JPWO2012090903A1 - 有機エレクトロルミネッセンス照明装置、およびその照明装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、有機発光膜を傷つけにくくすることが可能な有機エレクトロルミネッセンス照明装置を提供することを課題とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス照明装置は、透明基板１と、透明基板１の表面に、互いに間隔を取って配置されている透明な複数の第１の電極膜２と、複数の第１の電極膜２の間に配置され、電気抵抗率が第１の電極膜２よりも小さく、複数の第１の電極膜２と電気的に接続されている補助電極膜３と、補助電極膜３を覆っている絶縁膜６と、透明基板１の表面に、複数の第１の電極膜２と補助電極膜３とが配置されている配置領域に隣接して配置され、複数の第１の電極膜２および補助電極膜３に電気的に接続されている給電端子膜と、第１の電極膜２および絶縁膜６を覆っている有機発光膜７と、有機発光膜７を覆っている第２の電極膜８と、を有する。

Description

本発明は、有機発光膜を光源とする有機エレクトロルミネッセンス照明装置およびその照明装置の製造方法に関する。

照明装置の一つとして、有機発光膜を光源とする有機エレクトロルミネッセンス照明装置が知られている。有機エレクトロルミネッセンス照明装置では、有機発光膜は、透明な陽極膜と、陰極膜とに挟まれ、電極間に電界が発生したときに発光する。その光は、陽極膜を透過して外部に照射される。陽極膜には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２（ネサガラス）などの透明導電材料（または透明金属酸化物）が用いられる。上述した透明導電材料（または透明金属酸化物）は、電気抵抗率ρ（Ω・ｍ）が比較的大きい。また、陽極膜は、一般的にその両端から給電される。そのため、両端から離れるにつれて配線抵抗が増加する。配線抵抗の増加に伴って降下電圧も増加するので、有機発光膜全体に電圧が均等に印加されなくなる。有機発光膜の輝度は、電圧に依存しているので、有機発光膜に電圧が均等に印加されないと、有機発光膜の輝度が不均一になる可能性がある。そこで、配線抵抗を低減するために、陽極膜の表面に、陽極膜よりも低抵抗の補助電極膜を格子状に形成する技術が知られている（特開２００４−１４１２８号公報参照）。

図１Ａは、本発明に関連する有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００の上面図である。図１Ｂは、図１Ａに示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図であり、図１Ｃは、図１Ａに示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図１Ａは、有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００の内部を透視した状態を示している。図１Ｂ、図１Ｃは、有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００から有機発光膜１１４および電極膜１１５を分離させた状態を示している。図２Ａから図２Ｅは、図１Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００の各製造工程を示す上面図である。

図１Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００を製造する場合、まず、透明基板１１０の表面に、１つの電極膜１１１と、給電端子膜１２１と、給電端子膜１３１とを成膜する（図２Ａ参照）。電極膜１１１と給電端子膜１２１とは、一体であり、給電端子膜１３１は、電極膜１１１および給電端子膜１２１から離れている。電極膜１１１および給電端子膜１２１、１３１には、透明導電材料（または透明金属酸化物）（例えばＩＴＯ）が用いられる。次に、電極膜１１１の表面に、電極膜１１１よりも電気抵抗率の低い金属材料（例えばクロム）を用いて補助電極膜１１２を格子状に成膜する（図２Ｂ参照）。次に、補助電極膜１１２の表面に、絶縁膜１１３を成膜する（図２Ｃ参照）。次に、電極膜１１１の表面および絶縁膜１１３の表面に、有機発光膜１１４を成膜する（図２Ｄ参照）。最後に、有機発光膜１１４の表面および給電端子膜１３１の表面に、電極膜１１５を成膜する（図２Ｅ参照）。

上記のように構成された有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００では、給電端子膜１２１と給電端子膜１３１との間に電源から電圧が印加されると、有機発光膜１１４が発光する。このとき、電極膜１１１の表面に補助電極膜１１２が形成されているので、配線抵抗が低減する。そのため、降下電圧の値も低減する。よって、有機発光膜における輝度の不均一を抑制することが可能となる。

