JP2008072057A - 投影露光装置及び投影露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】照度むらを補正する照度むら補正フィルタの透過率分布における変動幅を調節可能な投影露光装置を提供する。
【解決手段】投影露光装置１０は、露光光を用いてフォトマスク１４に形成された透光パターンを露光ステージ３１上の基板３２に投影する露光光学系を有する。また、個々の投影露光装置１０の露光光学系に固有の照度分布とは反対の透過率分布を有する複数の照度むら補正フィルタ４０を備える。複数の照度むら補正フィルタ４０は、透過率分布が互いからずれるように配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、投影露光装置及び投影露光方法に関し、更に詳しくは、露光光を用いてマスクパターンを露光ステージ上の基板に投影する投影露光装置及び投影露光方法、並びに、そのような投影露光装置を用いて照度むら補正フィルタを製造する投影露光方法に関する。

液晶パネルや半導体装置の製造プロセスでは、投影露光装置が用いられる。投影露光装置は、一般に、光源から出射された露光光を透光パターンを有するフォトマスクに照明する照明光学系と、フォトマスクを透過した露光光を露光ステージ上に投影する投影光学系とを有する。液晶パネルの製造プロセスでは、露光ステージ上には、表面に感光性を有するフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板が載置され、露光によって、フォトマスクに形成された透光パターンをフォトレジスト膜に転写する。

ところで、投影露光装置で露光ステージ上に投影される露光光は、光学系の特性に起因する照度むらを有している。近年、液晶パネルや半導体装置の微細化に伴って、僅かな照度むらが、製品の品質に影響を与えるようになってきている。例えば、大型の液晶パネルの製造に際しては、１つの液晶表示画面を分割して順次露光を行うステップ・アンド・リピート方式が採用される。しかし、このステップ・アンド・リピート方式の露光を行う投影露光装置で照度むらが生じると、露光の継ぎ部分を挟んでパターンに周期的な寸法誤差が形成され、表示品質が大きく低下する。

投影露光装置における照度むらを低減するため、一般に、光源の近くに、露光光の強度を光軸に直交する面内方向で均一化するインテグレータレンズ（フライアレイレンズ）を配置している。しかし、近年の製造プロセスでは、個々の投影露光装置に固有の照度むらが製品の品質に影響を与えるようになってきており、個々の投影露光装置に対応した照度むらの補正が必要になっている。

上記に対して、特許文献１は、装置に固有の照度むらの補正が可能な照度むら補正フィルタを提案している。同文献によれば、この補正フィルタの製造に際して、透光パターンがアレイ状（網状）に形成されたフォトマスクを用いてネガ型のフォトレジスト膜を露光する。また、現像によって形成されたレジストパターンを用いて下層の遮光膜をパターニングする。

上記レジストパターンには、フォトマスクの透光パターンに対応して、例えばアレイ状に配列したパターン部分が形成される。これらパターン部分は、投影露光装置の照度むらを反映して、露光光の照度が高い領域では大きく、低い領域では小さく形成される。従って、レジストパターンの遮光膜への転写によって、投影露光装置の照度むらとは反対の透過率分布を有する補正フィルタが形成される。
特開昭６１−１５０３３０号公報（第１〜９図）

特許文献１では、投影露光装置を用いてその投影露光装置に固有の照度むらと反対の透過率分布を有する補正フィルタを製造すると共に、製造した補正フィルタを照明光学系の光軸上に配置することによって、照度むらを低減できるものとしている。

しかし、同文献の方法では、補正フィルタの透過率分布における変動幅を、投影露光装置の照度むらを相殺可能な最適な大きさに形成することが容易ではない。補正フィルタの製造後に照度むらを充分に低減できないことが判明した場合には、露光時間等の条件を変更して補正フィルタを製造し直すために、多くの時間を費す必要があった。このため、補正フィルタの透過率分布の変動幅を容易に調節できる投影露光装置が望まれる。

本発明は、上記に鑑み、照度むら補正フィルタを用いて照度むらを補正する投影露光装置及び投影露光方法であって、補正フィルタの透過率分布における変動幅を調節可能な投影露光装置及び投影露光方法、並びに、そのような投影露光装置を用いて補正フィルタを製造する投影露光方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の投影露光装置は、露光光を用いてマスクパターンを露光ステージ上の基板に投影する露光光学系を有する投影露光装置において、
前記露光光学系に固有の照度分布とは反対の透過率分布を有する複数の照度むら補正フィルタを備え、該複数の照度むら補正フィルタは、透過率分布が互いからずれるように配置されていることを特徴とする。

