JPWO2012033172A1 - 半導体装置の製造方法およびリンス液 - Google Patents
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Abstract
Description
このような多孔質構造を有する半導体層間絶縁層においては、誘電率をさらに低下させるために空隙率を大きくすると、配線材料として埋め込まれる銅などの金属成分が半導体層間絶縁層中の細孔に入り込みやすくなり、誘電率が上昇したり、リーク電流が発生したりする場合があった。
また、low−k材料が疎水性の表面を有する場合に、ポリビニルアルコール系両親媒性ポリマーをその表面に付与することで材料の親水性・疎水性を制御する技術が知られている(例えば、特許文献2参照)。
さらに、カチオン性ポリマーと界面活性剤を含む半導体研磨用組成物が知られている(例えば、特許文献3参照)。
また、特許文献2に記載の技術では、ポリビニルアルコール系両親媒性ポリマー間の水素結合により、嵩高い層が形成されやすく、これによる比誘電率の上昇や、層間絶縁層と配線材料の密着性の低下が発生する場合があった。
本発明はさらに、上記半導体装置の製造方法に用いられるリンス液を提供することを課題とする。
<1>
半導体基板の表面の少なくとも一部に、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10質量ppb以下である半導体用シール組成物を付与し、半導体用シール層を形成するシール組成物付与工程と、半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面を、25℃におけるpHが6以下のリンス液で洗浄する洗浄工程と、をこの順で含む、半導体装置の製造方法。
<2>
前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430である、<1>に記載の半導体装置の製造方法。
<3>
前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂は、ポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体である、<1>又は<2>に記載の半導体装置の製造方法。
<4>
前記半導体基板の表面の少なくとも一部に多孔質層間絶縁層が形成されている、<1>〜<3>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
<5>
前記半導体シール層は前記多孔質層間絶縁層上に形成されており、多孔質層間絶縁層が10nm〜32nm幅の凹状の溝を有し、前記シール組成物付与工程は、前記多孔質層間絶縁層の少なくとも前記凹状の溝の側面に、前記半導体用シール組成物を接触させる、<4>に記載の半導体装置の製造方法。
<6>
前記多孔質層間絶縁層は、多孔質シリカを含み、その表面に前記多孔質シリカに由来するシラノール残基を有する、<4>又は<5>に記載の半導体装置の製造方法。
<7>
前記リンス液が水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選ばれる少なくとも1種類の溶媒を含む<1>〜<6>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
<8>
前記リンス液がシュウ酸、ギ酸、クエン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類の酸を含む、<1>〜<7>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
<9>
前記半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面が半導体回路非形成面を含む、<1>〜<8>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
<10>
前記半導体回路非形成面を洗浄するリンス液の25℃におけるpHが2以下である、<9>に記載の半導体装置の製造方法。
<11>
前記半導体基板の表面が少なくとも一部に多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とを備えた回路面を備え、前記洗浄工程が前記配線材料上のシール層を除去洗浄する回路面洗浄工程である、<1>〜<8>のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
<12>
前記半導体回路面を洗浄するリンス液の25℃におけるpHが1以上である、<11>に記載の半導体装置の製造方法。
<13>
前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、<1>〜<12>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
<14>
