JPWO2013073253A1 - タングステン細粉の製造方法 - Google Patents
タングステン細粉の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013073253A1 JPWO2013073253A1 JP2012548166A JP2012548166A JPWO2013073253A1 JP WO2013073253 A1 JPWO2013073253 A1 JP WO2013073253A1 JP 2012548166 A JP2012548166 A JP 2012548166A JP 2012548166 A JP2012548166 A JP 2012548166A JP WO2013073253 A1 JPWO2013073253 A1 JP WO2013073253A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten powder
- tungsten
- powder
- average particle
- aqueous solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 107
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical class [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 tungsten halide Chemical class 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077239 chlorous acid Drugs 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N chromium(3+) Chemical compound [Cr+3] BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHMZKSWPMYAOAZ-UHFFFAOYSA-N diethyl peroxide Chemical compound CCOOCC RHMZKSWPMYAOAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N lithium peroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][O-] HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/04—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
- B22F1/056—Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
- B22F2301/20—Refractory metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2304/00—Physical aspects of the powder
- B22F2304/10—Micron size particles, i.e. above 1 micrometer up to 500 micrometer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12181—Composite powder [e.g., coated, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本発明は、酸化剤を含有する水溶液中にタングステン粉を分散することによりタングステン粉の粒子表面に酸化膜を形成させ、前記酸化膜をアルカリ水溶液で除去するタングステン粉の細粉化方法、前記細粉化方法を含む工程により平均粒子径０．０５〜０．５μｍのタングステン粉を得るタングステン細粉の製造方法、及び平均粒子径が０．０５〜０．５μｍであり、かつ平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉を提供する。
Description
本発明は、タングステン細粉の製造方法に関する。さらに詳しく言えば、タングステン粉を電解コンデンサ用として有用な、より細かな粒径を有するタングステン粉に加工する方法、及びタングステン細粉の製造方法に関する。
携帯電話やパーソナルコンピュータ等の電子機器の形状の小型化、高速化、軽量化に伴い、これらの電子機器に使用されるコンデンサは、より小型で軽く、より大きな容量、より低いＥＳＲ（等価直列抵抗）が求められている。
このようなコンデンサとしては、陽極酸化が可能なタンタルなどの弁作用金属粉末の焼結体からなるコンデンサの陽極体を陽極酸化して、その表面にこれらの金属酸化物からなる誘電体層を形成した電解コンデンサが提案されている。
このようなコンデンサとしては、陽極酸化が可能なタンタルなどの弁作用金属粉末の焼結体からなるコンデンサの陽極体を陽極酸化して、その表面にこれらの金属酸化物からなる誘電体層を形成した電解コンデンサが提案されている。
