JPWO2010079541A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図5(a)〜(c)は一実施形態に係る半導体レーザ装置であり、(a)は平面構成を示し、(b)は(a)のVb−Vb線における断面構成を示し、(c)は共振器端面における断面構成を示している。
11A 第1の領域
11B 第2の領域
11a 溝部
11b 凸部
20 半導体層積層体
20A 第1の領域
20B 第2の領域
20C 平坦領域
20a リッジ部
22 n型クラッド層
24 n型ガイド層
26 活性層
28 p型ガイド層
30 オーバーフロー層
32 p型クラッド層
34 p型コンタクト層
34 コンタクト層
36 絶縁膜
38 p側電極
40 パッド電極
42 n側電極
102 溝部
104 窒化物半導体層
105 平坦領域
図5(a)〜(c)は一実施形態に係る半導体レーザ装置であり、(a)は平面構成を示し、(b)は(a)のVb−Vb線における断面構成を示し、(c)は共振器端面における断面構成を示している。
11A 第1の領域
11B 第2の領域
11a 溝部
11b 凸部
20 半導体層積層体
20A 第1の領域
20B 第2の領域
20C 平坦領域
20a リッジ部
22 n型クラッド層
24 n型ガイド層
26 活性層
28 p型ガイド層
30 オーバーフロー層
32 p型クラッド層
34 p型コンタクト層
34 コンタクト層
36 絶縁膜
38 p側電極
40 パッド電極
42 n側電極
102 溝部
104 窒化物半導体層
105 平坦領域
Claims (12)
- 半導体レーザ装置は、
基板の上に形成された活性層を含む半導体層積層体を備え、
前記半導体層積層体は、
光を出射する前方端面と、
前記前方端面と交差する方向に形成されたストライプ状の光導波路と、
前記前方端面と交差する方向に延びる第1の領域と、
前記第1の領域と上面の高さが異なる第2の領域と、
前記第1の領域と前記第2の領域との間に形成され、前記第2の領域と比べて表面における周期的な凹凸の変化が小さい平坦領域とを有し、
前記光導波路は、前記平坦領域に形成されている。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記平坦領域は、前記光導波路に沿った方向において、高さの変化が前記第2の領域と比べて小さい。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記半導体層積層体は、前記前方端面と交差する方向に形成されたストライプ状のリッジ部を有し、
前記リッジ部は、前記平坦領域に形成されている。 - 請求項3に記載の半導体レーザ装置において、
前記基板は、上面の高さが互いに異なる2つの領域を有し、
前記第1の領域は前記2つの領域の一方の上に形成され、前記第2の領域は前記2つの領域の他方の上に形成されている。 - 請求項4に記載の半導体レーザ装置において、
前記2つの領域の一方は、溝部であり、
前記第1の領域は、前記溝部の上に形成されている。 - 請求項4に記載の半導体レーザ装置において、
前記2つの領域の一方は、ストライプ状の凸部であり、
前記第1の領域は、前記凸部の上に形成されている。 - 請求項4に記載の半導体レーザ装置において、
前記リッジ部の中央から前記2つの領域の境界までの距離は1μm以上且つ15μm以下である。 - 請求項3に記載の半導体レーザ装置において、
前記活性層における前記リッジ部の下に形成された部分は、前記活性層の他の部分と比べてバンドギャップエネルギーのばらつきが小さい。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記半導体層積層体における、前記光導波路が形成された領域の上面は、二乗平均粗さが20nm以下である。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記半導体層積層体は、窒化物半導体からなり、
前記光導波路は、前記窒化物半導体のm軸に沿った方向に形成されている。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記活性層は、インジウムを含む。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記平坦領域は、前記前方端面から、該前方端面と反対側の後方端面まで連続して形成されている。
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-
2009
- 2009-10-16 JP JP2010504330A patent/JP5604292B2/ja active Active
- 2009-10-16 US US12/742,573 patent/US8472491B2/en active Active
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US20110051770A1 (en) | 2011-03-03 |
US8472491B2 (en) | 2013-06-25 |
CN101939883A (zh) | 2011-01-05 |
WO2010079541A1 (ja) | 2010-07-15 |
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