本発明の第１の視点に係る投影露光方法は、上記記載の投影露光装置を用いて前記照度むら補正フィルタを製造する投影露光方法であって、照度むら補正フィルタに代えて減光フィルタを配置した前記露光光学系を用いてネガ型フォトレジストを露光する工程を有することを特徴とする。

本発明の第２の視点に係る投影露光方法は、露光光を用いてマスクパターンを露光ステージ上の基板に投影する露光光学系を有する投影露光方法において、
前記露光光学系に固有の照度分布とは反対の透過率分布を有する複数の照度むら補正フィルタを、透過率分布が互いからずれるように配置することを特徴とする。

本発明の投影露光装置及び第２の視点に係る投影露光方法によれば、複数の照度むら補正フィルタのずらし量を調節することによって、透過率分布における変動幅を容易に調節できる。透過率分布における変動幅を照度むらにおける変動幅に近づけることによって、照度むらを容易に且つ効果的に低減できる。本発明で、透過率分布が互いからずれるとは、透過率分布における極大部及び極小部の位置が互いにずれることを言う。

本発明の投影露光装置では、前記照度むら補正フィルタは、格子状に配列された単位領域を有し、該単位領域毎に透過率が設定された光半透過性パターン又は遮光性パターンを有してもよい。また、前記光半透過性パターン又は遮光性パターンは、円形又は矩形状のパターンであってもよい。前記複数の照度むら補正フィルタは、互いに同じ透過率分布を有してもよい。

本発明の投影露光装置では、前記照度むら補正フィルタの少なくとも１つは、光半透過性パターンを有してもよい。透過率分布における変動幅をより細かく調節できる。

本発明の投影露光装置では、前記複数の照度むら補正フィルタが、第１の補正フィルタと、該第１の補正フィルタから光軸と直交する所定の方向に位置をずらした第２の補正フィルタと、前記第１の補正フィルタから前記光軸及び所定の方向と直交する方向にずらした第３の補正フィルタとを含んでもよい。照度むら補正フィルタの枚数を増やすと共に、それらを互いに異なる方向にずらすことによって、透過率分布における変動幅をより大きく出来る。

本発明の第１の視点に係る投影露光方法によれば、露光光学系に固有の照度むらとは反対の透過率分布を有する照度むら補正フィルタを製造する際に、減光フィルタを用いることによって、照度むらにおける変動幅を大きくすると共に、露光時間を増やし、現像後のレジストパターンにおける面内方向の寸法差を大きく出来る。従って、照度むら補正フィルタの透過率分布における変動幅を大きく出来る。

本発明の第２の視点に係る投影露光方法では、前記複数の補正フィルタの全体の透過率分布における変動幅が、前記基板に投影される露光光の照度むらにおける変動幅に近づくように、前記複数の補正フィルタを互いにずらす工程を有してもよい。

以下に、添付図面を参照し、本発明の実施形態を更に詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る投影露光装置の構成を示す側面図である。投影露光装置１０は、液晶パネルや半導体装置を製造する製造プロセスのフォトリソグラフィ工程に際して用いられると共に、照度むら補正フィルタを形成する際のフォトリソグラフィ工程に際して用いられる。

投影露光装置１０は、露光光をフォトマスク１４上に照明する照明光学系１１と、フォトマスク１４を透過した露光光を露光ステージ３１上に投影する投影光学系１２とを備える。照明光学系１１は、露光光を補正する補正光学系１３を含む。フォトマスク１４は、図示しないマスクステージ上に載置される。フォトリソグラフィ工程に際して、露光ステージ３１上には、表面にフォトレジスト膜が塗布された基板３２が載置される。基板３２は、例えばガラス基板や半導体ウエハで構成される。光源２１から出射した光は、光軸１５に沿って進み、基板３２上に照射される。