弁作用金属としてタングステンを用い、タングステン粉の焼結体を陽極体とする電解コンデンサは、同一粒径のタンタル粉を用いた同体積の陽極体を同電圧で電解化成して得られる電解コンデンサに比較して、大きな容量を得ることができるが、漏れ電流（ＬＣ）が大きく電解コンデンサとして実用に供されなかった。このことを改良するために、タングステンと他の金属との合金を用いたコンデンサが検討されているが漏れ電流は幾分改良されるものの十分ではなかった（特開２００４−３４９６５８号公報（US6876083；特許文献１））。
特許文献２（特開２００３−２７２９５９号公報）には、ＷＯ3、Ｗ2Ｎ、ＷＮ2から選択される誘電体層が形成されたタングステン箔の電極を用いたコンデンサが開示されているが、前記漏れ電流について解決したものではない。
また、特許文献３（国際公開第２００４／０５５８４３号パンフレット（US7154743））には、タンタル、ニオブ、チタン、タングステンから選択される陽極を用いた電解コンデンサを開示しているが、明細書中にタングステンを用いた具体例の記載はない。
また、特許文献３（国際公開第２００４／０５５８４３号パンフレット（US7154743））には、タンタル、ニオブ、チタン、タングステンから選択される陽極を用いた電解コンデンサを開示しているが、明細書中にタングステンを用いた具体例の記載はない。
タングステン粉を成形後、焼結した電解コンデンサ用陽極体では、同一体積であれば、通常、タングステン粉の粒径が小さなほど容量の大きな陽極体を作製することができるので、原料タングステン粉の粒径は小さいほど好ましいが、市販のタングステン粉の平均粒径は０．５〜２０μｍ程度である。
タングステン粉は、タングステンの酸化物、ハロゲン化物、アンモニウム塩等を原料として水素などの還元剤で処理して作製できる。ただし、還元速度を速くすると複合酸化物が生成する等の問題がある。そのため、より細かい粉体を作製するためには還元速度を遅くしなければならず、生産効率が低下しコスト高となる。また、高価な制御装置を有する煩雑な工程によって作製する必要があり、さらに水素ガスのような爆発範囲が広い材料を扱わねばならないという問題もあった。
本発明の課題は、タングステンを陽極体とするコンデンサ（以下、タングステンコンデンサ）の原料となる粒径のより小さいタングステン粉末を得るタングステン粉の加工方法、及びその方法を用いたタングステン細粉の製造方法を提供することにある。
本発明者は、前記課題を達成するために鋭意検討した結果、現在入手できるタングステン粉の表面を化学的に酸化することにより、タングステンコンデンサ用としてより好適なタングステン細粉が得られることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は下記のタングステン粉の細粉化方法、及びタングステン細粉の製造方法に関する。
すなわち、本発明は下記のタングステン粉の細粉化方法、及びタングステン細粉の製造方法に関する。
［１］酸化剤を含有する水溶液中にタングステン粉を分散することにより前記タングステン粉の粒子表面に酸化膜を形成させ、前記酸化膜をアルカリ水溶液で除去することを特徴とするタングステン粉の細粉化方法。
［２］前記酸化膜のアルカリ水溶液での除去が、タングステン粉の粒子表面の反応生成物を機械的に除去することを含む前項１に記載のタングステン粉の細粉化方法。
［３］酸化剤が、マンガン（VII）化合物、クロム（VI）化合物、ハロゲン酸化合物、ペルオキソ酸及びその塩、並びに過酸化物から選択される前項１または２に記載のタングステン粉の細粉化方法。
［４］酸化剤が過酸化水素または過硫酸アンモニウムである前項３に記載のタングステン粉の細粉化方法。
［５］前項１〜４の方法を含む工程により平均粒子径０．０５〜０．５μｍのタングステン粉を得ることを特徴とするタングステン細粉の製造方法。
［６］前項１〜４の方法を含む工程により、平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉を得ることを特徴とするタングステン細粉の製造方法。
［７］平均粒子径が０．０５〜０．５μｍであり、かつ平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉。
［２］前記酸化膜のアルカリ水溶液での除去が、タングステン粉の粒子表面の反応生成物を機械的に除去することを含む前項１に記載のタングステン粉の細粉化方法。
［３］酸化剤が、マンガン（VII）化合物、クロム（VI）化合物、ハロゲン酸化合物、ペルオキソ酸及びその塩、並びに過酸化物から選択される前項１または２に記載のタングステン粉の細粉化方法。
［４］酸化剤が過酸化水素または過硫酸アンモニウムである前項３に記載のタングステン粉の細粉化方法。
［５］前項１〜４の方法を含む工程により平均粒子径０．０５〜０．５μｍのタングステン粉を得ることを特徴とするタングステン細粉の製造方法。
［６］前項１〜４の方法を含む工程により、平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉を得ることを特徴とするタングステン細粉の製造方法。
［７］平均粒子径が０．０５〜０．５μｍであり、かつ平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉。
本発明によれば、現在市販されているタングステン粉、あるいは公知の方法で製造できるタングステン粉を原料とし、これら原料粉より細かな粒径を有するタングステン粉を製造することができる。また、本発明で得られるタングステン粉の粒子は、原料タングステン粉の粒子より球形に近い形状になる。
本発明により得られるタングステン粉は、細かな粒径を有するので得られるコンデンサの容量が大きくなる。また、粒子形状がより球形に近くなるので、タングステン粉の流動性が良好となる。そのため、後記する造粒粉作製時等の工程で粉体の取扱いが容易になる。
