JPWO2013080887A1 - 高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

信号線とグランド導体の開口との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器を提供することである。誘電体素体１２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂが積層されてなる。信号線２０は、誘電体シート１８ｂの表面に形成されている。補助グランド導体２４は、信号線２０が形成されている誘電体シート１８ｂの裏面に形成されており、信号線２０に重なる開口３０が設けられている。基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に設けられ、かつ、信号線２０を挟んで補助グランド導体２４と対向している。

Description

本発明は、高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器に関し、より特定的には、信号線及び該信号線を挟むグランド導体を備えた高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器に関する。

高周波回路間を接続するための高周波線路としては、同軸ケーブルが一般的に用いられる。同軸ケーブルは、曲げ等の変形が容易であり、かつ、安価であることから広く用いられている。

ところで、近年、移動体通信端末等の高周波機器の小型化が進んでいる。そのため、高周波機器において、円形の断面形状を有する同軸ケーブルを配置するスペースを確保することが困難になってきている。そこで、ストリップラインが可撓性の積層体内に形成された高周波信号線路が用いられることがある。

トリプレート型のストリップラインは、信号線がグランド導体により挟まれた構造を有している。該高周波信号線路の積層方向の厚みは、同軸ケーブルの直径よりも小さいので、高周波信号線路は、同軸ケーブルの収容が不可能である小さなスペースに収容可能である。

また、前記高周波信号線路に関連する発明としては、特許文献１に記載のフレキシブル基板が知られている。特許文献１に記載のフレキシブル基板では、グランド層に開口部が設けられており、全面に形成されたグランド導体で挟まれたストリップラインと比較して容易に曲げることができるように構成されている。

しかしながら、特許文献１に記載のフレキシブル基板では、誘電体層の積層の際に、誘電体層の積層ずれが発生して、信号線路とグランド層の開口部との位置関係が所定の位置関係からずれるおそれがある。

特開２００７−１２３７４０号公報

そこで、本発明の目的は、信号線とグランド導体の開口との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記信号線が形成されている前記絶縁体層の他方の主面に形成されている第１のグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている第１のグランド導体と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る記高周波信号線路の製造方法は、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層とが積層されて構成されている積層体と、前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成されている第１のグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている第１のグランド導体と、前記第２の絶縁体層の一方の主面に形成され、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体と、を備えており、前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の一方の主面と前記第２の絶縁体層の他方の主面とが対向するように、該第２の絶縁体層に積層されていること、を特徴とする高周波信号線路の製造方法であって、前記第１の絶縁体層の一方の主面に前記信号線を形成する第１の工程と、前記第１の絶縁体層の他方の主面に前記第１のグランド導体を形成する第２の工程と、前記第２の絶縁体層の一方の主面に前記第２のグランド導体を形成する第３の工程と、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層とを積層して積層体を形成する第４の工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記信号線が形成されている前記絶縁体層の他方の主面に形成されている第１のグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている第１のグランド導体と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、信号線とグランド導体の開口との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。 図６（ａ）のＣにおける断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 図８の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の一部を抜き出したときの等価回路図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 図１４の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第７の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第８の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第８の変形例に係る高周波信号線路の断面構造図である。 マザーシートを示した図である。 マザーシートを圧着する工程の説明図である。 第９の変形例に係る高周波信号線路の断面構造図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、保護層１４，１５、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ，１８ｂ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

誘電体シート１８は、ｚ軸方法から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート（第２の絶縁体層）１８ａは、誘電体シート（第１の絶縁体層）１８ｂの表面上に積層されている。誘電体シート１８ａの厚さＤ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＤ２よりも大きい。例えば、誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層後において、厚さＤ１は５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＤ１は１７５μｍである。また、厚さＤ２は１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＤ２は２５μｍである。Ｔ２：Ｔ１は、１：２〜１：７であることが好ましい。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に形成されている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に形成されている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号線２０は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの表面に形成されており、ｘ軸方向に延在している線状導体である。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００〜５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は３００μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に貼り付けられた金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることを指す。また、信号線２０の表面には平滑化が施されるので、信号線２０が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線２０が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

基準グランド導体２２は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の表面に最も近い誘電体シート１８ａの表面に形成されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。基準グランド導体２２において信号線２０に対向している部分には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、基準グランド導体２２は、線路部１２ａにおける信号線２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、基準グランド導体２２は線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすために基準グランド導体２２の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線路２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｄの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０と基準グランド導体２２によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。

また、基準グランド導体２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、線路部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体２４は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、信号線２０が形成されている誘電体シート１８ｂの裏面に形成されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの裏面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。すなわち、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、信号線２０を挟んで互いに対向している。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

補助グランド導体２４は、シールドとしても機能するグランド導体である。また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように微調整を行うために設計されている。更に、補助グランド導体２４のブリッジ部６０のｘ軸方向の間隔は、使用帯域内において輻射ノイズが発生しないように設計される。以下では、補助グランド導体２４のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、基準グランド導体２４のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、補助グランド導体２４は、線路部２４ａ、端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｂ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。そして、線路部２４ａは、導体層が形成されていない複数の開口３０と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図２及び図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状をなしており、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０とブリッジ部６０と交互に重なっている。また、開口３０は、等間隔に並んでいる。開口３０のｙ軸方向の幅は本実施形態では４００μｍである。

端子部２４ｂは、線路部１８ｂ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、線路部１８ｂ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向の両側から誘電体層１８ａ，１８ｂを介して基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によって挟まれている。すなわち、信号線２０及び基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＤ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１７５μｍである。一方、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、２５μｍである。すなわち、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔よりも小さくなるように設計されている。

ここで、厚みＴ１を厚みＴ２よりも大きくすることで、基準グランド導体２２と信号線２０間に発生する静電容量が小さくなり、所定のインピーダンス（例えば５０Ω）とするための信号線２０の線幅を広くできる。これにより伝送ロスを小さくできるので、高周波信号線路の電気特性の向上が図れる。本実施形態では、基準グランド導体２２と信号線２０の間に発生する静電容量がインピーダンス設計の主であり、補助グランド導体２４は信号の輻射を小さくするためのグランド導体としてインピーダンス設計している。すなわち、基準グランド導体２２と信号線２０とで特性インピーダンスを高く設定（例えば７０Ω）し、補助グランド導体２４を付加することによって高周波信号線路の一部に低インピーダンスが低くなる領域（例えば３０Ω）を設けることにより、高周波信号線路全体のインピーダンスが所定のインピーダンス（例えば５０Ω）になるように設計している。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５は、誘電体シート１８ｂの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、開口部３０を含む補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１５は、図２に示すように、線路部１５ａ及び接続部１５ｂ，１５ｃにより構成されている。線路部１５ａは、線路部１８ｂ−ａの裏面の全面を覆うことにより、線路部２４ａを覆っている。

