は、前記集積回路を動作させる所定の動作電圧値の第１の割合に対応する電圧値であり、
前記第２の電圧値は、前記動作電圧値の第２の割合に対応する電圧値であり、
前記第２の割合は、前記第１の割合よりも大きく、
前記第３の電圧値は、前記動作電圧値の第３の割合に対応する電圧値であり、
前記第４の電圧値は、前記動作電圧値の第４の割合に対応する電圧値であり、
前記第４の割合は、前記第３の割合よりも小さい、
ことを特徴とする付記１に記載の制御回路。
（付記３）
前記計測手段は、前記立ち上がり時間と前記立ち下がり時間の両方を計測し、
前記制御手段は、前記立ち上がり時間が前記立ち上がり時間に係る所定の第１種時間範囲の最小時間よりも短いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記立ち下がり時間に係る所定の第２種時間範囲の最小時間よりも短いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記立ち上がり時間が前記第１種時間範囲の最大時間よりも長いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記第２種時間範囲の最大時間よりも長いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
ことを特徴とする付記１乃至２のいずれか１項に記載の制御回路。
（付記４）
前記抵抗回路は、複数の抵抗と、第１の前記抵抗の第１端と第２の前記抵抗の第１端を接続する第１種スイッチと、第１の前記抵抗の第２端と第２の前記抵抗の第２端を接続する第１種スイッチと、第１の前記抵抗の第２端と第２の前記抵抗の第１端を接続する第２種スイッチと、を備え、
前記制御手段は、前記第１種スイッチを接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記第２種スイッチを接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
ことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の制御回路。
（付記５）
前記所定の信号は、抵抗値の調整ができなかったことを示す信号である、
ことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の制御回路。
（付記６）
前記抵抗回路と前記集積回路間の前記導線を伝わる前記電気信号の電圧値を測定する電圧検出手段を備え、
前記計測手段は、前記電圧検出手段により測定される測定電圧値が前記第１の電圧値から前記第２の電圧値になるまでの前記立ち上がり時間、前記測定電圧値が前記第３の電圧値から前記第４の電圧値になるまでの前記立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測する、
ことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の制御回路。
（付記７）
集積回路に接続する導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、前記集積回路と、の間の前記導線を伝わる電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から、前記第３の電圧値よりも小さい所定の第４の電圧値に前記電圧値がなるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測し、
計測された前記時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、計測された前記時間の少なくともいずれかが前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更し、
前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する、
ことを特徴とする制御方法。
（付記８）
前記第１の電圧値は、前記集積回路を動作させる所定の動作電圧値の第１の割合に対応する電圧値であり、
前記第２の電圧値は、前記動作電圧値の第２の割合に対応する電圧値であり、
前記第２の割合は、前記第１の割合よりも大きく、
前記第３の電圧値は、前記動作電圧値の第３の割合に対応する電圧値であり、
前記第４の電圧値は、前記動作電圧値の第４の割合に対応する電圧値であり、
前記第４の割合は、前記第３の割合よりも小さい、
ことを特徴とする付記７に記載の制御方法。
（付記９）
前記立ち上がり時間と前記立ち下がり時間の両方を計測し、
前記立ち上がり時間が前記立ち上がり時間に係る所定の第１種時間範囲の最小時間よりも短いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記立ち下がり時間に係る所定の第２種時間範囲の最小時間よりも短いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記立ち上がり時間が前記第１種時間範囲の最大時間よりも長いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記第２種時間範囲の最大時間よりも長いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
ことを特徴とする付記７乃至８のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記１０）
前記抵抗回路に備わる第１の抵抗の第１端と第２の抵抗の第１端を接続し、さらに前記第１の抵抗の第２端と前記第２の前記抵抗の第２端を接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記第１の抵抗の第２端と前記第２の抵抗の第１端を接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
ことを特徴とする付記７乃至９のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記１１）
前記所定の信号は、抵抗値の調整ができなかったことを示す信号である、
ことを特徴とする付記７乃至１０のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記１２）
前記スイッチは、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備える、
ことを特徴とする付記４乃至５のいずれか１項に記載の制御回路。

１０ 受信端子
１１ プルダウン抵抗回路
１２ 電圧検出回路
１３、２０３ 制御部
１４ ＡＬＭ端子
１５ ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）本体
１６ ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）
２０ 制御回路
２１ 集積回路
１００＿１〜１００＿ｎ 抵抗
１０１＿１〜１０１＿（ｎ−１）、１０２＿１〜１０２＿（ｎ−１）、１０３＿１〜１０３＿（ｎ−１） ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
２００ 導線
２０１ 抵抗回路
２０２ 計測部

Claims (10)