本発明により得られるタングステン粉は、細かな粒径を有するので得られるコンデンサの容量が大きくなる。また、粒子形状がより球形に近くなるので、タングステン粉の流動性が良好となる。そのため、後記する造粒粉作製時等の工程で粉体の取扱いが容易になる。
［原料タングステン粉］
本発明で細粉化の対象となる原料タングステン粉は、平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲のものが好ましい。
原料タングステン粉を得る方法としては、市販品の他、公知の方法により製造されるもの、例えば、三酸化タングステン粉を水素雰囲気下で粉砕する方法、あるいはタングステン酸やハロゲン化タングステンを水素やナトリウム等で還元する方法等を適宜選択することによって得ることができる。また、タングステン含有鉱物から直接または複数の工程を経て、還元条件を選択することによって得てもよい。
ただし、これらの方法では粒子径の小さい原料タングステン粉を得ることが難しいので、本発明の方法を適用して得た細粒のタングステン粉を原料タングステン粉として用いてもよく、この場合、さらに粒子径の小さいタングステン粉が得られる。このように、本発明の方法の適用を繰り返すと、例えば、平均粒径０．０５μｍ以下のタングステン粉を得ることもできる。
本発明で細粉化の対象となる原料タングステン粉は、平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲のものが好ましい。
原料タングステン粉を得る方法としては、市販品の他、公知の方法により製造されるもの、例えば、三酸化タングステン粉を水素雰囲気下で粉砕する方法、あるいはタングステン酸やハロゲン化タングステンを水素やナトリウム等で還元する方法等を適宜選択することによって得ることができる。また、タングステン含有鉱物から直接または複数の工程を経て、還元条件を選択することによって得てもよい。
ただし、これらの方法では粒子径の小さい原料タングステン粉を得ることが難しいので、本発明の方法を適用して得た細粒のタングステン粉を原料タングステン粉として用いてもよく、この場合、さらに粒子径の小さいタングステン粉が得られる。このように、本発明の方法の適用を繰り返すと、例えば、平均粒径０．０５μｍ以下のタングステン粉を得ることもできる。
ただし、陽極酸化により誘電体層を形成する場合、コンデンサに好ましく利用できる粉体の粒径には下限がある。コンデンサに用いるタングステン粉の粒径の下限値は、形成しようとする誘電体層の厚みの２倍以上である。例えば、定格電圧が２Ｖの場合、０．０５μｍ以上である。このような粒径未満であると、陽極酸化をしたときに、導電性のタングステン部分が十分残らず、電解コンデンサの陽極を構成することが困難となる。
特に高容量のコンデンサに用いる場合、タングステン粉の粒子径を０．０５〜０．５μｍとすることが好ましく、０．１〜０．４μｍとすることがさらに好ましい。
なお、本発明の方法で使用される原料タングステン粉は、不純物を、コンデンサ特性が劣化しない範囲で含んでもよく、あるいはコンデンサ特性の改良のために含むように加工されたものでもよい。ただし、後述するケイ化、窒化、炭化、あるいはホウ化処理等の粒子表面の加工は、本発明を適用した後の工程で行うことが好ましい。
特に高容量のコンデンサに用いる場合、タングステン粉の粒子径を０．０５〜０．５μｍとすることが好ましく、０．１〜０．４μｍとすることがさらに好ましい。
なお、本発明の方法で使用される原料タングステン粉は、不純物を、コンデンサ特性が劣化しない範囲で含んでもよく、あるいはコンデンサ特性の改良のために含むように加工されたものでもよい。ただし、後述するケイ化、窒化、炭化、あるいはホウ化処理等の粒子表面の加工は、本発明を適用した後の工程で行うことが好ましい。
［タングステン粉の細粉化］
本発明では、原料タングステン粉を構成する粒子の表面を化学的に酸化し、表面の酸化膜を除去する加工法によりタングステン細粉を製造する。
酸化方法：
原料のタングステン粉を、酸化剤水溶液中に分散させ、所定時間保持することにより表面を酸化する。良好な分散状態を保ち、表面を早く酸化させるために、ホモジナイザー等の強い撹拌ができる装置を使用することが好ましい。また、高温で酸化させると早く酸化が進む。
本発明では、原料タングステン粉を構成する粒子の表面を化学的に酸化し、表面の酸化膜を除去する加工法によりタングステン細粉を製造する。
酸化方法：
原料のタングステン粉を、酸化剤水溶液中に分散させ、所定時間保持することにより表面を酸化する。良好な分散状態を保ち、表面を早く酸化させるために、ホモジナイザー等の強い撹拌ができる装置を使用することが好ましい。また、高温で酸化させると早く酸化が進む。
酸化剤としては、タングステンに酸素を供給するため、酸素を含む化合物が好ましく、例えば、過マンガン酸塩などのマンガン（VII）化合物；三酸化クロム、クロム酸塩、二クロム酸塩などのクロム（VI）化合物；過塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸及びそれらの塩などのハロゲン酸化合物；過酸化水素、過酸化ジエチル、過酸化ナトリウム、過酸化リチウム等の過酸化物；過酢酸、過硫酸塩等のペルオキソ酸及びその塩などが挙げられる。特に、扱い易さと酸化剤としての安定性、水易溶性の面から過酸化水素及び過硫酸アンモニウムが好ましい。
水溶液中の酸化剤濃度は、１％程度から酸化剤の飽和溶解度となる範囲である。酸化剤濃度は予備的な実験により適宜決められる。
酸化時間は１時間〜１０００時間、好ましくは１時間〜１００時間であり、酸化温度は２０℃〜溶液の沸点の温度、好ましくは５０℃〜溶液の沸点温度である。
なお、本発明の各工程で用いる溶媒は、粉体の分散性やデカンテーションにかかる時間などから、水だけでなく、水溶性有機溶媒（例えば、エタノール、メタノール等）との混合水溶液を選択してもよい。
酸化反応後、タングステン粉末を酸化反応溶液からデカンテーションなどの操作で分取し、溶媒に投入、撹拌、静置、デカンテーションの一連の操作を繰り返して洗浄する。この状態のタングステン粉は原料の黒色から黄色がかった青色に変色しており、表面が酸化されたことが目視でも確認できる。
酸化時間は１時間〜１０００時間、好ましくは１時間〜１００時間であり、酸化温度は２０℃〜溶液の沸点の温度、好ましくは５０℃〜溶液の沸点温度である。
なお、本発明の各工程で用いる溶媒は、粉体の分散性やデカンテーションにかかる時間などから、水だけでなく、水溶性有機溶媒（例えば、エタノール、メタノール等）との混合水溶液を選択してもよい。
酸化反応後、タングステン粉末を酸化反応溶液からデカンテーションなどの操作で分取し、溶媒に投入、撹拌、静置、デカンテーションの一連の操作を繰り返して洗浄する。この状態のタングステン粉は原料の黒色から黄色がかった青色に変色しており、表面が酸化されたことが目視でも確認できる。
酸化膜の除去：
上記で得られた表面が酸化されたタングステン粉の酸化膜をアルカリ水溶液で処理し、少なくとも化学的に除去する。好ましくは、ホモジナイザーなどの強い撹拌ができる装置により、タングステン粒子表面に生成した生成物を機械的にも除去しながら前記撹拌を行う。
アルカリ水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、アンモニア水等が用いられ、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液が好ましい。
具体的には、表面が酸化されたタングステン粉をアルカリ水溶液中で撹拌をするなどして分散させる。撹拌した後に静置し、デカンテーションでアルカリ水溶液を除去した後に、水等の溶媒を投入し、撹拌した後に静置し、デカンテーションする一連の操作を数回繰り返す。これらの操作によりタングステン粒子表面に形成された酸化物は除去される。その後、真空乾燥機中、減圧下（例えば１０4〜１０2Ｐａ）で５０〜１８０℃の温度で乾燥し、室温まで冷却する。次に、発火しないように徐々に空気を入れ、空気中に取り出すことにより、原料タングステン粉に比べて粒径が小さいタングステン粉を得ることができる。
上記で得られた表面が酸化されたタングステン粉の酸化膜をアルカリ水溶液で処理し、少なくとも化学的に除去する。好ましくは、ホモジナイザーなどの強い撹拌ができる装置により、タングステン粒子表面に生成した生成物を機械的にも除去しながら前記撹拌を行う。
アルカリ水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、アンモニア水等が用いられ、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液が好ましい。
具体的には、表面が酸化されたタングステン粉をアルカリ水溶液中で撹拌をするなどして分散させる。撹拌した後に静置し、デカンテーションでアルカリ水溶液を除去した後に、水等の溶媒を投入し、撹拌した後に静置し、デカンテーションする一連の操作を数回繰り返す。これらの操作によりタングステン粒子表面に形成された酸化物は除去される。その後、真空乾燥機中、減圧下（例えば１０4〜１０2Ｐａ）で５０〜１８０℃の温度で乾燥し、室温まで冷却する。次に、発火しないように徐々に空気を入れ、空気中に取り出すことにより、原料タングステン粉に比べて粒径が小さいタングステン粉を得ることができる。
本発明の方法によれば、原料タングステン粉の粒子形状が特に異方性の高いものでない限り、ほぼ球状のタングステン粒子を得ることもできる。球形であることは得られたタングステン粉の平均粒子径（ｄ）（μｍ）と真密度（Ｍ）（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積（Ｓ）（ｍ2／ｇ）の値が下記の式を満たすことで確認できる。
すなわち、得られたタングステン粉の平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）の積（ｄ×Ｓ×Ｍ）（ｄＳＭと略記）の値が６の値に近ければ得られたタングステン粉はほぼ球形であると言える。本発明により得られるタングステン粉のｄＭＳの値は、通常６±０．８の範囲内となる。さらに、本発明の方法を適用して得たタングステン粉を原料タングステン粉として用い、さらに真球に近い粒子からなるタングステン粉を得ることもできる。
球形に近い粒子の表面に形成される誘電体層は、ほぼ一様な曲率を有し、応力が集中しやすい小さな曲率で屈曲する部分が無いので劣化が少ない。その結果、ＬＣ特性がより良好なコンデンサが得られる。
本発明の方法で製造されたタングステン粉は、これを直接焼結して焼結体としてもよいが、あるいは、１０〜３００μｍ程度の顆粒に造粒した粉を焼結して焼結体としてもよい。造粒した方が取扱いがしやすく、ＥＳＲを低く抑えやすい。