特開２００４−１４１２８号公報

しかしながら図１Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００では、図１Ｂ、図１Ｃに示すように、絶縁膜１１３に覆われた補助電極膜１１２が電極膜１１１の表面に形成されているので、補助電極膜１１２が電極膜１１１の表面から突出した凸部となっている。一般的に、補助電極膜１１２の膜厚は、絶縁膜１１３に覆われた部分も含めて１〜２μｍであり、有機発光膜１１４の膜厚は、３００ｎｍ前後である。そのため、補助電極膜１１２は、有機発光膜１１４の膜厚と比較して非常に厚い構造となっている。そのため、有機発光膜１１４が、補助電極１１２の厚みで断切れ、ショートやオープンなどの不具合が発生することが懸念される。

そこで、本発明は、有機発光膜を傷つけにくくし、その結果、品質保証面で信頼性を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス照明装置、およびその照明装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明の有機エレクトロルミネッセンス照明装置は、透明基板と、前記透明基板の表面に、互いに間隔を取って配置されている透明な複数の第１の電極膜と、前記複数の第１の電極膜の間に配置され、電気抵抗率が前記第１の電極膜よりも小さく、前記複数の第１の電極膜と電気的に接続されている補助電極膜と、前記補助電極膜を覆っている絶縁膜と、前記透明基板の表面に、前記複数の第１の電極膜と前記補助電極膜とが配置されている配置領域に隣接して配置され、前記複数の第１の電極膜および前記補助電極膜に電気的に接続されている給電端子膜と、前記第１の電極膜および前記絶縁膜を覆っている有機発光膜と、前記有機発光膜を覆っている第２の電極膜と、を有する。

上記目的を達成するために本発明の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法は、透明基板の表面に、互いに間隔を取って配置された透明な複数の第１の電極膜と、前記複数の第１の電極膜の間に配置され、電気抵抗率が前記第１の電極膜よりも小さく、前記複数の第１の電極膜に電気的に接続された補助電極膜と、前記複数の第１の電極膜と前記補助電極膜が配置されている配置領域に隣接して配置され、前記複数の第１の電極膜および前記補助電極膜に電気的に接続される給電端子膜と、を成膜する第１の工程と、前記補助電極膜を覆う絶縁膜を成膜する第２の工程と、前記第１の電極膜および前記絶縁膜を覆う有機発光膜を成膜する第３の工程と、前記有機発光膜を覆う第２の電極膜を成膜する第４の工程と、を有する。

本発明によれば、絶縁膜に覆われた補助電極膜は、第１の電極膜の表面ではなく第１の電極膜同士の間に形成されている。そのため、補助電極膜の、第１の電極膜から突出した部分の高さが、第１の電極膜の表面に補助電極膜が形成された構造に比べ低くなる。これにより、有機発光膜を傷つけにくくなり、その結果、品質保証面で信頼性が向上する。また、本構成、構造を採用することによる工程数、工程負荷の増加はなく、製造コストを変えることなく、上記効果を得ることができる。

本発明に関連する有機エレクトロルミネッセンス照明装置の上面図である。 図１Ａに示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。 図１Ａに示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。 図１Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造工程の一部を示す上面図である。 図２Ａに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図２Ｂに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図２Ｃに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図２Ｄに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 本発明の実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス照明装置の上面図である。 図３Ａに示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。 図３Ａに示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。 図３Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造工程の一部を示す上面図である。 図４Ａに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図４Ｂに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図４Ｃに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図４Ｄに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 本発明の実施形態２に係る有機エレクトロルミネッセンス照明装置の上面図である。 図５Ａに示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。 図５Ａに示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。 図５Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造工程の一部を示す上面図である。 図６Ａに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図６Ｂに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図６Ｃに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図６Ｄに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 本発明の実施形態３に係る有機エレクトロルミネッセンス照明装置の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造工程の一部を示す上面図である。 図７Ａに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図７Ｂに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図７Ｃに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。 図７Ｄに示す製造工程の次の製造工程を示す上面図である。

