JPWO2013018799A1 - 照明装置 - Google Patents
照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013018799A1 JPWO2013018799A1 JP2013526931A JP2013526931A JPWO2013018799A1 JP WO2013018799 A1 JPWO2013018799 A1 JP WO2013018799A1 JP 2013526931 A JP2013526931 A JP 2013526931A JP 2013526931 A JP2013526931 A JP 2013526931A JP WO2013018799 A1 JPWO2013018799 A1 JP WO2013018799A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflecting
- deflection
- illuminance distribution
- predetermined
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 153
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N Monolinuron Chemical compound CON(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
光量ロスを低減させ、一様な照度分布を持つ照明を得る照明装置の提供を目的とする。被照明面を照明する照明装置において、光路を横切る所定の面上の所定方向に沿って周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向部材と、所定の面に配列された複数の波面分割面を備え、偏向部材からの光束を用いて二次光源を形成するオプティカルインテグレータ系とを有し、偏向部材は、複数の波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍の周期パターンを持つ照度分布を形成する。
Description
本実施形態は、物体を照明する照明装置に関する。特に半導体素子や液晶表示素子などのデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置に適用されて、投影原版を照明する照明装置に関する。
従来、投影露光装置に適用される照明装置において、オプティカルインテグレータとしてフライアイレンズを用いたものが知られている。フライアイレンズを配置した照明装置では、フライアイレンズの各波面分割面で形成された二次光源からの光が重畳した状態で投影原版に照明される。一様な照度分布の光を投影原版に照明するために、フライアイレンズに入射する光束の照度分布を補正するための補正光学系を設けた照明装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1の照明装置では、投影原版に照明された光の照度分布が投影原版の中心部または周辺部でそれぞれ異なり、さらに集光する光束の角度方向の強度分布が投影原版上の位置に応じてそれぞれ異なる場合に、光源とフライアイレンズとの間に補正光学系を配置して、フライアイレンズの各波面分割面へ入射する光束の照度分布をそれぞれ変化させ、投影原版上に集光する各光束の開口内に生じた不均一な角度分布を補正して均一な照度分布を得ている。
しかしながら、特許文献1に記載の照明装置では、フィルタなどの補正光学系を配置することで照明光が吸収され、光量を損失してしまう問題があった。
本実施形態は上記問題に鑑みてなされたものであり、光量ロスを低減させ、一様な光強度分布を持つ照明または所望の光強度分布を持つ照明を得る照明装置の提供を目的とする。
上記課題を解決するために、本実施形態の第1の態様にかかる照明装置は、被照明面を照明する照明装置であって、前記照明装置の光路中に配置されて、前記光路を横切る所定の面上の所定方向に沿って周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向部材と、前記所定の面に配列された複数の波面分割面を備えるとともに前記偏向部材からの光束を用いて二次光源を形成するオプティカルインテグレータ系とを有し、前記偏向部材は、前記複数の波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍の周期パターンを持つ照度分布を形成することを特徴とする。
また、本実施形態の第2の態様にかかる照明装置は、被照明面を照明する照明装置であって、前記照明装置の光路中に配置されて、前記光路を横切る所定の面上の所定方向に沿って周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向部材と、前記所定の面に配列された複数の波面分割面を備えるとともに前記偏向部材からの光束を用いて二次光源を形成するオプティカルインテグレータ系とを有し、前記偏向部材は、前記周期パターンを変更するために、位置調整可能に構成されていることを特徴とする。
また、本実施形態の第3の態様にかかる投影露光装置は、第1または第2の態様にかかる照明装置と、前記被照明面からの光を被投影面に投影する投影光学系とを備ることを特徴とする。
また、本実施形態の第4の態様にかかる照明方法は、入射する光束を偏向して周期パターンを持つ照度分布を所定の面上に形成することと、前記偏向された光束を前記所定の面上に配列された複数の波面分割面に導いて二次光源を形成することと、前記二次光源からの光束を用いて被照明面を照明することとを含み、前記周期パターンは、前記波面分割面に沿った方向に前記波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍であることを特徴とする。
また、本実施形態の第5の態様にかかる照明方法は、入射する光束を偏向して周期パターンを持つ照度分布を所定の面上に形成することと、前記偏向された光束を前記所定の面上に配列された複数の波面分割面に導いて二次光源を形成することと、前記所定の面上に形成される照度分布の周期パターンを変更することと、前記二次光源からの光束を用いて被照明面を照明することと、を含むことを特徴とする。
また、本実施形態の第6の態様にかかる露光方法は、光源からの光により被照射面に位置する所定のパターンを照明することと、前記所定のパターンを介した光で感光性基板を露光することと、を含み、前記照明することでは、第4または第5の態様にかかる照明方法を用いて前記被照射面に位置する前記所定のパターンを照明することを特徴とする。
