JPWO2012140836A1 - 電解コンデンサ - Google Patents

Abstract

電解コンデンサはコンデンサ素子積層体と、一対の陽極端子と、陰極端子と、外装樹脂体とを有する。コンデンサ素子積層体は、陽極部が相反する側に配置された複数のコンデンサ素子で構成されている。各陽極部がそれぞれの陽極端子に接続され、コンデンサ素子の陰極部は陰極端子に接続されている。各陽極端子は、底部と、コンデンサ素子の陽極部が載置された折畳部とを有する。折畳部は、底部における、陰極端子に向かって延びた端部を折り返して形成されている。

Description

本発明は電解コンデンサに関する。

例えば、ノート型パーソナルコンピュータ（ノートＰＣ）のＣＰＵ周りには積層型の電解コンデンサが使用されている。このような電解コンデンサには、大容量、低ＥＳＲ（等価直列抵抗）、低ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）、高信頼性などの特性が求められる。特に近年は電源の高周波化に伴い、ＥＳＬ特性の向上が求められている。このような電解コンデンサについて図１０、図１１を参照しながら説明する。図１０、図１１は従来の電解コンデンサの断面図である。

従来の電解コンデンサ１は積層された複数枚のコンデンサ素子４と、一対の陽極端子５と、陰極端子６と、外装樹脂体７とを有する。各コンデンサ素子４は一端に陽極部２、他端に陰極部３を有する。陽極部２は陽極端子５の上面に接続され、陰極部３は陰極端子６の上面に接続されている。外装樹脂体７は、陽極端子５と陰極端子６の下面の少なくとも一部が外部に露出するようにコンデンサ素子４を覆っている。

図１０に示すように、電解コンデンサ１では、コンデンサ素子４のそれぞれの陽極部２が交互に相反する方向に配置され、一対の陽極端子５の間に陰極端子６が配置されている。したがって磁界が打ち消し合い、ＥＳＬが低減する。またコンデンサ素子４の陽極部２と陽極端子５とは、レーザー溶接で接合されている。この接合により、電解コンデンサ１のＥＳＲ、ＥＳＬを低減することができる。

また、図１１に示すように、陽極端子５の両端が折り曲げられることで上段部８が形成されている。上段部８の上面には、陽極部２または陽極部２を一体化したリードフレーム２Ａが載置されている。そして上段部８と陽極部２、あるいは上段部８とリードフレーム２Ａとが溶接されている。上段部８の裏面には溶接痕が残るが、外装樹脂体７に埋設され、平坦な領域のみで実装面を形成することができる。したがって実装信頼性が向上するとともに、陽極端子５と外装樹脂体７との接合信頼性を高めることができる（例えば、特許文献１）。

特開２００７−０３５６９１号公報

本発明は、電解コンデンサの実装信頼性、外装樹脂体との接合信頼性を維持しつつ、低ＥＳＬ化を実現することを目的とする。

本発明による電解コンデンサはコンデンサ素子積層体と、一対の陽極端子と、陰極端子と、外装樹脂体とを有する。コンデンサ素子積層体は第１コンデンサ素子と第２コンデンサ素子とを含む。第１コンデンサ素子は、電解コンデンサの第１端に近い側に第１陽極部を有し、第１端の反対側の第２端に近い側に第１陰極部を有する。第２コンデンサ素子は、第１端に近い側に第２陰極部を有し、第２端に近い側に第２陽極部を有する。第１陰極部と第２陰極部とが重ね合わさるように第１コンデンサ素子と第２コンデンサ素子とが積層されている。一対の陽極端子には第１、第２陽極部がそれぞれに接続されている。陰極端子は一対の陽極端子の間に配置され、第１陰極部と第２陰極部とに接続されている。外装樹脂体は一対の陽極端子と陰極端子の少なくとも一部が外部に露出するようにコンデンサ素子積層体を覆っている。一対の陽極端子はそれぞれ、底部と、折畳部とを有する。折畳部は、底部における、陰極端子に向かって延びた端部が折り返して形成されている。折畳部には第１、第２陽極部の一方が載置されている。この構成により、小さいＥＳＬを有する電解コンデンサを実現できる。