照明光学系１１は、露光光として紫外光を出射する光源２１と、光源２１から出射した露光光を反射する楕円ミラー２２と、楕円ミラー２２で反射された露光光を補正光学系１３に入射させるミラー２３と、補正光学系１３から出射した露光光を反射するミラー２４と、ミラー２４で反射された露光光をフォトマスク１４上に集光させるレンズ２５とを備える。光源２１は、例えば水銀ランプから成る。投影光学系１２は、レンズ群から成る。

補正光学系１３は、入射側から、インプットレンズ２６、オプティカルインテグレータ２７、照度むら補正フィルタ４０、及び、レンズ２８を備える。インプットレンズ２６は、ミラー２３で反射された露光光をオプティカルインテグレータ２７の入射側端面に入射させる。オプティカルインテグレータ２７は、光軸と直交方向に２次元的に配列された複数の微少レンズを含み、その出射側端面で光軸１５の直交方向に均一な照度分布を有する２次光源を形成する。

補正フィルタ４０は、露光ステージ３１上に投影される露光光の照度むらの補正を目的として配置される。補正フィルタ４０の配置に際しては、図２に示すように、同じパターンを有する２枚の補正フィルタ４０₁，４０₂を並べて配置する。２枚の補正フィルタ４０₁，４０₂は、互いに接触させてもよく、或いは、僅かな間隔で離してもよい。補正フィルタ４０は、図１の投影光学装置１０を用いて製造する。

図３は、図２の補正フィルタ４０を製造する際に用いるフォトマスクの構成を示す平面図である。フォトマスク５０は、透過率が１〜５％程度の遮光領域５１と、所定のピッチＬでアレイ状に配列した円形の透光パターン５２とを有する。透光パターン５２のピッチＬは２００μｍ程度で、各透光パターン５２の直径は２０μｍ程度である。なお、透光パターン５２の形状は、円形に限定されず、例えば矩形状であってもよい。また、透光パターン５２は、フォトマスク５０の全面に渡って均一な密度で形成されていればよい。従って、各格子内の全面に形成されていてもよく、或いは、通常の正方格子配置ではなく千鳥配置されてもよい。

図４は、補正フィルタ４０を製造する手順を順次に示す断面図である。先ず、図４（ａ）に示すように、補正フィルタ４０の本体部分を構成するガラス基板４１上に金属薄膜４２ａを１０００〜３０００Åの厚みで成膜した後、この金属薄膜４２ａ上にネガ型のフォトレジスト膜４３ａを２．５〜４．０μｍ程度の厚みで塗布する。ガラス基板４１には、石英等の小さな熱膨張率を有する材料を用い、金属薄膜４２ａにはＣｒやＭｏ、Ｔｉ等を用いる。フォトレジスト膜４３ａは、露光時間を長くとり、現像後のレジストパターンにおける寸法差が大きくなるように、通常の２〜４倍の厚みとしている。なお、大きな膜厚を確保できない場合には、露光感度が低いフォトレジスト膜を使用してもよい。

次いで、ガラス基板４１を露光ステージ３１上に載置する。ここで、図１に示したように、補正光学系１３の光軸上にＮＤフィルタ２９を配置する。ＮＤフィルタ２９は、光強度を減少させるフィルタであって、照度むらを大きくすると共に、露光時間を増やすことによって、現像後のレジストパターンにおける寸法差を大きくすることを目的として配置する。フォトマスク４０は、マスクステージ上に載置してある。

ＮＤフィルタ２９を配置した状態で、フォトレジスト膜４３ａに対する露光を行った後、ベーク処理を行う。更に、ＴＭＡＨ現像液を用いたアルカリ現像処理によって未露光部分のフォトレジスト膜４３ａを除去し、フォトマスクの透光パターン５２に対応した配列及び形状を有するレジストパターン４３を形成する（図４（ｂ））。次いで、この形成したレジストパターン４３をエッチングマスクとして金属薄膜４２ａをエッチングし、遮光パターン４２を形成する。その後、レジストパターン４３を剥離し、補正フィルタ４０を完成する（図４（ｃ））。

図５は、図４（ｃ）の補正フィルタ４０の構成を示す平面図である。補正フィルタ４０は、上記製造方法により、フォトマスクの透光パターン５２に対応した配列及び形状を有する遮光パターン４２を備える。遮光パターン４２は、フォトマスクの透光パターン５２とは、ネガ・ポジ反転の関係にある。同じ製造条件で、同じ補正フィルタ４０を複数枚形成する。