さらに、本発明の方法で製造されたタングステン粉に、ケイ化、窒化、炭化、あるいはホウ化処理をして、タングステン粒子表面の一部にケイ化タングステン、窒化タングステン、炭化タングステン、及びホウ化タングステンから選択される少なくとも１つを含有するタングステン粉としてもよい。また、これら処理を造粒粉あるいは焼結体となった段階で適用することもできる。この焼結体を一方の電極（陽極）とし、対電極（陰極）との間に介在する誘電体とにより電解コンデンサが作製される。
さらに、本発明の方法で製造されたタングステン粉に、ケイ化、窒化、炭化、あるいはホウ化処理をして、タングステン粒子表面の一部にケイ化タングステン、窒化タングステン、炭化タングステン、及びホウ化タングステンから選択される少なくとも１つを含有するタングステン粉としてもよい。また、これら処理を造粒粉あるいは焼結体となった段階で適用することもできる。この焼結体を一方の電極（陽極）とし、対電極（陰極）との間に介在する誘電体とにより電解コンデンサが作製される。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を説明するが、下記の記載により本発明は何ら限定されるものではない。
本発明において、粒子径と比表面積と真密度は以下の方法で測定した。
粒子径は、マイクロトラック社製ＨＲＡ９３２０−Ｘ１００を用い、粒度分布をレーザー回折散乱法で測定し、その累積体積％が、５０体積％に相当する粒径値（Ｄ50；μｍ）を平均粒子径（ｄ）とした。なお、この測定法は２次粒子径の測定法ではあるが、タングステン粉の分散性はある程度良好なので、測定結果は１次粒子径に近い値が得られる。そのため、測定結果を実質的に１次粒子径とみなして、前述の式（１）に適用し、粒子形状を判断してもよい。
比表面積（Ｓ；ｍ2／ｇ）は、ＮＯＶＡ２０００Ｅ（ＳＹＳＭＥＸ社）を用いＢＥＴ法で測定した。
真密度（Ｍ；ｇ／ｃｍ3）は、ピクノメーター法（２０℃）で測定した。
本発明において、粒子径と比表面積と真密度は以下の方法で測定した。
粒子径は、マイクロトラック社製ＨＲＡ９３２０−Ｘ１００を用い、粒度分布をレーザー回折散乱法で測定し、その累積体積％が、５０体積％に相当する粒径値（Ｄ50；μｍ）を平均粒子径（ｄ）とした。なお、この測定法は２次粒子径の測定法ではあるが、タングステン粉の分散性はある程度良好なので、測定結果は１次粒子径に近い値が得られる。そのため、測定結果を実質的に１次粒子径とみなして、前述の式（１）に適用し、粒子形状を判断してもよい。
比表面積（Ｓ；ｍ2／ｇ）は、ＮＯＶＡ２０００Ｅ（ＳＹＳＭＥＸ社）を用いＢＥＴ法で測定した。
真密度（Ｍ；ｇ／ｃｍ3）は、ピクノメーター法（２０℃）で測定した。
実施例１：
タングステン酸アンモニウムを水素還元して得た平均粒径１μｍのタングステン粉２００ｇを５質量％の過硫酸アンモニウムが溶解した蒸留水５００ｍＬに投入し、（株）マイクロテック・ニチオン社製のホモジナイザーＮＳ−５１を用い、５０℃で２４時間撹拌した。その間、蒸発する水を補給し続けた。室温で１７時間放置して粉を沈降させた後に液をデカンテーションで除去し、さらに２００ｍＬの蒸留水を加えてホモジナイザーで５分撹拌し、５時間放置後、液をデカンテーションにて除去した。この蒸留水の投入、撹拌、静置、デカンテーションの一連の操作を４回繰り返した。この状態のタングステン粉は黒色から黄色がかった青色に変色し、表面が酸化されたことが分かった。次に５質量％の水酸化ナトリウム水溶液を１００ｍＬ加え、ホモジナイザーで１時間撹拌した。前記したように、静置、デカンテーションで液を除去した後に、蒸留水投入、撹拌、静置、デカンテーションの一連の操作を４回繰り返した。この状態のタングステン粉は黒色で粒子表面に形成された酸化物は除去されていた。その後、粉の一部を真空乾燥機（約１０3Ｐａ，５０℃）に移し乾燥後、室温に戻した。次に、発火しないように徐々に空気を入れ、空気中に取り出した。作製した粉は、平均粒径（ｄ）０．５μｍ、比表面積（Ｓ）０．６ｍ2／ｇ、真密度（Ｍ）１９．３ｇ／ｃｍ3であった。得られたタングステン粉の平均粒径、比表面積、及び真密度の積（ｄＭＳ）は５．８であった。ｄＭＳの値が６±０．２の範囲内であったことから得られた粉の粒子はかなり球に近い形状であることが確認された。
タングステン酸アンモニウムを水素還元して得た平均粒径１μｍのタングステン粉２００ｇを５質量％の過硫酸アンモニウムが溶解した蒸留水５００ｍＬに投入し、（株）マイクロテック・ニチオン社製のホモジナイザーＮＳ−５１を用い、５０℃で２４時間撹拌した。その間、蒸発する水を補給し続けた。室温で１７時間放置して粉を沈降させた後に液をデカンテーションで除去し、さらに２００ｍＬの蒸留水を加えてホモジナイザーで５分撹拌し、５時間放置後、液をデカンテーションにて除去した。この蒸留水の投入、撹拌、静置、デカンテーションの一連の操作を４回繰り返した。この状態のタングステン粉は黒色から黄色がかった青色に変色し、表面が酸化されたことが分かった。次に５質量％の水酸化ナトリウム水溶液を１００ｍＬ加え、ホモジナイザーで１時間撹拌した。前記したように、静置、デカンテーションで液を除去した後に、蒸留水投入、撹拌、静置、デカンテーションの一連の操作を４回繰り返した。この状態のタングステン粉は黒色で粒子表面に形成された酸化物は除去されていた。その後、粉の一部を真空乾燥機（約１０3Ｐａ，５０℃）に移し乾燥後、室温に戻した。次に、発火しないように徐々に空気を入れ、空気中に取り出した。作製した粉は、平均粒径（ｄ）０．５μｍ、比表面積（Ｓ）０．６ｍ2／ｇ、真密度（Ｍ）１９．３ｇ／ｃｍ3であった。得られたタングステン粉の平均粒径、比表面積、及び真密度の積（ｄＭＳ）は５．８であった。ｄＭＳの値が６±０．２の範囲内であったことから得られた粉の粒子はかなり球に近い形状であることが確認された。
