JPWO2010090167A1 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
102 本発明の第1フォトダイオード
103 本発明の第1フォトダイオードの電荷転送ゲート
104 本発明の第2フォトダイオード
105 本発明の第2フォトダイオードの電荷転送ゲート
106 本発明の第3フォトダイオード
107 本発明の第3フォトダイオードの電荷転送ゲート
108 本発明の第4フォトダイオード
109 本発明の第4フォトダイオードの電荷転送ゲート
110 本発明のリセットトランジスタ
111 本発明の増幅トランジスタ
112 本発明の負荷トランジスタ
113 本発明の読み出し回路
114 本発明の水平シフトレジスタ(上部)
115 本発明の垂直シフトレジスタ
116 本発明の水平シフトレジスタ(下部)
117 本発明の画素アレイ
118 本発明の共有化された第2の画素セル
201 本発明の第1画素セル
202 本発明の第2画素セル
203 本発明の第3画素セル
204 本発明の第4画素セル
205 本発明の第1画素セルの電荷転送ゲート駆動信号線
206 本発明の第2画素セルの電荷転送ゲート駆動信号線
207 本発明の第3画素セルの電荷転送ゲート駆動信号線
208 本発明の第4画素セルの電荷転送ゲート駆動信号線
209 本発明の共有化された画素セルのリセット信号線
210 本発明の共有化された画素セルのFD領域
211 本発明の共有化された画素セルの電源線
212 本発明の共有化された画素セルの信号出力線
213 本発明の増幅トランジスタ用負荷トランジスタのバイアス千線
301 本発明の実施例3における第5フォトダイオード
302 本発明の実施例3における第6フォトダイオード
401 本発明の実施例3における第7フォトダイオード
402 本発明の実施例3における第8フォトダイオード
901 従来の共有化された画素セル
902 従来の第1フォトダイオード
903 従来の第1フォトダイオードの電荷転送ゲート
904 従来の第2フォトダイオード
905 従来の第2フォトダイオードの電荷転送ゲート
906 従来の第3フォトダイオード
907 従来の第3フォトダイオードの電荷転送ゲート
908 従来の第4フォトダイオード
909 従来の第4フォトダイオードの電荷転送ゲート
910 従来のリセットトランジスタ
911 従来の増幅トランジスタ
912 従来の負荷トランジスタ
913 従来の読み出し回路
914 従来の水平シフトレジスタ
915 従来の垂直シフトレジスタ
916 従来の画素アレイ
Claims (6)
- 半導体基板上に、光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオードが行列状(i,j)に複数配置された画素アレイを有し、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を読み出すための電荷転送ゲートと、前記電荷転送ゲートを介して読み出した前記フォトダイオードで光電変換された前記信号電荷を電位に変換するフローティングディフュージョンとが設けられ、前記信号電荷をリセットするリセットトランジスタ及び読出した信号電荷を増幅する増幅トランジスタを隣接する4つの前記フォトダイオードで共有する固体撮像装置であって、第1フォトダイオード(i,j)と第2フォトダイオード(i,j+1)と第3フォトダイオード(i+1,j+n)と第4フォトダイオード(i+n,j+n+1)が配置され、かつ、前記nが−1又は+1である固体撮像装置において、前記増幅用トランジスタをアクティブにした状態で、前記第1および第2および第3および第4のフォトダイオードに接続された電荷転送ゲートを連続してONし順次、前記フローティングディフュージョンを介して、フォトダイオードに蓄積された電荷を読み出すことを特徴とする
固体撮像装置。 - 半導体基板上に、光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオードが行列状(i,j)に複数配置された画素アレイを有し、その上部と下部に読み出し回路を兼ね備え、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を読み出すための電荷転送ゲートと、前記電荷転送ゲートを介して読み出した前記フォトダイオードで光電変換された前記信号電荷を電位に変換するフローティングディフュージョンとが設けられ、前記信号電荷をリセットするリセットトランジスタ及び読出した信号電荷を増幅する増幅トランジスタを隣接する4つの前記フォトダイオードで共有する固体撮像装置であって、第1フォトダイオード(i,j)と第2フォトダイオード(i,j+1)と第3フォトダイオード(i+1,j+n)と第4フォトダイオード(i+n,j+n+1)が配置され、かつ、前記nが−1又は+1である固体撮像装置において、前記第1フォトダイオードと前記第3フォトダイオードは前記画素アレイの上部および下部の読み出し回路のどちらか一方で読みだされ、前記第2フォトダイオードと前記第4フォトダイオードは、前記第1フォトダイオードと前記第3フォトダイオードで使用した読み出し回路で無い方の読み出し回路で読みだされることを特徴とする
固体撮像装置。 - 前記第1から第4のフォトダイオードは、同一の読み出しブランキング期間内に2つずつのフォトダイオードの信号が読み出され、前記同一ブランキング期間内に読みだされる2つのフォトダイオードが第1フォトダイオードと第2フォトダイオードであり、次のブランキング期間内に読みだされる2つのフォトダイオードが第3フォトダイオードと第4フォトダイオードであることを特徴とする
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 半導体基板上に、光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオードが行列状(i,j)に複数配置された画素アレイを有し、その上部と下部に読み出し回路を兼ね備え、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を読み出すための電荷転送ゲートと、前記電荷転送ゲートを介して読み出した前記フォトダイオードで光電変換された前記信号電荷を電位に変換するフローティングディフュージョンとが設けられ、前記信号電荷をリセットするリセットトランジスタ及び読出した信号電荷を増幅する増幅トランジスタを隣接する4つの前記フォトダイオードで共有する固体撮像装置であって、第1フォトダイオード(i,j)と第2フォトダイオード(i,j+1)と第3フォトダイオード(i+1,j+n)と第4フォトダイオード(i+n,j+n+1)が配置され、かつ、前記nが−1又は+1である固体撮像装置において、
前記nが+1の場合、前記第1フォトダイオードに隣接された第5フォトダイオード(i+1、j)と前記第4フォトダイオードに隣接された第6フォトダイオード(i、j+2)を有し、同一の読み出しブランキング期間内に前記第1フォトダイオードと前記第5フォトダイオードの組み合わせもしくは、前記第4フォトダイオードと前記第6フォトダイオードの組み合わせで読み出されることを特徴とする
固体撮像装置。 - 半導体基板上に、光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオードが行列状(i,j)に複数配置された画素アレイを有し、その上部と下部に読み出し回路を兼ね備え、前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を読み出すための電荷転送ゲートと、前記電荷転送ゲートを介して読み出した前記フォトダイオードで光電変換された前記信号電荷を電位に変換するフローティングディフュージョンとが設けられ、前記信号電荷をリセットするリセットトランジスタ及び読出した信号電荷を増幅する増幅トランジスタを隣接する4つの前記フォトダイオードで共有する固体撮像装置であって、第1フォトダイオード(i,j)と第2フォトダイオード(i,j+1)と第3フォトダイオード(i+1,j+n)と第4フォトダイオード(i+n,j+n+1)が配置され、かつ、前記nが−1又は+1である固体撮像装置において、
前記nが−1の場合、前記第2フォトダイオードに隣接された第7フォトダイオード(i+1、j+1)と前記第3フォトダイオードに隣接された第8フォトダイオード(i、j−1)を有し、同一の読み出しブランキング期間内に前記第2フォトダイオードと前記第7フォトダイオードの組み合わせもしくは、前記第8フォトダイオードと前記第3フォトダイオードの組み合わせで読み出されることを特徴とする
固体撮像装置。 - 前記第1〜4のフォトダイオードのうちいずれかと、前記第5〜第8のフォトダイオードのいずれかを同一の読み出しブランキング期間内で順次読みだす際に、1番目に読みだすフォトダイオードと2番目に読みだすフォトダイオードのそれぞれの読み出し動作の間に、1番目のフォトダイオードが他のフォトダイオードと共有するフローティングディフュージョンを選択状態から非選択状態に変更する動作があることを特徴とする
請求項4又は請求項5に記載の固体撮像装置。
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