JPWO2011099362A1 - 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2011099362A1
JPWO2011099362A1 JP2011553791A JP2011553791A JPWO2011099362A1 JP WO2011099362 A1 JPWO2011099362 A1 JP WO2011099362A1 JP 2011553791 A JP2011553791 A JP 2011553791A JP 2011553791 A JP2011553791 A JP 2011553791A JP WO2011099362 A1 JPWO2011099362 A1 JP WO2011099362A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
organic
adhesive layer
sealing substrate
panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011553791A
Other languages
English (en)
Inventor
大輔 沼倉
大輔 沼倉
真昭 村山
真昭 村山
伸明 高橋
伸明 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Publication of JPWO2011099362A1 publication Critical patent/JPWO2011099362A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本発明は、基板上に、第一電極、発光層を含む有機化合物層および第二電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に、接着層を介して封止基板を配置する封止工程を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、該封止基板を配置する前に該接着層にかかる圧力を0.01MPaA(絶対圧力基準)以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理、を3回以上行う圧変化処理工程を有することを特徴とし、DS(ダークスポット)の発生が抑制された有機ELパネルを与える有機ELパネルの製造方法が提供できる。

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンスパネルの脱水(乾燥)方法に関し、なかでも加熱処理が難しい、封止部材を固着するための接着層の脱水方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELとも言う)パネルの脱水に関する。有機ELパネルは、有機EL素子を有するが、該有機EL素子内の発光層を構成する材料および有機化合物層は、吸湿すると、ダークスポット(以下DSとも言う)と呼ばれる非発光部分が発生してしまうことが知られている。
そのため、有機EL素子内部の湿度を下げる必要があり、さらに外気から遮断保護するための様々な手段が設けられている。
例えば、ガラスキャップや金属製缶を、接着剤を使用して封止し、気密空間を作り、その中に乾燥剤を入れるケーシングタイプの方法が開示されている。また近年、プラスチックやガラス基板上に有機発光層を形成したのち、可撓性のある薄膜なハイバリアフィルムや金属箔等を用いて接着剤で面接着して封止する密着タイプの方法が開示され、耐湿性に優れた薄型・軽量な有機ELパネルが提案されている。
封止内部の湿度上昇原因としては、外部からの水分侵入のほか、構成部材に吸着していた水分によるものもあり、構成部材を脱水(乾燥)する技術が各種開示されている。
例えば、特許文献1および2では、有機EL素子の構成部材の一部を常圧、または減圧下に保持し加熱することで、有機EL素子の構成部材に吸着している水分量を減少させる発明が開示されている。
しかしながら、上記のような方法は、有機ELパネルを構成する部材の水分量の減少が不十分であり、DSの発生が十分に抑制できるものではなく、十分な脱水処理ではなかった。
特開2000−150147号公報 特開2002−373777号公報
本発明の目的は、DS(ダークスポット)の発生が抑制された有機ELパネルを与える有機ELパネルの製造方法を提供することである。
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
1.基板上に、第一電極、発光層を含む有機化合物層および第二電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に、接着層を介して封止基板を配置する封止工程を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
該封止基板を配置する前に、該接着層にかける圧力を0.01MPaA(絶対圧力基準)以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理、を3回以上行う圧変化処理工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
2.前記接着層が、熱硬化性樹脂層であることを特徴とする1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
3.前記接着層が、熱可塑性樹脂層であることを特徴とする1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
4.前記圧変化処理工程が、加熱処理を行う加熱工程を含むことを特徴とする1から3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
5.前記圧変化処理が、前記封止基板上に前記接着層を有する封止部材が積層された積層体を処理する圧変化処理であることを特徴とする1から4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
6.前記積層体が、ロール状であることを特徴とする5に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
7.基板上に、第一電極、発光層を含む有機化合物層および第二電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する工程、封止基板上に接着層を形成する工程、該有機エレクトロルミネッセンス素子に該接着層を介して該封止基板を配置する封止工程を有し、該封止工程の前に該接着層にかかる圧力を0.01MPaA以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理、を3回以上行う圧変化処理工程を有することを特徴とする1から6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
本発明の上記手段により、有機ELパネルの構成部材に吸着した水分含有量を減少させ、DSの発生が抑制された有機ELパネルを与える有機ELパネルの製造方法が提供できる。
本発明に係る圧変化処理工程で用いられる真空加圧乾燥装置の一例を示す模式図である。 封止基板を、積層状態またはロール状態で、圧変化処理を行うところを示す模式図である。 シール材(接着層)充填密着構造により封止された有機ELパネルの概略断面図を示す。 本発明に係る圧変化処理工程における、圧力と時間との関係の一例を示す概略図である。
以下に、本発明を詳細に説明するが、これに限定されるものではない。
本発明は、基板上に、第一電極、発光層を含む有機化合物層および第二電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に、接着層を介して封止基板を配置する封止工程を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、該封止基板を配置する前に該接着層にかかる圧力を0.01MPaA(絶対圧力基準)以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理、を3回以上行う圧変化処理工程を有することを特徴とする。
本発明では、特に封止基板の接着層を上記圧変化処理工程により、接着層の脱水を行うことでDSの発生が少ない有機ELパネルが得られる。
《圧変化処理工程》
本発明に係る圧変化処理工程では、接着層にかかる圧力を0.01MPaA以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理を3回以上行い、この圧変化処理により、接着層からの脱水が行われる。
即ち、有機ELパネルの構成部材の一つである封止基板を接着するための接着層が置かれている環境を、気圧が0.01MPaA以上変化する変化が3回以上行われ、この各変化の後、少なくとも1秒以上この圧力の存在下に保持される環境とすることで、脱水処理を行うものである。
本発明において、変化させた圧力で保持する時間としては、1秒以上必要であるが、保持する時間は、60秒から240分が好ましく、特に10分から120分が好ましい。
また、接着層にかかる圧力を0.01MPaA以上変化させるに要する時間としては、1分から120分であることが好ましく、特に5分から60分であることが好ましい。
さらに、圧変化処理工程に要する全体の時間としては、接着層の大きさ、量、また温度、露点にもよるが、10分から10時間の範囲であることが、好ましい。
変化する際の時間と圧力の関係は、一次関数の関係であってもよいし、2次以上の関数の関係、時間に対して圧力が階段状に変化する関係であってもよいが、一次関数の関係であることが好ましい。
本発明に係る圧変化処理を3回以上行うことにより、十分脱水される結果、DSの発生が抑制された有機ELパネルが得られる。また、接着層を積層状態で処理することが可能であり、短時間に効率よく脱水処理が可能となり、生産性が向上する。
この理由は明確ではないが、以下のように推測される。
減圧または加圧による圧力変化を繰り返すことにより、接着層の表面に吸着された水分の脱離が促進され、加圧された気体は、積層状態の部材の隙間まで浸透し、効率よく脱水されると考えられる。
そして、効率よく脱水された結果、DSの発生が抑えられ、発光輝度の低下が抑えられた有機ELパネルが得られると推測される。
本発明に係る圧変化処理工程は、圧力変化に加え、加熱処理を行う加熱工程を含むことがより好ましい。圧力変化処理に加熱処理を加えることにより、さらにDSの発生が抑えられる。また、より速く接着層の脱水が可能となる結果、さらに生産性が向上する。
加熱処理での加熱の温度は、接着層に用いられる樹脂により異なるが、当該樹脂が溶けない温度での加熱が好ましい。
従来の技術では、接着層が熱可塑性樹脂で形成されている場合、有機ELの接着層を十分脱水するためには熱可塑性樹脂が溶けるまで加熱する必要があった。その場合、接着層の熱可塑性樹脂が溶け、積層上下の部材と接着してしまうので、積層処理やロール状態等の熱可塑性樹脂が他の部材と接触している構成の場合での加熱処理は、その後の有機ELパネルの作製が困難になり、生産性が良くないという問題があった。
また、接着層が熱硬化性樹脂で形成されている場合、脱水時の加熱により熱硬化性樹脂の硬化反応が進んでしまい、例えば脱水後の封止基板貼合時に接着ができなくなるという問題があった。
本発明では、生産性を考慮すると、接着層が熱可塑性樹脂で形成されている場合、加熱処理の温度は当該熱可塑性樹脂が溶けない温度ですることが好ましい。
このような加熱処理の温度でも、本発明においては十分な脱水効果を得ることができる。
そして、熱可塑性樹脂が溶けない温度で加熱することで、接着層を有する封止基板が積層された状態や、ロール状態での脱水処理が可能となり、従来と比べ、乾燥スペースを小さくすることができ、また、連続フィルム体による密着巻取り品(ロール)の対応が可能であるので、生産性が向上する。
また、本発明では、接着層が熱硬化性樹脂である場合には、生産性の面から上記と同様に、加熱処理の温度は当該熱硬化性樹脂の硬化する温度未満であることが好ましい。
《圧力変化》
本発明に係る圧変化処理工程における処理は、上記のように接着層にかかる圧力を0.01MPaA以上変化させ、その環境で1秒以上、圧力を変化させることなく、保持し、これを3回以上繰り返す環境におくことである。
例えば、まず、常圧の圧力値、例えば0.1MPaAから0.01MPaA以上加圧し、その圧力で1秒以上保持し、その後常圧に戻し、常圧で1秒以上保持して、さらに0.01PaA以上減圧し、その減圧した圧力において1秒以上保持し、その後常圧に戻す、などの処理が挙げられる。尚、常圧とは、本発明の製造を行う環境下における大気圧のことをいう。
1回の圧力変化が0.01MPaA以上であってこの圧力変化の後、1秒以上保持する圧力変化処理が3回以上行われることで、良好な脱水効果が発揮できる。
本発明に係る圧変化処理工程における圧力の範囲としては0.0001MPaA以上、1MPaA以下の範囲内で行われることが好ましい。
圧力を3回以上変化させる例としてさらに、常圧→減圧→加圧→常圧と圧力を3回変化させる、常圧→加圧→常圧→減圧→常圧と圧力を4回変化させる、常圧→加圧→常圧→減圧→常圧→加圧→常圧と圧力を6回変化させる等の圧力変化が挙げられる。
一般的に減圧処理は、加圧処理よりもコストの面で優れているので、好ましくは、常圧→減圧→常圧→減圧→常圧等と減圧処理を行い、圧力を変化させることである。
本発明において、圧力を変化させる時間は、特に限定されるものではない。例えば、常圧→減圧→加圧→常圧と圧力を3回変化させる場合、常圧→減圧に圧力を変化させた後、1秒経過後すぐに減圧→加圧と圧力を変化させてもよいし、常圧→減圧に圧力を変化させた後、数分から数時間減圧状態に保ってから減圧→加圧と圧力を変化させてもよい。その後1秒経過後すぐに加圧→常圧と圧力を変化させてもよいし、数分から数時間加圧状態に保ってから加圧→常圧と圧力を変化させてもよい。
圧変化処理の環境は、密閉チャンバ構造とし、真空ポンプおよび加圧ポンプから構成されるが、これに限定されるものではない。
圧力を変化させる環境内の気体は、特に限定されず、空気、不活性ガスがあるが、好ましくはドライ空気、材料酸化等の懸念がある場合には、不活性ガスが好ましく、特に安価であることからドライ窒素(N)が特に好ましい。
図1に本発明に係る圧変化処理に用いられる、圧力を変化させる装置の一例の模式図を示す。
図1において、乾燥チャンバ1には、加圧ポンプ2および真空ポンプ3が接続されている。
真空ポンプ3には環境内の気体を排気する手段が備えられており(図では出口のみ示した)、また、図では同じく省略されているが、被乾燥部材を載置させる台、被乾燥部材をチャンバ内に導入するための受け渡し室(予備室)がチャンバに付設され、乾燥チャンバとの圧力差(N)を調整する機能を有する。
チャンバ内の圧力状態は、加圧ポンプと真空ポンプにより、加圧状態と減圧状態との切り替えが行われる。
チャンバ内の圧力は随時所定の圧力を保つようモニタされている。
また、図1は、所定の大きさにカットされた封止用の接着層を塗設した封止基板が乾燥チャンバ1内に配置されたところを示している。
図2は、より効率のよい乾燥の実施形態を示す。即ち、乾燥チャンバ内において、封止用の接着層を塗設した封止基板を、所定のサイズに断裁後、これらを積み重ねた積層状態で一度に複数枚乾燥する、または、封止用の接着層付き封止基板をロールに巻き取ったロール状態で一度に乾燥するところを模式的に示している。減圧と加圧による圧力変化を繰り返すことにより、構成部材の表面に吸着された水分の脱離が促進され、また、加圧された気体が、接着層の微細な隙間にも効率的に浸透することで乾燥を行うことが出来るので、積層状態でも、またロール状に巻かれた状態であっても脱水を効率的に行うことができる。
《接着層》
本発明に係る接着層は、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
好ましくは、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂であり、最も好ましいのは、熱可塑性樹脂を用いることである。
熱硬化性樹脂の場合は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂の中でも、耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないことからエポキシ系熱硬化樹脂を用いることが好ましい。
熱可塑性樹脂の場合は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体などのポリオレフィンの酸変性物、エチレン・酢酸ビニル共重合体の酸変性物、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、アイオノマーなどを用いることができる。特に、有機EL素子を劣化させるアウトガス成分が少ないポリエチレン、ポリプロピレンの酸変性物を用いることが望ましい。
接着層の形成方法としては、材料に応じて、ロールコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコート等のコーティング法、印刷法を用いることができる。また、接着層内部の含有水分を除去するために、酸化バリウムや酸化カルシウム等の乾燥剤を混入してもよい。接着層の層厚は、5nm〜100nmの範囲であり、好ましくは10nm〜50nmである。
《基板》
本発明において有機ELパネルの基板として用いられるものとしては、ガラス、プラスチック等の基板であるが、これらのみに限定されない。
プラスチック(樹脂)基板として用いられる基材としては、透明性樹脂フィルムがある。厚さ100μm〜2mm程度の厚みを有するものが使用される。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリメチルメタアクリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、ガスバリア性が高いガスバリアフィルムを用いることもできる。ガスバリアフィルムとしては、金属の酸化膜、例えば、酸化窒化膜、窒化膜、金属薄膜等、厚み50nm以上50μm以下の封止機能を有するガスバリア膜を有するフィルム。具体的にはアルミナ蒸着フィルム、樹脂フィルムがラミネートされた金属箔等がある。
《封止基板》
封止基板は、有機EL素子を挟み基板に対向して配置される。当該封止基板は、ステンレス、アルミニウム、マグネシウム合金等の金属、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ナイロン、ポリ塩化ビニル等のプラスチック、およびこれらの複合物、ガラス等が挙げられ、必要に応じて、特に樹脂フィルムの場合には、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素等のガスバリア層を積層したものを用いることができる。ガスバリア層は、封止基板成形前に封止基板の両面若しくは片面にスパッタリング、蒸着等により形成することもできるし、封止後に封止基板の両面若しくは片面に同様な方法で形成してもよい。これについても、酸素透過度が1×10−3ml/(m・24h・atm)以下、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m・24h)以下のものであることが好ましい。
封止基板としては、アルミニウム等の金属箔をラミネートしたフィルム等でも良い。金属箔の片面にポリマーフィルムを積層する方法としては、一般に使用されているラミネート機を使用することができる。接着剤としてはポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。ホットメルトラミネーション法やエクストルージョンラミネート法および共押出しラミネーション法も使用できるがドライラミネート方式が好ましい。
また、金属箔をスパッタや蒸着等で形成したり、導電性ペースト等の流動性電極材料から形成する場合は、逆にポリマーフィルムを基材としてこれに金属箔を成膜する方法で作製してもよい。
有機EL素子を封止して有機ELパネルを作製するにあたって、接着層は、本発明に係る圧変化処理が施される。
例えば、ガラス等からなる封止缶形状の中空構造の封止基板の場合には封止基板の周囲に接着層を塗設して、接着層付き封止基板を作製し、接着層付き封止基板に圧変化処理を施し、これを有機EL素子の周囲部分において接着し封止する方法がある。
また、本発明が好ましく適用できる、封止された有機ELパネルの例を下記に示す。
封止基板を有機EL素子間に封止用接着層を充填・密着させ、封止用接着剤(シール材)シール材充填密着構造として封止する封止方法により得られる例である。
図3にシール材充填密着構造により封止された有機ELパネル10の概略断面図を示す。
図3においては、封止基板B、基板1a上に第一電極2a、有機機能層3aさらに第二電極4aが形成された有機EL素子Aを、接着層Sを介して全面密着させシール材(接着剤)充填密着構造を形成して封止している。なお、ここでは封止基板Bはポリエチレンテレフタレートフィルム7bがラミネートされたアルミ箔5bを用いている。
これらは、封止用の接着層を塗設した封止基板を有機EL素子基板と密着させ、シール材(接着剤)充填密着構造を形成して接着して作製される。
次いで、有機EL素子について説明する。
《有機EL素子》
本発明に係る有機EL素子は、第一電極と第二電極との電極間に発光層を含む有機層を積層した構造を有する。有機EL素子の構造としては、例えば、陽極層/正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層/陰極層等、各種の有機化合物からなる機能層が必要に応じ積層された構成をもつ。最も単純には、陽極層/発光層/陰極層からなる構造を有する。
正孔注入・輸送層に用いられる有機材料としては、フタロシアニン誘導体、ヘテロ環アゾール類、芳香族三級アミン類、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)などに代表される導電性高分子等の高分子材料が用いられる。
また、発光層に用いられる発光材料としては、例えば、4,4′−ジカルバゾリルビフェニル、1,3−ジカルバゾリルベンゼン等のカルバゾール系発光材料、(ジ)アザカルバゾール類、1,3,5−トリピレニルベンゼンなどのピレン系発光材料に代表される低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類などに代表される高分子発光材料などが挙げられる。これらのうちで、発光材料としては分子量10000以下の低分子系発光材料が好ましく用いられる。
また発光層中には、好ましくは0.1〜20質量%程度のドーパントが含まれてもよく、ドーパントとしては、ペリレン誘導体、ピレン誘導体等公知の蛍光色素、また、りん光色素、例えば、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)(アセチルアセトナート)イリジウム、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジン)(ピコリナート)イリジウム、などに代表されるオルトメタル化イリジウム錯体等の錯体化合物がある。
電子注入・輸送層材料としては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛等の金属錯体化合物もしくは以下に挙げられる含窒素五員環誘導体がある。即ち、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等が挙げられる。
発光層あるいは各機能層には、分子中にビニル基等の重合反応性基を有する材料を含有させてもよく、これらを含む場合、これらの材料を用い、製膜後に架橋・重合膜を形成させてもよい。
因みに陽極(第一電極)に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数をもつものが適しており、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、酸化スズ、酸化インジウム、ITO等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。
また、陰極(第二電極)に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数をもつものが適しており、マグネシウム、アルミニウム等。合金としては、マグネシウム/銀、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられる。
以上の各機能層が前記基板上に形成され、封止基板により封止され有機ELパネルを構成する。
本発明に係る有機ELパネルにおいては、各、有機機能層は、塗布、印刷法等の湿式法で成膜されてもよく、また、真空蒸着法などの他の成膜法(乾式法)を用いてもよい。
以下実施例により本発明を説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
実施例1
(有機ELパネル101Aの作製)
(封止基板101の作製)
100×200mmのシート状のPET/アルミ箔(t=50/30μm)の表面(PET/アルミ箔のつや面)に沿って、熱可塑性樹脂(NUCREL AN4228C(融点100℃))を厚み50μmで均一に塗工し、接着層付き封止基板101Aを作製した。
上記で作製した100×200mmのシート状の接着層付き封止基板101を、真空加圧乾燥装置(協真エンジニアリング製)にて60℃で加熱し、合計6時間になるよう、圧力の切替え時間を変えて、圧力を0.1MPaA(常圧近傍)→0.15MPaA(加圧)、0.15MPaAで1時間保持→0.1MPaA(常圧近傍)、0.1MPaAで1時間保持→0.05MPaA(減圧)、0.05MPaAで1時間保持→0.1MPaA(常圧近傍)と変化させて脱水処理した接着層付き封止基板101Aを作製した。
なお、各圧力変化は、合計6時間になるよう図4(横軸は時間、縦軸は圧力を表し、加圧−減圧−減圧−加圧の1例を示す。)に示すように行った。当該真空加圧乾燥装置は、図1で示したものを用いた。
(有機EL素子の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウムチンオキシド)を発光面積が10mm平方になるようなパターンとし、100nm成膜した透明支持基板を作製した。これをイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄をさらに5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS Bayer社製、Baytron PAAl 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃で1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層とした。
さらに下記組成の発光組成物を1mlとなるように調整し、スピンコートした。(膜厚約25nm)。
発光組成物
溶媒:トルエン 100質量%
ホスト材料:H−A 1質量%
青色材料:Ir−A 0.10質量%
緑色材料:Ir(ppy) 0.004質量%
赤色材料:Ir(piq) 0.005質量%
次いで、電子輸送層用塗布液を下記のように調製し、スピンコーターにて、1500rpm、30秒の条件で塗布し、電子輸送層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い、測定をしたところ、膜厚は20nmであった。
(電子輸送層用塗布液)
2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール 100ml
ET−A 0.50g
さらに電子輸送層が形成された上記試料を真空蒸着装置に移し、真空槽を4×10−4Paまで減圧し、前記電子輸送層上に陰極バッファー層としてフッ化リチウム10nmおよび陰極としてアルミニウム110nmの層を順次蒸着成膜して、有機EL素子を作製した。
上記作製した発光面積□10mmの有機EL素子に、上記作製した乾燥条件違いの接着層付き封止基板を貼合し、封止済み有機ELパネル101Aを作製した。
(有機ELパネル102A〜111Aの作製)
上記有機ELパネル101の作製において、単位時間に圧力を変化させる割合は有機ELパネル101の作製と同様にして保持する時間を表1、表2、表3、表4に記載した条件に変更した以外は同様にして有機ELパネル102A〜111A、101B〜111B、101C〜111C、101D〜111D、を作製した。
(有機ELパネルの評価)
(DS発生)
上記で作製した有機ELパネル101〜109を、露点−80℃、温度70℃の環境に3時間放置した後、低電圧電源にて+5V印加しその時の発光状態をマイクロスコープにより観察した。100μm以上のダークスポット(DS)の発生数をカウントし比較を実施した。その結果を表1〜4に示した。D以上が実用上良好な範囲であると判断した。
(DS発生の評価ランク)
A:0個
B:1個以上、10個未満
C:10個以上、15個未満
D:15個以上、20個未満
E:20個以上
上記表から、圧変化処理を3回以上行った方法により得られた、有機ELパネル101A〜106A、101B〜106B、101C〜106C、101D〜106D、は、圧変化処理が、2回以下である方法によって得られた比較例の有機ELパネル107A〜111A、107B〜111B、107C〜111C、107D〜111D、に比較してDSの発生数が少なく、本発明の製造方法はDSの発生の少ない有機ELパネルを与えることができることが分かる。
また、加熱処理を行っていない有機ELパネル105Aおよび106A、105Bおよび106B、105Cおよび106C、105Dおよび106Dでも、比較例である有機ELパネル107A〜109A、107B〜109B、107C〜109C、107D〜109D、に比べてDS発生が抑えられていることから、加熱処理を加えなくとも脱水効果は十分であり、生産性に優れることが分かる。
また本発明の方法において、加熱温度を上げることにより、DSの発生をより抑制できることが分かる。
実施例2
(有機ELパネル201の作製)
上記実施例1の有機ELパネル101Aの作製において、作製したシート状の接着層付き封止基板を5枚積層させて、上記有機ELパネル101Aの作製と同様の圧変化処理(脱水処理)を行い、その内の1枚を有機ELパネル201の封止基板として用いた以外は、同様にして、有機ELパネル201の作製をした。
(有機ELパネル202の作製)
上記実施例1の有機ELパネル101の作製において、封止基板101を下記に記載する封止基板202に変更した以外は同様にして有機ELパネル202を作製した。各圧力変化の後の保持時間は、1時間とした。
(封止基板202の作製)
長さ30mのロール状のPET/アルミ箔(厚み=50/30μm)の表面(PET/アルミ箔のつや面)に熱可塑性接着剤(NUCREL AN4228C(融点100℃))を押し出しラミネートし接着層を塗工し成膜、乾燥、巻き取って接着層付き封止基板202を作製した。熱可塑性接着剤の厚みは30μmとした。
上記で作製したロール状の接着層付き封止基板202を、真空加圧乾燥装置(協真エンジニアリング製)にて60℃で加熱し、合計6時間になるよう、切替え時間を変えて、圧力を0.1MPaA(常圧近傍)→1.00MPaA(加圧)→0.1MPaA(常圧近傍)→0.01MPaA(減圧)→0.1MPaA(常圧近傍)と変化させて脱水処理した接着層付き封止基板202を作製した。なお、各圧力変化は、合計6時間になるように行った。当該真空加圧乾燥装置は、図1で示したものを用いた。各圧力変化の後の保持時間は、1時間とした。
(有機ELパネル203および204の作製)
上記有機ELパネル201の作製において、真空加圧乾燥の条件を表5に記載した条件に変更した以外は同様にして有機ELパネル203および204を作製した。
(有機ELパネル205および206の作製)
上記有機ELパネル202の作製において、真空加圧乾燥の条件を表5に記載した条件に変更した以外は同様にして有機ELパネル205および206を作製した。
(有機ELパネルの評価)
(DS発生)
上記で作製した有機ELパネル201〜206を、上記実施例1の評価方法と同様にDS発生の評価を行った。その結果を表5に示した。
表5から、本発明の製造方法により得られた有機ELパネル201、202、203、205はDSの発生が少なく、本発明の製造方法が優れることが分かる。
実施例3
(有機ELパネル301の作製)
実施例1の有機ELパネル101Aの作製において、封止基板101を下記に記載する封止基板301に変更した以外は同様にして、有機ELパネル301を作製した。
(封止基板301の作製)
100×200mmのシート状のPET/アルミ箔(t=50/30μm)の表面(PET/アルミ箔のつや面)に沿って、熱硬化性樹脂(ナガセケムテック(株)UVレンジ XNR5516(融点140℃))を厚み50μmで均一に塗工し、接着層付き封止基板301を作製した。
上記で作製した100×200mmのシート状の接着層付き封止基板301を、真空加圧乾燥装置(協真エンジニアリング製)にて60℃で加熱し、合計6時間になるよう、切替え時間を変えて、圧力を0.1MPaA(常圧近傍)→0.15MPaA(加圧)→0.1MPaA(常圧近傍)→0.05MPaA(減圧)→0.1MPaA(常圧近傍)と変化させて脱水処理した接着層付き封止基板301を作製した。なお、各圧力変化は、合計6時間になるように行った。当該真空加圧乾燥装置は、図1で示したものを用いた。各圧力変化の後の保持時間は、30分とした。
(有機ELパネル302〜307の作製)
上記有機ELパネル301の作製において、真空加圧乾燥の条件を表6に記載した条件に変更した以外は同様にして有機ELパネル302〜307を作製した。各圧力変化の後の保持時間は、30分とした。
(有機ELパネル308の作製)
上記有機ELパネル301の作製において、封止基板301を下記に記載する封止基板308に変更した以外は同様にして、有機ELパネル308を作製した。
(封止基板308の作製)
長さ30mのロール状のPET/アルミ箔(厚み=50/30μm)の表面(PET/アルミ箔のつや面)に熱硬化性樹脂(ナガセケムテック(株)UVレンジ XNR5516(融点140℃))を押し出しラミネートし接着層を塗工し成膜、乾燥、巻き取って接着層付き封止基板308を準備した。熱可塑性接着剤の厚みは30μmとした。
上記で作製したロール状の接着層付き封止基板308を、真空加圧乾燥装置(協真エンジニアリング製)にて60℃で加熱し、合計6時間になるよう、切替え時間を変えて、圧力を0.1MPaA(常圧近傍)→0.15MPaA(加圧)→0.1MPaA(常圧近傍)→0.05MPaA(減圧)→0.1MPaA(常圧近傍)と変化させて脱水処理した接着層付き封止基板308を作製した。なお、各圧力変化は、合計6時間になるように行った。図中のTは時間を表す。当該真空加圧乾燥装置は図1で示したものを用いた。各圧力変化の後の保持時間は、30分とした。
(有機ELパネル309および310の作製)
上記有機ELパネル308の作製において、真空加圧乾燥の条件を表6に記載した条件に変更した以外は同様にして有機ELパネル309および310を作製した。各圧力変化の後の保持時間は、30分とした。
(有機ELパネルの評価)
(DS発生)
上記で作製した有機ELパネル301〜310を、上記実施例1の評価方法と同様にDS発生の評価を行った。その結果を表6に示した。
表6から明らかなように、圧力変化数が3回以上の環境下で脱水処理を行った有機ELパネルは、100μm以上のDS発生が抑えられていることが分かる。
1 乾燥チャンバ
2 加圧ポンプ
3 真空ポンプ
1a 基板
2a 第一電極
3a 有機機能層
4a 第二電極
5b アルミ箔
7b ポリエチレンテレフタレートフィルム
10 有機ELパネル
A 有機EL素子
B 封止基板
S 接着層

Claims (7)

  1. 基板上に、第一電極、発光層を含む有機化合物層および第二電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に、接着層を介して封止基板を配置する封止工程を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
    該封止基板を配置する前に、該接着層にかける圧力を0.01MPaA(絶対圧力基準)以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理、を3回以上行う圧変化処理工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
  2. 前記接着層が、熱硬化性樹脂層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
  3. 前記接着層が、熱可塑性樹脂層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
  4. 前記圧変化処理工程が、加熱処理を行う加熱工程を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
  5. 前記圧変化処理が、前記封止基板上に前記接着層を有する封止部材が積層された積層体を処理する圧変化処理であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
  6. 前記積層体が、ロール状であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
  7. 基板上に、第一電極、発光層を含む有機化合物層および第二電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する工程、封止基板上に接着層を形成する工程、該有機エレクトロルミネッセンス素子に該接着層を介して該封止基板を配置する封止工程を有し、該封止工程の前に該接着層にかかる圧力を0.01MPaA以上変化させ、変化させた圧力で1秒間以上保持する圧変化処理、を3回以上行う圧変化処理工程を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
JP2011553791A 2010-02-15 2011-01-26 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 Pending JPWO2011099362A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010029835 2010-02-15
JP2010029835 2010-02-15
PCT/JP2011/051426 WO2011099362A1 (ja) 2010-02-15 2011-01-26 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2011099362A1 true JPWO2011099362A1 (ja) 2013-06-13

Family

ID=44367644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011553791A Pending JPWO2011099362A1 (ja) 2010-02-15 2011-01-26 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2011099362A1 (ja)
WO (1) WO2011099362A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645591B (zh) 2013-05-21 2018-12-21 Lg化學股份有限公司 有機電子裝置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3904523B2 (ja) * 1997-04-17 2007-04-11 株式会社クレハ エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP2005026000A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Tdk Corp 有機el素子の製造方法
JP4609135B2 (ja) * 2005-03-24 2011-01-12 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4848708B2 (ja) * 2005-09-08 2011-12-28 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法
JP4396607B2 (ja) * 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP5348869B2 (ja) * 2007-10-17 2013-11-20 小松精練株式会社 有機電子デバイス用ホットメルト型部材、バリアフィルム封止部材、それらを用いた有機電子デバイス封止パネル

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011099362A1 (ja) 2011-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5660030B2 (ja) 有機エレクトロニクスパネルおよび有機エレクトロニクスパネルの製造方法
JP5161470B2 (ja) ガスバリア性積層フィルムとその製造方法、および画像表示素子
JP6001595B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンスデバイス
TWI462358B (zh) 經保護之聚合膜
KR101356298B1 (ko) 기체-차단 적층 필름, 이의 제조 방법, 및 화상표시소자
JP4583277B2 (ja) ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス
WO2011114882A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2007030387A (ja) バリア性フィルム基板およびそれを用いた有機電界発光素子
JP2008149710A (ja) バリア性積層体の製造方法、バリア性積層体、バリア性フィルム基板および有機el素子。
JP2000323273A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP2007118564A (ja) ガスバリア材料およびその製造方法、並びに、ガスバリア層の設置方法
JP2009123690A (ja) 塗布層形成後或いは対電極層形成後に乾燥剤フィルムを貼合して巻き取る有機エレクトロニクス素子とその製造方法
JP2009067040A (ja) 複合ガスバリアフィルムおよびこれを用いた表示素子
US8022437B2 (en) Organic electroluminescence element and method for manufacturing thereof
JP5772819B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びその製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2005521209A (ja) 有機薄膜素子及びその製造方法
JPWO2008023626A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2011099362A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5960047B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5578180B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とこれを用いて製造された有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2004079300A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP2002190384A (ja) 電界発光素子
JP2007253588A (ja) バリア性フィルム基板、および、有機電界発光素子
WO2011096308A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP4270361B2 (ja) 転写材料及び有機薄膜素子の製造方法