実施例２：
実施例１で最初に投入する蒸留水５００ｍＬを、エタノール１００ｍＬと蒸留水４００ｍＬとし、溶解している過硫酸アンモニウムの濃度を３質量％とし、さらに、デカンテーションまでの沈降時間を２４時間にした以外は実施例１と同様にしてタングステン粉を得た。最初の液にエタノールを加えることにより初期のタングステン粉の分散性が良くなり、表面の酸化が進みやすくなった。作製した粉は、平均粒径（ｄ）０．４μｍ、比表面積（Ｓ）０．７ｍ2／ｇ、真密度（Ｍ）１９．３ｇ／ｃｍ3であった。得られたタングステン粉の平均粒径、比表面積、及び真密度の積（ｄＭＳ）は５．４であった。ｄＭＳの値が６±０．６の範囲内であったことから、得られた粉の粒子はほぼ球状であることが確認された。
実施例１で最初に投入する蒸留水５００ｍＬを、エタノール１００ｍＬと蒸留水４００ｍＬとし、溶解している過硫酸アンモニウムの濃度を３質量％とし、さらに、デカンテーションまでの沈降時間を２４時間にした以外は実施例１と同様にしてタングステン粉を得た。最初の液にエタノールを加えることにより初期のタングステン粉の分散性が良くなり、表面の酸化が進みやすくなった。作製した粉は、平均粒径（ｄ）０．４μｍ、比表面積（Ｓ）０．７ｍ2／ｇ、真密度（Ｍ）１９．３ｇ／ｃｍ3であった。得られたタングステン粉の平均粒径、比表面積、及び真密度の積（ｄＭＳ）は５．４であった。ｄＭＳの値が６±０．６の範囲内であったことから、得られた粉の粒子はほぼ球状であることが確認された。
Claims (7)
- 酸化剤を含有する水溶液中にタングステン粉を分散することにより、タングステン粉の粒子表面に酸化膜を形成させ、前記酸化膜をアルカリ水溶液で除去することを特徴とするタングステン粉の細粉化方法。
- 前記酸化膜のアルカリ水溶液での除去が、タングステン粉の粒子表面の反応生成物を機械的に除去することを含む請求項１に記載のタングステン粉の細粉化方法。
- 酸化剤が、マンガン（VII）化合物、クロム（VI）化合物、ハロゲン酸化合物、ペルオキソ酸及びその塩、並びに、過酸化物から選択される請求項１または２に記載のタングステン粉の細粉化方法。
- 酸化剤が過酸化水素または過硫酸アンモニウムである請求項３に記載のタングステン粉の細粉化方法。
- 請求項１〜４の方法を含む工程により平均粒子径０．０５〜０．５μｍのタングステン粉を得ることを特徴とするタングステン細粉の製造方法。
- 請求項１〜４の方法を含む工程により、平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉を得ることを特徴とするタングステン細粉の製造方法。
- 平均粒子径が０．０５〜０．５μｍであり、かつ平均粒子径ｄ（μｍ）と真密度Ｍ（ｇ／ｃｍ3）とＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）との積（ｄＭＳ）の値が６±０．８の範囲内であるタングステン粉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012548166A JP5222437B1 (ja) | 2011-11-15 | 2012-08-29 | タングステン細粉の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011250155 | 2011-11-15 | ||
| JP2011250155 | 2011-11-15 | ||
| PCT/JP2012/071760 WO2013073253A1 (ja) | 2011-11-15 | 2012-08-29 | タングステン細粉の製造方法 |
| JP2012548166A JP5222437B1 (ja) | 2011-11-15 | 2012-08-29 | タングステン細粉の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013046891A Division JP5731558B2 (ja) | 2011-11-15 | 2013-03-08 | 電解コンデンサ用タングステン細粉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5222437B1 JP5222437B1 (ja) | 2013-06-26 |
| JPWO2013073253A1 true JPWO2013073253A1 (ja) | 2015-04-02 |
Family
ID=48429331
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012548166A Expired - Fee Related JP5222437B1 (ja) | 2011-11-15 | 2012-08-29 | タングステン細粉の製造方法 |
| JP2013046891A Expired - Fee Related JP5731558B2 (ja) | 2011-11-15 | 2013-03-08 | 電解コンデンサ用タングステン細粉 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013046891A Expired - Fee Related JP5731558B2 (ja) | 2011-11-15 | 2013-03-08 | 電解コンデンサ用タングステン細粉 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9669460B2 (ja) |
| EP (1) | EP2781285A4 (ja) |
| JP (2) | JP5222437B1 (ja) |
| CN (1) | CN103945964A (ja) |
| WO (1) | WO2013073253A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2781285A4 (en) * | 2011-11-15 | 2015-12-23 | Showa Denko Kk | METHOD FOR PRODUCING A FINE TREATMENT OF TUNGSTEN |
| JP5222438B1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-26 | 昭和電工株式会社 | タングステン細粉の製造方法 |
| US9789538B2 (en) | 2012-12-17 | 2017-10-17 | Show A Denko K.K. | Method for producing ultrafine tungsten powder |
| CN104532160B (zh) * | 2014-12-26 | 2016-12-14 | 重庆迎瑞升压铸有限公司 | 一种泵用合金钢材料 |
| CN113681008B (zh) * | 2019-07-26 | 2023-06-27 | 昆山卡德姆新材料科技有限公司 | 一种金属零件 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3236634A (en) | 1962-02-12 | 1966-02-22 | Jr Foraker Lambdin | Process for production of high surface area tungsten and tungsten trioxide powders |
| JPS5211752A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-28 | Toshiba Corp | Method of manufacturing cathodes for electron tubes |
| JPS6169904A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-10 | Nippon Tungsten Co Ltd | 酸化タングステン微粉末の製造法 |
| JPH0615681B2 (ja) * | 1985-03-04 | 1994-03-02 | 株式会社東芝 | 高純度のモリブデン又はタングステン粉末の製造方法 |
| CZ301097B6 (cs) | 1997-02-19 | 2009-11-04 | H.C. Starck Gmbh | Tantalový prášek sestávající z aglomerátu, zpusob jeho výroby a z nej získané slinuté anody |
| CZ303684B6 (cs) * | 1998-05-06 | 2013-03-06 | H. C. Starck Inc. | Slitinový prásek, zpusob jeho výroby, anoda kondenzátoru z tohoto slitinového prásku a kondenzátor, a prásek slitiny niobu a tantalu |
| JP2003272959A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサ |
| TWI225656B (en) | 2002-07-26 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co | Electrolytic capacitor and a fabrication method therefor |
| JP4274857B2 (ja) | 2002-07-26 | 2009-06-10 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| JP4368349B2 (ja) | 2002-12-13 | 2009-11-18 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2005325448A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-11-24 | Jfe Mineral Co Ltd | タンタル粉末およびこれを用いた固体電解コンデンサ |
| WO2005099936A1 (ja) | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Jfe Mineral Company, Ltd. | タンタル粉末およびこれを用いた固体電解コンデンサ |
| JP2006299385A (ja) | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Noritake Co Ltd | 白金粉末、その製造方法、および圧電セラミック材用白金ペースト |