図１は本発明の実施の形態における電解コンデンサの、外装樹脂体を除いた状態を示す上面斜視図である。 図２は、図１に示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの下面斜視図である。 図３Ａは図１に示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの模式上面図である。 図３Ｂは図３Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図３Ｃは図３Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図４は本発明の実施の形態における電解コンデンサの上面斜視図である。 図５は図４に示す電解コンデンサの下面斜視図である。 図６は図１に示す電解コンデンサの陽極端子、陰極端子を示す上面斜視図である。 図７は図１に示す電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の断面図である。 図８Ａは本発明の実施の形態における、外装樹脂体を除いた他の電解コンデンサの模式上面図である。 図８Ｂは図８Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図８Ｃは図８Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図８Ｄは図８Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図９Ａは本発明の実施の形態における、外装樹脂体を除いたさらに他の電解コンデンサの模式上面図である。 図９Ｂは図９Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図９Ｃは図９Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。 図１０は従来の電解コンデンサの断面図である。 図１１は図１０に示す電解コンデンサの断面図である。

図１０、図１１に示す従来の構成では、上段部８間においてコンデンサ素子４の陽極部２と陽極端子５との間に隙間９が形成される。したがって陽極部２の電極引き出し距離が長くなり、陽極端子５と陰極端子６間の電流ループ面積が増大し、結果としてＥＳＬが高くなる。

以下に説明する電解コンデンサは上記課題を解決することを目的とする。なお本実施の形態では、電解質として導電性高分子材料を用いた積層型の電解コンデンサを例に説明する。

（実施の形態）
図１、図２、図３Ａは、説明を簡易にするために外装樹脂体を除いた、本発明の実施の形態における電解コンデンサの上面斜視図、下面斜視図、上面図である。図３Ｂ、図３Ｃは図３Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。図４、図５は外装樹脂体を含む、本発明の実施の形態における電解コンデンサの上面斜視図、下面斜視図である。

図４、図５に示すように、電解コンデンサ１０は、第１端１０１と第１端１０１の反対側の第２端１０２とを有する。また図１〜図３Ｃに示すように、電解コンデンサ１０は、コンデンサ素子積層体（以下、積層体）４２と、一対の陽極端子１５、１６と、陰極端子１７と外装樹脂体１８とを有する。積層体４２は第１コンデンサ素子（以下、素子）１３と、素子１３に積層された第２コンデンサ素子（以下、素子）１４とを含む。素子１３は第１端１０１に近い側に第１陽極部１１Ａ、第２端１０２に近い側に第１陰極部１２Ａをそれぞれ有する。素子１４は第１端１０１に近い側に第２陰極部１２Ｂ、前記第２端１０２に近い側に第２陽極部１１Ｂをそれぞれ有する。第１陰極部１２Ａと第２陰極部１２Ｂとは重なっている。陽極端子１５には第１陽極部１１Ａが接続され、陽極端子１６には第２陽極部１１Ｂが接続されている。陰極端子１７は陽極端子１５、１６の間に配置され、第１陰極部１２Ａと第２陰極部１２Ｂとに接続されている。外装樹脂体１８は陽極端子１５、１６と陰極端子１７の少なくとも一部が外部に露出するように積層体４２を覆っている。

陽極端子１５は、底部１５Ａと、第１陽極部１１Ａが載置された折畳部２１１とを有する。折畳部２１１は、底部１５Ａにおける、陰極端子１７に向かって延びた端部２０を折り返して形成されている。同様に、陽極端子１６は、底部１６Ａと、第２陽極部１１Ｂが載置された折畳部２１１とを有する。折畳部２１１は、底部１６Ａにおける、陰極端子１７に向かって延びた端部２２を折り返して形成されている。

すなわち、図１に示すように、素子１３は一端に陽極部１１Ａ、他端に陰極部１２Ａを有し、素子１４は一端に陽極部１１Ｂ、他端に陰極部１２Ｂを有する。陰極部１２Ａと陰極部１２Ｂは積層され、陽極部１１Ａ、１１Ｂは互いに相反する側に配置されている。素子１３と素子１４は積層されている。この構成により、従来の電解コンデンサ１と同様に磁界を打ち消し合い、低ＥＳＬ特性を実現できる。

素子１３、１４は、それぞれ一枚でもよく複数枚用いてもよいが、枚数は同じか、あるいは一枚違い程度が好ましい。枚数が同程度の方が、磁界が打ち消し合うからである。また素子１３と素子１４とは一枚ずつ、もしくは同数枚ずつ交互に積層してもよく、ランダムに積層してもよい。

