JPWO2013001661A1 - 高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜及び高純度エルビウムの製造方法 - Google Patents

高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜及び高純度エルビウムの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2013001661A1
JPWO2013001661A1 JP2013522674A JP2013522674A JPWO2013001661A1 JP WO2013001661 A1 JPWO2013001661 A1 JP WO2013001661A1 JP 2013522674 A JP2013522674 A JP 2013522674A JP 2013522674 A JP2013522674 A JP 2013522674A JP WO2013001661 A1 JPWO2013001661 A1 JP WO2013001661A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wtppm
less
erbium
purity
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013522674A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5623643B2 (ja
Inventor
雅博 高畑
雅博 高畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority to JP2013522674A priority Critical patent/JP5623643B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5623643B2 publication Critical patent/JP5623643B2/ja
Publication of JPWO2013001661A1 publication Critical patent/JPWO2013001661A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B59/00—Obtaining rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/02—Refining by liquating, filtering, centrifuging, distilling, or supersonic wave action including acoustic waves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/04—Refining by applying a vacuum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/16—Remelting metals
    • C22B9/22—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation
    • C22B9/228—Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by particle radiation, e.g. electron beams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C3/00—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts
    • C25C3/34—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts of metals not provided for in groups C25C3/02 - C25C3/32
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウム。蒸気圧が高く、金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。

Description

本発明は、蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜に関する。
エルビウム（Ｅｒ）は希土類元素の中に含まれるものであるが、鉱物資源として混合複合酸化物として地殻に含有されている。希土類元素は比較的希（まれ）に存在する鉱物から分離されたので、このような名称がついたが、地殻全体からみると決して希少ではない。
エルビウムの原子番号は６８、原子量１６７．３の灰色の金属であり、六方細密構造を備えている。融点は１５３０°Ｃ、沸点２８６０°Ｃ、密度９．０７ｇ／ｃｍ３であり、空気中では表面が酸化され、水には徐々にとける。酸に可溶である。耐食性及び耐磨耗性に優れており、高い常磁性を示す。高温で酸化物（Ｅｒ２Ｏ３）を生成する。
希土類元素は一般に酸化数３の化合物が安定であるが、エルビウムも３価である。最近ではエルビウムをメタルゲート材料、高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）材料の用途等の電子材料として研究開発が進められており、注目されている金属である。
しかし、エルビウム金属は、精製時に酸化し易いという問題があるため、高純度化が難しく高純度品が存在していなかった。
また、エルビウムは磁気冷凍材として用いられたが、電子部品として利用するというようなことが考えられていなかったので、それほど着目されてきた金属とは言えない。したがって、エルビウムの実用的な抽出方法に関する文献は多くない。希土類金属の抽出という中で、その一部に挙げられてきた程度である、次に、これを紹介する。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂの酸化物粉末とミッシュメタルとを混合後ブリケット状とし、真空熱還元法によりミッシュメタルを還元材としてＳｍ、Ｅｕ、Ｙｂの希土類元素を製造する方法で、ミッシュメタルを予め水素化処理して粒粉状の水素化ミッシュメタルとし、これを混合してブリケット状にして、ミッシュメタルの粒粉状化工程の酸化燃焼を防止するという技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