（実施形態１）
図３Ａは、本発明の実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０の上面図である。図３Ｂは、図３Ａに示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図であり、図３Ｃは、図３Ａに示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図３Ａは、有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０の内部を透視した状態を示している。図３Ｂおよび図３Ｃは、有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０から有機発光膜７および第２の電極膜８を分離させた状態を示している。

本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０では、無アルカリガラス製の透明基板１の表面に、例えば矩形の複数の第１の電極膜２と、補助電極膜３と、給電端子膜４と、給電端子膜５（他の給電端子膜）とが形成されている。

第１の電極膜２は、陽極であり、透明導電材料（または透明金属酸化物）（例えばＩＴＯ）を用いて形成されている。また、第１の電極膜２は、透明基板１の表面に互いに間隔を取って行列状に配置されている。

補助電極膜３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｍｏ−Ｎｂ（モリブデン−ニオブ合金）、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニウム−ネオジム合金）といった第１の電極膜２よりも電気抵抗率ρ（Ω・ｍ）の低い金属材料で形成されている。補助電極膜３は、第１の電極膜２同士の間に格子状に配置されている。補助電極膜３の表面は、絶縁膜６に覆われている。絶縁膜６の表面は、端部がテーパ形状を有し、丸みを帯びている。

給電端子膜４は、第１の電極膜２と補助電極膜３とが配置された配置領域１１に隣接するように形成されている。給電端子膜５は、第１の電極膜２および給電端子膜４から離れて形成されている。なお、給電端子膜５は、第１の電極膜２と同じ透明導電材料（または透明金属酸化物）で形成されている。

第１の電極膜２および絶縁膜６は、有機発光膜７に覆われている。有機発光膜７は、発光層（不図示）と、発光層を挟む２つの輸送層（不図示）などで構成されている。

有機発光膜７の表面、および給電端子膜５は、第２の電極膜８で覆われている。より詳細には、第２の電極膜８は、給電端子膜４側の辺に関しては有機発光膜７より小さく（内側に位置し）、給電端子膜５の辺に関しては給電端子膜５に掛かり接触が取れていれば給電端子部５を覆っていなくてもよい。第２の電極膜８は、陰極であり、ＡｌやＡｇ等の金属材料で形成されている。

上記のように構成された有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０では、給電端子膜４と給電端子膜５との間に電源から電圧が印加されると、第１の電極膜２と、第２の電極膜８との間に電界が発生する。これにより、有機発光膜７が発光する。その光は、第１の電極膜２を透過して外部に照射される。ここで、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０の製造工程について図４を参照しながら説明する。図４Ａから図４Ｅは、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０の製造工程を示す上面図である。

まず、シャドーマスクを用いてスパッタリングするプロセスによって、透明基板１の表面に、複数の第１の電極膜２と、給電端子膜４、５を成膜する（図４Ａ参照）。複数の第１の電極膜２は、互いに間隔を取って行列状に成膜される。給電端子膜４は、配置領域１１に隣接するように成膜される。なお、複数の第１の電極膜２および給電端子膜４、５は、１つの透明導電膜（または透明金属酸化膜）に対して、フォトエッチングプロセスでパターンニングを行って成膜してもよい。この場合、エッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのどちらでもよい。また、複数の第１の電極膜２の形状は、行列状に限らず、多角形格子状、櫛型状、梯子状等であってもよい。

次に、複数の第１の電極膜２の間に補助電極膜３を格子状に成膜する（図４Ｂ参照）。補助電極膜３の成膜は、シャドーマスクを用いてスパッタリングするプロセスを採用してもよいし、各第１の電極膜２の表面全体に金属膜を成膜した後、フォトエッチングで第１の電極膜２同士の間以外の部分を除去するプロセスを採用してもよい。