接続部１５ｂは、線路部１５ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ｂ−ｂの裏面を覆っている。これにより、接続部１５ｂは、端子部２４ｂを覆っている。接続部１５ｃは、線路部１５ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ｂ−ｃの裏面を覆っている。これにより、接続部１５ｃは、端子部２４ｃを覆っている。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

コネクタ１００ｂは、図１及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。図７は、図６（ａ）のＣにおける断面構造図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波
数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を電気的及び物理的に接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、図７に示すように、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関して基準グランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の（ｘ軸方向に連続的に延在する）基準グランド導体２２が位置している。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面にめっきを施して、銅箔を形成する。また、誘電体シート１８ｂの両面にめっきを施して、銅箔を形成する。更に、誘電体シート１８の銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８は、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、誘電体シート１８ａの表面に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す外部端子１６及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、誘電体シート１８ｂの表面に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ｂの表面の銅箔上に、図２に示す信号線２０と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、信号線２０が誘電体シート１８ｂの表面にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、信号線２０を位置決めマークとして用いて、誘電体シート１８ｂの裏面に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｂの裏面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ｂの裏面の銅箔上に、信号線２０を位置決めマークとして用いて、図２に示す補助グランド導体２４と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面にフォトリソグラフィ工程により形成される。

なお、補助グランド導体２４を信号線２０よりも先に形成してもよい。この場合には、補助グランド導体２４を位置決めマークとして用いて、信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、信号線２０と補助グランド導体２４とは同時に形成されてもよい。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、基準グランド導体２２、信号線２０及び補助グランド導体２４がストリップライン構造をなすように、誘電体シート１８ａ，１８ｂをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねて積層体１２を形成する。そして、誘電体シート１８ａ，１８ｂに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ，１８ｂを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２を形成する。また、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。

次に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。更に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ｂの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のフレキシブル基板では、信号線路とグランド層とがそれぞれ異なる誘電体層に形成されている。そのため、誘電体層の積層の際に、誘電体層の積層ずれが発生すると、信号線路とグランド層の開口部との位置関係が所定の位置関係からずれる。

ここで、工業上は、積層ずれは±５０μｍ程度想定されるので、この積層ずれにより補助グランド導体２４と信号線２０間に発生する静電容量が変動し、また、補助グランド導体２４が信号線２０に近づくことによるインダクタンスの減少が起こる。特に、信号線２０の線幅を広く（例えば３００μｍ）し、開口３０のｙ軸方向の幅を狭く（例えば４００μｍ）したときなど、信号線２０の線幅と開口３０のｙ軸方向の幅の差が小さく設定されたときに、積層ずれによる信号線２０と補助グランド導体２４間の静電容量の変動の影響とインダクタンスの変動の影響が大きくなる。これにより、電気特性に大きな影響を与えてしまう。

そこで、高周波信号線路１０では、信号線２０は、誘電体シート１８ｂの表面に形成されており、開口３０が設けられている補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの裏面に形成されている。これにより、誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層時に信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係がずれることが抑制される。よって、高周波信号線１０において、特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制され、また、静電容量とインダクタンスの変動による電気特性への影響も抑制できる。

また、高周波信号線路１０の製造方法では、先に形成した信号線２０又は補助グランド導体２４のいずれか一方を位置決めマークとして、信号線２０又は補助グランド導体２４のいずれか他方を形成している。そのため、信号線２０及び補助グランド導体２４を正確な位置に形成することが可能となる。その結果、高周波信号線路１０において、信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係がずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０及びその製造方法では、信号線２０と補助グランド導体２４との間には、誘電体シート１８ｂしか存在しない。よって、誘電体素体１２の圧着時に、信号線２０と補助グランド導体２４との間において変形するのは誘電体シート１８ｂのみである。よって、圧着時に、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔が小さくなることが抑制される。すなわち、高周波信号線路１０において、信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係がずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０によれば、補助グランド導体２４に複数の開口３０が設けられているので、高周波信号線路１０を容易に曲げることができる。

また、積層ずれの問題が起こらないため、開口３０のｙ軸方向の幅と信号線２０の線幅の差を小さく設計できる。これにより信号線２０の高周波信号を補助グランド導体２４で効果的にシールドすることができる。したがって、不要輻射の少ない高周波信号線路を得ることができる。

また、高周波信号線路１０によれば、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のフレキシブル基板では、開口からフレキシブル基板の外部に電磁界が漏れるおそれがある。そのため、フレキシブル基板の周囲に誘電体や金属体等が設けられていると、フレキシブル基板の信号線と誘電体や金属体等との間で電磁界結合が発生する。その結果、フレキシブル基板の信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれてしまうおそれがある。

一方、高周波信号線路１０では、信号線２０に関して基準グランド導体２２側に位置する誘電体素体１２の表面が、バッテリーパック２０６に対して接触している。すなわち、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、開口３０が設けられた補助グランド導体２４ではなく、実質的に開口が設けられていない基準グランド導体２２が設けられている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間で電磁界結合が発生することが抑制される。その結果、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０によれば、以下の理由によっても、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能である。高周波信号線路１０の特性インピーダンスＺは、√（Ｌ／Ｃ）で表される。Ｌは、高周波信号線路１０の単位長さ当たりのインダクタンス値である。Ｃは、高周波信号線路の単位長さ当たりの容量値である。高周波信号線路１０は、Ｚが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）となるように設計される。

ここで、高周波信号線路１０を容易に曲げることができるようにするためには、高周波信号線路１０のｚ軸方向の厚み（以下、単に厚みと称す）を薄くすることが考えられる。ところが、高周波信号線路１０の厚みを薄くすると、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との距離が小さくなり、容量値Ｃが大きくなってしまう。その結果、特性インピーダンスＺが所定の特性インピーダンスよりも小さくなってしまう。

そこで、信号線２０のｙ軸方向の線幅（以下、単に線幅と称す）を細くして、信号線２０のインダクタンス値Ｌを大きくすると共に、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との対向面積を小さくして、容量値Ｃを小さくすることが考えられる。