補正フィルタ４０の製造では、フォトレジスト膜４３ａの露光に際して、フォトマスクの透光パターン５２を透過した光が、フォトレジスト膜４３ａ上に照射される。この際、フォトレジスト膜４３ａの表面には、個々の投影露光装置１０に固有の照度むらを反映した露光光が照射され、レジストパターン４３における個々のパターン部分は露光光の照度に応じた寸法に形成される。レジストパターン４３を用いて形成される個々の遮光パターン４２も、露光光の照度に応じた寸法に形成され、投影露光装置１０に固有の照度むらに応じた寸法の面内分布を持つ。従って、投影露光装置１０に固有の照度むらと略反対の透過率分布を有する補正フィルタ４０が製造される。

なお、補正フィルタ４０の製造に際しては、特開昭６１−１５０３３０号公報に記載のように、ＮＤフィルタを用いないで製造することも出来る。しかし、本実施形態のようにＮＤフィルタ２９を用いることによって、補正フィルタ４０における遮光パターン４２の面内方向の寸法差がより大きくなるように形成できる。

図６は、図５の補正フィルタ４０を用いて照度むらを補正する投影露光方法の手順を示すフローチャートである。先ず、補正フィルタ４０の製造に用いたフォトマスク５０を回収する（ステップＳ１１）。次いで、図２に示したように、補正光学系１３のオプティカルインテグレータ２７とレンズ２８との間に２枚の補正フィルタ４０を並べて配置する（ステップＳ１２）。

補正フィルタ４０の配置に際しては、フォトマスク１４と共役な位置から光軸方向に僅かにずらした位置に配置する。また、その透過率分布が投影露光装置１０の照度むらを打ち消す向きに配置する。入射側の補正フィルタ４０₁は、露光光の光軸に対して鉛直方向に移動可能に配置し、出射側の補正フィルタ４０₂は、固定して配置する。なお、補正フィルタ４０₁，４０₂は、どちらを移動可能に構成しても構わない。

引き続き、フォトマスク１４を配置していない状態で、露光ステージ３１上での照度むらを測定する（ステップＳ１３）。照度むらの測定に際しては、露光光の波長を測定可能な照度センサを用い、露光領域の全体を一定のピッチで区画し各区画された位置で照度を測定する。更に、測定した照度むらにおける変動幅、つまり照度むらの最大値と最小値との差分と、予め設定した規格値との比較を行い、差分が規格値の範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ１４）。

ステップＳ１４に際して、照度むらが規格値の範囲内に収まっていると判定した場合には、製造プロセスにおける露光工程に移行する（ステップＳ１６）。一方、規格値の範囲外であると判定した場合には、補正フィルタ４０₁を露光光の光軸に対して垂直方向に所定距離だけずらし、補正フィルタ４０₁のシフト量を調整した後（ステップＳ１５）、ステップＳ１３の前に戻り、照度むらが規格値の範囲内に収まるまでステップＳ１３、Ｓ１４を繰り返す。なお、照度むらが最小になるようにシフト量ａを設定してもよい。

図７（ａ）は、図２の一部を拡大して模式的に示す側面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の遮光パターン４２₂を出射側から見た構成を示す正面図である。図７（ａ）において、遮光パターン４２₂の径Ｒ₀は、遮光パターン４２の平均的な径であり、遮光パターン４２₁の径はＲ₀−α（α＞０）で、遮光パターン４２₃の径はＲ₀＋β（β＞０）であるものとする。また、補正フィルタ４０₁のシフト量がａ（ａ＞０）であるものとする。２枚の補正フィルタ４０₁，４０₂間で、遮光パターン４２₁〜４２₃のそれぞれの重なり部分の長さをＲ₁〜Ｒ₃とする。

Ｒ₁＝Ｒ₀−α＋ａ、Ｒ₂＝Ｒ₀＋ａ、Ｒ₃＝Ｒ₀＋β＋ａであり、長さＲ₁〜Ｒ₃は、シフト量ａの増大に伴って等しく増加する。しかし、遮光パターン４２₁〜４２₃のそれぞれの重なり部分の面積は、図７（ｂ）からも判るように、シフト量ａの増大に伴い、それらの径の大きさＲ₀−α、Ｒ₀、及び、Ｒ₀＋βに応じてそれぞれ増大する。従って、シフト量ａの増大に伴い遮光パターン４２₁〜４２₃間の重なり部分の面積の差が大きくなると考えられる。

図８は、２枚の補正フィルタ４０₁，４０₂を配置した際の、各遮光パターン４２₁〜４２₃付近の透過率と、シフト量ａとの関係を示すグラフである。グラフ（ｉ）〜（iii）は、遮光パターン４２₁〜４２₃付近の透過率をそれぞれ示しており、シフト量ａは、０〜６μｍの範囲で変化させている。また、α＝β＝０．４μｍである。同図から判るように、シフト量ａの増大に伴って、遮光パターン４２₁〜４２₃全体の透過率が低下すると共に、各遮光パターン４２₁〜４２₃間の透過率の差が増大している。これは、各遮光パターン４２₁〜４２₃付近の透過率は、各遮光パターン４２₁〜４２₃の重なり部分の面積の増大に伴って減少するためである。

図９は、補正フィルタ４０₁，４０₂を配置しない場合の露光ステージ３１上の照度むらを示すグラフであり、図１０（ａ）は、１つの補正フィルタ４０₂の透過率分布を示すグラフである。図１０（ａ）における透過率分布の変動幅は、図９における照度むらの変動幅に比して小さく、１つの補正フィルタ４０₂のみでは、投影露光装置１０の照度むらを相殺するほど大きな透過率分布の変動幅が得られていない。

図１０（ｂ）は、２つの補正フィルタ４０₁，４０₂を並べた際の透過率分布を示すグラフである。これら２つの補正フィルタ４０₁，４０₂については、シフト量ａを１０μｍに設定している。同図における透過率分布の変動幅は、図１０（ａ）における透過率分布の変動幅に比して充分に大きく、図９の照度むらの変動幅とほぼ同じ大きさを持っている。このように、２つの補正フィルタ４０₁，４０₂を用い、且つ、シフト量ａを大きくすることによって、投影露光装置１０の照度むらを相殺できる程度に、透過率分布を大きく出来る。

図１１は、２つの補正フィルタ４０₁，４０₂を、図１０（ｂ）と同じシフト量ａで、投影露光装置１０に配置した場合の露光ステージ３１上の照度むらを示すグラフである。図９のグラフに比して、照度むらが大きく低減していることが判る。照度むらにおける変動幅は、図９のグラフで１．５％程度であるのに対して、図１１のグラフでは０．８％程度にまで低減した。

本実施形態の投影露光装置１０によれば、２つの補正フィルタ４０₁，４０₂を用い、且つ、これら２つの補正フィルタ４０₁，４０₂の相互間のシフト量ａを調節することによって、透過率分布における変動幅を容易に調節できる。従って、１枚の補正フィルタ４０を用いる場合に比して、照度むらを容易に且つ効果的に低減できる。相互間のシフト量ａを増大させることによって、透過率分布における変動幅を容易に増大させることが出来るので、１枚の補正フィルタ４０を用いる場合に比して、露光時間を短くでき、製造プロセスを簡素化できる。

投影露光装置１０の照度むらは、光学部品が劣化した際や、光学部品を交換した際に変化する。本実施形態では、投影露光装置１０の光学部品の状態に応じた照度むらと反対の透過率分布を有する補正フィルタ４０を製造し、照度むらの補正を行うことが出来る。従って、高い品質と信頼性を有する製品を製造できる。

図１２は、上記実施形態の変形例に係る投影露光装置について、図７（ｂ）に対応する構成を示す正面図である。本変形例では、入射側の補正フィルタ４０₁の遮光パターン４２が、数百Å程度に薄く形成され、光半透過性を有する。２つの補正フィルタ４０₁，４０₂のうちの一方の補正フィルタ４０₁の遮光パターン４２を光半透過性とすることにより、２つの補正フィルタ４０₁，４０₂の透過率分布における変動幅をより細かく調節できる。なお、双方の補正フィルタ４０₁，４０₂の遮光パターン４２が光半透過性を有してもよい。

なお、上記実施形態及び変形例では、２枚の補正フィルタ４０を用いるものとしたが、３枚以上の補正フィルタ４０を用いてもよく、より多くの補正フィルタ４０を相互にずらすことによって、透過率分布における変動幅をより大きく出来る。３枚の補正フィルタ４０を用いる場合には、例えば１つの補正フィルタ４０を固定し、他の２つの補正フィルタ４０を光軸の水平方向及び垂直方向にそれぞれずらしてもよい。

