JPWO2013081099A1 - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(細孔を有する陽極体の形成)
細孔を有する陽極体としては、まず、平板状の金属箔(例えば、アルミニウムなどの弁作用金属箔)をエッチング処理し、さらに化成処理により誘電体酸化皮膜を形成したエッチング箔を用いることができる。例えば、100μmのアルミニウム箔を交流エッチングにより微細な細孔(エッチングピット)を形成し、その後リン酸などの水溶液中で化成処理を行う。このようなエッチング箔は、その深部に、少なくとも100nm以下の微細な細孔(エッチングピット)を有している。
以上のことにより、陽極体の細孔は、蒸着による場合とエッチングピットの場合を考慮して、少なくとも1〜100nmの範囲の直径を有することが好ましいと考えられる。ただし、100nmを超える直径の細孔を排除するものではなく、一部に1〜100nmの範囲の直径を有していれば、それ以外の部分に100nmを超える直径の細孔があっても良い。細孔の直径は、水銀圧入法によって測定することができる。
前述のアルミニウムエッチング箔又はアルミニウム蒸着箔を、所定の大きさに(10×10mm等の大きさ)に切断し、この平板状のアルミニウムエッチング箔又はアルミニウム蒸着箔の陽極体表面に、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液中で5V、30分間程度の化成処理を行うことにより、アルミニウム誘電体酸化皮膜を形成する。次に、この陽極体を所定の化成液に浸漬し、電圧印加して修復化成を行う。
次に、修復化成を行った陽極体の細孔の部分に、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子を塗布又は含浸し、室温で10分乾燥後、130℃で10分乾燥する。ここで、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子としては、例えば、ポリ(イソチアナフテンジイルースルホネート)化合物を好適に用いることができる。他にも、ピロール(C4H5N)、アニリン(C6H5NH2)、チオフィン(C4H4S)、フラン(C4H4O)等を単位とするポリマー骨格やそれらの誘導体にスルホン酸基を導入したものを用いても良い。具体的には、ポリアニリンスルホン酸、ポリアルキルアニリンスルホン酸、ポリアルキルチオフェンスルホン酸を好適に用いることができる。
次に、誘電体酸化皮膜及び自己ドープ型導電性高分子上に、導電性高分子化合物を分散させた分散水溶液を塗布し、室温で10分放置した後、130℃で10分間加熱する工程を1サイクルとし、これを数サイクル繰り返して第1の導電性高分子層を形成する。
次いで、前記導電性高分子化合物と同一又は異なる導電性高分子化合物を分散させた分散液とエチレングリコールとからなる混合溶液を第1の導電性高分子層上に、例えば1回塗布した後、130℃で10分間加熱することで第2の導電性高分子層を形成する。導電性高分子化合物を分散させた分散液としては、第1の導電性高分子層を形成する際に用いた分散液と同様に、水溶液に対して0.1〜4wt%の濃度のPEDOTからなる導電性高分子化合物を含んだ分散液を用いることができる。
上述した第1及び第2の導電性高分子層に代えて、化学重合による導電性高分子層又は電解重合による導電性高分子層を形成してもよい。
さらに、この第2の導電性高分子層や化学重合又は電解重合による導電性高分子層の上にカーボン層を塗布して160℃で30分間乾燥し、次いで、銀ペースト層を塗布して160℃で60分間乾燥することにより陰極導電体層を形成し、固体電解コンデンサを形成する。
上述した固体電解コンデンサの製造方法は、平板状のアルミニウムエッチング箔やアルミニウム蒸着箔を用い、この単板やこれらを重ねた積層タイプのコンデンサ素子や、平板状のアルミニウムエッチング箔やアルミニウム蒸着箔の間に絶縁紙などからなるセパレータを介在して巻回した巻回タイプのコンデンサ素子などに適用できる。なお、巻回タイプのコンデンサ素子においては、巻回したコンデンサ素子を形成し、その後に前述の自己ドープ型導電性高分子、アミン類の形成、さらに導電性高分子層(第1、第2の導電性高分子層や化学重合又は電解重合による導電性高分子層)を形成することが好ましい。
スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子層を細孔に形成後、水による洗浄や水系の溶媒との接触する工程が含まれる場合は、水溶性の導電性高分子が水に溶解し、細孔内に留めることが困難となる。しかし、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子にアミン類を含有させることで、水溶性の導電性高分子が水に不溶化すると推定される。このため、洗浄後においても細孔内部に良好な状態で保持されるため、容量出現率やESR特性が向上すると考えられる。
(実施例1)
[エッチング箔についての検証]
まず、平板状で多数のエッチングピットを有するアルミニウムエッチング箔を、アジピン酸アンモニウム(75g/L)の水溶液中で5V、30分間化成し、その表面にアルミニウム誘電体酸化皮膜を形成した。続いて、このアルミニウムエッチング箔を大きさが10×10mmの平板状に切断し、リン酸二水素アンモニウム(0.5g/L)の水溶液に浸漬し、5V,40分間修復化成を行った。このエッチング箔の細孔分布を測定したところ、少なくとも30〜100nmの範囲の細孔が存在することを確認できた。
アミン類として、実施例2はエチレンジアミン、実施例3はブタンジアミン、実施例4はオクタンジアミン、実施例5はフェニルジアミンをそれぞれ用いた以外は実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
比較例1は、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子及びアミン類をそれぞれエッチングピットに塗布しないこと以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。比較例2は、アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
続いて、アミン溶液の添加量について検証した。アミン類としてデカンジアミンを用いた実施例1の固体電解コンデンサにおいて、そのデカンジアミンのメタノール溶液におけるデカンジアミンの添加量を、それぞれ変化させたものを用い、その他は実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。実施例6は、デカンジアミンの濃度を0.25wt%、実施例7は濃度1.0wt%、実施例8は濃度2wt%、実施例9は濃度3wt%とデカンジアミンの濃度をそれぞれ調整して固体電解コンデンサを作製した。
実施例1と同様にしてアルミニウムエッチング箔のエッチングピットの部分に、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子としてポリ(イソチアナフテンジイルースルホネート)化合物を形成し、さらにデカンジアミンによるアミン処理を行った。
化学重合による導電性高分子層の代わりに電解重合による導電性高分子層を形成した以外は、実施例10と同様にして固体電解質コンデンサを作製した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例10と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例11と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
(実施例12)
まず、平板状のアルミニウム基材に、アルミニウム粒子の一次粒子の粒子径が0.005〜0.1μmの範囲で分布したアルミニウム粒子及び表面に酸化皮膜が形成されたアルミニウム粒子を用い、0.6Paの圧力の不活性ガスと酸素ガスの雰囲気内で、蒸着層の厚みが30μmとなるようにアルミニウム微粒子を蒸着した。その後、アジピン酸アンモニウム水溶液中で20V電圧印加によって陽極化成を行った。続いて、この蒸着箔を大きさが10×10mmの平板状に切断し、リン酸二水素アンモニウム(0.5g/L)の水溶液に浸漬し、5V,40分間修復化成を行った。この蒸着箔の細孔分布を測定したところ、少なくとも1〜50nmの範囲の細孔が存在することを確認できた。
ポリエチレンジオキシチオフェンの分散液による導電性高分子層の代わりに化学重合による導電性高分子層を形成した以外は、実施例12と同様にして固体電解質コンデンサを作製した。化学重合については、実施例10と同様にして作成した。
ポリエチレンジオキシチオフェンの分散液による導電性高分子層の代わりに電解重合による導電性高分子層を形成した以外は、実施例12と同様にして固体電解質コンデンサを作製した。電解重合については、実施例11と同様にして作成した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例12と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子及びアミン類をそれぞれ細孔に塗布しないこと以外は、実施例12と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例13と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例14と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
(実施例15)
自己ドープ型導電性高分子としてポリアニリンスルホン酸を使用したこと以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例15と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
自己ドープ型導電性高分子としてポリアニリンスルホン酸を使用したこと以外は、実施例12と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
アミン類を自己ドープ型導電性高分子上に塗布しないこと以外は、実施例16と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
Claims (8)
- 細孔を有する陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜と、
前記細孔内部に形成されると共に、アミン類と、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子とを含む導電性高分子層と、
を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 細孔を有する陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜と、
前記細孔内部に形成される、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子層と、
前記水溶性の自己ドープ型導電性高分子層の表層に形成される、アミン類を含むアミン類含有層と、
を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 細孔を有する陽極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜と、
前記細孔内部に形成される、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子層と、
前記水溶性の自己ドープ型導電性高分子層の表層に形成される、前記水溶性の自己ドープ型導電性高分子の前記スルホン酸基とアミン類とが結合した結合層と、
を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 1〜100nmの細孔の直径を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の固体電解コンデンサ。
- 細孔を有する陽極体の表面に誘電体酸化皮膜を形成する工程と、
前記細孔内部に、アミン類と、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子とを含む導電性高分子層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 細孔を有する陽極体の表面に誘電体酸化皮膜を形成する工程と、
前記細孔内部に、スルホン酸基を有する水溶性の自己ドープ型導電性高分子層を形成する工程と、
前記水溶性の自己ドープ型導電性高分子層にアミン類を含む溶液を接触させる工程と、
を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記導電性高分子層を形成する工程又は水溶性の自己ドープ型導電性高分子層にアミン類を含む溶液を接触させる工程の後に、洗浄によりアミン類の残留化合物を除去する洗浄工程を備えることを特徴とする請求項5又は6記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- さらに、前記陽極体上に、水溶液に導電性高分子化合物を分散させた分散液を塗布した後、乾燥して導電性高分子層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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---|---|---|---|---|
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WO2016157768A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよび導電性高分子分散体 |
US9767963B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance |
US11189430B2 (en) * | 2017-06-22 | 2021-11-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for producing same |
WO2019026961A1 (ja) | 2017-08-04 | 2019-02-07 | 綜研化学株式会社 | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法 |
US11152161B2 (en) * | 2019-09-03 | 2021-10-19 | Kemet Electronics Corporation | Aluminum polymer capacitor with enhanced internal conductance and breakdown voltage capability |
CN114496577B (zh) * | 2020-10-26 | 2023-10-20 | 丰宾电子科技股份有限公司 | 一种导电性高分子混合型铝电解电容及其制造方法 |
US20240128026A1 (en) * | 2021-03-03 | 2024-04-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-electrolyte capacitor and method for manufacturing same |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321474A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH11121281A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Nec Toyama Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2002313684A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
JP2005167223A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Showa Denko Kk | コンデンサ用ニオブ粉、ニオブ焼結体及びコンデンサ |
JP2006294843A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2007096284A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-04-12 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
JP2007110074A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-04-26 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2010116441A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | コンデンサ電極用導電性組成物 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1220997C (zh) | 1998-05-22 | 2005-09-28 | 松下电器产业株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
WO2007001076A1 (en) | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and production method thereof |
US7268997B2 (en) | 2005-08-29 | 2007-09-11 | Takeshi Saitou | Solid electrolytic capacitor |
TWI404090B (zh) | 2006-02-21 | 2013-08-01 | Shinetsu Polymer Co | 電容器及電容器之製造方法 |
JP2011003827A (ja) | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Panasonic Corp | 電子部品 |
US9023186B1 (en) * | 2009-06-26 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | High performance titania capacitor with a scalable processing method |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321474A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH11121281A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Nec Toyama Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2002313684A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
JP2005167223A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Showa Denko Kk | コンデンサ用ニオブ粉、ニオブ焼結体及びコンデンサ |
JP2006294843A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2007110074A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-04-26 | Showa Denko Kk | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2007096284A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-04-12 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
JP2010116441A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | コンデンサ電極用導電性組成物 |
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