複数の素子１３のうち、最下段に配置された素子１３の陽極部１１Ａの下面は、陽極端子１５と接続されている。この接続形態は、素子１３の陽極部１１Ａを直接に陽極端子１５と接合する形態に限定されない。複数の陽極部１１Ａを別の導電性材料からなるリードフレーム（図示せず）で一体化し、このリードフレームを陽極端子１５の上面と接続する形態も含む。あるいは、陽極端子１５の上面にスペーサ（図示せず）を配置し、このスペーサの上面に陽極部１１Ａを配置する形態なども含む。

複数の素子１４のうち、最下段に配置された素子１４の陽極部１１Ｂの下面は、陽極端子１６と接続される。この接続形態も上記と同様に、陽極部１１Ｂを直接に陽極端子１６と接合する形態に限定されない。リードフレームやスペーサを介して陽極部１１Ｂと陽極端子１６とを間接的に接続してもよい。

最下段に配置された素子１３の陰極部１２Ａまたは素子１４の陰極部１２Ｂの下面は、陰極端子１７の上面と直接的に、またはリードフレームやスペーサを介して間接的に接続されている。図１、図２に示すように、陰極端子１７は、陽極端子１５、陽極端子１６の間に配置されている。

そして図４、図５に示すように、外装樹脂体１８は、陽極端子１５、陽極端子１６、および陰極端子１７の下面の少なくとも一部が外部に露出するように素子１３、素子１４を覆っている。

図２、図３Ｃ、図６に示すように、陽極端子１５は、陽極端子上段部（以下、上段部）１９を有する。上段部１９は陽極端子１５と陰極端子１７とを結ぶ第1方向（以下、Ｘ方向）と交差する第２方向（以下、Ｙ方向）の両端をそれぞれ外装樹脂体１８側に折り曲げることで形成されている。より詳細には、上段部１９は陽極端子１５のＹ方向の端部を陽極端子１５の底部１５Ａから斜めまたは垂直に上方へ折り曲げ、さらに外方へ、上面が、実装面となる底部１５Ａの底面と平行になるように折り曲げて形成されている。

陽極部１１Ａは、上段部１９間を橋渡しするように、上段部１９の上面に載置されている。なお、本実施の形態においてＸ方向とＹ方向とは直交している。

そして図６に示すように、上段部１９の間の陰極端子１７側に延びた端部２０が矢印ａ１方向に１８０度逆向きに折り返され、一対の上段部１９間の隙間に挿入されている。端部２０が折り返されることにより、陽極端子１５は二重に重なった状態となって折畳部２１１が形成されている。

折り返された端部２０のＸ方向における幅（以下、折り返し幅ｄ１）は、外装樹脂体１８から露出した陽極端子１５の下面（実装面）の幅ｄ２の３０％以上であることが好ましい。すなわち陽極端子１５の実装面の幅ｄ２の３０％以上は二重に折り重ねられていることが好ましい。折り返された端部２０の上面には陽極部１１Ａが載置され、レーザー溶接や抵抗溶接などで電気的に接続される。このように溶接接続することで、陽極部１１Ａと陽極端子１５の実装面との電気的パスが短くなり、電流ループ面積を低減できる。したがって折り返し幅ｄ１が広い方が、陽極部１１Ａと陽極端子１５との接触面積が大きくなり、低ＥＳＲ、低ＥＳＬ化に寄与する。

また図１に示すように、素子１３の陽極部１１Ａを囲うように、上段部１９から外方へ延出した陽極端子１５の挟持部２１がＣの字形に折り曲げられている。すなわち、陽極端子１５は上段部１９をＸ方向に開口するように折り曲げ加工することで、上段部１９との間で陽極部１１Ａを挟持する一対の挟持部２１をさらに有する。

陽極部１１Ａは、挟持部２１と上段部１９との間に挟み込まれ、図３Ｃに示すようにレーザー溶接や抵抗溶接によって一体化される。上段部１９の下面には溶接痕が残るが、上段部１９は外装樹脂体１８に埋設されるため、溶接痕は外部に露出しない。その結果、陽極端子１５の実装面を平らにすることができ、実装信頼性を高めることができる。