また、本実施形態の第7の態様にかかるデバイス製造方法は、第6の態様にかかる露光方法を用いて、露光パターンを前記感光性基板に露光することと、前記露光パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記露光パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
本実施形態によれば、光量ロスを低減させ、一様な光強度分布を持つ照明、または所望の光強度分布を持つ照明を得る照明装置を実現し得る。
以下、図面に基づいて実施形態を説明する。
図1に、第1実施形態に係る照明装置を備えた投影露光装置を示す。図1において、感光性基板であるウェハが配置される被投影面9の法線方向に沿ってZ軸を、被投影面9内において図1の紙面に平行な方向にX軸を、被投影面9内において図1の紙面に垂直な方向にY軸をそれぞれ設定している。図1を参照すると、本実施形態の投影露光装置では、光源1から露光光(照明光)が供給される。
図1において、光源1から射出した光はコリメータレンズ2でほぼ平行な光束に変換され、偏向部材3に入射する。偏向部材3の構成及び機能の説明は後述する。偏向部材3からの光束は第1フライアイレンズ4及び第2フライアイレンズ5から構成されるフライアイレンズ系54に入射する。
フライアイレンズ系54の第1フライアイレンズ4は、入射光束の進行方向を横切る面内(本実施形態ではXY平面)に二次元アレイ状に配列された複数のレンズ面を備える。第1フライアイレンズ4の入射面41に入射した光束はこの複数のレンズ面によって、微小単位に二次元的に波面分割される。微小単位に分割された光束は、第2フライアイレンズ5の射出面51近傍にそれぞれ集光されて複数の二次光源を形成する。本明細書では、この二次光源を1つ形成するために必要な面を波面分割面と呼ぶ。通常、フライアイレンズは多くの波面分割面を配列しているが、図1及び図2では簡単のため5つの波面分割面を持つフライアイレンズを示した。
二次光源からの光束は、コンデンサーレンズ6で集光され、被照明面10をケーラー照明する。被照明面10には、被投影面9に投影するパターンを持った投影原版としてのレチクルなどが配置される。
被照明面10からの光束は、投影光学系7で集光され被投影面9に投影される。なお、投影光学系7の開口絞り8は二次光源が形成される位置と共役な位置に配置される。
次に、図2及び図3を参照して、図1に示した偏向部材3の詳細な説明を行う。図2(a)において、偏向部材3は、入射面が平面で射出面が一方向にsin波状の形状を持つ、露光光に透明な材質で形成された板である。
図2(b)は、偏向部材3とフライアイレンズ系54との配置関係を示す図であり、この図2(b)に示すように、偏向部材3は、光の進行方向側から見て(Z方向側から見て)、フライアイレンズ系54の第1フライアイレンズ4の有効領域を包含する大きさを持つ。
図3(a)は、偏向部材3の機能を説明するための光路図である。図3(a)に示すように、例えば多数の光線で表すことのできる平行光束が図中左側から偏向部材3に入射した場合には、偏向部材3の射出面での屈折作用(光偏向作用)によって、偏向部材3から射出される光線の密度に濃淡が生じる。この光線の密度が光エネルギー密度に対応しているため、偏向部材3の射出側の仮想面Pには偏向部材3のsin波状の山に対応する位置の強度が高く、谷に対応する位置の強度が低くなるようなX方向に周期を持つ照度分布(光強度分布)が形成される。
この仮想面Pにおける照度分布35iを図3(b)に示す。偏向部材3の単位周期をsin波の一周期とする場合、仮想面Pと偏向部材3との距離が近接している際には、照度分布35iは偏向部材3の単位周期とほぼ等しい周期でX方向に強弱が変化する照度分布が仮想面P上に形成される。
図3(c)は、偏向部材3のXY平面内の位置が初期状態である場合の、偏向部材3により形成される周期パターンを持つ照度分布と被照射面10上での照度分布との関係を示す図である。以下の説明では、上記仮想面Pの位置に第1フライアイレンズ4の入射面が位置しているものとして説明する。この図3(c)に示すように、偏向部材3が形成する照度分布35iの周期が第1フライアイレンズ4の波面分割面の配列周期と等しい場合、コンデンサーレンズ6を介して被照射面10上に同じ性状の照度分布が重畳されるため、被照射面10上には光強度分布35iの1つの周期内の照度分布と同じ性状の照度分布36iが形成される。
ここで、偏向部材3を照明装置の光軸AXに沿って移動させることで、偏向部材3が形成する照度分布の周期パターンを調節、典型的には照度分布の最大値と最小値との差を制御することができ、ひいては被照射面10上の照度分布の凹凸成分を制御できる。また、偏向部材3を光軸AXと垂直な方向のうち偏向部材3のピッチ方向(X方向)に沿って移動させて被照射面10上の照度分布を制御しても良い。
ここで、偏向部材3によって、被照射面10上での不均一な照度分布とは逆傾向の照度分布を発生させれば、被照射面10上での不均一な照度分布を均一な照度分布に近づけることができる。
なお、上述の説明では、第1フライアイレンズ4の波面分割面の配列周期と同じ周期、すなわち配列周期の1倍の周期を持つ照度分布を第1フライアイレンズ4の入射面41に形成したが、第1フライアイレンズ4の入射面上に、第1フライアイレンズ4の波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍の周期パターンを持つ照度分布を形成しても良い。
このように第1実施形態では、偏向部材によって複数の波面分割面の配列周期の整数倍(1倍を含む)または単位分数倍の照度分布を波面分割面上に形成しているため、被照射面上の任意の位置に集光する光束の角度方向の光強度分布を所望の分布にすることができる。
上述の第1実施形態では、補正光学系として1つの偏向部材3を設ける構成であったが、偏向部材の数は1つには限定されず、複数であっても良い。以下、図4〜図11を参照して、複数の偏向部材を備える第2実施形態について説明する。
図4に、第2実施形態に係る照明装置の構成を示す。なお、以下の説明において、上述の図1〜図3に示した部材と同様の機能を有する部材には同じ符号を付してある。
図4に、第2実施形態に係る照明装置の構成を示す。なお、以下の説明において、上述の図1〜図3に示した部材と同様の機能を有する部材には同じ符号を付してある。
図4において、図1に示した構成と異なる構成は、補正光学系と見なすことのできる偏向部材3に代えて、照明光の進行方向に沿って配列された第1偏向素子30及び第2偏向素子31を備える点である。図4(a)において、第1偏向素子30及び第2偏向素子31に入射した光束は、周期パターンを持つ照度分布に変換されて第1フライアイレンズ4の入射面41に入射する。ここで、図4(b)は、第1及び第2偏向素子30,31と第1フライアイレンズ4の入射面41との配置関係を示す。この図4(b)に示す通り、第1及び第2偏向素子30,31は、それらの射出面が同じ形状であって、それらの位相が互いに同位相となる初期状態となっている。