次に、補助電極膜３の表面に、フォトレジストを塗膜することによって絶縁膜６を形成する（図４Ｃ参照）。このとき、第１の電極膜２と給電端子膜５の間、および給電端子膜４と給電端子膜５の間もフォトレジスト部を塗布してもよい。なお、フォトレジストの代わりに、絶縁性を有した、熱硬化型や紫外線硬化型の高分子・レジスト材料を用いて絶縁膜６やフォトレジスト部を形成してもよい。このとき、インクジェット法やスクリーン印刷法など、直接描画を行うプロセスを用いることができる。フォトレジストの代わりに、ＳｉＮｘやＳｉＯｘに代表される無機膜を絶縁膜６として形成してもよい。無機膜は、真空蒸着、またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成する。無機膜のパターニングは、シャドーマスクまたはフォトエッチングプロセスを用いて行うことができる。

次に、第１の電極膜２の表面および絶縁膜６の表面を覆う有機発光膜７を、シャドーマスクを用いて真空蒸着法により成膜する（図４Ｄ参照）。

最後に、有機発光膜７の表面、および給電端子膜５を覆う第２の電極膜８を成膜する（図４Ｅ参照）。

上記のようにして製造された本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０によれば、補助電極膜３は、第１の電極膜２の表面ではなく第１の電極膜２同士の間に形成されている。そのため、絶縁膜６に覆われた補助電極膜３の、第１の電極膜２から突出した部分の高さが、第１の電極膜２の表面に補助電極膜３が形成された構造に比べ低くなる。これにより、有機発光膜７を傷つけにくくし、その結果、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の点灯中に短絡して非点灯となる事態を回避し、信頼性を向上させることが可能となる。本実施形態では、補助電極膜３は、第１の電極膜２よりも膜厚が薄いが、第１の電極膜２よりも多少膜厚が厚くてもよい。

また、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０によれば、電気抵抗率が比較的大きい透明電極膜を互いに離れた複数の第１の電極膜２で構成したアイランド構造とし、各第１の電極膜２の周囲を、第１の電極膜２よりも電気抵抗率の小さな補助電極膜３で囲んでいる。そのため、配線抵抗に寄与する透明電極膜の長さが小さくなり、電圧降下は各第１の電極膜２内に抑えられるため、図１Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００に比べて有機発光膜７に均一にキャリアが注入される。その結果、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０は、図１Ａに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００に比べ輝度ムラを低減する効果が大きくなる。加えて、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０は、図２Ａから図２Ｅに示す有機エレクトロルミネッセンス照明装置１００の製造工程と比較して、工程数が増加していない。そのため、製造コストを上げることなく、輝度ムラがなく、かつ有機発光膜が傷つきにくい（品質の高い）有機エレクトロルミネッセンス照明装置を製造することが可能となる。

（実施形態２）
図５Ａは、本発明の実施形態２に係る有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０の上面図である。図５Ｂは、図５Ａに示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図であり、図５Ｃは、図５Ａに示す切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図５Ａでは、有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０の内部を透視した状態を示している。図５Ｂ、Ｃは、有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０から有機発光膜７および第２の電極膜８を分離させた状態を示している。以下、上述した有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０と相違する点について詳細に説明し、有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０と類似する点については詳細な説明を省略する。

実施形態１の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０では、給電端子膜４、５は、第１の電極膜２と同じ透明導電材料（または透明金属酸化物）を用いて形成されていた。一方、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０では、給電端子膜４、５は、補助電極膜３と同じ金属材料を用いて形成されている。補助電極膜３に用いられる金属材料は、第１の電極膜２に用いられる透明金属酸化物よりも電気抵抗率が小さいので、給電端子膜４、５は、実施形態１に比べ低抵抗になる。そのため、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０は、実施形態１の有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０に比べ、有機発光膜７を発光させるために必要な駆動電圧を低減することが可能となる。ここで、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０の製造工程について図６Ａから図６Ｅを参照しながら説明する。図６Ａから図６Ｅは、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス照明装置２０の製造工程を示す上面図である。

まず、実施形態１と同様にして、透明基板１の表面に、複数の第１の電極膜２を、互いに間隔を取って行列状に成膜する（図６Ａ参照）。

次に、第１の電極膜２の間に補助電極膜３を格子状に成膜するとともに、給電端子膜４、５を、補助電極膜３と同じ金属材料（例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｍｏ−Ｎｂ（モリブデン−ニオブ合金）、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニウム−ネオジム合金））で成膜する（図６Ｂ参照）。

次に、補助電極膜３の表面にフォトレジストを塗布することによって絶縁膜６を成膜する。また、複数の第１の電極膜２および補助電極膜３が配置された配置領域１１の周縁部にもフォトレジスト９を塗布する。なお、第１の電極膜２と給電端子膜５の間、および給電端子膜４と給電端子膜５の間にもフォトレジストを塗布してもよい（図６Ｃ参照）。

次に、フォトレジスト９が塗布された配置領域１１の周縁部を除いて第１の電極膜２および絶縁膜６を覆うように有機発光膜７を成膜する（図６Ｄ参照）。このとき、配置領域１１の周縁部を覆うフォトレジスト９がマスクとして機能するので、アライメント精度の高いシャドーマスクを用いなくても有機発光膜７を成膜することが可能となる。これにより、有機発光膜７の成膜工程が簡易になる。

最後に、有機発光膜７の表面、および給電端子膜５を覆う第２の電極膜８を成膜する（図６Ｅ参照）。

（実施形態３）
図７Ａから図７Ｅは、本発明の実施形態３に係る有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造工程を示す上面図である。以下、上述した有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０、２０と相違する点について詳細に説明し、有機エレクトロルミネッセンス照明装置１０、２０と類似する点については詳細な説明を省略する。

まず、実施形態１、２と同様にして、透明基板１の表面に複数の第１の電極膜２を成膜する（図７Ａ参照）。

次に、第１の電極膜２の間に補助電極膜３を格子状に成膜するとともに、給電端子膜４、５を補助電極膜３と同じ金属材料で成膜する。本実施形態では、給電端子膜４は、図７Ｂに示すように、配置領域１１を連続して囲む枠部４１と、枠部４１から配置領域１１の外側に延びた突出部４２とを有する形状に成膜される。一方、給電端子膜５は、図７Ｂに示すように、給電端子膜４の枠部４１を、突出部４２を除いて連続して囲む形状に成膜される。これにより、第１の電極膜２および第２の電極膜８に対して４方向から給電することが可能になるため、有機発光膜４を均一に電圧印加することが可能となる。その結果、有機発光膜４の輝度を均一にすることが可能となる。

次に、補助電極膜３の表面にフォトレジストを塗布することによって絶縁膜６を成膜する。また、配置領域１１の周縁部にもフォトレジスト９を塗布する。さらに、突出部４２の先端部を除いて、給電端子膜４の表面にもフォトレジスト９を塗布する（図７Ｃ参照）。

次に、フォトレジスト９の塗布部分に掛るように、かつ第１の電極膜２および絶縁膜６を覆うように有機発光膜７を成膜する（図７Ｄ参照）。このとき、フォトレジスト９がマスクとして機能するので、アライメント精度の高いシャドーマスクを用いなくても有機発光膜７を成膜することが可能となる。これにより、有機発光膜７の成膜工程がより簡易になる。

最後に、有機発光膜７の表面、および給電端子膜５を覆う、または掛かるように第２の電極膜８を成膜する（図７Ｅ参照）。このとき、フォトレジスト９がマスクの役割をするので、アライメント精度の高いシャドーマスクを用いなくても第２の電極膜８を成膜することが可能となる。これにより、第２の電極膜８の成膜工程がより簡易になる。

以下、上述した実施形態１〜３をより具体的に示す実施例について説明する。

（実施例１）
本実施例は、上述した実施形態１に対応している。本実施例の有機発光膜７では、正孔注入材料としてＣｕ−Ｐｃ（銅フタロシアニン）が用いられている。正孔輸送材料としてα−ＮＰＤ（Ｎ,Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−１,１’−ビフェニル）−４,４’−ジアミン）が用いられている。第１の発光層としてＣＢＰ（４，４’−ビスカルバゾリルビフェニル）をホストとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３ （トリス−（２フェリニルピリジン）イリジウム錯体）と、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ） （ビス（２−（２’−ベンゾ（４，５- α）チエニル）ピリジネート-N,C2’）(アセチルアセトネート）イリジウム錯体）とをドーピングしたものが用いられている。さらに第２の発光層としてＣＢＰをホストとして、ＦＩｒ（ｐｉｃ）（（ビス(４,６-ジ-フルオロフェニル)-ピリジネート-N,C2’)ピコリネートイリジウム錯体）をドーピングしたものが用いられている。正孔ブロック層としてＢＣＰ （２，９‐ジメチル‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン）が用いられている。電子輸送層としてＡｌｑ３が用いられている。電子注入材料としてＬｉＦが用いられている。陰極（第２の電極膜８）としてＡｌが用いられている。

本実施例の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の駆動電流を２５Ａ／ｍ²の定電流とし点灯させたところ、駆動電圧は４．８Ｖ、輝度は９２０ｃｄ／ｍ²であった。また、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の面内の輝度ムラは、面内９点の輝度を測定し、（最大輝度と最小輝度の差）／最大輝度で４％であった。この有機エレクトロルミネッセンス照明装置を、上記電流密度で連続点灯させたところ、１００００時間を越えた後も安定して点灯を続けることができた。

（実施例２）
本実施例は、上述した実施形態２に対応している。本実施例の有機発光膜７では、正孔注入材料としてＣｕ−Ｐｃが用いられている。正孔輸送材料としてα−ＮＰＤが用いられている。第１の発光層としてＣＢＰをホストとしてＩｒ（ｐｐｙ）３と、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）とをドーピングしたものが用いられている。さらに第２の発光層としてＣＢＰをホストとしてＦＩｒ（ｐｉｃ）をドーピングしたものが用いられている。正孔ブロック層としてＢＣＰが用いられている。電子輸送層としてＡｌｑ３が用いられている。電子注入材料としてＬｉＦが用いられている。陰極（第２の電極膜８）としてＡｌが用いられている。

本実施例の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の駆動電流を２５Ａ／ｍ²の定電流とし点灯させたところ、駆動電圧は４．６Ｖ、輝度は９１５ｃｄ／ｍ²であった。また、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の面内の輝度ムラは、面内９点の輝度を測定し、（最大輝度と最小輝度の差）／最大輝度で４％であった。この有機ＥＬ照明装置を、上記電流密度で連続点灯させたところ、１００００時間を越えた後も安定して点灯を続けることができた。

（実施例３）
本実施例は、上述した実施形態３に対応している。本実施例の有機発光膜７では、正孔注入材料としてＣｕ−Ｐｃが用いられている。正孔輸送材料としてα−ＮＰＤが用いられている。第１の発光層としてＣＢＰをホストとしてＩｒ（ｐｐｙ）３と、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）とをドーピングしたものが用いられている。さらに第２の発光層としてＣＢＰをホストとしてＦＩｒ（ｐｉｃ）をドーピングしたものが用いられている。正孔ブロック層にＢＣＰが用いられている。電子輸送層にＡｌｑ３が用いられている。電子注入材料にＬｉＦが用いられている。陰極（第２の電極膜８）にＡｌが用いられている。

本実施例の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の駆動電流を２５Ａ／ｍ²の定電流とし点灯させたところ、駆動電圧は４．４Ｖ、輝度は９２０ｃｄ／ｍ²であった。また、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の面内の輝度ムラは、面内９点の輝度を測定し、（最大輝度と最小輝度の差）／最大輝度で３％であった。この有機ＥＬ照明装置を、上記電流密度で連続点灯させたところ、１００００時間を越えた後も安定して点灯を続けることができた。

（比較例１）
比較例１として、図１に示す本発明に関連する有機エレクトロルミネッセンス照明装置を作製し、上記と同じ電流密度で駆動した。その結果、駆動電圧は５．１Ｖ、輝度は８８０ｃｄ／ｍ²、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の面内の輝度ムラは、面内９点の輝度を測定し、（最大輝度と最小輝度の差）／最大輝度で９％であった。この有機エレクトロルミネッセンス照明装置を、上記条件で連続点灯させたところ、５００時間以内に短絡が発生し、有機エレクトロルミネッセンス照明装置は非点灯となった。