また図３Ｃに示すように陽極部１１Ａと端部２０とを溶接してもよい。これによりさらに低ＥＳＲ、低ＥＳＬ化することができる。ただし、底部１５Ａの底面は実装面となって外装樹脂体１８から露出する。そのため、上方からレーザー溶接によって陽極部１１Ａと端部２０とを溶接し、溶接痕が折畳部２１１の下面に形成されないよう溶接条件を設定することが好ましい。

あるいは、陽極部１１Ａと、上段部１９、挟持部２１の少なくとも一方とを溶接し、陽極部１１Ａと折畳部２１１とを溶接しなくてもよい。この場合でも上段部１９間において陽極部１１Ａと陽極端子１５に形成された隙間を、折り返した陽極端子１５の端部２０によって埋め、陽極部１１Ａと折畳部２１１とを接触させることができる。これにより陽極部１１Ａの引き出し距離が短くなり、陽極端子１５と陰極端子１７との間の電流ループ面積を縮減できる。その結果、電解コンデンサ１０を低ＥＳＬ化できる。

また陽極端子１５の陰極端子１７と近い側の端部２０を折り返し、陽極部１１Ａと接続したため、陽・陰極間距離を効率よく短縮でき、低ＥＳＬ化を実現できる。また、上段部１９が陽極端子１５のＹ方向における両端に設けられているため、陽極端子１５の実装面である底部１５Ａの底面を可能な限り陰極端子１７に近づけることができる。

素子１３を複数枚積層する構成では、陽極部１１Ａの積層バラツキを低減するため、陽極部１１Ａを図示しないリードフレームで一体化し、このリードフレームと陽極端子１５とを接合してもよい。リードフレームは銅板やニッケル板、銅めっき鉄板などから形成できる。

しかしリードフレームを用いると、部材のコストが掛かる上に、リードフレームの厚み分のＥＳＲ、ＥＳＬが増大する。そのため、上述のように陽極端子１５を折り曲げて陽極部１１Ａを囲い、一体化することが好ましい。この構成により、低コストで低ＥＳＲ、低ＥＳＬ特性を高めることができる。

以上のような溶接により、素子１３の陽極部１１Ａと陽極端子１５とを接続することができ、電極の引き出し距離を短縮でき、低ＥＳＬ化に寄与する。また複数の陽極部１１ＡをＣの字形に囲うことで電極引き出し面積が大きくなり、低ＥＳＲ化に寄与する。

図２、図６に示すように、陽極端子１６も同様に、陽極端子１６と陰極端子１７とを結ぶＸ方向と交差するＹ方向の両端に、それぞれ外装樹脂体１８側に折り曲げられた上段部１９を有する。上段部１９間を橋渡しするように、上段部１９の上面に素子１４の陽極部１１Ｂが載置される。

そして図６に示すように、上段部１９の間の陰極端子１７側に延びた端部２２が矢印ａ２方向に１８０度逆向きに折り返されて形成された折畳部２１１が、一対の上段部１９間の隙間に挿入されている。端部２２が折り返されることにより、陽極端子１６は二重に重なった状態となっている。

端部２２の折り返し幅ｄ３は、外装樹脂体１８から露出した陽極端子１６の下面（実装面）の幅ｄ４の３０％以上であることが好ましい。

また素子１４の複数の陽極部１１Ｂを囲うように、上段部１９から外方へ延出した陽極端子１６の挟持部２１がＣの字形に折り曲げられていることが好ましい。これらの構成や、溶接部位などの選択と、それらの効果も陽極端子１５と同様である。

図６に示すように陰極端子１７は、対となる陽極端子１５および陽極端子１６と隣接する下段部２４、２５を有する。下段部２４、２５の下面は外装樹脂体１８から外部に露出し、実装面となる。下段部２４、２５の間の中央部分は外装樹脂体１８中へと上方へ折り曲げられ、陰極上段部（以下、上段部）２６を構成している。上段部２６は外装樹脂体１８の内部に埋設されるため、上段部２６の下面は外装樹脂体１８で覆われる。このように、陰極端子１７は、下段部２４、２５の間に、外装樹脂体１８に埋設され、かつ下段部２４、２５から上方に変位し、上面に陰極部１２Ａまたは陰極部１２Ｂが載置された上段部２６を有する。最下段となるコンデンサ素子の陰極部１２Ａまたは陰極部１２Ｂは上段部２６の上面に、例えば導電性接着剤（図示せず）などによって接続されている。