以下、図5を参照して、第1及び第2偏向素子30,31の機能を説明する。図5(a)は上述した偏向部材3がその射出側に形成する照度分布を示す図であり、図5(b)は、第1及び第2偏向素子30,31がそれらの射出側に形成する照度分布を示す図である。図5(a),(b)において、矢印は、偏向部材3または第1偏向素子30及び第2偏向素子31に入射する光の進行方向を示す。偏向部材3または第1及び第2偏向素子30,31の右側に示したグラフは、偏向部材3または第1偏向素子30及び第2偏向素子31で光が偏向された結果生じる周期パターンを持つ照度分布を表す。これらのグラフにおいては、縦軸が偏向部材3または第2偏向素子31に対する相対位置、横軸が光の強度を示している。
なお、図5(b)に示した第1偏向素子30及び第2偏向素子31は、それらの射出面が一方向(X方向)にsin波状の互いに同じ形状を持つ。ここで、第1及び第2偏向素子30,31の射出面の位相が互いに同位相となるように配置されているため、図5(a)に示した偏向部材3が1枚である場合よりも、より高い山と深い谷とを含む周期パターンを持った照度分布となっている。なお、第1及び第2偏向素子30,31の射出面の位相が互いに同位相となるように配置された初期状態では、第1フライアイレンズ4の波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍の周期パターンを持つ照度分布が、第1フライアイレンズ4の入射面41に形成される。
また、第1及び第2偏向素子30,31のうちの少なくとも1つは、照明装置の光軸又は光軸と平行な軸線周りに回転可能であっても良い。以下、図6〜図8を参照して説明する。
図6は、第1偏向素子30及び第2偏向素子31と第1フライアイレンズ4の入射面41の配置の状態を示した図である。図6において、第1及び第2偏向素子30,31は、図4(b)に示した初期状態から、照明装置の光軸AXを中心に第1偏向素子30を右回りに、第2偏向素子31を左回りに回転した状態で配置されている。ここで、上述の図4〜図5の例と同様に、第1偏向素子30及び第2偏向素子31が各射出面に沿った方向にそれぞれ持つ周期は同一である。また、第1偏向素子30及び第2偏向素子31が第1フライアイレンズ4の入射面41に形成する周期パターンを持つ照度分布の周期パターンは、第1フライアイレンズ4の波面分割面の配列周期と同一である。
図7(a)は、第1偏向素子30及び第2偏向素子31を配置しない場合における被照明面10に照明される光束の状態を示している。図7(a)においては、被照明面10の中心部10cと、X方向における周辺部10pとをY方向に沿った点線で区切ってある。被照明面10の周辺部10pに集光する光束11の開口内の中心を原点11cとし、この原点11cを通りY方向に延びた軸11aに沿った光強度分布を図7(b)に、中心部10cに集光する光束12の開口内の中心12cを原点とし、この原点12cを通りY方向に延びた軸12aに沿った光強度分布を図7(c)に示した。
図7(b)及び図7(c)に示した光強度分布において、縦軸は光強度、横軸は各軸11a,12aに沿った座標を示している。これら図7(b)及び図7(c)に示した光強度分布は、被照明面10の周辺部10pに集光する光束11の、原点11cと集光点とを結ぶ基準軸に対する角度方向の光強度分布、及び被照明面10の中心部10cに集光する光束12の、原点12cと集光点とを結ぶ基準軸に対する角度方向の光強度分布にそれぞれ対応している。
さて、図6に示した第1及び第2偏向素子30,31の状態は、Y方向における第1偏向素子30及び第2偏向素子31の端で第1偏向素子30及び第2偏向素子31が持つ一周期異なる谷と谷が初めて重なる状態である。このように、第1偏向素子30及び第2偏向素子31を回転させると、Y方向における第1偏向素子30及び第2偏向素子31の中心付近で、第1偏向素子30及び第2偏向素子31の同一周期の山と山が重なると共に、谷と谷が重なる。そして、第1偏向素子30及び第2偏向素子31の端で一周期異なる山と山が重なると共に、谷と谷が重なる。
この第1偏向素子30が形成する照度分布と第2偏向素子31が形成する照度分布によって新たに生じた照度分布の周期によって、図8(a)に示すように、第1フライアイレンズ4の入射面41に入射する照度分布の周期パターンが形成される。ここでは、第1偏向素子30及び第2偏向素子31の山と山が重なる位置が最も強度が高く、谷と谷が重なる位置が最も強度が低い照度分布が第1フライアイレンズ4の入射面41に形成される。なお、図8(a)〜(d)では、第1及び第2偏向素子30,31に均一な照度分布を持つ光束が入射した場合における照度分布を示し、特に、図8(b)は、被照明面10に照明される光束の状態を示す。
フライアイレンズ系は、第1フライアイレンズ4の入射面41における複数のレンズ面(波面分割面)での照度分布を被照射面10に重畳して形成する機能を有しているため、被照明面10の周辺部10pに集光する光束の角度方向の光強度分布は第1フライアイレンズ4の入射面41に配列された各波面分割面の周辺部に形成された照度分布が反映されたものとなり、被照明面10の中心部10cに集光する光束の角度方向の光強度分布は第1フライアイレンズ4の入射面41に配列された各波面分割面の中心部の照度分布が反映されたものとなる。
そして、入射面41のY方向における中心部に配列された波面分割面41cの周辺部41cpを通過した光は、開口11内の軸11aに沿った方向で開口角度、すなわち光軸AX又は光軸と平行な軸に対する角度が小さい光に対応する。また、入射面41のY方向における周辺部41pに配列された波面分割面の周辺部41ppを通過した光は、開口11内の軸11aに沿った方向で開口角度の大きい光に対応する。ここで、波面分割面41cの周辺部41cpを通過する光の強度は低く波面分割面41pの周辺部41ppを通過する光の強度は高い。従って図8(c)に示すように、被照明面10の周辺部の開口11内では、軸11aの原点11c付近で強度が低く原点11cから遠くなるほど強度が高い光強度分布となる。
一方、入射面41のY方向における中心部41cに配列された波面分割面の中心部41ccを通過した光は、開口12内の軸12aに沿った方向で開口角度の小さい光に対応する。また、入射面41の周辺部に配列された波面分割面41pの中心部41pcを通過した光は、開口12内の軸12aに沿った方向で開口角度の大きい光束に対応する。ここで、波面分割面41cの中心部41ccを通過する光の強度は高く、波面分割面41pの中心部41pcを通過する光の強度は低い。従って、図8(d)に示すように、被照明面10の中心部10cの開口12内では、軸12aの原点12c付近で強度が高く原点12cから遠くなるほど強度が低い光強度分布となる。
