JPWO2014077323A1 - 光学活性イソプレゴールおよび光学活性メントールの製造方法 - Google Patents

Abstract

環境を汚染する廃棄物が少なく、製造経費も節約できる、光学活性イソプレゴールおよび光学活性メントールの製造方法を提供することを目的とする。特定の光学活性ルテニウム触媒を用いてゲラニオール及び／又はネロールを不斉異性化することにより光学活性シトロネラールを得て、アルキルアルミニウム化合物と特定のヒドロキシ化合物とを混合したアルミニウム触媒を用いて光学活性シトロネラールの選択的閉環反応をすることにより、高収率・高選択的に光学活性イソプレゴールを得ることが可能となる。

Description

本発明は、特に、経済的に有利な、短い工程でイソプレゴールおよびメントールを製造する方法に関する。特に光学活性イソプレゴールおよび光学活性メントールを製造する方法に関する。具体的には、（Ｅ）−３，７−ジメチル−２，６−オクタジエン−１−オール（以下、ゲラニオールと表記する）又は（Ｚ）−３，７−ジメチル−２，６−オクタジエン−１−オール（以下、ネロールと表記する）を不斉異性化することにより、光学活性シトロネラールを得、得られた光学活性シトロネラールを、アルミニウム触媒を用いて閉環して光学活性イソプレゴールを得る。さらに得られた光学活性イソプレゴールを精製することなく、又は晶析することにより純度を高めた後水素化することにより、光学活性メントールを製造する方法に関する。

メントールは最も重要な冷感作用のある香料物質の一つであり、その大部分は依然として主に天然物から供給されている。しかしながら天然メントールの生産量はその年の天候に左右されやすく、供給量が不安定であるため、一部を合成品に頼る必要がある。ｌ−メントール（（１Ｒ，２Ｓ，５Ｒ）−メントール）を工業規模で製造するためには、合成法の経済性や効率を最大限に高める必要性がある。そのため、特に、安価なアキラル原料からの安価でかつ高純度なｌ−メントールの合成が課題となっている。

ｌ−メントールは、２つの方針に沿って合成することができる。一方では、たとえばチモールの水素化により得られるメントールの立体混合物を、エステル化した後に光学分割すること（結晶化または酵素的分割による）により製造されている（特許文献１、２）。

他方では、Ｓ．Ａｋｕｔａｇａｗａは、触媒としてロジウム−ＢＩＮＡＰ（ＢＩＮＡＰ＝２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）を用いるアリルアミンからエナミンへの不斉異性化反応を鍵ステップとしたｌ−メントールの合成について記載している（非特許文献１）。

重要な段階としてピペリテノンの不斉水素化をおこなうｌ−メントールの不斉合成の方法が開示されている（特許文献３）。

また、ａ）ゲラニオール、ネロール又はゲラニオールとネロールの混合物を不斉水素化して光学活性シトロネロールを得て、ｂ）得られた光学活性シトロネロールを酸化して光学活性シトロネラールを得て、ｃ）得られた光学活性シトロネラールを閉環して光学活性イソプレゴールを含有する混合物を得て、得られた混合物から光学活性イソプレゴールを取り出した後、ｄ）これを水素化して光学活性メントールを得る方法による、ゲラニオール、ネロール又はゲラニオールとネロールの混合物から光学活性メントールを製造する方法が開示されている（特許文献４）。

さらに、ａ）シトラール（ゲラニアールとネラールの混合物）を精密蒸留してゲラニアールまたはネラールを得て、ｂ）ゲラニアールまたはネラールを不斉水素化して光学活性シトロネラールを得て、ｃ）得られた光学活性シトロネラールを閉環して光学活性イソプレゴールを含有する混合物を得て、得られた混合物から光学活性イソプレゴールを取り出した後、ｄ）これを水素化して光学活性メントールを得る方法による、ゲラニアール、ネラール又はゲラニアールとネラールの混合物から光学活性メントールを製造する方法が開示されている（特許文献５）。

そして、ａ）ゲラニアール及びネラールのうち少なくとも一方の不斉水素化により、光学活性シトロネラールを得て、ｂ）得られた光学活性シトロネラールを酸性触媒により閉環して光学活性イソプレゴールを含有する混合物を得て、得られた混合物から光学活性イソプレゴールを取り出した後、ｃ）これを水素化して光学活性メントールを製造する方法による、ゲラニアール及びネラールのうち少なくとも一方から光学活性メントールを製造する方法が開示されている（特許文献６）。

また、ラセミ体及び光学活性なメントールを合成するための重要な中間体がイソプレゴールであり、これは通常シトロネラールのオキソ−エン反応をルイス酸触媒の存在下で閉環することにより製造され、通常４種類のジアステレオマー、すなわちイソプレゴール、イソ−イソプレゴール、ネオ−イソプレゴール及びネオイソ−イソプレゴールの混合物として得られる。この中で重要なイソプレゴールを高選択的に得る方法は、アルミニウム触媒でシトロネラールを閉環する方法が開示されている（特許文献７〜１２）。

イソプレゴール及びメントールを合成するための原料である光学活性のシトロネラールをゲラニオール又はネロールから合成するための手段としては、ゲラニオール及びネロールを含むアリルアルコールの不斉異性化反応を利用する方法がある。

従来より、アリルアルコールを不斉異性化して光学活性アルデヒドとする方法としては、遷移金属錯体を用いた方法が知られている。しかしながら、これらの方法は、触媒活性が低く、得られた光学活性アルデヒドの光学純度も十分に満足できるものではなかった（非特許文献２〜５）。

さらにロジウム、ルテニウム等の遷移金属錯体をもちいた方法が知られている。しかしながら、これらの方法は、基質特異性が高く、汎用的な方法であるとはいえなかった。（非特許文献６〜１７）。

最近、光学活性アルデヒドを製造するための一般性の高い、しかも高選択的、高収率で製造できる、触媒反応が見出された（非特許文献１８）。

欧州特許第０７４３２９５号明細書 欧州特許第０５６３６１１号明細書 米国特許第６３４２６４４号明細書 日本国特表２００８−５２１７６３号公報 国際公開第２００９／０６８４４４号 国際公開第２０１２／０７４０７５号 日本国特開２００２−２１２１２１号公報 日本国特表２００８−５３８１０１号公報 国際公開第２００９／１４４９０６号 国際公開第２０１０／０７１２２７号 国際公開第２０１０／０７１２３１号 日本国特開２０１１−２４６３６６号公報

Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ４ （１９９７） Ｐ２７１−２７４ Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，２００２，６５０，１〜２４ Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，２００３，１０３，２７〜５１ Ｍｏｄｅｒｎ Ｒｈｏｄｉｕｍ−Ｃａｔａｌｙｚｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ（Ｅｄ．：Ｐ．Ａ．Ｅｖａｎｓ），Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ，２００５，７９〜９１頁 Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２０１１，４０，３４１〜３４４ Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０００，１２２，９８７０〜９８７１ Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００１，６６，８１７７〜８１８６ Ｇａｚｚ．Ｃｈｉｍ．Ｉｔａｌ．，１９７６，１０６，１１３１−１１３４ Ｐｕｒｅ Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．，１９８５，５７，１８４５〜１８５４ Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，２００１，８４，２３０−２４２ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，２００６，４７，５０２１〜５０２４ Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２００９，４８，５１４３〜５１４７ Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２０１０，４６，４４５〜４４７ Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１０，１６，１２７３６〜１２７４５ Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２０１１，５０，２３５４〜２３５８ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，２００８，２５４７〜２５５０ Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１１，１７，１１１４３〜１１１４５ Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２０１３，５２，７５００〜７５０４

しかしながら、天然メントールは天候による影響が大きく、安定供給に問題がある。特許文献１、２に関し、ラセミ体メントールを、光学分割することにおいては、ｌ−メントールの含有量は少なく、残りのｌ−メントール以外の７種類の異性体からｌ−メントールを取り出す工程は複雑である。また非特許文献１に関し、ミルセンを原料とするｌ−メントールの製造方法においては、工程が長く、ジエチルゲラニルアミンを対応する光学活性エナミンに異性化する触媒に高価な均一系のロジウム錯体を使用する。特許文献３の不斉合成方法においては、原料のピペリテノンが入手しにくいこと、ロジウム錯体、ルテニウム錯体のような高価な均一系の錯体を使用し、水素化反応の圧力は高いこと等が懸念される。

特許文献４に記載される光学活性メントールを製造する方法は、実際にはゲラニオールとネロールを精密蒸留によって分離しなければならず、ｌ−メントール製造に必要な原料の、ｄ−シトロネロール（（Ｒ）−シトロネロール）を得るためにはゲラニオールとネロールそれぞれを不斉水素化する高価な均一系触媒は別々に調製しなければならなくなり工程数が増える。

特許文献５に記載される光学活性メントールを得る方法においては、ゲラニアール、ネラール又はゲラニアールとネラールの混合物から、精密蒸留して高純度のネラール又はゲラニアールを取り出さなければならない。その後、ｌ−メントール製造に必要な原料のｄ−シトロネラール（（Ｒ）−シトロネラール）を得るためには、ネラールとゲラニアールそれぞれを不斉水素化するためのキラリティーの異なる高価なロジウム触媒を、別々に調製しなければならないため、工程数が増加する。さらに、高い水素圧で不斉水素化を行わなければならないという問題がある。

特許文献６に記載される光学活性メントールを得る方法においては、原料としてシトラールを使用しており、ａ）の不斉水素化工程で水素を使用している（特許文献６）。

以上のように、どの方法においても効率的、経済的かつ安全に製造を行う上では問題点が存在し、さらに簡便で効率的な光学活性メントールの製造方法が求められていた。

本発明の目的は、短い製造工程で、すべての工程を触媒反応の工程で行うことで、環境を汚染する廃棄物の排出を極限まで減少させ、また、エネルギー効率も高く、製造経費も節約できる、光学活性イソプレゴールおよび光学活性メントールの製造方法を提供することである。

本発明者等は上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、ａ）不斉金属触媒を用いて、ゲラニオール及び／又はネロールを不斉異性化し、対応する非常に高い光学純度の光学活性シトロネラールが得られることを見いだし、ｂ）得られた光学活性シトロネラールを特定のアルミニウム触媒を用いることにより閉環し、非常に高い純度のｎ−選択性の光学活性イソプレゴールを得て、あるいは光学活性イソプレゴールをさらに深冷晶析することによって高純度光学活性イソプレゴールを得て、ｃ）これらを水素化して光学活性メントールを得る方法、つまりゲラニオール及び／又はネロールから短い工程で光学活性メントールを製造する方法を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は以下の各発明を包含する。

〔１〕
下記一般式（１）で表される化合物を、ルテニウム触媒と塩基の存在下に不斉異性化することにより、下記一般式（２）で表される光学活性体シトロネラールを得る工程、前記一般式（２）で表される光学活性体シトロネラールを、アルミニウム触媒の存在下、選択的に閉環させる工程を含む、下記一般式（３）で表される光学活性イソプレゴールの製造方法であって、
前記アルミニウム触媒は、下記一般式（５）で表されるヒドロキシ化合物、又は、下記一般式（６）で表されるヒドロキシ化合物を、下記一般式（７）で表されるアルキルアルミニウム化合物、下記一般式（８）で表されるヒドリドアルミニウム化合物、下記一般式（９）で表される鎖状アルミノキサン類、及び下記一般式（１０）で表される環状アルミノキサン類、から選ばれる少なくとも１種のアルミニウム化合物と反応させて得られるものである、光学活性イソプレゴールの製造方法。

（式（１）中、波線は二重結合の（Ｅ）体及び／又は（Ｚ）体であることを示す。）
式（２）及び（３）中、＊は、不斉炭素原子を示す。）

（式（５）中、Ｒ^１及びＲ^５は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数３乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、ポリマー鎖である。）

（式（６）中、Ｒ^６、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１３は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、又はポリマー鎖である。
Ａは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。）
ＡｌＨ_ｋ（Ｌｇ）_３−ｋ （７）
（式（７）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｌｇは炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、または置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり、ｋは０乃至３の整数である。）
ＭＡｌＨ_４ （８）
（式（８）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｍはリチウム、ナトリウム又はカリウムである。）

（式（９）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｒ^１７は炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり、複数のＲ^１７はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｌは０〜４０の整数である。）

（式（１０）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｒ^１８は炭素数１乃至８の分岐状若しくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり；ｊは０〜４０の整数である。）
〔２〕
前記一般式（５）で表されるヒドロキシ化合物が、下記一般式（５−ａ）で表されるヒドロキシ化合物である上記〔１〕記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。

（式（５−ａ）中、Ｒ^１ａは、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基であり、Ｒ^５ａは、置換基を有していてもよい炭素数５乃至１５の環状アルキル基であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、又はポリマー鎖である。）
〔３〕
前記一般式（６）で表されるヒドロキシ化合物が、下記一般式（６−ａ）で表されるヒドロキシ化合物である上記〔１〕記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。

（式（６−ａ）中、Ｒ^６ａ及びＲ^１０ａは、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基であり、Ｒ^９ａ及びＲ^１３ａは、置換基を有していてもよい炭素数５乃至１５の環状アルキル基であり、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、又はポリマー鎖である。
Ａは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。）
〔４〕
前記閉環反応を、下記Ｉ及びＩＩのうち少なくとも一方の化合物の存在下で行う上記〔１〕乃至〔３〕のいずれか１に記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
Ｉ．少なくとも１種の酸
ＩＩ．シトロネラール以外のアルデヒド、酸無水物、ケトン、酸ハライド、エポキシ化合物及びビニルエーテルを含む郡から選択される少なくとも１種の化合物
〔５〕
前記ルテニウム触媒が、下記一般式（１１）で表されるルテニウム化合物である、上記〔１〕乃至〔４〕のいずれか１に記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
［Ｒｕ_ｍＬ_ｎＷ_ｐＵ_ｑ］_ｒＺ_ｓ （１１）
（式中、Ｌは、光学活性ホスフィン配位子であり、Ｗは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン又はアニオンであり、Ｕは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン、アニオン又はＬ以外の配位子であり、Ｚは、アニオン、アミン又は光学活性含窒素化合物であり、ｍ、ｎ及びｒは各々独立して１〜５の整数であり、ｐ、ｑ及びｓは各々独立して０〜５の整数であり、ｐ＋ｑ＋ｓは１以上である。）
〔６〕
前記塩基が、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の塩若しくは四級アンモニウム塩である上記〔１〕乃至〔５〕のいずれか１に記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
〔７〕
上記〔１〕乃至〔６〕のいずれか１に記載の方法により光学活性イソプレゴールを得る工程、及び得られた光学活性イソプレゴールに水素添加する工程を含む光学活性メントールの製造方法。
〔８〕
以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
Ａ−１）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化により光学活性シトロネラールを得る。
Ｂ−１）酸性触媒による光学活性シトロネラールの閉環反応によって光学活性イソプレゴールを得る。
Ｃ−１）光学活性イソプレゴールを水素化し光学活性メントールを得る。
〔９〕
以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
Ａ−２）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化により光学活性シトロネラールを得る。
Ｂ−２）酸性触媒による光学活性シトロネラールの閉環反応によって光学活性イソプレゴールを得る。
Ｄ−２）光学活性イソプレゴールを深冷によって再結晶を行いさらに高い純度のイソプレゴールを得る。
Ｅ−２）工程Ｄ−２で得た光学活性イソプレゴールを水素化し光学活性メントールを得る。
〔１０〕
以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
Ａ−３）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化によりｄ−シトロネラールを得る。
Ｂ−３）酸性触媒によるｄ−シトロネラールの閉環反応によってｌ−イソプレゴールを得る。
Ｃ−３）ｌ−イソプレゴールを水素化しｌ−メントールを得る。
〔１１〕
以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
Ａ−４）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化によりｄ−シトロネラールを得る。
Ｂ−４）酸性触媒によるｄ−シトロネラールの閉環反応によってｌ−イソプレゴールを得る。
Ｄ−４）ｌ−イソプレゴールを深冷によって再結晶を行いさらに高い純度の１−イソプレゴールを得る。
Ｅ−４）工程Ｄ−４で得たｌ−イソプレゴールを水素化しｌ−メントールを得る。

本発明の製造方法では、第一段階の工程としてゲラニオール及び／又はネロールを不斉異性化することにより、光学活性シトロネラールを得るが、特定のルテニウム触媒を使用することにより、高い光学純度で光学活性シトロネラールを製造することができる。

本発明の製造方法における不斉異性化反応は、以前開示されている報告（特許文献４）のように、ゲラニオール及び／又はネロールを不斉水素化し、シトロネロールを得た後酸化することによりシトロネラールを得る必要はなくなるため、工程の短縮化が可能である。

第二段階の工程として、第一段階の工程で得られた光学活性シトロネラールをアルミニウム触媒で閉環することにより、光学活性イソプレゴールを４種類の異性体の中から高選択的に製造することができる。

第三段階の任意の工程として、第二段階の工程で得られた光学活性イソプレゴールを低温で深冷晶析することによって、さらに高い化学純度、光学純度で光学活性イソプレゴールを製造することができる。

第四段階の工程として、第二段階の工程で得られた光学活性イソプレゴール又は第三段階で得られた光学活性イソプレゴールを水素化触媒を用いて水素化することにより光学活性メントールを製造することができる。

その結果、化学合成される光学活性メントール製造方法としては、原料から最短の工程で光学活性メントールが製造できる。また、ゲラニオール又はネロールの不斉異性化によって得られるシトロネラールは非常に化学純度及び光学純度が高く、そのシトロネラールを高選択的な閉環触媒により閉環を行うことによって晶析操作を行わずに高純度のｌ−イソプレゴールが得られる。さらに、深冷晶析以外の製造工程のすべてが触媒を用いた工程であり、環境を汚染する廃棄物が少なく、製造経費も節約できる。

図１は、実施例５において２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノールとトリエチルアルミニウムを反応させて得られた固体の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。 図２は、図１で示す^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの低磁場側を拡大した図である。 図３は、２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール（ＣＰＰ）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。 図４は、図３で示す^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの低磁場を拡大した図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
本願において“重量％”及び“重量部”は、それぞれ“質量％”及び“質量部”と同義である。
本発明である光学活性メントールの製造方法はＳｃｈｅｍｅ１に示した方法で行われる。本明細書において、化学構造中の＊は不斉炭素を表わす。

＜工程Ａ＞
スキーム１に示した工程Ａはゲラニオール及びネロールのうち少なくとも一方を、不斉異性化触媒を用いて不斉異性化することにより、光学活性シトロネラールを製造することにより成り立つ。

＜工程Ａ：不斉異性化触媒＞
（ルテニウム触媒）
スキーム１の工程Ａ：不斉異性化触媒について説明する。不斉異性化触媒であるルテニウム触媒としてはルテニウムと配位子からなる錯体が好ましく用いられ、配位子が不斉配位子であることが望ましいが、配位子以外の他の構成成分が光学活性体であってもよい。

不斉異性化触媒であるルテニウム錯体製造に用いられる不斉配位子は、光学活性部位を有し、光学活性な化合物であって、不斉配位子として使用可能なものであれば何れも挙げられる。前記不斉配位子としては、例えば、Ｃａｔａｌｙｔｉｃ Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ （Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ， ２０００）、Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｗｉｔｈ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔａｌ Ｃｏｍｐｌｅｘ （ＶＣＨ，１９９３）、ＡＳＹＭＭＥＴＲＩＣ ＣＡＴＡＬＹＳＩＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ （Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．（１９９４））、国際公開第２００５／０７０８７５号等に記載されている不斉配位子が挙げられる。

より具体的に説明すると、本発明で用いられる不斉配位子は、例えば、単座配位子、二座配位子、三座配位子、四座配位子等が挙げられる。例えば、光学活性ホスフィン化合物、光学活性アミン化合物、光学活性アルコール化合物、光学活性硫黄化合物、光学活性カルベン化合物等が挙げられる。好ましくは、光学活性ホスフィン化合物が挙げられる。

光学活性ホスフィン化合物としては、次の一般式（１２）で表される光学活性二座ホスフィン配位子が挙げられる。

［式（１２）中、式中、Ｒ^１９〜Ｒ^２２は各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を示すか、あるいはＲ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２は各々互いに隣接するリン原子と共に複素環を形成していてもよく； Ｒ^２３及びＲ^２４は各々独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子を示し；Ｒ^２５は炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子を示し； また、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２４とＲ^２５は各々互いに結合して、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成してもよい）］

この一般式（１２）において、Ｒ^１９〜Ｒ^２２は各々独立に置換基を有していてもよい芳香族基又は炭素数３〜１０の環状アルキル基を示すか、あるいはＲ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２は互いに隣接するリン原子と共に複素環を形成していてもよい。

置換基を有していてもよい芳香族基において、芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナンスリル基等の炭化水素系芳香族基； ピロリル基、ピリジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾリル基等の複素系芳香族基等が挙げられる。

ここで置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の低級アルコキシ基；フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ファナンスリル基等のアリール基；ベンジル基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、α−フェニルプロピル基、β−フェニルプロピル基、γ−フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等の炭素数７乃至１３のアラルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチ−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基等のトリ−炭素数１〜６アルキルシリル基、ジメチルクミルシリル基等のジ−炭素数１〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のジ−炭素数６〜１８アリール−炭素数１〜６アルキルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基等のトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等のトリ置換オルガノシリル基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基等が挙げられる。

置換基を有していてもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基において、具体例としては、シクロペンチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、オクタヒドロナフチル基等が挙げられる。

ここで、置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の低級アルコキシ基；フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ファナンスリル基等のアリール基； ベンジル基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、α−フェニルプロピル基、β−フェニルプロピル基、γ−フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等の炭素数７乃至１３のアラアルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキシルシリル基等のトリ−炭素数１〜６アルキルシリル基、ジメチルクミルシリル基等のジ−炭素数１〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のジ−炭素数６〜１８アリール−炭素数１〜６アルキルシリル基、トリフェニルシリル基等のトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基等のトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等のトリ置換オルガノシリル基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基等が挙げられる。

Ｒ^１９とＲ^２０、Ｒ^２１とＲ^２２が各々互いに隣接するリン原子と共に複素環を形成した場合の複素環の具体例としては、ホスホール、テトラヒドロホスホール、ホスホリナン等が挙げられる。当該複素環には、本発明の反応に不活性な官能基を置換基として１〜４個有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

一般式（１２）において、Ｒ^２３及びＲ^２４は各々独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子である。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表される炭素数１〜５のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表される炭素数１〜５のアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペントキシ基等が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロルアミノ基、ジｎ−ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表される５〜８員の環状アミノ基の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基等が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

これらの中で、好ましいＲ^２３及びＲ^２４としては、水素原子； メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基のジアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基等の５〜８員の環状アミノ基等が挙げられる。
特に好ましいＲ^２３及びＲ^２４としては、水素原子、メトキシ基が挙げられる。

一般式（１２）において、Ｒ^２５は炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基、５〜８員の環状アミノ基又はハロゲン原子である。

Ｒ^２５で表される炭素数１〜５のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。

Ｒ^２５で表される炭素数１〜５のアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペントキシ基等が挙げられる。

Ｒ^２５で表されるジ（炭素数１〜５アルキル）アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロルアミノ基、ジｎ−ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ^２５で表される５〜８員の環状アミノ基の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基等が挙げられる。

Ｒ^２５で表されるハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

これらの中で、好ましいＲ^２５としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基等の５〜８員の環状アミノ基等が挙げられる。
特に好ましいＲ^２５としては、メチル基、メトキシ基が挙げられる。

一般式（１２）において、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２４とＲ^２５は各々互いに結合して縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成してもよい。これらの中で、Ｒ^２４とＲ^２５が結合して縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基を形成したものが好ましい。特に、Ｒ^２４とＲ^２５が結合して、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、テトラメチレン基、メチレンジオキシ基、メチレンジオキシ基又はエチレンジオキシ基を形成したものが好ましい。

また、前記縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基又はトリメチレンジオキシ基には、不斉合成反応に不活性な官能基を置換基として、好ましくは０〜４個の範囲で有していてもよい。ここで、置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；水酸基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等が挙げられる。

この一般式（１２）において、好ましく用いられる光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば、日本国特開昭６１−６３６９０号公報、日本国特開昭６２−２６５２９３号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ（ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル〔ｐ−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ〕、２，２’−ビス（ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）２，２’−ビスジ（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｔ−Ｂｕ−２−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス［ジ（４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（ＤＭＭ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｃｙ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｃｐ−ＢＩＮＡＰ）を挙げることができる。

更に、この一般式（１２）において、好ましく用いられる光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば、日本国特開平４−１３９１４０号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。すなわち、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル（Ｈ_８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル（ｐ−Ｔｏｌ−Ｈ_８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−（３，５−キシリル）ホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル（ＤＭ−Ｈ_８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−（４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル（ＤＭＭ−Ｈ_８−ＢＩＮＡＰ）。

更にまた、この一般式（１２）において、好ましく用いられる光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば、日本国特開平１１−２６９１８５号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。すなわち、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジｐ−トリルホスフィン）（ｐ−Ｔｏｌ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィン）（ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィン）（ＤＭＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン）（ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジシクロヘキシルホスフィン）（Ｃｙ−ＳＥＧＰＨＯＳ）。

以上の光学活性二座ホスフィン配位子以外に、一般式（１２）に該当するものとして、次の光学活性二座ホスフィン配位子を挙げることができる。すなわち、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ｐ−Ｔｏｌ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ４−ｔ−ブトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＴＢＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（Ｃｙ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ｐ−Ｔｏｌ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭＭ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ４−ｔ−ブトキシ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＴＢＭ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（Ｃｙ−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−３，３’−ジクロロ−４，４’−ジメチル−６，６’−ビス（ジｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ｐ−Ｔｏｌ−ＣＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−３，３’−ジクロロ−４，４’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭ−ＣＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）、２，２’−ジメチル−３，３’−ジクロロ−４，４’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ４−メトキ−３，５−ジメチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（ＤＭＭ−ＣＭ−ＢＩＰＨＥＭＰ）。

本発明では、上記した配位子とルテニウムとを含むルテニウム錯体で不斉異性化反応を行うが、この不斉異性化反応における光学活性ルテニウム錯体としては、例えば、下記一般式（１１）で表される化合物が好ましいのものとして挙げられる。

［Ｒｕ_ｍＬ_ｎＷ_ｐＵ_ｑ］_ｒＺ_ｓ （１１）
（式中、Ｌは、光学活性ホスフィン配位子であり；Ｗは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン又はアニオンであり；Ｕは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン、アニオン又はＬ以外の配位子であり；Ｚは、アニオン、アミン又は光学活性含窒素化合物であり；ｍ、ｎ及びｒは各々独立して１〜５の整数であり、ｐ、ｑ及びｓは各々独立して０〜５の整数であり、ｐ＋ｑ＋ｓは１以上である。）

一般式（１１）において、Ｌで表される配位子としては、上述した一般式（１２）で表される光学活性二座ホスフィン配位子が挙げられる。

一般式（１１）において、Ｗは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン又はアニオンである。
一般式（１１）のＷで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
一般式（１１）のＷで表されるアシルオキシ基としては、例えば、フォルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
一般式（１１）のＷで表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、インデニル基、メシチル基、ジベンジル基等の芳香族単環、多環式基等が挙げられる。
一般式（１１）のＷで表されるジエンとしては、例えば、ブタジエン、シクロオクタジエン（ｃｏｄ）、ノルボルナジエン（ｎｏｄ）等が挙げられる。

一般式（１１）のＷで表されるアニオンとしては、例えば、硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、スルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、カンフルスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンなど）、スルファミン酸イオン、炭酸イオン、水酸化物イオン、カルボン酸イオン（ギ酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、グルコン酸イオン、オレイン酸イオン、シュウ酸イオン、安息香酸イオン、フタル酸イオン、トリフルオロ酢酸イオンなど）、硫化物イオン、チオシアン酸イオン、リン酸イオン、ピロリン酸イオン、酸化物イオン、リン化物イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオン、ヨウ素酸イオン、ヘキサフルオロケイ酸イオン、シアン化物イオン、ホウ酸イオン、メタホウ酸イオン、ホウフッ化物イオン等が挙げられる。

一般式（１１）において、Ｕは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン、アニオン又はＬ以外の配位子である。
一般式（１１）のＵで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
一般式（１１）のＵで表されるアシルオキシ基としては、例えば、フォルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
一般式（１１）のＵで表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、インデニル基、メシチル基、ジベンジル基等の芳香族単環、多環式基等が挙げられる。
一般式（１１）のＵで表されるジエンとしては、例えば、ブタジエン、シクロオクタジエン（ｃｏｄ）、ノルボルナジエン（ｎｏｄ）等が挙げられる。

一般式（１１）のＵで表されるアニオンとしては、例えば、硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、スルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、カンフルスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンなど）、スルファミン酸イオン、炭酸イオン、水酸化物イオン、カルボン酸イオン（ギ酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、グルコン酸イオン、オレイン酸イオン、シュウ酸イオン、安息香酸イオン、フタル酸イオン、トリフルオロ酢酸イオンなど）、硫化物イオン、チオシアン酸イオン、リン酸イオン、ピロリン酸イオン、酸化物イオン、リン化物イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオン、ヨウ素酸イオン、ヘキサフルオロケイ酸イオン、シアン化物イオン、ホウ酸イオン、メタホウ酸イオン、ホウフッ化物イオン等が挙げられる。

一般式（１１）のＵで表されるＬ以外の配位子としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトン、クロロホルム、ニトリル類（アセトニトリル、ベンゾニトリル等）、シアニド類（メチルイソシアニド、フェニルイソシアニド等）、芳香族化合物（ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン（メシチレン）、ヘキサメチルベンゼン等）、オレフィン類（エチレン、プロピレン、シクロオクレン等）、リン化合物（トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノメタン（ｄｐｐｍ）、ジフェニルホスフィノエタン（ｄｐｐｅ）、ジフェニルホスフィノプロパン（ｄｐｐｐ）、ジフェニルホスフィノブタン（ｄｐｐｂ）、ジフェニルホスフィノフェロセン（ｄｐｐｆ）等のホスファン化合物、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等のホスファイト化合物等）、アミン化合物（アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン類；アニリン、ジメチルアニリン等の芳香族アミン類；ピリジン（ｐｙ）、ジメチルアミノピリジン、等の含窒素芳香族複素環類、ピロリジン、ピペラジン等の含窒素脂肪族複素環類；エチレンジアミン（ｅｎ）、プロピレンジアミン、トリエチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、ビピリジン（ｂｐｙ）、フェナントロリン（ｐｈｅｎ）等のジアミン類）、硫黄化合物（ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジプロピルスルフィド、ジブチルスルフィド等）等が挙げられる。

一般式（１１）において、Ｚは、アニオン、アミン又は光学活性含窒素化合物である。
一般式（１１）のＺで表されるアニオンとしては、例えば、硝酸イオン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオン、スルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、カンフルスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオンなど）、スルファミン酸イオン、炭酸イオン、水酸化物イオン、カルボン酸イオン（ギ酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、グルコン酸イオン、オレイン酸イオン、シュウ酸イオン、安息香酸イオン、フタル酸イオン、トリフルオロ酢酸イオンなど）、硫化物イオン、チオシアン酸イオン、リン酸イオン、ピロリン酸イオン、酸化物イオン、リン化物イオン、塩素酸イオン、過塩素酸イオン、ヨウ素酸イオン、ヘキサフルオロケイ酸イオン、シアン化物イオン、ホウ酸イオン、メタホウ酸イオン、ホウフッ化物イオン等が挙げられる。

一般式（１１）のＺで表されるアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン類；アニリン、ジメチルアニリン等の芳香族アミン類；ピリジン（ｐｙ）、ジメチルアミノピリジン、等の含窒素芳香族複素環類、ピロリジン、ピペラジン等の含窒素脂肪族複素環類；エチレンジアミン（ｅｎ）、プロピレンジアミン、トリエチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、ビピリジン（ｂｐｙ）、フェナントロリン（ｐｈｅｎ）等のジアミン類）、硫黄化合物（ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジプロピルスルフィド、ジブチルスルフィド等）等を挙げることができる。

一般式（１１）のＺで表される光学活性含窒素化合物としては、次の一般式（１３）で表わされる光学活性ジアミン化合物が挙げられる。

（式（１３）中、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^３２、Ｒ^３３は各々独立して、水素原子、飽和もしくは不飽和炭化水素基、アリール基、アラアリール基、ウレタン基、又はスルフォニル基等であり、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１は各々独立に、水素原子、アルキル基、芳香族単環もしくは多環式基、飽和もしくは不飽和炭化水素基、又は環状アルキル基等を示し、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１が結合する炭素原子は不斉中心である。）

一般式（１３）で表わされる光学活性ジアミン化合物としては、例えば光学活性な１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、１，２−シクロヘプタンジアミン、２，３−ジメチルブタンジアミン、１−メチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソブロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、２−メチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−エチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ｎ−プロピルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ｉ−プロピルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ｎ−ブチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−シクロヘキシルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ベンジルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ジメチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ジエチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ジｎ−プロピルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ジｉ−プロピルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ジｎ−ブチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ジｔｅｒｔ−ブチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、２−ピロリジニル−１−フェニルエチルアミン、２−ピペリジオ−１−フェニルエチルアミンなどを例示することができる。

更に、本発明で用いられる光学活性ジアミン化合物としては、例えば、日本国特開平８−２２５４６６号公報、日本国特開平１１−１８９６００号公報、日本国特開２００１−５８９９９号公報、日本国特開２００２−２８４７９０号公報、日本国特開２００５−６８１１３号公報、国際公開第２００２／０５５４７７号、国際公開第２００４／００７５０６号などに記載されている光学活性ジアミン化合物を例示することができる

一般式（１１）で表されるルテニウム錯体の好ましいものとして、次のものが挙げられる。すなわち、下記で表される化合物が挙げられる。
（ｉ）Ｗは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｚはトリアルキルアミンであり、ｍ＝ｐ＝ｓ＝１、ｎ＝ｒ＝２、ｑ＝０を示し、（ｉｉ）Ｗは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｚはピリジル基又は環置換ピリジル基であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝ｓ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０を示し、（ｉｉｉ）Ｗはアシルオキシ基であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝ｓ＝０を示し、（ｉｖ）Ｗは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｚはジメチルホルムアミド又はジメチルアセトアミドであり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０、ｓは０〜４の整数を示し、（ｖ）Ｗは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｕは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｚはジアルキルアンモニウムイオンであり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝３、ｒ＝ｓ＝１を示し、（ｖｉ）Ｗは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｕは中性配位子である芳香族化合物又はオレフィンであり、Ｚは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、Ｉ_３、ＢＦ_４、ＣｌＯ_４、ＯＴｆ、ＰＦ_６、ＳｂＦ_６又はＢＰｈ_４であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝ｓ＝１を示し、（ｖｉｉ）ＺはＢＦ_４、ＣｌＯ_４、ＯＴｆ、ＰＦ_６、ＳｂＦ_６又はＢＰｈ_４であり、ｍ＝ｎ＝ｒ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２を示し、（ｖｉｉｉ）Ｗ及びＵは同一であっても異なっていてもよく、水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、カルボキシル基又は他のアニオン基であり、Ｚはジアミン化合物であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝ｓ＝１を示し、（ｉｘ）Ｗは水素原子であり、Ｕは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、ｍ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝１、ｎ＝２、ｓ＝０を示し、（ｘ）Ｗは水素原子であり、ＺはＢＦ_４、ＣｌＯ_４、ＯＴｆ、ＰＦ_６、ＳｂＦ_６又はＢＰｈ_４であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｒ＝ｓ＝１、ｑ＝０を示し、（ｘｉ）Ｗは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、Ｕは一価ホスフィン配位子であり、Ｚは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝１、ｒ＝ｚ＝２を示し、（ｘｉｉ）Ｗ及びＵは同一又は異なって、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｒ＝１、ｓ＝０を示す。

ルテニウムホスフィン錯体（１１）の製造方法としては特に制限されないが、例えば次に示す方法あるいはこれに準ずる方法を用いて製造することができる。なお、以下に示す遷移金属ホスフィン錯体の式中において、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基を、ａｃａｃはアセチルアセトナート、ｄｍｆはジメチルホルムアミド、ｅｎはエチレンジアミン、ＤＰＥＮは１，２−ジフェニルエチレンジアミン、ＤＡＩＰＥＮは１，１−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−２−イソプロピルエチレンジアミン、ＭＡＥは、メチルアミノエチルアミン、ＥＡＥは、エチルアミノエチルアミン、ＭＡＰＥは、２−メチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、ＥＡＰＥは、２−エチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、ＤＭＡＰＥは、２−ジメチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、ＤＥＡＰＥは、２−ジエチルアミノ−１−フェニルエチルアミン、ＤＢＡＥは、ジｎ−ブチルアミノエチルアミン、ＤＢＡＰＥは、２−ジｎ−ブチルアミノ−１−フェニルエチルアミンをそれぞれ示す。

ルテニウム錯体：ルテニウム錯体を製造する方法としては、例えば、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．、９２２頁、１９８５年）に記載に準じて、［（１，５−シクロオクタジエン）ジクロルルテニウム］（［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ_２］_ｎ）と光学活性二座ホスフィン配位子をトリアルキルアミンの存在下に有機溶媒中で加熱還流することで調製できる。また、特開平１１−２６９１８５号公報に記載の方法に準じて、ビス［ジクロル（ベンゼン）ルテニウム］（［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ_２］_２） と光学活性二座ホスフィン配位子をジアルキルアミン存在下に有機溶媒中で加熱還流することにより、調製できる。

また、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．、１２０８頁、１９８９年）に記載の方法に準じて、ビス［ジヨード（パラ−シメン）ルテニウム］（［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ_２］_２）と光学活性二座ホスフィン配位子とを有機溶媒中で加熱撹拌することにより調製することができる。更に、日本国特開平１１−１８９６００号公報に記載の方法に準じて、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．、９９２頁、１９８５年）の方法に従い得られるＲｕ_２Ｃｌ_４（Ｌ）_２ＮＥｔ_３とジアミン化合物とを有機溶媒中で反応せしめて合成することができる。

ルテニウム錯体の具体例として、例えば、以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）_２（Ｌ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ_３）_２（Ｌ）、Ｒｕ_２Ｃｌ_４（Ｌ）_２ＮＥｔ_３、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）（ｄｍｆ）_ｎ］、ＲｕＨＣｌ（Ｌ）、ＲｕＨＢｒ（Ｌ）、ＲｕＨＩ（Ｌ）、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝_２（μ−Ｃｌ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｂｒ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝_２（μ−Ｉ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝_２（μ−Ｃｌ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｂｒ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｉ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［ＲｕＣｌ［ＰＰｈ_３］（Ｌ）］_２（μ−Ｃｌ）_２、［ＲｕＢｒ［ＰＰｈ_３］（Ｌ）］_２（μ−Ｂｒ）_２、［ＲｕＩ［ＰＰｈ_３］（Ｌ）］_２（μ−Ｉ）_２、ＲｕＣｌ_２（Ｌ）、ＲｕＢｒ_２（Ｌ）、ＲｕＩ_２（Ｌ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ｄｍｆ）_ｎ、ＲｕＣｌ_２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）_２、ＲｕＢｒ_２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）_２、ＲｕＩ_２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）_２、ＲｕＣｌ_２（Ｌ）（２，２’−ｄｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＢｒ_２（Ｌ）（２，２’−ｄｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＩ_２（Ｌ）（２，２’−ｄｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ_３、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ_４）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ_４）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＳｂＦ_６）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ_６）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ_４）_２、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ｅｎ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ｅｎ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ｅｎ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ｅｎ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＰＥＮ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＰＥＮ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＰＥＮ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＰＥＮ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＡＩＰＥＮ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＡＩＰＥＮ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＡＩＰＥＮ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＡＩＰＥＮ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）等を挙げることができる。

本発明の不斉異性化反応におけるより好ましい触媒は、ルテニウムと光学活性二座ホスフィン配位子を含有する錯体である。最も好ましくは、
Ｒｕ_２Ｃｌ_４（Ｌ）_２ＮＥｔ_３、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）（ｄｍｆ）_ｎ］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝_２（μ−Ｃｌ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｂｒ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝_２（μ−Ｉ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝_２（μ−Ｃｌ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｂｒ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｉ）_３］［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ_３、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＭＡＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＥＡＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＭＡＰＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＭＡＰＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＥ）、［ＲｕＣｌ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）、［ＲｕＢｒ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）、［ＲｕＩ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）、［ＲｕＨ_２（Ｌ）］（ＤＢＡＰＥ）等を挙げることができる。

また、本発明で用いられる塩基は、例えば、一般式（１４）で表される塩を使用することが好ましい。
Ｍ’Ｘ （１４）
（式（１４）中、Ｍ’は、Ｌｉ、Ｎａ又はＫの金属を示し、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩのハロゲン原子を示す。）
具体的には、例えば、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ等の金属塩を使用するものが好ましい。更には、（Ｂｎ）Ｅｔ_３ＮＣｌ、（Ｂｎ）Ｅｔ_３ＮＢｒ、（Ｂｎ）Ｅｔ_３ＮＩ等のアンモニウム塩が選択でき、ＢｕＰｈ_３ＰＣｌ、ＢｕＰｈ_３ＰＢｒ、ＢｕＰｈ_３ＰＩ、（Ｃ_６Ｈ_１３）Ｐｈ_３ＰＢｒ、ＢｒＰＰｈ_３（ＣＨ_２）_４ＰＰｈ_３Ｂｒ等のホスホニウム塩等が選択でき高い選択性が得られる（Ｂｎ：ベンジル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｈ：フェニル基、Ｂｕ：ブチル基を示す。）。

本発明で使用される光学活性二座ホスフィン配位子は、（Ｓ）−体及び（Ｒ）−体が存在するので、目的とする光学活性シトロネラールの絶対配置に応じていずれかを選択すればよい。すなわち、基質として、ゲラニオールを用いた場合、例えば、配位子としてＴｏｌ−ＢＩＮＡＰを用いたとき、（Ｒ）−体のシトロネラールを得るには（Ｓ）−体のＴｏｌ−ＢＩＮＡＰを用い、（Ｓ）−体のシトロネラールを得るには（Ｒ）−体のＴｏｌ−ＢＩＮＡＰを用いればよい。一方、基質としてネロールを用いた場合、（Ｓ）−体のシトロネラールを得るには（Ｓ）−体のＴｏｌ−ＢＩＮＡＰを用い、（Ｒ）−体のシトロネラールを得るには（Ｒ）−体のＴｏｌ−ＢＩＮＡＰを用いればよい。
さらに、本発明では光学活性二座ホスフィン配位子と合わせて光学活性窒素化合物とを使用する。光学活性窒素化合物は、（Ｓ）−体及び（Ｒ）−体が存在するので、目的とする光学活性シトロネラールの絶対配置に応じていずれかを選択すればよい。

なお、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の使用量は、ゲラニオール（１ａ）又はネロール（１ｂ）に対して約１００〜５００００分の１モルであることが好ましい。
また、添加する塩基の量は、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体に対し、０．５〜１００当量、好ましくは、２〜４０当量であることが好ましい。

反応溶媒としては、不斉異性化原料（１）及び触媒系を可溶化するものであれば適宜なものを用いることができる。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒；塩化メチレン、等のハロゲン含有炭化水素溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル系溶媒；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトニトリル、ＤＭＦやＤＭＳＯ等ヘテロ原子を含む有機溶媒を用いることができる。好ましくはアルコール系溶媒が用いられる。溶媒の量は、反応基質の溶解度及び経済性により判断される。例えば、基質によっては１％以下の低濃度から無溶媒に近い状態で行うことができるが、０．１〜５．０容量で用いるのが好ましい。
反応温度については、０〜１５０℃で行うことができるが、１００〜７０℃の範囲がより好ましい。また、反応時間は、数分〜３０時間で反応は完結する。反応終了後は、通常の後処理を行うことにより、目的とする光学活性シトロネラールを単離することができる。

反応終了後は通常の後処理を行うことにより、必要に応じて蒸留やカラムクロマトグラフィー等の方法を用いて、目的物を単離することができる。また、本発明における反応形式は、バッチ式においても連続的においても実施することができる。

＜工程Ｂ＞
本発明のスキーム１に示した工程Ｂは、工程Ａで得られた光学活性シトロネラールを閉環することにより、光学活性イソプレゴールを製造することにより成り立つ。

＜工程Ｂ：光学活性シトロネラールの閉環触媒＞
（アルミニウム触媒）
スキーム１の工程Ｂ：シトロネラール閉環触媒としては、アルミニウム触媒を用いることが好ましい。このアルミニウム触媒は、アルミニウム化合物とフェノール配位子とを反応させて得られる。
アルミニウム触媒を製造するために使用されるアルミニウム化合物は、一般式（７）で表されるアルキルアルミニウム化合物、一般式（８）で表されるヒドリドアルミニウム化合物、一般式（９）で表される鎖状アルミノキサン類、及び、一般式（１０）で表される環状アルミノキサン類から選ばれる少なくとも一種のアルミニウム化合物から選ばれることが好ましい。

ＡｌＨ_ｋ（Ｌｇ）_３−ｋ （７）
（式（７）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｌｇは炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、または置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり、ｋは０又は１乃至３の整数である。）

ＭＡｌＨ_４ （８）
（式（８）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｍはリチウム、ナトリウム又はカリウムである。）

（式（９）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｒ^１７は炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり、複数のＲ^１７はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｌは０〜４０の整数である。）

（式（１０）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｒ^１８は炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり；ｊは０〜４０の整数である。）

上記、一般式（７）、（９）、（１０）で表されるアルミニウム化合物における各置換基は以下の例として挙げられる。

炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が挙げられる。

炭素数５乃至８の環状アルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基等が挙げられる。

置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基及びβ−ナフチルメチル基等が挙げられる。
前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基などの炭素数１乃至６のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基などの炭素数５乃至８の脂環式基；トリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基及びノナフロロブチル基などの炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシル基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基などの炭素数１乃至４のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子などのハロゲン原子；ベンジル基、フェニルエチル基及びナフチルメチル基などの炭素数７乃至１２のアラルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基及びジメチルヘキシルシリル基などのトリ−炭素数１乃至６アルキルシリル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及びジブチルアミノ基などの炭素数２乃至８のジアルキルアミノ基等が挙げられる。

また、ｌ及びｊはそれぞれ、０〜４０の整数、好ましくは２〜３０の整数である。

一般式（９）及び（１０）で表されるアルミニウム化合物は、アルミノキサンとも称される化合物である。アルミノキサンの中では、メチルアルミノキサン、エチルアルミノキサン、イソブチルアルミノキサン及びメチルイソブチルアルミノキサンが好ましく、メチルアルミノキサンが特に好ましい。上記のアルミノキサンは、各群内および各群間で複数種併用することも可能である。そして、上記のアルミノキサンは公知の様々な条件下に調製することが出来る。

アルミニウム触媒を製造するために使用されるフェノール配位子は、一般式（５）で表されるヒドロキシ化合物（フェノール配位子）及び／又は一般式（６）で表されるヒドロキシ化合物（ビス（ジアリールフェノール）配位子）から選ばれる少なくとも一種のフェノール配位子が好ましい。

（式（５）中、Ｒ^１及びＲ^５は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数３乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、ポリマー鎖である。）

（式（６）中、Ｒ^６、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１３は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、ポリマー鎖であり；Ａは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。）

上記、一般式（５）又は（６）で表されるフェノール配位子における特定の各官能基は以下の例として挙げられる。

Ｒ^６〜Ｒ^１３で表される炭素数６乃至１５のアリール基としては、例えば、フェニル基、α−ナフチル基及びβ−ナフチル基などが例示される。炭素数６乃至１５のアリール基は後述する置換基を有してもよい。

Ｒ^６、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１３で表される炭素数４乃至１５のヘテロアリール基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピロニル基、ベンゾフリル基、イゾベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、イソインドリル基、カルバゾイル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピラジル基及びフェロセニル基などが例示される。炭素数４乃至１５のヘテロアリール基は後述する置換基を有してもよい。

Ｒ^６、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１３で表される炭素数３乃至１５の環状アルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、トリシクロ［６．２．１．０^２，７］−４−ウンデシル基などが例示される。炭素数３乃至１５の環状アルキル基は後述する置換基を有してもよい。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表される炭素数１乃至８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表される炭素数１乃至８のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシル基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基及びオクトキシ基などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表される炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基としては、例えば、トリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基及びノナフロロブチル基などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表される炭素数７乃至１２のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基及びβ−ナフチルメチル基などが例示される。炭素数７乃至１２のアラルキル基は後述する置換基を有してもよい。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表されるオルガノシリル基としては、トリ置換シリル基が例示される。該トリ置換の置換基としては、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基及び炭素数７〜１９のアラルキルシリル基から選ばれる３つの置換基であり、これらは互いに同一であっても異なっていてもよい。
ここで、炭素数１乃至６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、２，３−ジメチル−２−ブチル基、ヘキシル基及びｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。炭素数６〜１８のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。炭素数７〜１９のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基及びｐ−キシリル基が挙げられる。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表されるオルガノシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基及びジメチルヘキシルシリル基などのトリ−炭素数１乃至６のアルキルシリル基、ジメチルクミルシリル基などのジ−炭素数１乃至６のアルキル−炭素数６乃至１８のアリールシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジフェニルメチルシリル基などのジ−炭素数６乃至１８のアリール−炭素数１乃至６のアルキルシリル基、トリフェニルシリル基などのトリ−炭素数６〜１８のアリールシリル基、トリベンジルシリル基及びトリ−ｐ−キシリルシリル基などのトリ−炭素数７〜１９のアラルキルシリル基等のトリ置換シリル基などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表される炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基及びジブチルアミノ基などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表される炭素数１乃至４のチオアルコキシ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基及びｔｅｒｔ−ブチルチオ基などが例示される。

Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２で表されるポリマー鎖としては、例えば、６，６−ナイロン鎖、ビニルポリマー鎖及びスチレンポリマー鎖などが例示される。

ここでＲ^６〜Ｒ^１３における置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びペンチル基、又はヘキシル基などの炭素数１乃至６のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などの炭素数５乃至１２の環状アルキル基；トリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基及びノナフロロブチル基などの炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシル基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基などの炭素数１乃至４のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子などのハロゲン原子；ベンジル基、フェニルエチル基及びナフチルメチル基などの炭素数７乃至１２のアラルキル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基及びジメチルヘキシルシリル基などのトリ−炭素数１乃至６アルキルシリル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基及びジブチルアミノ基などの炭素数２乃至８のジアルキルアミノ基等が例示され、さらに６，６−ナイロン鎖、ビニルポリマー鎖及びスチレンポリマー鎖などのポリマー鎖が例示される。

一般式（６）において、Ｒ^７又はＲ^８及び／又はＲ^１１又はＲ^１２は、構造エレメントＡと一緒になって環状芳香族または非芳香族環を形成していてもよい。この場合、本発明に従って使用される一般式（６）で表されるビス（ジアリールフェノール）リガンドは三環式基本構造、例えば式（Ｘ）を有するアントラセン基本構造またはタイプ（Ｙ）の基本構造を有する。

（式（Ｘ）、（Ｙ）中、Ｒ^６，Ｒ^７，Ｒ^９，Ｒ^１０，Ｒ^１２及びＲ^１３は、前記と同義である。）

適当ならば、基本構造中にヘテロ原子を有するものを含めたこれらの三環式基本構造の更なる構造修飾は当業者に公知であり、本発明に従って使用され得るビス（ジアリールフェノール）リガンドのグループに属する。

一般式（６）中のＡは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。

Ａで表される（ｉｉ）炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基としては、例えばメチレン基、エチレン基、イソプロピル基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ドデシレン基、ウンデシレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデシレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、トリシクロ［６．２．１．０^２，７］−４−ウンデシレン基が挙げられる。
炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基は置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい。置換基としては前記Ｒ^６〜Ｒ^１３における置換基で例示されたものと同様の置換基が挙げられる。

Ａで表される（ｉｉｉ）炭素数６〜１５のアリーレン基の例としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基及びアントラセニレン基などを挙げることができる。
炭素数６〜１５のアリーレン基は置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい。置換基としては前記Ｒ^６〜Ｒ^１３における置換基で例示されたものと同様の置換基が挙げられる。

Ａで表される（ｉｖ）炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基の例としては、例えば、フリレン基、チエニレン基、ピロニレン基、ベンゾフリレン基、イゾベンゾフリレン基、ベンゾチエニレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、カルバゾイレン基、ピリジレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、ピラジレン基及びフェロセニレン基などが例示される。
炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基は置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい。置換基としては前記Ｒ^６〜Ｒ^１３における置換基で例示されたものと同様の置換基が挙げられる。

Ａで表される（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素であってもよい。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基及び置換基を有してもよい炭素数６乃至１０のアリール基のうち１以上の基である。置換基としては前記Ｒ^６〜Ｒ^１３における置換基で例示されたものと同様の置換基が挙げられる。ここで、Ａとしては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−又は−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−が好ましい。

Ｒ^１４〜Ｒ^１６における炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基及び置換基を有してもよい炭素数６乃至１０のアリール基としては、前記した一般式（５）、（６）で表されるフェノール配位子において例示されたものと同様の基が挙げられる。

Ａが表す具体例としては、例えば以下のような構造が挙げられる。波線は各々本明細書開示の範囲内のように各配位子構造の残りに対する結合部位を示す。

上記で表されている構造１乃至４４は、置換基を有していてもよく、ここで置換基としては、前記した一般式（５）、（６）で表されるフェノール配位子における炭素数６乃至１５のアリール基で例示されたものと同様の置換基が挙げられる。

一般式（５）のフェノール配位子は、例えば、日本国特開２００２−２１２１２１号公報（特許文献８）に記載にされている［参照により、本明細書に組み込むものとする。］。
一般式（６）のビス（ジアリールフェノール）類は、例えば、日本国特表２００８−５３８１０１号公報（特許文献９）に記載にされている［参照により、本明細書に組み込むものとする。］。

本発明における好ましいフェノール配位子としては、下記一般式（５−ａ）で表されるフェノール配位子及び下記一般式（６−ａ）で表されるビス（ジアリールフェノール）配位子から選ばれる一種のフェノール配位子である。

（式（５−ａ）中、Ｒ^１ａは、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基；Ｒ^５ａは、置換基を有していてもよい炭素数５乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、ポリマー鎖である。）

（式（６−ａ）中、Ｒ^６ａ及びＲ^１０ａは、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基であり；Ｒ^９ａ及びＲ^１３ａは、置換基を有していてもよい炭素数５乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２は、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、ポリマー鎖である。
Ａは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。）

本発明において、好ましい一般式（５）で表されるフェノール配位子としては、例えば、２，６−ジフェニルフェノール、２，６−ジ（４−フロロフェニル）フェノール、２，６−ジ（３，４−ジフロロフェニル）フェノール、２，６−ジ（３，４，５−トリフロロフェニル）フェノール、２，６−ジフェニル−４−メチルフェノール、２，６−ジフェニル−３，５−ジメチルフェノール、２，６−ジ（２−メチルフェニル）−３，５−ジメチルフェノール、２，６−ジ（２−イソプロピルフェニル）−３，５−ジメチルフェノール、２，６−ジ（α−ナフチル）−３，５−ジメチルフェノール、３−フェニル−１，１’−ビナフチル−２−オール、３−（４−フロロフェニル）−１，１’−ビナフチル−２−オール及び１，３−ジフェニル−２−ナフトール、３，３’，５，５’−テトラフェニルビフェニル−４，４’ジオール）及び２−シクロアルキル−６−アリールフェノール類（一般式（５−ａ））等が挙げられる。

本発明において、好ましい一般式（５−ａ）で表されるフェノール配位子（２−シクロアルキル−６−アリールフェノール類）としては、例えば以下のような構造が挙げられる。

本発明において、好ましい一般式（６）で表されるビス（ジアリールフェノール）配位子としては、例えば、例えば以下のような構造及びビス（２−シクロアルキル−６−アリールフェノール類（一般式（６−ａ））等が挙げられる。（式中、Ａは前記と同義である）

本発明において好ましい式（６−ａ）で表されるビス（ジアリールフェノール）配位子としては、例えば以下のような構造が挙げられる。（式中、Ａは前記と同義である）

上記一般式（５）、（５−ａ）、（６）、（６−ａ）で表される各フェノール配位子は、公知の合成方法により合成でき、また一般に入手可能な化合物である。
なお、本発明のアルミニウム触媒の配位子のひとつである２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノールは、従来用いられてきた２，６−ジフェニルフェノールの前駆体であり、酸性触媒存在下、容易に、しかも安価に製造できる（日本国特開２００９−２６９８６８号公報）。

本発明のアルミニウム触媒は、上記した一般式（７）、（８）、（９）及び（１０）で表されるアルミニウム化合物から選ばれる少なくとも１種と、上記した一般式（５）、（５−ａ）、（６）及び（６−ａ）で表されるフェノール配位子から選ばれる少なくとも１種とを反応させることにより得られる。

その際、アルミニウム化合物に対し、フェノール配位子を、好ましくは１．０〜５等量、より好ましくは１．４〜３．５等量の割合（アルミニウム原子：化合物モル比）で反応させることが好ましい。

前記反応は、不活性ガス雰囲気中又は不活性溶媒存在下で行うことができる。
不活性ガスとしては、例えば窒素、アルゴン、その他希ガス類等を用いることが好ましい。
不活性溶媒としては、例えば、脂肪族炭化水素（ヘキサン、ヘプタン及びオクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン及びキシレンなど）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン及びジオキソランなど）、ハロゲン化炭化水素（ジクロロメタン、ジクロロエタン及びクロロベンゼン）等を挙げることができる。これらのうちで好ましくは、トルエン及びヘプタン等の有機溶媒である。これら溶媒は、予め乾燥されたものか、または無水溶媒を用いることが好ましい。

また、前記溶媒の使用量（Ｌ）は、フェノール配位子（ｋｇ）に対して、好ましくは１〜１００００倍容量〔Ｌ／ｋｇ〕、より好ましくは２０〜４００倍容量〔Ｌ／ｋｇ〕の範囲である。なお、一般式（９）及び（１０）で表されるアルミノキサンの重合度は２以上が好ましい。

反応の温度は、約−６０〜１００℃程度の範囲とすることが好ましく、約−３０〜５０℃程度の範囲とすることがより好ましく、約−１０〜３０℃程度とすることが特に好ましい。前記の温度を保ちながら好ましくは約０．２５〜３０時間、より好ましくは約０．５〜１０時間反応させることによって、アルミニウム触媒を円滑に製造することができる。

本発明に係るアルミニウム触媒は、分子内反応、特に分子内環化反応を行うにあたり触媒として優れた効果を有する。

本発明に係るアルミニウム触媒は、光学活性体のシトロネラールを環化反応させ、光学活性体のイソプレゴールを合成する反応を行うにあたり触媒として使用することができる。

本発明では、前記した触媒の存在下に光学活性シトロネラールを閉環反応させることにより、光学活性イソプレゴールが得られる。

原料化合物である光学活性シトロネラールは工程Ａによって製造されたものを使用する。

工程Ｂにおける光学活性シトロネラールの閉環反応に使用するアルミニウム触媒の量は、シトロネラールに対して約０．０５〜１０モル％程度の範囲とすることが好ましく、約０．１〜３モル％程度の範囲とすることがより好ましい。

本発明における光学活性シトロネラールの閉環反応に用いるアルミニウム触媒は、ａ）予め、反応系中において一般式（７）、（８）、（９）及び（１０）で表されるアルミニウム化合物から選ばれる少なくとも１種と、一般式（５）、（５−ａ）、（６）及び（６−ａ）で表されるフェノール配位子から選ばれる少なくとも１種とを混合してアルミニウム触媒を調製した後、光学活性シトロネラールを仕込む方法、又は、ｂ）予め、該アルミニウム化合物から選ばれる少なくとも１種と、該フェノール配位子から選ばれる少なくとも一種とを混合して調製したアルミニウム触媒を、閉環反応時に、光学活性シトロネラールとそれぞれ単独に仕込む方法、の何れかの方法によっても同等の結果が得られる。

光学活性シトロネラールの閉環反応の温度は、約−６０〜６０℃程度の範囲とすることが好ましく、約−３０〜４０℃程度の範囲とすることがより好ましく、約−２０〜２０℃程度とすることが特に好ましい。前記の温度を保ちながら好ましくは約０．２５〜３０時間、より好ましくは約０．５〜２０時間反応させることによって、式（３）で表される光学活性イソプレゴールを円滑に製造することができる。

本発明における光学活性シトロネラールの閉環反応は、無溶媒条件下、不活性溶媒存在下において、窒素ガス又はアルゴンガスなどのような不活性ガス雰囲気下で行うことが、閉環反応の円滑な進行のために好ましい。

使用される溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、例えば脂肪族炭化水素（ヘキサン、ヘプタン及びオクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン及びキシレンなど）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン及びジオキソランなど）又はハロゲン化炭化水素（ジクロロメタン、ジクロロエタン及びクロロベンゼン）等を挙げることができる。これらのうちで好ましくは、トルエン又はヘプタン等の有機溶媒である。これら溶媒は、予め乾燥されたものかまたは無水溶媒を用いることが好ましい。

これら溶媒の使用量は、光学シトロネラールに対して約０〜２０倍容量とすることが好ましく、０．５〜７倍量の範囲とすることがより好ましい。

また、上記閉環反応の際に、添加物を加えてもよい。添加物の具体例としては、例えば、鉱酸（塩酸及び硫酸など）、有機酸とそのエステル化合物（ギ酸、酢酸、ピルビン酸、プロピオン酸、シトロネリル酸、ゲラニル酸及びネリル酸など、若しくはそのアルキル・アリールエステル）、シトロネラール以外のアルデヒド（クロラール、アセトアルデヒド、ｐ−ブロモベンズアルデヒド、エチルグリオキシレートなど）、有機酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水デカン酸、無水マレイン酸、無水シトロネリル酸、無水コハク酸及び無水ピバロイル酸など）、ケトン（パーフルオロアセトン、１，１，１−トリフルオロアセトンなど）、酸ハライド（酢酸クロライド、プロピオン酸クロライド、デカン酸クロライドなど）、ビニルエーテル（メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルなど）、又はエポキシ化合物（α−ピネンオキシド、イソブチレンオキシド、イソプレゴールオキシドなど）を挙げることができる。

また、添加物である酸とそのエステル化合物、シトロネラール以外のアルデヒド、有機酸無水物、ケトン、酸ハライド、ビニルエーテル及びエポキシ化合物は、アルミニウム触媒が調製された後であれば、触媒層あるいはシトロネラール層に添加して、シトロネラールの閉環反応を行うことができる。

これら添加する酸とそのエステル化合物類、アルデヒド類、有機酸無水物類、ケトン類、酸ハライド、ビニルエーテル及びエポキシ化合物の使用量は、閉環触媒のアルミニウム（重量）に対して１０〜１００（重量％）とすることが好ましく、２０〜６０（重量％）の範囲とすることがより好ましい。

反応の終了後は、通常の後処理を行うことができる。また、スキーム１の工程Ｂによって得られた光学活性イソプレゴールの精製は、単に蒸留による処理によって得るか、又はスキーム１の工程Ｄの深冷晶析によって、高純度の光学活性イソプレゴールを得ることができる。

全ての有機アルミニウム化合物の配位子においては、触媒失活後に回収することにより再び触媒へと再利用することが出来る。つまり蒸留処理後の残留物をそのまま、あるいは酸またはアルカリにて通常に処理を行い、アルミニウムを含む不純物などを除去し、その後、晶析、蒸留などを行うことでヒドロキシ化合物をフェノール配位子として再利用することができる。

一方、本発明のアルミニウム触媒において、溶媒に溶けにくいアルミニウム触媒については、反応終了後の溶液を濾過もしくはデカンテーション等して生成したイソプレゴールを除いた後、さらにシトロネラールを投入し連続して閉環反応を行うことができる。又は、閉環反応終了後ろ過して取り除き、そのまま、次の閉環反応に使用することもできる。

また、部分的にアルミニウム触媒が失活した場合は、反応溶液に失活した分の触媒を加えて次の閉環反応に使用することができる。

＜工程Ｄ＞
本発明のスキーム１に示した工程Ｄは工程Ｂで得られた光学活性イソプレゴールを、低温で晶析（深冷晶析）することにより成り立つ。これにより、より高い化学純度、光学純度の光学活性イソプレゴールを製造することが可能となる。

＜工程Ｄ：光学活性イソプレゴールの深冷晶析＞
光学活性イソプレゴールの深冷晶析は、例えば、日本国特許第３２４１５４２号公報に記載にされている［参照により、本明細書に組み込むものとする。］。
工程Ｂで得られた光学活性イソプレゴールを有機溶媒中に溶かした溶液を低温で晶析する（深冷晶析）ことにより化学純度及び光学純度がともに９９．７％以上の光学活性イソプレゴールが得られる。

光学活性イソプレゴールの深冷晶析の温度は、約−６０〜−２０℃程度の範囲とすることが好ましく、約−５０〜−２５℃程度の範囲とすることが特に好ましい。前記の温度を徐々に下げながら、化学純度及び光学純度がともに９９．７％以上の光学活性イソプレゴールの結晶を析出させ攪拌し熟成する。結晶の析出を速くするために化学純度及び光学純度がともに９９．７％以上の光学活性イソプレゴールの結晶を少量加えることもできる。

晶析時間は好ましくは約１〜３０時間、より好ましくは約１０〜２０時間反応させる。その後、析出した高純度イソプレゴールを遠心分離機によりろ過することによって、スキーム１の工程Ｄで表される高純度の光学活性イソプレゴールを製造することができる。

使用される溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば脂肪族炭化水素（ヘキサン、ヘプタン、オクタン及び石油エーテルなど）、脂環式炭化水素（シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン及びキシレンなど）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン及びジオキアオランなど）、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノールなど）及びケトン（アセトン、メチルエチルケトンなど）、あるいはそれらの混合溶媒が挙げられる。これらのうちで好ましくは、ヘプタン、石油エーテル、アセトン等の有機溶媒である。これら溶媒は、予め乾燥されたものかまたは無水溶媒を用いることが好ましい。

これら溶媒の使用量（Ｌ）は、イソプレゴール（ｋｇ）に対して約０．５〜５倍容量〔Ｌ／ｋｇ〕とすることが好ましく、１〜３倍容量〔Ｌ／ｋｇ〕の範囲とすることがより好ましい。

また、無臭で清涼感のみを持つ高純度光学活性イソプレゴールは、理論段数５〜５０段の精密蒸留等で製品化可能である。あるいは、深冷晶析の前に光学活性イソプレゴールを精密蒸留する場合には、深冷後は単蒸留するのみで、無臭で清涼感のみを持つ高純度光学活性イソプレゴールを製造可能である。

＜工程Ｃ及び工程Ｅ＞
本発明のスキーム１に示した工程Ｃ及び工程Ｅは、工程Ｂまたは工程Ｄで得られた光学活性イソプレゴールを、触媒を用いて水素化することにより、光学活性メントールを製造することにより成り立つ。

＜工程Ｃ及び工程Ｅ：光学活性イソプレゴールの水素化反応＞
光学活性イソプレゴールの炭素―炭素二重結合部分を水素化する方法は、通常の方法でできる。すなわち、ラネーニッケル、Ｐｄ／Ｃ等の水素化能力のある触媒を、オートクレーブ中に投入し、光学活性イソプレゴールを無溶媒又は溶媒存在下、水素圧をかけて水素化を行い光学活性メントールを製造できる。

光学活性イソプレゴールの水素化の温度は、約０〜８０℃程度の範囲とすることが好ましく、約２０〜６０℃程度の範囲とすることが特に好ましい。反応時間は好ましくは約１〜３０時間、より好ましくは約３〜１５時間反応させる。その後、光学活性メントールをろ過し、蒸留することによって、光学活性メントールを製造することができる。

使用される溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば脂肪族炭化水素（ヘキサン、ヘプタン、オクタン及び石油エーテルなど）、脂環式炭化水素（シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン及びキシレンなど）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン及びジオキアオランなど）、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノールなど）及びケトン（アセトン、メチルエチルケトンなど）、あるいはそれらの混合溶媒が挙げられる。これらのうちで好ましくは、ヘプタン、石油エーテル、アセトン等の有機溶媒である。これら溶媒は、予め乾燥されたものかまたは無水溶媒を用いることが好ましい。

これら溶媒の使用量（Ｌ）は、光学活性メントール（ｋｇ）に対して約０〜５倍容量〔Ｌ／ｋｇ〕とすることが好ましく、０〜３倍容量〔Ｌ／ｋｇ〕の範囲とすることがより好ましい。

以下、本発明を比較例および実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではなく、また本発明の範囲を逸脱しない範囲で変化させてもよい。

合成例、実施例中での生成物の測定は、次の機器装置類を用いて行った。
核磁気共鳴スペクトル（^１Ｈ−ＮＭＲ）：Ｏｘｆｏｒｄ ３００ＭＨｚ ＦＴ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、溶媒ＣＤＣｌ_３）（バリアン社製）
ガスクロマトグラフ：島津製作所社製 ＧＣ−２０１０ガスクロマトグラフ
添加率測定：Ａｇｉｌｅｎｔ社製 ＤＢ−ＷＡＸ（０．２５ｍｍ×３０ｍ）
光学純度測定：スペルコ社製 ｂｅｔａ−ＤＥＸ−２２５（０．２５ｍｍ×３０ｍ）
検出器：ＦＩＤ

（実施例１）ゲラニオールの不斉異性化
アルゴン気流中にて、一般式（１４）で表される触媒［Ａ］：ＲｕＣｌ_２［（Ｒ）−ＤＢＡＰＥ］［（Ｓ）−ＴｏｌＢＩＮＡＰ］；Ａｒ＝４−ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４，Ｒ＝ｎ−Ｃ_４Ｈ_９，Ｒ’＝Ｃ_６Ｈ_５（３．２ｍｇ，０．００２９ｍｍｏｌ）、ゲラニオール（８９．３ｍｇ，０．５７９ｍｍｏｌ）、エタノール（２．６ｍＬ），４６．７ｍＭ−ＫＯＨ（０．３１ｍＬ，０．０１５ｍｍｏｌ）を加え、２５℃で１時間撹拌した。
反応終了後、溶液を減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルショートパスカラムで精製することにより、（Ｒ）−シトロネラール（５２．９ｍｇ，５８％）を得た。ガスクロマトグラフィー（カラム：ＢｅｔａＤＥＸ２２５（０．２５ｍｍ×３０ｍ，ＤＦ＝０．２５））による分析を行った結果、このものの光学純度は９９％ｅ．ｅ．以上であった。

（実施例２）ネロールの不斉異性化
実施例１において使用した触媒、基質と触媒のモル比、反応温度、反応時間を表１に示したように変更した以外は、原料としてネロールを用いて実施例１と同様の方法で反応を実施した。（Ｓ）−シトロネラールの収率は、ＧＣ収率８３％であった．実施例１と同様に、反応終了後、溶媒を減圧下濃縮し、残渣をガスクロマトグラフィーにて測定した。光学純度は９９％ｅ．ｅ．であった。

（実施例３）ゲラニオールの不斉異性化
３Ｌ反応フラスコに、実施例１で用いた触媒［Ａ］（３．２ｇ，２．９ｍｍｏｌ）、ゲラニオール（８９．３ｇ，０．５７９ｍｏｌ）、エタノール（２．６Ｌ），４６．７ｍＭ−ＫＯＨ（０．３１Ｌ，０．０１５ｍｏｌ）を加え、２５℃で１時間撹拌した。
反応終了後、溶液を減圧蒸留（６９〜７１℃、０．６６ｋＰａ）することにより、（Ｒ）−シトロネラール（５２．９ｇ，５８％）を得た。ガスクロマトグラフィー（カラム：ＢｅｔａＤＥＸ２２５（０．２５ｍｍ×３０ｍ，ＤＦ＝０．２５））による分析を行った結果、このものの光学純度は９９％ｅ．ｅ．以上であった。この反応を４回行った。

（実施例４）アルミニウム触媒の調製及びｌ−イソプレゴールの合成
１Ｌ反応フラスコに２，６−ジフェニルフェノール３．６２１ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、窒素雰囲気下にて攪拌しつつトルエン９６ｍＬ、次いでトリエチルアルミニウム１．０ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液４．５４ｍＬ（４．５４ｍｍｏｌ）を添加した。室温にて１時間攪拌後に系内温度を０〜１０℃に冷却し、ｄ−シトロネラール１００．０ｇ（６４８．３ｍｍｏｌ、光学純度９７．８％ｅ．ｅ．）を滴下し、０〜１０℃で終夜撹拌した。反応終了後、この溶液サンプルに水を加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した結果、基質転化率９９．５％、イソプレゴール選択率は９８．２％で、ｌ−ｎ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．５：０．５であった。

（実施例５）アルミニウム触媒の調製及びｌ−イソプレゴールの合成
窒素雰囲気、２００ｍＬ反応フラスコに２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール０．３４ｇ（１．３６ｍｍｏｌ、三光株式会社製、もしくは日本国特開２００９−２６９８６８号公報に記載の方法に従い合成したもの（以下同様））を入れ、窒素置換した後、トルエン４．９ｍＬ、トリエチルアルミニウム・トルエン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）０．３９ｍＬ（０．３８９ｍｍｏｌ）を順次加え、室温にて２時間撹拌した後、溶媒を留去して無色〜薄オレンジ色のアモルファス状の黄色固体０．４０ｇを得た。この得られた固体を、減圧濃縮により乾固させて測定した^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に、低磁場側を拡大したものを図２に示す。また、２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノールの^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図３に、低磁場側を拡大したものを図４に示す。
上記で得られた固体２３４ｍｇを−１５〜−１０℃に冷却したｄ−シトロネラール２．００ｇ（１３ｍｍｏｌ）に添加し、０〜５℃で１時間撹拌した。反応終了後、水２ｍＬとトルエン２ｍＬを加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した結果、基質転化率９９．１％、ｌ−イソプレゴール選択率は９６．６％で、ｌ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．５：０．５であった。

（実施例６）アルミニウム触媒の調製及びｌ−イソプレゴールの合成
５０ｍｌシュレンク管に２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール３４４ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、トルエン１．６ｍＬ、トリエチルアルミニウム・トルエン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）０．４ｍＬ（０．４０ｍｍｏｌ）を順次加え、室温にて２時間撹拌して触媒溶液を得た。得られた触媒溶液を−１５〜−１０℃に冷却した後、ｄ−シトロネラール２．００ｇ（１３ｍｍｏｌ）を滴下し、０〜５℃で１時間撹拌した。反応終了後、水２ｍＬを加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した結果、基質転化率９９．８％、ｌ−イソプレゴール選択率は８６．３％で、ｌ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．６：０．４であった。

（実施例７〜１２）アルミニウム触媒によるｌ−イソプレゴールの合成
ヒドロキシ化合物として、種々のフェノール類を用いた結果を表１に示す。反応条件は５０ｍＬシュレンク管にフェノール類を、実施例７〜１１については１．７ｍｍｏｌ、実施例１２については０．８７ｍｍｏｌを入れ、窒素置換した後、溶媒としてトルエンを合計３ｍＬ、トリエチルアルミニウム・トルエン溶液０．５８ｍＬ（０．５８ｍｍｏｌ）を順次加え、室温にて２時間撹拌し触媒溶液を得た。触媒溶液を−１０℃に冷却した後、ｄ−シトロネラール３．０ｇ（１９ｍｍｏｌ）を滴下し、１時間撹拌した。反応終了後、水２ｍＬを加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した。
なお、各フェノール類は、実施例７〜１２は日本国特開２００９−２６９８６８号公報に記載の方法に従い２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノールと同様に合成した。
表１中、転化率はシトロネラールの転化率を、イソプレゴール選択性は反応したシトロネラールのイソプレゴールへの選択率を、ｎ−イソプレゴール選択性は、生成したイソプレゴール中のｎ−イソプレゴールの選択率を、エステル選択率はシトロネラールの二量化エステル（シトロネリルシトロネレート）への選択率を、それぞれ表す。

（実施例１３〜１８）アルミニウム触媒によるｌ−イソプレゴールの合成
５０ｍＬシュレンク管に２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール２６９ｍｇ（１．１ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、トルエン４．７ｍＬ、トリエチルアルミニウム・トルエン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）０．３ｍＬ（０．３２ｍｍｏｌ）を順次加え、室温にて２時間撹拌して触媒溶液を得た。得られた触媒溶液を−１５〜−１０℃に冷却した後、表２に示す各添加物を０．５重量％加えたｄ−シトロネラール５．００ｇ（３２ｍｍｏｌ）を滴下し、３時間撹拌した。反応終了後、水２ｍＬを加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した。結果を表２に示す。
表２中、転化率はシトロネラールの転化率を、イソプレゴール選択性は反応したシトロネラールのイソプレゴールへの選択率を、ｎ−イソプレゴール選択性は、生成したイソプレゴール中のｎ−イソプレゴールの選択率を、エステル選択率はシトロネラールの二量化エステル（シトロネリルシトロネレート）への選択率それぞれ表す。

（実施例１９）ｌ−イソプレゴールの合成と配位子リサイクル
１Ｌ反応フラスコに２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール１０．１４ｇ（４０．２ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、窒素雰囲気下にて攪拌しつつトルエン８７ｍＬ、次いでトリエチルアルミニウム・１．０ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液１３．０ｍＬ（１３．０ｍｍｏｌ）を添加した。室温にて１時間攪拌後に系内温度を−１０〜５℃に冷却し、ｄ−シトロネラール１００．０ｇ（６４８．３ｍｍｏｌ、光学純度９７．８％ｅ．ｅ．）とエチルグリオキシレートポリマー・４７重量％トルエン溶液０．３３ｍＬの混合溶液を滴下し、−１０〜５℃で終夜撹拌した。反応終了後、トルエンを減圧除去し、溶液を単蒸留（バス温８５℃、減圧度０．５ｍｍＨｇ、塔頂５８〜６１℃）して目的のｌ−ｎ−イソプレゴールを９４．５ｇ得た。ガスクロマトグラフィーで分析した結果、純度９７．８％、ｌ−ｎ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．６：０．４であった。蒸留残渣をトルエンに溶解させ、希硫酸で洗浄後に油層を減圧濃縮し、粘性のある液体を得た。これを単蒸留（１０１〜１２０℃、０．０４ｋＰａ）し、２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール８．０２ｇを得た。ガスクロマトグラフィーで分析した結果、純度９８．２％であった。
５０ｍＬシュレンクに、得られた２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール３２４ｍｇ（１．２８４ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、窒素雰囲気下にて攪拌しつつトルエン２．６ｍＬ、次いでトリエチルアルミニウム・１．０ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液０．３９ｍＬ（０．３９ｍｍｏｌ）を添加した。室温にて１時間攪拌後に系内温度を−１０〜５℃に冷却し、ｄ−シトロネラール３．００ｇ（１９．４５ｍｍｏｌ、光学純度９７．８％ｅ．ｅ．）とエチルグリオキシレートポリマー４７重量％トルエン溶液２７μＬの混合溶液を滴下し、−１０〜５℃で終夜撹拌した。反応終了後、この溶液に水３ｍＬを加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した結果、基質転化率９９．７％、イソプレゴール選択率は９８．０％で、ｌ−ｎ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．６：０．４であった。

（実施例２０）ｌ−イソプレゴールの合成
１Ｌ反応フラスコに２−シクロヘキシル−６−フェニルフェノール３．５６ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換した後、窒素雰囲気下にて攪拌しつつトルエン９６ｍＬ、次いでトリエチルアルミニウム・１．０ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液４．５４ｍＬ（４．５４ｍｍｏｌ）を添加した。室温にて１時間攪拌後に系内温度を−１０〜５℃に冷却し、実験項３で得られたｄ−シトロネラール１００．０ｇ（６４８．３ｍｍｏｌ、光学純度９９％ｅ．ｅ．）とエチルグリオキシレートポリマー・４７重量％トルエン溶液０．３３ｍＬの混合溶液を滴下し、−１０〜５℃で終夜撹拌した。反応終了後、この溶液サンプルに水を加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した結果、基質転化率９９．５％、イソプレゴール選択率は９８．２％で、光学純度９９％ｅ．ｅ．であった。ｌ−ｎ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．７：０．３であった。トルエン減圧溜去後に単蒸留し（５７〜６１℃、０．０５３〜０．０６７ｋＰａ）目的のｌ−ｎ−イソプレゴールを９５．８ｇ得た。ガスクロマトグラフィーで分析した結果、純度９７．６％、ｌ−ｎ−イソプレゴールとその他の異性体の比率は９９．７：０．３であった。この反応を２回行った。

（比較例１〜１８）アルミニウム触媒によるｌ−イソプレゴールの合成
ヒドロキシ化合物として、種々のフェノール類を用いた結果を表３及び表４に示す。反応条件は５０ｍＬシュレンク管にフェノール類を所定量（２．０ｍｍｏｌ）入れ、窒素置換した後、溶媒としてトルエンを合計３ｍＬ、トリエチルアルミニウム・トルエン溶液０．５８ｍＬ（０．５８ｍｍｏｌ）を順次加え、室温にて２時間撹拌し触媒溶液を得た。触媒溶液を所定温度に冷却した後、ｄ−シトロネラール３．０ｇ（１９ｍｍｏｌ）を滴下し、所定の温度で１時間撹拌した。反応終了後、水２ｍＬを加えて、有機層をガスクロマトグラフィーで分析した。
なお、各フェノール類は、比較例１〜１５、１７、１８はＡｌｄｒｉｃｈ社製、比較例１６はＢｅｐｈａｒｍ社製である。
表３及び表４中、転化率はシトロネラールの転化率を、イソプレゴール選択性は反応したシトロネラールのイソプレゴールへの選択率を、ｎ−イソプレゴール選択性は、生成したイソプレゴール中のｎ−イソプレゴールの選択率を、エステル選択率はシトロネラールの二量化エステル（シトロネリルシトロネレート）への選択率それぞれ表す。

（実施例２１）高純度ｌ−イソプレゴールの水素化反応、高純度ｌ−メントールの合成
５００ｍＬのオートクレーブに、窒素雰囲気下、実施例２０で得られたｌ−イソプレゴール１００．０ｇ（０．６５ｍｏｌ）と、ラネーニッケル０．４ｇを投入し、水素圧２．５ＭＰａ、７０℃で１０時間水素化を行った。反応液をろ過し、蒸留（ｂｐ２１２℃）をすることによってｌ−メントール９４．０ｇ（０．６０ｍｏｌ、９９％ｅ．ｅ．）を得た。

本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２０１２年１１月１５日出願の日本特許出願（特願２０１２−２５１３０１）及び２０１３年３月６日出願の日本特許出願（特願２０１３−０４４０６５）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

本発明において用いられる光学活性シトロネラールは、光学活性ルテニウム触媒を用いてゲラニオール及び／又はネロールを不斉異性化することにより製造することができる。
また、本発明において用いられるシトロネラールの閉環反応触媒は、アルキルアルミニウム化合物と特定のアルコール類を混合するだけで、シトロネラール、及び光学活性シトロネラールを簡便に閉環し、高いｎ−選択性のイソプレゴール、及び光学活性イソプレゴールを製造することができる。
得られた光学活性イソプレゴールを深冷晶析して高純度の光学活性イソプレゴール、又は、深冷晶析しない光学活性イソプレゴールを通常用いられる炭素−炭素二重結合の水素化触媒を用いて水素化し、光学活性メントールを製造することができる。
以上のように、本発明の光学活性メントールの製造方法は、非常に短い工程で成り立っており、すべての工程が触媒反応の工程で成り立っている。従って、この製造方法は、環境を汚染する廃棄物が少なく、製造経費も節約できる。

Claims (11)

1. 下記一般式（１）で表される化合物を、ルテニウム触媒と塩基の存在下に不斉異性化することにより、下記一般式（２）で表される光学活性体シトロネラールを得る工程、前記一般式（２）で表される光学活性体シトロネラールを、アルミニウム触媒の存在下、選択的に閉環させる工程を含む、下記一般式（３）で表される光学活性イソプレゴールの製造方法であって、
   前記アルミニウム触媒は、下記一般式（５）で表されるヒドロキシ化合物、又は、下記一般式（６）で表されるヒドロキシ化合物を、下記一般式（７）で表されるアルキルアルミニウム化合物、下記一般式（８）で表されるヒドリドアルミニウム化合物、下記一般式（９）で表される鎖状アルミノキサン類、及び下記一般式（１０）で表される環状アルミノキサン類、から選ばれる少なくとも１種のアルミニウム化合物と反応させて得られるものである、光学活性イソプレゴールの製造方法。
   

   

   （式（１）中、波線は二重結合の（Ｅ）体及び／又は（Ｚ）体であることを示す。）
   

   

   （式（２）中、＊は、不斉炭素原子を示す。）
   

   

   （式（３）中、＊は、不斉炭素原子を示す。）
   

   

   （式（５）中、Ｒ^１及びＲ^５は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数３乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、ポリマー鎖である。）
   

   

   （式（６）中、Ｒ^６、Ｒ^９、Ｒ^１０及びＲ^１３は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数３乃至１５の環状アルキル基であり；Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、又はポリマー鎖である。
   Ａは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。）
   ＡｌＨ_ｋ（Ｌｇ）_３−ｋ （７）
   （式（７）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｌｇは炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、または置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり、ｋは０乃至３の整数である。）
   ＭＡｌＨ_４ （８）
   （式（８）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｍはリチウム、ナトリウム又はカリウムである。）
   

   

   （式（９）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｒ^１７は炭素数１乃至８の分岐状もしくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり、複数のＲ^１７はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｌは０〜４０の整数である。）
   

   

   （式（１０）中、Ａｌはアルミニウムであり、Ｒ^１８は炭素数１乃至８の分岐状若しくは直鎖状のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数７乃至１２のアラルキル基であり；ｊは０〜４０の整数である。）
2. 前記一般式（５）で表されるヒドロキシ化合物が、下記一般式（５−ａ）で表されるヒドロキシ化合物である請求項１記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
   

   

   （式（５−ａ）中、Ｒ^１ａは、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基であり、Ｒ^５ａは、置換基を有していてもよい炭素数５乃至１５の環状アルキル基であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、又はポリマー鎖である。）
3. 前記一般式（６）で表されるヒドロキシ化合物が、下記一般式（６−ａ）で表されるヒドロキシ化合物である請求項１記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
   

   

   （式（６−ａ）中、Ｒ^６ａ及びＲ^１０ａは、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、又は置換基を有していてもよい炭素数４乃至１５のヘテロアリール基であり、Ｒ^９ａ及びＲ^１３ａは、置換基を有していてもよい炭素数５乃至１５の環状アルキル基であり、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^１１及びＲ^１２は、各々独立して、水素原子、炭素数１乃至８のアルキル基、炭素数１乃至８のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６乃至１５のアリール基、炭素数１乃至４のパーフロロアルキル基、炭素数７乃至１２のアラルキル基、ハロゲン原子、オルガノシリル基、炭素数１乃至４のジアルキルアミノ基、炭素数１乃至４のチオアルコキシ基、ニトロ基、又はポリマー鎖である。
   Ａは、（ｉ）単結合、（ｉｉ）置換基及び不飽和結合のうち１以上を有してもよい炭素数１乃至２５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、（ｉｉｉ）置換基を有してもよい炭素数６〜１５のアリーレン基、（ｉｖ）置換基を有してもよい炭素数２〜１５のヘテロアリーレン基、あるいは（ｖ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１４）−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−Ｐ（Ｒ^１４）−、−（Ｒ^１４）Ｐ（Ｏ）−及び−Ｓｉ（Ｒ^１５Ｒ^１６）−の群から選択される官能基またはヘテロ元素である。ここで、Ｒ^１４〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至８の環状アルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜１２のアラルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基である。）
4. 前記閉環反応を、下記Ｉ及びＩＩのうち少なくとも一方の化合物の存在下で行う請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
   Ｉ．少なくとも１種の酸
   ＩＩ．シトロネラール以外のアルデヒド、酸無水物、ケトン、酸ハライド、エポキシ化合物及びビニルエーテルを含む郡から選択される少なくとも１種の化合物
5. 前記ルテニウム触媒が、下記一般式（１１）で表されるルテニウム化合物である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
   ［Ｒｕ_ｍＬ_ｎＷ_ｐＵ_ｑ］_ｒＺ_ｓ （１１）
   （式中、Ｌは、光学活性ホスフィン配位子であり、Ｗは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン又はアニオンであり、Ｕは、水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アリール基、ジエン、アニオン又はＬ以外の配位子であり、Ｚは、アニオン、アミン又は光学活性含窒素化合物であり、ｍ、ｎ及びｒは各々独立して１〜５の整数であり、ｐ、ｑ及びｓは各々独立して０〜５の整数であり、ｐ＋ｑ＋ｓは１以上である。）
6. 前記塩基が、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の塩若しくは四級アンモニウム塩である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学活性イソプレゴールの製造方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法により光学活性イソプレゴールを得る工程、及び得られた光学活性イソプレゴールに水素添加する工程を含む光学活性メントールの製造方法。
8. 以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
   Ａ−１）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化により光学活性シトロネラールを得る。
   Ｂ−１）酸性触媒による光学活性シトロネラールの閉環反応によって光学活性イソプレゴールを得る。
   Ｃ−１）光学活性イソプレゴールを水素化し光学活性メントールを得る。
9. 以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
   Ａ−２）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化により光学活性シトロネラールを得る。
   Ｂ−２）酸性触媒による光学活性シトロネラールの閉環反応によって光学活性イソプレゴールを得る。
   Ｄ−２）光学活性イソプレゴールを深冷によって再結晶を行いさらに高い純度のイソプレゴールを得る。
   Ｅ−２）工程Ｄ−２で得た光学活性イソプレゴールを水素化し光学活性メントールを得る。
10. 以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
    Ａ−３）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化によりｄ−シトロネラールを得る。
    Ｂ−３）酸性触媒によるｄ−シトロネラールの閉環反応によってｌ−イソプレゴールを得る。
    Ｃ−３）ｌ−イソプレゴールを水素化しｌ−メントールを得る。
11. 以下の工程を含む光学活性メントールの製造方法。
    Ａ−４）ゲラニオール又はネロールの不斉異性化によりｄ−シトロネラールを得る。
    Ｂ−４）酸性触媒によるｄ−シトロネラールの閉環反応によってｌ−イソプレゴールを得る。
    Ｄ−４）ｌ−イソプレゴールを深冷によって再結晶を行いさらに高い純度の１−イソプレゴールを得る。
    Ｅ−４）工程Ｄ−４で得たｌ−イソプレゴールを水素化しｌ−メントールを得る。

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