JPWO2014168234A1 - 光電変換素子、蓄放電機能を有する光電変換素子および二次電池 - Google Patents
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Abstract
Description
光電変換素子の中で安価に大量生産が可能で、しかも軽量な有機半導体を用いた光電変換素子としては、色素増感型、バルクヘテロ型、ヘテロpn接合型、ショットキー型などが提案されている(特表平8-500701号公報、特許文献1)。
該基板層の他方の面に二次電池が配置されており、
該二次電池は、上記集電極および基板層を含んで形成されてなり、必要により該基板層の他方の面に積層された二次電池マイナス極面と、該二次電池マイナス極面に積層された強誘電体層と、固体電解質層と、該固体電解質層を介して形成されたイオン供給物質層と、該イオン供給物質層と接触して必要により積層された、C60フラーレン、C70フラーレン、グラフェン、グラファイトおよびカーボンナノチューブ(CNT)よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の導電性材料からなる二次電池プラス極面と、上記p型化合物半導体層と接続する二次電池の出力電極のプラス極が形成されていることを特徴としている。
〔光電変換素子〕
図1に示すように、本発明の光電変換素子10は、一方の端部にプラス電極端子64を有し、他方の端部上面にバンプ68が形成され、他の表裏面を絶縁体で被覆したプラス電極11を有する。
上記式(1)において、xは1〜8の整数を表し、xが2〜8である場合には、Bは同一であっても異なっていてもよい。
上記のようにして形成したn型化合物半導体層16の表面にpnバルク層を形成する。
〔二次電池〕
上記の蓄放電能力を有する光電変換素子80では、図3に示すように基板層12の集電極14が設けられていない面に二次電池マイナス極面42が積層されている。ここで集電極は、通常はアルミニウムなどのバルブ金属、ステンレス、クロム、タンタル、ニオブなどの蒸着膜で形成されている。
ナトリウム(Na) :-2.714V
リチウム(Li) :-3.045V
この二次電池80のイオン供給物質層48においては、このイオン供給物質層48の特性を損なわない範囲内で、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの汎用性の樹脂が配合されていてもよい。このような汎用性の樹脂の配合量は、通常は、このイオン供給物質層48を形成する成分を100重量部としたときに50重量部未満である。
〔蓄放電機能を有する光電変換素子〕
上記のような本発明の光電変換素子は二次電池と共に使用することにより蓄放電能力を有する光電変換素子として使用することができる。
上記式(1)において、xは1〜8の整数を表し、xが2〜8である場合には、Bは同一であっても異なっていてもよい。
ナトリウム(Na) :-2.714V
リチウム(Li) :-3.045V
この蓄放電能力を有する光電変換素子70のイオン供給物質層48を形成する非水性電解質としては、イミダゾリウム塩類およびピリジニウム塩類などのアンモニウム系イオン、ホスホニウム系イオンを用いることが好ましく、陰イオンとしては、臭化物イオンおよびトリフラート等のハロゲン系イオン、テトラフェニルボレートなどのホウ素系イオン、ヘキサフルオロホスフェートなどのリン系イオンを適宜組合わせて使用することが好ましい。
〔実施例1〕
第1工程
容量300ミリリットルの三角フラスコにトルエン(C6H5CH3;分子量:92.14)50ミリリットルを入れ、ここにスルホコハク酸ジ-2-エチルヘキシルナトリウム(C20H37NaO7S;分子量:444.56)22.2gを入れゴム栓で封をして外気と遮断して10分間攪拌してスルホコハク酸ジ-2-エチルヘキシルナトリウムをトルエンに完全に溶解させた。
上記第1工程で得られたトルエン溶液にアニリン(C6H7N;分子量:93.13)20ミリリットルを加えて均一な薄い黄色の溶液になるまで5分間攪拌した。
純水(H2O)180ミリリットルに塩酸(HClの37%水溶液)20ミリリットル加えた塩酸水溶液200ミリリットルを調製した。上記第2工程で得られた薄い黄色の溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、調製した塩酸水溶液150ミリリットルを徐々に加え充分に攪拌することにより、白濁物を有する薄い黄色の濁液になる。なお、攪拌が不充分な場合にはポリアニリン(PANI)の収率が低下する。
第3工程で調製された塩酸水溶液の残部50ミリリットルにペルオキソ二硫酸アンモニウム((NH4)2S2O8;分子量:228.20)2.7gをゆっくり攪拌しながら加えてペルオキソ二硫酸アンモニウムの粒子が完全に溶解するまで溶解を20分間続けてペルオキソ二硫酸アンモニウムの塩酸水溶液を調製した。
第4工程で調製したペルオキソ二硫酸アンモニウムの塩酸水溶液を、毎分120回転の攪拌下に、第3工程で調製した白濁物を有する薄い黄色の濁液に毎秒0.5〜1滴づつ滴下して重合反応を行った。
上記第5工程で得られた反応液を室温(15〜20℃)、湿度50%の環境下で放置すると、8〜10時間後にPANIおよび溶媒であるトルエンからなる油相と、重合反応に使用した塩酸水溶液とに相分離したので、分液ロートを用いて水相を除去した。
上記第6工程で洗浄が完了し、水分を分離したPANIのトルエン溶液をシャーレに移し、溶媒回収機能を有する吸気装置下に置き、トルエンを揮発させ、このトルエンを回収装置で回収した。上記のようにしてトルエンを除去したPANIを非加熱条件下で乾燥させ、凝集物を粉砕して粉末状のPANIを得た。
上記のようにして調製したポリアニリン(PANI)を用いて以下に示すようにして図6に示すような光電変換素子(太陽電池)を製造した。
18mm×18mmの石英ガラス7を基板として前面に厚さ100〜500nmの膜圧で銅をスパッタリング処理して銅からなる集電極(銅)6を形成した。
上記銅をスパッタリングした石英ガラス7の中央部に5mm×5mmの窓を形成し、その他の窓が露出するように他の部分を耐熱性を有するポリイミドフィルムでマスキングした。
上記の第II工程で得られた基板をホットプレートの上に載せ100〜150℃に加熱してキャスト法により、上記第7工程で得られたPANIのトルエン溶液にグラフェンを加えた塗布液を乾燥厚100nm〜500nmの厚さに塗布して製膜してp型有機半導体材料層を形成した。図8にp型半導体ポリマー材料(ポリアニリン、グラフェン)粒子のSEM写真を示す。倍率は20000倍である
第IV工程
上記第III工程と同様の条件でpnバルク層4(主成分; チタン酸ストロンチウム)をキャスト法により形成した。膜厚は10〜50nmである。
上記第IV工程で形成したpnバルク層4の表面に厚さ100〜500nmのn型有機半導体層3を上記と同様の条件でキャスト法により形成した。なお、n型有機半導体層3はフラーレン、フタロシアニン(H2Pc)、グラフェン、酸化モリブデンを用いて調製した。図9に、n型ナノカーボン材料(C60フラーレン、グラフェン、H2Pc(フタロシアニン)、酸化モリブデン)粒子のSEM写真を示す。倍率は40000倍である。
ホットプレートの温度を40〜50℃に調整し、上記n型有機半導体層3の表面に緩衝剤(BCP)2をキャスト法により形成した。緩衝剤バソクプロイン(BCP)2の厚さは5nm〜15nmである。
上記のようにして形成した18mm×18mm基板の一辺のマスクを剥がして、新しいポリイミド耐熱テープで貼り直した後、石英ガラス全面にアルミニウムを100〜500nmの厚さでスパッタリングして集電極(アルミニウム)1を形成した。この集電極(アルミニウム)1は、この発電素子の負極となる。
上記のようにして新しく貼り直したポリイミド耐熱テープを残して、三辺のポリイミド耐熱テープを剥がして、最初にスパッタリングした銅からなる集電極(銅)1を露出させた。この集電極(銅)6はこの発電素子の正極となる。
上記のようにして露出した集電極(銅)6に導電ペースト(商品名;ドータイト、藤倉化成(株)製)を塗布して銅細線を引き出し正極とし、集電極(アルミニウム)1にも同様にして導電ペーストを塗布して銅細線を引き出して負極とした。
上記のようにして引き出された正極および負極をそれぞれオシロスコープの電極に接続し、図6の下面の石英ガラス側から熱電磁波を入射して、発電量を測定した。
0.0023V×50ピクセル=0.115V、
0.0038V×50ピクセル=0.19V
になり、本実施例では1ピクセル当りの起電圧は3.5mVであったので、本実施例における太陽電池1セル(25mm2)の起電圧は、
0.0035V×50ピクセル=0.175Vであった。
0.115V×100個=11.5V
0.19V×100個=19V
になり、ここを流れる電流値を0.001Aとすると、
このセルにより発電される電力は、
11.5V×0.001A=0.0115W=11.5mW
19V×0.001A=0.019W=19mW
になる。
11.5mW×228個=2.62W
19mW×228個=4.33W
の電力を供給することができる。
11.5mW×40000=460W=0.46kW
19mW×40000=760W=0.76kW
の電力が得られる。
17.5mW×40000=700W=0.7kWの電力が得られた。
強誘電体物質(チタン酸ストロンチウム等)をグラフェン等のイオン吸着物質で被覆した層と、イオン供給物質(例えばグラフェンと結合したアルカリ金属塩)の層とをバナジン酸塩などの固体電解質を挟んで設置したイオン分子の吸着と強誘電体の電化蓄積とを利用した蓄電素子(二次電池)の製造例
第i工程
18mm×18mmの石英カバーガラスを基板86として用いて、この基板86の全面に純銅をターゲットとして用いてスパッタリング処理を行い厚さ100nm〜500nmの厚さのスパッタリング膜を形成した。このスパッタリング膜(銅)は集電極(銅)85となり、電極ともなる。
上記第i工程で形成された銅のスパッタリング膜の表面に、5mm×5mmの開口部を形成するようにポリイミド耐熱テープを周囲に貼着してマスキングした。
イオン供給物質としてアルカリ金属塩の中から塩化カリウムを選択し、固相の状態で、グラフェン粉末と塩化カリウムをメノウ乳鉢で1時間以上擂り合わせ、得られた粉末をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)に分散させてキャスト液を調製し、このキャスト液を上記第ii工程で形成した5mm×5mmの開口部に塗布してイオン供給物質層83cを形成した。このイオン供給物質層83cの厚さは100nm〜500nmである。
ナトリウム(Na) :−2.714V
リチウム(Li) :−3.045V
第iv工程
固体電解質としてバナジン酸塩を主剤としたアモルファス構造のイオン導電物質をパラフィンオイルを接着剤としてペースト状に練り合わせ、プシュコート法で製膜して固体電解質層83bを形成した。この固体電解質膜の厚さは50nm〜100nmである。
強誘電体であるチタン酸ストロンチウムとイオン吸着物質としてグラフェンを用いてメカノケミカル手法により混合・合成し、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)に分散させてキャスト液を調製し、このキャスト液を固体電解質層83b上にキャスティングして強誘電体層83aを形成した。この強誘電体層83aの厚さは100nm〜500nmである。
基板86の表面に貼着したポリイミド耐熱テープの一辺を剥がして、新しいポリイミド耐熱テープを貼着し直し、基板86の全面にアルミニウムをターゲットとして用いたスパッタリング処理により集電極(アルミニウム)81を形成した。この集電極(アルミニウム)81の厚さは100nm〜500nmであり、且つ電極でおる。
第vi工程で貼着し直したポリイミド耐熱テープを残して他の三辺のテープを剥がしてスパッタリング膜(銅)からなる集電極(銅)85を露出させた。この集電極(銅)85は、本発明の二次電池において正極となる。また上記第vi工程で形成した集電極(アルミニウム)81は本発明の二次電池においては負極となる。
上記のようにして露出した集電極(銅)86に導電ペースト(商品名;ドータイト、藤倉化成(株)製)を塗布して銅細線を引き出し正極とし、集電極(アルミニウム)81にも同様にして導電ペーストを塗布して銅細線を引き出して負極として、充電放電特性を測定した。
充電電圧=1.6V
充電電流=1.5mA
放電時付加抵抗=100Ω±5%
結果を、表4に示すとともに図12に示す。
〔実施例3〕
図13に示すように発電層と蓄電層とを組み合わせた蓄電効果を有する光電管素子の実施例。
18mm×18mmの石英カバーガラスを基板98として用いて、この基板98の全面に純銅をターゲットとして用いてスパッタリング処理を行い厚さ100nm〜500nmの厚さのスパッタリング膜を形成した。このスパッタリング膜(銅)は集電極(銅)97となり、電極ともなる。
上記第a工程で形成された銅のスパッタリング膜の表面に、5mm×5mmの開口部を形成するようにポリイミド耐熱テープを周囲に貼着してマスキングした。
p型有機半導体をホットプレートで上記第b工程で基板を100〜150℃しいに加熱してキャスト法により製膜したこのp型有機半導体層96の厚さは100〜500nmである。
pnバルク層材料を上記第c工程で実施したのと同じ条件でキャスト法により製膜したてpnバルク層95を形成した。
膜圧は10〜50nmである。
n型有機半導体材料と、イオン供給物質としてアルカリ金属塩の中から塩化カリウムを選択し、グラフェン粉末と固相の状態でアルミナ乳鉢あるいはメノウ乳鉢を用いて1時間以上擂潰して、得られた粉末を有機溶媒であるN-メチル-2-ピロリドンに分散させてキャスティング法により塗布したてn型有機半導体層94を形成した。膜厚は、100〜500nmであった。
固体電解質としてバナジン酸塩を主剤としたアモルファス構造のイオン導電物質をパラフィンオイルを接着剤としてペースト状に練り合わせ、プシュコート法で製膜して固体電解質層93を形成した。この固体電解質膜の厚さは50nm〜100nmである。
強誘電体であるチタン酸ストロンチウムとイオン吸着物質としてグラフェンを用いてメカノケミカル手法により混合・合成し、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)に分散させてキャスト液を調製し、このキャスト液を固体電解質層92上にキャスティングして強誘電体層92aを形成した。この強誘電体92の厚さは100nm〜500nmである。
基板の表面に貼着したポリイミド耐熱テープの一辺を剥がして、新しいポリイミド耐熱テープを貼着し直し、基板の全面にアルミニウムをターゲットとして用いたスパッタリング処理により集電極(アルミニウム)91を形成した。この集電極(アルミニウム)91の厚さは100nm〜500nmであり、且つ電極である。
第h工程で貼着し直したポリイミド耐熱テープを残して他の三辺のテープを剥がしてスパッタリング膜(銅)からなる集電極(銅)98を析出させた。この集電極(銅)85は、本発明の二次電池において正極となる。また上記第a工程で形成した集電極(アルミニウム)91本発明の二次電池においては負極となる。
上記のようにして露出した集電極(銅)98に導電ペースト(商品名;ドータイト、藤倉化成(株)製)を塗布して銅細線を引き出し負極とし、集電極(アルミニウム)91にも同様にして導電ペーストを塗布して銅細線を引き出して正極として、充電放電特性を測定した。
充電電圧=1.6V
充電電流=1.5mA
放電時付加抵抗=100Ω±5%
結果を、図14示す。
2・・・緩衝剤(BCP)
3・・・n型有機半導体
4・・・pnバルク層
5・・・p型有機半導体(ポリアニリン薄膜)
6・・・集電極(銅)
7・・・基板(石英カラス)
10・・・光電変換素子
11・・・プラス電極
12・・・基板層
14・・・集電極
16・・・n型化合物半導体層
18・・・p型化合物半導体層
20・・・pnバルク化合物半導体層
22・・・二次電池プラス極
24・・・表面保護層
42・・・二次電池マイナス極面
44・・・強誘電体層(第一電解層)
46・・・固体電解質層
48・・・イオン供給物質層(イオン供給物質層)
50・・・二次電池プラス極面
52a、62b・・・絶縁層
62・・・マイナス電極端子
64・・・プラス電極端子
69・・・導線
70・・・蓄放電能力を有する光電変換素子
80・・・二次電池
81・・・集電極(アルミニウム)
82・・・二次電池マイナス極面
83a・・・強誘電体層
83b・・・固体電解質層
83c・・・イオン供給物質層
84・・・二次電池プラス極面
85・・・集電極(銅)(基板層)
86・・・基板(石英ガラス)
91・・・集電極(アルミニウム)
92・・・共誘電体層(チタン酸ストロンチウム+グラフェン+酸化モリブデン)
93・・・固体電解層(バナジン酸塩含有)
94・・・n型有機半導体〔(フラーレン、フタロシアニン、グラフェン、酸化モリブデン)+イオン供給物質(グラフェン+アルカリ金属円)〕
95・・・pnバルク層
96・・・p型有機半導体層(ポリアニリン薄膜)
97・・・集電極(銅)
98・・・基板(石英ガラス)
Claims (33)
- 出力電極のマイナス極に接続する導電性金属からなる基板層と、該基板層の一方の面に接合して形成された集電極と、該集電極に接続して形成されたフラーレン類を含有する誘電性組成物からなるn型化合物半導体層と、該n型化合物半導体層に接触して形成されたp型化合物半導体層と、該n型化合物半導体層およびp型化合物半導体層の間に形成され、該n型化合物半導体層およびp型化合物半導体層に間欠的に接触するpnバルク層と、絶縁層を介して基板層の他方の面に形成されたプラス極とを有し、該プラス電極が、集電極、pnバルク層およびn型化合物半導体層と絶縁状態で、p型化合物半導体層と電気的に接続していることを特徴とする光電変換素子。
- 上記集電極の表面に、グラフェン層、グラファイト層およびカーボンナノチューブ層よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の層を介してn型化合物半導体層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記n型化合物半導体層を形成するフラーレン類を含有する誘電性組成物が、少なくともC60フラーレンおよび/またはC70フラーレンと、導電性ポリマーと、有機顔料とを含み、これらの少なくとも一部が結合して該n型化合物半導体層内を電子移動可能にしていることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記n型化合物半導体層を形成するフラーレン類の少なくとも一部が分子回転可能に該n型化合物半導体層に含有されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記p型化合物半導体層が、正孔を形成するドーパントを含有する二酸化ケイ素からなる酸化物から形成された透明蒸着膜であることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記基板層が、銅から形成されていることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記集電極が金属アルミニウム蒸着層からなることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記pnバルク層が、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(II)、チタン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種類の誘電体を含む強誘電体層であることを特徴とする請求項1記載の光電変化素子。
- 上記フラーレン類が、C60、C62、C68、C70、C80、C82およびカーボンナノチューブ(CNT)がよりなる群から選ばれる少なくとも一種類のフラ−レン若しくはこれらのフラーレン類にアルカリ金属および/またはアルカリ土類金属がドープまたはインターカレントしたものであるか、金属を内包するものであることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記n型化合物半導体層に含まれるフラーレン類が振動しながらpnバルク層に接触しており、該光電変換素子が、該pnバルク層に対する振動接触によるピエゾ効果により発生する起電力をも利用することを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 上記光電変換素子が、パネル表面の負極と、パネル裏面の正極との間の温度差に起因するゼーベック効果により発生する起電力をも利用することを特徴とする請求項1記載の光電変換素子。
- 出力電極のマイナス極に接続する導電性金属からなる基板層と、該基板層の一方の面に接合して形成された集電極と、該集電極に接続して形成されたフラーレン類を含有する誘電性組成物からなるn型化合物半導体層と、該n型化合物半導体層に接触して形成されたp型化合物半導体層と、該n型化合物半導体層およびp型化合物半導体層の間に形成され、該n型化合物半導体層およびp型化合物半導体層に間欠的に接触するpnバルク層とを有し、
該基板層の他方の面に二次電池が配置されており、
該二次電池は、上記集電極および基板層を含んで形成されてなり、必要により該基板層の他方の面に積層された二次電池マイナス極面と、該二次電池マイナス極面に積層された強誘電体層と、固体電解質層と、該固体電解質層を介して形成されたイオン供給物質層と、該イオン供給物質層と接触して必要により積層された、C60フラーレン、C70フラーレン、グラフェン、グラファイトおよびカーボンナノチューブ(CNT)よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の導電性材料からなる二次電池プラス極面と、上記p型化合物半導体層と接続する二次電池の出力電極のプラス極が形成されていることを特徴とする蓄放電能力を有する光電変換素子。 - 上記強誘電体層およびイオン供給物質層が、イオン供給成分をを含むことを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記集電極の表面に、グラフェン層、グラファイト層およびカーボンナノチューブ層よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の層を介してn型化合物半導体層が形成されていることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記n型化合物半導体層を形成するフラーレン類を含有する誘電性組成物が、少なくともC60フラーレンおよび/またはC70フラーレンと、導電性ポリマーと、有機顔料とを含み、これらの少なくとも一部が結合して該n型化合物半導体層内を電子移動可能にしていることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記n型化合物半導体層を形成するフラーレン類の少なくとも一部が分子回転可能に該n型化合物半導体層に含有されていることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記p型化合物半導体層が、正孔を形成するドーパントを含有する二酸化ケイ素からなる酸化物から形成された透明蒸着膜であることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記基板層が、銅から形成されていることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記集電極が金属アルミニウム蒸着層からなることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記pnバルク層が、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(II)、チタン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種類の誘電体を含む強誘電体層であることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記フラーレン類が、C60、C62、C68、C70、C80、C82およびカーボンナノチューブ(CNT)がよりなる群から選ばれる少なくとも一種類のフラ−レン若しくはこれらのフラーレン類にアルカリ金属および/またはアルカリ土類金属がドープまたはインターカレントしたものであるか、金属を内包するものであることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記n型化合物半導体層に含まれるフラーレン類が振動しながらpnバルク層に接触しており、該光電変換素子が、該pnバルク層に対する振動接触によるピエゾ効果により発生する起電力をも利用することを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素
子。 - 上記光電変換素子が、パネル表面のマイナス極と、パネル裏面のプラス極との間の温度差に起因するゼーベック効果により発生する起電力をも利用することを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記二次電池マイナス極面が、リン、ホウ素およびフッ素よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の原子がドープされた二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項12記載の蓄放電能力を有する光電変換素子。
- 上記強誘電体層およびイオン供給物質層がイオン性液体を含有してなり、該イオン性液体が、
- 一方の面に蒸着された集電極を有する基板層の他方の面に積層された二酸化ケイ素を含有する金属酸化物からなる二次電池マイナス極面と、該二次電池マイナス極面に積層された、イオン性液体電解質を含む強誘電体層と、固体電解質層と、該固体電解質層を介して形成された、イオン性液体電解質を含むイオン供給物質層と、該イオン供給物質層と接触して積層された、C60フラーレン、C70フラーレン、グラフェン、グラファイトおよびカーボンナノチューブ(CNT)よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の導電性材料からなる二次電池プラス極面と、該二次電池プラス極面と接続してプラス電極が配置されてなり、上記基板層からマイナス電極端子が導出され、該プラス電極からプラス電極端子が導出されていることを特徴とする二次電池。
- 上記強誘電体層およびイオン供給物質層が、それぞれ独立に、さらにカチオン高分子電解質、アニオン分子電解質およびフラーレン電解質よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の非水系電解質を含むことを特徴とする請求項26記載の二次電池。
- 上記基板層が、銅から形成されていることを特徴とする請求項26記載の二次電池。
- 上記集電極が金属アルミニウム蒸着層からなることを特徴とする請求項26記載の二次電池。
- 上記フラーレン類が、C60、C62、C68、C70、C80、C82およびカーボンナノチューブ(CNT)がよりなる群から選ばれる少なくとも一種類のフラ−レン若しくはこれらのフラーレン類にアルカリ金属および/またはアルカリ土類金属がドープまたはインターカレントしたものであるか、金属を内包するものであることを特徴とする請求項26記載の二次電池。
- 上記固体電解質層が、逆浸透膜であることを特徴とする請求項26記載の二次電池。
- 上記イオン供給物質層がイオン供給物質を含有してなり、該イオン性液体が、
- 上記イオン供給物資が、アルカリ金属のハロゲン化物であることを特徴とする請求項26に記載の二次電池。
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