この場合、還元材であるミッシュメタルの利用に工夫があるが、さらに高純度化を達成しようとするものではなく、高純度化に制限があるという問題がある。
希土類のハロゲン化物をカルシウム又は水素化カルシウムにより還元し、得られた希土類金属とスラグを分離する際に、スラグ分離治具を溶融したスラグ中に入れ、スラグを凝固させて、この治具と共にスラグを除去する技術が提案されている。また、この希土類としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジウムが選択されている（例えば、特許文献２参照）。この技術は、スラグの除去が十分でないので、高純度化を達成することが難しいという問題がある。
希土類金属のフッ化物原料に還元剤を添加して高温加熱する熱還元法により希土類金属の製造方法であり、原料として希土類金属のフッ化物とフッ化リチウムの混合組成物又はこれにフッ化バリウム、フッ化カルシウムの１種以上を添加する提案がある。
この場合、溶融塩電解浴を使用することができるという提案があり、これによって酸素含有量が１０００ｐｐｍとなるということが開示されている（例えば、特許文献３参照）。この技術は溶融塩電解浴の利用を基本とするものであるが、使用する塩に起因する汚染及び装置による汚染があり、また酸素除去の効果も十分ではないという問題がある。また、使用するリチウム、バリウム、カルシウム等が不純物として随伴する問題もある。
希土類金属のフッ化物、フッ化リチウムの混合組成物又はこれにフッ化バリウム、フッ化カルシウムの１種以上を添加した混合組成物と、希土類金属を混合し、加熱溶融して希土類を取り出すもので、希土類には熱還元した市販のものを使用し、混合組成物としては、希土類金属と鉄族遷移金属との合金製造用の溶融塩電解溶媒浴を使用する提案がある。
これによって酸素含有量が３００ｐｐｍ以下であり、カルシウム、リチウム、フッ素などの不純物が少ない高純度希土類金属を得ることが開示されている（例えば、特許文献４参照）。この技術も、上記と同様の溶融塩電解浴の利用を基本とするものであり、使用する塩に起因する汚染及び装置による汚染があり、また酸素除去の効果も十分ではないという問題がある。また、使用するリチウム、バリウム、カルシウム等が不純物として随伴する問題もある。
不純物であるＴａ含有希土類金属にＭｇ又はＺｎを加えて、るつぼ内で溶解し、凝固させた後、るつぼ底部に存在する高Ｔａ含有部分を除去し、低Ｔａ含有部分を真空蒸留して高純度希土類を得る精製方法が提案されている（例えば、特許文献５参照）。しかし、これは、添加する金属が不純物として随伴する問題があり、またＴａの除去も十分でないので、高純度化のレベルは低いという問題がある。
上記の文献に示すように、エルビウムの精製効果は必ずしも十分ではなく、特に酸素の低減化を図るものは少なく、低減化を図っても十分ではないという問題がある。また、溶融塩電解を使用するものは工程が複雑となり、また精製効果が十分でないという問題がある。このように、高融点金属であり、蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する技術については、効率的かつ安定した生産方法がないというのが現状である。
このようなことから、本出願人は、粗酸化エルビウムを還元金属と混合した後、真空中で加熱してエルビウムを還元及び蒸留し、さらにこれを不活性雰囲気中で溶解して高純度のエルビウムを得ることを提案した。
この場合、希土類元素及びガス成分を除いた純度が４Ｎ以上、酸素含有量が２００ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属の各元素がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下、遷移金属の各元素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素がそれぞれ５ｗｔｐｐｂ以下を達成することができるという大きな効果が得られた（特許文献６参照）。しかし、さらに純度を高めるためには、蒸留を繰り返す必要があり、これによって収率が低下する問題がある。
また、この場合、還元剤として遷移金属であるＬａを使用しているが、Ｌａが必然的に混入する。したがって、このＬａを除去しなければならないという問題も解決する必要がある。以上から、特許文献では、さらに工夫が望まれた。
一方、エルビウムをスパッタリングターゲットとして使用する場合に、スパッタリング時のパーティクルの発生が少なく、スパッタ膜のユニフォーミティが良好であるターゲットを制作する必要性から、エルビウムターゲットの純度を高めるとともに、組織の平均結晶粒径を１〜２０ｍｍとする発明を提案した（特許文献７参照）。
この発明自体の目的は、パーティクルの低減化とスパッタ膜のユニフォーミティの向上であり、また４Ｎレベルの高純度化が達成していたので、目的には適しており、有効な発明であった。しかしながら、エルビウムターゲットの急速な進歩から、さらに純度を向上させることが要求された。
特開昭６１−９５３３号公報 特開昭６３−１１６２８号公報 特開平７−９０４１０号公報 特表平７−９０４１１号公報 特開平８−８５８３３号公報 ＷＯ２０１０／０８７２２７号公報 特開２００９−００１８６６号公報
本発明は、融点が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、粗原料を溶融塩電解し、これによって得られた電析物を蒸留精製することにより、さらに向上した純度を持つ高純度のエルビウムを安定的に製造できる高純度エルビウムの製造方法を提供するものであり、これによって、高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜を得ることができるという知見が得られた。
本発明は、この知見に基づいて、以下の発明を提供するものである。
１）希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウム。
２）希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウムスパッタリングターゲット。
３）希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜。
また、本発明は、