さらに、半導体基板の半導体用シール層が形成された表面の周縁部に、前記リンス液を吹き付け洗浄する表面周縁部洗浄工程を含む、<1>〜<13>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
<15>
前記リンス液が過酸化水素、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類の樹
脂分解剤を含む、<1>〜<14>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
<16>
前記回路面洗浄工程は、非酸化性雰囲気下で洗浄を行う、<1>〜<15>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
<17>
前記リンス液は、酸化性化合物を含まない、<1>〜<16>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
<18>
前記半導体基板は、基板の表面に形成された自然酸化膜に由来するシラノール残基を有する、<1>〜<17>のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
<19>
半導体回路面の金属配線または半導体基板上の、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂に由来する半導体用シール層を除去するためのリンス液であって、25℃におけるpHが6以下である、リンス液。
<20>
前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430であり、前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、<19>に記載のリンス液。
<21>
<19>又は<20>に記載のリンス液であって、25℃におけるpHが1以上であり、半導体回路面のリンスに用いられるリンス液。
<22>
<19>又は<20>に記載のリンス液であって、25℃におけるpHが2以下であり、半導体基板の非回路面のリンスに用いられるリンス液。
本発明の半導体装置の製造方法は、必要に応じて上記シール組成物付与工程及び洗浄工程の間、または洗浄工程の後にその他の工程をさらに含んで構成される。
本発明において「半導体用シール組成物が形成された面」には、半導体基板の表面(多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とを備えた回路面)、半導体基板の裏面(半導体回路非形成面)、および表面(半導体回路形成面)の周縁部、のいずれかまたはこれらの組み合わせが含まれる。
本発明のシール組成物付与工程は、半導体基板の表面の少なくとも一部に、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10ppb以下である半導体用シール組成物を付与する操作を含む。
本発明における半導体基板は、通常用いられる半導体基材であれば制限なく用いることができるが、具体的にはシリコンウエハや、シリコンウエハ上にトランジスターなどの回路を形成されたものを用いることができる。
本発明における多孔質層間絶縁層は、低誘電率材料から構成され、多孔質性であれば特に制限はないが、多孔質シリカを含み、表面に多孔質シリカに由来するシラノール残基を有することが好ましい。前記シラノール残基が、前記樹脂に含まれるカチオン性官能基と相互作用することにより、前記樹脂が層間絶縁層上の細孔を被覆するように前記樹脂からなる薄層が形成される。
中でも、国際公開第2009/123104号パンフレットに記載された多孔質シリカを用いて形成される多孔質層間絶縁層が好ましい。
シリコンウエハ上に形成されたトランジスターなどの素子間に、銅を含む配線材料を配線することで回路を形成する。この配線形成工程は、公知のプロセス条件に従って行うことができる。例えば、シリコンウエハ上に直接、または、上記の凹状の溝や孔が形成された、層間絶縁層の上に、メタルCVD法、スパッタリング法または電解メッキ法により銅配線を形成し、ケミカルメカニカルポリッシング(CMP)により膜を平滑化する。また、必要であれば、その膜の表面にキャップ膜を形成し、次いで、ハードマスクを形成し、上記の多孔質層間絶縁層の形成及び配線形成工程を繰り返すことで多層化することができる。
本発明の半導体用シール組成物は、例えば、多孔質の層間絶縁層上に形成された細孔を被覆する樹脂層を形成するために用いられ、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂の少なくとも1種を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量が、それぞれ元素基準で10ppb以下であって、好ましくは動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下である。