しかしながら、細い線幅の信号線２０を精度良く形成することは困難である。

そこで、高周波信号線路１０では、開口３０が補助グランド導体２４に設けられている。これにより、信号線２０と補助グランド導体２４との対向面積が小さくなり、容量値Ｃが小さくなる。その結果、高周波信号線路１０において、特性インピーダンスＺを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、容易に曲げることができるようになる。

また、高周波信号線路１０によれば、補助グランド導体２４は、保護層１５により覆われている。これにより、補助グランド導体２４は、誘電体素体１２の裏面において露出しない。そのため、誘電体素体１２の裏面に他の物品が配置されたとしても、補助グランド導体２４と他の物品とが直接に対向しないので、信号線２０の特性インピーダンスの変動が抑制される。

また、Ｔ２：Ｔ１を１：２〜１：７とすることによって、高周波信号の伝送損失を低減できる。より詳細には、Ｔ２：Ｔ１が１：１．５であると、信号線２０と基準グランド導体２２との距離が近くなり過ぎる。そのため、信号線２０の特性インピーダンスを５０Ωに維持するためには、信号線２０の線幅を細くする必要がある。そのため、高周波信号の伝送損失が増大してしまう。一方、Ｔ２：Ｔ１が１：１０であると、ブリッジ部６０と信号線２０との距離が近くなり過ぎる。そのため、ブリッジ部６０の幅を補足する必要がある。この場合においても、高周波信号の伝送損失が増大してしまう。よって、Ｔ２：Ｔ１を１：２〜１：７とすることが好ましい。

なお、高周波信号線路１０の設計時には、基準グランド導体２２が存在し補助グランド導体２４が存在しない状態における信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）よりも高くなるように、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔の設計を行う。次に、補助グランド導体２４を追加した状態における信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）となるように、補助グランド導体２４の開口３０の形状及び信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔の設計を行う。

信号線２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成され、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されている。導体は誘電体シート１８ｂに比べて伸びにくいため、より多くの導体が誘電体シート１８ｂに設けられている方が、誘電体シート１８ｂの伸びが抑制される。よって、高周波信号線路１０の製造時の誘電体シート１８ｂの伸びは、信号線のみが誘電体シートに形成された高周波信号線路の製造時の誘電体シートの伸びよりも小さくなる。これにより、製造時に誘電体シート１８ｂが引っ張られれることにより大きく伸びて、信号線２０に断線が発生することが抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図８は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの積層体１２の分解図である。図９は、図８の高周波信号線路１０ａをｚ軸方向から透視した図である。図１０は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの一部を抜き出したときの等価回路図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。以下に、かかる相違点を中心に、高周波信号線路１０ａの構成について説明する。なお、信号線２０の線幅は実施形態１と同様に３００μｍである。

補助グランド導体２４は、複数の開口３０と複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図９に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっており、信号線２０に関して線対称な形状をなしている。すなわち、信号線２０は、開口３０のｙ軸方向の中央を横切っている。

更に、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）における開口３０の中央を通過する直線Ａであって、信号線２０に直交する（すなわち、ｙ軸方向に延びる）直線Ａに関して、線対称な形状をなしている。以下により詳細に説明する。

ｘ軸方向における開口３０の中央を含む領域を領域Ａ１と定義する。また、ブリッジ部６０に対応する領域を領域Ａ２と定義する。また、領域Ａ１と領域Ａ２との間に位置する領域を領域Ａ３と称す。領域Ａ３は、領域Ａ１のｘ軸方向の両隣に位置しており、領域Ａ１と領域Ａ２のそれぞれに隣接している。領域Ａ２のｘ軸方向の長さ（つまりブリッジ部６０の長さ）は、例えば、２５〜２００μｍである。本実施形態では、領域Ａ２のｘ軸方向の長さは、１００μｍである。

直線Ａは、図９に示すように、ｘ軸方向における領域Ａ１の中央を通過している。そして、領域Ａ１における開口３０の信号線２０に直交する方向（ｙ軸方向）の幅Ｗ１は、領域Ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅Ｗ２よりも広い。すなわち、開口３０は、ｘ軸方向における開口３０の中央付近において、開口３０のその他の部分よりも幅が広くなる形状であって、直線Ａに関して線対称な形状をなしている。そして、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている領域が領域Ａ１であり、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている領域が領域Ａ３である。よって、開口３０の領域Ａ１，Ａ３の境界には段差が存在している。幅Ｗ１は、例えば、５００〜１５００μｍである。本実施形態では、幅Ｗ１は、９００μｍである。また、幅Ｗ２は、例えば、２５０〜７５０μｍである。本実施形態では、幅Ｗ２は、４００μｍである。

また、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１は、例えば、１〜５ｍｍである。本実施形態では、長さＧ１は、３ｍｍである。ここで、長さＧ１は、開口３０における最大幅である幅Ｗ１よりも長い。そして、長さＧ１は、幅Ｗ１よりも２倍以上であることが好ましい。

また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０の間には、開口が設けられていない。より詳細には、隣り合う開口３０に挟まれている領域Ａ２内には、一様に導体層（ブリッジ部６０）が広がっており、開口が存在しない。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動する。より詳細には、開口３０は、領域Ａ１において幅Ｗ１を有しており、領域Ａ３において幅Ｗ１よりも小さな幅Ｗ２を有している。そのため、領域Ａ１における信号線２０と補助グランド導体２４との距離は、領域Ａ３における信号線２０と補助グランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ１における信号線２０に発生する磁界の強度が、領域Ａ３における信号線２０に発生する磁界の強度よりも大きくなり、領域Ａ１におけるインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域Ａ１においてはＬ性が支配的になる。

更に、領域Ａ２には、ブリッジ部６０が設けられている。そのため、領域Ａ３における信号線２０と補助グランド導体２４との距離は、領域Ａ２における信号線２０と補助グランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ２における信号線２０に発生する静電容量が、領域Ａ３における信号線２０に発生する静電容量よりも大きくなることに加えて、領域Ａ２における磁界強度が領域Ａ３における磁界強度より小さくなる。つまり、領域Ａ２においてはＣ性が支配的になる。

以上より、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１において、最大値Ｚ１となっている。すなわち、開口３０は、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置において、幅Ｗ１を有している。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３において、中間値Ｚ３となっている。すなわち、開口３０は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置において、幅Ｗ２を有している。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２において、最小値Ｚ２となっている。