従って、照明装置が図8(b)〜(d)に示した光強度分布の角度分布特性の被照射面上での位置による差異を有している場合に、その特性を相殺できる特性を偏向素子30,31で発生させることができ、被照射面上の光強度分布の角度分布特性の位置による差異を低減することが可能である。
また、これらの第1偏向素子30及び第2偏向素子31は、照明装置の光軸AXに沿った方向(Z方向)にそれぞれ独立または連動させて移動させても良い。第1及び第2偏向素子30,31のうちの少なくとも1つの移動によって、第1及び第2偏向素子30,31が形成する照度分布の周期パターンを調節することができる。
図9は、第1偏向素子30または第2偏向素子31をX方向に移動した場合における、各偏向素子30,31の位置関係と、これらの偏向素子30,31が射出側に形成する照度分布を示す図である。なお、図9において、矢印は、第1及び第2偏向素子30,31に入射する光の進行方向を示す。図9に示すように、第1偏向素子30または第2偏向素子31をX方向に移動したことで、第1偏向素子30の周期の山または谷と、第2偏向素子31の周期の谷または山が重なる範囲が多くなり、山と谷の強度の差が少ない周期パターンを持つ照度分布が形成される。
また、上述の説明では、第1及び第2偏向素子30,31が互いに同じ周期を持つsin波状の射出面を備えていたが、第1及び第2偏向素子30,31の射出面の周期は互いに異なっていても良い。
図10は、第1偏向素子30が持つ周期と第2偏向素子31が持つ周期が互いに異なる場合における、各偏向素子30,31の位置関係と、これらの偏向素子30,31が射出側に形成する照度分布を示す図である。なお、図10においても、矢印は、第1及び第2偏向素子30,31に入射する光の進行方向を示す。
図10の例では、第1偏向素子30が第2偏向素子31に比べてやや大きい周期を持ち、X方向において第1偏向素子30及び第2偏向素子31の中心部で山と山が重なるように構成されている。この場合、X方向において第1偏向素子30及び第2偏向素子31の中心付近で山と山が重なる位置の強度が最も高く、第1偏向素子30及び第2偏向素子31の中心部から周辺部に向かうほど山と山が重なる範囲が減少して強度が低くなる。
また、X方向において第1偏向素子30及び第2偏向素子31の中心付近で谷と谷が重なる位置の強度が最も低く、第1偏向素子30及び第2偏向素子31の中心部から周辺部いくほど谷と谷が重なる範囲が減少して強度が高くなる。そのため、図10に示した第1偏向素子30及び第2偏向素子31によって形成される照度分布の周期パターンは、X方向において一周期に複数の山と谷を含む。
図11に、第1及び第2偏向素子30,31の位置関係が図10に示した状態である場合における、被照明面10上に照明される光束の状態を示した。ここで、図11(a)は、第1及び第2偏向素子30,31に均一な照度分布の光が入射した場合における、被照明面10に照明される光束の状態を示す。図11(a)においては、被照明面10の中心部10cと、X方向における周辺部10pとをY方向に沿った点線で区切ってある。被照明面10の周辺部10pに集光する光束11の開口内の中心を原点11cとし、この原点11cを通りX方向に延びた軸11bに沿った光強度分布を図11(b)に、中心部10cに集光する光束12の開口内の中心12cを原点とし、この原点12cを通りX方向に延びた軸12bに沿った光強度分布を図11(c)に示した。
図11(b)及び図11(c)に示した照度分布において、縦軸は光強度、横軸は各軸11b、12bに沿った座標を示している。これら図11(b)及び図11(c)に示した光強度分布は、被照明面10の周辺部10pに集光する光束11の、原点11cと集光点とを結ぶ基準軸に対する角度方向の光強度分布、及び被照明面10の中心部10cに集光する光束12の、原点12cと集光点とを結ぶ基準軸に対する角度方向の光強度分布にそれぞれ対応している。
第1及び第2偏向素子30,31は、図10に示した照度分布を射出側に形成するので、図11(b)に示すように、被照明面10の周辺部10pの開口11内では、軸11bの原点11c付近で強度が低く原点11cから遠くなるほど強度が高い光強度分布となる。
一方、図11(c)に示すように、被照明面10の中心部10cの開口12内では、軸12bの原点12c付近で強度が高く原点12cから遠くなるほど強度が低い光強度分布となる。
従って、照明装置が被照射面上の光強度分布の角度分布特性のX方向の位置による差異がある場合についても、その差異を低減することが可能である。
以下に、他の偏向部材3の変形例について説明する。
第1変形例として、偏向部材3を所定の角度を持つ軸を中心として回転させても良い。
ここで、所定の角度とは照明装置の光軸AXと偏向部材3の回転軸とがなす角度である。ただし、所定の角度には0°が含まれ、図6の様に照明装置の光軸AXと偏向部材3の回転軸とが平行であっても良い。
第2変形例として、偏向部材3を照明装置の光軸AXと交わらない軸を中心として回転させても良い。ここで、その照明装置の光軸AXと交わらない軸は、光軸AXと平行であってもよく、所定の角度をなしていても良い。変形例2では、偏向部材3をフライアイレンズ系45に対して斜めに傾けることができる。
また、変形例1および変形例2を第1及び第2偏向素子30,31に適応しても良い。
第3変形例として、偏向部材3が、偏向素子の入射面または射出面に沿った方向に同一の周期を持つ偏向素子と、偏向素子の入射面または射出面に沿った方向に異なる周期を持つ偏向素子とを複数含んでも良い。例えば、偏向部材3が4つの偏向素子(第1〜第4偏向素子)を含む場合、第1及び第2偏向素子が同一の周期を持ち、第3偏向素子が第1及び第2偏向素子と異なる周期を持ち、第4偏向素子が第1〜第3偏向素子と異なる周期を持っていても良い。
第4変形例として、偏向部材3が、同一の周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子と、異なる周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子とを同時に含んでも良い。例えば、偏向部材3が4つの偏向素子(第1〜第4偏向素子)を含む場合、第1及び第2偏向素子が同一の周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子であり、第3偏向素子が第1及び第2偏向素子と異なる周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子であり、第4偏向素子が第1〜第3偏向素子と異なる周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子であっても良い。