| US7629265B2 (en) * | 2006-02-13 | 2009-12-08 | Macronix International Co., Ltd. | Cleaning method for use in semiconductor device fabrication |
| CN101983804B (zh) | 2010-12-03 | 2012-07-04 | 中南大学 | 近球形钨粉的制备方法 |
| US9053860B2 (en) * | 2010-12-24 | 2015-06-09 | Showa Denko K.K. | Tungsten powder, anode body for capacitors, and electrolytic capacitor |
| EP2781285A4 (en) * | 2011-11-15 | 2015-12-23 | Showa Denko Kk | METHOD FOR PRODUCING A FINE TREATMENT OF TUNGSTEN |
-
2012
- 2012-08-29 EP EP12849043.0A patent/EP2781285A4/en not_active Withdrawn
- 2012-08-29 US US14/357,953 patent/US9669460B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-29 JP JP2012548166A patent/JP5222437B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-29 CN CN201280055853.4A patent/CN103945964A/zh active Pending
- 2012-08-29 WO PCT/JP2012/071760 patent/WO2013073253A1/ja active Application Filing
-
2013
- 2013-03-08 JP JP2013046891A patent/JP5731558B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-04 US US15/587,235 patent/US20170232508A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140315039A1 (en) | 2014-10-23 |
| US20170232508A1 (en) | 2017-08-17 |
| JP2013151755A (ja) | 2013-08-08 |
| CN103945964A (zh) | 2014-07-23 |
| EP2781285A1 (en) | 2014-09-24 |
| JP5731558B2 (ja) | 2015-06-10 |
| WO2013073253A1 (ja) | 2013-05-23 |
| US9669460B2 (en) | 2017-06-06 |
| EP2781285A4 (en) | 2015-12-23 |
| JP5222437B1 (ja) | 2013-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5731558B2 (ja) | 電解コンデンサ用タングステン細粉 | |
| JP5731559B2 (ja) | 電解コンデンサ用タングステン細粉 | |
| JP5779728B2 (ja) | タングステン微粉の製造方法 | |
| WO2006062234A1 (ja) | 金属粉末および多孔質焼結体の製造方法、金属粉末、およびコンデンサ | |
| TWI744397B (zh) | 鉭粉、陽極和包含其的電容器及彼等之製造方法 | |
| WO2016006290A1 (ja) | コンデンサ陽極体、固体電解コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ陽極体の製造方法 | |
| JP2005325448A (ja) | タンタル粉末およびこれを用いた固体電解コンデンサ | |
| JP5844953B2 (ja) | タングステンコンデンサ用陽極体 | |
| JP5476511B1 (ja) | コンデンサ素子 | |
| WO2013172453A1 (ja) | コンデンサ素子の製造方法 | |
| JP6258222B2 (ja) | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 | |
| JP2010265549A (ja) | コンデンサ用ニオブ粉 | |
| JP2014098201A (ja) | 窒素含有タンタル粉末およびその製造方法 | |
| JP5779741B1 (ja) | タングステンコンデンサ用陽極体の製造方法 | |
| JP2024018489A (ja) | ニッケル合金粉末及び、ニッケル合金粉末の製造方法 | |
| JP2024018487A (ja) | ニッケル合金粉末及び、ニッケル合金粉末の製造方法 | |
| WO2015093155A1 (ja) | タングステン粉、コンデンサの陽極体、及び電解コンデンサ | |
| WO2013190886A1 (ja) | コンデンサの陽極体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5222437 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |