JPWO2016006711A1 - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

下記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）で表される化合物は、低電圧で駆動しても、発光効率が高く、且つ長寿命の有機ＥＬ素子を実現することができる有機ＥＬ素子用材料として有用である。（上記式中、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、明細書中で定義したとおりである。）

Description

本発明は、化合物、該化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器に関する。
一般に、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた発光層を含む１層以上の有機薄膜層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。そのため、有機ＥＬ素子の高効率化のためには、電子又は正孔を効率よく発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を容易にする化合物の開発が重要である。
また、より低い電圧で有機ＥＬ素子を駆動することは、消費電力の低減に効果的であり、さらに、発光効率と素子寿命の改善にも効果的である。この駆動電圧の低下には、電子及び／又は正孔に対する高い移動度を有する電荷輸送材料が必要であり、このような電荷輸送材料の提案が様々行われている。
国際公開第２０１３／１８２２６３号 国際公開第２０１４／０１５９３５号 国際公開第２０１４／０１５９３７号 国際公開第２０１１／０２１５２０号
本発明は、低電圧で駆動しても、発光効率が高く、且つ長寿命の有機ＥＬ素子及びこれを実現することができる有機ＥＬ素子用材料を提供すること目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）で表される化合物が高い正孔移動度を示すことを見出した。また、該化合物を用いることにより、低電圧駆動が可能で、発光効率が高く、長寿命の有機ＥＬ素子が得られることを見出した。
すなわち、本発明の一態様によれば、下記［１］〜［４］が提供される。
［１］下記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）で表される、化合物。
〔式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基を表す。Ｒ１〜Ｒ４が複数存在する場合、該複数のＲ１〜Ｒ４は、互いに同一でも異なっていてもよい。
ｋ３、ｋ４は、それぞれ独立に、０〜５の整数であり、ｍ２は、０〜４の整数であり、ｎ１は、０〜３の整数である。
Ｌ０〜Ｌ２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、下記一般式（ａ）〜（ｃ）のいずれかで表される基である。

（式（ａ）〜（ｃ）において、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、上記Ｒ１の規定と同じであり、Ｒ５及びＲ６が複数存在する場合、該複数のＲ５及びＲ６は、互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ５及びＲ６が、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、ｎ５は、それぞれ独立に、０〜３の整数である。＊は、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子、Ｌ１、又はＬ２との結合位置を示す。）〕
［２］上記［１］に記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
［３］陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された一層以上の有機薄膜層を有し、該一層以上の有機薄膜層が発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が、上記［１］に記載の化合物を含む層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
［４］上記［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。
前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）で表される化合物を有機ＥＬ素子用材料として用いることで、低電圧で駆動しても、発光効率が高く、且つ長寿命の有機ＥＬ素子が得られる。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
また、本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
また、本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
本明細書中において、「ヘテロアリール基」及び「ヘテロアリーレン基」は、環形成原子として、少なくとも１つのヘテロ原子を含む基であり、該へテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子から選ばれる１種以上であることが好ましい。
また、「置換もしくは無置換」との記載における置換基としては、炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基；環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、更に好ましくは５又は６）のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基を有する炭素数７〜５１（好ましくは７〜３０、より好ましくは７〜２０）のアラルキル基；アミノ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基を有するアルコキシ基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基を有するアリールオキシ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基；環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３）のヘテロアリール基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のハロアルキル基；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基；アルキルスルホニルオキシ基；アリールスルホニルオキシ基；アルキルカルボニルオキシ基；アリールカルボニルオキシ基；ホウ素含有基；亜鉛含有基；スズ含有基；ケイ素含有基；マグネシウム含有基；リチウム含有基；ヒドロキシ基；アルキル置換又はアリール置換カルボニル基；カルボキシル基；ビニル基；（メタ）アクリロイル基；エポキシ基；並びにオキセタニル基からなる群より選ばれる基であることが好ましい。
これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。
また、「置換もしくは無置換」との記載における「無置換」とは、これらの置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
上記置換基の中でも、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、更に好ましくは５又は６）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３）のヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基である。
本明細書中、好ましいとする規定は任意に選択することができ、また、好ましいとする規定の組み合わせはより好ましい態様と言える。
［化合物］
本発明の一態様において、下記一般式（Ａ−０）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ）」ともいう）、及び、下記一般式（Ｂ−０）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ）」ともいう）が提供される。当該化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。
＜一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＲ１〜Ｒ４について＞
上記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）において、Ｒ１〜Ｒ４は、各式中のそれぞれのベンゼン環の置換基を表し、各ベンゼン環の炭素原子と結合する。
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜８、より好ましくは１〜３）のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８、更に好ましくは６〜１２）のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜１０、より好ましくは５〜８、更に好ましくは５又は６）のヘテロアリール基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４）のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４）のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８、更に好ましくは６〜１２）のアリールオキシ基、又はシアノ基を表す。
これらの中でも、前記一般式（Ａ−０）、（Ｂ−０）中のＲ１〜Ｒ４としては、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる基が好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。
ｋ３、ｋ４は、それぞれ独立に、０〜５の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
ｍ２は、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
ｎ１は、０〜３の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
なお、ｋ３、ｋ４、ｍ２、ｎ１が０である場合、それぞれのベンゼン環は、無置換であることを意味する。
なお、Ｒ１〜Ｒ４が複数存在する場合、該複数のＲ１〜Ｒ４は、互いに同一でも異なっていてもよい。
また、本発明の一態様において、Ｒ１〜Ｒ４から選ばれる２つが互いに結合して環構造を形成することはない。
前記炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体基を含む）、ヘキシル基（異性体基を含む）、ヘプチル基（異性体基を含む）、オクチル基（異性体基を含む）、ノニル基（異性体基を含む）、デシル基（異性体基を含む）、ウンデシル基（異性体基を含む）、及びドデシル基（異性体基を含む）等が挙げられる。
これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、及びペンチル基（異性体基を含む）が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、及びｔ−ブチル基がより好ましく、メチル基及びｔ−ブチル基が更に好ましい。
前記環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチルフェニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、フェニルナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、７−フェニル−９，９−ジメチルフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基等が挙げられる。
これらの中でも、フェニル基、ナフチルフェニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ナフチル基、及び９，９−ジメチルフルオレニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニルイル基、ナフチル基、及び９，９−ジメチルフルオレニル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。
前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基は、少なくとも１個、好ましくは１〜３個の同一又は異なるヘテロ原子（例えば、窒素原子、硫黄原子、及び酸素原子）を含む。
該ヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、及びキサンテニル基等が挙げられる。
これらの中でも、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基が好ましく、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基がより好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。これらの中でも、フッ素原子が好ましい。
前記炭素数１〜２０のフルオロアルキル基としては、例えば、上述の炭素数１〜２０のアルキル基の少なくとも１個の水素原子、好ましくは１〜７個の水素原子又はすべての水素原子をフッ素原子で置換して得られる基が挙げられる。
具体的なフルオロアルキル基としては、ヘプタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基が好ましく、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が更に好ましい。
前記炭素数１〜２０のアルコキシ基は、−ＯＲＸで表される基であって、ＲＸは、上述の炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
具体的な該アルコキシ基としては、ｔ−ブトキシ基、プロポキシ基、エトキシ基、及びメトキシ基が好ましく、エトキシ基、及びメトキシ基がより好ましく、メトキシ基が更に好ましい。
前記炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基は、−ＯＲＹで表される基であって、ＲＹは、上述の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を表す。
具体的な該フルオロアルコキシ基としては、ヘプタフルオロプロポキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、及びトリフルオロメトキシ基が好ましく、ペンタフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、及びトリフルオロメトキシ基がより好ましく、トリフルオロメトキシ基が更に好ましい。
前記環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基は、−ＯＲＺで表される基であって、ＲＺは上述の環形成炭素数６〜５０のアリール基を表す。
具体的な該アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−ビフェニルイルオキシ基、ｐ−ターフェニル−４−イルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基が好ましく、フェニルオキシ基、及び２−ナフチルオキシ基がより好ましく、フェニルオキシ基が更に好ましい。
＜一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＬ０〜Ｌ２について＞
前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）において、Ｌ０〜Ｌ２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜１０、より好ましくは５〜８、更に好ましくは５又は６）のヘテロアリーレン基である。
前記環形成炭素数６〜５０のアリーレン基としては、前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＲ１〜Ｒ４として選択し得る、上述の環形成炭素数６〜５０のアリール基から１個の水素原子を除くことにより得られる２価の基が挙げられる。
具体的な該アリーレン基としては、ターフェニルジイル基（異性体基を含む）、ビフェニルジイル基（異性体基を含む）、及びフェニレン基（異性体基を含む）が好ましく、ビフェニルジイル基（異性体基を含む）、及びフェニレン基（異性体基を含む）がより好ましく、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、及びｐ−フェニレン基が更に好ましく、ｐ−フェニレン基がより更に好ましい。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基は、少なくとも１個、好ましくは１〜３個の同一又は異なるヘテロ原子（例えば、窒素原子、硫黄原子、及び酸素原子）を含む。
当該へテロアリーレン基としては、前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＲ１〜Ｒ４として選択し得る、上述の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基から１個の水素原子を除くことにより得られる２価の基が挙げられる。
具体的な該へテロアリーレン基としては、フリレン基、チエニレン基、ピリジレン基、ピリダジニレン基、ピリミジニレン基、ピラジニレン基、トリアジニレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基が好ましく、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、及びジベンゾチオフェニレン基が好ましい。
前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＬ０は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基であることが好ましく、単結合、又は下記一般式（ｉ）及び（ii）のいずれかで表される基であることがより好ましく、単結合、又は下記一般式（ｉ）で表される基であることが更に好ましく、有機ＥＬ素子の発光効率を向上し得る正孔輸送材料とする観点からは、単結合であることがより更に好ましく、有機ＥＬ素子の寿命を向上し得る正孔輸送材料とする観点からは、下記一般式（ｉ）で表される基であることがより更に好ましい。
前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＬ１及びＬ２は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基であることが好ましく、単結合、又は下記一般式（ｉ）及び（ii）のいずれかで表される基であることがより好ましい。
上記式（ｉ）及び（ii）中、＊、＊＊は、結合位置を示す。
具体的には、＊及び＊＊の一方が前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子の結合位置を示し、他方が前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中のＡｒ１、Ａｒ２、又は９，９−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン骨格中のベンゼン環の炭素原子との結合位置を示す。
上記式（ｉ）及び（ii）中のＲは、それぞれ独立に、前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＲ１の規定と同じであり、好適な基もＲ１と同じである。なお、Ｒは、上記式（ｉ）及び（ii）中のそれぞれのベンゼン環の置換基を表し、各ベンゼン環の炭素原子と結合する。
本発明の一態様において、Ｒが複数存在する場合、該複数のＲは、互いに同一でも異なっていてもよい。また、本発明の一態様において、Ｒが複数存在する場合に、複数のＲから選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
上記の環構造を形成した式（ｉ）で表される基としては、例えば、以下に示す構造が挙げられる。

（上記式中の＊及び＊＊は、前記一般式（ｉ）に関する記載と同じである。）
上記の環構造を形成した式（ii）で表される基としては、例えば、以下に示す構造が挙げられる。

（上記式中の＊及び＊＊は、前記一般式（ii）に関する記載と同じである。）
上記式（ｉ）及び（ii）中、ｍは、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
なお、ｍが０である場合、それぞれのベンゼン環は、無置換であることを意味する。
また、上記一般式（ｉ）で表される基としては、下記一般式（ｉ−ａ）で表される基が好ましく、上記一般式（ii）で表される基としては、下記一般式（ii−ａ）又は（ii−ｂ）で表される基が好ましい。

〔上記一般式（ｉ−ａ）、（ii−ａ）、（ii−ｂ）中、Ｒ、ｍ、＊、及び＊＊は、前記一般式（ｉ）及び（ii）に関する記載と同じである。〕
＜一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中のＡｒ１、Ａｒ２について＞
前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）において、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、下記一般式（ａ）〜（ｃ）のいずれかで表される基である。
上記一般式（ａ）〜（ｃ）において、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）に記載のＲ１の規定と同じであり、好適な基もＲ１と同じである。また、Ｒ５及びＲ６は、上記一般式（ａ）〜（ｃ）中のそれぞれのベンゼン環の置換基を表し、各ベンゼン環の炭素原子と結合する。
なお、Ｒ５及びＲ６が複数存在する場合、該複数のＲ５及びＲ６は、互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ５及びＲ６が、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
上記一般式（ａ）〜（ｃ）において、ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
ｎ５は、それぞれ独立に、０〜３の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
なお、ｍ５、ｍ６、ｎ５が０である場合、それぞれのベンゼン環は、無置換であることを意味する。
上記一般式（ａ）〜（ｃ）において、＊は、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子、Ｌ１、又はＬ２との結合位置を示す。
なお、前記一般式（ｂ）及び（ｃ）については、下記式中の＊１、＊２、＊３、＊４のいずれかの炭素原子（つまり、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基の１位、２位、３位、４位のいずれかの炭素原子）と、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子、Ｌ１、又はＬ２とが結合する。
なお、本発明に一態様において、Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が、前記一般式（ｂ）又は（ｃ）で表される基であることが好ましく、Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が、下記一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）、（ｃ−１）、及び（ｃ−２）のいずれかで表される基であることがより好ましい。
上記一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）、（ｃ−１）、（ｃ−２）中、Ｒ５、Ｒ６、ｎ５、ｍ６は、前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。
また、＊は、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子、Ｌ１、又はＬ２との結合位置を示す。
さらに、本発明の一態様において、前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）中の−Ｌ１−Ａｒ１及び−Ｌ２−Ａｒ２の少なくとも一方が、下記一般式（ａ−１１）、（ａ−１２）、（ｂ−１１）〜（ｂ−１４）及び（ｃ−１１）〜（ｃ−１４）のいずれかで表される基であることがより好ましい。
上記一般式（ａ−１１）、（ａ−１２）、（ｂ−１１）〜（ｂ−１４）、（ｃ−１１）〜（ｃ−１４）中、Ｒ５、Ｒ６、ｍ５、ｎ５、ｍ６は、前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。
Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、前記一般式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）に記載のＲ１の規定と同じであり、好適な基も同じである。Ｒ７、Ｒ８が複数存在する場合、該複数のＲ７、Ｒ８は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ７から選ばれる２つ、並びに、複数のＲ７及びＲ８から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
ｍ７、ｍ８は、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
また、＊は、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子との結合位置を示す。
（本発明の一態様の化合物（Ａ）について）
本発明の一態様である化合物（Ａ）としては、下記一般式（Ａ−１）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ−１）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ａ−１）において、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ１、Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ａ−０）に関する記載と同じである。
また、化合物（Ａ）の別の一態様としては、下記一般式（Ａ−２）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ−２）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ａ−２）において、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｍ２、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ａ−０）に関する記載と同じである。
また、化合物（Ａ）の別の一態様としては、下記一般式（Ａ−３）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ−３）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ａ−３）において、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ａ−０）に関する記載と同じである。
また、化合物（Ａ）の別の一態様としては、下記一般式（Ａ−４）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ−４）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ａ−４）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、前記一般式（Ａ−０）及び前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。Ｘは、−Ｏ−又は−Ｓ−である。
なお、Ｌ１は、前記一般式（Ａ−４）中の下記式で表されるジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格中の１位、２位、３位、４位（下記式中の＊１、＊２、＊３、＊４）のいずれかの炭素原子と結合する。
また、本発明の一態様である化合物（Ａ−４）の中でも、下記一般式（Ａ−５）又は（Ａ−６）で表される化合物（以下、それぞれ「化合物（Ａ−５）」、「化合物（Ａ−６）」ともいう）がより好ましい。
前記一般式（Ａ−５）、（Ａ−６）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、前記一般式（Ａ−０）及び前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。
また、本発明の一態様である化合物（Ａ−５）、化合物（Ａ−６）の中でも、下記一般式（Ａ−７）又は（Ａ−８）で表される化合物（以下、それぞれ「化合物（Ａ−７）」、「化合物（Ａ−８）」ともいう）がより好ましい。
前記一般式（Ａ−７）、（Ａ−８）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０、Ｌ２、及びＡｒ２は、前記一般式（Ａ−０）及び前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。
Ｒ７は、前記一般式（Ａ−０）に記載のＲ１の規定と同じであり、好適な基も同じである。Ｒ７が複数存在する場合、該複数のＲ７は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ７から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
ｍ７は、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。
以下に本発明の一態様である化合物（Ａ）に属する化合物の具体例を示すが、化合物（Ａ）は、これらに限定されるものではない。
以上の中でも、化合物（Ａ）としては、好ましくは下記化合物（Ｈ−Ａ１）〜（Ｈ−Ａ１０）である。
（本発明の一態様の化合物（Ｂ）について）
本発明の一態様の化合物（Ｂ）としては、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−１）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ｂ−１）において、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ１、Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）に関する記載と同じである。
また、化合物（Ｂ）の別の一態様としては、下記一般式（Ｂ−２）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−２）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ｂ−２）において、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ１、Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）に関する記載と同じである。
Ｒ８は、前記一般式（Ｂ−０）に記載のＲ１の規定と同じであり、好適な基も同じである。Ｒ８が複数存在する場合、該複数のＲ８は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ８から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
ｍ８は、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
また、化合物（Ｂ）の別の一態様としては、下記一般式（Ｂ−３）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−３）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ｂ−３）において、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｍ２、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）に関する記載と同じである。
また、化合物（Ｂ）の別の一態様としては、下記一般式（Ｂ−４）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−４）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ｂ−４）において、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）に関する記載と同じである。
また、化合物（Ｂ）の別の一態様としては、下記一般式（Ｂ−５）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−５）」ともいう）が好ましい。
前記一般式（Ｂ−５）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）及び前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。Ｘは、−Ｏ−又は−Ｓ−である。
なお、Ｌ１は、上記一般式（Ｂ−５）中の下記式で表されるジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格中の１位、２位、３位、４位（下記式中の＊１、＊２、＊３、＊４）のいずれかの炭素原子と結合する。
また、本発明の一態様である化合物（Ｂ−５）の中でも、下記一般式（Ｂ−６）又は（Ｂ−７）で表される化合物（以下、それぞれ「化合物（Ｂ−６）」、「化合物（Ｂ−７）」ともいう）がより好ましい。
前記一般式（Ｂ−６）、（Ｂ−７）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）及び前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。
また、本発明の一態様である化合物（Ｂ−６）、化合物（Ｂ−７）の中でも、下記一般式（Ｂ−８）又は（Ｂ−９）で表される化合物（以下、それぞれ「化合物（Ｂ−８）」、「化合物（Ｂ−９）」ともいう）がより好ましい。
前記一般式（Ｂ−８）、（Ｂ−９）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０、Ｌ２、及びＡｒ２は、前記一般式（Ｂ−０）及び前記一般式（ａ）〜（ｃ）に関する記載と同じである。
Ｒ７は、前記一般式（Ｂ−０）に記載のＲ１の規定と同じであり、好適な基も同じである。Ｒ７が複数存在する場合、該複数のＲ７は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ７から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
ｍ７は、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、更に好ましくは０である。
Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。
以下に本発明の一態様である化合物（Ｂ）に属する化合物の具体例を示すが、化合物（Ｂ）は、これらに限定されるものではない。
以上の中でも、化合物（Ｂ）としては、好ましくは下記化合物（Ｈ−Ｂ１）〜（Ｈ−Ｂ１０）である。
［有機ＥＬ素子用材料］
本発明の一態様の有機ＥＬ素子用材料は、少なくとも上述の化合物（Ａ）又は化合物（Ｂ）からなるものであり、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）を併用してもよい。当該有機ＥＬ素子用材料としては、前記化合物（Ａ−１）〜（Ａ−８）及び化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）から選ばれる化合物からなるものであることが好ましい。
なお、以下の化合物（Ａ）に関する記載は、化合物（Ａ−１）〜（Ａ−８）に置き換えて読むことができ、化合物（Ｂ）に関する記載は、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−９）に置き換えて読むことができる。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子における材料として有用であり、例えば、有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間に配置された一層以上の有機薄膜層の材料として有用であり、特に、正孔輸送層の材料又は正孔注入層の材料としてより有用である。
［有機ＥＬ素子］
次に、本発明の一態様の有機ＥＬ素子について説明する。
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の（１）〜（１３）を挙げることができるが、特にこれらに限定されるものではない。なお、（８）の素子構成が好ましく用いられる。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（電子輸送層／）電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（10）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（11）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（12）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（13）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（電子輸送層／）電子注入層／陰極
図１に、本発明の一態様の有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、ホスト材料とドーパント（発光材料）を含む発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入・輸送層６等、発光層５と陰極４との間に電子注入・輸送層７等を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子障壁層を、発光層５の陰極４側に正孔障壁層を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成確率を高めることができる。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子は、陽極、陰極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有し、該一層以上の有機薄膜層が発光層を含む構成を有し、この一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が、前記一般式（Ａ−０）で表される化合物（Ａ）及び前記一般式（Ｂ−０）で表される化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上を含む層である。
前記化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）が含まれる有機薄膜層としては、陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層（正孔輸送層、正孔注入層等）、発光層、陰極と発光層との間に設けられる陰極側有機薄膜層（電子輸送層、電子注入層等）、スペース層、障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）は、有機ＥＬ素子のいずれの有機薄膜層に用いてもよいが、より低電圧での駆動の観点から、正孔注入層又は正孔輸送層に用いることが好ましく、正孔輸送層に用いることがより好ましい。
つまり、本発明の一態様の有機ＥＬ素子としては、前記一層以上の有機薄膜層が、前記化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）を含む正孔注入層、並びに、前記化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）を含む正孔輸送層の少なくとも一方を含む有機ＥＬ素子であることがより好ましい。
前記化合物（Ａ）を含む有機薄膜層（好ましくは正孔注入層又は正孔輸送層）において、前記化合物（Ａ）の含有量は、当該有機薄膜層の成分の全モル量（１００モル％）に対して、好ましくは３０〜１００モル％、より好ましくは５０〜１００モル％、更に好ましくは８０〜１００モル％であり、より更に好ましくは９５〜１００モル％である。
同様に、前記化合物（Ｂ）を含む有機薄膜層（好ましくは正孔注入層又は正孔輸送層）において、前記化合物（Ｂ）の含有量は、当該有機薄膜層の成分の全モル量（１００モル％）に対して、好ましくは３０〜１００モル％、より好ましくは５０〜１００モル％、更に好ましくは８０〜１００モル％であり、より更に好ましくは９５〜１００モル％である。
（基板）
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜１０質量％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５質量％、酸化亜鉛を０．１〜１質量％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法等により作製してもよい。
陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子の当該正孔注入層は、本発明の一態様の前記化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上を含む層であることが好ましい。
なお、当該態様の当該正孔注入層は、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上のみを含む層としてもよく、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上と下記の化合物とを組み合わせて含む層としてもよい。
正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。
高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子の当該正孔輸送層は、本発明の一態様の前記化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上を含む層であることが好ましい。
なお、当該態様の当該正孔輸送層は、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上のみを含む層としてもよく、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）から選ばれる１種以上と下記の化合物とを組み合わせて含む層としてもよい。
正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（発光層側）の２層構造にしてもよい。
この場合、本発明の一態様の化合物（Ａ）及び／又は化合物（Ｂ）は、第１正孔輸送層と第２正孔輸送層のいずれに含まれていてもよいが、第２正孔輸送層に含まれていることが好ましい。
本発明の一実施態様の有機ＥＬ素子では、正孔輸送層又は第１正孔輸送層の陽極側に電子受容性化合物（アクセプター材料）を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。
受容性化合物としては、下記式（ＥＡ）で表される化合物が好ましい。
（上記式（ＥＡ）中、Ｒ３１１〜Ｒ３１６は、それぞれ独立に、シアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ３１７（Ｒ３１７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表し、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。ただし、Ｒ３１１及びＲ３１２、Ｒ３１３及びＲ３１４、並びにＲ３１５及びＲ３１６の１又は２以上の対が互いに結合し−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。）
Ｒ３１７で表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
受容性化合物を含有する層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは５〜２０ｎｍである。
（発光層のゲスト材料）
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）等が挙げられる。
発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）等が挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）等が挙げられる。
発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）等が挙げられる。
発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））等が挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
（発光層のホスト材料）
発光層としては、上述した発光性の高い物質（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有分子軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
発光性の高い物質を分散させるための物質（ホスト材料）としては、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、もしくは亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、もしくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、もしくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４）トリアリールアミン誘導体、もしくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等の金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン等の縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢ等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、発光性の高い物質（ゲスト材料）を分散させるための物質（ホスト材料）は複数種用いることができる。
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
（３）高分子化合物を使用することができる。
具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺ等の金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等の複素芳香族化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）等を用いることができる。
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
有機ＥＬ素子の各層の形成には、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を用いることができる。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させた溶液又は分散液を用いて薄膜を形成する。また、該溶液又は分散液は成膜性向上、膜のピンホール防止等のために樹脂や添加剤を含んでいてもよい。該樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
各層の膜厚は特に限定されるものではなく、良好な素子性能が得られるように選択すればよい。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。膜厚は通常５ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜０．２μｍである。
特に、発光層の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは５〜１００ｎｍ、より好ましくは７〜７０ｎｍ、更に好ましくは１０〜５０ｎｍである。
また、正孔輸送層の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍである。
なお、正孔輸送層が上述のような２層構造である場合には、特に制限は無いが、第１正孔輸送層の膜厚は、好ましくは５０〜３００ｎｍ、より好ましくは５０〜２５０ｎｍ、更に好ましくは５０〜２００ｎｍ、より更に好ましくは５０〜１５０ｎｍであり、第２正孔輸送層の膜厚は、好ましくは５〜１００ｎｍ、より好ましくは５〜５０ｎｍ、更に好ましくは５〜３０ｎｍ、より更に好ましくは５〜２０ｎｍである。
［電子機器］
本発明の一態様の電子機器は、上述の本発明の一態様の有機ＥＬ素子を搭載したものである。
このような電子機器としては、例えば、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等が挙げられる。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。
なお、以下の合成反応を参照し、目的物に合わせた公知の代替反応や原料を用いることによって、本願の特許請求の範囲で規定の化合物を合成することが可能である。
［化合物（Ａ）及び（Ｂ）の合成に共通の中間体］
中間体合成例１−１（中間体（１−１）の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼンを２８．３ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、ジベンゾフラン−４−ボロン酸を２２．３ｇ（１０５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン１５０ｍｌ、ジメトキシエタン１５０ｍｌ、及び２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１５０ｍｌ（３００．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応混合物を分液ロートに移し、ジクロロメタンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２６．２ｇの白色固体（収率８１％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析（電界脱離質量分析）により、当該白色固体を下記中間体（１−１）と同定した。
中間体合成例１−２（中間体（１−２）の合成）
アルゴン雰囲気下、４’−ブロモアセトアニリドを２４．０ｇ（１１２．０ｍｍｏｌ）、ジベンゾフラン−４−ボロン酸を２８．６ｇ（１３５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．６ｇ（２．２４ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン４５０ｍｌ、ジメトキシエタン１００ｍｌ、２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１１０ｍｌ（２２０．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶をテトラヒドロフランに溶解させ、セライト／シリカゲルを通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣をメタノール／ヘキサンで洗浄、乾燥し、１８．０ｇの白色固体（収率５３％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（１−２）と同定した。
中間体合成例１−３（中間体（１−３）の合成）
中間体（１−２）を１８．０ｇ（５９．７ｍｍｏｌ）秤量し、キシレン１２０ｍｌ、水１２００ｍｌ、エタノール６０ｍｌを加え、攪拌した。さらに、水酸化カリウム２０．０ｇ（３６０．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応混合物を分液ロートに移し、トルエンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。得られた残渣をキシレンで再結晶化し、析出した結晶を濾取した後、乾燥し、１４．７ｇの白色結晶（収率９５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（１−３）と同定した。
中間体合成例１−４（中間体（１−４）の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ブロモビフェニルを４７．０ｇ（２０１．６ｍｍｏｌ）、ヨウ素を２３．０ｇ（９０．６ｍｍｏｌ）、過ヨウ素酸二水和物を９．４ｇ（４１．２ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、水４２ｍｌ、酢酸３６０ｍｌ、硫酸を１１ｍｌを加え、６５℃で３０分間撹拌した後、さらに９０℃で６時間撹拌した。
反応終了後、反応混合物を氷水に注入した後、ろ過した。水で洗浄後、メタノールでさらに洗浄することにより、６７．０ｇの白色固体（収率９３％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（１−４）と同定した。
中間体合成例１−５（中間体１−５の合成）
アルゴン雰囲気下、中間体（１−４）を３５．９ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、カルバゾールを１６．７ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）を０．２ｇ（１．００ｍｍｏｌ）、燐酸三カリウムを４２．４ｇ（２１０．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン２ｍｌ及び１，４−ジオキサン３００ｍｌを加え、１００℃で２０時間撹拌した。
反応終了後、反応混合物に水３００ｍｌを加えた後、分液し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２３．１ｇの白色固体（収率５８％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（１−５）と同定した。
中間体合成例１−６（中間体（１−６）の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼンを２８．３ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニルボロン酸を３０．１ｇ（１０５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ[ＰＰｈ３]４を２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン１５０ｍｌ、ジメトキシエタン１５０ｍｌ及び２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１５０ｍｌ（３００．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温に冷却し、反応混合物を分液ロートに移し、ジクロロメタンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２７．２ｇの白色固体（収率６８％)を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（１−６）と同定した。
中間体合成例２−１（中間体（２−１）の合成）
アルゴン雰囲気下、ビス（４−ブロモフェニル）アミンを３２．７ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、ジベンゾフラン−４−ボロン酸を４４．５ｇ（２１０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン２００ｍｌ、ジメトキシエタン２００ｍｌ、２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１５０ｍｌ（３００．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応物を分液ロートに移し、ジクロロメタンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３７．６ｇの白色結晶（収率７５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（２−１）と同定した。
中間体合成例２−２（中間体（２−２）の合成）
中間体合成例２−１において、ジベンゾフラン−４−ボロン酸の代わりに、ジベンゾフラン−２−ボロン酸を４４．５ｇ（２１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３９．１ｇの白色結晶（収率７８％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（２−２）と同定した。
中間体合成例２−３（中間体（２−３）の合成）
中間体合成例２−１において、ジベンゾフラン−４−ボロン酸の代わりに、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸を４７．９ｇ（２１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３７．４ｇの白色結晶（収率７０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（２−３）と同定した。
中間体合成例２−４（中間体（２−４）の合成）
中間体合成例２−１において、ジベンゾフラン−４−ボロン酸の代わりに、ジベンゾチオフェン−２−ボロン酸を４７．９ｇ（２１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３９．５ｇの白色結晶（収率７４％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（２−４）と同定した。
［化合物（Ａ）の合成］
中間体合成例Ａ−１−１（中間体（Ａ−１−１）の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼンを２８．３ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸を２３．９ｇ（１０５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン１５０ｍｌ、ジメトキシエタン１５０ｍｌ、２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１５０ｍｌ（３００．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応混合物を分液ロートに移し、ジクロロメタンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２７．１ｇの白色固体（収率８０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（Ａ−１−１）と同定した。
中間体合成例Ａ−１−２（中間体（Ａ−１−２）の合成）
アルゴン雰囲気下、４’−ブロモアセトアニリドを２４．０ｇ（１１２．０ｍｍｏｌ）、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸を３０．８ｇ（１３５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．６ｇ（２．２４ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン４５０ｍｌ、ジメトキシエタン１００ｍｌ、２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１１０ｍｌ（２２０．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、析出した結晶をろ過した。得られた結晶をテトラヒドロフランに溶解させ、セライト／シリカゲルを通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣をメタノール／ヘキサンで洗浄、乾燥し、１７．８ｇの白色固体（収率５０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（Ａ−１−２）と同定した。
中間体合成例Ａ−１−３（中間体（Ａ−１−３）の合成）
中間体（Ａ−１−２）を１８．０ｇ（５６．１ｍｍｏｌ）秤量し、キシレン１２０ｍｌ、水１２００ｍｌ、エタノール６０ｍｌを加え、攪拌した。さらに、水酸化カリウム２０．０ｇ（３６０．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応混合物を分液ロートに移し、トルエンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。得られた残渣をキシレンで再結晶化し、析出した結晶を濾取した後、乾燥し、１４．７ｇの白色結晶（収率９５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（Ａ−１−３）と同定した。
中間体合成例Ａ−１−４（中間体（Ａ−１−４）の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−９,９'−ジフェニルフルオレンを３９．７ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸を１６．４ｇ（１０５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン１５０ｍｌ、ジメトキシエタン１５０ｍｌ及び２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１５０ｍｌ（３００．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温に冷却し、反応混合物を分液ロートに移しジクロロメタンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３２．２ｇの白色固体（収率７５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（Ａ−１−４）と同定した。
中間体合成例Ａ−２−１（中間体（Ａ−２−１）の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンを１９．９ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、中間体（１−３）を１３．０ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウムを９．６ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、脱水トルエン２５０ｍｌを加え、撹拌した。さらに、酢酸パラジウム２２５ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２０２ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、反応混合物をセライト／シリカゲルを通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣をトルエンで再結晶化し、析出した結晶を濾取した後、乾燥し、２３．９ｇの白色結晶（収率８３％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（Ａ−２−１）と同定した。
中間体合成例Ａ−２−２（中間体（Ａ−２−２）の合成）
中間体合成例Ａ−２−１において、中間体（１−３）の代わりに、中間体（Ａ−１−３）を１３．８ｇ用いた以外は、同様に反応を行ったところ、２３．７ｇの白色結晶（収率８０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（Ａ−２−２）と同定した。
合成実施例Ａ−１（化合物（Ｈ−Ａ１）の合成）
アルゴン雰囲気下、中間体（１−１）を３．２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、中間体（Ａ−２−１）を５．８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．１４ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３ＨＢＦ４を０．０８７ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウムを１．９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、無水キシレン５０ｍｌを加えて８時間加熱還流した。
反応終了後、反応混合物を５０℃まで冷却し、セライト／シリカゲルを通して濾過を行い、濾液を濃縮した。得られた濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した後、トルエンを用いて再結晶化し、２．９ｇの白色結晶（収率３５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ１）と同定した。
合成実施例Ａ−２（化合物（Ｈ−Ａ２）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（Ａ−１−１）を３．４ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（Ａ−２−２）を５．９ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、４．４ｇの白色結晶（収率５２％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ２）と同定した。
合成実施例Ａ−３（化合物（Ｈ−Ａ３）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（１−５）を４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、４．２ｇの白色結晶（収率４７％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ３）と同定した。
合成実施例Ａ−４（化合物（Ｈ−Ａ４）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、４−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンを４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（２−２）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．３ｇの白色結晶（収率４０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ４）と同定した。
合成実施例Ａ−５（化合物（Ｈ−Ａ５）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、４−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンを４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（２−４）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．７ｇの白色結晶（収率４３％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ５）と同定した。
合成実施例Ａ−６（化合物（Ｈ−Ａ６）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（Ａ−１−４）を４．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（２−１）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．４ｇの白色結晶（収率３８％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ６）と同定した。
合成実施例Ａ−７（化合物（Ｈ−Ａ７）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（Ａ−１−４）を４．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（２−２）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．３ｇの白色結晶（収率３７％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ７）と同定した。
合成実施例Ａ−８（化合物（Ｈ−Ａ８）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（Ａ−１−４）を４．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（２−３）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、４．２ｇの白色結晶（収率４５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ８）と同定した。
合成実施例Ａ−９（化合物（Ｈ−Ａ９）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（Ａ−１−４）を４．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、中間体（Ａ−２−１）の代わりに、中間体（２−４）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．２ｇの白色結晶（収率３５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ９）と同定した。
合成実施例Ａ−１０（化合物（Ｈ−Ａ１０）の合成）
合成実施例Ａ−１において、中間体（１−１）の代わりに、中間体（１−６）を４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、２．５ｇの白色結晶（収率２８％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ａ１０）と同定した。
［化合物（Ｂ）の合成］
中間体合成例Ｂ−１−１（中間体（Ｂ−１−１）の合成）
アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンを３９．７ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、４−クロロフェニルボロン酸を１６．４ｇ（１０５．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４を２．３１ｇ（２．００ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、トルエン１５０ｍｌ、ジメトキシエタン１５０ｍｌ、２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液１５０ｍｌ（３００．０ｍｍｏｌ）を加え、１０時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応物を分液ロートに移し、ジクロロメタンを用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３４．３ｇの白色固体（収率８０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色固体を下記中間体（Ｂ−１−１）と同定した。
中間体合成例Ｂ−２−１（中間体（Ｂ−２−１）の合成）
アルゴン雰囲気下、中間体（１−３）を１３．０ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、中間体（１−５）を１９．９ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウムを９．６ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、脱水トルエン２５０ｍｌを加え、撹拌し、さらに酢酸パラジウム２２５ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２０２ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃にて８時間反応させた。
反応終了後、室温まで冷却し、反応物をセライト／シリカゲルを通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣をトルエンで再結晶化し、析出した結晶を濾取した後、乾燥し、１８．７ｇの白色結晶（収率６５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（Ｂ−２−１）と同定した。
中間体合成例Ｂ−２−２（中間体（Ｂ−２−２）の合成）
アルゴン雰囲気下、３−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンを１９．９ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、中間体（１−３）を１３．０ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウムを９．６ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、脱水トルエン２５０ｍｌを加え、撹拌した。さらに、酢酸パラジウム２２５ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２０２ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、反応混合物をセライト／シリカゲルを通して濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣をトルエンで再結晶化し、析出した結晶を濾取した後、乾燥し、２３．９ｇの白色結晶（収率８３％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記中間体（Ｂ−２−２）と同定した。
合成実施例Ｂ−１（化合物（Ｈ−Ｂ１）の合成）
アルゴン雰囲気下、中間体（２−１）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンを４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．１４ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３ＨＢＦ４を０．０８７ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウムを１．９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、無水キシレン５０ｍｌを加えて８時間加熱還流した。
反応終了後、反応物を５０℃に冷却し、セライト／シリカゲルを通して濾過を行い、濾液を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した後、トルエンを用いて再結晶化し、３．３ｇの白色結晶（収率４０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ１）と同定した。
合成実施例Ｂ−２（化合物（Ｈ−Ｂ２）の合成）
合成実施例Ｂ−１において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（２−２）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．７ｇの白色結晶（収率４５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ２）と同定した。
合成実施例Ｂ−３（化合物（Ｈ３）の合成）
合成実施例Ｂ−１において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（２−３）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．６ｇの白色結晶（収率４２％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ３）と同定した。
合成実施例Ｂ−４（化合物（Ｈ−Ｂ４）の合成）
合成実施例Ｂ−１において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（２−４）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．２ｇの白色結晶（収率３８％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ４）と同定した。
合成実施例Ｂ−５（化合物（Ｈ−Ｂ５）の合成）
合成実施例Ｂ−１において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（Ｂ−２−１）を５．８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．１ｇの白色結晶（収率３５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ５）と同定した。
合成実施例Ｂ−６（化合物（Ｈ−Ｂ６）の合成）
アルゴン雰囲気下、中間体（２−１）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、中間体（Ｂ−１−１）を４．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．１４ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔＢｕ）３ＨＢＦ４を０．０８７ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウムを１．９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）それぞれ秤量し、無水キシレン５０ｍｌを加えて８時間加熱還流した。
反応終了後、反応物を５０℃に冷却し、セライト／シリカゲルを通して濾過を行い、濾液を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した後、トルエンを用いて再結晶化し、３．３ｇの白色結晶（収率３７％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ６）と同定した。
合成実施例Ｂ−７（化合物（Ｈ−Ｂ７）の合成）
合成実施例Ｂ−６において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（２−２）を５．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．１ｇの白色結晶（収率３５％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ７）と同定した。
合成実施例Ｂ−８（化合物（Ｈ−Ｂ８）の合成）
合成実施例Ｂ−６において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（２−３）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、３．５ｇの白色結晶（収率３８％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ８）と同定した。
合成実施例Ｂ−９（化合物（Ｈ−Ｂ９）の合成）
合成実施例Ｂ−６において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（２−４）を５．３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、２．８ｇの白色結晶（収率３０％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ９）と同定した。
合成実施例Ｂ−１０（化合物（Ｈ−Ｂ１０）の合成）
合成実施例Ｂ−１において、中間体（２−１）の代わりに、中間体（Ｂ−２−２）を５．８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用い、３−ブロモ−９，９’−ジフェニルフルオレンの代わりに、中間体（１−６）を４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）用いた以外は、同様に反応を行ったところ、２．１ｇの白色結晶（収率２４％）を得た。
ＦＤ−ＭＳの分析により、当該白色結晶を下記化合物（Ｈ−Ｂ１０）と同定した。
［化合物（Ａ）を用いた有機ＥＬ素子の作製］
実施例Ａ−１〜Ａ−１０（有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄し、さらに、３０分間ＵＶ（Ultraviolet）オゾン洗浄した。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている面上に、前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物（ＥＡ１）を蒸着し、膜厚１０ｎｍの膜（ＥＡ１）を成膜した。
この膜（ＥＡ１）上に、第１正孔輸送材料として、下記芳香族アミン誘導体（Ｘ１）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第１正孔輸送層を成膜した。第１正孔輸送層の成膜に続けて、第２正孔輸送材料として、表１に記載の合成実施例Ａ−１〜Ａ−１０で得た上記化合物（Ｈ−Ａ１）〜（Ｈ−Ａ１０）のいずれかを蒸着し、膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を成膜した。
この第２正孔輸送層上に、蛍光発光材料として、ホスト化合物（ＢＨ）とドーパント化合物（ＢＤ）とを共蒸着し、厚さ２５ｎｍの発光層を成膜した。なお、当該発光層中のドーパント化合物（ＢＤ）の濃度は４質量％であった。
続いて、この発光層上に、厚さ２５ｎｍで下記化合物（ＥＴ１）、さらに、厚さ１０ｎｍで下記化合物（ＥＴ２）、及び厚さ１ｎｍでＬｉＦを共蒸着し、電子輸送／注入層を成膜した。
さらに、金属Ａｌを厚さ８０ｎｍに積層して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を製造した。
第２正孔輸送材料として使用した合成実施例Ａ−１〜Ａ−１０で得た化合物（Ｈ−Ａ１）〜（Ｈ−Ａ１０）を以下に示す。
比較例ａ−１〜ａ−４
第２正孔輸送材料として、表１に記載の下記比較化合物（ａ１）〜（ａ４）のいずれかを用いて第２正孔輸送層を形成した以外は、実施例Ａ−１と同様にして、比較例ａ−１〜ａ−４の各有機ＥＬ素子を作製した。
（有機ＥＬ素子の発光性能評価）
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、輝度（Ｌ）、電流密度を測定し、測定結果から電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における発光効率（ｃｄ／Ａ）、駆動電圧（Ｖ）を求めた。さらに電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２における８０％寿命を求めた。ここで、８０％寿命とは、定電流駆動時において、輝度が初期輝度の８０％に減衰するまでの時間をいう。結果を表１に示す。
表１の結果から、本発明の一態様の化合物（Ａ）に包含される化合物（Ｈ−Ａ１）〜（Ｈ−Ａ１０）は一般式（ａ）〜（ｃ）を複数有することにより、電子ブロック性及び電子耐性が高まり、低電圧で駆動し、発光効率が高く、且つ、長寿命の有機ＥＬ素子が得られることがわかる。
［化合物（Ｂ）を用いた有機ＥＬ素子の作製］
実施例Ｂ−１〜Ｂ−１０（有機ＥＬ素子の作製）
第２正孔輸送材料として、表２に記載の合成実施例Ｂ−１〜Ｂ−１０で得た上記化合物（Ｈ−Ｂ１）〜（Ｈ−Ｂ１０）のいずれかを用いて第２正孔輸送層を形成した以外は、実施例Ａ−１と同様にして、実施例Ｂ−１〜Ｂ−１０の各有機ＥＬ素子を作製した。
当該実施例で使用した合成実施例Ｂ−１〜Ｂ−１０で得た化合物（Ｈ−Ｂ１）〜（Ｈ−Ｂ１０）を以下に示す。
比較例ｂ−１〜ｂ−２
第２正孔輸送材料として、表２に記載の下記比較化合物（ｂ１）又は（ｂ２）を用いて第２正孔輸送層を形成した以外は、実施例Ｂ−１と同様にして、比較例ｂ−１〜ｂ−２の各有機ＥＬ素子を作製した。
（有機ＥＬ素子の発光性能評価）
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、輝度（Ｌ）、電流密度を測定し、測定結果から電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２における発光効率（ｃｄ／Ａ）、駆動電圧（Ｖ）を求めた。さらに電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２における８０％寿命を求めた。ここで、８０％寿命とは、定電流駆動時において、輝度が初期輝度の８０％に減衰するまでの時間をいう。結果を表２に示す。
表２の結果から、本発明の一態様の化合物（Ｂ）に包含される化合物（Ｈ−Ｂ１）〜（Ｈ−Ｂ１０）は一般式（ａ）〜（ｃ）複数有することにより、電子ブロック性及び電子耐性が高まり、低電圧で駆動し、発光効率が高く、且つ、長寿命の有機ＥＬ素子が得られることがわかる。
１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
３ 陽極
４ 陰極
５ 発光層
６ 陽極側有機薄膜層
７ 陰極側有機薄膜層
１０ 発光ユニット

Claims (20)

  1. 下記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）で表される、化合物。

    〔式（Ａ−０）及び（Ｂ−０）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基を表す。Ｒ１〜Ｒ４が複数存在する場合、該複数のＲ１〜Ｒ４は、互いに同一でも異なっていてもよい。
    ｋ３、ｋ４は、それぞれ独立に、０〜５の整数であり、ｍ２は、０〜４の整数であり、ｎ１は、０〜３の整数である。
    Ｌ０〜Ｌ２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
    Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、下記一般式（ａ）〜（ｃ）のいずれかで表される基である。

    （式（ａ）〜（ｃ）において、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、上記Ｒ１の規定と同じであり、Ｒ５及びＲ６が複数存在する場合、該複数のＲ５及びＲ６は、互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ５及びＲ６が、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
    ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、ｎ５は、それぞれ独立に、０〜３の整数である。＊は、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子、Ｌ１、又はＬ２との結合位置を示す。）〕
  2. 下記一般式（Ａ−１）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ａ−１）において、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ１、Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。〕
  3. 下記一般式（Ａ−２）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ａ−２）において、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｍ２、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。〕
  4. 下記一般式（Ａ−３）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ａ−３）において、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。〕
  5. 下記一般式（Ａ−４）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ａ−４）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。〕
  6. 下記一般式（Ａ−５）又は（Ａ−６）で表される、請求項５に記載の化合物。

    〔式（Ａ−５）、（Ａ−６）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。〕
  7. 下記一般式（Ａ−７）又は（Ａ−８）で表される、請求項５又は６に記載の化合物。

    〔式（Ａ−７）、（Ａ−８）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０、Ｌ２、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｒ７は、請求項１に記載のＲ１の規定と同じであり、Ｒ７が複数存在する場合、該複数のＲ７は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ７から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。ｍ７は、０〜４の整数である。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。〕
  8. 下記一般式（Ｂ−１）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−１）において、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ１、Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。〕
  9. 下記一般式（Ｂ−２）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−２）において、Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、Ｌ１、Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｒ８は、請求項１に記載のＲ１の規定と同じであり、Ｒ８が複数存在する場合、該複数のＲ８は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ８から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。ｍ８は、０〜４の整数である。〕
  10. 下記一般式（Ｂ−３）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−３）において、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｍ２、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。〕
  11. 下記一般式（Ｂ−４）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−４）において、Ｌ０〜Ｌ２、Ａｒ１、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。〕
  12. 下記一般式（Ｂ−５）で表される、請求項１に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−５）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。〕
  13. 下記一般式（Ｂ−６）又は（Ｂ−７）で表される、請求項１２に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−６）、（Ｂ−７）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０〜Ｌ２、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。〕
  14. 下記一般式（Ｂ−８）又は（Ｂ−９）で表される、請求項１２又は１３に記載の化合物。

    〔式（Ｂ−８）、（Ｂ−９）において、Ｒ１〜Ｒ６、ｎ１、ｍ２、ｋ３、ｋ４、ｎ５、ｍ６、Ｌ０、Ｌ２、及びＡｒ２は、請求項１の記載と同じである。Ｒ７は、請求項１に記載のＲ１の規定と同じであり、Ｒ７が複数存在する場合、該複数のＲ７は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ７から選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。ｍ７は、０〜４の整数である。Ｘは−Ｏ−又は−Ｓ−である。〕
  15. Ｌ０〜Ｌ２が、それぞれ独立に、単結合、又は下記一般式（ｉ）及び（ii）のいずれかで表される基である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の化合物。

    〔式中、Ｒは、それぞれ独立に、請求項１に記載のＲ１の規定と同じであり、Ｒが複数存在する場合、該複数のＲは、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲから選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。ｍは、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、＊、＊＊は、結合位置を示す。〕
  16. Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が、下記一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）、（ｃ−１）、及び（ｃ−２）のいずれかで表される基である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の化合物。

    （式中、Ｒ５、Ｒ６、ｎ５、ｍ６は、請求項１の記載と同じである。＊は、前記一般式（Ａ−０）又は（Ｂ−０）中の窒素原子、Ｌ１、又はＬ２との結合位置を示す。）
  17. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  18. 陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された一層以上の有機薄膜層を有し、該一層以上の有機薄膜層が発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の化合物を含む層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  19. 前記一層以上の有機薄膜層が、前記化合物を含む正孔注入層及び前記化合物を含む正孔輸送層の少なくとも一方を含む、請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 請求項１８又は１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。
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