JPWO2010103917A1

JPWO2010103917A1 - 放射線検出装置

Info

Publication number: JPWO2010103917A1
Application number: JP2011503759A
Authority: JP
Inventors: 後藤　成人; 成人後藤; 満関口
Original assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Current assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date: 2009-03-13
Filing date: 2010-02-23
Publication date: 2012-09-13
Also published as: US8723127B2; US20120001282A1; WO2010103917A1

Abstract

小型で、画像欠陥の発生がほとんどない放射線検出装置を提供することを目的とし、少なくとも、放射線透過性を有する第１の基板と、第１の粘着層と、放射線透過性を有する第２の基板と、シンチレータ層と、光電変換素子層を有する出力基板と、がこの順に積層された放射線検出装置であって、各層の面方向の配置領域における、前記シンチレータ層の配置領域は、前記光電変換素子層の配置領域を包含すると共に、前記第１の基板の配置領域を包含し、前記第１の基板の配置領域は、前記光電変換素子層の配置領域を包含し、かつ前記シンチレータ層の配置領域を分割した複数の各領域における蛍光体の充填率の標準偏差を前記充填率の平均値で除した充填率の変動係数が２０％以下であることを特徴とする放射線検出装置。

Description

本発明は、医療診断装置、非破壊検査機器等に用いられる放射線検出装置に関する。

従来、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。

そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ｆｌａｔｐａｎｅｌｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。

Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や電荷結合素子（ＣＣＤ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。

放射線を可視光に変換するために、放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体で作られたシンチレータパネルが使用されるが、低線量の撮影においてのＳＮ比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータパネルを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータパネルの発光効率は、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数によって決まるが、蛍光体層の厚さは厚くすればするほど、蛍光体層内での発光光の散乱が発生し、鮮鋭性は低下する。そのため、画質に必要な鮮鋭性を決めると、膜厚が決定する。

なかでもヨウ化セシウム（ＣｓＩ）はＸ線から可視光に対する変換率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であった。

またシンチレータパネルの平坦性及び剛性を向上させるために補強板を用いる技術（特許文献１参照）、各層を構成する部材間での剥がれを防止することを目的として、放射線検出装置を構成する各層の配置領域を調整する技術（特許文献２）が公開されている。

特開２００８−３０９７７０号公報特開２００８−２８６７８５号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、補強板の影に起因して画像が不均一になることを防止するために、補強板がシンチレータ層を覆い隠す必要があるため、補強板が大きくなり、平面放射線検出装置（以下、ＦＰＤという）が大型化してしまうという問題点があった。また特許文献２に記載の技術では、温度変動に伴い画像欠陥が発生する問題点があり、特にシンチレータパネルと光電変換素子層を有するアレイ基板を密着させて使用する場合にその問題は顕著であった。

本発明は、上記状況に鑑み成されたものであり、本発明の目的は、小型で、画像欠陥の発生がほとんどない放射線検出装置を提供することにある。

本発明は次の技術手段１〜９の何れかによって達成される。

１．少なくとも、放射線透過性を有する第１の基板と、第１の粘着層と、放射線透過性を有する第２の基板と、シンチレータ層と、光電変換素子層を有する出力基板と、がこの順に積層された放射線検出装置であって、各層の面方向の配置領域における、前記シンチレータ層の配置領域は、前記光電変換素子層の配置領域を包含すると共に、前記第１の基板の配置領域を包含し、前記第１の基板の配置領域は、前記光電変換素子層の配置領域を包含し、かつ前記シンチレータ層の配置領域を分割した複数の各領域における蛍光体の充填率の標準偏差を前記充填率の平均値で除した充填率の変動係数が２０％以下であることを特徴とする放射線検出装置。

２．前記第１の粘着層の面方向の配置領域は、前記シンチレータ層の面方向の配置領域に包含され、前記第１の基板の面方向の配置領域を包含することを特徴とする１に記載の放射線検出装置。

３．前記第１の基板の、前記シンチレータ層とは反対側に、第２の粘着層と、吸湿層と、がこの順に積層されたことを特徴とする１又は２に記載の放射線検出装置。

４．前記シンチレータ層と、前記光電変換素子層を有する前記出力基板との間に耐湿保護層が設けられていることを特徴とする１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。

５．前記第１の基板と、前記第１の粘着層と、前記第２の基板と、前記シンチレータ層と、が耐湿保護層に包み込まれていることを特徴とする１又は２に記載の放射線検出装置。

６．前記第１の基板と、前記第１の粘着層と、前記第２の基板と、前記シンチレータ層と、第２の粘着層と、前記吸湿層と、が耐湿保護層に包み込まれていることを特徴とする３に記載の放射線検出装置。

７．前記シンチレータ層が気相堆積法により形成されていることを特徴とする１〜６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。

８．前記シンチレータ層がセシウムハライド系蛍光体であることを特徴とする１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。

９．前記シンチレータ層が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする１〜８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。

本発明によれば、小型で、画像欠陥の発生がほとんどない放射線検出装置を提供することができる。

放射線検出装置の概略層構成を示す断面図である。シンチレータプレート１０Ａの一部の拡大断面図である。図３（ａ）は蒸着装置６１の概略構成を示す側面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ視図である。放射線検出装置１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。撮像パネル５１の拡大断面図である。

以下、上記図１〜図５を用いて本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されない。

（シンチレータ層）
シンチレータ層５（「蛍光体層」ともいう。）は、放射線の照射により、蛍光を発するシンチレータ（蛍光体）から成る層である。

即ち、シンチレータとは、Ｘ線等の入射された放射線のエネルギーを吸収して、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を発光する蛍光体をいう。蛍光体として柱状結晶を用いる場合、柱状結晶の柱径は２．０〜２０μｍが好ましく、３．０〜１５μｍがより好ましい。またシンチレータ層５の膜厚は１００〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは１２０〜８００μｍ、特に好ましくは１４０〜６００μｍである。

本発明においては、シンチレータ層５を複数の領域に等分割して各領域の充填率の変動係数を２０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下であることを狙っている。このようにすることが輝度、鮮鋭性を向上し、さらに温度変動に伴う画像欠陥の発生を防止する観点から好ましい。充填率の変動係数は小さければ小さいほど好ましいが通常は０．１％以上である。充填率の変動係数を２０％以下にするためにはシンチレータ層５の製造装置において用いる蒸発源６３の配置を制御することで行うことができる。後述する図３のシンチレータパネルの作製方法で例示するように、複数の蒸発源６３を円の円周上に配置することで行うことができるが、さらに円の中心部にも蒸発源６３ｃとして蒸発源６３が配置されることがより好ましい。さらに複数の蒸発源６３が半径の異なる複数の同心円の円周上に６３ａ及び６３ｂとして配置されることがより好ましい。また塗布法によりシンチレータ層を形成する場合には、塗布時に用いる塗布装置のスリット形状を精密研磨により制御することにより行うことができる。

シンチレータ層５の充填率は７０〜９０％であることが好ましく、より好ましくは７２〜８８％、特に好ましくは７５〜８５％である。ここで充填率とはシンチレータ層５の実際の質量を、理論密度と見かけの体積で割った値をさす。シンチレータ層５の充填率を制御するには、蒸着時の基板温度の制御や、蒸着速度やＡｒ等のキャリアガスの導入量を調整することにより真空度を制御することで行うことができる。塗布法による場合は蛍光体と結合剤の比率を調整したり、カレンダリング時の温度、圧力、速度を調整することにより行うことができる。

（シンチレータ層、蛍光体）
シンチレータ層５を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変換率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層５（蛍光体層）の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。

但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。

また、タリウムを含有するＣｓＩのシンチレータ層を形成するための、原材料としては、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとが、好ましく用いられる。タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。

１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。

好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、又はフッ化タリウム（ＴｌＦ，ＴｌＦ_３）等である。

また、タリウム化合物の融点は、発光効率の面から、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。なお、融点とは、常温常圧下における融点である。

また、タリウム化合物の分子量は２０６〜３００の範囲内にあることが好ましい。

シンチレータ層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．０１〜２０モル％であるのが好ましく、０．０５〜５モル％であるのがより好ましい。

本発明においては、上記したＣｓＩ：Ｔｌ以外にも各種のものが利用可能である。

他の一例として、基本組成式（Ｉ）：
Ｍ^ＩＸ・ａＭ^ＩＩＸ’_２・ｂＭ^ＩＩＩＸ”_３：ｚＡ
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が好ましく例示される。

上記式において、Ｍ^ＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ^ＩＩはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、Ｍ^ＩＩＩはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表す。また、Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。また、ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す。

また、上記基本組成式（Ｉ）中のＭ^Ｉとしては少なくともＣｓを含んでいることが好ましく、Ｘとしては少なくともＩを含んでいることが好ましく、Ａとしては特にＴｌ又はＮａであることが好ましい。ｚは１×１０^−４≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であることが好ましい。

また、基本組成式（II）：
Ｍ^ＩＩＦＸ：ｚＬｎ
で示される希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体も好ましい。

上記式において、Ｍ^ＩＩはＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表す。また、ｚは、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表す。

なお、上記式中のＭ^ＩＩとしては、Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとしては、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。

また、他に、ＬｎＴａＯ_４：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ系、ＬｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ_４、ＬｕＡｌＯ_３：Ｃｅ、Ｇｄ_３Ｇａ_５Ｏ_１２：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ_２等を挙げることができる。

以下の説明においては、撮像パネルの層構成を示す図１を参照しながら説明する。

ここで本発明においては、シンチレータ層５を放射線透過性を有する第２の基板１上に反射層３や保護層４を介して設けることによりシンチレータパネル１０を形成した後に第３の基板２０ｄ上にフォトセンサとＴＦＴからなる画素が２次元状に形成された出力層２０ｃ及び光電変換素子層２０ｂを形成した光電変換を行う出力基板２０と接着あるいは密着させることで放射線検出装置１００としてもよいし、第３の基板２０ｄ上にフォトセンサとＴＦＴからなる画素が２次元状に形成された出力層２０ｃ及び光電変換素子層２０ｂを形成した後、直接、保護層を介してシンチレータ層５を設けたシンチレータパネル１０を形成させることで放射線検出装置１００としても良い。しかし、本実施の形態においては、主として前者の方式について説明する。

（保護層）
本発明のシンチレータパネル１０は、第２の基板１上に設けられた反射層３と、反射層３上に設けられた保護層４を有することが好ましい。十分な保存特性が得られ、かつ光の散乱が抑えられる点から、保護層４の厚みは０．２〜５．０μｍであるのが好ましく、０．５〜４．０μｍがより好ましく、０．７〜３．５μｍであるのが特に好ましい。

保護層４には有機樹脂を用いることが好ましく、有機樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。

なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。

通常、蒸着によるシンチレータを形成するにあたっては、基板温度は１５０℃〜２５０℃で実施されるが、保護層４にガラス転移温度が−２０℃〜４５℃である有機樹脂を含有しておくことで、保護層４が接着層としても有効に機能するようになる。

保護層４の作製に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。

また保護層４は、光吸収層であることが好ましく、極大吸収波長は５６０〜６５０ｎｍであることが好ましい。当該保護層４は、極大吸収波長が５６０〜６５０ｎｍの範囲にあるようにするために顔料及び染料の少なくとも一方を含有することが好ましい。

また、当該保護層４は上記有機樹脂の他に、分散剤等を含有することが好ましい。５６０〜６５０ｎｍの間に極大吸収波長を有する着色剤としては、市販のものの他、各種文献に記載されている公知のものが利用できる。

着色剤としては、５６０〜６５０ｎｍの波長範囲に吸収をもつものが好ましく、着色剤としては、紫〜青の有機系もしくは無機系の着色剤が好ましく用いられる。

紫〜青の有機系着色剤の例としては、紫色：ジオキサジン、青色：フタロシアニンブルー、インダンスレンブルーなどであり具体的には、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト社製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学（株）製）、スミアクリルブルーＦ−ＧＳＬ（住友化学（株）製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナル・アニリン社製）、スピリットブルー（保土谷化学（株）製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント（株）製）、キトンブルーＡ（チバ・ガイギー社製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土谷化学（株）製）、レイクブルーＡ、Ｆ、Ｈ（協和産業（株）製）、ローダリンブルー６ＧＸ（協和産業（株）製）、ブリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業（株）製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学（株）製）、シアニンブルーＢＮＲＳ（東洋インキ（株）製）、ライオノルブルーＳＬ（東洋インキ（株）製）が挙げられる。

紫〜青の無機系着色剤の例としては、群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ_２−ＺｎＯ−ＣｏＯ−ＮｉＯ系顔料が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

着色剤として、好ましいものは金属フタロシアニン系顔料である。

金属フタロシアニン系顔料としては、具体的には、銅フタロシアニンが挙げられる。しかし、極大吸収波長が５６０〜６５０ｎｍの範囲内にある限り、他の金属含有フタロシアニン顔料、例えば亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル、及び他のそのような金属に基づくものも使用できる。

適当なフタロシアニン系顔料は未置換でも、（例えば１つまたはそれ以上のアルキル、アルコキシ、ハロゲン例えば塩素、または他のフタロシアニン顔料に典型的な置換基で）置換されていてもよい。粗フタロシアニンは、技術的に公知のいくつかの方法のいずれかで製造できるが、好ましくは無水フタル酸、フタロニトリルまたはそれらの誘導体の、金属ドナー、窒素ドナー（例えば尿素またはフタロニトリル自体）と、好ましくは有機溶媒中随時触媒の存在下に反応させることによって製造できる。

例えばＷ．ハーブスト（Ｈｅｒｂｓｔ）及びＫ．ハンガー（Ｈｕｎｇｅｒ）、「工業有機顔料」［ＶＣＨ出版、ニューヨーク、１９９３年］、４１８〜４２７ページ、Ｈ．ゾリンガー（Ｚｏｌｌｉｎｇｅｒ）、「色剤化学」（ＶＣＨ出版、１９７３年）１０１〜１０４ページ、及びＮ．Ｍ．ピゲロー（Ｐｉｇｅｌｏｗ）及びＭ．Ａ．パーキンス（Ｐｅｒｋｉｎｓ）、Ｈ．Ａ．ラブス（Ｌｕｂｓ）編「合成染料及び顔料の化学」［ロバート（Ｒｏｂｅｒｔ）Ｅ．クリーガー（Ｋｒｉｅｇｅｒ）出版、１９５５年］、５８４〜５８７ページにおける「フタロシアニン顔料」、更に米国特許第４１５８５７２号、第４２５７９５１号、及び第５１７５２８２号、並びに英国特許第１５０２８８４号を参照。

顔料は、上記有機樹脂中に分散されて用いられることが好ましい。分散剤は、用いる有機樹脂と顔料とに合わせて種々のものを用いることができる。

分散剤としては、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを挙げることができる。

顔料を有機樹脂中へ分散する方法としては、インク製造やトナー製造時に用いられる公知の分散技術が使用できる。分散機としては、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボールミル、インペラー、デスパーサー、ＫＤミル、コロイドミル、ダイナトロン、３本ロールミル、加圧ニーダー等が挙げられる。詳細は「最新顔料応用技術」（ＣＭＣ出版、１９８６）に記載がある。

保護層４は、溶剤に溶解した樹脂を塗布、乾燥して形成したり、ＣＶＤ法により形成される。

（放射線透過性を有する第１の基板）
本発明に係る放射線透過性を有する第１の基板９は、放射線透過性であり、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。第１の基板９は、直接あるいは必要に応じて吸湿層７等の機能層を有すると共に、反対面に第１の粘着層８Ａ（例えば両面テープやホットメルトシート、接着剤等）によって第２の基板１に貼り付けられている。第１の基板９としては、（１）炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ：ＣａｒｂｏｎＦｉｂｅｒＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、（２）カーボンボード（木炭及び紙を炭化処理して固めたもの）、（３）カーボン基板（グラファイト基板）、（４）プラスチック基板、（５）ガラス基板、（６）上記（１）〜（５）の基板を薄く形成し発泡樹脂でサンドイッチしたもの、等を用いることができる。第１の基板９の厚さは、第２の基板１の厚さよりも大きいことが好ましい。これにより、シンチレータパネル１０全体の強度が向上する。第１の基板９の面方向の配置領域は、光電変換素子層の面方向の配置領域を包含することが必要である。これにより、第１の基板９の影が映ることを防止でき、その結果、画像が不均一になるのを防止できる。また、第１の基板９の面方向の配置領域は、シンチレータパネル１０のシンチレータ層５の面方向の配置領域に包含されることが必要である。これにより、シンチレータパネル１０を小型化することが可能となる。第１の基板９の端部については、角部または全周にわたってテーパーをつける、又は丸める（Ｒをつける）ことが好ましい。これにより、封止した場合にも破れにくくなるという効果がある。

（粘着層）
本発明に係る第１の粘着層８Ａ、第２の粘着層８Ｂに使用可能な粘着層としては、例えば両面テープ（マトリックステープ）、ホットメルトシート、接着剤が用いられる。

ホットメルトシートに使用されるホットメルト樹脂としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系、ポリウレタン系、エポキシ系などのホットメルト樹脂が挙げられる。ホットメルト樹脂の熱膨張係数は、材料により異なるが、例えば、１６０〜２３０×１０^−６／℃である。ホットメルト樹脂としては、例えば特開２００６−７８４７１号公報の「００２４」〜「００３４」に記載されたホットメルト樹脂を使用することができる。また接着剤としては、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系の群に属する接着剤を用いることができる。接着剤の熱膨張係数は、材料により異なるが、例えば、１１０×１０^−６／℃以下である。第１の粘着層８Ａの面方向の配置領域は、シンチレータ層５の面方向の配置領域に包含されるが、第１の基板９の面方向の配置領域を包含していることが必要である。

（吸湿層）
本発明に係わる吸湿層７しては、乾燥剤を含む樹脂層を使用するのが好ましく、例えば、ドライキープ（プラスチックなどの樹脂と乾燥剤が一体化した製品）が使用できる。

（放射線透過性を有する第２の基板）
本発明に係る放射線透過性を有する第２の基板１は、シンチレータ層５を担持可能な板状体であり、各種のガラス、セラミック、高分子材料、金属等を用いることができる。

例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、サファイア、窒化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、シンジオタクチックポリスチレンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートなどを用いることができる。

特に、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルム等が、ヨウ化セシウムを原材料として気相堆積法にて柱状シンチレータを形成する場合に、好適である。

特に第２の基板１が厚さ５０〜５００μｍの可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。ここで、「可とう性を有する基板フィルム」とは、１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００Ｎ／ｍｍ^２〜６０００Ｎ／ｍｍ^２である基板フィルムをいい、かかる基板フィルムとしてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。

なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ−Ｃ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。

本発明に用いられる第２の基板１は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００Ｎ／ｍｍ^２〜６０００Ｎ／ｍｍ^２であることが好ましい。より好ましくは１２００Ｎ／ｍｍ^２〜５０００Ｎ／ｍｍ^２である。

具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ^２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリイミド（Ｅ１２０＝５０００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ^２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ^２）等からなる高分子フィルムが挙げられる。

これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。

（反射層）
反射層３は、シンチレータ層５のシンチレータから発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層３は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ａｇ膜、Ａｌ膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を２層以上とする場合は、下層をＣｒを含む層とすることが基板（第２の基板１）との接着性を向上させる点から好ましい。下層としてはＮｉ／Ｃｒ層とすることが特に好ましい。

反射層３は、上記のようにシンチレータ層５からの光を反射すると同時に放射線透過性を有する。反射層３は、放射線透過性であり、上記のように所定の光（シンチレータから発した光）を反射する金属薄膜であることが好ましい態様である。

なお、反射層３の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。

反射層３とシンチレータ層５の間にはさらに少なくとも１層からなる酸化物層を設けても良い。酸化物層を設けることで反射率が向上し、輝度向上の効果がある。さらに、特に第２の基板１としてアルミニウムやカーボン等の導電性の基板を使用する場合は、腐食防止の効果も得ることができる。酸化物層としては金属酸化物を含むことが好ましく、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２などが挙げられる。酸化物層は、複数の酸化物層からなることがより好ましい。

酸化物層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、輝度向上、腐食防止の観点から好ましい。

（中間層）
本発明においては、第２の基板１と反射層３の間に中間層２を有してもよい。中間層２としては、樹脂を含有する層であることが好ましい。樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。

中間層２の厚みは１．０μｍ〜３０μｍであるのが好ましく、２．０μｍ〜２５μｍであるのがより好ましく、５．０μｍ〜２０μｍであるのが特に好ましい。

（耐湿保護層）
耐湿保護層６は、シンチレータ層５の保護を主眼とするものである。即ち、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。

当該耐湿保護層６は種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、シンチレータ層５及び第２の基板１の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、耐湿保護層６とすることができる。

耐湿保護層６は、耐湿保護層６用の塗布液を前記シンチレータ層５（蛍光体層）の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した耐湿保護層６を前記シンチレータ層５（蛍光体層）に接着したり、包み込むことにより封止してもよい。本実施形態では、シンチレータプレート１０Ａを含めた全体を図１に示すように耐湿保護層６としてのフィルムで包み込むように封止している。また、耐湿保護層６であるフィルムとしては、２枚の封止フィルム６ａ、６ｂを用い、周辺部をホットプレスし、熱融着することで封止している。

また、耐湿保護層６は蒸着法、スパッタリング法などにより、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３などの無機物質を積層して形成してもよい。

上記耐湿保護層６の厚さは、空隙部の形成性、シンチレータ層５（蛍光体層）の耐湿保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、６０μｍ以下が好ましい。

また、ヘイズ率が、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下であることが好ましく、更には３％以上、１０％以下であることが好ましい。ヘイズ率は日本電色工業株式会社ＮＤＨ５０００Ｗにより測定した値を示す。必要とするヘイズ率は市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。

耐湿保護層６の光透過率は光電変換効率、シンチレータの発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましいが、９９％以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため、実質的に７０％以上９９％未満が好ましい。

耐湿保護層６の透湿度はシンチレータ層５の保護性、潮解性等を考慮し、５０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましいが、０．０１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）未満の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため、実質的に０．０１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、５０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には０．１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）以上、１０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳＺ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。

（耐湿保護層として好ましい保護フィルム）
耐湿保護層６として好ましい保護フィルムは、積層された有機フィルムであり、その構成例としては、保護層（最外層）／防湿層／熱溶着層（最内層）の構成を有した多層積層材料が挙げられる。また、更に各層は必要に応じて多層とすることも可能となっている。上記の保護フィルムによって、シンチレータプレート１０Ａが真空封止されていることが好ましい。

〈熱溶着層（最内層）〉
最内層の熱可塑性樹脂フィルムとしては、ＥＶＡ、ＰＰ、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、またこれらフィルムとＨＤＰＥフィルムの混合使用したフィルムとを使用することが好ましい。

〈防湿層（中間層）〉
特開平６−９５３０２号公報及び真空ハンドブック増訂版ｐ１３２〜１３４（ＵＬＶＡＣ日本真空技術Ｋ．Ｋ）に記載されている如き、無機膜を少なくとも一層有する層が挙げられる。無機膜としては、金属蒸着膜及び無機酸化物等の蒸着膜が挙げられる。

無機物蒸着膜としては、薄膜ハンドブックｐ８７９〜９０１（日本学術振興会）、真空技術ハンドブックｐ５０２〜５０９、ｐ６１２、ｐ８１０（日刊工業新聞社）、真空ハンドブック増訂版ｐ１３２〜１３４（ＵＬＶＡＣ日本真空技術Ｋ．Ｋ）に記載されている如き無機物蒸着膜が挙げられる。これらの無機物蒸着膜としては、例えば、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｓｉ_ｘＯ_ｙ（ｘ＝１、ｙ＝１．５〜２．０）、Ｔａ_２Ｏ_３、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＰＳＧ、Ｓｉ_３Ｎ_４、単結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、Ｗ、アルミニウム、Ａｌ_２Ｏ_３等が用いられる。特に好ましい金属蒸着膜としては、例えば、アルミニウムが挙げられる。

防湿層の基材として使用する熱可塑性樹脂フィルムとしては、エチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、２軸延伸ナイロン６、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）など一般の包装用フィルムに使用されているフィルム材料を使用することができる。

蒸着膜を作る方法としては、真空技術ハンドブック及び包装技術Ｖｏｌ．２９−Ｎｏ．８に記載されている如き一般的な方法、例えば、抵抗または高周波誘導加熱法、エレクトロビーム（ＥＢ）法、プラズマ（ＰＣＶＤ）等により作ることができる。蒸着膜の厚さとしては４０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０〜１８０ｎｍの範囲である。

〈保護層（最外層）〉
蒸着フィルムシートを介して用いられる熱可塑性樹脂フィルムとしては、一般の包装材料として使用されている高分子フィルム（例えば、機能性包装材料の新展開株式会社東レリサーチセンター記載の高分子フィルム）である低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、延伸ナイロン（ＯＮｙ）、ＰＥＴ、セロハン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、フッ素を含むオレフィン（フルオロオレフィン）の重合体、またはフッ素を含むオレフィン系共重合体等が使用できる。

また、これら熱可塑性樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押し出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて張り合わせて作った多層フィルム等も当然使用できる。更に必要とする包装材料の物性を得るために、使用するフィルムの密度、分子量分布を組み合わせて作ることも当然可能である。

無機物蒸着層を使用しない場合は、保護層に防湿層としての機能を持たせる必要がある。この場合、保護層に使用する熱可塑性樹脂フィルムの中より必要に応じて単体でもよいし、または２種以上のフィルムを積層させて用いることができる。例えば、ＣＰＰ／ＯＰＰ、ＰＥＴ／ＯＰＰ／ＬＤＰＥ、Ｎｙ／ＯＰＰ／ＬＤＰＥ、ＣＰＰ／ＯＰＰ／ＥＶＯＨ、サランＵＢ／ＬＬＤＰＥ（ここでサランＵＢとは、旭化成工業株式会社製の塩化ビニリデン／アクリル酸エステル系共重合樹脂を原料とした２軸延伸フィルムを示す。）Ｋ−ＯＰ／ＰＰ、Ｋ−ＰＥＴ／ＬＬＤＰＥ、Ｋ−Ｎｙ／ＥＶＡ（ここでＫは、塩化ビニリデン樹脂をコートしたフィルムを示す。）等が使用されている。

これら保護フィルムの製造方法としては、一般的に知られている各種の方法が用いられ、例えば、ウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押し出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。無機物を蒸着したフィルムを使用しない場合も同様な方法が当然使えるが、これらの他に使用材料によっては多層インフレーション方式、共押し出し成形方式により作ることができる。

積層する際に使用される接着剤としては、一般的に知られている接着剤が使用可能である。例えば、各種ポリエチレン樹脂、各種ポリプロピレン樹脂等のポリオレフィン系熱可塑性樹脂熱溶解接着剤、エチレン−プロピレン共重合体樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂等のエチレン共重合体樹脂、エチレン−アクリル酸共重合体樹脂、アイオノマー樹脂等の熱可塑性樹脂熱溶融接着剤、その他熱溶融型ゴム系接着剤等がある。

エマルジョン、ラテックス状の接着剤であるエマルジョン型接着剤の代表例としては、ポリ酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル−エチレン共重合体樹脂、酢酸ビニルとアクリル酸エステル共重合体樹脂、酢酸ビニルとマレイン酸エステル共重合体樹脂、アクリル酸共重合物、エチレン−アクリル酸共重合物等のエマルジョンがある。

ラテックス型接着剤の代表例としては、天然ゴム、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）等のゴムラテックスがある。また、ドライラミネート用接着剤としては、イソシアネート系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリエステル系接着剤等があり、その他、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂等をブレンドしたホットメルトラミネート接着剤、感圧接着剤、感熱接着剤等公知の接着剤を用いることもできる。

エクストルージョンラミネート用ポリオレフィン系樹脂接着剤はより具体的に言えば、各種ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレン樹脂などのポリオレフィン樹脂からなる重合物及びエチレン共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、等）樹脂の他、Ｌ−ＬＤＰＥ樹脂の如く、エチレンと他のモノマー（α−オレフィン）を共重合させたもの、Ｄｕｐｏｎｔ社のサーリン、三井ポリケミカル社のハイミラン等のアイオノマー樹脂（イオン共重合体樹脂）及び三井石油化学（株）のアドマー（接着性ポリマー）等がある。

その他、紫外線硬化型接着剤も最近使われはじめた。特にＬＤＰＥ樹脂とＬ−ＬＤＰＥ樹脂が安価でラミネート適性に優れているので好ましい。また、前記樹脂を２種以上ブレンドして各樹脂の欠点をカバーした混合樹脂は特に好ましい。例えば、Ｌ−ＬＤＰＥ樹脂とＬＤＰＥ樹脂とをブレンドすると延展性が向上し、ネックインが小さくなるのでラミネート速度が向上し、ピンホールが少なくなる。

（シンチレータパネルの作製方法）
本発明のシンチレータパネル１０を作製する作製方法の典型的例について、図を参照しながら説明する。なお、前述のように、図１はシンチレータパネル１０や出力基板２０で構成される撮像パネル５１を装着した放射線検出装置１００の概略層構成を示す断面図である。図２は、シンチレータプレート１０Ａの一部の拡大断面図である。図３（ａ）は、シンチレータ層を蒸着する蒸着装置６１の概略構成を示す側面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ視図であり、図５は撮像パネル５１の拡大層構成を示す図である。これらの図面を用いて説明する。

〈蒸着装置〉
以下、蒸着装置６１について、図３を参照しながら説明する。図３に示すように、シンチレータパネルの蒸着装置６１は真空容器６２を備えており、真空容器６２には真空容器６２の内部の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ６６が備えられている。

真空容器６２の内部の上面付近には、第２の基板１を保持する基板ホルダ６４が設けられている。

第２の基板１は従来のシンチレータパネル１０の支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、本実施形態の第２の基板１としては、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート又は炭素繊維強化シートなどが好ましい。

また、第２の基板１は、その表面を平滑な面とするために樹脂層（中間層）を有していてもよい。樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンフタレート、パラフィン、グラファイトなどの化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、第２の基板１の表面に設けてもよく、裏面に設けてもよい。また、第２の基板１の表面に樹脂層（中間層）を設ける手段としては、貼合法、塗設法などの手段がある。このうち貼合法は加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件は約８０〜１５０℃、加圧条件は４．９０×１０〜２．９４×１０^２Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／ｓが好ましい。

第２の基板１の表面には、シンチレータ層５（蛍光体層）が気相堆積法によって形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。

基板ホルダ６４は、第２の基板１のうちシンチレータ層５（蛍光体層）を形成する面が真空容器６２の底面に対向し、かつ、真空容器６２の底面と平行となるように第２の基板１を保持する構成となっている。

また、基板ホルダ６４には、第２の基板１を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えることが好ましい。この加熱ヒータで第２の基板１を加熱することによって、第２の基板１の基板ホルダ６４に対する密着性の強化や、シンチレータ層５（蛍光体層）の膜質調整を行う。また、第２の基板１の表面の吸着物を離脱・除去し、第２の基板１の表面と後述する蛍光体との間に不純物層が発生することを防止する。

また、加熱手段として温媒又は熱媒を循環させるための機構（図示せず）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における第２の基板１の温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。

また、加熱手段としてハロゲンランプ（図示せず）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における第２の基板１の温度を１５０℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。

さらに、基板ホルダ６４には、第２の基板１を水平方向に回転させる基板回転機構６５が設けられている。基板回転機構６５は、基板ホルダ６４を支持すると共に第２の基板１を回転させる基板回転軸６７及び真空容器６２の外部に配置されて基板回転軸６７の駆動源となるモータ（図示せず）から構成されている。

また、真空容器６２の内部の底面付近には、第２の基板１に垂直な中心線を中心とした複数の（ここでは２つの）同心円の円周上の位置にそれぞれ複数の蒸発源６３ａ及び６３ｂが配置されている。この場合において、第２の基板１と蒸発源６３ａ間や、６３ｂ間の間隔は１００ｍｍ〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００ｍｍ〜１０００ｍｍである。また、第２の基板１に垂直な中心線と蒸発源６３ａ及び６３ｂとの間隔は１００ｍｍ〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００ｍｍ〜１０００ｍｍである。

上記のように、特定の位置に配置された蒸発源にはそれぞれ６３ａ、６３ｂのように符号を設けたが、設置場所を特定しない蒸発源や上記６３ａ、６３ｂを含めた全体的な蒸発源については蒸発源６３のように呼称する。

なお、本発明において、シンチレータパネル１０の製造装置においては３個以上の多数の蒸発源６３を同じ円周上に設けることも可能であり、各々の蒸発源６３は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。本発明においては複数の蒸発源６３ａ及び６３ｂそれぞれが２つの同心円の円周上に配置されることが好ましいが、さらに円の中心部にも蒸発源６３ｃが配置されることがより好ましい。円の中心部にも蒸発源６３ｃを配置することで、ＦＰＤ等の大サイズのパネルに使用する場合でも、シンチレータ層５の蛍光体の充填率の変動係数を２０％以下とすることができ、耐衝撃性や耐湿性を良好にすることができる。本発明においては複数の蒸発源６３ａ、６３ｂが２つの同心円の円周上に配置されることが好ましいが、各蒸発源６３は各同心円状に複数あることがより好ましい。複数の同心円上に複数の蒸発源６３を配置することでＦＰＤ等の大サイズのパネルに使用する場合でもシンチレータ層５の柱径プロファイル曲線や賦活剤濃度プロファイル曲線における極大値の個数を２個以上とすること、シンチレータ層５の蛍光体の充填率の変動係数を２０％以下とすることができ、耐衝撃性や耐湿性を良好にすることができる。

蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃは、後述する蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、後述する蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から直接電流を流し抵抗加熱する方法や、周りのヒータでるつぼを間接的に抵抗加熱する方法が好ましい。また、蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃは分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。

また、蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃと第２の基板１との間には、蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃから第２の基板１に至る空間を遮断する遮蔽板（シャッタ）６８が矢印で示すように、水平方向に開閉自在に設けられており、この遮蔽板（シャッタ）６８によって、蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃにおいて後述する蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、第２の基板１に付着するのを防ぐことができるようになっている。

次に、上述のシンチレータパネルへの蒸着装置６１を用いたシンチレータパネル製造方法について説明する。

まず、基板ホルダ６４に第２の基板１を取付ける。また、真空容器６２の底面付近において、第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源６３ａ、６３ｂを配置し、中心部にも蒸発源６３ｃを配置する。この場合において、第２の基板１と蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃとの間隔は１００ｍｍ〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００ｍｍ〜１０００ｍｍである。また、第２の基板１に垂直な中心線と蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃとの間隔は１００ｍｍ〜１５００ｍｍとされるのが好ましく、より好ましくは２００ｍｍ〜１０００ｍｍである。

次いで、真空容器６２の内部を真空排気し、真空容器６２の内部を０．１Ｐａ以下の真空雰囲気下にする（真空雰囲気形成工程）。ここでいう「真空雰囲気下」とは、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気下のことを意味し、０．１Ｐａ以下の圧力雰囲気下であるのが好適である。

その後、アルゴン等の不活性ガスを真空容器６２の内部に導入し、当該真空容器６２の内部を０．００１〜５Ｐａの真空雰囲気下に維持する。その後、基板回転機構６５により基板ホルダ６４を蒸発源６３ａ、６３ｂに対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器６２が達したら、加熱した蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃから後述する蛍光体を蒸発させて、基板１の表面に後述する蛍光体を所望の厚さに成長させる。

なお、第２の基板１の表面に後述する蛍光体を成長させる工程を複数回に分けて行ってシンチレータ層５（蛍光体層）を形成することも可能である。

また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（第２の基板１、保護層４又は中間層２）を冷却あるいは加熱しても良い。

さらに、蒸着終了後、シンチレータ層５（蛍光体層）を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてＯ_２、Ｈ_２などのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。

シンチレータ層５（蛍光体層）が形成される第２の基板１の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２５０℃である。

以上のようにしてシンチレータ層５（蛍光体層）を形成した後、必要に応じて、シンチレータ層５（蛍光体層）の第２の基板１とは反対の側の面、あるいは両側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための耐湿保護層６を設けてもよい。耐湿保護層６は、耐湿保護層６の塗布液をシンチレータ層５（蛍光体層）の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した耐湿保護層６をシンチレータ層５に接着したり、包み込むことにより封止してもよい。

以上のシンチレータパネルの蒸着装置６１又はシンチレータ層５（蛍光体層）製造方法によれば、複数の蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃを設けることによって蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、第２の基板１の表面に蒸着する後述する蛍光体の結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発源６３を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において後述する蛍光体の結晶性を均一にすることができる。また、特に蒸発源６３ａ、６３ｂを第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、第２の基板１の表面において等方的に得ることができる。

また、回転機構６５によって基板１を回転しながら後述する蛍光体の蒸着を行うことによって、第２の基板１の表面に均一に後述する蛍光体を蒸着させることができる。

《シンチレータパネル》
次に、本発明のシンチレータパネル１０の作製方法について説明する。

シンチレータパネル１０を作製する作製方法においては、上記で説明した蒸発装置６１を好適に用いることができる。蒸発装置６１を用いてシンチレータパネル１０を作製する方法について説明する。

〈中間層の形成〉
第２の基板１の一方の表面に中間層２を押し出し塗布により形成することができる。なお中間層２の表面性やヤング率を制御するために必要に応じてマット剤やフィラーを添加しても良い。

〈反射層の形成〉
第２の基板１の中間層２が設けられた面に、反射層３としての金属薄膜（Ａｌ膜、Ａｇ膜等）をスパッタ法により形成する。また高分子フィルム上にＡｌ膜をスパッタ蒸着したフィルムは、各種の品種が市場で流通しており、これらを貼付して使用することも可能である。

〈保護層の形成〉
保護層４は、前記の有機溶剤に着色剤及び有機樹脂を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成する。

〈シンチレータ層の形成〉
上記のように、中間層２、反射層３、保護層４を設けた第２の基板１を基板ホルダ６４に取り付けるとともに、蒸発源６３にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する（準備工程）。この場合、蒸発源６３と基板１との間隔を１００〜１５００ｍｍに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理をおこなうのが好ましい。

準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ６６を作動させて真空容器６２の内部を排気し、真空容器６２の内部を０．１Ｐａ以下の真空雰囲気下にする（真空雰囲気形成工程）。ここでいう「真空雰囲気下」とは、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気下のことを意味し、０．１Ｐａ以下の圧力雰囲気下であるのが好適である。

その後、アルゴン等の不活性ガスを真空容器６２の内部に導入し、当該真空容器６２の内部を０．１Ｐａ〜５Ｐａの真空雰囲気下に維持する。その後、基板ホルダ６４のヒータと回転機構６５のモータとを駆動させ、基板ホルダ６４に取付け済みの第２の基板１を蒸発源６３に対向させた状態で加熱しながら回転させる。

この状態において、電極から蒸発源６３に電流を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む混合物を７００〜８００℃程度で所定時間加熱してその混合物を蒸発させる。

その結果、第２の基板１の表面に無数の柱状結晶体５ａが順次成長して所望の厚さのシンチレータ層５が形成される（蒸着工程）。これにより、本発明に係るシンチレータパネル１０の構成要素であるシンチレータプレート１０Ａを製造することができる。

蒸着源６３を加熱する温度としては、５００℃〜８００℃が好ましく、特に６３０℃〜７５０℃が好ましい。第２の基板１の温度は１００℃〜２５０℃が好ましく、特に１５０℃〜２５０℃とするのが好ましい。第２の基板１温度をこの範囲とすることで、柱状結晶の形状が良好となり、輝度特性が向上する。

〈耐湿保護層の形成〉
耐湿保護層６は、シンチレータ層５上に前記の有機溶剤に有機樹脂を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成することが好ましい。前記組成物には必要に応じて着色剤やマット剤を添加しても良い。また支持体（ＰＥＴ、ＰＥＮ、アラミド等）上に有機樹脂を分散・溶解した組成物を塗布、乾燥して形成した封止フィルムでシンチレータ層を封止しても良い。

《放射線検出装置》
以下に、上記シンチレータパネル１０の一適用例として、図４及び図５を参照しながら、当該シンチレータパネル１０を具備した放射線検出装置１００の構成について説明する。なお、図４は放射線検出装置１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。また、図５は撮像パネル５１の拡大断面図である。

図４に示す通り、放射線検出装置１００には、撮像パネル５１、放射線検出装置１００の動作を制御する制御部５２、書き換え可能な専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル５１から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部５３、撮像パネル５１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部５４、等が筐体５５の内部に設けられている。筐体５５には必要に応じて放射線検出装置１００から外部に通信を行うための通信用のコネクタ５６、放射線検出装置１００の動作を切り換えるための操作部５７、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部５３に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部５８、等が設けられている。

ここで、放射線検出装置１００に電源部５４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部５３を設け、コネクタ５６を介して放射線検出装置１００を着脱自在にすれば、放射線検出装置１００を持ち運びできる可搬構造とすることができる。

図５に示すように、撮像パネル５１は、シンチレータパネル１０と、シンチレータパネル１０からの電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板２０と、から構成されている。

シンチレータパネル１０は、放射線照射側に配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。

出力基板２０は、シンチレータパネル１０の放射線照射面と反対側の面に設けられており、シンチレータパネル１０側から順に、隔膜２０ａ、光電変換素子層２０ｂ、画像信号を出力する出力層２０ｃ及び第３の基板２０ｄを備えている。

隔膜２０ａは、シンチレータパネル１０と他の層を分離するためのものである。

光電変換素子層２０ｂは、透明電極２１と、透明電極２１を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層２２と、透明電極２１に対しての対極になる対電極２３とから構成されており、隔膜２０ａ側から順に透明電極２１、電荷発生層２２、対電極２３が配置される。

透明電極２１とは、光電変換される電磁波を透過させる電極であり、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。

電荷発生層２２は、透明電極２１の一面側に薄膜状に形成されており、光電変換可能な化合物として光によって電荷分離する有機化合物を含有するものであり、電荷を発生し得る電子供与体及び電子受容体としての導電性化合物をそれぞれ含有している。電荷発生層２２では、電磁波が入射されると、電子供与体は励起されて電子を放出し、放出された電子は電子受容体に移動して、電荷発生層２２内に電荷、すなわち、正孔と電子のキャリアが発生するようになっている。

ここで、電子供与体としての導電性化合物としては、ｐ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｐ型導電性高分子化合物としては、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフルオレン、ポリ（ｐ−フェニレン）又はポリアニリンの基本骨格を持つものが好ましい。

また、電子受容体としての導電性化合物としては、ｎ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｎ型導電性高分子化合物としては、ポリピリジンの基本骨格を持つものが好ましく、特にポリ（ｐ−ピリジルビニレン）の基本骨格を持つものが好ましい。

電荷発生層２２の膜厚は、光吸収量を確保するといった観点から、１０ｎｍ以上（特に１００ｎｍ以上）が好ましく、また電気抵抗が大きくなりすぎないといった観点から、１μｍ以下（特に３００ｎｍ以下）が好ましい。

対電極２３は、電荷発生層２２の電磁波が入光される側の面と反対側に配置されている。対電極２３は、例えば、金、銀、アルミニウム、クロムなどの一般の金属電極や、透明電極２１の中から選択して用いることが可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするのが好ましい。

また、電荷発生層２２を挟む各電極（透明電極２１及び対電極２３）との間には、電荷発生層２２とこれら電極が反応しないように緩衝地帯として作用させるためのバッファー層を設けてもよい。バッファー層は、例えば、フッ化リチウム及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（４−スチレンスルホナート）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル［１，１０］フェナントロリンなどを用いて形成される。

画像信号出力層２０ｃは、光電変換素子層２０ｂで得られた電荷の蓄積および蓄積された電荷に基づく信号の出力を行うものであり、光電変換素子層２０ｂで生成された電荷を画素毎に蓄積する電荷蓄積素子であるコンデンサ２４と、蓄積された電荷を信号として出力する画像信号出力素子であるトランジスタ２５とを用いて構成されている。

トランジスタ２５は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いるものとする。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでもよく、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国ＡｌｉｅｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が開発しているＦＳＡ（ＦｌｕｉｄｉｃＳｅｌｆＡｓｓｅｍｂｌｙ）技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂｌｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを形成するものとしても良い。さらに、Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８３，８２２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。

このように、トランジスタ２５としては、上記ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、加工温度を低くできることから熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。

トランジスタ２５には、光電変換素子層２０ｂで発生した電荷を蓄積するとともに、コンデンサ２４の一方の電極となる収集電極（図示せず）が電気的に接続されている。コンデンサ２４には光電変換素子層２０ｂで生成された電荷が蓄積されるとともに、この蓄積された電荷はトランジスタ２５を駆動することで読み出される。すなわちトランジスタ２５を駆動させることで放射線画像の画素毎の信号を出力させることができる。

第３の基板２０ｄは、撮像パネル５１の支持体として機能するものであり、第２の基板１と同様の素材で構成することが可能である。

次に、放射線検出装置１００の作用について説明する。

まず、放射線検出装置１００に対し入射された放射線は、撮像パネル５１のシンチレータパネル１０側から第３の基板２０ｄ側に向けて放射線を入射する。

すると、シンチレータパネル１０に入射された放射線は、シンチレータパネル１０中のシンチレータ層５が放射線のエネルギーを吸収し、その強度に応じた電磁波を発光する。発光された電磁波のうち、出力基板２０に入光される電磁波は、出力基板２０の隔膜２０ａ、透明電極２１を貫通し、電荷発生層２２に到達する。そして、電荷発生層２２において電磁波は吸収され、その強度に応じて正孔と電子のペア（電荷分離状態）が形成される。

その後、発生した電荷は、電源部５４によるバイアス電圧の印加により生じる内部電界により正孔と電子はそれぞれ異なる電極（透明電極膜及び導電層）へ運ばれ、光電流が流れる。

その後、対電極２３側に運ばれた正孔は画像信号出力層２０ｃのコンデンサ２４に蓄積される。蓄積された正孔はコンデンサ２４に接続されているトランジスタ２５を駆動させると、画像信号を出力すると共に、出力された画像信号はメモリ部５３に記憶される。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

実施例１
（反射層の作製）
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムである第２の基板１（宇部興産製ＵＰＩＬＥＸ−１２５Ｓ）に接着層としてＮｉ／Ｃｒ層を形成後、アルミニウムをスパッタして反射層３（０．０２μｍ）を形成した。その後、ＳｉＯ_２膜（０．０８μｍ）、ＴｉＯ_２膜（０．０５μｍ）を形成した。

（保護層の作製）
バイロン２００（東洋紡社製：ポリエステル樹脂、Ｔｇ：６７℃）
１００質量部
ヘキサメチレンジイソシアナート３質量部
フタロシアニンブルー０．１質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１００質量部
トルエン１００質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、保護層４塗設用の塗布液を得た。

この塗布液を上記第２の基板１の反射層３の面に乾燥膜厚が２．５μｍになるように押し出しコーターで塗布した。

（シンチレータ層の形成）
基板回転機構６５を備えた基板ホルダ６４に反射層３と保護層４を設けた前記第２の基板１を設置した。次に、蛍光体原料（ＣｓＩ：０．８Ｔｌモル％）を蒸着材料として蒸発源６３ａのるつぼに充填し、８個の蒸発源６３ａのるつぼを真空容器６２の内部の底面付近であって、第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、第２の基板１と蒸発源６３ａとの間隔を４００ｍｍに調節すると共に、第２の基板１に垂直な中心線と蒸発源６３ａとの間隔を３００ｍｍに調節した。次に、４個の蒸発源６３ｂのるつぼを真空容器の内部の底面付近であって、第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、第２の基板１と蒸発源６３ｂとの間隔を４００ｍｍに調節すると共に、第２の基板１に垂直な中心線と蒸発源６３ｂとの間隔を１５０ｍｍに調節した。さらに真空容器の内部の底面付近であって、第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の中心に１個の蒸発源６３ｃのるつぼを配置した。これら各蒸発源６３ａ、６３ｂ、６３ｃのるつぼには遮蔽板６８が図３（ｂ）の矢印で示すように開閉可能に配置されている。続いて真空容器６２の内部を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．０２Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で第２の基板１を回転させながら第２の基板１の温度を５０℃に保持した。次いで、抵抗加熱によりるつぼ内を所定の温度に上昇させて蛍光体を蒸着開始したのち第２の基板１の温度を２００℃まで上昇させ、シンチレータ層５（ＣｓＩ：０．８Ｔｌモル％）の膜厚が４７０μｍとなったところで蒸着を終了させた。遮蔽板６８は蒸発開始の極く初期に各るつぼを閉じて初期不純物の蒸発が第２の基板１に達するのを防止し、その後蒸発が終了するまでを開放している。

（シンチレータパネルの作成）
蒸着が終了し、シンチレータ層が形成されたシンチレータプレート１０Ａを４３０．０ｍｍ×４３０．０ｍｍの四角形状に断裁した。次に、第１の粘着層８Ａであるホットメルトシート（４２９．５ｍｍ×４２９．５ｍｍ厚みは５０μｍ、エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、ヒロダイン７５４４（ヒロダイン工業製）を使用）により、第１の基板９としてのガラス基板（４２９．０ｍｍ×４２９．０ｍｍ厚みは０．５ｍｍ端部の全周にわたって丸み（Ｒ）をつけてある）を密着させた。その後、第２の粘着層８Ｂであるマトリックステープ（厚みは１００μｍ）により、ガラス基板上に吸湿層７（ドライキープ４２９．５ｍｍ×４２９．５ｍｍ厚みは８０μｍ）を密着させた。その後、シンチレータプレート１０Ａを含めた全体を図１に示すように耐湿保護層６としてのフィルムで包み込むように封止することによりシンチレータパネル１０を作成した。耐湿保護層６であるフィルムとしては、２枚の封止フィルム６ａ、６ｂを用い、周辺部をホットプレスし、熱融着することで封止を行った。シンチレータパネル１０のＸ線照射側に用いる封止フィルム６ａとしては、保護層としてＰＥＴフィルム（２５μｍ）、防湿層としてアルミニウム箔（９μｍ）、熱融着層としてＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）フィルム（４０μｍ）を貼り合わせた保護フィルムを用いた。またシンチレータ層５側に用いる封止フィルム６ｂとしては、保護層としてＰＥＴフィルム（１２μｍ）上に防湿層としてＡｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２層を蒸着したフィルム２枚をドライラミネートして貼り合わせ、さらに熱融着層としてＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）フィルム（２０μｍ）をドライラミネートして貼り合わせたものを使用した。なお封止フィルム６ａ、６ｂは、ＣＰＰフィルムを形成した面がシンチレータパネル１０と向き合うようにして使用した。

（装置１０１）
前記シンチレータパネル１０を、図４の斜視図に示すＰａｘＳｃａｎ２５２０（Ｖａｒｉａｎ社製ＦＰＤ）にセットして放射線検出装置１０１（以下単に装置１０１と称す）を作製し、耐衝撃性、鮮鋭性、輝度及び接着性を、以下に示す方法で評価した（光電変換素子層の配置領域は四角形の形状とし、表１に記載された大きさとなるように調整した）。

次に、放射線検出装置１０２〜１１０（以下単に装置１０２〜１１０と称す）を作製した。

（装置１０２〜１０３）
装置１０１の作製において、シンチレータ層５の膜厚を表１に示すように変更したこと以外は装置１０１と同様にして作製した。

（装置１０４）
装置１０１の作製において、第２の基板１に垂直な中心線と蒸発源６３との間隔が１５０ｍｍの円周上に配置された４個の蒸発源６３ｂのるつぼを用いなかったこと以外は装置１０１と同様にして作製した。

（装置１０５）
装置１０１の作製において、基板に垂直な中心線と蒸発源６３との間隔が１５０ｍｍの円周上に配置された４個の蒸発源６３ｂのるつぼを用いなかったこと、及び第２の基板１に垂直な中心線を中心とした円の中心に配置された１個の蒸発源６３ｃのるつぼを用いなかったこと以外は装置１０１と同様にして作製した。

（装置１０６）
装置１０１の作製において、基板に垂直な中心線と蒸発源６３との間隔が３００ｍｍの円周上に配置された８個の蒸発源６３ａるつぼを用いなかったこと、及び第２の基板１に垂直な中心線と蒸発源６３との間隔が１５０ｍｍの円周上に配置された４個の蒸発源６３ｂのるつぼを用いなかったこと以外は装置１０１と同様にして作製した。

（装置１０７）
装置１０１の作製において、蛍光体原料（ＣｓＩ：５．０Ｔｌモル％）を蒸着材料として用い、蛍光体層の膜厚を６５０μｍに変更したこと以外は装置１０６と同様にして作製した。

（装置１０８）
装置１０１の作製において、ガラス製の第１の基板９の配置領域を表１に記載のように変更したこと以外は装置１０１と同様にして作製した。

（装置１０９）
装置１０１の作製において、光電変換素子層２０ｂの配置領域を表１に記載のように変更したこと以外は装置１０１と同様にして作製した。

（装置１１０）
装置１０１の作製において、蒸着が終了し、シンチレータ層５が形成されたシンチレータプレート１０Ａを４３０．０ｍｍ×４３０．０ｍｍの四角形状に断裁した後、装置１０１の作製と同様にして保護フィルムを用いて封止を行ったこと以外は装置１０１と同様にして作製した（ガラス製の第１の基板９を使用しない点が装置１０１〜１０９と異なる）。

《評価》
〈充填率の変動係数の定義〉
充填率の変動係数は、シンチレータ層５における蛍光体の充填率のばらつきの程度を示す指標値となるものである。充填率の変動係数は、シンチレータパネル１０上で縦、横を１０分割し生成した１００区画で充填率を測定し、各測定区画における充填率から求めた平均充填率Ｄ_ａｖ、充填率の標準偏差Ｄ_ｄｅｖを求めて、下記式により算出した。

充填率の変動係数＝Ｄ_ｄｅｖ／Ｄ_ａｖ（％）
ここで、Ｄ_ｄｅｖ：充填率の標準偏差
Ｄ_ａｖ：平均充填率
〈画像欠陥の評価〉
１２ｂｉｔの出力データよりシンチレータパネルのセッティングによって発生した画像欠陥数を計測した。ここでの画像欠陥は画像の平均シグナルの９０％以下、１１０％以上のシグナルを示す画素のことである。画像欠陥数は５００ピクセル×５００ピクセルあたりの個数を計測した。

〈鮮鋭性の評価〉
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線をＦＰＤの放射線入射面側に照射し、画像データを検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標とした。表中、ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＴｒａｎｓｆｅｒＦｕｎｃｔｉｏｎの略号を示す。装置１０１の鮮鋭性（ＭＴＦ値）を１００とする相対値にて示す。

〈輝度の評価〉
電圧８０ｋＶｐのＸ線を装置の裏面（シンチレータ層５が形成されていない面）から照射し、画像データをシンチレータを配置したＦＰＤで検出し、画像の平均シグナル値を発光輝度とした。装置１０１の輝度を１００とする相対値にて示す。

〈封止時の封止フィルム破れの評価〉
封止時の封止フィルム破れの発生について目視で評価し、封止フィルム破れの発生のないものを「発生なし」、封止フィルム破れの発生があったものを「発生あり」とした。結果を、表１に示す。

表１から、本発明の放射線検出装置は、小型で画像欠陥の発生がほとんどなく、封止フィルムの破れ防止に優れることが分かる。

尚、シンチレータプレート１０Ａ及び第１の基板９だけを耐湿保護層６であるフィルムで包み込んで耐湿状態にするシンチレータパネル１０とすることも可能であり、防湿性も耐久性も良好である。しかし前述の実施例のように吸湿層７を含めたものを耐湿保護層で包み込む方式のシンチレータパネル１０の方が防湿性及び耐湿性でより好ましい。

１第２の基板
２中間層
３反射層
４保護層
５シンチレータ層
６耐湿保護層
６ａ、６ｂ封止フィルム
７吸湿層
８Ａ第１の粘着層
８Ｂ第２の粘着層
９第１の基板
１０シンチレータパネル
１０Ａシンチレータプレート
２０出力基板
２０ａ出力基板の隔膜
２０ｂ光電変換素子層
２１透明電極
２２電荷発生層
２３対電極
２０ｃ出力層
２０ｄ第３の基板
５１撮像パネル
５２制御部
５３メモリ部
５４電源部
６１蒸着装置
６２真空容器
６３、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ蒸発源（被充填部材）
６４基板ホルダ
６５基板回転機構
６６真空ポンプ
６７基板回転軸
６８遮蔽板（シャッタ）
１００放射線検出装置

Claims

少なくとも、放射線透過性を有する第１の基板と、第１の粘着層と、放射線透過性を有する第２の基板と、シンチレータ層と、光電変換素子層を有する出力基板と、がこの順に積層された放射線検出装置であって、各層の面方向の配置領域における、前記シンチレータ層の配置領域は、前記光電変換素子層の配置領域を包含すると共に、前記第１の基板の配置領域を包含し、前記第１の基板の配置領域は、前記光電変換素子層の配置領域を包含し、かつ前記シンチレータ層の配置領域を分割した複数の各領域における蛍光体の充填率の標準偏差を前記充填率の平均値で除した充填率の変動係数が２０％以下であることを特徴とする放射線検出装置。
前記第１の粘着層の面方向の配置領域は、前記シンチレータ層の面方向の配置領域に包含され、前記第１の基板の面方向の配置領域を包含することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
前記第１の基板の、前記シンチレータ層とは反対側に、第２の粘着層と、吸湿層と、がこの順に積層されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
前記シンチレータ層と、前記光電変換素子層を有する前記出力基板との間に耐湿保護層が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
前記第１の基板と、前記第１の粘着層と、前記第２の基板と、前記シンチレータ層と、が耐湿保護層に包み込まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
前記第１の基板と、前記第１の粘着層と、前記第２の基板と、前記シンチレータ層と、第２の粘着層と、前記吸湿層と、が耐湿保護層に包み込まれていることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。
前記シンチレータ層が気相堆積法により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
前記シンチレータ層がセシウムハライド系蛍光体であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
前記シンチレータ層が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。