４）粗エルビウムを溶融塩電解し、得られた電析物を蒸留することにより、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属が、それぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムを得ることを特徴とする高純度エルビウムの製造方法。
５）塩化カリウム（ＫＣｌ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、塩化エルビウム（ＥｒＣｌ）及びエルビウム（Ｅｒ）原料を用いて溶融塩を作製し、浴温度を７００°Ｃ以上９００°Ｃ以下として溶融塩電解することを特徴とする４）記載の高純度エルビウムの製造方法。
６）溶融塩電解のアノードにタンタル（Ｔａ）を、カソードにタンタル（Ｔａ）又はチタン（Ｔｉ）を用いて電解することを特徴とする上記４）又は５）記載の高純度エルビウムの製造方法。
７）溶融塩電解において、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗを除去し含有量の低減化を図ることを特徴とする上記４）〜６）のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。
８）電析物の蒸留に際し、第１回目の蒸留において蒸留温度を７００°Ｃ以上１２００°Ｃ以下に保持して、エルビウムよりも蒸気圧の高い不純物を除去した後、第２回目の蒸留において１５５０°Ｃ以上２７５０°Ｃ以下の温度に保持し、エルビウム自体を蒸留することを特徴とする上記４）〜７）のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。
上記のように、第１回目の蒸留に際しては、加熱炉を使用し、真空加熱し、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離するが、通常の場合、その温度は７００°Ｃ以上１２００°Ｃ以下とする。保持時間は１０〜２０ｈとするが、原料の量により、適宜調節することができる。また、第２回目の蒸留に際しては、同様の加熱炉を使用して真空加熱し、エルビウムを蒸発させて精製する。通常の場合、その温度は１５５０°Ｃ以上２７５０°Ｃ以下とする。保持時間は１０〜２０ｈとするが、原料の量により、適宜調節することができる。
９）前記第１回目の蒸留において、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを含む蒸気圧の高い不純物を除去し、不純物含有量の低減化を図ることを特徴とする上記８）記載の高純度エルビウムの製造方法。
１０）前記第２回目の蒸留において、エルビウムを蒸留し、Ｔａ、Ｔｉを含む蒸気圧の低い不純物を分離することを特徴とする上記８）記載の高純度エルビウムの製造方法。
本発明は、蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化することが容易であり、その方法を提供するともに、それによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を、効率的かつ安定して提供できるという優れた効果を有する。
Ｅｒと他の金属元素の蒸気圧を示す図である。
本発明の高純度エルビウムは、上記の通り希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であるが、このようにして得た高純度エルビウムは新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。
希土類元素及びガス成分を除いた不純物の量が１０ｗｔｐｐｍを超える場合には、低減化が容易である不純物について優先的に低減化を図り、全体として純度５Ｎを維持することが望ましい。
上記の蒸留により得たエルビウムは、真空中で溶解し、これを凝固させてインゴットとする。このインゴットは、さらに所定サイズに裁断し、研磨工程を経てスパッタリングターゲットにすることができる。
したがって、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムスパッタリングターゲットを得ることができる。
さらに、上記のターゲットを使用してスパッタリングすることにより、基板上に、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜を得ることができる。
また、上記高純度エルビウムを用いて他の金属との合金若しくは化合物又は他のセラミックスとの混合物又はこれらの焼結体スパッタリングターゲットを作製し、このターゲットを用いて高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜を作製できる。これらの場合、前記高純度エルビウムの組成が反映されることは理解されるべきものである。
これらのスパッタリングターゲット及びメタルゲート膜は、いずれも新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。
本願発明は、エルビウム原料として、純度３Ｎ以下の粗エルビウム原料を使用することができる。通常、これらの原料には、希土類元素を除き、主な不純物として、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｏ、Ｃ、Ｎ等が含有されている。また、溶解するるつぼ材から、Ｔａ、Ｗの不純物が混入する。
本発明の高純度エルビウムの製造に際しては、粗エルビウムを溶融塩電解し、得られた電析物を蒸留することにより、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属が、それぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムを得ることができる。
この溶融塩電解に際しては、塩化カリウム（ＫＣｌ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、塩化エルビウム（ＥｒＣｌ３）及びエルビウム（Ｅｒ）原料を用いて溶融塩を作製し、浴温度を７００°Ｃ以上９００°Ｃ以下として溶融塩電解することが有効である。上記に限定される必要はないが、好ましい方法と言える。浴温度を７００°Ｃ以上９００°Ｃ以下とするのは、効率的な溶融塩電解を行うための温度でもある。
前記溶融塩電解のアノードに、タンタル（Ｔａ）を、カソードにタンタル（Ｔａ）又はチタン（Ｔｉ）を用いて電解することができる。この場合の材料の選択は、製造コストと汚染物質との関係を考慮し、任意に選択することができる。
