JPWO2011122244A1 - 配線板及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

配線板（１００）は、シリカ系フィラー（１０ａ）を含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層（１０）と、粗化された面上に形成された導体層（２０）と、を有する。粗化された面において、導体層（２０）の隣り合う第１導体部（２０ａ）と第２導体部（２０ｂ）との間の面（Ｆ３）の粗さは、第１導体部（２０ａ）下の面（Ｆ１）の粗さ及び第２導体部（２０ｂ）下の面（Ｆ２）の粗さの少なくとも一方よりも小さい。

Description

本発明は、例えば携帯電話やパーソナルコンピュータ等に搭載して有用な配線板及びその製造方法に関する。
特許文献１には、表面が粗化された絶縁層上に導体回路を有する配線板が開示されている。導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜とから構成される。導体回路の形成方法としては、セミアディティブ法が採用されている。すなわち、絶縁層の表面を粗化し、その粗化面に無電解めっき膜を形成する。続けて、無電解めっき膜上にめっきレジストを設け、そのめっきレジストの非形成部分に電解めっき膜を形成する。続けて、めっきレジストを除去し、そのめっきレジスト下にあった無電解めっき膜を、エッチングにより除去する。その結果、表面が粗化された絶縁層上に導体回路が形成される。
特開平１１−２１４８２８号公報
特許文献１に開示される配線板においては、めっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチングで除去する際に、絶縁層の粗化面上の隣り合う配線間に、導体のエッチング残りが生じ易いと考えられる。また、その絶縁層上に、さらに上層の絶縁層（例えばソルダーレジスト又は層間絶縁層など）を設ける場合には、アンカー（絶縁層表面の凹凸）によって、それら絶縁層間に空隙が生じ易くなると考えられる。その結果、その空隙への水分の浸入などによって、それら絶縁層間における絶縁性の低下が懸念される。
導体回路の配線間においては、無電解めっきの前処理として用いられる触媒（例えばＰｄ）も、同様にエッチングされずに残ると考えられるため、例えば最外の導体層（例えばＣｕ）上に保護導体膜（例えばＮｉ／Ａｕ）を形成する場合には、その材料（例えばＮｉ）が上記触媒を核として配線間に異常析出し、隣り合う配線のショート（導通）を引き起こすことが懸念される。
また、エッチング等の湿式法により無電解めっき膜を除去する場合には、サイドエッチングにより配線幅が減少するおそれがある。
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、適切な配線幅を維持しながら、隣り合う配線間のショート（導通）を抑制することを目的とする。
本発明の第１の観点に係る配線板は、シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層と、前記粗化された面上に形成された導体層と、を有する配線板であって、前記粗化された面において、前記導体層の隣り合う第１導体部と第２導体部との間の面の粗さは、前記第１導体部下の面の粗さ及び前記第２導体部下の面の粗さの少なくとも一方よりも小さい。
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層を準備することと、前記粗化された面上に、金属箔を介して又は介さずに、無電解めっき膜を形成することと、前記無電解めっき膜上に、部分的に電解めっき膜を形成することと、前記電解めっき膜が形成されなかった領域に露出する前記無電解めっき膜に、前記シリカ系フィラーがストッパとなるレーザ照射を行って、前記露出する無電解めっき膜を除去することと、を含む。
本発明によれば、適切な配線幅を維持しながら、隣り合う配線間のショート（導通）を抑制することが可能になる。
本発明の実施形態に係る配線板の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明の実施形態に係る配線板のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真である。 図１及び図２に示した配線板の導体部間の面を示す図である。 図１及び図２に示した配線板の導体部下の面を示す図である。 導体部間の面が導体部下の面に対して窪んでいることを示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板の第１の例を示す図である。 図６に示した配線板に図１及び図２に示した構造を採用した第１の例を示す図である。 図６に示した配線板に図１及び図２に示した構造を採用した第２の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板の第２の例を示す図である。 図８に示した配線板に図１及び図２に示した構造を採用した第１の例を示す図である。 図８に示した配線板に図１及び図２に示した構造を採用した第２の例を示す図である。 絶縁層を準備する工程を説明するための図である。 絶縁層の一側の面（第２面）を粗化する工程を説明するための図である。 絶縁層の粗化面上に無電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。 無電解めっき膜上にめっきレジストを形成する工程を説明するための図である。 無電解めっき膜上に部分的に電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。 めっきレジストを除去する工程を説明するための図である。 不要な無電解めっき膜を除去するためのレーザ照射工程を説明するための図である。 図１６ＡのＡ−Ａ断面図である。 レーザ（厳密にはその照準）を移動させる場合の条件の一例を説明するための図である。 各材料について、レーザの波長と吸収率との関係を示すグラフである。 図１６Ａ及び図１６Ｂのレーザ照射工程において、グリーンレーザを用いて無電解めっき膜を除去した結果を示す図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂのレーザ照射工程において、エキシマレーザを用いて無電解めっき膜を除去した結果を示す図である。 レーザ照射に代えて、湿式法により無電解めっき膜を除去した結果を示す図である。 グリーンレーザを用いて不要な無電解めっき膜を除去した後の導体部間の面を示す図である。 湿式法により不要な無電解めっき膜を除去した後の導体部間の面を示す図である。 各試料について、ＥＳＣＡにより、導体部間の面（表層部）におけるパラジウムの存在量を測定した結果を示すグラフである。 フィラー含有量の異なる４つの絶縁層に、それぞれグリーンレーザを照射した結果を示す図表である。 導体部の側面において、グリーンレーザを照射した領域と照射しなかった領域との両方を示すＳＥＭ写真である。 