第5変形例として、被照射面上の二方向(XY方向)における照度分布および被照射面に達する光束の角度方向の光強度分布の被照射面上の位置(XY座標位置)による差異のうちの少なくとも一方を補正しても良い。例えば、偏向部材3が4つの偏向素子(第1〜第4偏向素子)を含む場合、第1及び第2偏向素子がX方向に沿った周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子であり、第3及び第4偏向素子がY方向に沿った周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向素子であっても良い。これらの偏向素子が照明光学系の光軸周り、またはこの光軸に平行な軸回りに回転可能であっても良い。
上述の第1及び第2実施形態、並びに第1〜第4変形例では、走査方向(Y方向)に沿ってレチクルとウェハとを同期させて移動しながら露光を行う走査型の投影露光装置に適用することを念頭において、非走査方向(X方向)における照度分布または被照射面に達する光束の角度方向の光強度分布の非走査方向の位置による差異を補正している。
しかしながら、レチクルとウェハとを静止した状態で露光を行う一括露光型の投影露光装置に適用する場合には、走査方向における平均化効果を利用できないため、第5変形例が有用である。
以上の第1及び第2実施形態、第1〜第5変形例の組合せは、任意の組合せとすることができる。
また、各偏向素子は位置調整可能であり、それぞれを連動させても独立に動作させてもよい。
各偏向素子の位置を変更することによって、被照射面上の任意の位置に集光する光束の角度方向の光強度分布を任意の分布に変更することができる。
また、以上の第1及び第2実施形態、第1〜第5変形例では屈折を利用した光学系について記載したが、用いる光の波長が紫外領域で偏向部材によって光量を損失する可能性がある場合などは、反射や回折を利用した偏向部材を適用させてもよい。
また、図12に示すように、被照明面10での照度分布または被照明面10上の光強度分布の角度分布特性を計測する計測装置102や、被投影面9での照度分布または被投影面9上の光強度分布の角度分布特性を計測する計測装置103を設け、これらの計測装置の計測結果に基づいて、偏向部材3が形成する照度分布の周期パターンを変更しても良い。なお、図12の例では、上述の図1〜図3に示した部材と同様の機能を有する部材には同じ符号を付してある。
ここで、計測装置102は、被照明面10の延長面110に沿って移動可能に設けられており、被照明面10での照度分布または被照明面10上の光強度分布の角度分布特性を計測する場合に、照明光路内に挿入される。
また、計測装置103は、被投影面9の延長面109に沿って移動可能に設けられており、被投影面9での照度分布または被投影面9上の光強度分布の角度分布特性を計測する場合に、投影光学系7の像野内の位置に挿入される。
これらの計測装置102,103の出力は、制御部101に出力される。制御部101は、被照明面10での照度分布または被照明面10上の光強度分布の角度分布特性を所望の分布にし、且つ被投影面9での照度分布または被投影面9上の光強度分布の角度分布特性を所望の分布にするための偏向部材3の位置を求め、その位置となるように駆動部104へ制御信号を出力する。
駆動部104は、制御部101からの制御信号に基づいて偏向部材3の位置を変更する。
これにより、被照射面10上での照度分布、被照射面10上の任意の位置に集光する光束の角度方向の光強度分布、被投影面9上での照度分布、または被投影面9上の任意の位置に集光する光束の角度方向の光強度分布を任意の分布に変更することができる。
なお、図12の例では、上述の第1実施形態並びに第1および第2変形例のように、1つの偏向部材3を設ける構成を例にとって説明したが、上述の第2実施形態並びに第3乃至第5変形例のように、複数の偏向素子を設ける構成の場合には、制御部101は、被照明面10での照度分布または被照明面10上の光強度分布の角度分布特性を所望の分布にし、且つ被投影面9での照度分布または被投影面9上の光強度分布の角度分布特性を所望の分布にするための各偏向素子の位置を求めれば良い。このとき、駆動部104は出力された制御信号に基づいて、各偏向素子の位置を変更する。
上述の各実施形態並びに各変形例では、偏向部材はsin波状の屈折面を持っていたが、sin波状の屈折面に代えて、一方向に凹凸の曲面形状である屈折面を適用しても良い。例えば、凹円筒面と凸円筒面とを一方向に互い違いに配列した形態の屈折面や、これらの円筒面を上記一方向の断面が円錐状となる面に置き換えた形態の屈折面などを適用しても良い。
上述の各実施形態並びに各変形例では、偏向部材は入射面が平面で射出面が凹凸曲面形状の形態であったが、入射面が凹凸曲面形状で射出面が平面状の形態や、入射面及び射出面の双方が凹凸曲面形状の形態であっても良い。また、入射面または射出面は平面である必要はなく、球面や円筒面などの非球面であっても良い。また、偏向部材の凹凸曲面形状は、その変曲点を結んだ面が平面である場合には限られず、凹凸曲面形状の変曲点を結んだ面が球面や円筒面などの非球面であっても良い。
また、上述の各実施形態並びに各変形例において、光源として、例えば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源や248nmの波長の光を供給するKrFエキシマレーザ光源などのレーザ光源を用いることができる。このようなほぼ平行光束を供給するレーザ光源を用いる場合には、コリメータレンズ2を省いても良い。また、コリメータレンズ2の代わりに、ビームエキスパンダ系やアフォーカル系を用いても良い。
また、光源としては、近紫外波長域や紫外波長域の光を供給するLDやLEDなどの固体光源や、水銀ランプ等の超高圧放電ランプなどを用いても良い。
また、上述の各実施形態並びに各変形例において、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズの代わりに、ロッドレンズ(内面反射型インテグレータ)を用いても良い。この場合、偏向部材3が配置される位置に前側焦点を有し、且つロッドレンズの入射面またはその近傍に後側焦点を有する集光光学系を、ロッドレンズと偏向部材との間に配置すれば良い。
また、上述の各実施形態並びに各変形例では、大局的な輝度分布が円形状の二次光源を用いた通常照明を例にとって説明したが、輝度分布が輪帯状や複数極状の二次光源を用いた変形照明の場合にも適用可能である。
