JPWO2011111539A1 - 物理量センサ - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、錘部の対向部に対する耐衝撃性及び耐スティッキング性を向上させることが可能な物理量センサを提供することを目的としている。【解決手段】 ばね部２１と、前記ばね部２１に連結されて高さ方向に変位可能に支持された錘部２０と、前記錘部と高さ方向にて対向する対向部２２と、を有し、前記対向部２２と前記錘部２０との間には、前記錘部２０が高さ方向へ変位したときに前記錘部２０と前記対向部２１の間を段階的に当接可能とし、前記錘部と前記対向部の間を段階的に離間可能とする高さの異なる複数の突起部２３，２４が配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン基板から切り出すなどして形成された錘部の変位量を検知し、これにより、外部から作用する加速度などの物理量の測定を可能とした物理量センサに関する。

例えば、物理量センサは、シリコン基板をエッチング処理して、高さ方向に変位可能に支持された錘部を備える。かかる場合、例えば、下記の特許文献１ないし３のように、高さ方向に変位する錘部（マス部）は、ばね部により揺動自在に支持された構造である。

高さ方向に変位する錘部を備える物理量センサにあっては、耐スティッキング性を向上させるために、例えば、錘部と対向する対向部の表面に複数の突起状のストッパ部が設けられる。各ストッパ部の高さは平面方向に揃っている。

しかしながら特許文献１に示す構造では、錘部に強い物理量が作用等した場合に、十分な耐衝撃性を得ることができず、また、錘部が各ストッパ部に当接した状態から錘部を元の静止状態に戻すための剥がし力を十分に大きく出来なかった。

また特許文献４に記載された発明には、櫛歯形状の固定電極あるいは可動電極に高い突起部や低い突起部を設けた物理量センサの構造が開示されている。低い突起部は高い突起部が破壊されたときの保護用として設けており、よって低い突起部に当接する場合は高い突起部が破壊されたことを前提としている。すなわち、可動電極と固定電極間は、高い突起部か低い突起部かのどちらか一方を介して当接する構造となっている。したがって可動電極と固定電極間が高い突起部を介して当接する場合と、可動電極と固定電極間が低い突起部を介して当接する場合とでセンサ感度が変化する問題がある。また高い突起部が破壊された状態では、センサ感度にばらつきやノイズが生じやすく、センサ感度が不安定化する問題がある。

更に、特許文献２では、突起部を櫛歯状の可動電極と固定電極間に設けており、錘部に対して突起部を配置した構造ではない。よって錘部の対向部に対する耐衝撃性及び耐スティッキング性を向上させることができない。

特開２０００−３３８１２６号公報 特開平９−６１４５７号公報 特開平７−３０６２２２号公報 特開２００２−２２８６８０号公報

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、特に、錘部の対向部に対する耐衝撃性及び耐スティッキング性を向上させることが可能な物理量センサを提供することを目的としている。

本発明における物理量センサは、
ばね部と、前記ばね部に連結されて高さ方向に変位可能に支持された錘部と、前記錘部と高さ方向にて対向する対向部と、を有し、
前記対向部と前記錘部との間には、高さの異なる複数の突起部が配置されており、前記錘部が高さ方向へ変位したときに前記錘部と前記対向部の間が各突起部を介して段階的に当接可能とされ、前記錘部と前記対向部の間が段階的に離間可能とされていることを特徴とするものである。

このように本発明では錘部と対向部との間に、高さの異なる複数の突起部を介在させて、前記錘部と前記対向部との間を段階的に当接可能としている。これにより段階的に復元力に関するばね定数を上昇させることができる。したがって、耐衝撃性を向上させることができる。更に本発明では、錘部と対向部間を段階的に各突起部から離間可能となっている。これにより、剥がし力を大きくでき耐スティッキング性を効果的に向上させることができる。

本発明では、第１の突起部と、前記第１の突起部よりも高さが低い第２の突起部とを有し、前記錘部の平面の一方向に対する真ん中に、前記第１の突起部が配置され、その両側に間隔を空けて前記第２の突起部が配置されており、あるいは、前記真ん中に、前記第２の突起部が配置され、その両側に間隔を空けて前記第１の突起部が配置されていることが好ましい。

あるいは本発明では、第１の突起部と、前記第１の突起部よりも高さが低い第２の突起部とを有し、前記錘部の平面の一方向に対する両側に前記第１の突起部と前記第２の突起部とが夫々、配置されていることが好ましい。

また本発明では、前記突起部は、前記対向面の前記錘部と対向する表面に形成されていることが好ましい。

また本発明では、前記対向部の表面には、前記突起部が形成されていない領域に固定電極層が形成されており、前記固定電極層の表面は、最も低い高さで形成された前記突起部の表面よりも低く形成されていることが好ましい。

これにより、可動電極として機能する錘部と固定電極層間にて変化する静電容量に基づいて物理量変化を検知することが可能な物理量センサを構成できる。また本発明では、錘部が対向部方向へ撓み変形等しても、固定電極層と錘部間の最小距離を一定に保つことができるから、固定電極層と錘部間の電気ショートや、接近による電流リークの不具合を抑制することが可能である。

また本発明では、固定支持されるアンカ部と、前記アンカ部と前記錘部とに夫々、前記ばね部を介して回動自在に連結された支持部と、を有し、
前記支持部には、前記支持部が回動して前記錘部が高さ方向に変位したときに前記錘部の変位方向に対し逆方向に変位する一対の脚部が設けられており、
各脚部と前記対向部の間には、前記脚部が高さ方向へ変位したときに一対の脚部と前記対向部の間を段階的に当接可能とし、一対の脚部と前記対向部の間を段階的に離間可能とする高さの異なる複数の突起部が配置されることが好ましい。このとき、一方の前記脚部と前記対向部との間に高さの高い突起部が配置され、他方の前記脚部と前記対向部との間に高さの低い突起部が配置されることが好ましい。これにより、脚部の対向部に対する耐衝撃性及び耐スティッキング性を効果的に向上させることができる。

本発明の構成によれば、段階的に復元力に関するばね定数を上昇させることができるため、耐衝撃性を向上させることができ、更に剥がし力を大きくでき耐スティッキング性を効果的に向上させることができる。

第１の実施形態における物理量センサの縦断面を示す模式図、 第２の実施形態における物理量センサの縦断面を示す模式図、 第３の実施形態における物理量センサの縦断面を示す模式図、 図１ないし図３に示す実施形態を適用可能なより具体的な物理量センサの構造を示す平面図、 図４に示す物理量センサの脚部の変位を示す側面図、 図１ないし図３に示す実施形態を適用可能なより具体的な物理量センサの構造を示す平面図、 図１ないし図３に示す実施形態を適用可能なより具体的な物理量センサの構造を示す平面図。

図１は、第１の実施形態における物理量センサの縦断面を模式図で示したものである。図２は、第２の実施形態における物理量センサの縦断面を模式図で示したものである。図３は、第３の実施形態における物理量センサの縦断面を模式図で示したものである。図１（ａ）〜（ｃ）の各図、及び図３（ａ）〜（ｃ）の各図は、錘部に物理量が作用して変位する状態を示している。

図１（ａ）に示すように、錘部２０はばね部２１と連結し、高さ方向（Ｚ）に変位可能に支持されている。錘部２０及びばね部２１は共にシリコンで形成される。ばね部２１は捻りばね形状で形成されている。

図１（ａ）に示すように、錘部２０の下方には高さ方向（Ｚ）に間隔を空けて対向部２２が設けられる。

図１（ａ）に示すように対向部２２の表面２２ａには上方に向けて突出する複数の突起部２３，２４，２４が形成されている。ここで突起部２３を第１の突起部２３と称し、突起部２４を第２の突起部２４と称する。

図１（ａ）に示すように第１の突起部２３は第２の突起部２４よりも高い。ここで高さの高低は、各突起部の表面高さにより決められる。図１（ａ）に示すように、第１の突起部２３の表面２３ａの高さは、第２の突起部２４の表面２４ａの高さよりも高い位置にある。

各表面２３ａ，２４ａは錘部２０に対するストッパ面である。また「表面」とは各突起部２３，２４にて最も高い位置にある面（最も突き出た面）を指す。

図１（ａ）に示すように、第１の突起部２３は、錘部２０の平面のＸ方向における真ん中に配置されている。また第２の突起部２４，２４は夫々、第１の突起部２３の両側に間隔を空けて配置されている。このように、第１の突起部２３及び第２の突起部２４はＸ方向に間隔を空けて並設されている。

図１（ａ）に示すように、対向部２２の表面２２ａには突起部２３，２４の形成領域以外の凹んだ凹部２５内に固定電極層２６が形成されている。固定電極層２６はスパッタ等の既存の方法で形成される。また対向部２２の表面２２ａはエッチング等により凹凸形状に形成される。

図１（ａ）に示すように、固定電極層２６の表面２６ａは、突起部のうち、最も高さの低い第２の突起部２４の表面２４ａよりも低い位置に形成される。

図１（ａ）は錘部２０の静止状態を示している。物理量変化により図１（ｂ）に示すように錘部２０が下方向に変位する。このとき所定以上の物理量変化があると錘部２０の表面（対向部２２との対向面；下面）２０ａは真ん中に位置する高さの高い第１の突起部２３の表面２３ａに当接する。

図１（ａ）に示すように、静止状態において、錘部２０と第１の突起部２３との間の高さ方向（Ｚ）への間隔がｄ１であり、図１（ｂ）に示すように、錘部２０が第１の突起部２３の表面２３ａに当接するまでのばね定数をｋ１とすると、錘部２０が第１の突起部２３に当接した段階での復元力は、ｋ１・ｄ１である。

図１（ｂ）に示す状態から、更に所定以上の強い物理量変化が作用すると、錘部２０は第１の突起部２３との当接状態を維持しながら、前記第１の突起部２３の位置を支点として、錘部２０のＸ方向の両側が下方向に撓み変形して錘部２０の表面２０ａが、第１の突起部２３の両側に位置し第１の突起部２３よりも高さの低い第２の突起部２４の表面２４ａに当接する（図１（ｃ））。このように錘部２０は図１（ｃ）の状態で撓み変形可能な剛性を有して形成されている。

図１（ｂ）に示すように、第１の突起部２３の表面２３ａから第２の突起部２４の表面２４ａまでの高さ方向（Ｚ）への間隔はｄ２である。更に錘部２０が図１（ｂ）のように第１の突起部２３の表面２３ａに当接した状態から図１（ｃ）に示すように第２の突起部２４の表面２４ａに当接した状態になる際には錘部２０の撓み変形等に基づくばね定数ｋ２が加わる。よって図１（ｃ）のように錘部２０が第２の突起部２４の表面２４ａに当接した段階での復元力は、ｋ１（ｄ１＋ｄ２）＋ｋ２・ｄ２である。ここで、ばね定数ｋ２は、ばね定数ｋ１に対して非常に大きい。

このように本実施形態では、段階的に復元力に関するばね定数を上昇させることができる。よって錘部２０を均一な高さの突起部にのみ当接させる場合よりも錘部２０を高さの異なる突起部２３，２４に段階的に当接させることで耐衝撃性の向上を図ることができる。また錘部２０が図１（ｃ）の第１の突起部２３の表面２３ａ及び第２の突起部２４の表面２４ａに当接した状態から図１（ａ）の元の静止状態に戻る際には、錘部２０はまず第２の突起部２４の表面２４ａから離れて撓み変形が戻って平板状になり、第１の突起部２３の表面２３ａにのみ当接した状態になる（図１（ｂ））。そして錘部２０が第１の突起部２３の表面２３ａから高さ方向に離れて図１（ａ）の元の静止状態に戻る。このとき、段階的に高さの異なる突起部２３，２４から離間していくことで、全ての突起部が同一高さである場合に比べて、一個当たりの突起部に対する剥がし力を大きくでき、耐スティッキング性の向上を効果的に図ることが出来る。

図２に示す実施形態のように、錘部２０の平面のＸ方向の真ん中に高さの低い第２の突起部２４を設け、第２の突起部２４の両側に間隔を空けて、第２の突起部２４よりも高さの高い第１の突起部２３を配置することもできる。図２は、錘部２０が両端に位置する第１の突起部２３の表面２３ａに当接した後、各第１の突起部２３ａの位置を支点として、錘部２０の真ん中が下方向に撓み変形して、第２の突起部２４の表面２４ａに当接した状態を示している。

また各突起部２３，２４を錘部２０側に設けることもできる。あるいは、突起部を錘部２０の表面２０ａ及び対向部２２の表面２２ａの夫々に設けることもできる。例えば、第１の突起部２３を対向部２２の表面２２ａに形成し、第２の突起部２４を錘部２０の表面に形成することもできる。ただし、図１，図２に示すように、対向部２２の表面２２ａに固定電極層２６とともに突起部２３，２４を形成したほうが製造工程が容易となる。また、錘部２０側に突起部を形成すると、高さ方向のみならず横方向にも強い衝撃等が加わった場合に、突起部が横方向にも振れて固定電極層２６に接触し電気ショートを起こす危険性もある。よって固定電極層２６を限定した範囲内で且つ高精度に形成することが必要となる。したがって、突起部２３，２４は対向部２２の表面２２ａに形成することが好ましい。

また図１，図２に示すように、可動電極として機能する錘部２０と高さ方向に対向する固定電極層２６を設けることで、錘部２０と固定電極層２６間にて変化する静電容量に基づいて物理量変化を検知することが可能な物理量センサを構成できる。また図１に示すように固定電極層２６の表面２６ａを突起部２３，２４のうち最も高さの低い第２の突起部２４の表面２４ａよりも低い位置に形成している。よって、図１（ｃ）に示すように錘部２０が第２の突起部２４の表面２４ａに当接した状態となっても、錘部２０と固定電極層２６が接触するのを防止でき、固定電極層２６と錘部２０間の最小距離を一定に保つことができる。よって固定電極層２６と錘部２０間の電気ショートや、接近による電流リークの不具合を抑制することが可能である。

図３に示す実施形態では、対向部２２の表面２２ａに第１の突起部２３と第２の突起部２４とが錘部２０の平面のＸ方向に離れて配置されている。図３（ａ）に示すように、第１の突起部２３は、錘部２０の真ん中よりもＸ２側に、第２の突起部２４は、錘部２０の真ん中よりもＸ１側に、夫々、配置されている。

図３（ａ）の静止状態から、物理量変化により図３（ｂ）に示すように錘部２０が下方向に変位する。このとき所定以上の物理量変化があると錘部２０の表面（対向部２２との対向面；下面）２０ａはＸ２側に配置された高さの高い第１の突起部２３の表面２３ａに当接する。

図３（ｂ）に示す状態から、更に所定以上の強い物理量変化が作用すると、錘部２０は第１の突起部２３との当接状態を維持しながら第１の突起部２３の位置を支点として、錘部２０全体が直線的に下方向に傾いて錘部２０の表面２０ａが、Ｘ１側に配置された高さの低い第２の突起部２４の表面２４ａに当接する（図３（ｃ））。

錘部２０が図３（ｃ）の状態から図３（ａ）の状態に戻るには、図３（ｃ）の状態から錘部２０が第２の突起部２４の表面２４ａから離れて図３（ｂ）の状態になって錘部２０が平行になり、そして錘部２０が第１の突起部２３の表面２３ａから上方に離れて図３（ａ）の状態にある。

図３に示す実施形態においても、錘部２０と対向部２２間を高さの異なる複数の突起部２３，２４を介して段階的に当接させることができる。これにより段階的に復元力に関するばね定数を上昇させることができる。したがって、耐衝撃性を向上させることができる。更に、錘部２０と対向部２２間を段階的に各突起部２３，２４から離間していくことができる。これにより、剥がし力を大きくでき耐スティッキング性を効果的に向上させることができる。

図１ないし図３に示す実施形態は、図４に示す物理量センサ１に適用される。
図４に示す物理量センサは、長方形の長辺１ａ，１ｂおよび短辺１ｃ，１ｄで囲まれた外枠部分が錘部２である。

図４に示すように錘部２の内側には、２本の支持連結体３，４が設けられている。支持連結体３，４の平面形状はクランク状で形成されている。

図４に示すように第１支持連結体３は、前方（Ｘ１）に延びる第１連結腕３ａと、後方（Ｘ２）に延びる脚部３ｂとが一体に形成されている。また図４に示すように第２支持連結体４は、後方（Ｘ２）に延びる第１連結腕４ａと、前方（Ｘ１）に延びる脚部４ｂとが一体に形成されている。

図４に示すように、錘部２の内側には、第１のアンカ部５、第２のアンカ部６及び第３のアンカ部７がＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて並設されている。

図４に示すように、第１支持連結体３の第１連結腕３ａと錘部２とがばね部１１ａにおいて回動自在に連結されており、第２支持連結体４の第１連結腕４ａと錘部２とがばね部１１ｂにおいて回動自在に連結されている。

更に、第１支持連結体３は、ばね部１２ａ，１２ｂにおいて回動自在に連結されている。また図１に示すように、第２支持連結体４は、ばね部１３ａ，１３ｂにおいて回動自在に連結されている。

また図４に示すように、第２連結腕１４及び第２連結腕１５が設けられている。第２連結腕１４，１５は錘部２の内側に形成される。

図４に示すように第２連結腕１４と錘部２とは、ばね部１６ａにおいて、回動自在に連結されている。また、第２連結腕１５と錘部２とは、ばね部１６ｂにおいて、回動自在に連結されている。また図４に示すように、第２連結腕１４とアンカ部６とは、ばね部１７ａにおいて、回動自在に連結されている。また第２連結腕１５とアンカ部７とは、ばね部１７ｂにおいて、回動自在に連結されている。

更に図４に示すように、第１連結腕３ａと第２連結腕１４との間がばね部１８ａを介して連結されている。また図４に示すように、第１連結腕４ａと第２連結腕１５との間がばね部１８ｂを介して連結されている。

錘部２と対向する対向部には、複数の突起部３０〜３９が設けられている。図４に示すように、突起部３０，３４，３８は、Ｘ２側であって、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置されている。また、突起部３１，３５，３９は、Ｘ１側であって、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置されている。突起部３２，３３，３６，３７は、突起部３０，３１，３４，３５，３８，３９よりも内側に位置している。Ｘ２側であってＹ１−Ｙ２方向に並設された複数の突起部３０，３４，３８のうち、真ん中の突起部３４は、図１に示す高さの高い第１の突起部２３であり、両側の突起部３０，３８は、図１に示す高さの低い第２の突起部２４である。またＸ１側であってＹ１−Ｙ２方向に並設された複数の突起部３１，３５，３９のうち真ん中の突起部３５は、図１に示す高さの高い第１の突起部２３であり、両側の突起部３１，３９は、図１に示す高さの低い第２の突起部２４である。そして残りの突起部３２，３３，３６，３７は、全て高さの低い第２の突起部２４を構成している。

これにより図１で示したように錘部２０の両側の撓み変形を利用して段階的に複数の突起部に当接させ、段階的に各突起部から離間させることができる。

あるいは、突起部３４を図３に示す高さの高い第１の突起部２３とし、他の突起部３０，３１，３２，３３，３５、３６、３７、３８、３９を全て高さの低い第２の突起部２４とすることもできる。これにより、図３で説明した錘部２０の高さ方向への傾きを利用して段階的に複数の突起部に当接させ、段階的に各突起部から離間させることができる。

図４に示すように、対向部には各脚部３ｂ，４ｂと対向する位置にも突起部４０，４１が形成されている。

図５（ａ）は静止状態であり、物理量変化の作用により錘部２が対向部４２から離れる方向に変位すると一対の脚部３ｂ，４ｂが対向部４２に近づく方向に変位する。図５（ｂ）に示すように、脚部３ｂに対向する突起部４０の高さが高く、脚部４ｂに対向する突起部４１の高さが低い。このため、脚部３ｂ，４ｂの高さ方向への変位により図５（ｂ）に示すように、まず脚部３ｂが突起部４０に当接する。続いて、更に強い物理量変化が作用すると、脚部３ｂが撓み変形し、もう一方の脚部４ｂが高さの低い突起部４１に当接する。

このように一対の脚部３ｂ，４ｂに対しても高さの異なる突起部４０，４１を対向させることで耐衝撃性及び耐スティッキング性の向上を図ることができる。

図６に示す実施形態では、図４に示す突起部３０，３１，３８，３９を形成していない。一方、物理量センサ１の長辺１ａと長辺１ｂとの中点においてＹ１−Ｙ２方向に延びる線を横中心線Ｏｘとしたときに、図６に示すように、横中心線Ｏｘを通る錘部２の両側に突起部４５，４６が設けられている。

図６の実施形態においても、突起部３４，３５は、図１に示す高さの高い突起部２３であり、残りの突起部３２，３３，３６，３７，４５，４６は、図１に示す高さの低い突起部２４となっている。

あるいは、突起部３４は図１に示す高さの高い突起部２３であり、他の突起部３２，３３，３５，３６，３７，４５，４６は、図１に示す高さの低い突起部２４を構成している。

上記した突起部の高さの組み合わせは任意に決めることができる。また脚部３ｂ，４ｂに対する突起部４０，４１に対しては、異なる高さの突起部としてもよいし、同じ高さの突起部とすることもできる。また脚部３ｂに対して、高さの異なる複数の突起部を配置し、同様に脚部４ｂに対して、高さの異なる複数の突起部を配置することもできる。

図７は、図１ないし図３に示す実施形態を利用した別の物理量センサを示す平面図である。

図７に示すように、中心位置ＯよりもＹ１側にアンカ部６１、中心位置ＯよりもＹ２側にアンカ部６２を備える。

図７に示すようにアンカ部６１からばね部６３を介してＸ１に向けて第１支持部６４が延出して形成されている。またアンカ部６１からばね部６５を介してＸ２に向けて第２支持部６６が延出して形成されている。

また図７に示すようにアンカ部６２からばね部６７を介してＸ１に向けて第３支持部６８が延出して形成されている。また、図７に示すようにアンカ部６２からばね部６９を介してＸ２に向けて第４支持部７０が延出して形成されている。

図７に示すように、各支持部６４，６６，６８，７０により囲まれた内側に内側錘部５１ａが設けられている。そして、各支持部６４，６６，６８，７０の先端位置と内側錘部５１ａの側部とがばね部５２〜５５を介して連結されている。

図７に示すように、内側錘部５１ａと一体となって、各支持部６４，６６，６８，７０の外側の位置に外側錘部５１ｂが形成されている。内側錘部５１ａと外側錘部５１ｂとで錘部５１が構成される。

図７に示すように、錘部５１と対向する対向部に複数の突起部７１〜７５が設けられる。例えば、錘部５１の平面のＸ方向における真ん中に位置する突起部７１は最も高さの高い突起部で、最も両側に位置する突起部７４，７５が最も高さの低い突起部で、突起部７１と突起部７４との間に位置する突起部７２、及び突起部７１と突起部７５との間に位置する突起部７３は、突起部７１及び突起部７４，７５に対して中間の高さの突起部である。

このように図７では、突起部の高さが３段階となっている。図１ないし図６に示す実施形態においても３段階以上の突起部を設けることが可能である。

本実施形態は加速度センサのみならず角速度センサ、衝撃センサ等、物理量センサ全般に適用可能である。

１ 物理量センサ
２、２０、５１ 錘部
３ｂ，４ｂ 脚部
５〜７、６１、６２ アンカ部
１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂ、２１、６３、６５、６７、６９ ばね部
２２、４２ 対向部
２３ 第１の突起部
２４ 第２の突起部
２６ 固定電極層
３０〜４１、４５、４６、７１〜７５ 突起部

Claims (7)

1. ばね部と、前記ばね部に連結されて高さ方向に変位可能に支持された錘部と、前記錘部と高さ方向にて対向する対向部と、を有し、
   前記対向部と前記錘部との間には、高さの異なる複数の突起部が配置されており、前記錘部が高さ方向へ変位したときに前記錘部と前記対向部の間が各突起部を介して段階的に当接可能とされ、前記錘部と前記対向部の間が段階的に離間可能とされていることを特徴とする物理量センサ。
2. 第１の突起部と、前記第１の突起部よりも高さが低い第２の突起部とを有し、前記錘部の平面の一方向に対する真ん中に、前記第１の突起部が配置され、その両側に間隔を空けて前記第２の突起部が配置されており、あるいは、前記真ん中に、前記第２の突起部が配置され、その両側に間隔を空けて前記第１の突起部が配置されている請求項１記載の物理量センサ。
3. 第１の突起部と、前記第１の突起部よりも高さが低い第２の突起部とを有し、前記錘部の平面の一方向に対する両側に前記第１の突起部と前記第２の突起部とが夫々、配置されている請求項１記載の物理量センサ。
4. 前記突起部は、前記対向部の前記錘部と対向する表面に設けられる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサ。
5. 前記対向部の表面には、前記突起部が形成されていない領域に固定電極層が形成されており、前記固定電極層の表面は、最も低い高さで形成された前記突起部の表面よりも低く形成されている請求項４記載の物理量センサ。
6. 固定支持されるアンカ部と、前記アンカ部と前記錘部とに夫々、前記ばね部を介して回動自在に連結された支持部と、を有し、
   前記支持部には、前記支持部が回動して前記錘部が高さ方向に変位したときに前記錘部の変位方向に対し逆方向に変位する一対の脚部が設けられており、
   各脚部と前記対向部の間には、前記脚部が高さ方向へ変位したときに一対の脚部と前記対向部の間を段階的に当接可能とし、一対の脚部と前記対向部の間を段階的に離間可能とする高さの異なる複数の突起部が配置される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサ。
7. 一方の前記脚部と前記対向部との間に高さの高い突起部が配置され、他方の前記脚部と前記対向部との間に高さの低い突起部が配置される請求項６記載の物理量センサ。

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