絶縁層の粗化面上に形成された導体層が、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜の３層構造からなる配線板の一例を示す断面図である。 粗化面上に金属箔を有する絶縁層を準備する工程を説明するための図である。 図２７の工程の後、金属箔上に無電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。 図２８の工程の後、無電解めっき膜上に部分的に電解めっき膜を形成する工程を説明するための図である。 導体層の導体パターンの第１の例を示す図である。 導体層の導体パターンの第２の例を示す図である。 絶縁層の表層部にフィラー層を有する配線板の一例を示す図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向（又はコア基板の厚み方向）に相当する配線板の積層方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（配線板の主面に平行な方向）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
本実施形態では、相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。すなわち、第１面の反対側の主面が第２面であり、第２面の反対側の主面が第１面である。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
回路等の配線（グランドも含む）として機能し得る導体パターンを含む層のほか、ベタパターンのみからなる層も、導体層という。孔内に形成される導体のうち、孔の壁面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、孔に充填された導体をフィルド導体という。導体層には、上記導体パターンのほかに、接続導体のランドなどが含まれることもある。
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
レーザ光は、可視光に限られない。レーザ光には、可視光のほか、紫外線やＸ線等の短い波長の電磁波や、赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。
面に形成されるラインパターン（面上の配線又は面下の溝など）に関しては、ラインと直交する方向のうち、形成面と平行な方向の寸法を「幅」といい、形成面と直交する方向の寸法を「高さ」又は「厚さ」又は「深さ」という。また、ラインの一端から他端までの寸法を「長さ」という。ただし、他の寸法を指すことを明記している場合は、この限りでない。
本実施形態の配線板１００は、図１及び図２（図１のＡ−Ａ断面図）及び図３（ＳＥＭ写真）に示すように、絶縁層１０と、導体層２０と、上層絶縁層３０と、を有する。
絶縁層１０の厚さＴ１０は、約５〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。厚さＴ１０がこの範囲内にあると、絶縁信頼性を確保し、必要以上に基板を厚くしない点で有利である。
絶縁層１０は、フィラー１０ａと、樹脂１０ｂと、を含む。絶縁層１０は、樹脂１０ｂにフィラー１０ａを配合することによって、形成することができる。本実施形態では、フィラー１０ａを、絶縁層１０の略全体に概ね均一に分散させている。ただしこれに限定されず、絶縁層１０の表層部だけに、フィラー１０ａが埋め込まれていてもよい（例えば後述の図３２参照）。
本実施形態では、フィラー１０ａが、シリカ系フィラーからなる。シリカ系フィラーとしては、ケイ酸塩鉱物を用いることが好ましく、中でも、シリカ、タルク、雲母、カオリン、及びケイ酸カルシウムの少なくとも１つを用いることが好ましい。また、シリカとしては、球形シリカ、破砕シリカ、溶融シリカ、及び結晶シリカの少なくとも１つを用いることが好ましい。
絶縁層１０に含まれるフィラー１０ａ（シリカ系フィラー）の最大粒子径は、約１０μｍ以下であることが好ましい。本実施形態では、フィラー１０ａ（シリカ系フィラー）の最大粒子径が、約３．４μｍである。
本実施形態では、フィラー１０ａ（シリカ系フィラー）の５０ｗｔ％以上が、球形シリカである。このようにフィラー１０ａの主成分（半分以上）が球形シリカであると、後述のレーザ照射工程（図１６Ａ及び図１６Ｂ）において、フィラー１０ａがストッパとして好適に機能するようになると考えられる。またその結果、絶縁層１０上に導体や触媒等が残りにくくなると考えられる。ただしこれに限られず、フィラー１０ａの材質等は任意である。例えばフィラー１０ａは、球形シリカを含んでいなくてもよい。
本実施形態では、樹脂１０ｂが、エポキシ樹脂からなる。このエポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、フッ素系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ポリエステル樹脂、イミド樹脂（ポリイミド）、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、又はアラミド樹脂などを用いることができる。
絶縁層１０においては、樹脂１０ｂ（熱硬化性樹脂）が、約３０ｗｔ％以上のフィラー１０ａ（シリカ系フィラー）を含有していることが好ましい。絶縁層１０におけるフィラー１０ａの含有率がこの範囲内にあると、後述のレーザ照射工程（図１６Ａ及び図１６Ｂ）において、フィラー１０ａがストッパとして好適に機能し、樹脂１０ｂの炭化が抑制されると考えられる（後述の図２４参照）。
絶縁層１０の第２面は、粗化されている。そして、その絶縁層１０の第２面（粗化面）上には、導体層２０が形成される。
導体層２０は、例えば無電解めっき膜２１及び電解めっき膜２２の２層からなる。ただしこれに限られず、例えば導体層２０は、３層以上で構成されてもよい。無電解めっき膜２１の厚さＴ１は、例えば約０．６μｍであり、電解めっき膜２２の厚さＴ２は、例えば約１５μｍである。
本実施形態では、無電解めっき膜２１及び電解めっき膜２２が、銅からなる。そして、無電解めっき膜２１を形成する際には、触媒としてパラジウムが用いられる。ただしこれに限られず、無電解めっき膜２１及び電解めっき膜２２は、他の材料（例えば銅以外の金属）からなってもよい。触媒の種類も、任意である。また、必要なければ、触媒を使用しなくてもよい。
導体層２０は、図２に示すように、導体部２０ａ（第１導体部）と、導体部２０ｂ（第２導体部）と、を含む。
本実施形態では、図１に示すように、導体部２０ａ及び２０ｂが、直線状に形成される。導体部２０ａと導体部２０ｂとは、互いに略平行に配置され、互いに絶縁されている。ただしこれに限定されず、導体層２０の導体パターン等は任意である（例えば後述の図３０、図３１参照）。
幅ｄ１、ｄ２の一例を示すと、導体部２０ａの幅ｄ１は、例えば約１０μｍであり、導体部２０ｂの幅ｄ２は、例えば約１０μｍである。図１及び図２に示した構造は、隣り合う配線間のショートを抑制すると考えられるため、導体部２０ａの幅ｄ１及び導体部２０ｂの幅ｄ２が約１０μｍ以下であるような、配線密度の高いファインパターンを形成する場合に特に有効である。
導体部２０ａと導体部２０ｂとの間には、空隙Ｒ１が設けられる。空隙Ｒ１の幅ｄ３（導体部２０ａと導体部２０ｂとの間隔）の一例を示すと、例えば約１０μｍである。図１及び図２に示した構造は、隣り合う配線間のショートを抑制すると考えられるため、空隙Ｒ１の幅ｄ３が約１０μｍ以下であるような、配線密度の高いファインパターンを形成する場合に特に有効である。
絶縁層１０の第２面において、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３の粗さは、導体部２０ａ下の面Ｆ１の粗さ及び導体部２０ｂ下の面Ｆ２の粗さよりも小さいことが好ましい。面Ｆ３の粗さが小さいことで、上層絶縁層３０との間に、クラックの原因となる空隙（ボイド）が残りにくくなると考えられる。また、面Ｆ３においては、面Ｆ３の凹部に導体（無電解めっき膜）や触媒等が残りにくくなるため、導体層２０における隣り合う配線（導体部２０ａ及び２０ｂ）間の絶縁信頼性が向上すると考えられる。なお、面Ｆ３の粗さが、面Ｆ１の粗さ及び面Ｆ２の粗さの少なくとも一方よりも小さければ、上記効果に準ずる効果が得られると考えられる。
また、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３の十点平均粗さは、導体部２０ａ下の面Ｆ１の十点平均粗さの約１／２以下であり、また、導体部２０ｂ下の面Ｆ２の十点平均粗さの約１／２以下でもある。この場合も、面Ｆ３の粗さが小さいことで、前述した効果に準ずる効果が得られると考えられる。また、面Ｆ３の十点平均粗さが、面Ｆ１の十点平均粗さ及び面Ｆ２の十点平均粗さのいずれか一方のみの約１／２以下であっても、相応の効果は得られると考えられる。
ここで、面Ｆ１〜Ｆ３の粗さの一例を示す。図４Ａ中、面Ｆ３の最大粗さｄ１１は、例えば約１．９０μｍであり、面Ｆ３の十点平均粗さは、例えば約１．７５μｍである。また、図４Ｂ中、面Ｆ１又はＦ２の最大粗さｄ１２は、例えば約３．８０μｍであり、面Ｆ１又はＦ２の十点平均粗さは、例えば約３．５０μｍである。
本実施形態では、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３の十点平均粗さ（例えば約１．７５μｍ）が、絶縁層１０に含まれるフィラー１０ａ（シリカ系フィラー）の最大粒子径（例えば約３．４μｍ）以下になっている。製造工程においてフィラー１０ａをストッパとしてレーザ照射をする結果、上記粗さになると考えられる（詳しくは後述する）。
本実施形態では、電解めっき膜２２の外側に、改質層が形成されている。改質層が形成される前は、めっきの結晶粒塊のごつごつ感があるが、改質層が形成されることで、めっきの結晶粒塊のごつごつ感がなくなって平滑になった感じになる（後述の図２５参照）。このため、特に表皮効果が起こりやすい高周波での電気特性が改良されると推察される。
絶縁層１０の第２面において、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３は、導体部２０ａ下の面Ｆ１及び導体部２０ｂ下の面Ｆ２に対して窪んでいる。これにより、絶縁層１０の第２面と上層絶縁層３０との接触面積が増え、層間剥離（デラミネーション）の発生リスクが低減すると考えられる。具体的には、図５中、面Ｆ３の高さＨ１（例えば十点平均高さ）と面Ｆ１又はＦ２の高さＨ２（例えば十点平均高さ）との差（段差ｄ１０）は、例えば約０．７μｍであることが好ましい。
導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３（表層部）における、無電解めっき膜２１を形成するための触媒（パラジウム）の存在量は、約０．０５μｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。本実施形態の配線板１００においては、面Ｆ３（表層部）に、パラジウムが略存在しない（後述の図２３参照）。これにより、パラジウムを核として面Ｆ３にＮｉ等が異常析出するリスクは軽減されると考えられる。
図１中、絶縁層１０の第２面（粗化面）と導体部２０ａ、２０ｂの側面Ｆ１０とがなす角度θは、約９０°以上であることが好ましい。本実施形態では、角度θが、略９０°である。すなわち、本実施形態の配線板１００では、アンダーカットがほとんど生じていない。このため、アンダーカットによる性能低下が生じず、良好な電気特性が得られると考えられる（詳しくは、後述の図１９〜図２１参照）。なお、角度θは約９０°に限られない。例えば角度θが約９０°以上であれば、アンダーカットが生じておらず、上記効果に準ずる効果が得られると考えられる。
絶縁層１０上には、導体部２０ａ及び２０ｂを被覆する上層絶縁層３０が形成される。上層絶縁層３０は、例えば層間絶縁層又はソルダーレジストである。ただしこれに限られず、上層絶縁層３０の用途や材質等は任意である。
本実施形態の配線板１００は、例えば図６に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）であることが好ましい。
図６の例における配線板１００は、基板２００（コア基板）と、絶縁層１０１〜１０４（層間絶縁層）と、ソルダーレジスト１０５、１０６と、導体層１１３〜１１６と、を有する。基板２００は、絶縁層１００ａと、導体層１１１、１１２と、を有する。配線板１００の片面又は両面に他の配線板や電子部品等が実装されることで、配線板１００は、例えば携帯電話等の回路基板として使用することができる。
配線板１００は、例えば基板２００に、絶縁層１０１〜１０４と、導体層１１３〜１１６と、を交互にビルドアップした後、最外層にソルダーレジスト１０５、１０６を設けることで、製造することができる。
基板２００は、例えば後述の図１０〜図１６Ｂの工程により製造することができる。また、基板２００として、両面銅張積層板を用いてもよい。絶縁層１０１〜１０４は、例えば樹脂フィルム（半硬化状態の接着シート）を用いた真空ラミネートにより、形成（積層）することができる。導体層１１３〜１１６は、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、形成することができる。ソルダーレジスト１０５、１０６は、例えばスクリーン印刷又はラミネート等により形成することができる。
先の図１及び図２に示した構造は、多層プリント配線板のビルドアップ部、例えば図７Ａ中の領域Ｒ１１の構造として採用することができる。図７Ａの例では、絶縁層１０４が絶縁層１０に相当し、導体層１１６が導体層２０に相当し、ソルダーレジスト１０６が上層絶縁層３０に相当する。
また、先の図１及び図２に示した構造は、多層プリント配線板のコア部、例えば図７Ｂ中の領域Ｒ１２の構造として採用してもよい。図７Ｂの例では、絶縁層１００ａ（コア）が絶縁層１０に相当し、導体層１１２が導体層２０に相当し、絶縁層１０２（層間絶縁層）が上層絶縁層３０に相当する。
配線板１００の構造等は、図６に示す例に限定されない。例えば図８に示すように、基板２００（コア基板）を有さない多層プリント配線板（両面リジッド配線板）であってもよい。図８の例では、導体層１１０を基準（コア位置）にして、第１面側に、２層の絶縁層１０１、１０３及び２層の導体層１１３、１１５が交互に積層され、第２面側に、２層の絶縁層１０２、１０４及び２層の導体層１１４、１１６が交互に積層されている。そして、第１面側の最外層（絶縁層１０３及び導体層１１５）は、ソルダーレジスト１０５で覆われ、第２面側の最外層（絶縁層１０４及び導体層１１６）は、ソルダーレジスト１０６で覆われている。
先の図１及び図２に示した構造は、例えば図９Ａ中の領域Ｒ１１の構造として採用することができる。図９Ａの例では、絶縁層１０４が絶縁層１０に相当し、導体層１１６が導体層２０に相当し、ソルダーレジスト１０６が上層絶縁層３０に相当する。
また、先の図１及び図２に示した構造は、多層プリント配線板のコア部、例えば図９Ｂ中の領域Ｒ１２の構造として採用してもよい。図９Ｂの例では、絶縁層１０２が絶縁層１０に相当し、導体層１１４が導体層２０に相当し、絶縁層１０４が上層絶縁層３０に相当する。
また、配線板１００は、リジッド配線板であっても、フレキシブル配線板であってもよい。また、配線板１００は、両面配線板であっても、片面配線板であってもよい。導体層及び絶縁層の層数も任意である。
上記配線板１００（特に図１及び図２に示した構造）は、例えば以下のような方法で製造される。
まず、少なくとも第２面が粗化された絶縁層１０を準備する。
具体的には、図１０に示すように、絶縁層１０を準備する。絶縁層１０は、例えば樹脂１０ｂ（熱硬化性樹脂）に、フィラー１０ａ（シリカ系フィラー）を約３０ｗｔ％以上含有させてなる。
続けて、図１１に示すように、例えばエッチングにより、絶縁層１０の第２面を粗化する。具体的には、例えば過マンガン酸溶液を用いた浸漬などにより、絶縁層１０の第２面をエッチングする。ただし、粗化の方法はエッチングに限られず任意であり、例えば研磨処理、酸化処理、又は酸化還元処理などにより、絶縁層１０の第２面を粗化してもよい。
上記のように、絶縁層１０を準備し、その一側の面（第２面）を粗化した結果、第２面が粗化された絶縁層１０が完成する。
続けて、例えば浸漬により、絶縁層１０の第２面（粗化面）に触媒を吸着させる。この触媒は、前述したとおり、パラジウムである。浸漬には、例えば塩化パラジウムやパラジウムコロイド等の溶液を使用することができる。触媒を固定するため、浸漬後に加熱処理を行ってもよい。
続けて、図１２に示すように、例えば化学めっき法により、絶縁層１０の第２面（粗化面）上に、例えば銅の無電解めっき膜１００１を形成する。めっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。還元剤としては、例えば次亜リン酸塩又はグルオキシル酸などを用いることができる。
続けて、図１３に示すように、無電解めっき膜１００１上にめっきレジスト１００２を形成する。めっきレジスト１００２は、所定の位置に開口部１００２ａを有する。開口部１００２ａは、導体層２０の導体パターン（図１）に対応して配置されている。
続けて、図１４に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００２の開口部１００２ａに、例えば銅の電解めっき膜１００３を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜１００１を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、陰極の露出している無電解めっき膜１００１の第２面に、銅を析出させる。これにより、無電解めっき膜１００１上に、部分的に電解めっき膜１００３が形成される。めっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。
続けて、図１５に示すように、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００２を除去する。
続けて、不要な無電解めっき膜１００１を除去することにより、先の図１に示した導体パターンを有する導体層２０を形成する。具体的には、例えば図１６Ａ（図１に対応した平面図）及び図１６Ｂ（図１６ＡのＡ−Ａ断面図）に示すように、被照射体（絶縁層１０等）の第２面側に、開口部１００４ａを有する遮光マスク１００４を設けた状態で、被照射体の全面（詳しくは第２面全域）にグリーンレーザを照射することが好ましい。ここで、グリーンレーザとは、波長約１０６４ｎｍの基本波の第２高調波であって、波長約５３２ｎｍのレーザ光を指す。
こうしたグリーンレーザを被照射体の全面に照射する場合には、例えば被照射体を固定してグリーンレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にグリーンレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。グリーンレーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる（走査する）ことが好ましい。また、被照射体を移動させる場合には、例えばシリンドリカルレンズによりグリーンレーザをライン光として、これを所定の位置に照射しつつ、コンベアにより被照射体を移動させることが好ましい。
なお、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。また、同じ照射位置に複数回のレーザ照射を行う場合において、ショットごとにレーザ強度を変えてもよい。
ここで、ガルバノミラーによりグリーンレーザを移動させる場合の条件の一例を示す。図１７中、レーザ光のスポット径ｄ２１は、例えば３０μｍである。この例では、レーザ光の走査方向を、Ｘ方向とする。Ｘ方向の単位移動量ｄ２２（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば２０μｍである。また、Ｙ方向の単位移動量ｄ２３（隣り合うスポットの照射中心Ｐ間の距離）は、例えば１５μｍである。レーザ光の走査速度は、例えば３０００mm／secである。すなわち、１ショットごとにレーザ光をＸ方向に２０μｍ走査する場合には、レーザ光は、１秒間に１５万ショット照射されることになる。
以下、こうした条件でレーザ照射を行う場合を例にして、レーザ照射態様の一例について説明する。
この例では、まず、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第１のライン、例えば（０，０）〜（ＸＸ，０）について、レーザ照射を行う。具体的には、最初の照射位置（０，０）に対してレーザ照射を行い、そのレーザ照射が終わったら、単位移動量ｄ２２だけＸ２側に移動し、次の照射位置（２０，０）に対してレーザ照射を行う。そして、図１６Ａ中に矢印で示すように、レーザ照射及びＸ２側への移動を繰り返して、被照射体のＸ方向に設定された各照射位置に、順次レーザ照射を行っていく。こうして、被照射体のＸ方向全域についてグリーンレーザの照射が終わったら、第１のラインに対するレーザ照射は完了したことになる。
続けて、被照射体のＸ−Ｙ平面上の第２のライン、例えば（０，１５）〜（ＸＸ，１５）について、レーザ照射を行う。具体的には、グリーンレーザは、図１６Ａ中に矢印で示すように、第１のラインの最後の照射位置（ＸＸ，０）から、Ｘ座標を原点に戻すとともに、Ｙ座標を単位移動量ｄ２３だけＹ１側に移動し、照射位置（０，１５）から、再び第１のラインと同様、Ｘ２側に向かってレーザ光を走査する。こうして、各ラインについて順次レーザ照射を行うことで、被照射体の第２面（Ｘ−Ｙ平面）全域にグリーンレーザを照射することができる。
ここでは、導体部２０ａ及び２０ｂ（図１）の長手方向（Ｙ方向）と直交するＸ方向に沿ってレーザ光を走査する例を示したが、導体部２０ａ及び２０ｂ（図１）の長手方向と平行なＹ方向に沿ってレーザ光を走査してもよい。また、遮光マスク１００４を用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部分のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。その他、照射位置やレーザ強度の制御方法等も任意である。
本実施形態では、不要な無電解めっき膜１００１を除去するためのレーザ照射（図１６Ａ及び図１６Ｂ）において、グリーンレーザを用いることにより、フィラー１０ａがストッパとなって、無電解めっき膜１００１下の絶縁層１０が過剰に除去されてしまうことを抑制してくれると考えられる。以下、図１８等を参照して、このことについて、説明する。
図１８は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）の各々にレーザ光を照射した場合における、レーザ光の波長と吸収率との関係を示すグラフである。なお、エポキシ樹脂を他の樹脂（特に熱硬化性樹脂）に代えても、概ね同様の結果が得られると考えられる。
まず、波長約５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）と、波長約１０６４０ｎｍのレーザ光ＬＺ４とを比較する。レーザ光ＬＺ４の光源としては、例えばＣＯ２レーザを用いることができる。
図１８に示されるように、レーザ光ＬＺ４の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）及びシリカ（線Ｌ１３）の両方で高いが、レーザ光ＬＺ３の吸収率は、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）では高く、シリカ（線Ｌ１３）では低い。特に、レーザ光ＬＺ３では、シリカ（線Ｌ１３）での吸収率を１０％程度に抑えることができる。本実施形態においては、絶縁層１０に、樹脂１０ｂ（エポキシ樹脂）だけでなく、フィラー１０ａ（シリカ系フィラー）も含まれているため、グリーンレーザを絶縁層１０に照射した場合には、フィラー１０ａによって、絶縁層１０の分解反応（光化学反応）の進行が抑制されると考えられる。すなわち、不要な無電解めっき膜１００１を除去するためのレーザ照射（図１６Ａ及び図１６Ｂ）においては、フィラー１０ａがストッパとなって、無電解めっき膜１００１下の絶縁層１０が過剰に除去されてしまうことを抑制してくれると考えられる。フィラー１０ａをストッパとして用いるためには、樹脂１０ｂでのレーザ光の吸収率が、フィラー１０ａでのレーザ光の吸収率の７倍以上であることが好ましいと考えられる。
また、銅（線Ｌ１２）での吸収率は、レーザ光ＬＺ４よりもレーザ光ＬＺ３の方が高い。無電解めっき膜１００１（銅）を除去するためのレーザ照射（図１６Ａ及び図１６Ｂ）においては、銅でのレーザ光の吸収率が、ある程度高い方が好ましいと考えられる。無電解めっき膜１００１を除去する効率が高くなる上、電解めっき膜２２（図２）表面の結晶粒塊のごつごつした感じがなくなるなど、改質の効果が期待できるからである（図２５参照）。ただし、銅でのレーザ光の吸収率が高過ぎると、銅が過剰に削られてしまうなどの不都合が生じるおそれがある。この点、グリーンレーザは、適度に銅に吸収されるため、無電解めっき膜１００１を除去するためのレーザ照射に適していると考えられる。銅でのレーザ光の吸収率は、約５０％であることが好ましいと考えられる。
また、約１０６４ｎｍ以下の波長を有するレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解し、約１０６４ｎｍよりも大きい波長を有するレーザ光は、主に熱反応により被照射体を分解すると考えられる。２つの反応を比較すると、光を熱に変換して使用する熱反応よりも、光をそのまま使用する光化学反応の方がエネルギー効率が高いと考えられる。このことから、グリーンレーザは、エネルギー効率の面でも優れていると考えられる。
次に、波長約２００ｎｍのレーザ光ＬＺ１と、波長約３５５ｎｍのレーザ光ＬＺ２（ＵＶレーザ）と、波長約５３２ｎｍのレーザ光ＬＺ３（グリーンレーザ）とを比較する。なお、レーザ光ＬＺ１の光源としては、例えばエキシマレーザを用いることができる。また、レーザ光ＬＺ２としては、例えばＹＡＧレーザの第３高調波を用いることができる。
これらレーザ光ＬＺ１〜ＬＺ３は、主に光化学反応より被照射体を分解する点で共通すると考えられる。しかし、図１８に示されるように、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、及びシリカ（線Ｌ１３）での吸収率については、レーザ光ＬＺ１が最も高く、次にレーザ光ＬＺ２が高く、レーザ光ＬＺ３が最も低い。より詳しくみると、レーザ光ＬＺ２、ＬＺ３の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、シリカ（線Ｌ１３）の順になっているが、レーザ光ＬＺ１の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、シリカ（線Ｌ１３）、銅（線Ｌ１２）の順になっている。しかも、レーザ光ＬＺ１では、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との間にほとんど差がない。したがって、先のレーザ照射工程（図１６Ａ及び図１６Ｂ）において、エキシマレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能しないと考えられる。
具体的には、先のレーザ照射工程（図１６Ａ及び図１６Ｂ）において、グリーンレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能するため、図１９に示すように、アンダーカットが生じることなく、導体部２０ａ及び２０ｂ（導体層２０）が形成されると考えられる。一方、エキシマレーザを用いた場合には、フィラー１０ａがストッパとして機能しないため、図２０に示すように、アンダーカットが生じてしまうおそれがある。
また、図１８に示されるように、レーザ光ＬＺ１では、銅（線Ｌ１２）での吸収率に対して、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）での吸収率及びシリカ（線Ｌ１３）での吸収率が大きい。このため、先のレーザ照射工程（図１６Ａ及び図１６Ｂ）において、エキシマレーザを用いた場合には、無電解めっき膜１００１の残渣が残り易くなる。その結果、図２０に示すように、導体部２０ａ、２０ｂの側面Ｆ１０が平滑にならないおそれがある。この点、グリーンレーザを用いた場合には、レーザ光が適度に銅に吸収され、また、フィラー１０ａがストッパとして機能するため、図１９に示すように、導体部２０ａ、２０ｂの側面Ｆ１０が平滑になると考えられる。なお、銅（線Ｌ１２）での吸収率とシリカ（線Ｌ１３）での吸収率との比率（銅／シリカ）は、約５以上であることが好ましいと考えられる。
以上より、無電解めっき膜１００１（銅）を除去するためのレーザ照射（図１６Ａ及び図１６Ｂ）に用いるレーザ光は、主に光化学反応により被照射体を分解できるもの、すなわち約１０６４ｎｍ以下の波長を有することが好ましいと考えられる。また、銅でのレーザ光の吸収率がある程度高くなるように、レーザ光の吸収率は、高い方から、エポキシ樹脂（線Ｌ１１）、銅（線Ｌ１２）、シリカ（線Ｌ１３）の順になっていることが好ましいと考えられる。したがって、上記レーザ光の波長は、図１８中の範囲Ｒ２１、すなわち約３００〜１０６４ｎｍの範囲にあることが好ましいと考えられる。さらに、フィラー１０ａをストッパとして用いることや、無電解めっき膜１００１を除去する効率等を考慮すると、上記レーザ光の波長は、約３５０〜６００ｎｍの範囲（範囲Ｒ２２）にあることが好ましく、中でも、約５００〜５６０ｎｍの範囲（範囲Ｒ２３）にあることがより好ましいと考えられる。
光源は、固体レーザであっても、液体レーザであっても、気体レーザであってもよい。具体的には、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、又は銅蒸気レーザが、光源として好ましいと考えられる。例えばＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第２高調波を用いることで、波長約５３２ｎｍのレーザ光が得られ、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの第３高調波を用いることで、波長約３５５ｎｍのレーザ光が得られる。また、アルゴンイオンレーザによれば、約４８８〜５１５ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。また、銅蒸気レーザによれば、約５１１〜５７８ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光が得られる。ただし、光源はこれらに限られず任意であり、必要なレーザ光の波長に応じて適切なものを選定することが好ましい。
ここまで、レーザを用いて無電解めっき膜１００１を除去する場合について言及してきたが、エッチング液を用いた湿式法により、無電解めっき膜１００１を除去することもできる。しかしこの場合、レーザを使用した場合のような異方性の加工（詳しくは、主にＺ方向の加工）ではなく、略等方性の加工になるため、図２１に示すように、サイドエッチング等で導体部２０ａ、２０ｂが過剰に除去され易い。その結果、導体部２０ａ、２０ｂの幅（配線幅）が、所望とする幅よりも減少してしまうおそれがある。また、サイドエッチングの影響で、導体部２０ａ、２０ｂの側面Ｆ１０は平滑になりにくいと考えられる。
この点、レーザを用いれば、局所的な線細りが抑制されることで、ファインパターンの設計が容易になり、また、インピーダンスの整合も図り易くなると考えられる。さらに、サイドエッチングの影響が少ないため、導体部２０ａ、２０ｂの側面Ｆ１０の平滑性が向上すると考えられる。
また、レーザを用いた方が、湿式法よりも、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３の粗さを小さくすることができると考えられる。図２２Ａ、図２２Ｂに、このことについての実験結果を示す。
図２２Ａは、グリーンレーザを用いて無電解めっき膜１００１を除去した後の面Ｆ３を示す図である。一方、図２２Ｂは、湿式法により無電解めっき膜１００１を除去した後の面Ｆ３を示す図である。図２２Ａ及び図２２Ｂは、ＳＥＭ写真に基づいて作成した模式図である。これら図２２Ａ、図２２Ｂに示されるように、両者を比較すると、グリーンレーザを用いた場合の方が、面Ｆ３の粗さが小さい。なお、他のレーザ光においても、概ね同様の傾向が得られると考えられる。
また、レーザを用いた方が、湿式法よりも、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３における、無電解めっき膜１００１（無電解めっき膜２１）を形成するための触媒を確実に除去することができると考えられる。図２３に、このことについての実験結果を示す。
この実験では、先の図１０〜図１５に示した工程を経て、絶縁層１０上に無電解めっき膜１００１及び電解めっき膜１００３を形成した後（図１５参照）、不要な無電解めっき膜１００１を除去することで、試料Ａ及び試料Ｂを作成した。ただし、試料Ａでは、グリーンレーザを用いて不要な無電解めっき膜１００１を除去し、試料Ｂでは、湿式法により不要な無電解めっき膜１００１を除去した。試料Ａ及び試料Ｂのいずれにおいても、無電解めっき膜１００１を形成する際に、触媒としてパラジウムを用いた。
図２３は、試料Ａ及び試料Ｂの各々について、面Ｆ３（表層部）におけるパラジウムの存在量を測定した結果を示すグラフである。測定方法としては、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）を採用した。詳しくは、各試料の面Ｆ３にＸ線を照射して、パラジウム（特にその３ｄ５／２軌道）固有のピークが現れるエネルギー範囲において、狭域スペクトル測定を行った。このグラフにおいて、縦軸は光電子強度（光電子の数）であり、横軸は電子の結合エネルギーである。また、線Ｌ２１は、試料Ａに関する測定結果であり、線Ｌ２２は、試料Ｂに関する測定結果である。
線Ｌ２１は、ピークを示していないことから、試料Ａの面Ｆ３には、パラジウムが略存在しないことが分かる。一方、線Ｌ２２は、パラジウム固有のピーク位置にピークを示していることから、試料Ｂの面Ｆ３にはパラジウムが存在することが分かる。また、ピーク強度や面積強度等から、定量分析をした結果、試料Ｂの面Ｆ３におけるパラジウムの存在量は、４．３９μｇ／ｃｍ２であった。
上記実験結果より、グリーンレーザを用いた場合の方が、湿式法よりも、パラジウムの存在量が少なくなると推察できる。このため、グリーンレーザを用いれば、パラジウムを核として面Ｆ３にＮｉ等が異常析出するリスクが軽減されると考えられる。他のレーザ光においても、概ね同様の傾向が得られると考えられる。
また、湿式法では廃液が生じるため、環境面を考慮しても、レーザの方が好ましいと考えられる。
図２４は、フィラー１０ａ含有量の異なる４つの絶縁層１０に、それぞれグリーンレーザを照射した結果を示す図表である。この実験では、樹脂１０ｂとしてエポキシ樹脂を用い、フィラー１０ａとしてＳｉＯ２粉末を用いた。レーザ光の走査速度は、約５０mm／secとした。また、レーザ強度は、製造工程時の約６０倍とした。
図２４に示されるように、樹脂１０ｂに約０ｗｔ％又は約１５ｗｔ％のフィラー１０ａを含有させた場合には、それぞれレーザ照射面に樹脂１０ｂの炭化が見られた。一方、樹脂１０ｂに約３０ｗｔ％又は約５０ｗｔ％のフィラー１０ａを含有させた場合には、それぞれレーザ照射面に樹脂１０ｂの炭化が見られなかった。この結果から、樹脂１０ｂに約３０ｗｔ％以上のフィラー１０ａを含有させることで、樹脂１０ｂの炭化が抑制されると推察される。
図２５は、導体部２０ａ、２０ｂの側面Ｆ１０（特に電解めっき膜２２の外側）において、グリーンレーザを照射した領域（照射領域Ｒ１０１）と照射しなかった領域（未照射領域Ｒ１０２）との両方を示すＳＥＭ写真である。
図２５に示されるように、未照射領域Ｒ１０２では、めっきの結晶粒塊のごつごつ感があるが、照射領域Ｒ１０１では、改質層が形成され、めっきの結晶粒塊のごつごつ感がなくなって平滑になった感じがする。このため、特に表皮効果が起こりやすい高周波での電気特性が改良されると推察される。
本実施形態では、レーザ照射後、導体部２０ａと導体部２０ｂとの間（空隙Ｒ１）の面Ｆ３の十点平均粗さ（例えば約１．７５μｍ）が、絶縁層１０に含まれるフィラー１０ａ（シリカ系フィラー）の最大粒子径（例えば約３．４μｍ）以下になる。これは、レーザ照射によって、フィラー１０ａの周囲にある樹脂１０ｂが約半分以上除去される部分では、フィラー１０ａが樹脂１０ｂから脱落してできる凹面が面Ｆ３の表面に現れる一方、レーザ照射によって、フィラー１０ａの周囲にある樹脂１０ｂが約半分未満しか除去されない部分では、樹脂１０ｂに残ったフィラー１０ａが露出してできる凸面が面Ｆ３の表面に現れるためであると考えられる。
以上説明したように、レーザ照射工程（図１６Ａ及び図１６Ｂ）により、不要な無電解めっき膜１００１、すなわちめっきレジスト１００２下にあった無電解めっき膜１００１（図１４参照）を除去することができる。そしてその結果、先の図１に示した導体パターンを有する導体層２０が形成される。さらにその後、例えばスクリーン印刷又はラミネート等により、絶縁層１０上に上層絶縁層３０を形成することで、配線板１００（特に図１及び図２に示した構造）が完成する。
以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
絶縁層１０の粗化面上に形成された導体層２０は、無電解めっき膜２１及び電解めっき膜２２の２層構造からなるものに限られない。例えば図２６（図２に対応した断面図）に示すように、絶縁層１０側から順に、金属箔２３、無電解めっき膜２１、及び電解めっき膜２２が積層された３層構造からなる導体層２０であってもよい。金属箔２３、無電解めっき膜２１、及び電解めっき膜２２は、例えば銅からなる。
図２６の例における配線板１００は、例えば図２７に示すように、例えば第２面（粗化面）上に金属箔１００１ａ（例えば銅箔）を有する絶縁層１０を準備する。金属箔１００１ａは、例えばラミネートにより、絶縁層１０の第２面（粗化面）に形成する。
続けて、図２８に示すように、例えば前述の実施形態と同様の方法で、金属箔１００１ａ上に、例えば銅の無電解めっき膜１００１を形成する。
続けて、図２９に示すように、例えば前述の実施形態と同様の方法で、めっきレジスト１００２を用いて、無電解めっき膜１００１上に、部分的に例えば銅の電解めっき膜１００３を形成する。その後、めっきレジスト１００２を除去する。
続けて、例えば前述の実施形態と同様のレーザ照射工程により、不要な無電解めっき膜１００１及び金属箔１００１ａ、すなわちめっきレジスト１００２下にあった無電解めっき膜１００１及び金属箔１００１ａ（図２９参照）を除去する。これにより、先の図１に示した導体パターンを有する導体層２０が形成される。さらにその後、例えばスクリーン印刷又はラミネート等により、絶縁層１０上に上層絶縁層３０を形成することで、配線板１００（特に図２６に示した構造）が完成する。
絶縁層１０の粗化面上に形成された導体層２０の層数は２層や３層に限られず任意であり、例えば４層以上で構成される導体層２０であってもよい。
導体層２０の導体パターンは、任意である。
例えば図３０（図１に対応した平面図）に示すように、導体層２０がＵ字状の導体パターンを有し、導体部２０ａと導体部２０ｂとが互いにつながっていてもよい。
また、図３１（図１に対応した平面図）に示すように、導体層２０の空隙Ｒ１が、孔であってもよい。
フィラー１０ａを絶縁層１０の略全体に分散させることは必須ではない。例えば図３２（図２に対応した断面図）に示すように、絶縁層１０は、例えばフィラー１０ａを含まない第１層１１（樹脂層）と、フィラー１０ａを含む第２層１２（フィラー層）と、を有していてもよい。この例では、第１層１１が主に樹脂１０ｂからなり、第２層１２が主にフィラー１０ａ及び樹脂１０ｂからなる。そして、第１層１１上に第２層１２が形成される。また、複数の樹脂層と複数のフィラー層とが交互に形成されてもよい。
導体層２０の材料として、銅以外の導体を用いてもよい。図１８に示した関係に準ずる関係が得られれば、前述した効果に準ずる効果が得られると考えられる。
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
配線板１００の製造方法は、上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
上記実施形態及び各変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。例えば図２６の構造に、図３２の構造を適用してもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
本発明に係る配線板は、電子機器の回路基板に適している。また、本発明に係る配線板の製造方法は、電子機器の回路基板の製造に適している。
１０ 絶縁層
１０ａ フィラー
１０ｂ 樹脂
１１ 第１層（樹脂層）
１２ 第２層（フィラー層）
２０ 導体層
２０ａ、２０ｂ 導体部
２１ 無電解めっき膜
２２ 電解めっき膜
２３ 金属箔
３０ 上層絶縁層
１００ 配線板
１００ａ 絶縁層
１０１〜１０４ 絶縁層
１０５、１０６ ソルダーレジスト
１１１〜１１６ 導体層
２００ 基板
１００１ 無電解めっき膜
１００１ａ 金属箔
１００２ めっきレジスト
１００２ａ 開口部
１００３ 電解めっき膜
１００４ 遮光マスク
１００４ａ 開口部

Claims (20)

  1. シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層と、
    前記粗化された面上に形成された導体層と、
    を有する配線板であって、
    前記粗化された面において、前記導体層の隣り合う第１導体部と第２導体部との間の面の粗さは、前記第１導体部下の面の粗さ及び前記第２導体部下の面の粗さの少なくとも一方よりも小さい、
    ことを特徴とする配線板。
  2. 前記第１導体部と前記第２導体部との間の前記面の十点平均粗さは、前記第１導体部下の前記面の十点平均粗さ及び前記第２導体部下の前記面の十点平均粗さの少なくとも一方の約１／２以下である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
  3. 前記第１導体部と前記第２導体部との間の前記面の十点平均粗さは、前記絶縁層に含まれる前記シリカ系フィラーの最大粒子径以下である、
    ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
  4. シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層と、
    前記粗化された面上に形成された導体層と、
    を有する配線板であって、
    前記粗化された面において、前記導体層の隣り合う第１導体部と第２導体部との間は、前記第１導体部下の面及び前記第２導体部下の面の少なくとも一方に対して窪んでいる、
    ことを特徴とする配線板。
  5. シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層と、
    前記粗化された面上に形成された導体層と、
    を有する配線板であって、
    前記導体層は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み、
    前記粗化された面において、前記導体層の隣り合う第１導体部と第２導体部との間の、前記無電解めっき膜を形成するための触媒の存在量は約０．０５μｇ／ｃｍ２以下である、
    ことを特徴とする配線板。
  6. 前記無電解めっき膜は銅からなり、前記触媒はパラジウムからなる、
    ことを特徴とする請求項５に記載の配線板。
  7. シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層と、
    前記粗化された面上に形成された導体層と、
    を有する配線板であって、
    前記導体層は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み、
    前記導体層の導体側面と、前記粗化された面とは、９０°以上の角度をなす、
    ことを特徴とする配線板。
  8. シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層と、
    前記粗化された面上に形成された導体層と、
    を有する配線板であって、
    前記導体層は、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み、
    前記電解めっき膜の外側に、改質層が形成される、
    ことを特徴とする配線板。
  9. 前記絶縁層は、熱硬化性樹脂にシリカ系フィラーを約３０ｗｔ％以上含有させてなる、
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
  10. 前記絶縁層の厚さは、約５〜２００μｍの範囲にある、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
  11. 前記絶縁層上に、前記第１導体部及び前記第２導体部を被覆する上層絶縁層を有する、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
  12. 前記第１導体部と前記第２導体部との間隔は、約１０μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
  13. 前記第１導体部の幅及び前記第２導体部の幅の少なくとも一方は、約１０μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
  14. 前記シリカ系フィラーは、ケイ酸塩鉱物からなる、
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の配線板。
  15. 前記シリカ系フィラーの約５０ｗｔ％以上が、球形シリカである、
    ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の配線板。
  16. シリカ系フィラーを含み、少なくとも一方の面が粗化された絶縁層を準備することと、
    前記粗化された面上に、金属箔を介して又は介さずに、無電解めっき膜を形成することと、
    前記無電解めっき膜上に、部分的に電解めっき膜を形成することと、
    前記電解めっき膜が形成されなかった領域に露出する前記無電解めっき膜に、前記シリカ系フィラーがストッパとなるレーザ照射を行って、前記露出する無電解めっき膜を除去することと、
    を含む配線板の製造方法。
  17. 前記レーザ照射は、被照射体の全面に行う、
    ことを特徴とする請求項１６に記載の配線板の製造方法。
  18. 前記金属箔、前記無電解めっき膜、及び前記電解めっき膜は、銅からなり、
    前記レーザ照射では、約３５０〜６００ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光を照射する、
    ことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の配線板の製造方法。
  19. 前記レーザ照射では、約５００〜５６０ｎｍの範囲にある波長を有するレーザ光を照射する、
    ことを特徴とする請求項１８に記載の配線板の製造方法。
  20. 前記金属箔、前記無電解めっき膜、及び前記電解めっき膜は、銅からなり、
    前記レーザ照射では、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、アルゴンイオンレーザ、及び銅蒸気レーザのいずれかを光源とする、
    ことを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
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