（比較例２）
比較例２として、補助電極を設けない有機エレクトロルミネッセンス照明装置を作製し、上記と同じ電流密度で駆動した。その結果、駆動電圧は５．７Ｖ、輝度は７９０ｃｄ／ｍ²、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の面内の輝度ムラは、面内９点の輝度を測定し、（最大輝度と最小輝度の差）／最大輝度で３０％であった。この有機エレクトロルミネッセンス照明装置を、上記条件で連続点灯させたところ、１０００時間以内に短絡が発生し、有機エレクトロルミネッセンス照明装置は非点灯となった。

したがって、上述した実施例１〜３に記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置は、比較例１，２に記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置に比べ、長時間安定した点灯を確保できるようになる。

以上、実施形態および実施例を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態および上記実施例に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

この出願は、２０１０年１２月２８日に出願された日本出願特願２０１０−２９３１０１を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１、１１０ 透明基板
２ 第１の電極膜
３、１１２ 補助電極膜
４、５、１２１、１３１ 給電端子膜
６、１１３ 絶縁膜
７、１１４ 有機発光膜
８ 第２の電極膜
４１ 枠部
４２ 突出部
１０、２０、１００ 有機エレクトロルミネッセンス照明装置
１１１、１１５ 電極膜

Claims (6)

1. 透明基板と、
   前記透明基板の表面に、互いに間隔を取って配置されている透明な複数の第１の電極膜と、
   前記複数の第１の電極膜の間に配置され、電気抵抗率が前記第１の電極膜よりも小さく、前記複数の第１の電極膜と電気的に接続されている補助電極膜と、
   前記補助電極膜を覆っている絶縁膜と、
   前記透明基板の表面に、前記複数の第１の電極膜と前記補助電極膜とが配置されている配置領域に隣接して配置され、前記複数の第１の電極膜および前記補助電極膜に電気的に接続されている給電端子膜と、
   前記第１の電極膜および前記絶縁膜を覆っている有機発光膜と、
   前記有機発光膜を覆っている第２の電極膜と、
   を有する、有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
2. 前記透明基板の表面に配置され、前記配置領域の周縁部を覆っているフォトレジストを有し、
   前記有機発光膜は、前記配置領域の前記周縁部を除いて前記第１の電極膜および前記絶縁膜を覆っている、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
3. 前記給電端子膜が、前記配置領域を連続して囲んでいる枠部と、前記枠部から前記配置領域の外側に延びている突出部と、を有し、
   前記給電端子膜の前記枠部を、前記突出部を除いて連続して囲み、前記第２の電極に覆われている他の給電端子膜を有する、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
4. 透明基板の表面に、互いに間隔を取って配置された透明な複数の第１の電極膜と、前記複数の第１の電極膜の間に配置され、電気抵抗率が前記第１の電極膜よりも小さく、前記複数の第１の電極膜に電気的に接続された補助電極膜と、前記複数の第１の電極膜と前記補助電極膜が配置されている配置領域に隣接して配置され、前記複数の第１の電極膜および前記補助電極膜に電気的に接続される給電端子膜と、を成膜する第１の工程と、
   前記補助電極膜を覆う絶縁膜を成膜する第２の工程と、
   前記第１の電極膜および前記絶縁膜を覆う有機発光膜を成膜する第３の工程と、
   前記有機発光膜を覆う第２の電極膜を成膜する第４の工程と、を有する、有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法。
5. 前記第２の工程において、前記絶縁膜を成膜するとともに、前記配置領域の周縁部にフォトレジストを塗布し、
   前記第３の工程において、前記配置領域の前記周縁部を除いて前記有機発光膜を成膜する、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法。
6. 前記第１の工程において、前記給電端子膜を、前記配置領域を連続して囲む枠部と、前記枠部から前記配置領域の外側に延びた突出部とを有する形状に成膜し、前記給電端子膜の前記枠部を、前記突出部を除いて連続して囲む他の給電端子膜を成膜し、
   前記第４の工程において、前記有機発光膜とともに前記他の給電端子膜を覆うように前記第２の電極膜を成膜する、請求項４または５に記載の有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法。

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