本発明の半導体用シール組成物は、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂の少なくとも1種を含む。
また、前記ノニオン性官能基は、水素結合受容基であっても、水素結合供与基であってもよい。例えば、ヒドロキシ基、カルボニル基、エーテル結合等を挙げることができる。
さらに前記アニオン性官能基は、負電荷を帯びることができる官能基であれば特に制限はない。例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸基等を挙げることができる。
さらに、多孔質の層間絶縁層の表面を公知の方法、例えば、国際公開第04/026765号パンフレット、国際公開第06/025501号パンフレットなどに記載の方法で疎水化処理した場合は、前記表面の極性基の密度が減少するので、200〜400であることもまた好ましい。
ここで、カチオン性官能基当量とは、カチオン性官能基当たりの重量平均分子量を意味し、樹脂の重量平均分子量(Mw)を、1分子に相当する樹脂が含むカチオン性官能基数(n)で除して得られる値(Mw/n)である。このカチオン性官能基当量が大きいほどカチオン性官能基の密度が低く、一方、カチオン性官能基当量が小さいほどカチオン性官能基の密度が高い。
さらに、前記特定単位構造がカチオン性官能基を2以上含む場合、2以上のカチオン性官能基は同一であっても異なっていてもよい。
また前記カチオン性官能基は、多孔質層間絶縁層上に存在するカチオン性官能基の吸着点(例えば、シラノール残基)間の平均距離に対する、特定単位構造の主鎖長の比(以下、「カチオン性官能基間の相対距離」ということがある)が、0.08〜1.2となるように含まれていることが好ましく、0.08〜0.6となるように含まれていることがより好ましい。かかる態様であることで樹脂が多孔質の層間絶縁層上に、より効率的に多点吸着しやすくなる。
本発明における特定単位構造は、層間絶縁層への吸着性の観点から、カチオン性官能基間の相対距離が0.08〜1.2であって、分子量が30〜500であることが好ましく、カチオン性官能基間の相対距離が0.08〜0.6であって、分子量が40〜200であることがより好ましい。
前記ノニオン性官能基を含む単位構造として、具体的には、ビニルアルコールに由来する単位構造、アルキレンオキシドに由来する単位構造、ビニルピロリドンに由来する単位構造等を挙げることができる。
前記第2の単位構造としては、前記特定単位構造を構成するモノマーと重合可能なモノマーに由来する単位構造であれば特に制限はない。例えば、オレフィンに由来する単位構造等を挙げることができる。
かかる樹脂を構成し得るモノマーとしては、例えば、エチレンイミンおよびその誘導体を挙げることができる。
また本発明におけるポリエチレンイミンは、モノエタノールアミンから得られる粗エチレンイミンを用いて得られたものであってもよい。具体的には例えば特開2001−2123958号公報等を参照することができる。
これらのポリエチレンイミン誘導体は、ポリエチレンイミンを用いて通常行われる方法により製造することができる。具体的には例えば、特開平6―016809号公報等に記載の方法に準拠して製造することができる。
例えば、本発明の半導体用シール組成物を、配線間隔が32nm以下で層間絶縁層上の細孔直径が2nm程度である半導体装置の製造に適用する場合、前記樹脂の重量平均分子量が600000よりも大きいと、樹脂の大きさが配線間隔よりも大きくなり、樹脂が、配線材料が埋め込まれる凹状の溝に入り込めず、溝の側面の細孔が十分に被覆されない。また、重量平均分子量が2000未満であると、層間絶縁層上の細孔直径よりも樹脂分子の大きさが小さくなり、樹脂分子が層間絶縁層上の細孔に入り込んで層間絶縁層の誘電率が上昇する。また多点で吸着しない場合がある。
尚、重量平均分子量は、樹脂の分子量測定に通常用いられるGPC装置を用いて測定される。本願明細書に記載の重量平均分子量は、下記の条件で測定されたものである。
GPC装置:(株)Shodex社製 GPC−101
カラム:Asahipak GF−7M HQ
展開溶媒:0.5M NaNO3 + 0.5M AcOH溶液
流速:1mL/min.
なお、前記「250℃まで加熱しても分解性を有さない化合物」とは、25℃で測定した質量に対する、250℃、窒素下で1時間保持した後の質量の変化が50%未満の化合物のことをいう。
本発明において体積平均粒子径は、大塚電子社製ELSZ−2を用い、23〜26℃において、動的光散乱法(動的光散乱法で観測された散乱光の時間的揺らぎを、光子相関法を用いて解析する方法、例えば、積算回数70回、繰り返し回数1回などの条件)で測定される。
半導体用シール組成物中に粒子径の大きいミセルが形成されていると、例えば、本発明の半導体用シール組成物を配線間隔が32nm以下である半導体装置の製造に適用する場合に、半導体用シール組成物を構成する樹脂が、配線材料が埋め込まれる凹状の溝に充分に入り込むことができず、溝の側面の細孔を充分に被覆できない場合がある。
また、前記カチオン性官能基がカチオンの状態であるpHの範囲とは、半導体用シール組成物のpHが、カチオン性官能基を含む樹脂のpKb以下であることをいう。例えば、カチオン性官能基を含む樹脂がポリアリルアミンである場合、pKbは8〜9であり、ポリエチレンイミンである場合、pKbは7〜11である。
すなわち、本発明において半導体用シール組成物のpHは、層間絶縁層を構成する化合物種類と、樹脂の種類とに応じて適宜選択することができ、例えば、pH2〜11であることが好ましく、pH7〜11であることがより好ましい。尚、pH(25℃)は通常用いられるpH測定装置を用いて測定される。
前記多孔質絶縁層に、本発明の半導体用シール組成物を付与する方法としては特に制限はなく、通常用いられる方法を用いることができる。例えば、ディッピング法(例えば、米国特許第5208111号明細書参照)、スプレー法(例えば、Schlenoffら、Langmuir, 16(26), 9968, 2000や、Izuquierdoら、Langmuir, 21(16), 7558, 2005参照)、および、スピンコート法(例えば、Leeら、Langmuir, 19(18), 7592, 2003や、J. Polymer Science, part B, polymer physics, 42, 3654, 2004参照)などにより多孔質絶縁層に半導体用シール組成物を接触させる方法を用いることができる。
半導体用シール組成物の付与後、架橋して樹脂を重合させてもよい。
本発明の半導体製造方法は、上述のシール組成物付与工程の後に、25℃におけるpHが6以下のリンス液を付与して、シール層を除去洗浄する工程を含む。
<回路面洗浄工程>
以下、半導体基板の表面の多孔質層間絶縁層の表面に形成された半導体用シール層を除去する工程(回路面洗浄工程)について説明する。
上述のシール組成物付与工程において、半導体基板の表面の多孔質層間絶縁層の表面に半導体用シール層が形成される。ここで、半導体基板の表面の少なくとも一部に多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とが備えられている場合にシール組成物を付与するとき、あるいは、多孔質層間絶縁層を有効にシールしていないシール層が、配線形成工程などの半導体製造工程で剥離し、配線材料上に付着した場合などには、配線材料上に半導体用シール層が形成されてしまう。そのため、この回路面洗浄工程で、配線材料上に付着した余分な半導体用シール組成物を、多孔質の層間絶縁層をシールしている有効な半導体用シール組成物を維持しつつ、迅速に除去洗浄(リンス)する。
第一のリンス液は、上述の余分な半導体用シール組成物(半導体用シール層)を迅速に洗浄・除去するために、前記組成物を溶解または分解させるものであり、また、リンス液には、半導体の製造効率を高めるために半導体用シール組成物を迅速に除去する一方、多孔絶縁層などの回路材料を汚染や破壊しないものが求められるが、前記pHの範囲では、酸化銅は溶解するが、多孔質絶縁層が溶解しにくく、多孔質絶縁層とシール組成物材の相互作用を大きく損ねることはない。
また、第一のリンス液は、加温してもよく、超音波をかけてもよい。
イオン強度=1/2×Σ(c×Z2)
(cはリンス液に含まれるイオン性化合物のモル濃度、Zはリンス液に含まれるイオン性化合物のイオン原子価を表す)
さらに、銅をはがした後に銅イオンを捕捉するポリマー(例えばポリエチレンイミン)を添加してもよい。
回路面の洗浄時間は特に限定はないが、例えば、25℃で、pH5のリンス液を用いた場合には、0.1〜60分が好ましく、0.1〜10分がさらに好ましい。
以下、半導体基板の多孔質層間絶縁層が形成されている面とは反対側の「裏面」をリンス液で洗浄する工程(裏面洗浄工程)について説明する。
これらの多孔質層間絶縁層をシールしていない、いわば余分なシール層が、後述のような配線形成工程などの半導体製造工程で剥離し、半導体基板を汚染する可能性がある。よって、シール組成物付与工程の後に、少なくとも余分な半導体用シール層が形成されやすい半導体基板の裏面については、これらの余分な半導体用シール層を除去する洗浄工程が必要となる。
また、この裏面洗浄には、ウエハエッジの端部の丸みを帯びている、ウエハの多孔質層間絶縁層形成面から裏面にかかる部分のリンス液での洗浄(ベベルリンス)を含む。
イオン強度=1/2×Σ(c×Z2)
(cはリンス液に含まれるイオン性化合物のモル濃度、Zはリンス液に含まれるイオン性化合物のイオン原子価を表す)
さらに、銅をはがした後に銅イオンを捕捉するポリマー(例えばポリエチレンイミン)を添加してもよい。
また第二のリンス液は、加温してもよく、超音波をかけてもよい。
第二のリンス液は、本発明の反動装置の製造方法において半導体基板の表面(多孔質層間絶縁膜と半導体用シール層とが少なくとも形成されている面)の周縁部を洗浄する際にも使用できる。
このような周縁部の表面に形成された半導体用シール層は、上述の半導体基板の裏面に形成された半導体用シール層と同様に、多孔質層間絶縁層をシールする機能を発揮していないばかりか、半導体回路の汚染の原因になる可能性があるので、洗浄により除去するのが好ましい。
半導体基板表面の周縁部の洗浄は、上述の半導体基板の裏面と同様に、本発明のリンス液を使用すれば、通常の半導体基板表面の周縁部の洗浄方法で行なうことができ、具体的には特開平9−106980号公報に記載されているような、いわゆる半導体製造におけるエッジリンス方法で洗浄することができる。
上記の各洗浄工程は、同時に行ってもよく、単独で行ってもよい。
本発明の半導体装置の製造方法においては、シール組成物付与工程、及び洗浄工程の後、必要に応じて上記と同様の配線形成工程等の通常行われる工程をさらに含んでいてもよい。例えば、公知のメタルCVD法、スパッタリング法または電解メッキ法により銅配線を形成し、CMPにより膜を平滑化する。次いでその膜の表面にキャップ膜を形成する。さらに必要であれば、ハードマスクを形成し、上記のシール組成物付与工程、及び回路面洗浄工程を含む工程を繰り返すことで多層化することができ、多層配線半導体装置を製造することができる。
さらに、本発明の半導体装置の製造方法においては、配線形成工程前にバリア膜(銅バリア層)形成工程をさらに設けることができる。バリア膜を形成することで層間絶縁層への金属成分の拡散をより効果的に抑制することができる。
前記バリア膜形成工程は、通常用いられるプロセス条件に従って行うことができる。前記シール組成物付工程後に、例えば、気相成長法(CVD)により、窒化チタン等のチタン化合物や窒化タンタル等のタンタル化合物からなるバリア膜を形成することができる。本発明においては、タンタル化合物からなるバリア膜を形成することが好ましい。
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、回路面洗浄工程や半導体基板の裏面の洗浄工程の後に、半導体基板上に残る前記リンス液をさらに洗浄する後リンス工程を含んでもよい。後リンス工程は、通常用いられる方法で行なうことができ、特に限定されないが、具体的には特開2008−47831号公報に記載されているような後リンス方法で洗浄することができる。また後リンス工程に用いられるリンス液(以下、後リンス液という)は、前記リンス液を溶解や分解することで除去できるものであれば、特に限定されないが、具体的にはアルコールのような極性を有する有機溶媒や水、前記極性を有する有機溶媒と水の混合物、分解性を有する硝酸、硫酸等の酸やオゾンを含む溶媒を用いることができる。
本発明の製造方法により製造される半導体装置は、例えば、多孔質の層間絶縁層と、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂を含み、厚さが0.3nm〜5nmである樹脂層と、銅からなる層と、がこの順で配置された構造を備え、必要に応じてその他の層を含んで構成される。層間絶縁層と配線材料との間に、特定の樹脂を含む樹脂層が配置されていることで32nm以下の微細な回路構成であってもリーク電流等の発生が抑制され、良好な特性を示すことができる。
本発明においては、前記樹脂層と前記銅を含む配線材料との間に、銅バリア層(好ましくは、タンタル化合物からなる層)がさらに配置されていることが好ましい。
(層間絶縁層の形成)
多孔質シリカ形成用組成物1.0mLをシリコンウエハ表面上に滴下し、2000rpmで60秒間回転させて、シリコンウエハ表面に塗布した後、窒素雰囲気下150℃で1分間、次いで、350℃で10分間加熱処理した。その後、172nmエキシマランプを装備したチャンバー内で350℃まで加熱し、圧力1Paで出力14mW/cm2により、紫外線を10分間照射することにより、層間絶縁層(多孔質シリカ膜)を得た。
得られた層間絶縁層の密度は、0.887g/cm3であった。
また、得られた層間絶縁層の、比誘電率kは2.0、弾性率Eは6.60GPaであった。
また比誘電率は、水銀プローブ装置(SSM5130)を用い、25℃、相対湿度30%の雰囲気下、周波数1MHzにて常法により比誘電率を測定した。
また、弾性率は、ナノインデンテーター(Hysitron社、Triboscope)により、膜厚の1/10以下の押し込み深さで常法により弾性率を測定した。
半導体用シール組成物として、ポリエチレンイミン(PEI、BASF社製、重量平均分子量25,000、カチオン性官能基当量309)250mgを、水100mLに溶解させたものを使用した。前記半導体用シール組成物のpH10.52であった。前記半導体用シール組成物について、大塚電子製ELSZ−2を用いて動的光散乱法により体積平均粒子径を測定したところ、検出限界以下(<10nm)であった。尚、測定条件は、積算回数70回、繰り返し回数1回、解析条件は、ヒストグラム解析、キュムラント解析を用いた。
上記の層間絶縁層(以下「low−k」ということがある)に、上記半導体用シール組成物(PEI水溶液)を、市販のスプレーボトル“AIR−BOY”(Carl Roth GmbH社製)を用いて、スプレー法(溶液の接触時間20秒、スプレー距離10センチメートル)で接触させた。次いで水を、上記と同様のスプレーボトルを用いて、スプレー法(超純水の接触時間10秒、スプレー距離10センチメートル)により接触させた。エアブローにより乾燥させて、層間絶縁層上に樹脂層(半導体用シール層)を形成した。その後、23℃55%の恒温恒湿環境に15時間以上保管した試料(low−k/PEI)について以下の評価を行なった。
尚、「水」には、超純水(Millipore社製Milli−Q水、抵抗18MΩ・cm(25℃)以下)を使用した。
得られた試料(low−k/PEI)について、X線光電子分光(XPS)装置としてESCALAB220iXL(VG社製)を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、形成された半導体用シール層の元素組成を測定したところ、上記で得られた層間絶縁層(low−k)と比較して増加した組成は、C/N=2.34であった。これにより、ポリエチレンイミンの層が形成されたことが確認できた。
また原子間力顕微鏡により半導体用シール層表面の形態観察を行ったところ、RMSが0.369nm(層間絶縁層のみで0.403nm)であり、均一な厚みの層が形成されていた。
得られた試料(low−k/PEI)の半導体用シール層上にスパッタリングにより金属銅膜を形成して試料1(以下、「low−k/PEI/Cu」ということがある)を作製した。
得られた試料1(low−k/PEI/Cu)を目視により観察したところ、半導体用シール層上に金属銅色の金属膜が形成されていることが確認できた。
(リンス液1−1の調製)
超純水(Millipore社製、Milli−Q水)に、pHメータを用いてpHを測定しながら、シュウ酸2水和物(純正化学(株)、試薬特級)を徐々に添加して、混合し、pHを25℃で3に調整して、リンス液1−1を得た。
表面に層間絶縁層を有するシリコンウエハ(フルウチ化学、8インチ、<100>面、P型(ボロンドープ)10〜20 ohm−cm、厚さ700〜775μm)の表面上に、昭和真空製真空蒸着装置(SGC−8)を用いて蒸着速度2nm/秒で25秒間の条件で、厚さ50nmの銅層を配線材料として形成し、シリコンウエハの一方の面に、多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料を備えた回路面を形成した。
この回路面を形成したシリコンウエハを2時間以上、大気中に放置して自然酸化膜(酸化銅)を配線の表面に形成させ、表面が配線の部分を5mm角に切り出し、表面を5分間UV−O3処理したものに、製造例1の半導体用シール組成物(ポリエチレンイミン水溶液)を2mL滴下して、600rpmでスピンキャストして付与し、半導体用シール層を形成し、シール層/銅層/シリコン層からなる基板1を作製した。
次に前記基板1を、高さ15mmまでリンス液1を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ60分間保持後、容器内の溶液を捨て、超純水で3回ゆすぎ、高さ15mmまで超純水を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ15分間保持した。ピンセットで取り出し、超純水洗浄瓶で1分流し、乾燥空気ブローで乾燥させた。
得られた試料を、XPS装置としてESCALAB220iXL(VG社製)を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、元素組成を測定するとともに、目視観察を行い、配線洗浄評価を行った。また、リンス液1−1で洗浄する前の試料についても同様に元素組成を測定した。
配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、8.9atom%だったものが、上記配線洗浄評価後、目視により洗浄前の酸化銅の色がまったくなくなり、リンス液1は配線上の余分な半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。
多孔質層間絶縁層上のシール層のリンス耐性を評価するために、シリコンウエハ(フルウチ化学、8インチ、<100>面、P型(ボロンドープ)10〜20ohm−cm、厚さ700〜775μm)を、24時間以上、大気中に放置して自然酸化膜を表面に形成させ、5mm角に切り出し、表面を5分間UV−O3処理したものに、上記半導体用シール組成物(ポリエチレンイミン水溶液)を2mL滴下して、600rpmでスピンキャストして、基板2を作製した。基板2の表面は、多孔質低誘電率材料の1種である、多孔質シリカの表面状態をしていた。
(リンス液1−2の調製)
純水(Millipore社製、Milli−Q水)に、pHメータを用いてpHを測定しながら、シュウ酸2水和物(純正化学(株)、試薬特級)を徐々に添加して、混合し、pHを25℃で5に調整し、リンス液2を得た。
配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、8.9atom%だったものが、上記配線洗浄評価後、目視により洗浄前の酸化銅の色がまったくなくなり、リンス液1−2は配線上の余分な半導体用シール層へのリンス性が良好であることが確認できた。