このような変形照明を行う場合、偏向部材3の光源側の光路に、そのファーフィールドに輪帯状や複数極状の光強度分布を生成する回折光学素子や能動的ミラーアレイなどの空間光変調器を配置し、その空間光変調器の偏向部材側の光路に、空間光変調器がそのファーフィールドに生成する光強度分布を偏向部材の近傍に結像する光学系(フーリエ変換光学系)を配置しても良い。
また、上述の実施形態並びに変形例において、米国特許第7,423,731号公報、米国公開公報第2006/0170901号及び第2007/0146676号に開示されるいわゆる偏光照明方法を適用することもできる。
また、上述の実施形態並びに変形例において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体(典型的には液体)で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行っても良い。
次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図13は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図13に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスク(レチクル)Mに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。
その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを、感光性基板つまりプレートPとしてパターンの転写を行う。
図14は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図14に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
また、本実施形態は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本実施形態は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
また、上述の実施形態並びに変形例では、露光装置においてマスクを照明する照明光学系に対して本実施形態を適用しているが、これに限定されることなく、マスク以外の被照射面を照明する一般的な照明光学系に対して本実施形態を適用することもできる。
上述した実施形態は、各特許請求の範囲を限定するものではない。従って、上記実施形態における構成の多くの変更及び修正を行うことができる。また、特許請求の範囲に記載された実施形態は、上記実施形態に開示した態様だけではなく、当業者にとって自明な均等物及び他の修正や変更を含むことを想定している。
1 光源
2 コリメータレンズ
3、30、31 偏向部材
4,5 フライアイレンズ
6 コンデンサーレンズ
7 投影レンズ
8 開口絞り
9 被投影面
10 被照明面
41 入射面
51 出射面
54 フライアイレンズ系
2 コリメータレンズ
3、30、31 偏向部材
4,5 フライアイレンズ
6 コンデンサーレンズ
7 投影レンズ
8 開口絞り
9 被投影面
10 被照明面
41 入射面
51 出射面
54 フライアイレンズ系
Claims (17)
- 被照明面を照明する照明装置において、
前記照明装置の光路中に配置されて、前記光路を横切る所定の面上の所定方向に沿って周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向部材と、
前記所定の面に配列された複数の波面分割面を備え、前記偏向部材からの光束を用いて二次光源を形成するオプティカルインテグレータ系とを有し、
前記偏向部材は、前記複数の波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍の周期パターンを持つ照度分布を形成することを特徴とする照明装置。 - 前記偏向部材は、第1偏向素子と第2偏向素子とを有し、
前記第1および第2偏向素子は、前記偏向素子の入射面または射出面に沿った方向に周期を持つ構造をそれぞれ備え、
前記第1および第2偏向素子の前記周期は互いに同一であることを特徴とする請求項1に記載の照明装置。 - 前記偏向部材は、第1偏向素子と第2偏向素子とを有し、
前記第1および第2偏向素子は、前記偏向素子の入射面または射出面に沿った方向に周期を持つ構造をそれぞれ備え、
前記第1および第2偏向素子の前記周期は互いに異なることを特徴とする請求項1または2に記載の照明装置。 - 前記偏向部材は、第1偏向素子と第2偏向素子とを有し、
前記第1および第2偏向素子が前記波面分割面上に形成する前記照度分布の前記周期パターンは、互いに同一であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の照明装置。 - 前記偏向部材は、第1偏向素子と第2偏向素子とを有し、
前記第1および第2偏向素子が前記波面分割面上に形成する前記照度分布の前記周期パターンは、互いに異なることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の照明装置。 - 前記偏向部材が前記波面分割面上に形成する前記照度分布の前記周期パターンは、前記波面分割面の配列方向に沿っていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の照明装置。
- 被照明面を照明する照明装置において、
前記照明装置の光路中に配置されて、前記光路を横切る所定の面上の所定方向に沿って周期パターンを持つ照度分布を形成する偏向部材と、
前記所定の面に配列された複数の波面分割面を備え、前記偏向部材からの光束を用いて二次光源を形成するオプティカルインテグレータ系とを有し、
前記偏向部材は、前記周期パターンを変更するために、位置調整可能に構成されていることを特徴とする照明装置。 - 前記偏向部材は、前記複数の波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍の周期パターンを持つ照度分布を形成することを特徴とする請求項7に記載の照明装置。
- 前記偏向部材は、独立に位置調整可能に構成された偏向素子を少なくとも1つ有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記偏向部材は、互いに連動して位置調整可能に構成された第1偏向素子と第2偏向素子とを有していることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の照明装置。
- 前記偏向部材は、