これにより、高周波信号線路１０は、図１０に示す回路構成を有する。より詳細には、領域Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に殆ど静電容量が発生しないので、主に、信号線２０のインダクタンスＬ１によって特性インピーダンスＺ１が発生する。また、領域Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に大きな静電容量Ｃ３が発生しているので、主に、静電容量Ｃ３によって特性インピーダンスＺ２が発生する。また、領域Ａ３では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に静電容量Ｃ３よりも小さな静電容量Ｃ２が発生しているので、信号線２０のインダクタンスＬ２及び静電容量Ｃ２によって特性インピーダンスＺ３が発生している。また、特性インピーダンスＺ３は、例えば、５５Ωである。特性インピーダンスＺ１は、特性インピーダンスＺ３よりも高く、例えば、７０Ωである。特性インピーダンスＺ２は、特性インピーダンスＺ３よりも低く、例えば、３０Ωである。また、高周波信号線路１０全体の特性インピーダンスは、５０Ωである。

高周波信号線路１０ａによれば、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動している。これにより、高周波信号線路１０ａの薄型化が実現できるとともに、薄型であるにもかかわらず、信号線２０の電極幅が広げられるので、信号線２０および基準グランド導体２２、２４において高周波電流の流れる電極部分の表面積を拡大することができ、高周波信号の伝送損失が小さくなる。また、図９に示すように、１周期（領域Ａ１と２つの領域Ａ２と領域Ａ３）の長さＡＬが１〜５ｍｍほどと短いので、より高周波域まで不要輻射の抑制と伝送損失の改善ができる。また、領域Ａ１の両端に領域Ａ３を置くことで信号線２０を流れる電流によって生じる強い磁界を領域Ａ２に直接伝えないため領域Ａ２のグランド電位が安定し、補助グランド導体２４のシールド効果が保たれる。これにより不要輻射の発生が抑制できる。その結果、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０と基準グランド導体２２、２４との距離を小さくしたとしても信号線２０の線幅を広くでき、特性インピーダンスを保ったまま伝送損失が小さく、不要輻射の小さい高周波信号線路１０ａの薄型化を図ることが可能となる。よって、高周波信号線路１０ａを容易に曲げることが可能となり、高周波信号線路１０ａを湾曲させて用いることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ａによれば、補助グランド導体２４におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１における開口３０の幅Ｗ１は、領域Ａ３における開口３０の幅Ｗ２よりも広い。これにより、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域Ａ２内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線２０の特性インピーダンスが、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ１、Ｚ３、Ｚ２・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線２０において、ｘ軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、単位構造（領域Ａ１〜Ａ３）の境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。言い換えると、領域Ａ３によって、ブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制することができ、その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間の相互インダクタンス成分を小さくすることができ、グランド電位も安定化できる。ゆえに、薄型であって、グランド導体に比較的大きな開口３０を有しているにもかかわらず、不要輻射を低減できるとともに、高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

また、ブリッジ部６０の延伸方向にビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を配置することで、さらにブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制できる。特に、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１（すなわち、ブリッジ部６０間の長さ）は領域Ａ１における開口部の幅Ｗ１よりも長くすることで、開口３０の面積をできるだけ大きくして所定の特性インピーダンスを達成しつつも、不要輻射の発生を抑えることができる。

また、開口３０は、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）に周期的に配置される構造の単位構造をなしている。これにより、開口３０内における信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性を開口３０のｘ軸方向の長さにより決定することができる。すなわち、信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性は、開口３０の長さＧ１が短くなるほど、より高周波域まで拡大できる。開口３０の長さＧ１が長くなるほど領域Ａ１の幅Ｗ１を狭くし開口３０を細くすることができる。そのため、不要輻射を小さくし、伝送損失を小さくできるので、高周波信号線路１０ａのインピーダンス特性の広帯域化、安定化が図られる。

また、以下の理由によっても、高周波信号線路１０ａを湾曲して用いることが可能である。高周波信号線路１０では、領域Ａ１は、開口３０のｙ軸方向の幅が最も大きくなっているので最も撓みやすい。一方、領域Ａ２は、開口３０が設けられていないので最も撓みにくい。そのため、高周波信号線路１０ａが曲げられて用いられる場合には、領域Ａ１が曲げられ、領域Ａ２が殆ど曲げられない。そこで、高周波信号線路１０ａでは、誘電体シート１８よりも変形しにくいビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は領域Ａ２に設けられている。これにより、領域Ａ１を容易に曲げることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０と基準グランド導体２２との距離Ｔ１の大きさ、及び、信号線２０と補助グランド導体２４との距離Ｔ２の大きさを調整することによっても、所定の特性インピーダンスを得ることができる。

また、高周波信号線路１０ａでは、以下に説明する理由により、信号線２０が延在している方向における開口３０の長さＧ１は、幅Ｗ１よりも長い。より詳細には、高周波信号線路１０における高周波信号の伝送モードは、ＴＥＭモードである。ＴＥＭモードでは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して、電界及び磁界が直交して形成される。すなわち、磁界は、信号線２０を中心に円を描くように発生し、電界は、信号線２０から基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４に向かって放射状に発生する。ここで、基準グランド導体２２に開口３０が設けられると、磁界は、円形を描くので、開口３０においてわずかに半径が大きくなるように膨らむだけで、高周波信号線路１０ａ外へと大きく漏れない。一方、電界の一部が高周波信号線路１０ａ外へ放射する。したがって、高周波信号線路１０ａの不要輻射では、電界放射が大きな割合を示している。

ここで、電界は、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交しているので、開口３０のｙ軸方向の幅Ｗ１が大きくなると、開口３０から放射される電界の量が多く（不要輻射が増加）なってしまう。一方で、幅Ｗ１は大きくするほど高周波伝送線路１０ａの特性インピーダンスが高くすることができるが、高周波伝送線路１０ａは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交する方向に信号線２０からその線幅のおよそ３倍離れた距離で電界がほぼなくなるため、それ以上幅Ｗ１を広げても特性インピーダンスをさらに高くすることができない。したがって、幅Ｗ１が大きくなるほど不要輻射が増加することを考慮すると、必要以上に幅Ｗ１を広げることは好ましくない。さらに、幅Ｗ１が高周波信号の波長の１／２近くに達するとスロットアンテナとして電磁波が輻射されてしまい、さらに不要輻射が増加してしまう。

一方、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１は、その長さが長くなるほど信号線２０の基準グランド導体２２との対向面積を減少させることができることから、信号線２０の線幅を広くすることが可能となる。これにより、信号線２０における高周波抵抗値を小さくすることができるという利点を有する。

また、長さＧ１が幅Ｗ１よりも大きい場合、基準グランド導体２２における反電流（渦電流）の高周波抵抗値が小さくなる。

以上から、長さＧ１は幅Ｗ１よりも長くすることが好ましく、好ましくは２倍以上とすることが好ましい。ただし、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１が高周波信号の波長の１／２に近くなると、スロットアンテナとして開口３０から電磁波が輻射されることから長さＧ１は、波長に対して十分に短い必要があることは考慮すべきである。

また、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係が所定の位置関係からずれることが抑制されている。そのため、信号線２０を補助グランド導体２４の開口３０に対して正確な位置に形成することができる。したがって、図９の開口３０の幅Ｗ３を小さくしても、補助グランド導体２４が信号線２０に重なりにくく、インダクタンスや浮遊容量の変動が起こりにくい。したがって電気特性の劣化を抑制することができる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１１は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｂと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ａの開口３０のｙ軸方向の幅は、図８に示すように、段階的及び不連続的に変化していた。これに対して、高周波信号線路１０ｂの開口３０のｙ軸方向の幅は、連続的に変化している。より詳細には、開口３０のｙ軸方向の幅は、ｘ軸方向において開口３０の中央から離れるにしたがって連続的に小さくなっている。これにより、信号線２０の磁界エネルギーおよび特性インピーダンスは、連続的に変化するようになる。

なお、高周波信号線路１０ｂでは、図１１に示すように、領域Ａ１は、直線Ａを中心として設けられており、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている部分を含む領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１内において最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ２は、開口３０間に設けられており、ブリッジ部６０が設けられている領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２内において最小値Ｚ２となっている。また、領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれており、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている部分を含む領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３内において中間値Ｚ３となっている。

ここで、領域Ａ１は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている部分を含んでいればよく、領域Ａ３は、開口３０のｙ軸方向の幅がＷ２となっている部分を含んでいればよい。よって、本実施形態では、領域Ａ１と領域Ａ３との境界は、特に、明確に定まっているわけではない。そこで、領域Ａ１と領域Ａ３との境界としては、例えば、開口３０のｙ軸方向の幅が、（Ｗ１＋Ｗ２）／２となっている位置が挙げられる。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｂにおいても、高周波信号線路１０と同様に、湾曲して用いることができ、不要輻射を低減でき、更に、信号線２０内における伝送損失を抑制できる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１２は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０ａとの相違点は、グランド導体４０，４２の有無である。より詳細には、高周波信号線路１０ｃでは、誘電体シート１８ｂの表面上にグランド導体４０，４２が設けられている。グランド導体４０は、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４０は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介して基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４に接続されている。また、グランド導体４２は、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４２は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介して基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４に接続されている。

以上のような高周波信号線路１０ｃでは、信号線２０のｙ軸方向の両側にもグランド導体４０，４２が設けられているので、信号線２０からｙ軸方向の両側へと不要輻射が漏れることが抑制される。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１３は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状と開口４４ａ，４４ｂの形状とが異なっている点である。より詳細には、開口４４ａ，４４ｂは、開口３０がｙ軸方向の正方向側と負方向側とに２つに分断された形状をなしている。高周波信号線路１０ｄでは、開口４４ａ，４４ｂの間をｘ軸方向に延在する線状導体４６が設けられている。線状導体４６は、補助グランド導体２４の一部を構成しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。ただし、線状導体４６の線幅は、信号線２０の線幅よりも狭い。そのため、信号線２０は、線状導体４６からはみ出しており、開口４４ａ，４４ｂと重なっている。

以上のような高周波信号線路１０ｄでは、複数の開口４４ａが、信号線２０に沿って並ぶように設けられていると共に、複数の開口４４ｂが、信号線２０に沿って並ぶように設けられている。これにより、領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ３における信号線２０の特性インピーダンスは、中間値Ｚ３となっている。また、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ２となっている。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１４は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの積層体１２の分解図である。図１５は、図１４の高周波信号線路１０ｅをｚ軸方向から透視した図である。

高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第１の相違点は、ブリッジ部６０における信号線２０の線幅が、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置における信号線２０の線幅よりも細い点である。高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第２の相違点は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置）と信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１である位置）との間において開口３０がテーパー状をなしている点である。高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第３の相違点は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置）とブリッジ部６０との間において開口３０がテーパー状をなしている点である。

まず、高周波信号線路１０ｅにおける領域Ａ１〜Ａ３の定義について図１５を参照しながら説明する。領域Ａ１は、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている領域である。領域Ａ２は、ブリッジ部６０に対応する領域である。領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれており、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている領域を含む領域である。

第１の相違点について説明する。図１４及び図１５に示すように、信号線２０の領域Ａ２における線幅は、線幅Ｗｂである。一方、信号線２０の領域Ａ１における信号線２０の線幅は、線幅Ｗｂよりも太い線幅Ｗａである。線幅Ｗａは、例えば、１００〜５００μｍである。本実施形態では、線幅Ｗａは、３５０μｍである。線幅Ｗｂは、例えば、２５〜２５０μｍである。本実施形態では、線幅Ｗｂは、１００μｍである。このように、領域Ａ２における信号線２０の線幅が、領域Ａ１における信号線２０の線幅よりも細くなることにより、信号線２０とブリッジ部６０とが重なる面積が小さくなる。その結果、信号線２０とブリッジ部６０との間に発生する浮遊容量が低減されるようになる。更に、開口３０と重なっている部分の信号線２０の線幅は、線幅Ｗａであるので、かかる部分の信号線２０のインダクタンス値の増加が抑制される。更に、信号線２０の全体の線幅が細くなっているのではなく、信号線２０の線幅が部分的に細くなっているので、信号線２０の抵抗値の増加が抑制される。

また、信号線２０は、線幅が変化する部分においてテーパー状をなしている。これにより、信号線２０の線幅が変化する部分における抵抗値の変動が緩やかになり、信号線２０の線幅が変化する部分において高周波信号の反射が発生することが抑制される。

第２の相違点について説明する。開口３０は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置と開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１である位置との間においてテーパー状をなしている。すなわち、領域Ａ３のｘ軸方向の端部がテーパー状をなしている。これにより、補助グランド導体２４に流れる電流の損失が低減される。

第３の相違点について説明する。開口３０は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置とブリッジ部６０との間において開口３０がテーパー状をなしている。これにより、ブリッジ部６０のｙ軸方向の両端がテーパー状をなすようになる。よって、ブリッジ部６０のｘ軸方向の線幅は、信号線２０と重なっている部分においてその他の部分よりも細くなる。その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間に発生する浮遊容量が低減される。また、ブリッジ部６０の全体の線幅が細くなっているのではなく、ブリッジ部６０の線幅が部分的に細くなっているので、ブリッジ部６０の抵抗値及びインダクタンス値の増加が抑制される。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１６は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｆと高周波信号線路１０ａとの相違点は、誘電体シート１８ａ，１８ｂが絶縁性の接着層１９ａにより接着されている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、誘電体シート１８ａ，１８ｂは、熱圧着により接着されていた。一方、高周波信号線路１０ｆでは、誘電体シート１８ａ，１８ｂは、接着層１９ａにより接着されている。接着層１９ａとしては、酢酸ビニル系、フッ素系、またはアクリル系の接着剤を利用することができる。

接着層１９ａは、誘電体シート１８ａ，１８ｂと同じ形状を有しており、誘電体シート１８ａ，１８ｂ間に設けられている。また、接着層１９ａには、複数のビアホール導体Ｂ３が設けられている。ビアホール導体Ｂ３は、ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ３とを接続している。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｆにおいても、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる。

ところで、高周波信号線路１０ｆの製造方法では、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、一括して形成される。具体的には、誘電体シート１８ａ、接着層１９ａ及び誘電体シート１８ｂを積層した後に、ビアホールＢ１〜Ｂ３が形成されるべき位置にレーザービームを照射してビアホールを形成する。そして、ビアホールに導電性ペーストを充填することにより、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３を形成する。

また、誘電体シート１８ａの裏面に接着層１９ａを貼り付けた状態で、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３が形成されるべき位置にレーザービームを照射してビアホールを形成する。そして、ビアホールに導電性ペーストを充填することにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３を形成してもよい。

高周波信号線路１０ｆ及びその製造方法によれば、高周波信号線路１０ｆを容易に作成できる。より詳細には、高周波信号線路１０ｆでは、誘電体シート１８ａ，１８ｂとなるロール状に巻かれた２枚の大判の誘電体シートをロールツーロール方式により貼り合わせた後、ビアホールＢ１〜Ｂ３を形成し、その後打ち抜き加工を施すことによって、誘電体素体１２を形成することが可能である。よって、複数の誘電体シート１８を熱圧着する必要がなく、高周波信号線路１０ｆを容易に製造することが可能となる。

（第７の変形例）
以下に、第７の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１７は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｇと高周波信号線路１０ｆとの相違点は、誘電体シート１８ｃ，１８ｄ及び接着層１９ｂ，１９ｃが設けられている点である。より詳細には、誘電体シート１８ｃは、誘電体シート１８ａのｚ軸方向の正方向側に積層されている。接着層１９ｂは、誘電体シート１８ａ，１８ｃを接着している。また、誘電体シート１８ｄは、誘電体シート１８ｂのｚ軸方向の負方向側に積層されている。接着層１９ｃは、誘電体シート１８ｂ，１８ｃを接着している。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｇにおいても、高周波信号線路１０と同様に、信号線２０と補助グランド導体２４の開口３０との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる。

なお、高周波信号線路１０ｇにおいて、接着層１９ａ〜１９ｃが用いられずに、熱圧着により誘電体シート１８ａ〜１８ｄが接着されていてもよい。

（第８の変形例）
以下に、第８の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１８は、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｈの積層体１２の分解図である。図１９は、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｈの断面構造図である。

高周波信号線路１０ｈと高周波信号線路１０ｇとの相違点は、スルーホールＴ１によって基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とが接続されている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｇでは、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とは、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３により接続されている。一方、高周波信号線路１０ｈでは、図１８及び図１９に示すように、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とは、スルーホールＴ１により接続されている。スルーホールＴ１は、誘電体シート１８ａ、接着層１９ａ及び誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通する貫通孔内にＮｉ／Ａｕめっきにより金属材料が充填されることによって構成されている。

また、保護層１４には、スルーホールＴ１と重なる位置に開口Ｈ１が設けられている。保護層１５には、スルーホールＴ１と重なる位置に開口Ｈ２が設けられている。

高周波信号線路１０ｈでは、高周波信号の抵抗が小さくなる。より詳細には、高周波信号は、表皮効果により信号線２０の表面に流れる。そして、信号線２０が基準グランド導体２２と対向している面積は信号線２０が補助グランド導体２４と対向している面積よりも小さい。よって、高周波信号は、信号線２０のｚ軸方向の正方向側の面近傍に集中して流れる。

ここで、信号線２０は、図１９に示すように、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されている。そのため、信号線２０において、誘電体シート１８ｂと接触している面（すなわち、ｚ軸方向の負方向側の面）は、誘電体シート１８ｂと接触していない面（すなわち、ｚ軸方向の正方向側の面）よりも粗い。すなわち、信号線路２０の基準グランド導体２２と対向している面は、表面粗さが小さい。これにより、信号線路２０の基準グランド導体２２と対向している面を高周波信号が流れやすくなる。

次に、高周波信号線路１０ｈの製造方法について図面を参照しながら説明する。図２０は、マザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂを示した図である。図２１は、マザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂを圧着する工程の説明図である。

まず、一方の主面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなるマザーシート１１８ａを準備する。また、両方の主面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなるマザーシート１１８ｂを準備する。マザーシート１１８ａ，１１８ｂとは、誘電体シート１８ａ，１８ｂにカットされる前の大判のシートである。マザーシート１１８ａ，１１８ｂの銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２０（ａ）に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２をマザーシート１１８ａの表面に形成する。複数の基準グランド導体２２は、ｘ軸方向に延在していると共に、ｙ軸方向に一列に並んでいる。そして、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が形成されたマザーシート１１８ａをｙ軸方向に搬送しながらローラに巻き取る。以下では、マザーシート１１８ａが巻かれたローラをローラ３００と呼ぶ。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２０（ｂ）に示す信号線路２０をマザーシート１１８ｂの表面に形成すると共に、補助グランド導体２４をマザーシート１１８ｂの裏面に形成する。複数の信号線路２０及び複数の補助グランド導体２４は、ｘ軸方向に延在していると共に、ｙ軸方向に一列に並んでいる。そして、信号線路２０及び補助グランド導体２４が形成されたマザーシート１１８ｂをｙ軸方向に搬送しながらロールに巻き取る。