上記溶融塩電解においては、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗを除去し、含有量の低減化を図ることができ、これらの不純物の除去に溶融電解が極めて有効である。Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗの元素の低減化は、エルビウムターゲットから薄膜を製作した際のリーク電流の低下、耐圧の上昇に効果的である。
また、電析物の蒸留に際しては、第１回目の蒸留において蒸留温度を７００°Ｃ以上１２００°Ｃ以下に保持して、エルビウムよりも蒸気圧の高い不純物を除去する。
７００°Ｃ以上とするのは、不純物の除去を効果的に行うための温度であり、１２００°Ｃ以下に保持するのは、エルビウムの蒸発によるロスを減少させるためである。この第１回目の蒸留において、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを含む蒸気圧の高い不純物を効果的に除去することができる。
この後、必要に応じて第２回目の蒸留を１５５０°Ｃ以上２７５０°Ｃ以下の温度に保持して、エルビウム自体を蒸留し、さらに高純度のエルビウムを得ることができる。この第２回目の蒸留は、さらにエルビウムの高純度化が必要である場合に行う。
この第２回目の蒸留では、エルビウムが蒸留され純度が向上したエルビウムがコンデンサ部に貯留する。この蒸留物を坩堝で溶解し、凝固させてインゴットとする。
この溶解及び凝固の操作は、不活性雰囲気中で行うのが良い。これによって、酸素含有率の上昇を抑制することができる。真空中で溶解・凝固の操作を行うこともできるが、歩留まりが悪くなる傾向があるので、上記の通り不活性雰囲気で行うのが望ましいと言える。しかし、真空中での操作を否定するものではない。
１５５０°Ｃ以上とするのは、エルビウムの蒸留を効果的にするためであり、これによりＴａ、Ｔｉを含む蒸気圧の低い不純物を分離することができる。２７５０°Ｃ以下の温度とするのは、熱のロスを避けるためであり、また蒸気圧の低い物質との分離を効果的にするためである。
エルビウムに含まれる不純物元素の代表例となる元素の温度と蒸気圧の関係を図１に示す。この図により、エルビウムに近いＣｕは、蒸留では除去が難しいと言える。したがって、Ｃｕは蒸留を行う以前に除去することが必要である。
以上により、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下とすることができる。前記アルカリ金属元素は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）であり、アルカリ土類金属元素は、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）である。
これらは電気的に陽性であり、例えばエルビウムを電子部品に使用した場合には、原子半径が小さいものは素子中を容易に移動し、素子の特性を不安定にする問題がある。それぞれの金属元素の総量としては、１０ｗｔｐｐｍまでの混入は許容できるが、できるだけ少ない方が良く、さらに、それぞれ１ｗｔｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
前記遷移金属元素は、周期表３族〜１１族にある金属であるが、代表的なものとして、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）などがある。これらは、リーク電流の増加を引き起こし、耐圧低下の原因となる。Ｆｅ、Ｃｕがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、までは許容できるが、できるだけ少ない方が良い。
本発明では、放射性元素は特に規定していないが、同様に低減化可能である。放射性元素の代表的なものとしては、ウラン（Ｕ）、アクチニウム（Ａｃ）、トリウム（Ｔｈ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）が代表的なものであるが、メモリーセルの蓄積電荷が反転するというソフトエラーが発生する。したがって、これらの量を少なくすると共に、これらの元素から発生するα線量を制限する必要がある。総量としては、２０ｗｔｐｐｂまでの混入までは許容できるが、できるだけ少ない方が良い。
上記の通り、それぞれの元素は個々に分析及び管理することができ、これらの元素については、それぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下、さらにはそれぞれ１ｗｔｐｐｂ以下とすることが望ましい。特に、影響の大きいＵ、Ｔｈを低減する必要がある。
本願発明のターゲットのα線量をガスフォロー比例計数管方式の測定装置を用いて測定した結果、α線量は０．０１ｃｐｈ／ｃｍ２未満であった。
上記において、高純度エルビウムから希土類元素を除外するのは、高純度エルビウムの製造の際に、他の希土類自体がエルビウムと化学的特性が似ているために、除去することが技術的に非常に難しいということ、さらにこの特性の近似性からして、不純物として混入していても、大きな特性の異変にはならないということからである。
このような事情から、ある程度、他の希土類の混入は黙認されるが、エルビウム自体の特性を向上させようとする場合は、少ないことが望ましいことは、言うまでもない。
また、ガス成分を除いた純度が５Ｎ以上とするのは、ガス成分は除去が難しく、これをカウントすると純度の向上の目安とならないからである。また、一般に他の不純物元素に比べ多少の存在は無害である場合が多いからである。
ゲート絶縁膜又はメタルゲート用薄膜等の電子材料の薄膜を形成する場合には、その多くはスパッタリングによって行われ、薄膜の形成手段として優れた方法である。したがって、上記のエルビウムインゴットを用いて、高純度エルビウムスパッタリングターゲットを製造することは有効である。
ターゲットの製造は、鍛造・圧延・切削・仕上げ加工（研磨）等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。
メタルゲート膜としての使用は、上記高純度エルビウムの組成そのものとして使用することができるが、他のゲート材と混合又は合金若しくは化合物としても形成可能である。この場合は、他のゲート材のターゲットとの同時スパッタ又はモザイクターゲットを使用してスパッタすることにより達成できる。本願発明はこれらを包含するものである。不純物の含有量は、原材料に含まれる不純物量によって変動するが、上記の方法を採用することにより、それぞれの不純物を上記数値の範囲に調節が可能である。