以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明の投影露光装置及び投影露光方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

本発明の一実施形態に係る投影露光装置の構成を示す側面図である。 図１の補正フィルタの構成を示す正面図である。 補正フィルタの製造に際して用いるフォトマスクの構成を示す平面図である。 図４（ａ）〜（ｃ）は、補正フィルタを製造する各製造段階を順次に示す断面図である。 補正フィルタの構成を示す平面図である。 補正フィルタを用いた投影露光方法の手順を示すフローチャートである。 図７（ａ）は、図２の一部を拡大して模式的に示す側面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の遮光パターンを出射側から見た構成を示す正面図である。 図７の２つの補正フィルタについて、透過率とシフト量との関係を示すグラフである。 補正フィルタを配置していない際の照度むらを示すグラフである。 図１０（ａ）は、１つの補正フィルタの透過率分布を示すグラフであり、図１０（ｂ）は、２つの補正フィルタの透過率分布を示すグラフである。 ２つの補正フィルタを配置した際の照度むらを示すグラフである。 実施形態の変形例に係る投影露光装置について、図７（ｂ）に対応する構成を示す正面図である。

符号の説明

１０：投影露光装置
１１：照明光学系
１２：投影光学系
１３：補正光学系
１４：フォトマスク
１５：光軸
２１：光源
２２：楕円ミラー
２３：ミラー
２４：ミラー
２５：レンズ
２６：インプットレンズ
２７：オプティカルインテグレータ
２８：レンズ
２９：ＮＤフィルタ
３１：露光ステージ
３２：基板
４０：照度むら補正フィルタ（補正フィルタ）
４１：ガラス基板
４２：遮光パターン
４２ａ：金属薄膜
４３：レジストパターン
４３ａ：フォトレジスト膜
５０：フォトマスク
５１：遮光領域
５２：透光パターン

Claims (9)

1. 露光光を用いてマスクパターンを露光ステージ上の基板に投影する露光光学系を有する投影露光装置において、
   前記露光光学系に固有の照度分布とは反対の透過率分布を有する複数の照度むら補正フィルタを備え、該複数の照度むら補正フィルタは、透過率分布が互いからずれるように配置されていることを特徴とする投影露光装置。
2. 前記照度むら補正フィルタは、格子状に配列された単位領域を有し、該単位領域毎に透過率が設定された光半透過性パターン又は遮光性パターンを有する、請求項１に記載の投影露光装置。
3. 前記光半透過性パターン又は遮光性パターンは、円形又は矩形状のパターンである、請求項１又は２に記載の投影露光装置。
4. 前記複数の照度むら補正フィルタは、互いに同じ透過率分布を有する、請求項１〜３の何れか一に記載の投影露光装置。
5. 前記照度むら補正フィルタの少なくとも１つは、光半透過性パターンを有する、請求項１〜３の何れか一に記載の投影露光装置。
6. 前記複数の照度むら補正フィルタが、第１の補正フィルタと、該第１の補正フィルタから光軸と直交する所定の方向に位置をずらした第２の補正フィルタと、前記第１の補正フィルタから前記光軸及び所定の方向と直交する方向にずらした第３の補正フィルタとを含む、請求項１〜５の何れか一に記載の投影露光装置。
7. 請求項１〜６の何れか一に記載の投影露光装置を用いて前記照度むら補正フィルタを製造する投影露光方法であって、照度むら補正フィルタに代えて減光フィルタを配置した前記露光光学系を用いてネガ型フォトレジストを露光する工程を有することを特徴とする投影露光方法。
8. 露光光を用いてマスクパターンを露光ステージ上の基板に投影する露光光学系を有する投影露光方法において、
   前記露光光学系に固有の照度分布とは反対の透過率分布を有する複数の照度むら補正フィルタを、透過率分布が互いからずれるように配置することを特徴とする投影露光方法。
9. 前記複数の補正フィルタの全体の透過率分布における変動幅が、前記基板に投影される露光光の照度むらにおける変動幅に近づくように、前記複数の補正フィルタを互いにずらす工程を有する、請求項８に記載の投影露光方法。

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