1. 入力される電気信号を、接続される集積回路に伝える導線と、
   前記導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、
   前記抵抗回路と前記集積回路間の前記導線を伝わる前記電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から、前記第３の電圧値よりも小さい所定の第４の電圧値になるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測する計測手段と、
   前記計測手段が計測した時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記計測手段が計測した時間の少なくともいずれかが前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する制御手段と、を備え、
   前記制御手段は、前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する、
   ことを特徴とする制御回路。
2. 前記第１の電圧値は、前記集積回路を動作させる所定の動作電圧値の第１の割合に対応する電圧値であり、
   前記第２の電圧値は、前記動作電圧値の第２の割合に対応する電圧値であり、
   前記第２の割合は、前記第１の割合よりも大きく、
   前記第３の電圧値は、前記動作電圧値の第３の割合に対応する電圧値であり、
   前記第４の電圧値は、前記動作電圧値の第４の割合に対応する電圧値であり、
   前記第４の割合は、前記第３の割合よりも小さい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の制御回路。
3. 前記計測手段は、前記立ち上がり時間と前記立ち下がり時間の両方を計測し、
   前記制御手段は、前記立ち上がり時間が前記立ち上がり時間に係る所定の第１種時間範囲の最小時間よりも短いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記立ち下がり時間に係る所定の第２種時間範囲の最小時間よりも短いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記立ち上がり時間が前記第１種時間範囲の最大時間よりも長いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記第２種時間範囲の最大時間よりも長いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
   ことを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載の制御回路。
4. 前記抵抗回路は、複数の抵抗と、第１の前記抵抗の第１端と第２の前記抵抗の第１端を接続する第１種スイッチと、第１の前記抵抗の第２端と第２の前記抵抗の第２端を接続する第１種スイッチと、第１の前記抵抗の第２端と第２の前記抵抗の第１端を接続する第２種スイッチと、を備え、
   前記制御手段は、前記第１種スイッチを接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記第２種スイッチを接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の制御回路。
5. 前記所定の信号は、抵抗値の調整ができなかったことを示す信号である、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の制御回路。
6. 前記抵抗回路と前記集積回路間の前記導線を伝わる前記電気信号の電圧値を測定する電圧検出手段を備え、
   前記計測手段は、前記電圧検出手段により測定される測定電圧値が前記第１の電圧値から前記第２の電圧値になるまでの前記立ち上がり時間、前記測定電圧値が前記第３の電圧値から前記第４の電圧値になるまでの前記立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測する、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の制御回路。
7. 集積回路に接続する導線に接続され、且つ、接地された、抵抗値が変更可能な抵抗回路と、前記集積回路と、の間の前記導線を伝わる電気信号の電圧値が、所定の第１の電圧値から、前記第１の電圧値よりも大きな所定の第２の電圧値になるまでの立ち上がり時間、所定の第３の電圧値から、前記第３の電圧値よりも小さい所定の第４の電圧値に前記電圧値がなるまでの立ち下がり時間のいずれか、又は両方を計測し、
   計測された前記時間の少なくともいずれかが所定の時間範囲の最小時間よりも短いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、計測された前記時間の少なくともいずれかが前記所定の時間範囲の最大時間よりも長いときには、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更し、
   前記抵抗値を所定回数変更したことに応じて所定の信号を出力する、
   ことを特徴とする制御方法。
8. 前記第１の電圧値は、前記集積回路を動作させる所定の動作電圧値の第１の割合に対応する電圧値であり、
   前記第２の電圧値は、前記動作電圧値の第２の割合に対応する電圧値であり、
   前記第２の割合は、前記第１の割合よりも大きく、
   前記第３の電圧値は、前記動作電圧値の第３の割合に対応する電圧値であり、
   前記第４の電圧値は、前記動作電圧値の第４の割合に対応する電圧値であり、
   前記第４の割合は、前記第３の割合よりも小さい、
   ことを特徴とする請求項７に記載の制御方法。
9. 前記立ち上がり時間と前記立ち下がり時間の両方を計測し、
   前記立ち上がり時間が前記立ち上がり時間に係る所定の第１種時間範囲の最小時間よりも短いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記立ち下がり時間に係る所定の第２種時間範囲の最小時間よりも短いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記立ち上がり時間が前記第１種時間範囲の最大時間よりも長いとき、若しくは、前記立ち下がり時間が前記第２種時間範囲の最大時間よりも長いときに、前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
   ことを特徴とする請求項７乃至８のいずれか１項に記載の制御方法。
10. 前記抵抗回路に備わる第１の抵抗の第１端と第２の抵抗の第１端を接続し、さらに前記第１の抵抗の第２端と前記第２の前記抵抗の第２端を接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量小さな値に変更し、前記第１の抵抗の第２端と前記第２の抵抗の第１端を接続することで前記抵抗回路の前記抵抗値を一定量大きな値に変更する、
    ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の制御方法。

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