また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、9.3atom%だったものが、上記リンス耐性評価後、5.5atom%と保持されており、リンス液1−2に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が良好であることが確認できた。
(リンス液1−3の調製)
純水(Millipore社製、Milli−Q水)に、pHメータを用いてpHを測定しながら、0.5規定のアンモニア水を徐々に添加して、混合し、pHを25℃で7に調整し、リンス液1−3を得た。
配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、8.9atom%だったものが、上記配線洗浄評価後、4.7atom%までしか減少しておらず、リンス液1−3は配線上の余分な半導体シール層へのリンス性が十分ではないことが確認できた。
また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、9.3atom%だったものが、上記リンス耐性評価後、4.7atom%まで減少し、リンス液1−3に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が不良であることが確認できた。
(リンス液1−4の調製)
純水(Millipore社製、Milli−Q水)に、pHメータを用いてpHを測定しながら、0.5規定のアンモニア水を徐々に添加して、混合し、pHを25℃で9に調整し、リンス液1−4を得た。
配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、8.9atom%だったものが、上記配線洗浄評価後、6.6atom%までしか減少しておらず、リンス液1−4は配線上の余分な半導体シール層へのリンス性が十分ではないことが確認できた。
また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、9.3atom%だったものが、上記リンス耐性評価後、3.9atom%まで減少し、リンス液1−4に対して、多孔質低誘電率材料上の半導体用シール層のリンス耐性が不良であることが確認できた。
(リンス液1−5の調製)
純水(Millipore社製、Milli−Q水)に、pHメータを用いてpHを測定しながら、0.5規定のアンモニア水を徐々に添加して、混合し、pHを25℃で10.5に調整し、リンス液1−5を得た。
配線洗浄評価前の基板1上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、8.9tom%だったものが、上記配線洗浄評価後、8.9atom%と変化しておらず、リンス液1−5は配線上の余分な半導体シール層へのリンス性が十分ではないことが確認できた。
また、リンス耐性評価前の基板2上の半導体用シール層に含まれるポリエチレンイミンの量を表す窒素原子の量(atom%)が、9.3atom%だったものが、上記リンス耐性評価後、9.3atom%と変化していなかった。
(リンス液2−1の合成)
30%過酸化水素水(純正化学、試薬特級)をリンス液2−1とした。pHは25℃で4.5であった。
裏面洗浄、エッジ洗浄性を評価するために、シリコンウエハ(フルウチ化学、8インチ、<100>面、P型(ボロンドープ)10−20 ohm−cm、厚さ700−775 μm)を、24時間以上、大気中に放置して自然酸化膜を表面に形成させ、5mm角に切り出し、表面を5分間UV−O3処理したものに、上記半導体用シール組成物(ポリエチレンイミン水溶液)を2mL滴下して、600rpmでスピンキャストして、半導体用シール相を形成しシリコンウエハを作成した。
次に前記シリコンウエハを、高さ15mmまでリンス液2−1を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ60分間保持後、容器内の溶液を捨て、超純水で3回ゆすぎ、高さ15mmまで超純水を満たした容積20mLの容器に浸し、振盪器に載せ15分間保持した。ピンセットで取り出し、超純水洗浄瓶で1分流し、乾燥空気ブローで乾燥させた。得られた試料を、XPS装置としてESCALAB220iXL(VG社製)を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、元素組成を測定し、E(エッジ)B(バック又はベベル)R(リンス)特性評価を行った。
(リンス液2−2の合成)
超純水に、シュウ酸2水和物(純正化学、試薬特級)を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25℃で2.0±0.05に調整し、イオン強度0.005のリンス液2−2を得た。
(リンス液2−3の合成)
超純水に、塩酸を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25℃で2.0±0.05に調整し、イオン強度0.0039のリンス液2−3を得た。
(リンス液2−4の合成)
超純水に、メタンスルホン酸を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25℃で2.0±0.05に調整し、イオン強度0.0055のリンス液2−4を得た。
(リンス液2−5の合成)
超純水に、硝酸を加え、pHメータを用いてpHを測定し、pHを25℃で2.0±0.05に調整し、イオン強度0.0071のリンス液2−5を得た。
(リンス液2−6の合成)
超純水をリンス液2−6とした。pHは25℃で6.5−7.0、イオン強度は0であった。
Claims (16)
- 半導体基板の表面の少なくとも一部に、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10質量ppb以下である半導体用シール組成物を付与し、半導体用シール層を形成するシール組成物付与工程と、半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面を、25℃におけるpHが6以下のリンス液で洗浄する洗浄工程と、をこの順で含む、半導体装置の製造方法。
- 前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂は、ポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の表面の少なくとも一部に多孔質層間絶縁層が形成されている、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体シール層は前記多孔質層間絶縁層上に形成されており、多孔質層間絶縁層が10nm〜32nm幅の凹状の溝を有し、前記シール組成物付与工程は、前記多孔質層間絶縁層の少なくとも前記凹状の溝の側面に、前記半導体用シール組成物を接触させる、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記多孔質層間絶縁層は、多孔質シリカを含み、その表面に前記多孔質シリカに由来するシラノール残基を有する、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リンス液が水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選ばれる少なくとも1種類の溶媒を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リンス液がシュウ酸、ギ酸、クエン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸からなる群から選ばれる少なくとも1種類の酸を含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の前記半導体用シール層が形成された面が半導体回路非形成面を含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体回路非形成面を洗浄するリンス液の25℃におけるpHが2以下である、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の表面が少なくとも一部に多孔質層間絶縁層と銅を含む配線材料とを備えた回路面を備え、前記洗浄工程が前記配線材料上のシール層を除去洗浄する回路面洗浄工程である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体回路面を洗浄するリンス液の25℃におけるpHが1以上である、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体回路面の金属配線または半導体基板上の、カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂に由来する半導体用シール層を除去するためのリンス液であって、25℃におけるpHが6以下である、リンス液。
- 前記カチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜600000の樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430であり、前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、請求項13に記載のリンス液。
- 請求項13に記載のリンス液であって、25℃におけるpHが1以上であり、半導体回路面のリンスに用いられるリンス液。
- 請求項13に記載のリンス液であって、25℃におけるpHが2以下であり、半導体基板の非回路面のリンスに用いられるリンス液。
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