上段部２６のＹ方向における端部３１は上方へ垂直に折り曲げられている。この部分を用いて複数の陰極部１２Ａ、１２Ｂを位置決めすることができる。端部３１と陰極部１２Ａ、１２Ｂとの間や、陰極部１２Ａ、１２Ｂの間も導電性接着剤によって接続し、一体化することで、低ＥＳＲ、低ＥＳＬ特性を実現できる。端部３１を外装樹脂体１８の内部に埋設させることで、外装樹脂体１８と陰極端子１７との接着面積が増え、外装樹脂体１８の剥離を抑制できる。

さらに上段部２６が陽極端子１５、陽極端子１６から離れた中央部分に設けられていることにより、陰極端子１７の実装面を可能な限り陽極端子１５、陽極端子１６に近づけることができる。その結果、ＥＳＬを低減できる。

また図３Ｂに示すように、下段部２４、２５の上面と陰極部１２Ｂとの間の隙間も、導電性部材４１によって電気的に接続されている。導電性部材４１は例えば導電性接着剤で形成される。これにより陰極部１２Ａ、１２Ｂと陰極端子１７との間の電気的パスが短くなり、電流ループ面積を低減できる。

図７に示すように、素子１３、１４は、基材２７と、誘電膜２８と、固体電解質層２９と、陰極層３０とを有する。基材２７は厚み５０〜２００μｍ程度のアルミニウム箔である。誘電膜２８は基材２７の表面に形成され、その厚みは１０ｎｍ程度である。固体電解質層２９は誘電膜２８上に形成され、陰極層３０は固体電解質層２９上に形成されている。

基材２７はアルミニウム箔以外にも、タンタルワイヤ焼結体やチタン蒸着膜などの弁金属材料で形成してもよい。誘電膜２８は陽極化成やスパッタ、蒸着などによって酸化アルミニウムや酸化タンタル、酸化チタン、窒化チタンなどの酸化物、窒化物から構成されている。固体電解質層２９は、ポリチオフェン、ポリピロールなどの導電性高分子から形成されている。陰極層３０は例えばカーボン層および銀ペーストから形成されている。固体電解質層２９、陰極層３０が形成されていない領域は素子１３、１４の陽極部１１Ａ、１１Ｂを構成し、固体電解質層２９および陰極層３０が形成された領域は陰極部１２Ａ、１２Ｂを構成している。

陽極端子１５、陽極端子１６、陰極端子１７は一枚の銅板やニッケル板、銅めっき鉄板などを所定のパターンに打ち抜いて作製される。上段部１９、２６はこの打ち抜き板を折り曲げて形成される。そして端部２０、２２を１８０度反対向きに折り返して折畳部２１１が形成される。さらに上段部１９のＸ方向外側の端部をＣの字形に折り曲げることで挟持部２１が形成される。

端部２０、２２を圧延しながら折り返せば、厚みを薄く調整でき、上段部１９の上面と折畳部２１１の上面との高さを調整できる。これにより上段部１９と折畳部２１１の上面のいずれにも陽極部１１Ａ、１１Ｂを接触させることができる。また折り返した端部２０、２２を薄くすることで、陽極部１１Ａ、１１Ｂから実装面までの高さを低くすることができ、低ＥＳＬ化に寄与する。

以上のように形成された電解コンデンサ１０では、例えば、陽極の高さ（実装面から最下段の陽極部までの距離）を０．２ｍｍ、陰極の高さ（実装面から最下段の陰極部までの距離）を０．２ｍｍとすることができる。また陽極端子１５と陰極端子１７との距離や、陽極端子１６と陰極端子１７との距離を０．５ｍｍとすることができる。この構成の電解コンデンサ１０のＥＳＲは例えば３．１ｍΩ、ＥＳＬは２８．７ｐＨである。これらの電気特性は、１ＭＨｚのＥＳＲ特性をインピーダンスアナライザで測定し、５００ＭＨｚのＥＳＬ特性をネットワークアナライザで測定した値である。

一方、図１０、図１１に示す従来の電解コンデンサ１において陽極の高さ、陰極の高さ、陽・陰極間距離を上記と同じ値とした場合、ＥＳＲは３．７ｍΩ、ＥＳＬは４８．３ｐＨである。

次に陽極部と陽極端子の異なる構成について図８Ａ〜図８Ｃを参照しながら説明する。図８Ａは本発明の実施の形態における、外装樹脂体を除いた他の電解コンデンサの模式上面図である。図８Ｂ、図８Ｃは図８Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。

図３Ａ〜図３Ｃを参照しながら説明した構成と図８Ａ〜図８Ｃに示す構成との違いは、陽極端子１５、陽極端子１６に代えて陽極端子１５１、陽極端子１６１を用いている点である。また陽極部１１ＡのＹ方向の長さは上段部１９間の距離よりも短い。この構成では陽極端子１５１は挟持部２１を有さず、陽極部１１Ａと陽極端子１５１は折畳部２１１の端部２０でのみ溶接されている。

この構成も、面積の大きい折畳部２１１と陽極部１１Ａとを電気的に接続することで低ＥＳＬ化、低ＥＳＲ化に寄与する。また上段部１９は外装樹脂体１８に埋め込まれるので、陽極端子１５１からの外装樹脂体１８の剥離を抑制することができる。なお陽極端子１６１については陽極端子１５１と同様なので説明を省略する。

さらに図８Ｄの断面図に示すように、底部１５Ａの底面を基準とする上段部１９の高さを大きくした陽極端子１５１Ａを用いてもよい。この構成では、上段部１９と底部１５Ａの段差の間に陽極部１１Ａを収容してもよい。このように本構成では上段部１９の高さは限定されない。

次に陽極部と陽極端子のさらに異なる構成について図９Ａ〜図９Ｃを参照しながら説明する。図９Ａは本発明の実施の形態における、外装樹脂体を除いたさらに他の電解コンデンサの模式上面図である。図９Ｂ、図９Ｃは図９Ａに示す外装樹脂体を除いた電解コンデンサの断面図である。

図３Ａ〜図３Ｃを参照しながら説明した構成と図９Ａ〜図９Ｃに示す構成との違いは、陽極端子１５、陽極端子１６に代えて陽極端子１５２、陽極端子１６２を用いている点である。この構成では陽極端子１５２は挟持部２１を有さず、陽極部１１Ａと陽極端子１５２は折畳部２１１の端部２０でのみ溶接されている。

この構成も、面積の大きい折畳部２１１と陽極部１１Ａとを電気的に接続することで低ＥＳＬ化、低ＥＳＲ化に寄与する。この構成では底部１５Ａの底面を基準とした上段部１９の上面の高さと折畳部２１１の上面の高さとが、必ずしも同じでなくてもよい。

しかしながら上段部１９の上面の高さと折畳部２１１の上面の高さとが同じであれば陽極部１１Ａが上段部１９にも接触するため、さらに低ＥＳＬ化、低ＥＳＲ化できる。さらに上段部１９の上面の高さと折畳部２１１の上面の高さとが同じであれば、図３Ｃの構成と同様に上段部１９と陽極部１１Ａとを溶接してもよい。

また上段部１９は外装樹脂体１８に埋め込まれるので、陽極端子１５１からの外装樹脂体１８の剥離を抑制することができる。なお陽極端子１６２については陽極端子１５２と同様なので説明を省略する。

本発明による電解コンデンサはＥＳＬ特性に優れるため、例えばノートＰＣのＣＰＵ周りに使用する積層型の電解コンデンサとして有用である。

１０ 電解コンデンサ
１１Ａ，１１Ｂ 陽極部
１２Ａ，１２Ｂ 陰極部
１３ 第１コンデンサ素子（素子）
１４ 第２コンデンサ素子（素子）
１５，１６，１５１，１５１Ａ，１６１，１５２，１６２ 陽極端子
１５Ａ，１６Ａ 底部
１７ 陰極端子
１８ 外装樹脂体
１９ 陽極端子上段部（上段部）
２０，２２ 端部
２１ 挟持部
２４，２５ 下段部
２６ 陰極端子上段部（上段部）
２７ 基材
２８ 誘電膜
２９ 固体電解質層
３０ 陰極層
３１ 端部
４１ 導電性部材
４２ コンデンサ素子積層体（積層体）
１０１ 第１端
１０２ 第２端
２１１ 折畳部