前記照明装置が持つ光軸に対して所定の角度を持つ軸を中心として回転可能に構成された偏向素子を少なくとも1つ有することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の照明装置。 - 前記オプティカルインテグレータ系は、前記所定の面に配列された複数のレンズ面を備えるフライアイレンズを有することを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の照明装置。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の照明装置と、前記被照明面からの光を被投影面に投影する投影光学系とを備えた投影露光装置。
- 入射する光束を偏向して周期パターンを持つ照度分布を所定の面上に形成することと、
前記偏向された光束を前記所定の面上に配列された複数の波面分割面に導いて二次光源を形成することと、
前記二次光源からの光束を用いて被照明面を照明することとを含み、
前記周期パターンは、前記波面分割面に沿った方向に前記波面分割面の配列周期の整数倍または単位分数倍であることを特徴とする照明方法。 - 入射する光束を偏向して周期パターンを持つ照度分布を所定の面上に形成することと、
前記偏向された光束を前記所定の面上に配列された複数の波面分割面に導いて二次光源を形成することと、
前記所定の面上に形成される照度分布の周期パターンを変更することと、
前記二次光源からの光束を用いて被照明面を照明することと、
を含むことを特徴とする照明方法。 - 光源からの光により被照射面に位置する所定のパターンを照明することと、
前記所定のパターンを介した光で感光性基板を露光することと、
を含み、
前記照明することでは、請求項14または15に記載の照明方法を用いて前記被照射面に位置する前記所定のパターンを照明することを特徴とする露光方法。 - 請求項16に記載の露光方法を用いて、露光パターンを前記感光性基板に露光することと、
前記露光パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記露光パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013526931A JPWO2013018799A1 (ja) | 2011-08-04 | 2012-07-31 | 照明装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011170626 | 2011-08-04 | ||
JP2011170626 | 2011-08-04 | ||
JP2013526931A JPWO2013018799A1 (ja) | 2011-08-04 | 2012-07-31 | 照明装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013018799A1 true JPWO2013018799A1 (ja) | 2015-03-05 |
Family
ID=47629320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013526931A Pending JPWO2013018799A1 (ja) | 2011-08-04 | 2012-07-31 | 照明装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9760012B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2013018799A1 (ja) |
KR (1) | KR102040341B1 (ja) |
WO (1) | WO2013018799A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107430282B (zh) * | 2015-03-12 | 2021-03-05 | 昕诺飞控股有限公司 | 光束整形设备和使用其的聚光灯 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2946950B2 (ja) | 1992-06-25 | 1999-09-13 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた露光装置 |
JP3275575B2 (ja) * | 1993-10-27 | 2002-04-15 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
JPH09223661A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP4310816B2 (ja) | 1997-03-14 | 2009-08-12 | 株式会社ニコン | 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法 |
AU4930099A (en) * | 1998-08-18 | 2000-03-14 | Nikon Corporation | Illuminator and projection exposure apparatus |
IL126771A0 (en) * | 1998-10-26 | 1999-08-17 | Yanowitz Shimon | Improved optical systems |
JP4324957B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
TW200412617A (en) | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
US6967711B2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI453795B (zh) | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
EP1984789B1 (de) * | 2006-02-17 | 2013-11-06 | Carl Zeiss SMT GmbH | Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem |
JP2007242775A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008072057A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nec Lcd Technologies Ltd | 投影露光装置及び投影露光方法 |
US20080225257A1 (en) | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Nikon Corporation | Optical integrator system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8587764B2 (en) * | 2007-03-13 | 2013-11-19 | Nikon Corporation | Optical integrator system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2012
- 2012-07-31 US US14/236,742 patent/US9760012B2/en active Active
- 2012-07-31 JP JP2013526931A patent/JPWO2013018799A1/ja active Pending
- 2012-07-31 KR KR1020147002790A patent/KR102040341B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-31 WO PCT/JP2012/069465 patent/WO2013018799A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-08-11 US US15/675,257 patent/US10162269B2/en active Active
-
2018
- 2018-11-15 US US16/192,208 patent/US10459343B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013018799A1 (ja) | 2013-02-07 |
US20140218705A1 (en) | 2014-08-07 |
KR102040341B1 (ko) | 2019-11-04 |
US10459343B2 (en) | 2019-10-29 |
US20190086812A1 (en) | 2019-03-21 |
US20170343902A1 (en) | 2017-11-30 |
US9760012B2 (en) | 2017-09-12 |
KR20140053160A (ko) | 2014-05-07 |
US10162269B2 (en) | 2018-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5935852B2 (ja) | 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
US9678332B2 (en) | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5509933B2 (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
EP2253997A2 (en) | Illumination system for a microlithographic contact and proximity exposure apparatus | |
JP2013502703A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP6651124B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP6593678B2 (ja) | 照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
US10459343B2 (en) | Illumination device | |
JP2014146660A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2011114041A (ja) | 光束分割装置、空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5531518B2 (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
WO2009128293A1 (ja) | 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5839076B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP7340167B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5327715B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2003178951A (ja) | 回折光学装置、屈折光学装置、照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
JP2006047670A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2012059848A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2013008788A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2012074694A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、偏光変換方法、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
WO2014073548A1 (ja) | 空間光変調光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2010283100A (ja) | 偏光変換ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2013098208A (ja) | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、および照明方法 | |
JP2013165196A (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2010177304A (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |