JPWO2013179471A1 - 量子電池の試験用半導体プローブ、試験装置及び試験方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12 基板
14 ベース電極
16 n型金属酸化物半導体層
18 充電層
20 p型金属酸化物半導体層
22 対向電極
26 n型金属酸化物半導体
28 絶縁被膜
30 電極
32 中間結晶層
34 n型金属酸化物半導体層
36 伝導帯
38 価電子帯
40 フェルミレベル
42 紫外線
44 電子
46 正孔
48 エネルギー準位
50 半導体プローブ
52 支持体
54 電極
56 金属酸化物半導体
58 プローブ充電層
60,80 充放電特性試験装置
62 定電流源
64,64−1,64−2 電圧計
66 放電抵抗
68 充電層対応領域
70 量子電池の充放電特性
72,72−1,72−2 円筒型半導体プローブ
74 円筒支持体
76,76−1 弾性体層
78 接地電極
82 円筒型半導体プローブによる充電特性
84,88 欠陥個所
86 円筒型半導体プローブによる放電特性
90 2個の円筒型半導体プローブによる充放電特性試験装置
92 接地電極付円筒型半導体プローブ
94 充電層測定プローブ部
96 接地電極部
98 充放電電源接続部
Claims (24)
- 導電性の電極と、
金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、
電気的エネルギーを充電する充電層と、
支持体と、
を積層して構成されたことを特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記充電層は、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記充電層は、電子を捕獲するために、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体に紫外線を照射して、光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成していること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項2に記載の半導体プローブにおいて、
n型金属酸化物半導体は、二酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛のうち何れか1種、又は、二酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛の2乃至3種を組み合わせた複合物質であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項2に記載の半導体プローブにおいて、
前記n型金属酸化物半導体を覆う絶縁性物質は、絶縁性樹脂または無機絶縁物であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記金属酸化物半導体は、p型半導体であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項6に記載の半導体プローブにおいて、
前記p型半導体は、酸化ニッケル又は銅アルミ酸化物であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記金属酸化物半導体は、n型半導体であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項8に記載の半導体プローブにおいて、
前記n型半導体は、二酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛のうち何れか1種、又は、二酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛の2乃至3種を組み合わせた複合物質であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記電極は、導電性の金属であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記支持体は、少なくとも一部が弾性体であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブにおいて、
前記支持体は円筒形状であること、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項12に記載の半導体プローブにおいて、
円筒形状の前記支持体に、接地電極部を備えたこと、
を特徴とする半導体プローブ。
- 請求項1に記載の半導体プローブと、
被測定物と、
充放電を行う充放電電流源と、
充放電時における被測定物の電圧を測定する電圧計と、
を備えた充放電特性試験装置。
- 請求項14に記載の試験装置において、
前記被測定物は、基板に導電性のベース電極、又は、ベース電極とn型金属酸化物半導体層が積層されていること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項14に記載の試験装置において、
前記被測定物は、基板上に、ベース電極又はベース電極とn型金属酸化物半導体が積層され、さらに絶縁物質で覆われたn型金属酸化物半導体からなる充電層が積層されていること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項16に記載の試験装置において、
前記被測定物の充電層は、前記半導体プローブの充電層と同じ物資で構成され、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体に紫外線を照射して、光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成していること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項14に記載の試験装置において、
前記半導体プローブは、前記被測定物の全面を覆って密着させること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項14に記載の試験装置において、
前記半導体プローブは、複数の前記被測定物の全面を覆って密着させ、複数の前記被測定物を同時測定可能なこと、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項14に記載の試験装置において、
前記半導体プローブは、前記被測定物の一部を覆って密着させること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項20に記載の試験装置において、
前記半導体プローブは、支持体が円筒形状であり、被測定物の表面を回転させながら充放電特性を評価すること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 請求項21に記載の試験装置において、
前記支持体を円筒形状とした前記半導体プローブを2個使用し、一方の半導体プローブで被測定物の充電特性を、他の半導体プローブで被測定物の放電特性を評価すること、
を特徴とする充放電特性試験装置。
- 導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、電気的エネルギーを充電する充電層と、支持体とを積層して構成された半導体プローブと、
被測定物と、
充放電を行う充放電電流源と、
充放電時における被測定物の電圧を測定する電圧計と、
を備え、
前記半導体プローブを被測定物に当接し、前記充放電電流源により充放電し、被測定物の電圧を前記電圧計で測定すること、
を特徴とする半導体プローブを用いた充放電特性試験方法。
- 導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、電気的エネルギーを充電する充電層と、支持体とを積層して構成された半導体プローブと、
被測定物と、
前記被測定物への充電時に充電を行う電圧源と、
前記被測定物からの放電時に放電を行う抵抗と、
充放電時における被測定物の電流を測定する電流計と、
を備え、
前記半導体プローブを被測定物に当接し、充電時は前記電圧源により充電し、被測定物の電流を前記電流計で測定し、放電時は前記電圧源を抵抗に切り替えて被測定物の電流を前記電流計で測定すること、
を特徴とする半導体プローブを用いた充放電特性試験方法。
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---|---|---|---|---|
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EP3076449B1 (en) * | 2014-03-18 | 2018-11-21 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Quantum battery |
JP6502200B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2019-04-17 | 株式会社日本マイクロニクス | 二次電池用中間構造体、及び二次電池の製造方法 |
WO2017109787A1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Drilliant Ltd. | Metal sublayer sensing in multi-layer workpiece hole drilling |
TWI604401B (zh) * | 2016-03-16 | 2017-11-01 | han-ming Xie | Device and method for calculation and display of financial commodity support pressure price |
JP6872388B2 (ja) * | 2016-05-19 | 2021-05-19 | 株式会社日本マイクロニクス | 二次電池の製造方法 |
JP6854100B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2021-04-07 | 株式会社日本マイクロニクス | 二次電池 |
CN110024154B (zh) | 2016-12-21 | 2023-06-20 | 株式会社东芝 | 半导体固体电池 |
JP7337775B2 (ja) | 2017-08-21 | 2023-09-04 | ソニーグループ株式会社 | 測位データを報告する方法 |
US10932370B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-02-23 | Drilliant Ltd | Metal sublayer sensing in multi-layer workpiece hole drilling |
CN113325293B (zh) * | 2020-08-18 | 2023-01-03 | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 | 一种量子芯片测试结构、其制备方法和测试方法 |
JP7100170B2 (ja) * | 2021-03-10 | 2022-07-12 | 株式会社日本マイクロニクス | 二次電池 |
CN116380766B (zh) * | 2023-04-10 | 2024-02-23 | 铜陵诚峰电子科技有限公司 | 一种检验电容器金属化薄膜抗氧化性的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275690A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Casio Comput Co Ltd | 半導体電気特性測定装置および測定方法 |
JP2000028625A (ja) * | 1998-05-01 | 2000-01-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電荷移動力検出装置及び電荷移動力検出方法 |
JP2002313398A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | セル電圧測定用ピックアップユニット |
JP2005524925A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 抵抗性チップを具備する半導体プローブ及びその製造方法、それを具備する情報記録装置、情報再生装置及び情報測定装置。 |
JP2008241346A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 探針及びそれを用いた測定装置 |
WO2012046325A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | グエラテクノロジー株式会社 | 二次電池 |
WO2013065094A1 (ja) * | 2011-10-30 | 2013-05-10 | 株式会社日本マイクロニクス | 半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5923033A (en) * | 1994-09-14 | 1999-07-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Integrated SPM sensor having a photodetector mounted on a probe on a free end of a supported cantilever |
JP2000021455A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Nissan Motor Co Ltd | ハイブリッド車両用電池の内部抵抗検出方法 |
JP3750355B2 (ja) | 1998-07-03 | 2006-03-01 | 日産自動車株式会社 | 電池の出力検出装置 |
JP2001267384A (ja) | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 擬似mosfetの測定方法 |
JP3406583B2 (ja) | 2000-11-02 | 2003-05-12 | 三井鉱山株式会社 | リチウム二次電池負極用黒鉛−炭素複合材料、その製造方法及びリチウム二次電池 |
US6913982B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-07-05 | Geunbae Lim | Method of fabricating a probe of a scanning probe microscope (SPM) having a field-effect transistor channel |
JP2003313398A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-11-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フェノール樹脂成形材料及びこれを用いたブレーキピストン |
US6632691B1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-14 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for determining doping concentration of a semiconductor wafer |
US7640651B2 (en) * | 2003-12-31 | 2010-01-05 | Microfabrica Inc. | Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer |
US20090195961A1 (en) * | 2002-07-01 | 2009-08-06 | Rolf Eisenring | Method and device for storing electricity in quantum batteries |
JP4986398B2 (ja) * | 2002-07-01 | 2012-07-25 | アイゼンリンク、ロルフ | いわゆるクアンタム・バッテリに電気エネルギーを蓄積する新しい方法 |
KR100558376B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-03-10 | 전자부품연구원 | 원자력 현미경용 mosfet 캔틸레버 |
JP2005326250A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プローブ用クリーニングシート及びクリーニング方法 |
JP5165843B2 (ja) | 2004-12-13 | 2013-03-21 | パナソニック株式会社 | 活物質層と固体電解質層とを含む積層体およびこれを用いた全固体リチウム二次電池 |
DE112006002294T5 (de) * | 2005-09-02 | 2008-10-30 | Kyocera Corp. | Lichtelektrische Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung sowie lichtelektrische Energieerzeugungsvorrichtung |
JP4841298B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2011-12-21 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブシートの製造方法 |
TW200830443A (en) * | 2006-07-27 | 2008-07-16 | Qc Solutions Inc | Probes and methods for semiconductor wafer analysis |
JP5412029B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2014-02-12 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブユニット基板 |
JP2008241349A (ja) | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Clarion Co Ltd | 走行時間予測方法、ナビゲーション装置及びプログラム |
JP5032359B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2012-09-26 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 円筒型圧電アクチュエータおよび圧電素子ならびにそれを用いた走査型プローブ顕微鏡 |
US8803539B2 (en) * | 2009-06-03 | 2014-08-12 | Hsio Technologies, Llc | Compliant wafer level probe assembly |
TW201102664A (en) * | 2009-07-15 | 2011-01-16 | Inventec Corp | Test probe |
JP2011196791A (ja) | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Micronics Japan Co Ltd | 面接触プローブ及び電気的処理装置 |
EP2755274A4 (en) * | 2011-09-05 | 2015-06-03 | Nihon Micronics Kk | APPARATUS AND METHOD FOR ASSESSING SHEET BATTERY |
US20140008763A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Intermolecular, Inc. | Distributed substrate top contact for moscap measurements |
-
2012
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2013
- 2013-03-26 TW TW102110732A patent/TWI474006B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275690A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Casio Comput Co Ltd | 半導体電気特性測定装置および測定方法 |
JP2000028625A (ja) * | 1998-05-01 | 2000-01-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電荷移動力検出装置及び電荷移動力検出方法 |
JP2002313398A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | セル電圧測定用ピックアップユニット |
JP2005524925A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 抵抗性チップを具備する半導体プローブ及びその製造方法、それを具備する情報記録装置、情報再生装置及び情報測定装置。 |
JP2008241346A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 探針及びそれを用いた測定装置 |
WO2012046325A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | グエラテクノロジー株式会社 | 二次電池 |
WO2013065094A1 (ja) * | 2011-10-30 | 2013-05-10 | 株式会社日本マイクロニクス | 半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法 |
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