また上段部１９は外装樹脂体１８に埋め込まれるので、陽極端子１５２からの外装樹脂体１８の剥離を抑制することができる。なお陽極端子１６２については陽極端子１５２と同様なので説明を省略する。

Claims (13)

1. 第１端と前記第１端の反対側の第２端とを有し、
   前記第１端に近い側に第１陽極部、前記第２端に近い側に第１陰極部をそれぞれ有する第１コンデンサ素子と、
   前記第１端に近い側に第２陰極部、前記第２端に近い側に第２陽極部をそれぞれ有し、前記第１陰極部と前記第２陰極部とが重ね合わさるように前記第１コンデンサ素子と積層された第２コンデンサ素子と、を含むコンデンサ素子積層体と、
   前記第１、第２陽極部がそれぞれに接続された一対の陽極端子と、
   前記一対の陽極端子の間に配置され、前記第１陰極部と前記第２陰極部とに接続された陰極端子と、
   前記一対の陽極端子と前記陰極端子の少なくとも一部が外部に露出するように前記コンデンサ素子積層体を覆った外装樹脂体と、を備え、
   前記一対の陽極端子はそれぞれ、
   底部と、
   前記底部における、前記陰極端子に向かって延びた端部が折り返して形成され、前記第１、第２陽極部の一方が載置された折畳部と、を有する、
   電解コンデンサ。
2. 前記一対の陽極端子はそれぞれ、
   前記一対の陽極端子と前記陰極端子とを結ぶ第１方向と交差する第２方向の両端に、前記第１、第２コンデンサ素子の積層方向である上方に前記底部から変位して設けられた一対の陽極端子上段部をさらに有し、
   前記折畳部は前記一対の陽極端子上段部の間に配置されるように形成された、
   請求項１記載の電解コンデンサ。
3. 前記底部の底面を基準とする、前記折畳部の上面の高さと前記一対の陽極端子上段部の前記上面高さとは一致しており、前記一対の陽極端子上段部の上面にも前記第１、第２陽極部の一方が載置されている、
   請求項２記載の電解コンデンサ。
4. 前記一対の陽極端子上段部は前記第１、第２陽極部の一方と溶接されている、
   請求項３記載の電解コンデンサ。
5. 前記折畳部は前記第１、第２陽極部の一方と溶接されている、
   請求項３記載の電解コンデンサ。
6. 前記折畳部は前記第１、第２陽極部の一方と溶接されている、
   請求項１記載の電解コンデンサ。
7. 前記一対の陽極端子はそれぞれ、
   前記一対の陽極端子上段部を前記第１方向に開口するように折り曲げ加工することで、前記一対の陽極端子上段部との間で前記第１、第２陽極部の一方を挟持する一対の挟持部をさらに有する、
   請求項２記載の電解コンデンサ。
8. 前記一対の陽極端子上段部および前記一対の挟持部は前記第１、第２陽極部の一方と溶接されている、
   請求項７記載の電解コンデンサ。
9. 前記底部の底面を基準とする、前記折畳部の上面の高さと前記一対の陽極端子上段部の前記上面高さとは一致している、
   請求項７記載の電解コンデンサ。
10. 前記折畳部、前記一対の陽極端子上段部および前記一対の挟持部は、前記第１、第２陽極部の一方と溶接されている、
    請求項９記載の電解コンデンサ。
11. 前記一対の陽極端子の下面は前記外装樹脂体から露出しており、
    前記第１方向における前記折畳部の長さは、前記外装樹脂体から露出した前記一対の陽極端子のそれぞれの前記下面の前記第１方向における長さの３０％以上である、
    請求項１記載の電解コンデンサ。
12. 前記陰極端子は、
    前記一対の陽極端子と隣接する両端部の底面が外部に露出した一対の下段部と、
    前記一対の下段部の間に、前記外装樹脂体に埋設され、かつ前記下段部から上方に変位し、上面に前記第１陰極部または前記第２陰極部が載置された陰極端子上段部を有する、
    請求項１記載の電解コンデンサ。
13. 前記下段部の上面と前記第１陰極部または前記第２陰極部とを接続する導電性部材をさらに備えた、
    請求項１２記載の電解コンデンサ。

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