本願発明は、上記のエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供するものである。
次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。
（実施例１）
原料として希土類除きで純度２Ｎ５〜３Ｎのエルビウム（Ｅｒ）を用い、以下の条件で溶融塩電解を行った。
（１）浴組成： ＫＣｌ ８ｋｇ
ＬｉＣｌ ６ｋｇ
ＥｒＣｌ３ ４ｋｇ
Ｅｒ原料 ５ｋｇ
（２）浴温度：８００°Ｃ
（３）アノード：Ｔａ棒
（４）カソード：電着部はＴａ又はＴｉ棒を使用した。
Ｔａカソードを使用した溶融塩電解では、Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｗなどの除去効果が高いことが分かった。また、Ｔｉカソードを使用した場合も、同様の結果が得られるが、数回使用した後にＴｉカソードの腐食が進み汚染の原因になるので、Ｔｉは繰り返し使用に適してないが、交換頻度を高める（１〜数回の使用後に交換する）ことにより、カソードとして使用することができる。
（５）電流密度：０．５０Ａ／ｃｍ２
この電流密度は、適宜選択できるが、これ以上では純度が劣化するので、この条件以下で行うのが望ましいと言える。
（６）電解時間：６時間で電析重量は１００ｇ程度を得ることができる。電流効率７０％程度である。
（７）電圧：１．０Ｖ程度としたが、特に制限はない。
（８）蒸留
１）第１回目の蒸留
蒸留温度１０００°Ｃ以下で実施。
Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ（塩起因）、Ｃａ，Ｍｇ（原料、るつぼなどの部材からの汚染）を除去することができた。
２）第２回目の蒸留
蒸留温度１５００°ＣでＥｒを蒸留
これによって、Ｔａ等の（炉材からの汚染）を除去することができた。
蒸留によって、Ｆｅ、Ｕ、Ｔｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ及びガス成分（炭素）を効果的に除去することができる。
Figure 2013001661
（９）溶解
上記蒸留工程におけるコンデンサに貯留したエルビウム蒸留物を取り出し、水冷Ｃｕ坩堝を使用し、Ａｒ雰囲気中で誘導溶解し、凝固させてインゴットとした。
以上に基づいて、本実施例では、溶融塩電解と２回の蒸留（上記第１回目の蒸留と第２回目の蒸留）を実施した。この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下である高純度エルビウムを製造することができた。
この結果を、表１に示す。この表１から明らかなように、Ｆｅ：０．０８〜０．２４ｗｔｐｐｍ、Ｕ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｔｈ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｎａ＜０．０１ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜０．１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：＜０．１ｗｔｐｐｍ、Ｍｇ：＜０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｃｕ：０．０７〜０．１６ｗｔｐｐｍ、Ａｌ：＜０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｃ：６０〜１５０ｗｔｐｐｍとなり、これらの不純物を大きく低減できることが分かる。
このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。
（実施例２）
原料として希土類除きで純度２Ｎ５〜３Ｎのエルビウム（Ｅｒ）を用い、以下の条件で溶融塩電解を行った。
（１）浴組成： ＫＣｌ １０ｋｇ
ＬｉＣｌ ８ｋｇ
ＥｒＣｌ３ ６ｋｇ
Ｅｒ原料 ７ｋｇ
（２）浴温度：８００°Ｃ
（３）アノード：Ｔａ棒
（４）カソード：電着部はＴａ又はＴｉ棒を使用した。
Ｔａカソードを使用した溶融塩電解では、Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｗなどの除去効果が高いことが分かった。また、Ｔｉカソードを使用した場合も、同様の結果が得られるが、数回使用した後にＴｉカソードの腐食が進み汚染の原因になるので、Ｔｉは繰り返し使用に適してないが、交換頻度を高める（１〜数回の使用後に交換する）ことにより、カソードとして使用することができる。
（５）電流密度：０．５０Ａ／ｃｍ２
この電流密度は、適宜選択できるが、これ以上では純度が劣化するので、この条件以下で行うのが望ましいと言える。
（６）電解時間：６時間で電析重量は１００ｇ程度を得ることができる。電流効率７０％程度である。
（７）電圧：１．０Ｖ程度としたが、特に制限はない。
（８）蒸留
１）第１回目の蒸留
蒸留温度１０００°Ｃ以下で実施。
Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ（塩起因）、Ｃａ，Ｍｇ（原料、るつぼなどの部材からの汚染）を除去することができた。
２）第２回目の蒸留
蒸留温度１５００°ＣでＥｒを蒸留
これによって、Ｔａ等の（炉材からの汚染）を除去することができた。
蒸留によって、Ｆｅ、Ｕ、Ｔｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ及びガス成分（炭素）を効果的に除去することができる。
（９）溶解
上記蒸留工程におけるコンデンサに貯留したエルビウム蒸留物を取り出し、水冷Ｃｕ坩堝を使用し、Ａｒ雰囲気中でプラズマアーク溶解し、凝固させてインゴットとした。
以上に基づいて、本実施例２では、溶融塩電解と２回の蒸留（上記第１回目の蒸留と第２回目の蒸留）を実施した。この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下である高純度エルビウムを製造することができた。
この結果を、表１に示す。この表１から明らかなように、Ｆｅ：０．２９〜０．４８ｗｔｐｐｍ、Ｕ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｔｈ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｎａ＜０．０１ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜０．１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：＜０．１〜０．３９ｗｔｐｐｍ、Ｍｇ：＜０．０５〜０．０８ｗｔｐｐｍ、Ｃｕ：０．３１〜０．６５ｗｔｐｐｍ、Ａｌ：＜０．１６〜０．２２ｗｔｐｐｍ、Ｃ：１６〜１２０ｗｔｐｐｍとなり、これらの不純物を大きく低減できることが分かる。
このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。
（比較例１）
本比較例１では、後述するように、蒸留を１回のみを行って精製した例である。
まず、原料として希土類除きで純度２Ｎ５〜３Ｎのエルビウム（Ｅｒ）を用い、蒸留温度１５００°ＣでＥｒを蒸留した。
この結果を、表１に示す。この表１から明らかなように、Ｆｅ：３２〜６００ｗｔｐｐｍ、Ｕ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｔｈ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｎａ０．０５〜０．２ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜０．１〜０．４ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：＜１〜３４０ｗｔｐｐｍ、Ｍｇ：＜０．５〜０．１６ｗｔｐｐｍ、Ｃｕ：１００〜５００ｗｔｐｐｍ、Ａｌ：３７〜２０００ｗｔｐｐｍ、Ｃ：２５０〜３００ｗｔｐｐｍとなった。
このように、蒸留を１回のみを行った場合には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕについては、効果的に除去することは難しいことが分かる。この他、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃも除去効果が低い結果となった。
（比較例２）
本比較例２は、後述するように、電解、蒸留を行わず、プラズマアーク溶解のみを行って、精製した例である。
まず、原料として希土類除きで純度２Ｎ５〜３Ｎのエルビウム（Ｅｒ）を用い、水冷Ｃｕ坩堝を使用し、Ａｒ雰囲気中でプラズマアーク溶解し、凝固させてインゴットとした。
この結果を、表１に示す。この表１から明らかなように、Ｆｅ：３００ｗｔｐｐｍ、Ｕ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｔｈ：２０ｗｔｐｐｂ、Ｎａ：＜０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜０．１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：２．７ｗｔｐｐｍ、Ｍｇ：＜０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｃｕ：１１０ｗｔｐｐｍ、Ａｌ：６６ｗｔｐｐｍ、Ｃ：４１０ｗｔｐｐｍとなった。
このように、蒸留を行わず、プラズマアーク溶解のみを行った場合には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａは精製されるが、他の不純物が十分に除去し切れなかった。この場合には、原料の純度の影響を強く受けるので、純度のばらつきが大きくなるという問題を有する結果となった。
（比較例３）
本比較例３は、後述するように、電解、蒸留がなく、誘導溶解又はプラズマアーク溶解もなく、ＥＢ溶解のみで精製した例である。
まず、原料として希土類除きで純度２Ｎ５〜３Ｎのエルビウム（Ｅｒ）を用い、水冷Ｃｕ坩堝を使用し、真空中でＥＢ溶解し、凝固させてインゴットとした。
この結果を、表１に示す。この表１から明らかなように、Ｆｅ：３８０ｗｔｐｐｍ、Ｕ：＜１ｗｔｐｐｂ、Ｔｈ：２０ｗｔｐｐｂ、Ｎａ：＜０．０９ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜０．４５ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：２．３ｗｔｐｐｍ、Ｍｇ：０．１３ｗｔｐｐｍ、Ｃｕ：４７ｗｔｐｐｍ、Ａｌ：１３０ｗｔｐｐｍ、Ｃ：３４０ｗｔｐｐｍとなった。
このように、電解、蒸留、誘導溶解又はプラズマアーク溶解をせずに、ＥＢ溶解のみで精製した場合には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａは精製されるが、表１に記載する他の不純物元素は電子ビーム溶解では揮発せず（飛んでいかない）、むしろ濃縮されるので、原料より不純物は濃縮され、悪くなる結果となった。また、Ｅｒ自体の蒸気圧が高いので、揮発し、歩留まりが悪くなる（５０％程度になる）ので、この点も、悪い結果となった。
（実施例の結果の総合評価）
以上の実施例においては特に示していないが、エルビウムの蒸留を行う際の温度１５５０〜２７５０°Ｃの温度の範囲で、同等の結果が得られたことを確認した。
また、実施例においては特に示していないが、純度３Ｎ以下の原料を用いた場合には、いずれも本願発明の精製条件で純度５Ｎの高純度エルビウムを得ることを確認した。
さらに、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムとすることが可能であることを確認した。
これらの高純度エルビウムは、ターゲットに加工した場合でも、その純度は維持可能であり、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムスパッタリングターゲットが得られた。
さらに、これを基板上にスパッタ成膜した場合も、そのターゲットの純度は反映され、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜が得られることを確認した。
以上については、重複する煩雑さを避けるために、実施例として掲載していないが、具体的な条件として確認されたものである。
本発明によって得られる高純度エルビウムの製造方法は、高融点で蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいという従来の方法を解決することが可能であり、エルビウムを高純度化することが容易となる。その具体的な方法を提供するともに、それによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できるという優れた効果を有するものである。特にシリコン基板に近接して配置される電子材料として、電子機器の機能を低下又は乱すことがないので、ゲート絶縁膜、メタルゲート用薄膜又は高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）材料等として有用である。