更に、マザーシート１１８ｂをロールから送り出しながら、図２０（ｂ）に示すように、該マザーシート１１８ｂの表面にマザーシート１１９ａを重ね合わせ、マザーシート１１８ｂ，マザーシート１１９ａを巻き取る。マザーシート１１９ａとは、接着層１９ａにカットされる前の大判のシートである。マザーシート１１９ａは、マザーシート１１８ａ，１１８ｂの材料よりも低い軟化点を有する材料により作製されている。例えば、マザーシート１１８ａ，１１８ｂが液晶ポリマーにより作製されている場合には、マザーシート１１９ｃは、マザーシート１１８ａ，１１８ｂの液晶ポリマーよりも低い軟化点を有する液晶ポリマーにより作製される。以下では、マザーシート１１８ｂ，１１９ａが巻かれたローラをローラ３０２と呼ぶ。なお、接着層１９ａとして用いられる材料としては、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに用いられる熱可塑性樹脂より低い軟化点を有する樹脂材料が挙げられる。ただし、接着層１９ａとして用いられる材料として、電気的特性がマザーシート１１８ａ，１１８ｂと近いという点で、マザーシート１１８ａ，１１８ｂと同じ組成系で軟化点のみマザーシート１１８ａ，１１８ｂより低い材料が用いられてもよい。

次に、図２１に示すように、ローラ３００，３０２からマザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂを送り出し、マザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂをこの順に重ねると共に、圧着ローラ３０４によって圧着する。この際、圧着ローラ３０４は、マザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂに対して加熱処理も行う。加熱処理では、マザーシート１１９ａのみが軟化し、マザーシート１１８ａ，１１８ｂが軟化しない温度に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂ，１１９ａを加熱する。これにより、マザーシート１１８ａ，１１８ｂは、マザーシート１１９ａにより接着される。

更に、図２１に示すように、スルーホール形成装置３０８により、マザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂのスルーホールＴ１が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、スルーホール形成装置３０８により、Ｎｉ／Ａｕのめっきを施すことによって、貫通孔内に金属を充填し、スルーホールＴ１を形成する。めっき工程において、外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子部２２ｂ，２２ｃの表面にもＮｉ／Ａｕのめっき膜が形成される。そして、ローラ３０６によりマザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂを巻き取る。

次に、ローラ３０６からマザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂを送り出しながら、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、マザーシート１１８ａの表面及びマザーシート１１８ｂの裏面のそれぞれに保護層１４，１５を形成する。更に、マザーシート１１８ａの表面上にコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。

最後に、マザーシート１１８ａ，１１９ａ，１１８ｂを所定の形状に打ち抜くことにより、高周波信号線路１０ｈを得る。

以上のような高周波信号線路１０ｈの製造方法によれば、複数の信号線路２０及び複数の補助グランド導体２４は、ｘ軸方向に延在していると共に、ｙ軸方向に一列に並んでいる。これにより、図２１に示すようにマザーシート１１８ａ，１１８ｂを接着する工程において、信号線路２０が延びる方向に引っ張られない。その結果、信号線路２０に断線が発生することが抑制される。

（第９の変形例）
以下に、第９の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図２２は、第９の変形例に係る高周波信号線路１０ｉの断面構造図である。

高周波信号線路１０ｉは、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの裏面に設けられている点及び誘電体シート１８ｃが追加されている点において、高周波信号線路１０と相違する。

より詳細には、基準グランド導体２２は、図２２に示すように、誘電体シート１８ａの裏面に形成されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。なお、高周波信号線路１０ｉでは、表面粗さが小さいほうの面がｚ軸方向の負方向側を向いている。

また、高周波信号線路１０ｉでは、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの裏面に設けられているので、基準グランド２２と信号線２０とを絶縁するための誘電体シート１８ｃが誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間に設けられている。これにより、信号線２０と基準グランド導体２２とは、誘電体シート１８ｃを介して対向している。そして、信号線２０と基準グランド導体２２とが対向している面は共に表面粗さが小さい面である。

以上のような高周波信号線路１０ｉでは、高周波信号は、表皮効果によって信号線２０の表面近傍に流れる。そして、高周波信号の帰還電流が基準グランド導体２２における信号線２０と対向している部分の表面に流れる。そのため、信号線２０における基準グランド導体２２に対向している部分の表面、及び、基準グランド導体２２における信号線２０に対向している部分の表面の表面粗さが小さくなれば、これらの部分の抵抗値が小さくなる。その結果、高周波信号線路１０ｉの挿入損失が低減される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｉに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｉでは、複数の開口３０は、同じ形状を有している。しかしながら、複数の開口３０の一部の形状が、その他の複数の開口３０の形状と異なっていてもよい。例えば、複数の開口３０の内の所定の開口３０以外の開口３０のｘ軸方向における長さは、該所定の開口３０のｘ軸方向における長さよりも長くてもよい。これにより、所定の開口３０が設けられている領域において、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｆを容易に曲げることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｉに示した構成を組み合わせてもよい。

また、高周波信号線路１０ａ〜１０ｉでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動していた。しかしながら、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ４、最小値Ｚ２の順に減少するように変動してもよい。すなわち、中間値Ｚ３と中間値Ｚ４とが異なっていてもよい。例えば、開口３０，３１，４４ａ，４４は直線Ａを介して線対称ではない形状であってもよい。ただし、中間値Ｚ４は、最小値Ｚ２よりも大きくかつ、最大値Ｚ１よりも小さい必要がある。

また、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、最小値Ｚ２の値は異なっていてもよい。すなわち、高周波信号線路１０ａ〜１０ｉが全体として所定の特性インピーダンスに合わせられていれば全ての最小値Ｚ２の値が同じである必要はない。ただし、一方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ３よりも低い必要があり、他方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ４よりも低い必要がある。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｉでは、開口３０は、信号線２０に沿って複数設けられているが、開口３０の数は１つであってもよい。この場合には、開口３０は、信号線２０と重なり、ｘ軸方向に延在しているスリットである。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｉは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及びその製造方法並びに電子機器に有用であり、特に、容易に曲げることができると共に、信号線とグランド導体の開口との位置関係が所定の位置関係からずれることを抑制できる点において優れている。

１０，１０ａ〜１０ｉ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１４，１５ 保護層
１６ａ，１６ｂ 外部端子
１８ａ〜１８ｄ 誘電体シート
２０ 信号線
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
４０，４２ グランド導体
３０ 開口
１００ａ，１００ｂ コネクタ
１０２ コネクタ本体
１０４，１０６ 外部端子
１０８ 中心導体
１１０ 外部導体
２００ 電子機器
２０２ａ，２０２ｂ 回路基板
２０４ａ，２０４ｂ レセプタクル
２０６ バッテリーパック
２１０ 筐体

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記信号線が形成されている前記絶縁体層の他方の主面に形成されているグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている補助グランド導体と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記補助グランド導体と対向している基準グランド導体と、を備え、前記信号線の前記基準グランド導体と対向している面は、前記補助グランド導体と対向している面よりも表面粗さが小さいこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る高周波信号線路の製造方法は、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層とが積層されて構成されている積層体と、前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成されているグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている補助グランド導体と、前記第２の絶縁体層の一方の主面に形成され、かつ、前記信号線を挟んで前記補助グランド導体と対向している基準グランド導体と、を備えており、前記信号線の前記基準グランド導体と対向している面は、前記補助グランド導体と対向している面よりも表面粗さが小さく、前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の一方の主面と前記第２の絶縁体層の他方の主面とが対向するように、該第２の絶縁体層に積層されていること、を特徴とする高周波信号線路の製造方法であって、前記第１の絶縁体層の一方の主面に前記信号線を形成する第１の工程と、前記第１の絶縁体層の他方の主面に前記補助グランド導体を形成する第２の工程と、前記第２の絶縁体層の一方の主面に前記基準グランド導体を形成する第３の工程と、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層とを積層して積層体を形成する第４の工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記信号線が形成されている前記絶縁体層の他方の主面に形成されているグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている補助グランド導体と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記補助グランド導体と対向している基準グランド導体と、を備え、前記信号線の前記基準グランド導体と対向している面は、前記補助グランド導体と対向している面よりも表面粗さが小さいこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層とが積層されてなる積層体と、前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記信号線が形成されている前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成されているグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている補助グランド導体と、前記第２の絶縁体層の一方の主面に形成されており、かつ、前記信号線を挟んで前記補助グランド導体と対向している基準グランド導体と、を備え、前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の一方の主面と前記第２の絶縁体層の他方の主面とが対向するように、該第２の絶縁体層に積層されており、前記信号線の前記基準グランド導体と対向している面は、前記補助グランド導体と対向している面よりも表面粗さが小さいこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波信号線路と、を備えており、前記高周波信号線路は、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層とが積層されてなる積層体と、前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、前記信号線が形成されている前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成されているグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている補助グランド導体と、前記第２の絶縁体層の一方の主面に形成されており、かつ、前記信号線を挟んで前記補助グランド導体と対向している基準グランド導体と、を備え、前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の一方の主面と前記第２の絶縁体層の他方の主面とが対向するように、該第２の絶縁体層に積層されており、前記信号線の前記基準グランド導体と対向している面は、前記補助グランド導体と対向している面よりも表面粗さが小さいこと、を特徴とする。

Claims (16)

1. 複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、
   前記信号線が形成されている前記絶縁体層の他方の主面に形成されている第１のグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている第１のグランド導体と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体と、
   を備えていること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記積層体は、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層とが積層されて構成されており、
   前記信号線は、前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成されており、
   前記第１のグランド導体は、前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成されており、
   前記第２のグランド導体は、前記第２の絶縁体層の一方の主面に形成されており、
   前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の一方の主面と前記第２の絶縁体層の他方の主面とが対向するように、該第２の絶縁体層に積層されていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層とは、絶縁性の接着層を介して接着されていること、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波信号線路。
4. 前記第１のグランド導体を覆う第１の保護層と、
   前記第２のグランド導体を覆う第２の保護層と、
   を更に備えていること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
5. 前記第２のグランド導体において前記信号線に対向している部分には、開口が設けられていないこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
6. 前記信号線と前記第１のグランド導体との間隔は、該信号線と前記第２のグランド導体との間隔よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波信号線路。
7. 前記積層体は、可撓性を有していること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
8. 第１の絶縁体層と第２の絶縁体層とが積層されて構成されている積層体と、
   前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、
   前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成されている第１のグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている第１のグランド導体と、
   前記第２の絶縁体層の一方の主面に形成され、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の一方の主面と前記第２の絶縁体層の他方の主面とが対向するように、該第２の絶縁体層に積層されていること、
   を特徴とする高周波信号線路の製造方法であって、
   前記第１の絶縁体層の一方の主面に前記信号線を形成する第１の工程と、
   前記第１の絶縁体層の他方の主面に前記第１のグランド導体を形成する第２の工程と、
   前記第２の絶縁体層の一方の主面に前記第２のグランド導体を形成する第３の工程と、
   前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層とを積層して積層体を形成する第４の工程と、
   を備えていること、
   を特徴とする高周波信号線路の製造方法。
9. 前記第１の工程では、前記第１の絶縁体層の一方の主面に形成された金属膜をパターニングすることにより、前記信号線を形成し、
   前記第２の工程では、前記第１の絶縁体層の他方の主面に形成された金属膜をパターニングすることにより、前記第１のグランド導体を形成すること、
   を特徴とする請求項８に記載の高周波信号線路の製造方法。
10. 前記第２の工程は、前記第１の工程で形成した前記信号線を位置決めマークとして用いて、前記第１のグランド導体を形成すること、
    を特徴とする請求項９に記載の高周波信号線路の製造方法。
11. 前記第１の工程は、前記第２の工程で形成した前記第１のグランド導体を位置決めマークとして用いて、前記信号線を形成すること、
    を特徴とする請求項９に記載の高周波信号線路の製造方法。
12. 前記第１のグランド導体を覆う第１の保護層を形成する第５の工程と、
    前記第２のグランド導体を覆う第２の保護層を形成する第６の工程と、
    を更に備えていること、
    を特徴とする請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の高周波信号線路の製造方法。
13. 前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層の厚みよりも小さいこと、
    を特徴とする請求項８ないし請求項１２のいずれかに記載の高周波信号線路の製造方法。
14. 前記第４の工程において、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層とは、接着層を介して積層されること、
    を特徴とする請求項８ないし請求項１３のいずれかに記載の高周波信号線路の製造方法。
15. 前記第１の工程では、複数の前記信号線が第１の方向に延在し、かつ、該第１の方向に直交する第２の方向に並ぶように、該複数の信号線を前記第１の絶縁体層の集合体である第１のマザーシートに形成するとともに、該第１のマザーシートを前記第１の方向に搬送してローラに巻き取ること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の高周波信号線路の製造方法。
16. 筐体と、
    前記筐体に収容されている高周波信号線路と、
    を備えており、
    前記高周波信号線路は、
    複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
    前記絶縁体層の一方の主面に形成されている線状の信号線と、
    前記信号線が形成されている前記絶縁体層の他方の主面に形成されている第１のグランド導体であって、該信号線に重なる開口が設けられている第１のグランド導体と、
    前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体と、
    を備えていること、
    を特徴とする電子機器。

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