JPWO2014203541A1 - 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

本発明の目的は、駆動電圧を低下させるとともに、長寿命の有機ＥＬ素子を提供することである。本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式（１）で表され；式（１）において、Ａｒ１及びＡｒ２は、アリール基又はヘテロアリール基であり；Ｌ１及びＬ２は、単結合、アリーレン基又はヘテロアリーレン基であり；Ｒ１〜Ｒ４は、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であり；ａ及びｂは０〜４の整数であり；Ｒ５〜Ｒ１２は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はシリル基である。ただし、Ｒ５およびＲ７の少なくともいずれかは水素原子ではなく、Ｒ５が水素原子でない場合はＲ６が水素原子ではなく、Ｒ７が水素原子でない場合はＲ８が水素原子ではない。【化１】

Description

本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関する。

近年、有機化合物を用いた機能性材料の研究開発が盛んに実施されている。最近では、発光素子の構成材料に有機化合物を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）の開発が精力的に進められている。

有機電界発光素子は発光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持した構造を有する。該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシントン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（非特許文献１）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点として、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように、有機ＥＬ素子の素子構造として、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。

通常、高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管したりすると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには正孔輸送材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要があった。そのために、正孔輸送材料の分子内に多くの芳香族基を有する必要があり（例えば、特許文献１の芳香族ジアミン誘導体、特許文献２の芳香族縮合環ジアミン誘導体）、通常８〜１２個のベンゼン環を有する構造が好ましく用いられている。

しかしながら、分子内に多くの芳香族基を有すると、これらの正孔輸送材料を用いて薄膜を形成して有機ＥＬ素子を作製する際に結晶化が起こりやすい。そのため、蒸着に用いるるつぼの出口を塞いだり、結晶化に起因する薄膜の欠陥が発生し、有機ＥＬ素子の歩留り低下を招くなどの問題が生じていた。また、分子内に多くの芳香族基を有する化合物は、一般的にガラス転移温度（Ｔｇ）は高いものの、昇華温度が高く、蒸着時の分解や蒸着が不均一に形成される等の現象が起こると考えられる。そのため、素子の寿命が短いという問題があった。

一方、テトラアリールジアミン誘導体が開示されている。例えば、特許文献３及び４には、テトラアリールジアミン誘導体の開示があるが、ビフェニル基の置換位置がパラ位またはメタ位のみであり、オルトビフェニル誘導体の具体例および実施例が記載されていない。さらに、ガラス転移温度の高い熱的に安定な非対称化合物の開示があるが、ジアミン化合物の具体例および実施例が記載されていない（特許文献５）。また、これらの報告において駆動電圧が低下したという効果については一切記載が無い。

以上のように、長寿命な有機ＥＬ素子の報告があるものの、寿命および駆動電圧の低下に関しては、未だ必ずしも充分なものとはいえず、分子量を大きくするだけでは十分な性能を有する有機ＥＬ素子を得ることができない。そのため、より優れた性能を有する有機ＥＬ素子の開発が強く望まれていた。

米国特許第４，７２０，４３２号明細書 米国特許第５，０６１，５６９号明細書 特開平８−４８６５６号公報 特開２００８−２４７９０４号公報 特開２００２−５３５３３号公報

C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年

本発明は、前述の課題を解決するためになされたもので、特定の構造を有する芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子の正孔輸送材料に用いることにより、駆動電圧を低下させるとともに寿命を改善する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表される特定の構造を有する新規な芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に正孔輸送材料として用いると、前記の課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。

このジアミン化合物は、アミン窒素原子周辺での置換基の自由回転運動が抑制されるのでガラス転移温度が高くなる。一方で、分子量が小さいので蒸着時の分解などが起こりにくい。さらに得られる有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させるとともに寿命を長くする効果があり、顕著な長寿命効果が得られることが判った。

すなわち本発明の第一は、以下に示される芳香族アミン誘導体に関する。

［１］ 下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。

〔上記式（１）において、
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリール基であり；
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリーレン基であり；
Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
ａ及びｂは０〜４の整数であり；
Ｒ^５〜Ｒ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
ただし、Ｒ^５およびＲ^７の少なくともいずれかは水素原子ではなく、Ｒ^５が水素原子でない場合はＲ^６が水素原子ではなく、Ｒ^７が水素原子でない場合はＲ^８が水素原子ではない〕
［２］ 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２）で表される、［１］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２）において、
Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
ｃ及びｄは０〜５の整数であり；
ｃ及びｄが２のとき、Ｒ^１３同士またはＲ^１４同士は、互いに結合して環を形成してもよく（ただし、Ｒ^１３またはＲ^１４が、隣接する芳香族環とそれぞれ結合してジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環またはフルオレン環を形成しないものとする）；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３〜Ｒ^１２、ａ及びｂは、前記式（１）と同様に定義される〕
［３］ 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（３）で表される、［２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（３）において、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり：
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
［４］ 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（４）で表される［２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（４）において、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
［５］ 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（５）で表される［２］記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（５）において、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
［６］ 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（６）で表される［２］記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（６）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
［７］ 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（７）で表される［２］記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（７）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
［８］ 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（８）で表される、［１］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（８）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、前記式（１）と同様に定義される〕
［９］ 前記式（３）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、置換もしくは無置換の環炭素数１０〜５０のアリール基である、［３］に記載の芳香族アミン誘導体。
［１０］ 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２６）で表される、［２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２６）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^５〜Ｒ^１２は、前記式（２）と同様に定義される〕
［１１］ 前記式（２６）において、Ｒ^５が水素原子でなく、かつＲ^６が水素原子ではない、［１０］に記載の芳香族アミン誘導体。
［１２］ 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（１７）で表される［１］記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（１７）において、
Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＲ^１９Ｒ^２０−であり；−ＣＲ^１９Ｒ^２０−におけるＲ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
ｅ及びｆは０〜４の整数であり；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３〜Ｒ^１２、ａ及びｂは、前記式（１）と同様に定義される〕
［１３］ 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（１８）で表される、［１２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（１８）において、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
［１４］ 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（１９）で表される、［１２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（１９）において、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
［１５］ 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２０）で表される、［１２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２０）において、
Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
［１６］ 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２１）で表される、［１２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２１）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
［１７］ 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２２）で表される、［１２］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２２）において、 Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
［１８］ 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２３）〜式（２５）のいずれかで表される、［１］に記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２３）〜（２５）において、 Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＺは前記式（１７）と同様に定義される〕
［１９］ 前記式（１）〜式（４）、式（１７）〜（１９）及び式（２６）のいずれかにおいて、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合もしくは下記式（２７）で表される２価の基である、［１］〜［４］および［１０］〜［１４］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（２７）において、
Ｒ^２１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
ｇは、０〜４の整数である〕
［２０］ 前記式（１）〜式（８）及び式（１７）〜（２６）のいずれかにおいて、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、式（９）〜式（１６）のいずれかで表される、［１］〜［１８］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。

〔上記式（１６）において、
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＲ^１５Ｒ^１６−であり、
Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基である〕
［２１］ ［１］〜［２０］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
［２２］ ［１］〜［２０］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料。
［２３］ ［１］〜［２０］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体からなる、アクセプター層隣接正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料。
［２４］ 互いに対向する陽極と陰極との間に有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、［１］〜［２０］のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機薄膜層を１層以上有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。

本発明は、駆動電圧を低下させるとともに有機ＥＬ素子の寿命を改善する芳香族アミン誘導体を提供することができる。

本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１）で表される。

式（１）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリール基でありうる。

式（１）において、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリーレン基であり；好ましくは単結合、又は置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリーレン基でありうる。

式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基である。

なかでも、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基であることが好ましく；置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基であることがより好ましい。置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基は、好ましくは置換もしくは無置換の環炭素数６〜２０のアリール基又は置換もしくは無置換の環原子数５〜２０のヘテロアリール基でありうる。これらの基は嵩高いことから、後述するように、窒素原子上の置換基間で立体障害を生じやすいからである。

式（１）において、ａ及びｂは０〜４の整数であり、好ましくは０または１である。

式（１）において、Ｒ^５〜Ｒ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基である。正孔輸送に関与する共役部位に電子密度を増加させる置換基を導入すると、正孔輸送に優位であることから、上記水素原子以外の基は、電子供与性を示す置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、及び置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基が好ましく；置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基がより好ましい。置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基は、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、より好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基でありうる。

ただし、Ｒ^５およびＲ^７の少なくともいずれかは水素原子ではなく、Ｒ^５が水素原子でない場合はＲ^６が水素原子ではなく、Ｒ^７が水素原子でない場合はＲ^８が水素原子ではない。なかでも、Ｒ^５が水素原子でなく、かつＲ^６が水素原子ではないことが好ましい。

式（１）において、窒素原子に置換する２つの基「−Ｌ_１−Ａｒ_１」と「−Ｃ_６Ｈ_４Ｒ^１（Ｒ^３）ａ」、あるいは「−Ｌ_２−Ａｒ_２」と「−Ｃ_６Ｈ_４Ｒ^２（Ｒ^４）ｂ」とは、互いに同じであっても異なってもよいが、本発明の効果を効率的に実現する観点では、互いに異なることが好ましい。

本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式（２）で表わされるものが好ましい。

式（２）において、Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基である。なかでも、Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基であることが好ましい。

式（２）において、ｃ及びｄは０〜５の整数であり、好ましくは０〜２の整数でありうる。ｃ及びｄが２のとき、Ｒ^１３同士またはＲ^１４同士が互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^１３同士およびＲ^１４同士が互いに結合して形成しうる環は、置換されていてもよい飽和もしくは不飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成しうる。５員環又は６員環の環状構造としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数４〜１２のシクロアルカン；シクロペンテン、シクロヘキセン等の炭素数４〜１２のシクロアルケン；シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン等の炭素数６〜１２のシクロアルカジエン；ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数６〜５０の芳香族環などが挙げられる。なかでも、炭素数６〜５０の芳香族環が好ましく、炭素数６〜１０の芳香族環がより好ましい。ただし、式（２）においては、Ｒ^１３またはＲ^１４が、それぞれ独立に隣接する芳香族環と互いに結合して、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環またはフルオレン環を形成しないものとする。

式（２）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３〜Ｒ^１２、ａ及びｂは、式（１）と同様に定義される。

本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式（３）〜（８）および（２６）のいずれかで表わされるものが好ましい。

式（３）〜（８）および（２６）において、Ｒ^５、Ｒ^６、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、式（１）または式（２）と同様に定義される。

式（２６）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２及びＲ^５〜Ｒ^１０は、前記式（１）と同様に定義される。Ｒ^５およびＲ^７の少なくともいずれかは水素原子ではなく、Ｒ^５が水素原子でない場合はＲ^６が水素原子ではなく、Ｒ^７が水素原子でない場合はＲ^８が水素原子ではない。なかでも、Ｒ^５が水素原子でなく、かつＲ^６が水素原子ではないことが好ましい。

本発明の芳香族アミン誘導体は、上記式（２）で表されるものだけでなく、下記式（１７）で表わされるものも好ましい。

式（１７）において、Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＲ^１９Ｒ^２０−であり、好ましくは−Ｏ−または−ＣＲ^１９Ｒ^２０−でありうる。−ＣＲ^１９Ｒ^２０−におけるＲ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；好ましくは水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基であり；さらに好ましくは水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の環炭素数６〜２０のアリール基でありうる。

式（１７）において、Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基でありうる。

式（１７）において、ｅ及びｆは０〜４の整数であり、好ましくは０でありうる。

式（１７）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３〜Ｒ^１２、ａ及びｂは、式（１）と同様に定義される。

本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式（１８）〜（２５）のいずれかで表わされるものが好ましい。

式（１）〜（４）、式（１７）〜式（１９）および式（２６）におけるＬ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリーレン基であり；好ましくは単結合、又は置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリーレン基でありうる。アリーレン基の好ましい例には、下記式（２７）で表される基が含まれ、より好ましくはフェニレン基である。ヘテロアリーレン基の好ましい例には、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチエニレン基などが含まれる。

式（２７）において、Ｒ^２１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。ｇは、０〜４の整数であり、好ましくは０または１である。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環炭素数６〜５０のアリール基は、好ましくは環炭素数６〜３０のアリール基であり、より好ましくは環炭素数６〜２０のアリール基でありうる。式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環炭素数６〜５０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基等が挙げられる。

中でも、Ｒ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１のアリール基は、フェニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基がより好ましい。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環炭素数５〜５０のヘテロアリール基は、好ましくは環原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、より好ましくは環原子数５〜２０のヘテロアリール基でありうる。式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環原子数５〜５０のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、イソドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、及びキサンテニル基等が挙げられる。

中でも、Ｒ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１のヘテロアリール基は、フリル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基がより好ましい。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の炭素数１〜５０のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基でありうる。式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の炭素数１〜５０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、ｓ-ブチル基、イソブチル基、ｔ-ブチル基、ｎ-ペンチル基、ｎ-ヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、ｎ-オクチル基、ｎ-ノニル基、ｎ-デシル基、ネオペンチル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、ｓ-ブチル基、イソブチル基、ｔ-ブチル基が好ましい。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の炭素数１〜５０のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の炭素数６〜５０のアラルキル基は、好ましくは炭素数６〜３０のアラルキル基であり、より好ましくは炭素数６〜２０のアラルキル基でありうる。式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の炭素数６〜５０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１-フェニルエチル基、２-フェニルエチル基、１-フェニルイソプロピル基、２-フェニルイソプロピル基、フェニル-ｔ-ブチル基、α-ナフチルメチル基、１-α-ナフチルエチル基、２-α-ナフチルエチル基、１-α-ナフチルイソプロピル基、２-α-ナフチルイソプロピル基、β-ナフチルメチル基、１-β-ナフチルエチル基、２-β-ナフチルエチル基、１-β-ナフチルイソプロピル基、２-β-ナフチルイソプロピル基、１-ピロリルメチル基、２-（１-ピロリル）エチル基、ｐ-メチルベンジル基、ｍ-メチルベンジル基、ｏ-メチルベンジル基、ｐ-クロロベンジル基、ｍ-クロロベンジル基、ｏ-クロロベンジル基、ｐ-ブロモベンジル基、ｍ-ブロモベンジル基、ｏ-ブロモベンジル基、ｐ-ヨードベンジル基、ｍ-ヨードベンジル基、ｏ-ヨードベンジル基、ｐ-ヒドロキシベンジル基、ｍ-ヒドロキシベンジル基、ｏ-ヒドロキシベンジル基、ｐ-アミノベンジル基、ｍ-アミノベンジル基、ｏ-アミノベンジル基、ｐ-ニトロベンジル基、ｍ-ニトロベンジル基、ｏ-ニトロベンジル基、ｐ-シアノベンジル基、ｍ-シアノベンジル基、ｏ-シアノベンジル基、１-ヒドロキシ-２-フェニルイソプロピル基、１-クロロ-２-フェニルイソプロピル基等が挙げられる。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基は−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としては前記アリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環炭素数５〜５０のアリールチオ基は−ＳＹ’と表され、Ｙ’の例としては前記アリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１の環炭素数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基におけるアリール基の例としては前記アリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。

式（１）〜式（８）および式（１７）〜式（２７）におけるＲ^１〜Ｒ^１４、Ｒ^１７〜Ｒ^１８およびＲ^２１のハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基及びアリール基で置換されたアミノ基は、さらに置換基により置換されていてもよい。好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、イソプロピル基、ｎ-プロピル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-プロポキシ基、ｓ-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、環炭素数５〜４０のアリール基（好ましくは環炭素数６〜１２のアリール基）、環炭素数５〜２０のヘテロアリール基、環炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子（塩素、臭素、ヨウ素等）が挙げられる。

一般式（１）〜（８）および式（１７）〜式（２６）におけるＲ^１〜Ｒ^１２は、それぞれ独立に、隣接する芳香族環と互いに結合して置換されていてもよい飽和もしくは不飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成してもよい。５員環又は６員環の環状構造としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数４〜１２のシクロアルカン；シクロペンテン、シクロヘキセン等の炭素数４〜１２のシクロアルケン；シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン等の炭素数６〜１２のシクロアルカジエン；ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数６〜５０の芳香族環などが挙げられる。

一般式（１）〜（８）および式（１７）〜式（２６）におけるａ及びｂは、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、ｃ及びｄは０〜５の整数である。

一般式（１）〜（８）および式（１７）〜式（２６）におけるＡｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、又は、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基である。このアリール基の例としては、前記Ｒ¹〜Ｒ^１４のアリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。このヘテロアリール基の例としては、前記Ｒ¹〜Ｒ^１４およびＲ^１７〜Ｒ^１８のヘテロアリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。

Ａｒ^１及びＡｒ^２の環炭素数６〜５０のアリール基は、好ましくは環炭素数６〜３１のアリール基、より好ましくは環炭素数６〜２５のアリール基、さらに好ましくは環炭素数６〜２０でありうる。これらのアリール基が縮合環基である場合、当該アリール基は、縮合環を構成する芳香族環の数が３つ以下のアリール基（例えばナフチル基など）であることが好ましい。Ａｒ^１およびＡｒ^２の環原子数５〜５０のヘテロアリール基は、好ましくは環原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、より好ましくは環原子数５〜２０のヘテロアリール基でありうる。環原子数５〜５０のヘテロアリール基の好ましい例には、フリル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基が含まれる。

式（１）〜式（８）及び式（１７）〜式（２６）におけるＡｒ^１及びＡｒ^２の好ましい例には、以下の基が含まれる。

〔上記式（１６）において、
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＲ^１５Ｒ^１６−であり、
Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基である〕

式（２）においてｃ＝０またはｄ＝０のとき、Ａｒ^１およびＡｒ^２の環炭素数６〜５０のアリール基は、ガラス転移温度を維持できる点から、好ましくは環炭素数１０〜５０のアリール基であり、より好ましくは環炭素数１０〜３０のアリール基でありうる。環炭素数１０〜５０のアリール基の例には、前述の式（１０）〜（１６）で表される基が含まれ、好ましくは式（１１）〜（１６）で表される基でありうる。

本発明の芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、本発明の芳香族アミン誘導体がこれら例示化合物に限定されるものではない。

本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料であることが好ましく、有機ＥＬ素子用正孔輸送材料であることがさらに好ましい。

本発明の芳香族アミン誘導体は、連結基として４,４'-ビフェニレン基を有する芳香族ジアミン誘導体である。通常、４,４'-ビフェニレン基を有する芳香族ジアミンは、芳香族ジアミン誘導体の窒素原子上の非共有電子対が連結基のベンゼン環上π電子とオーバーラップするため、２つの窒素原子の間に電子的な相互作用が存在する。しかしながら、式（１）における置換基Ｒ^５およびＲ^６が水素原子以外の基である本発明の芳香族アミン誘導体は、窒素原子上の置換基との間で立体障害が発生する。同様に、式（１）における置換基Ｒ^７およびＲ^８が水素原子以外の基である本発明の芳香族アミン誘導体は、窒素原子上の置換基との間で立体障害が発生する。そのため、窒素原子に置換するベンゼン環と窒素原子の間の炭素-窒素結合にねじれが生じ、上述の窒素原子上の非共有電子対と連結基のベンゼン環上π電子のオーバーラップが減少する。これにより、２つの窒素原子間の電子的相互作用が減少する。

そのため、本発明の芳香族アミン誘導体は、構造的にはジアミン誘導体であるにもかかわらず、モノアミン誘導体としての特性が強く発現される。従って、高エネルギーギャップ、高正孔移動度を両立でき、有機ＥＬ素子の寿命改善、高効率および低電圧駆動可能な正孔輸送材料として好適となる。

さらに本発明の芳香族アミン誘導体は、窒素原子のオルト位置に置換基Ｒ^１およびＲ^２を有するため、窒素原子上の置換基間で立体障害が強く発生する。そのため、置換基同士の電子的な相互作用が抑えられるためエネルギーギャップが増大する。併せて、構造上はジアミン誘導体であるため、窒素原子同士の物理的な距離は短く、ホールホッピングが有利となり、正孔移動度が増大する。

即ち、本発明のアミン誘導体は、連結基である４,４'-ビフェニレン基、及び窒素原子のオルト位置で連結する置換基Ｒ^１およびＲ^２の効果により、高エネルギーギャップ、高正孔移動度を両立でき、有機ＥＬ素子の寿命改善、高効率および低電圧駆動可能な正孔輸送材料として好適となる。

次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。

本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、本発明の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有すると好ましい。さらに、前記正孔輸送層が、主成分として本発明の芳香族アミン誘導体を含有すると好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層と電子輸送層もしくは電子注入層を有し、該正孔輸送層に本発明の芳香族アミン誘導体が単独もしくは混合物の成分として含有され、かつ該電子輸送層もしくは電子注入層に含窒素複素環化合物が含有されていると好ましい。さらに、前記正孔輸送層が、主成分として本発明の芳香族アミン誘導体を含有すると好ましい。

また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層がアリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物を含有すると好ましい。

発光層に含まれるアリールアミン化合物として下記一般式（Ｉ）で表される化合物などが挙げられる。

上記式（Ｉ）においてＡｒ_１５は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、スチルベン、ジスチリルアリールから選ばれる基であり；Ａｒ_１６及びＡｒ_１７は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族基であり、置換されていてもよい。ｐ’は、１〜４の整数である。さらに好ましくはＡｒ_１６及び／又はＡｒ_１７はスチリル基が置換されている。ここで、炭素数が６〜２０の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、テルフェニル基等が好ましい。

発光層に含まれるスチリルアミン化合物として下記一般式（II）で表される化合物などが挙げられる。

式中、Ａｒ_１７〜Ａｒ_１９は、それぞれ独立に、置換されていてもよい環原子数５〜４０のアリール基である。ｑ’は、１〜４の整数である。ここで、環原子数が５〜４０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナントリル、ピレニル、コロニル、ビフェニル、テルフェニル、ピローリル、フラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、オキサジアゾリル、ジフェニルアントラニル、インドリル、カルバゾリル、ピリジル、ベンゾキノリル、フルオランテニル、アセナフトフルオランテニル、スチルベン等が好ましい。なお、環原子数が５〜４０のアリール基は、さらに置換基により置換されていてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、イソプロピル基、ｎ-プロピル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-プロポキシ基、ｓ-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、環原子数５〜４０のアリール基、環原子数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環原子数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子（塩素、臭素、ヨウ素等）が挙げられる。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。

《有機ＥＬ素子の構成》
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成として、以下の構成を挙げることができる。これらの中で通常(8) の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
(1) 陽極／発光層／陰極
(2) 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
(3) 陽極／発光層／電子注入層／陰極
(4) 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
(5) 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
(6) 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
(7) 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
(8) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(9) 陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(10)陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(11)陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(12)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
(13)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極

《透光性基板》
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に上記各層の層構成を有する複数の層を積層して作製される。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。

《陽極》
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．０ｅＶ以上の仕事関数を有するものが適している。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等、及びこれらの合金、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性高分子が用いられる。陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。

発光層からの発光を陽極を通して取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。

《陰極》
本発明の有機ＥＬ素子の陰極は、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入する機能を有するものであり、４．０ｅＶ以下の仕事関数を有するものが適する。本発明に用いられる陰極材料の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びこれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制限され、適切な比率に選択される。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。

発光層からの発光を陰極を通して取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。

陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。

《発光層》
有機ＥＬ素子の発光層は、下記(1)〜(3)の機能を併せ持つものである。
(1) 注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能

発光層は正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。

発光層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体とともに、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料が含まれていてもよい。発光層を、複数の有機薄膜層の積層体にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。また、発光層にドーピング材料を含有させることで、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。

本発明の芳香族アミン誘導体と共に、発光層に含まれる発光材料又はドーピング材料の例には、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できるホスト材料としては、下記（ｉ）〜（ix）で表される化合物が好ましい。

下記一般式（ｉ）で表される非対称アントラセン

式中、Ａｒは置換もしくは無置換の環炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。
Ａｒ’は置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｘは、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。
ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［ ］内は、同じでも異なっていてもよい。

下記一般式（ii）で表される非対称モノアントラセン誘導体

式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ^１とＡｒ^２のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ^１とＡｒ^２は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。

下記一般式(iii)で表される非対称ピレン誘導体

式中、Ａｒ及びＡｒ’は、それぞれ置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｌ及びＬ’は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ’又はＡｒ’は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ，Ａｒ’，Ｌ，Ｌ’は下記（１）又は（２）を満たす。
（１）Ａｒ≠Ａｒ’及び／又はＬ≠Ｌ’（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）Ａｒ＝Ａｒ’かつＬ＝Ｌ’の時
（２−１）ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
（２−２）ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
（２−２−１）Ｌ及びＬ’、又はピレンが、それぞれＡｒ及びＡｒ’上の異なる結合位置に結合しているか、（２−２−２）Ｌ及びＬ’、又はピレンが、Ａｒ及びＡｒ’上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ及びＬ’又はＡｒ及びＡｒ’のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。

下記一般式(iv)で表される非対称アントラセン誘導体

式中、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族環基である。
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^９及びＲ^１０は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、一般式（１）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。

下記一般式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体

式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換してもよいアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換してもよい複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ^１同士又はＲ^２同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ^１同士またはＲ^２同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ^３とＲ^４，Ｒ^５とＲ^６，Ｒ^７とＲ^８，Ｒ^９とＲ^１０が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｌ^１は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。

下記一般式（vi）で表されるアントラセン誘導体

式中、Ｒ^１１〜Ｒ^２０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換してもよい複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ¹¹同士，Ｒ^１２同士，Ｒ^１６同士又はＲ^１７同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ^１１同士，Ｒ^１２同士，Ｒ^１６同士又はＲ^１７同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ^１３とＲ^１４，Ｒ^１８とＲ^１９がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ^２は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。

下記一般式(vii)で表されるスピロフルオレン誘導体

式中、Ａ^５〜Ａ^８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。

下記一般式(viii)で表される縮合環含有化合物

式中、Ａ^９〜Ａ^１４は前記と同じ、Ｒ^２１〜Ｒ^２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ^９〜Ａ^１４のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。

下記一般式（ix）で表されるフルオレン化合物

式中、Ｒ_１及びＲ_２は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ_１同士、Ｒ_２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ_１及びＲ_２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ_３及びＲ_４は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ₃ 同士、Ｒ₄ 同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ₃ 及びＲ₄ は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ_１及びＡｒ_２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１〜１０の整数を表す。

以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。

また、ドーパントの発光材料として、りん光発光性の化合物を用いることもできる。りん光発光性の化合物は、ホスト材料にカルバゾール環を含む化合物が好ましい。ドーパントは、三重項励起子から発光することのできる化合物であり、三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。

カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホスト化合物は、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物は、励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外の任意の複素環などを有していてもよい。

ホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（N-ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

ホスト化合物の具体例として、以下のような化合物が挙げられる。

りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２-フェニルピリジン誘導体、７、８-ベンゾキノリン誘導体、２-(２-チエニル)ピリジン誘導体、２-(１-ナフチル)ピリジン誘導体、２-フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していてもよい。

りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。

発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有してもよい。

発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。

《正孔注入・輸送層（正孔輸送帯域）》
正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を促進し、正孔を発光領域まで輸送する層である。正孔注入・輸送層は、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０^４〜１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^−４ｃｍ^２／Ｖ・秒以上であることが好ましい。

本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入・輸送層を構成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

具体例として、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同 ５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。

正孔注入・輸送層の材料は、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）等が好ましく、特に芳香族第三級アミン化合物が好ましい。

また、正孔注入・輸送層の材料は、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４,４'-ビス（Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ-フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４,４',４''-トリス（Ｎ-（３-メチルフェニル）-Ｎ-フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等でもよい。

さらに、正孔注入・輸送層の材料は、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料でもよい。

正孔注入・輸送層は本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。

また、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよい。有機半導体層は、１０^−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。有機半導体層の材料として、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、前記陽極と前記正孔輸送層との間に、アクセプター材料を含有するアクセプター層を有することが好ましい。また、前記アクセプター層に、前記式（１）で表される芳香族アミン誘導体を含有する前記正孔輸送層が隣接していてもよい。アクセプター層隣接正孔輸送層は、前記アクセプター層の陰極側に隣接する正孔輸送層である。

前記アクセプター材料としては、式（１）で表される芳香族アミン誘導体を含有する正孔輸送層との接合性が良好になり、より素子性能の向上が期待できることから、下記式（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）で表される化合物等の平面性の高い骨格を有するものが好ましい。

式（Ａ）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１６は、それぞれ独立に、シアノ基、−ＣＯＮＨ_２、カルボキシル基、もしくは−ＣＯＯＲ^１７（Ｒ^１７は、炭素数１〜２０のアルキル基である。）を表すか、又は、Ｒ^１１及びＲ^１２、Ｒ^１３及びＲ^１４、もしくはＲ^１５及びＲ^１６が互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す。Ｒ^１７のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

上記式（Ｂ）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基である。Ｒ^２１〜Ｒ^２４のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。Ｙ^１〜Ｙ^４は互いに同一でも異なっていてもよく、−Ｎ＝、−ＣＨ＝、又はＣ（Ｒ^２５）＝であり、Ｒ^２５は、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基である。Ａｒ^１０は、環形成炭素数６〜２４の縮合環又は環形成原子数６〜２４の複素環である。
ａｒ^１及びａｒ^２は、それぞれ独立に、下記式（ｉ）又は（ii）の環を表す。

式中、Ｘ^１及びＸ^２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）〜（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。

式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０の複素環基であり、Ｒ^３２とＲ^３３は互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ^２１〜Ｒ^２４及びＲ^３１〜Ｒ^３４の各基の例としては以下の通りである。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。複素環基としては、ピリジン、ピラジン、フラン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チオフェン等の残基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、ペンタフェニルオキシ基等が挙げられる。これらは置換基を有していてもよく、置換されたアリール基としては、モノフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基などのハロゲン原子が置換したアリール基；トリル基、４−ｔ−ブチルフェニル基等の、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキル基が置換したアリール基等が挙げられる。置換されたアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロアダマンチル基等の、ハロゲン原子が置換したアルキル基が挙げられる。置換されたアリールオキシ基としては、４−トリフロフェニルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ等の、ハロゲン原子が置換したアリールオキシ基；４−ｔ−ブチルフェノキシ基等の、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキル基が置換したアリールオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^２１〜Ｒ^２４のうち互いに隣接するものは、互いに結合して環を形成していてもよい。該環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。

式（Ｃ）中、Ｚ^１〜Ｚ^３は、それぞれ独立に、下記式（ｈ）で示される二価の基である。

式（ｈ）中、Ａｒ^３１は、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。ヘテロアリール基としては、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン等が挙げられる。また、これらの置換基の例としては、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基、クロロ基およびブロモ基等の電子吸引性の基が挙げられる。

《電子注入・輸送層》
電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を促進し、電子を発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また付着改善層は、電子注入層の中で特に陰極との付着がよい材料からなる層である。

有機ＥＬ素子の発光層が発光した光は、電極（この場合は陰極）で反射するため、直接陽極から取り出される発光と、陰極による反射を経由して陽極から取り出される発光とが干渉する。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれる。膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０^４〜１０^６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることが好ましい。

電子注入層に用いられる材料は、８-ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。８-ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例として、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料が挙げられる。

オキサジアゾール誘導体として、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。

上記式中、Ａｒ^１，Ａｒ^２，Ａｒ^３，Ａｒ^５，Ａｒ^６，Ａｒ^９はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ^４，Ａｒ^７，Ａｒ^８は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。アリール基としてフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性を有するものが好ましい。

電子伝達性化合物の具体例として下記のものを挙げることができる。

さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記一般式（Ａ）〜（Ｆ）で表されるものも用いることができる。

一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ａ^１〜Ａ^３は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。Ａｒ^１は、置換もしくは無置換の環炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜６０のヘテロアリール基であり、Ａｒ^２は、水素原子、置換もしくは無置換の環炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、あるいはこれらの２価の基である。ただし、Ａｒ^１及びＡｒ^２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜６０のモノヘテロ縮合環基である。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環原子数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。ＲおよびＲ^１は、水素原子、置換もしくは無置換の環炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接する複数のＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。

式（Ｃ）中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌは、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。

式（Ｄ）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ_１〜Ｒ_４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合した構造である。

式（Ｅ）中、Ｒ_１〜Ｒ_８及びＺ_２は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ、Ｙ及びＺ_１は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を示し、Ｚ_１とＺ_２の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎが２以上の場合、Ｚ_１は異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ_２がメチル基であって、Ｒ_８が、水素原子又は置換ボリル基の場合、及びｎが３でＺ_１がメチル基の場合を含まない。

式（Ｆ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｇ）で示される配位子を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ^１（Ｒ^１は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）または−Ｏ−Ｇａ−Ｑ^３（Ｑ^４）（Ｑ^３及びＱ^４は、Ｑ^１及びＱ^２と同じ）で示される配位子を表す。

式（Ｇ）中、環Ａ^１及びＡ^２は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。

この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。

一般式（Ｇ）の配位子を形成する環Ａ^１及びＡ^２の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔ-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３-メチルフェニル基、３-メトキシフェニル基、３-フルオロフェニル基、３-トリクロロメチルフェニル基、３-トリフルオロメチルフェニル基、３-ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２,２,３,３-テトラフルオロプロポキシ基、１,１,１,３,３,３-ヘキサフルオロ-２-プロポキシ基、６-（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ-ニトロフェノキシ基、ｐ-ｔ-ブチルフェノキシ基、３-フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３-トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ-ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ-ニトロフェニルチオ基、ｐ-ｔ-ブチルフェニルチオ基、３-フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３-トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、トリアチニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成してもよい。

本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態は、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、還元性ドーパントは、一定の還元性を有する物質であればよい。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。

より具体的に、好ましい還元性ドーパントは、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる。仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましいのは、Ｃｓである。

これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントは、これら２種以上のアルカリ金属の組合せも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。

本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに有してもよい。それにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。絶縁体として、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。

好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとして、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２ＳｅおよびＮａ_２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとして、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物として、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物として、例えば、ＣａＦ_２ 、ＢａＦ_２ 、ＳｒＦ_２ 、ＭｇＦ_２及びＢｅＦ_２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。

また、電子輸送層を構成する半導体として、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物として、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。

《絶縁層》
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。絶縁層に用いられる材料として、例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。

《有機ＥＬ素子の製造方法》
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。

本発明の有機ＥＬ素子の各機能層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。

まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。

次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができる。均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から、真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０^−７〜１０^−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。

正孔注入層上への発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できる。均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。

次に、発光層上に電子注入層を形成する。正孔注入層や発光層と同様に、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。

本発明の芳香族アミン誘導体は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。

次に、陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。

この有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。

以下、本発明を合成例及び実施例に基づいてさらに詳細に説明する。本発明は、これらの例によって何ら限定されるものではない。

中間体合成例１−１（中間体１−１の合成）
窒素雰囲気下、２-ヨード-９,９-ジメチルフルオレン７．１０ｇ、２-アミノビフェニル４．１２ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム２．９７ｇ、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン付加物０．０９ｇ、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン０．１２ｇに、脱水トルエン１００ｍｌを加え、９０℃にて３時間反応した。冷却後、水を加えトルエン液を洗浄し、抽出後にセライトにて濾過を行った。濾液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４．１５ｇの粘性固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−１と同定した（収率５２％）。

中間体合成例１−２（中間体１−２の合成）
中間体合成例１−１において２-ヨード-９,９-ジメチルフルオレンの代わりに４-0ブロモビフェニルを５．１６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２６ｇの淡褐色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−２と同定した（収率６０％）。

中間体合成例１−３（中間体１−３の合成）
窒素雰囲気下、３-メチル-４-（２-メチルフェニル）アニリン６．００ｇ、２-ブロモビフェニル７．０９ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム４．１０ｇ、[１,１'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン付加物０．１２５ｇ、１,１'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン０．１６９ｇに、脱水トルエン６０ｍｌを加え、９０℃にて６時間反応した。冷却後、水を加えトルエン液を洗浄し、抽出後にセライトにて濾過を行った。濾液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１０．３ｇの粘性固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−３と同定した（収率９７％）。

中間体合成例１−４（中間体１−４の合成）
中間体合成例１−３において３-メチル-４-（２-メチルフェニル）アニリンの代わりに３-メチル-４-フェニルアニリンを５．５７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、８．０７ｇの粘性固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−４と同定した（収率７９％）。

中間体合成例１−５（中間体１−５の合成）
窒素雰囲気下、４-ブロモビフェニル５．３８ｇ、ターフェニル-２-アミン５．６７ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム３．１１ｇ、酢酸パラジウム０．０５１８ｇ、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン０．２５６ｇに、脱水トルエン５０ｍｌを加え、９０℃にて３時間反応した。冷却後、水を加えトルエン液を洗浄し、抽出後にセライトにて濾過を行った。濾液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、７．６１ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−５と同定した（収率８３％）。

中間体合成例１−６（中間体１−６の合成）
中間体合成例１−６において、４-ブロモビフェニルの代わりにブロモベンゼン５．４６ｇ、ターフェニル-２-アミンの代わりに２−（ジベンゾフラン―４−イル）アニリン８．９８ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム４．６７ｇ、酢酸パラジウム０．０７７７ｇ、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン０．３８４ｇを用いた以外は同様に反応を行ったところ、１０．４ｇの粘性固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−６と同定した（収率９０％）。

中間体合成例１−７（中間体１−７の合成）
窒素雰囲気下、４,４'-ジヨード-３,３-ジメチルビフェニル（東京化成製）１３．０ｇ、ターフェニル-２-アミン１０．４４ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム８．０６ｇ、酢酸パラジウム０．４２ｇ、トリ-ｔ-ブチルホスホニウムテトラブロモボラート１．０９ｇ及び脱水トルエン８０ｍＬを入れ、１１０℃にて８時間反応した。冷却後、水を加えてトルエン液を洗浄し、抽出後にセライトにて濾過を行い、濾液を減圧下で濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１２．２ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−７と同定した（収率７８．９％）。

合成実験例１
窒素雰囲気下、４,４'-ジヨード-３,３-ジメチルビフェニル（東京化成製）４．８６ｇ、中間体１−１を８．１０ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム３．０２ｇ、酢酸パラジウム０．０５０３ｇ、トリ-ｔ-ブチルホスホニウムテトラブロモボラート０．１３０ｇ及び脱水キシレン８０ｍＬを入れ、１３０℃にて５時間反応した。冷却後、水を加えてキシレン液を洗浄し、抽出後にセライトにて濾過を行い、濾液を減圧下で濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、トルエンで再結晶して、７．６７ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ１）と同定した（収率７６％）。

合成実験例２
合成実験例１において中間体１−１の代わりに中間体１−２を７．２０ｇ用いた以外は、合成実験例１と同様に反応を行ったところ、５．５１ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ２）と同定した（収率６０％）。

合成実験例３
合成実験例１において４,４'-ジヨード-３,３'-ジメチルビフェニル（東京化成製）の代わりに４,４'-ジヨード-２,２'-ジメチルビフェニル（アルドリッチ製）を用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．５０ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ３）と同定した（収率４９％）。

合成実験例４
窒素雰囲気下、４,４'-ジヨード-３,３-ジメチルビフェニル（東京化成製）２．５０ｇ、中間体１−３を４．０３ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム１．５５ｇ、酢酸パラジウム０．０２５９ｇ、トリ-ｔ-ブチルホスフィン０．０４６６ｇ及び脱水キシレン４５ｍＬを入れ、１３０℃にて３時間反応した。冷却後、水を加えキシレン液を洗浄し、分液後キシレン液をセライト濾過し、濾液を減圧下で濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、トルエン/メタノールで再結晶して、１．７７ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ４）と同定した（収率３５％）。

合成実験例５
合成実験例４において中間体１−３の代わりに中間体１−４を３．８５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１．９５ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ５）と同定した（収率４０％）。

合成実験例６
合成実験例１において中間体１−１の代わりに中間体１−５を８．９１ｇ用いた以外は、合成実験例１と同様に反応を行ったところ、８．３９ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ６）と同定した（収率７７％）。

合成実験例７
合成実験例１において中間体１−１の代わりに中間体１−６を８．２６ｇ用いた以外は、合成実験例１と同様に反応を行ったところ、４．７５ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ７）と同定した（収率５０％）。

合成実験例８
窒素雰囲気下、２−ブロモジベンゾフラン９．８８ｇ、中間体１−７を１０．３ｇ、ｔ-ブトキシナトリウム４．６ｇ、酢酸パラジウム０．２ｇ、トリ-ｔ-ブチルホスホニウムテトラブロモボラート０．４５ｇ及び脱水キシレン２００ｍＬを入れ、１１０℃にて２時間反応した。冷却後、水を加えてキシレン液を洗浄し、抽出後にセライトにて濾過を行い、濾液を減圧下で濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、トルエンで再結晶して、１１．９ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記芳香族アミン誘導体（ＨＴ８）と同定した（収率７０％）。

実施例１−１
有機ＥＬ素子の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄し、さらに、３０分間ＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）オゾン洗浄した。

洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている面上に前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物（Ａ）を蒸着し、膜厚５ｎｍの膜Ａを成膜した。

この膜Ａ上に、第１正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体（Ｘ１）を蒸着し、膜厚１６０ｎｍの第１正孔輸送層を成膜した。第１正孔輸送層の成膜に続けて、第２正孔輸送材料として上記芳香族アミン誘導体（ＨＴ１）を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を成膜した。

この正孔輸送層上に、ホスト化合物（ＢＨ）とドーパント化合物（ＢＤ）とを厚さ２５ｎｍで共蒸着し、発光層を成膜した。ドーパント化合物（ＢＤ）の濃度は４質量％であった。

続いて、この発光層上に、下記化合物（ＥＴ１）を厚さ２０ｎｍ、続いて下記化合物（ＥＴ２）を厚さ５ｎｍ、及びＬｉＦを厚さ１ｎｍで蒸着し、電子輸送／注入層を成膜した。なお、電子注入性電極であるＬｉＦは、１Å／ｍｉｎの成膜速度で形成した。さらに、金属Ａｌを厚さ８０ｎｍで積層して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を製造した。

実施例１−２〜１−７
第２正孔輸送材料として表１に記載の下記芳香族アミン誘導体を用いた以外は実施例１−１と同様にして実施例１−２〜１−７の各有機ＥＬ素子を作製した。

比較例１−１及び１−２
第２正孔輸送材料として表１に記載の下記芳香族アミン誘導体を用いた以外は実施例１−１と同様にして比較例１−１及び１−２の各有機ＥＬ素子を作製した。

有機ＥＬ素子の発光性能評価
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、輝度（Ｌ）、電流密度を測定し、測定結果から電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２における電流効率（Ｌ／Ｊ）、駆動電圧（Ｖ）を求めた。さらに、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における素子寿命を求めた。ここで、８０％寿命とは、定電流駆動時において、輝度が初期輝度の８０％に減衰するまでの時間をいう。結果を表１に示す。

表１の結果から、本発明の芳香族アミン誘導体を用いることにより、低電圧で駆動しても高効率であり、かつ、長寿命の有機ＥＬ素子が得られることがわかる。

実施例２−１
有機ＥＬ素子の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄し、さらに、３０分間ＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）オゾン洗浄した。

洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている面上に前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物（Ａ）を蒸着し、膜厚５ｎｍの膜Ａを成膜した。

この膜Ａ上に、第１正孔輸送材料として上記芳香族アミン誘導体（ＨＴ１）を蒸着し、膜厚１６０ｎｍの第１正孔輸送層を成膜した。第１正孔輸送層の成膜に続けて、第２正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体（Ｙ１）を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を成膜した。

この正孔輸送層上に、ホスト化合物（ＢＨ）とドーパント化合物（ＢＤ）とを厚さ２５ｎｍで共蒸着し発光層を成膜した。ドーパント化合物（ＢＤ）の濃度は４質量％であった。

続いて、この発光層上に、下記化合物（ＥＴ１）を厚さ２０ｎｍ、続いて下記化合物（ＥＴ２）を厚さ５ｎｍ、及びＬｉＦを厚さ１ｎｍで蒸着し、電子輸送／注入層を成膜した。なお、電子注入性電極であるＬｉＦは、１Å／ｍｉｎの成膜速度で形成した。さらに、金属Ａｌを厚さ８０ｎｍで積層して陰極を形成し、有機ＥＬ素子を製造した。

実施例２−２〜２−７
第１正孔輸送材料として表２に記載の下記芳香族アミン誘導体を用いた以外は実施例２−１と同様にして実施例２−２〜２−７の各有機ＥＬ素子を作製した。

比較例２−１及び２−２
第１正孔輸送材料として表２に記載の下記芳香族アミン誘導体を用いた以外は実施例２−１と同様にして比較例２−１及び２−２の各有機ＥＬ素子を作製した。

有機ＥＬ素子の発光性能評価
以上のようにして作製した有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、輝度（Ｌ）、電流密度を測定し、測定結果から電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２における電流効率（Ｌ／Ｊ）、駆動電圧（Ｖ）を求めた。さらに電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における素子寿命を求めた。ここで、８０％寿命とは、定電流駆動時において、輝度が初期輝度の８０％に減衰するまでの時間をいう。結果を表２に示す。

表２の結果から、本発明の芳香族アミン誘導体を用いることにより、低電圧で駆動しても高効率であり、かつ、長寿命の有機ＥＬ素子が得られることがわかる。

本出願は、２０１３年６月１９日出願の特願２０１３−１２８７８９に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。

本発明によって、駆動電圧を低下させるとともに、長寿命の有機ＥＬ素子が提供される。

Claims (24)

1. 下記式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（１）において、
   Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリール基であり；
   Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環原子数３〜５０のヘテロアリーレン基であり；
   Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
   ａ及びｂは０〜４の整数であり；
   Ｒ^５〜Ｒ^１２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
   ただし、Ｒ^５およびＲ^７の少なくともいずれかは水素原子ではなく、Ｒ^５が水素原子でない場合はＲ^６が水素原子ではなく、Ｒ^７が水素原子でない場合はＲ^８が水素原子ではない〕
2. 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２）で表される、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（２）において、
   Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
   ｃ及びｄは０〜５の整数であり；
   ｃ及びｄが２のとき、Ｒ^１３同士またはＲ^１４同士は、互いに結合して環を形成してもよく（ただし、Ｒ^１３またはＲ^１４が、隣接する芳香族環とそれぞれ結合してジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環またはフルオレン環を形成しないものとする）
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３〜Ｒ^１２、ａ及びｂは、前記式（１）と同様に定義される〕
   
3. 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（３）で表される、請求項２に記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（３）において、
   Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり：
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
4. 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（４）で表される請求項２記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（４）において、
   Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
5. 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（５）で表される請求項２記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（５）において、
   Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
6. 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（６）で表される請求項２記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（６）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
7. 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（７）で表される請求項２記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（７）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、ｃ及びｄは、前記式（２）と同様に定義される〕
8. 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が下記式（８）で表される、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
   

   

   〔上記式（８）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、前記式（１）と同様に定義される〕
9. 前記式（３）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、置換もしくは無置換の環炭素数１０〜５０のアリール基である、請求項３に記載の芳香族アミン誘導体。
10. 式（２）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２６）で表される、請求項２に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（２６）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^５〜Ｒ^１２は、前記式（２）と同様に定義される〕
11. 前記式（２６）において、Ｒ^５が水素原子でなく、かつＲ^６が水素原子ではない、請求項１０に記載の芳香族アミン誘導体。
12. 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（１７）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（１７）において、
    Ｚは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＲ^１９Ｒ^２０−であり；−ＣＲ^１９Ｒ^２０−におけるＲ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
    Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
    ｅ及びｆは０〜４の整数であり；
    Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３〜Ｒ^１２、ａ及びｂは、前記式（１）と同様に定義される〕
13. 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（１８）で表される、請求項１２に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（１８）において、
    Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
    Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
14. 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（１９）で表される、請求項１２に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（１９）において、
    Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
    Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
15. 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２０）で表される、請求項１２に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（２０）において、
    Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基であり；
    Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
16. 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２１）で表される、請求項１２に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（２１）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ａ、ｂ、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
17. 式（１７）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２２）で表される、請求項１２に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（２２）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^１７、Ｒ^１８、ｅ、ｆ及びＺは、前記式（１７）と同様に定義される〕
18. 式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記式（２３）〜式（２５）のいずれかで表される、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    

    

    〔上記式（２３）〜（２５）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＺは前記式（１７）と同様に定義される〕
19. 前記式（１）〜式（４）、式（１７）〜（１９）及び式（２６）のいずれかにおいて、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合もしくは下記式（２７）で表される２価の基である、請求項１〜４および１０〜１４のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（２７）において、
    Ｒ^２１は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり；
    ｇは、０〜４の整数である〕
20. 前記式（１）〜式（８）、及び式（１７）〜（２６）のいずれかにおいて、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、式（９）〜式（１６）のいずれかで表される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体。
    

    

    〔上記式（１６）において、
    Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＲ^１５Ｒ^１６−であり、
    Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環原子数５〜５０のヘテロアリール基、又はシリル基である〕
21. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
22. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料。
23. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体からなる、アクセプター層隣接正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料。
24. 互いに対向する陽極と陰極との間に有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機薄膜層を１層以上有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。