Claims (10)

  1. 希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウム。
  2. 希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウムスパッタリングターゲット。
  3. 希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜。
  4. 粗エルビウムを溶融塩電解し、得られた電析物を蒸留することにより、希土類元素及びガス成分を除いた純度が５Ｎ以上であり、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、Ｗが１０ｗｔｐｐｍ以下、炭素が１５０ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、前記以外の遷移金属元素が合計で１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素であるＵ、Ｔｈがそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下である高純度エルビウムを得ることを特徴とする高純度エルビウムの製造方法。
  5. 塩化カリウム（ＫＣｌ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、塩化エルビウム（ＥｒＣｌ３）及びエルビウム（Ｅｒ）原料を用いて溶融塩を作製し、浴温度を７００°Ｃ以上９００°Ｃ以下として溶融塩電解することを特徴とする請求項４記載の高純度エルビウムの製造方法。
  6. 溶融塩電解のアノードにタンタル（Ｔａ）を、カソードにタンタル（Ｔａ）又はチタン（Ｔｉ）を用いて電解することを特徴とする請求項４又は５記載の高純度エルビウムの製造方法。
  7. 溶融塩電解において、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗを除去し含有量の低減化を図ることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。
  8. 電析物の蒸留に際し、第１回目の蒸留において蒸留温度を７００°Ｃ以上１２００°Ｃ以下に保持して、エルビウムよりも蒸気圧の高い不純物を除去した後、第２回目の蒸留において１５５０°Ｃ以上２７５０°Ｃ以下の温度に保持し、エルビウム自体を蒸留することを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の高純度エルビウムの製造方法。
  9. 前記第１回目の蒸留において、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇを含む蒸気圧の高い不純物を除去し、不純物含有量の低減化を図ることを特徴とする請求項８記載の高純度エルビウムの製造方法。
  10. 前記第２回目の蒸留において、エルビウムを蒸留し、Ｔａ、Ｔｉを含む蒸気圧の低い不純物を分離することを特徴とする請求項８記載の高純度エルビウムの製造方法。
JP2013522674A 2011-06-30 2011-09-15 高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜及び高純度エルビウムの製造方法 Expired - Fee Related JP5623643B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013522674A JP5623643B2 (ja) 2011-06-30 2011-09-15 高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜及び高純度エルビウムの製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011145681 2011-06-30
JP2011145681 2011-06-30
JP2013522674A JP5623643B2 (ja) 2011-06-30 2011-09-15 高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜及び高純度エルビウムの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5623643B2 JP5623643B2 (ja) 2014-11-12
JPWO2013001661A1 true JPWO2013001661A1 (ja) 2015-02-23

Family

ID=47423599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013522674A Expired - Fee Related JP5623643B2 (ja) 2011-06-30 2011-09-15 高純度エルビウム、高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜及び高純度エルビウムの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20140124366A1 (ja)
EP (1) EP2728023A4 (ja)
JP (1) JP5623643B2 (ja)
KR (1) KR101547051B1 (ja)
AU (1) AU2011372143B2 (ja)
CA (1) CA2840560C (ja)
WO (1) WO2013001661A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013005349A1 (ja) 2011-07-06 2013-01-10 Jx日鉱日石金属株式会社 高純度イットリウム、高純度イットリウムの製造方法、高純度イットリウムスパッタリングターゲット、高純度イットリウムスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイス
CN103060851A (zh) * 2013-01-18 2013-04-24 哈尔滨工程大学 熔盐电解共还原制备含有强化相铝锂铒铥合金的方法
DE102013211922A1 (de) * 2013-06-24 2014-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zur Reduktion eines Metallions aus einer Salzschmelze
KR101541896B1 (ko) * 2013-12-26 2015-08-05 재단법인 포항산업과학연구원 희토류 환원 장치 및 방법
CN115449764B (zh) * 2022-09-14 2023-09-01 中国工程物理研究院材料研究所 一种锕系合金梯度膜及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03140494A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Electroplating Eng Of Japan Co 片面メッキ装置
JPH04176889A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Nikko Kyodo Co Ltd 高純度ｙの製造方法
JPH04176887A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Nikko Kyodo Co Ltd 高純度ｙの製造方法
JPH04176888A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Nikko Kyodo Co Ltd 高純度ｙの製造方法
JP3140491B2 (ja) * 1991-06-28 2001-03-05 オリンパス光学工業株式会社 自動合焦装置
JPH0790410A (ja) * 1993-09-14 1995-04-04 Sumitomo Light Metal Ind Ltd 低酸素希土類金属の製造方法
JP4874879B2 (ja) * 2007-06-21 2012-02-15 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法
US20100087227A1 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 Alvarion Ltd. Wireless base station design
EP2383354B1 (en) * 2009-01-29 2018-03-07 JX Nippon Mining & Metals Corporation Method for manufacturing high-purity erbium, high-purity erbium, sputtering target composed of high-purity erbium

Also Published As

Publication number Publication date
AU2011372143B2 (en) 2015-12-03
AU2011372143A1 (en) 2013-12-19
JP5623643B2 (ja) 2014-11-12
WO2013001661A1 (ja) 2013-01-03
US20140124366A1 (en) 2014-05-08
EP2728023A4 (en) 2015-04-15
EP2728023A1 (en) 2014-05-07
CA2840560A1 (en) 2013-01-03
US20180087136A1 (en) 2018-03-29
CA2840560C (en) 2016-05-17
KR101547051B1 (ko) 2015-08-24
KR20140007011A (ko) 2014-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5160554B2 (ja) 高純度イッテルビウム、高純度イッテルビウムからなるスパッタリングターゲット、高純度イッテルビウムを含有する薄膜及び高純度イッテルビウムの製造方法
TWI511926B (zh) High purity lanthanum, a high purity lanthanum, a sputtering target composed of high purity lanthanum, and a metal gate film having a high purity lanthanum as a main component
US20180087136A1 (en) Method of producing high-purity erbium
JP2014177698A (ja) 高純度エルビウムの製造方法及び高純度エルビウム並びに高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜
TW201315820A (zh) 高純度鑭之製造方法、高純度鑭、由高純度鑭構成之濺鍍靶及以高純度鑭為主成分之金屬閘膜
JP6087117B2 (ja) 高純度ネオジムの製造方法、高純度ネオジム、高純度ネオジムを用いて製造したスパッタリングターゲット、高純度ネオジムを成分とする永久磁石
JP6087186B2 (ja) 高純度ネオジムの製造方法、高純度ネオジム、高純度ネオジムからなるスパッタリングターゲット及び高純度ネオジムを成分とする希土類磁石
AU2011372574B2 (en) High-purity yttrium, process for producing high-purity yttrium, high-purity yttrium sputtering target, metal gate film deposited with high-purity yttrium sputtering target, and semiconductor element and device equipped with said metal gate film

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140916

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140924

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5623643

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees