JP2003188496A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JP2003188496A JP2003188496A JP2001383333A JP2001383333A JP2003188496A JP 2003188496 A JP2003188496 A JP 2003188496A JP 2001383333 A JP2001383333 A JP 2001383333A JP 2001383333 A JP2001383333 A JP 2001383333A JP 2003188496 A JP2003188496 A JP 2003188496A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】微細化した配線基板を短い製造期間で、かつ安
価なランニングコストにより製造することでコストダウ
ンを実現した配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】配線の形成にフォトリソグラフィー技術と
メッキ技術を利用する配線基板の製造方法において、基
板１上にメッキ電極となる下地２を形成し、フォトレジ
スト３によって配線パターンを形成し、メッキ技術によ
り配線となる導体層４を形成した後にフォトレジスト３
を除去し、メッキ電極となる下地２をレーザを照射して
除去する。
価なランニングコストにより製造することでコストダウ
ンを実現した配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】配線の形成にフォトリソグラフィー技術と
メッキ技術を利用する配線基板の製造方法において、基
板１上にメッキ電極となる下地２を形成し、フォトレジ
スト３によって配線パターンを形成し、メッキ技術によ
り配線となる導体層４を形成した後にフォトレジスト３
を除去し、メッキ電極となる下地２をレーザを照射して
除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の製造方
法に関し、特に配線の微細化とその製造コストの低減を
図った配線基板の製造方法に関する。
法に関し、特に配線の微細化とその製造コストの低減を
図った配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器における実装の高密度化により
配線基板については、配線及び配線間隔が微細化し、配
線の形成にはフォトリソグラフィー技術とメッキ技術を
利用して配線基板を製造することが重要な要素の一つと
なっている。
配線基板については、配線及び配線間隔が微細化し、配
線の形成にはフォトリソグラフィー技術とメッキ技術を
利用して配線基板を製造することが重要な要素の一つと
なっている。
【０００３】このようなフォトリソグラフィー技術を用
いた配線基板の製造方法では、通常、まず図２（ａ）に
示すように基板１１上にメッキ電極となる下地１２をス
パッタ等の手法を用いて形成する。次いで、図２（ｂ）
に示すようにフォトリソグラフィー技術によってフォト
レジスト１３による配線パターン（フォトレジスト１３
を形成していない部分）を形成する。次いで、図２
（ｃ）に示すようにメッキ技術により配線パターンの部
分に導体層１４を形成する。次いで、図２（ｄ）に示す
ように全てのフォトレジスト１３を除去する。次いで図
２（ｅ）に示すように、下地１２をエッチング液に溶解
して除去するウエットエッチング技術、又は真空中で活
性ガス、プラズマ、イオンビーム等を使用して除去する
ドライエッチング技術により、導体層１４の下部以外の
下地１２を除去して配線基板を製造する。
いた配線基板の製造方法では、通常、まず図２（ａ）に
示すように基板１１上にメッキ電極となる下地１２をス
パッタ等の手法を用いて形成する。次いで、図２（ｂ）
に示すようにフォトリソグラフィー技術によってフォト
レジスト１３による配線パターン（フォトレジスト１３
を形成していない部分）を形成する。次いで、図２
（ｃ）に示すようにメッキ技術により配線パターンの部
分に導体層１４を形成する。次いで、図２（ｄ）に示す
ように全てのフォトレジスト１３を除去する。次いで図
２（ｅ）に示すように、下地１２をエッチング液に溶解
して除去するウエットエッチング技術、又は真空中で活
性ガス、プラズマ、イオンビーム等を使用して除去する
ドライエッチング技術により、導体層１４の下部以外の
下地１２を除去して配線基板を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の配線基板の製造方法では、配線パターンの部分
以外のメッキ電極として使用した下地１２を除去する過
程で、ウエットエッチング技術による場合はメッキされ
た導体層１４の下部の下地１２もエッチングされる図２
（ｅ）に示すようなオーバーエッチング１５の問題が発
生して微細化が困難であるという問題を発生する。
た従来の配線基板の製造方法では、配線パターンの部分
以外のメッキ電極として使用した下地１２を除去する過
程で、ウエットエッチング技術による場合はメッキされ
た導体層１４の下部の下地１２もエッチングされる図２
（ｅ）に示すようなオーバーエッチング１５の問題が発
生して微細化が困難であるという問題を発生する。
【０００５】また、真空中で活性ガス、プラズマ、イオ
ンビーム等を使用して下地１２を除去するドライエッチ
ング技術の場合では、常圧より真空状態にする過程で多
くの時間を費やすことで製造に掛かる期間が長くなり、
更に、真空装置についてはランニングコストが大きくな
ることで、結果として配線基板の製造コストが高くなる
という問題をもたらしている。
ンビーム等を使用して下地１２を除去するドライエッチ
ング技術の場合では、常圧より真空状態にする過程で多
くの時間を費やすことで製造に掛かる期間が長くなり、
更に、真空装置についてはランニングコストが大きくな
ることで、結果として配線基板の製造コストが高くなる
という問題をもたらしている。
【０００６】本発明の主な目的は、微細化した配線と配
線間隔の配線基板を低コストで製造することを実現する
配線基板の製造方法を提供することにある。
線間隔の配線基板を低コストで製造することを実現する
配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板の製造
方法は、基板（図１の１）にメッキ電極となる下地（図
１の２）を形成し、この下地上に配線パターンになるよ
うに導体層（図１の４）を形成し、次にレーザ（図１の
５）を照射して前記下地の前記導体層が形成されなかっ
た部分を除去することを特徴とする。
方法は、基板（図１の１）にメッキ電極となる下地（図
１の２）を形成し、この下地上に配線パターンになるよ
うに導体層（図１の４）を形成し、次にレーザ（図１の
５）を照射して前記下地の前記導体層が形成されなかっ
た部分を除去することを特徴とする。
【０００８】本発明の配線基板の製造方法は、基板（図
１の１）にメッキ電極となる下地（図１の２）を形成す
る工程と、この下地上に配線パターンとなる部分を除い
てフォトレジスト（図１の３）を形成する工程と、次に
前記下地の前記配線パターンとなる部分に導体層（図１
の４）をメッキにより形成する工程と、次に前記下地上
から前記フォトレジストを除去する工程と、次にレーザ
（図１の５）を照射して前記下地の前記導体層がメッキ
されていない部分を除去する工程とを含むことを特徴と
する。
１の１）にメッキ電極となる下地（図１の２）を形成す
る工程と、この下地上に配線パターンとなる部分を除い
てフォトレジスト（図１の３）を形成する工程と、次に
前記下地の前記配線パターンとなる部分に導体層（図１
の４）をメッキにより形成する工程と、次に前記下地上
から前記フォトレジストを除去する工程と、次にレーザ
（図１の５）を照射して前記下地の前記導体層がメッキ
されていない部分を除去する工程とを含むことを特徴と
する。
【０００９】本発明の配線基板の製造方法は、基板（図
１の１）にメッキ電極となる下地（図１の２）を形成
し、この下地上に配線パターンになるように導体層（図
１の４）を形成し、次にレーザ（図１の５）の照射およ
びウェットエッチングの併用により前記下地の前記導体
層が形成されなかった部分を除去することを特徴とす
る。
１の１）にメッキ電極となる下地（図１の２）を形成
し、この下地上に配線パターンになるように導体層（図
１の４）を形成し、次にレーザ（図１の５）の照射およ
びウェットエッチングの併用により前記下地の前記導体
層が形成されなかった部分を除去することを特徴とす
る。
【００１０】上述の配線基板の製造方法は、前記下地の
除去に、レーザを前記導体層が形成された部分および形
成されなかった部分を区別することなく全面を走査して
照射するようにも、レーザを前記導体層が形成された部
分のみに照射し、形成されなかった部分には照射しない
ようにすることもできる。
除去に、レーザを前記導体層が形成された部分および形
成されなかった部分を区別することなく全面を走査して
照射するようにも、レーザを前記導体層が形成された部
分のみに照射し、形成されなかった部分には照射しない
ようにすることもできる。
【００１１】上述の配線基板の製造方法で前記配線基板
は、例えばセラミック基板である。
は、例えばセラミック基板である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の目的、特徴および利点を
明確にすべく、添付した図面を参照しながら、本発明の
実施の形態を以下に詳述する。
明確にすべく、添付した図面を参照しながら、本発明の
実施の形態を以下に詳述する。
【００１３】図１は、本発明の実施の形態としての配線
基板の製造方法を示す断面図であり、図１（ａ）〜
（ｅ）は各製造工程を段階的に示している。
基板の製造方法を示す断面図であり、図１（ａ）〜
（ｅ）は各製造工程を段階的に示している。
【００１４】まず図１（ａ）に示すようにアルミナ、ム
ライト、ガラスセラミックなどの材料よりなるセラミッ
ク基板１上にメッキ電極となる下地２をスパッタ、蒸着
等の手法を用いて約１０〜約５００ナノメートルの厚さ
で形成する。ここで、メッキ電極となる下地２は、セラ
ミック基板１とメッキ配線間の密着層の役割も果たし、
基板材質とメッキする材質により選定され、前記の基板
材質の例ではチタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）
などの金属、及びその合金の中から、１層または複数積
層して形成される。
ライト、ガラスセラミックなどの材料よりなるセラミッ
ク基板１上にメッキ電極となる下地２をスパッタ、蒸着
等の手法を用いて約１０〜約５００ナノメートルの厚さ
で形成する。ここで、メッキ電極となる下地２は、セラ
ミック基板１とメッキ配線間の密着層の役割も果たし、
基板材質とメッキする材質により選定され、前記の基板
材質の例ではチタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）
などの金属、及びその合金の中から、１層または複数積
層して形成される。
【００１５】或いは、セラミック基板１に代えて、プリ
ント配線基板などの有機系基板、シリコン（Ｓｉ）ウエ
ハなどを用いることも好ましい態様の一つである。ま
た、上記メッキ電極となる下地２の材料、及びその厚さ
も本実施の形態の構成のみに限定されるものではない。
ント配線基板などの有機系基板、シリコン（Ｓｉ）ウエ
ハなどを用いることも好ましい態様の一つである。ま
た、上記メッキ電極となる下地２の材料、及びその厚さ
も本実施の形態の構成のみに限定されるものではない。
【００１６】次いで、図２（ｂ）に示すようにフォトリ
ソグラフィー技術によってフォトレジスト３による配線
パターン（フォトレジスト３が形成されていない部分）
を形成する。すなわち、下地２を形成したセラミック基
板１上に液状フォトレジスト３をスピンコートして乾燥
し、所定の配線パターンを有するガラスマスクを用いて
露光した後、フォトレジスト３を現像することで配線パ
ターンを形成した。或いは、液状フォトレジスト３に代
えてドライフィルムレジストを用いることも好ましい態
様の一つであるが、現状では、材料コストが安くなる反
面、配線の微細化では液状フォトレジスト３にやや劣る
という特徴がある。
ソグラフィー技術によってフォトレジスト３による配線
パターン（フォトレジスト３が形成されていない部分）
を形成する。すなわち、下地２を形成したセラミック基
板１上に液状フォトレジスト３をスピンコートして乾燥
し、所定の配線パターンを有するガラスマスクを用いて
露光した後、フォトレジスト３を現像することで配線パ
ターンを形成した。或いは、液状フォトレジスト３に代
えてドライフィルムレジストを用いることも好ましい態
様の一つであるが、現状では、材料コストが安くなる反
面、配線の微細化では液状フォトレジスト３にやや劣る
という特徴がある。
【００１７】次いで、図２（ｃ）に示すように配線パタ
ーンの部分に銅（Ｃｕ）、又は金（Ａｕ）の電解メッキ
を厚さ約１〜約２０マイクロメートルで施し、配線パタ
ーンとなる導体層４を形成する。また、部品実装に半田
接続を使用する場合には上記の配線材料に代えて、銅
（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）の連続メッキ
を用いることも好ましい態様の一つであり、上記の導体
層４の材質、及びその厚さは本実施の形態の構成のみに
限定されるものではない。
ーンの部分に銅（Ｃｕ）、又は金（Ａｕ）の電解メッキ
を厚さ約１〜約２０マイクロメートルで施し、配線パタ
ーンとなる導体層４を形成する。また、部品実装に半田
接続を使用する場合には上記の配線材料に代えて、銅
（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）の連続メッキ
を用いることも好ましい態様の一つであり、上記の導体
層４の材質、及びその厚さは本実施の形態の構成のみに
限定されるものではない。
【００１８】次いで、図２（ｄ）に示すようにフォトレ
ジスト３を除去する。
ジスト３を除去する。
【００１９】次いで、図２（ｅ）に示すようにセラミッ
ク基板１の全面にイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット（ＹＡＧ）レーザ装置によるレーザ５を走査して照
射し、露出している下地２を除去する。この時、導体層
４の表面も除去されるが、導体層４は下地２に比較して
十分に厚いため導体層４の膜厚減少分はその特性を阻害
するものではない。
ク基板１の全面にイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット（ＹＡＧ）レーザ装置によるレーザ５を走査して照
射し、露出している下地２を除去する。この時、導体層
４の表面も除去されるが、導体層４は下地２に比較して
十分に厚いため導体層４の膜厚減少分はその特性を阻害
するものではない。
【００２０】或いは、上記のイットリウム・アルミニウ
ム・ガーネットレーザ装置によるレーザ５に代えて、炭
酸ガス（ＣＯ２）レーザ、エキシマレーザなどを用いる
ことも好ましい態様の一つであり、メッキ電極の下地２
と導体層４の材質により選定が可能でレーザ５の種類は
本実施の形態の構成のみに限定されるものではない。
ム・ガーネットレーザ装置によるレーザ５に代えて、炭
酸ガス（ＣＯ２）レーザ、エキシマレーザなどを用いる
ことも好ましい態様の一つであり、メッキ電極の下地２
と導体層４の材質により選定が可能でレーザ５の種類は
本実施の形態の構成のみに限定されるものではない。
【００２１】従って、メッキ電極となる下地２の除去を
ウエットエッチング技術、又は真空中でのドライエッチ
ング技術を使用することなく行えるので、微細配線を短
い製造期間で、かつ安価なランニングコストにより製造
することで配線基板のコストダウンが図れるという効果
がもたらされる。
ウエットエッチング技術、又は真空中でのドライエッチ
ング技術を使用することなく行えるので、微細配線を短
い製造期間で、かつ安価なランニングコストにより製造
することで配線基板のコストダウンが図れるという効果
がもたらされる。
【００２２】以上、本発明をその好適な実施の形態に基
づいて説明したが、本構成において配線基板は導体層が
１層のみでなく、絶縁層と導体層を交互に積層すること
で多層配線基板としてもよい。
づいて説明したが、本構成において配線基板は導体層が
１層のみでなく、絶縁層と導体層を交互に積層すること
で多層配線基板としてもよい。
【００２３】また、下地２の除去にレーザ照射およびウ
ェットエッチングを併用することもできる。すなわち、
フォトレジスト３の除去で露出した下地２の大部分をレ
ーザ照射で除去した後に、ウェットエッチングを実施し
下地２を完全に除去するようにしてもよい。この場合
は、レーザ照射量を少し低減でき、導体層４の表面の除
去を少なくすることができる。
ェットエッチングを併用することもできる。すなわち、
フォトレジスト３の除去で露出した下地２の大部分をレ
ーザ照射で除去した後に、ウェットエッチングを実施し
下地２を完全に除去するようにしてもよい。この場合
は、レーザ照射量を少し低減でき、導体層４の表面の除
去を少なくすることができる。
【００２４】また、レーザ５をセラミック基板１の全面
に照射するのではなく、導体層４が形成されていない下
地２が露出している部分のみに照射するようにすること
もできる。例えば、下地２が露出した部分のみにレーザ
を透過するマスクを基板１上に配置してレーザを走査し
て行うことができる。このようにすれば、導体層４がレ
ーザによっては全く除去されないようにできる。
に照射するのではなく、導体層４が形成されていない下
地２が露出している部分のみに照射するようにすること
もできる。例えば、下地２が露出した部分のみにレーザ
を透過するマスクを基板１上に配置してレーザを走査し
て行うことができる。このようにすれば、導体層４がレ
ーザによっては全く除去されないようにできる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、微
細化した配線と配線間隔の形成にフォトリソグラフィー
技術とメッキ技術を利用した配線基板の製造方法で、レ
ーザを照射してメッキ電極となる下地を除去することに
より、下地の除去をウェットエッチング技術、又は真空
中でのドライエッチング技術を使用することなく微細化
した配線基板を短い製造期間で、かつ安価なランニング
コストにより配線基板を製造でき、配線基板の製造コス
トを低減できる。
細化した配線と配線間隔の形成にフォトリソグラフィー
技術とメッキ技術を利用した配線基板の製造方法で、レ
ーザを照射してメッキ電極となる下地を除去することに
より、下地の除去をウェットエッチング技術、又は真空
中でのドライエッチング技術を使用することなく微細化
した配線基板を短い製造期間で、かつ安価なランニング
コストにより配線基板を製造でき、配線基板の製造コス
トを低減できる。
【図１】本発明の実施の形態の配線基板の製造方法を示
し、（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ各工程における配線基
板の断面図である。
し、（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ各工程における配線基
板の断面図である。
【図２】従来の配線基板の製造方法を示し、（ａ）〜
（ｅ）は、それぞれ各工程における配線基板の断面図で
ある。
（ｅ）は、それぞれ各工程における配線基板の断面図で
ある。
１ 基板
２ 下地
３ フォトレジスト
４ 導体層
５ レーザ
１１ 基板
１２ 下地
１３ フォトレジスト
１４ 導体層
１５ オーバーエッチング
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E339 AB06 BC01 BC02 BD08 BE20
CE20 DD03
5E343 AA23 BB14 BB16 BB18 BB22
BB23 BB24 BB38 BB44 BB48
BB52 DD23 DD25 DD43 ER25
GG11
Claims (6)
- 【請求項１】 基板にメッキ電極となる下地を形成し、
この下地上に配線パターンになるように導体層を形成
し、次にレーザを照射して前記下地の前記導体層が形成
されなかった部分を除去することを特徴とする配線基板
の製造方法。 - 【請求項２】 基板にメッキ電極となる下地を形成する
工程と、この下地上に配線パターンとなる部分を除いて
フォトレジストを形成する工程と、次に前記下地の前記
配線パターンとなる部分に導体層をメッキにより形成す
る工程と、次に前記下地上から前記フォトレジストを除
去する工程と、次にレーザを照射して前記下地の前記導
体層がメッキされていない部分を除去する工程とを含む
ことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 基板にメッキ電極となる下地を形成し、
この下地上に配線パターンになるように導体層を形成
し、次にレーザの照射およびウェットエッチングの併用
により前記下地の前記導体層が形成されなかった部分を
除去することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記下地の除去に、レーザを前記導体層
が形成された部分および形成されなかった部分を区別す
ることなく全面を走査して照射することを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記下地の除去に、レーザを前記導体層
が形成された部分のみに照射し、形成されなかった部分
には照射しないことを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記配線基板が、セラミック基板である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383333A JP2003188496A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383333A JP2003188496A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188496A true JP2003188496A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27593415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001383333A Pending JP2003188496A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003188496A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008172273A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製造方法 |
| US7458149B2 (en) | 2004-10-19 | 2008-12-02 | Fujitsu Limited | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
| JP2011109056A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Holy Stone Enterprise Co Ltd | セラミック基板の製造方法 |
| WO2011122244A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | イビデン株式会社 | 配線板及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001383333A patent/JP2003188496A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7458149B2 (en) | 2004-10-19 | 2008-12-02 | Fujitsu Limited | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
| JP2008172273A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製造方法 |
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| WO2011122244A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | イビデン株式会社 | 配線板及びその製造方法 |
| CN102918935A (zh) * | 2010-03-31 | 2013-02-06 | 揖斐电株式会社 | 电路板及其制造方法 |
| US8581104B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-11-12 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring board and method for manufacturing the same |
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