JPWO2013140969A1 - フォトレジスト組成物、化合物及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[A]酸解離性基を含む構造単位(I)を有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう)、及び 下記式(1)で表される化合物(I)を含有するフォトレジスト組成物である。
下記式(1)で表される化合物である。
(1)下記式(4)で表される化合物とNaHSO3とを反応させる工程、及び (2)工程(1)で得られた化合物と下記式(5)で表される化合物とを反応させる工程を有する下記式(6)で表される化合物の製造方法である。
本発明のフォトレジスト組成物は、[A]重合体及び化合物(I)を含有する。また、当該フォトレジスト組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、[A]重合体及び化合物(I)以外の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
[A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位(I)を有する重合体である。この[A]重合体は、後述のフォトレジスト組成物(I)における[A]重合体と同様である。なお、この[A]重合体については、<フォトレジスト組成物(I)>における[A]重合体の説明を適用できるため、ここでの詳細な説明は省略する。
化合物(I)は、上記式(1)で表される化合物である。当該化合物(I)が上記構造を有することで、形成されるレジスト膜中での拡散を抑えることができ、露光部と未露光部とのコントラストを高めてLWR性能等の特性に優れたレジストパターンを形成することができる。以下、この化合物(I)について詳述する。
RXは、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。
上記式(1−1−1)で表される化合物として、下記式(a−1)〜(a−12)、(a−24)、(a−25)、(a−28)〜(a−33)で表される化合物等;
上記式(1−1−2)で表される化合物として、下記式(a−13)〜(a−16)、(a−26)、(a−27)で表される化合物等;
上記式(1−1−3)で表される化合物として、下記式(a−17)〜(a−20)で表される化合物等が挙げられる。
上記式(1−1−4)で表される化合物として、下記式(a−21)及び(a−22)で表される化合物等が挙げられる。
上記式(1−1−5)で表される化合物として、下記式(a−23)で表される化合物等が挙げられる。
上記式(1−2−1)で表される化合物として、下記式(b−1)〜(b−4)で表される化合物等;
上記式(1−2−2)で表される化合物として、下記式(b−5)〜(b−8)で表される化合物等;
上記式(1−2−3)で表される化合物として、下記式(b−9)で表される化合物等 上記式(1−2−4)で表される化合物として、下記式(b−10)〜(b−17)で表される化合物等が挙げられる。
化合物(I)の製造方法としては、特に限定されないが、後述の<化合物の製造方法>において詳述する方法と同様の方法が好ましい。なお、化合物(I)の製造に用いられる原料化合物としては、対応する化合物を適宜選択すればよい。
当該フォトレジスト組成物が含有してもよい任意成分としては、例えば、後述のフォトレジスト組成物(I)における[B]酸拡散制御剤及び[C]酸発生剤等や、後述のフォトレジスト組成物(II)における[D]酸発生剤及び[E]酸拡散制御剤等が挙げられる。
本発明のフォトレジスト組成物(I)は、[A]重合体、及び[B]酸拡散制御剤を含有し、[B]酸拡散制御剤が化合物(I)を含む組成物である。また、当該フォトレジスト組成物(I)は、好適成分として[C]酸発生剤を含有していてもよい。また、当該フォトレジスト組成物(I)は、本発明の効果を損なわない範囲で、フッ素原子含有重合体(以下、「[F]重合体」ともいう)、[G]溶媒、[H]偏在化促進剤等のその他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について詳述する。
[A]重合体は、ベース重合体となる重合体である。なお、「ベース重合体」とは、フォトレジスト組成物から形成されるレジスト膜を構成する重合体の主成分となる重合体をいい、好ましくは、レジスト膜を構成する全重合体に対して50質量%以上を占める重合体をいう。この[A]重合体は、構造単位(I)を有する。また、当該フォトレジスト組成物(I)は、構造単位(I)における酸解離性基は極性を有するか、又は[A]重合体が構造単位(II)を有することが好ましい。これにより、均一なレジスト膜を形成することができる。さらに、[A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の構造単位を有していてもよい。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位について詳述する。
構造単位(I)は、酸解離性基を含む構造単位である。この構造単位(I)が酸解離性基を含むことで、放射線の照射により露光部の酸解離性基が解離する。その結果、露光部の[A]重合体が親水性となり、露光部と未露光部とで現像液に対する溶解速度に差を生じさせ、所望のレジストパターンを形成することができる。なお、「酸解離性基」とは、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。
上記式(7−1)で表される構造単位(I)として、式(7−1−1)〜(7−1−7)で表される構造単位等;
上記式(7−2)で表される構造単位(I)として、式(7−2−1)〜(7−2−3)で表される構造単位等;
上記式(7−1)及び(7−2)で表される構造単位以外の構造単位(I)として、式(7−3−1)で表される構造単位等が挙げられる。
構造単位(II)は、上記式(3)で表される構造単位である。当該フォトレジスト組成物(I)は、この構造単位(II)をさらに有することで、均一なレジスト膜を形成することができる。
(1)極性基を有する炭素数1〜20の1価の炭化水素基、(2)構造中に−O−又は/及び−CO−O−を有する炭素数1〜20の1価の炭化水素基、(3)極性基、並びに構造中に−O−又は/及び−CO−O−を有する炭素数1〜20の1価の炭化水素基等が挙げられる。
[A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構造単位(I)及び(II)以外の他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、例えば、N,N−ジメチルメタクリルアミド、p−ヒドロキシスチレン等に由来する構造単位等が挙げられる。
[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば、(1)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(2)単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(3)各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(4)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を無溶媒中や反応溶媒中で重合反応させる方法、等で合成することが好ましい。
[B]酸拡散制御剤は、上記化合物(I)を含んでいる。また、[B]酸拡散制御剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、化合物(I)以外の酸拡散制御剤を含んでいてもよい。[B]酸拡散制御剤は、露光により発生した酸の拡散を制御する成分である。当該フォトレジスト組成物(I)が[B]酸拡散制御剤を含有することで、レジスト膜中での[B]酸拡散制御剤自身の拡散を抑えることができ、その結果、露光部と未露光部とのコントラストを高めることができる。
[C]酸発生剤は、化合物(I)とは異なる化合物である。この[C]酸発生剤は、露光により酸を発生する感放射線性の成分である。当該フォトレジスト組成物(I)が[C]酸発生剤を含有することで感度を高めることができ、その結果、形成されるレジストパターンのコントラストを向上させることができる。なお、[C]酸発生剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[F]重合体は、フッ素原子含有重合体である。この[F]重合体は、[A]重合体よりもフッ素原子含有率が高いことが好ましい。これにより、効果的に[F]重合体をレジスト膜の表層に偏在化させることができる。その結果、レジスト膜表層の疎水性を向上させることができ、液浸露光を行う場合においても物質溶出抑制に優れると共に、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する為、当該フォトレジスト組成物の液浸露光用としての有用性が高まる。
主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;
側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;
主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造等が挙げられる。
構造単位(f1)は下記式(8)で表される構造単位である。
構造単位(f2)は、下記式(9)で表される構造単位である。
単環式飽和炭化水素として、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等;
単環式不飽和炭化水素として、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等;
多環式飽和炭化水素として、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等;
多環式不飽和炭化水素として、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等から(k+1)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
[F]重合体は、構造単位(f1)、構造単位(f2)以外の「他の構造単位」を含んでいてもよい。他の構造単位としては、例えば、[A]重合体についての上記式(7−1)で表される構造単位(I)等が挙げられる。
[F]重合体は、例えば、所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。
当該フォトレジスト組成物(I)は、通常、[G]溶媒を含有する。[G]溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒等が挙げられる。[G]溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
モノアルコール系溶媒として、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、iso−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、n−ペンタノール、iso−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、tert−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、3−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等;
多価アルコール系溶媒として、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等;
多価アルコール部分エーテル系溶媒として、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等が挙げられる。
[H]偏在化促進剤は、[F]重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏析させる成分である。当該フォトレジスト組成物(I)が[H]偏在化促進剤を含有することで、[F]重合体をレジスト膜表面に偏析させることができ、結果として[F]重合体の配合量を少なくすることができる。[H]偏在化促進剤としては、例えば、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。なお、[H]偏在化促進剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
当該フォトレジスト組成物(I)は、上記[A]成分〜[H]成分以外にも、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等のその他の任意成分を含有していてもよい。その他の任意成分は、各成分を単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。また、その他の任意成分の含有量は、その目的に応じて、適宜決定することができる。
当該フォトレジスト組成物(I)は、[A]重合体、[B]酸拡散制御剤、及び必要に応じて[C]酸発生剤等の各任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。
本発明のフォトレジスト組成物(II)は、[A]重合体、及び[D]酸発生剤を含有し、[D]酸発生剤が化合物(I)を含む組成物である。また、当該フォトレジスト組成物(II)は、好適成分として[E]酸拡散制御剤を含有してもよい。また、当該フォトレジスト組成物(II)は、本発明の効果を損なわない範囲で、[G]溶媒等のその他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。
[A]重合体は、構造単位(I)を有する重合体である。この[A]重合体は、上記フォトレジスト組成物(I)の項で詳述しているため、その詳細な説明は省略する。
構造単位(I)は、酸解離性基を含む構造単位である。上記構造単位(I)の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5モル%〜90モル%が好ましく、5モル%〜70モル%がより好ましく、10モル%〜60モル%がさらに好ましい。
上記構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることで、現像後のレジストパターンの形状を効果的に向上させることができる。
[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。[A]重合体の合成方法は、上記フォトレジスト組成物(I)の項で上述しているため、その詳細な説明は省略する。
[D]酸発生剤は、露光により酸を発生する感放射線性の成分である。[D]酸発生剤は、上記化合物(I)を含んでいる。また、[D]酸発生剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、化合物(I)以外の酸発生剤を含んでいてもよい。当該フォトレジスト組成物(II)が[D]酸発生剤を含有することで、レジスト膜中での[D]酸発生剤自身の拡散を抑えることができ、その結果、露光部と未露光部とのコントラストを高めて良好な形状のレジストパターンを形成することができる。なお、化合物(I)については、<化合物(I)>の項で上述しているため、その詳細な説明は省略する。
[E]酸拡散制御剤は、化合物(I)とは異なる化合物である。この[E]酸拡散制御剤は、露光により発生した酸の拡散を制御する成分である。当該フォトレジスト組成物(II)が[E]酸拡散制御剤を含有することで、露光により発生した酸の拡散を抑制することができ、その結果、形成されるレジストパターンのコントラストを向上させることができる。なお、[E]酸拡散制御剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
当該フォトレジスト組成物(II)は、通常、[G]溶媒を含有する。この[G]溶媒は、上記フォトレジスト組成物(I)の項で上述しているため、その詳細な説明は省略する。
当該フォトレジスト組成物(II)は、上記[A]成分〜[G]成分以外にも、界面活性剤等のその他の任意成分を含有していてもよい。なお、その他の任意成分は、上記フォトレジスト組成物(I)で説明したものと同じものを適用できる。
当該フォトレジスト組成物(II)は、[A]重合体、[D]酸発生剤、及び必要に応じて[E]酸拡散制御剤等の各任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。
当該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法は、例えば、
(A1)当該フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、
(A2)マスクを介して、上記レジスト膜を露光する工程、及び
(A3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を有する。以下、各工程について説明する。
本工程では、当該フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。塗布方法としては特に限定されないが、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段を採用することができる。基板としては、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等が挙げられる。具体的には、得られるレジスト膜が所定の厚さになるように当該組成物を塗布した後、必要に応じてプレベーク(PB)することで塗膜中の溶媒を揮発させる。塗膜の膜厚としては、10nm〜500nmが好ましい。PBの温度としては、通常60℃〜140℃であり、80℃〜120℃が好ましい。PBの時間としては、通常5秒〜600秒であり、10秒〜300秒が好ましい。
本工程では、工程(A1)で形成されたレジスト膜に、(場合によっては、水等の液浸媒体を介して)放射線を照射し、露光させる。このとき、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射する。上記放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、EUV、X線、電子線等から適宜選択される。これらの中で、フォトレジスト組成物(I)を用いた場合はArFエキシマレーザー光(波長193nm)等の遠紫外線が好ましく、フォトレジスト組成物(II)を用いた場合は電子線又はEUV光(波長13.5nm)が好ましい。
本工程では、工程(A2)で露光されたレジスト膜を、例えば、アルカリ現像液、有機溶媒現像液等の現像液で現像することにより所定のレジストパターンを形成する。
アルコール系溶媒として、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、iso−ブタノール、sec−ブタノール等;
エーテル系溶媒として、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、アニソール等;
ケトン系溶媒として、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン等;
アミド系溶媒として、N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等;
エステル系溶媒として、ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸iso−プロピル、酢酸n−ブチル等が挙げられる。
本発明の化合物は、上記式(1)で表される化合物である。この化合物は上記化合物(I)と同様の化合物である(当該化合物を、以下、「化合物(I)」ともいう)。当該化合物(I)は、フォトレジスト組成物の酸拡散制御剤又は酸発生剤として好適に用いられる。当該化合物(I)が上記構造を有することで、この化合物(I)をフォトレジスト組成物における酸拡散制御剤等として用いた場合、形成されるレジスト膜中での拡散を抑えることができ、露光部と未露光部とのコントラストを高めてLWR性能等の特性に優れたレジストパターンを形成することができる。以下、当該化合物(I)について説明する。
当該化合物の製造方法としては、特に限定されないが、下記方法により製造することが好ましい。当該化合物の製造方法が下記工程を有することで、当該化合物を容易かつ確実に製造することができる。
(1)上記式(4)で表される化合物とNaHSO3とを反応させる工程、及び
(2)工程(1)で得られた化合物と上記式(5)で表される化合物とを反応させる工程を有する。
本工程では、上記式(4)で表される化合物とNaHSO3とを反応させる。上記式(4)で表される化合物として、N−シクロヘキシルマレイミド等の原料化合物を、例えば、メタノール等のアルコール類、水等の溶媒に加えた後、亜硫酸水素ナトリウム(NaHSO3)をさらに加え、加熱攪拌しながら反応させる。加熱温度としては、30℃〜150℃が好ましく、40℃〜100℃がより好ましい。加熱時間としては、30分〜48時間が好ましく、1時間〜24時間がより好ましい。
本工程では、工程(1)で得られた化合物と上記式(5)で表される化合物とを反応させる。上記工程(1)において得られた化合物とトリフェニルスルホニウムクロライド等のスルホニウム塩とを水等の溶媒に加え、攪拌しながら反応させる。次いで得られた反応生成物をジクロロメタン等の抽出溶媒で抽出し、抽出液を乾燥することにより上記式(6)で表される化合物を合成することができる。反応温度としては、0℃〜100℃が好ましく、0℃〜50℃がより好ましい。反応時間としては、30分〜24時間が好ましく、1時間〜12時間がより好ましい。
東ソー製GPCカラム(G2000HXL:2本、G3000HXL:1本、G4000HXL:1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、試料濃度:1.0質量%、試料注入量:100μL、カラム温度:40℃、検出器:示差屈折計の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定した。また、分散度(Mw/Mn)は、Mw及びMnの測定結果より算出した。
日本電子製JNM−ECX400を用い、測定溶媒として重クロロホルムを使用して、各重合体における各構造単位の含有割合(モル%)を求める分析を行った。
[実施例1](化合物(S−1)の合成)
上記式(4)で表される化合物としてのN−シクロヘキシルマレイミド(化合物(S−1’))1.25g(7.0mmol)を、溶媒としてのメタノール15mL及び水15mLが入った100mLのナスフラスコに加えた後、亜硫酸水素ナトリウム0.95g(9.1mmol)をさらに加えた。次いで55℃で18時間加熱攪拌しながら反応させた後、上記溶媒を留去した。そして、得られた固形分に、トリフェニルスルホニウムクロライド1.46g(4.9mmol)並びに溶媒としてのジクロロメタン20mL及び水15mLを加え、室温で6時間攪拌して反応させた。その後、得られた反応生成物を抽出溶媒としてのジクロロメタンで抽出した後、水で5回洗浄した。そして、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、上記抽出溶媒を留去することにより下記式で表される化合物(S−1)2.18g(収率85%)を得た。
N−シクロヘキシルマレイミド(化合物(S−1’))の代わりに、下記式(S−2’)〜(S−43’)で表される化合物を用いた以外は、実施例1と同様に操作して、下記式(S−2)〜(S−43)で表される化合物を合成した。なお、下記式(S−26’)及び(S−30’)〜(S−33’)で表される化合物については、上記亜硫酸水素ナトリウムと共に、活性化剤として、この亜硫酸水素ナトリウムと等量のトリエチルアミンも加えて攪拌加熱しながら反応させた。
各実施例及び比較例における各重合体の合成で用いた単量体を以下に示す。
化合物(M−1)9.01g(50モル%)及び化合物(M−2)10.99g(50モル%)を2−ブタノン40gに溶解し、開始剤としてAIBN0.81gを添加して単量体溶液を調製した。次いで20gの2−ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を80gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A−1)を合成した(15.6g、収率78%)。重合体(A−1)のMwは7,200であり、Mw/Mnは1.52であった。13C−NMR分析の結果、(M−1)、(M−2)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ50.2モル%及び49.8モル%であった。
化合物(M−1)9.53g(50モル%)、化合物(M−2)9.29g(40モル%)及び化合物(M−3)1.18g(10モル%)を2−ブタノン40gに溶解し、開始剤としてAIBN0.86gを添加して単量体溶液を調製した。次いで20gの2−ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を80gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A−2)を合成した(14.1g、収率71%)。重合体(A−2)のMwは7,100であり、Mw/Mnは1.53であった。13C−NMR分析の結果、(M−1)、(M−2)及び(M−3)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ50.1モル%、40.6モル%及び9.3モル%であった。
化合物(M−4)55.0g(65モル%)及び化合物(M−5)45.0g(35モル%)、開始剤としてAIBN4g、並びにt−ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、16時間共重合させた。重合反応終了後、重合溶液を1,000gのn−ヘキサン中に滴下して、重合体を凝固精製した。次いで上記重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、更に、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応終了後、溶剤及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A−3)を得た(65.7g、収率76.6%)。重合体(A−3)のMwは10,000であり、Mw/Mnは2.10であった。13C−NMR分析の結果、p−ヒドロキシスチレン及び(M−5)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ65.4モル%及び34.6モル%であった。
化合物(M−9)7.31g(40モル%)、化合物(M−7)8.59g(40モル%)及び化合物(M−8)4.10g(20モル%)を2−ブタノン40gに溶解し、開始剤としてAIBN0.71gを添加して単量体溶液を調製した。次いで20gの2−ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を80gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A−4)を合成した(15.0g、収率75%)。重合体(A−4)のMwは7,500であり、Mw/Mnは1.53であった。13C−NMR分析の結果、(M−9)、(M−7)及び(M−8)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ40.1モル%、40.0モル%及び19.9モル%であった。
化合物(M−9)7.55g(40モル%)、化合物(M−7)8.87g(40モル%)、化合物(M−8)2.12g(10モル%)、及び化合物(M−4)1.46g(10モル%)を2−ブタノン40gに溶解し、開始剤としてAIBN0.86gを添加して単量体溶液を調製した。次いで20gの2−ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。次いで上記重合体に、プロピレングリコールモノメチルエーテル30gを加えた後、更に、メタノール30g、トリエチルアミン10g及び水2gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応終了後、溶剤及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体を2−ブタノン60gに溶解した後、400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を80gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A−5)を合成した(14.4g、収率73%)。重合体(A−5)のMwは7,100であり、Mw/Mnは1.53であった。13C−NMR分析の結果、(M−9)、(M−7)、(M−8)及びp−ヒドロキシスチレンに由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ40.1モル%、40.1モル%、9.9モル%及び9.9モル%であった。
化合物(M−4)56.7g(70モル%)及び化合物(M−10)43.3g(30モル%)、開始剤としてAIBN4、1g、並びにt−ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、16時間共重合させた。重合反応収量後、重合溶液を1,000gのn−ヘキサン中に滴下して、重合体を凝固精製した。次いで上記重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、更に、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応終了後、溶剤及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末の重合体(A−6)を得た(62.1g、収率72.8%)。重合体(A−6)のMwは10,000であり、Mw/Mnは2.20であった。13C−NMR分析の結果、p−ヒドロキシスチレン及び(M−10)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ70.2モル%及び28.8モル%であった。
化合物(M−1)79.9g(70モル%)及び化合物(M−6)20.91g(30モル%)を、100gの2−ブタノンに溶解し、開始剤としてジメチル2,2’−アゾビスイソブチレート4.77gを溶解させて単量体溶液を調製した。次いで100gの2−ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。反応溶液を2L分液漏斗に移液した後、150gのn−ヘキサンで上記重合溶液を均一に希釈し、600gのメタノールを投入して混合した。
次いで30gの蒸留水を投入し、さらに攪拌して30分静置した。その後、下層を回収し、固形分である重合体(F−1)を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た(収率60%)。重合体(F−1)のMwは7,200であり、Mw/Mnは2.00であった。13C−NMR分析の結果、(M−1)及び(M−6)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ71.1モル%及び28.9モル%であった。
下記実施例44〜97及び比較例1、2のフォトレジスト組成物(I)の調製に用いた[B]成分(化合物(S−1)〜(S−43)以外)、[C]酸発生剤、[G]溶媒及び[H]偏在化促進剤を以下に示す。
b−1:トリフェニルスルホニウム10−カンファ−スルホネート
G−1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
G−2:シクロヘキサノン
H−1:γ−ブチロラクトン
[A]重合体としての(A−1)100質量部、[B]酸拡散制御剤としての(S−1)30質量部、[C]酸発生剤としての(C−1)8.5質量部、[F]重合体としての(F−1)3質量部、[G]溶媒としての(G−1)2,240質量部及び(G−2)960質量部、並びに[H]偏在化促進剤としての(H−1)30質量部を配合してフォトレジスト組成物(J−1)を調製した。
下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例44と同様に操作して、各フォトレジスト組成物を調製した。
12インチのシリコンウエハー表面に、スピンコーター(CLEAN TRACK ACT12、東京エレクトロン製)を使用して、下層反射防止膜形成用組成物(ARC66、ブルワーサイエンス製)を塗布した後、205℃で60秒間加熱することにより膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜上に、上記スピンコーターを使用して上記調製した各フォトレジスト組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後、23℃で30秒間冷却し、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置(NSR−S610C、NIKON製)を用い、NA=1.3、ダイポール(シグマ0.977/0.782)の光学条件にて、40nmラインアンドスペース(1L1S)マスクパターンを介して露光した。露光後、90℃で60秒間PEBを行った。その後、アルカリ現像液として2.38質量%のTMAH水溶液を用いてアルカリ現像し、水で洗浄し、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。このレジストパターン形成の際、ターゲット寸法が40nmの1対1ラインアンドスペースのマスクを介して形成した線幅が、線幅40nmの1対1ラインアンドスペースに形成される露光量を最適露光量とした。
上記TMAH水溶液の代わりに酢酸n−ブチルを用いて有機溶媒現像し、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記レジストパターンの形成(1)と同様に操作して、ネガ型のレジストパターンを形成した。
上記各フォトレジスト組成物も用いて形成したレジストパターンについて、LWR性能、解像性、断面形状及び焦点深度を下記方法に従い評価した。その結果を表2に示す。上記レジストパターンの測長には、走査型電子顕微鏡(S−9380、日立ハイテクノロジーズ製)を用いた。なお、表2中の「※」は、各評価における判定基準を示している。
レジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用い、パターン上部から観察した。線幅を任意のポイントで計50点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをLWR性能とした。LWR性能は、その値が小さいほど良いことを示す。LWR性能の値を比較例1の値(判定基準)と比べたとき、10%以上の向上(LWR性能の値が90%以下)が見られた場合、LWR性能は良好「A」と、10%未満(LWR性能の値が90%超)の場合、不良「B」と評価した。
上記最適露光量において解像される最小のレジストパターンの寸法を測定し、この測定結果は解像性とした。測定値が小さいほど解像性は良いことを示す。得られた測定値を比較例1の測定値(判定基準)と比べたとき、10%以上の向上(最小レジストパターン寸法が90%以下)が見られた場合、解像性は良好「A」と、10%未満(最小レジストパターン寸法が90%超)の場合、不良「B」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンの断面形状を観察し、レジストパターンの中間での線幅Lb及び膜の上部での線幅Laを測定した。このとき、0.9≦La/Lb≦1.1である場合、断面形状は良好「A」と、上記範囲外である場合、不良「B」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンにおいて、深さ方向にフォーカスを変化させた際の寸法を観測し、ブリッジや残渣が無いままパターン寸法が基準の90%〜110%に入る深さ方向の余裕度を測定し、この測定結果を焦点深度とした。測定値が大きいほど焦点深度は良いことを示す。得られた測定値を比較例1の測定値(判定基準)と比べたとき、10%以上の向上(焦点深度が110%以上)が見られた場合、焦点深度は良好「A」と、10%未満(焦点深度が110%未満)の場合、不良「B」と評価した。
下記実施例98〜141及び比較例3のフォトレジスト組成物(II)の調製に用いた[D]成分(化合物(S−1)〜(S−43)以外)、[E]酸拡散制御剤及び[G]溶媒を以下に示す。
d−1:トリフェニルスルホニウム2−(アダマンタン−1−イル)−1,1−ジフルオロエタン−1−スルホネート
E−1:N−t−ブトキシカルボニル−4−ヒドロキシピペリジン
G−1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
G−2:シクロヘキサノン
[A]重合体としての(A−3)100質量部、[D]酸発生剤としての(S−1)20質量部、[E]酸拡散制御剤としての(E−1)3.6質量部、並びに[G]溶媒としての(G−1)4,280質量部及び(G−2)1,830質量部を配合してフォトレジスト組成物(J−55)を調製した。
下記表3に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例98と同様に操作して、各フォトレジスト組成物を調製した。
8インチのシリコンウエハー表面にスピンコーター(CLEAN TRACK ACT8、東京エレクトロン製)を使用して、表3に記載の各フォトレジスト組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後、23℃で30秒間冷却し、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜に、簡易型の電子線描画装置(日立製作所製、型式「HL800D」、出力:50KeV、電流密度:5.0A/cm2)を用いて電子線を照射した。照射後、130℃で60秒間PEBを行った。その後、アルカリ現像液として2.38質量%のTMAH水溶液を用いて23℃で30秒間現像し、水で洗浄し、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。
上記各フォトレジスト組成物を用いて形成したレジストパターンについて、LWR性能、解像性及び断面形状を下記方法に従い評価した。その結果を表4に示す。上記レジストパターンの測長には、走査型電子顕微鏡(S−9380、日立ハイテクノロジーズ製)を用いた。なお、表4中の「※」は、各評価における判定基準を示している。
LWR性能の判定基準を比較例3の値とした以外は、上述のLWR性能の評価と同様の方法で評価を行った。
形成される最小のレジストパターンの寸法を測定し、この測定結果は解像性とした。測定値が小さいほど解像性は良いことを示す。得られた測定値を比較例3の測定値(判定基準)と比べたとき、10%以上の向上(最小レジストパターン寸法が90%以下)が見られた場合、解像性は良好「A」と、10%未満(最小レジストパターン寸法が90%超)の場合、不良「B」と評価した。
形成されるレジストパターンの断面形状を観察し、レジストパターンの中間での線幅Lb及び膜の上部での線幅Laを測定した。このとき、0.9≦La/Lb≦1.1である場合、断面形状は良好「A」と、上記範囲外である場合、不良「B」と評価した。
Claims (15)
- [A]酸解離性基を含む構造単位(I)を有する重合体、及び 下記式(1)で表される化合物(I)を含有するフォトレジスト組成物。
- [B]酸拡散制御剤を含有し、 [B]酸拡散制御剤が化合物(I)を含む請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。
- [C]酸発生剤をさらに含有し、 [C]酸発生剤が化合物(I)とは異なる請求項5又は請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
- [D]酸発生剤を含有し、 [D]酸発生剤が化合物(I)を含む請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。
- [E]酸拡散制御剤をさらに含有し、 [E]酸拡散制御剤が化合物(I)とは異なる請求項8に記載のフォトレジスト組成物。
- 酸拡散制御剤又は酸発生剤として用いられる請求項10から請求項13のいずれか1項に記載の化合物。
- (1)下記式(4)で表される化合物とNaHSO3とを反応させる工程、及び (2)工程(1)で得られた化合物と下記式(5)で表される化合物とを反応させる工程を有する下記式(6)で表される化合物の製造方法。
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