JPWO2010074000A1 - 炭素材料の分散液、及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明に係る炭素材料の分散液は、フッ素濃度が0.01〜100vol%の処理ガスを、150〜600℃の条件下で炭素材料に接触させ、その表面がフッ素化処理された炭素材料が分散媒に分散されてなることを特徴とする。

Description

本発明は、分散媒にフッ素化処理された炭素系材料を分散させた炭素材料の分散液及びその製造方法に関する。特に、カーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、フラーレン、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維又は非晶質カーボンなどの各種用途への応用を可能にするための炭素材料の分散液及びその製造方法に関する。
カーボンナノチューブは直径1μm以下の太さのチューブ状材料であり、炭素で構成され、6角網目の数や、チューブの太さによって異なる性質を有している。この為、将来の機械的・機能的材料として期待されている。
カーボンナノチューブを用いて機械的及び機能的材料を製造する際には、カーボンナノチューブが分散媒に均一に分散された分散液を用いることが有益である。例えば、カーボンナノチューブが均一に分散された溶媒とポリマーを混合することによって、カーボンナノチューブがポリマーマトリックスに均一に分散したナノコンポジットを製造することができる。また、カーボンナノチューブが均一に分散された分散液の有する高い散乱性を利用して光学機器として用いることができる。更に、分散液を精製することによって、電解効果トランジスタや電解放出素子、二次電池等の製造にも利用されている。前記分散媒としては、例えば、水や酸性溶液、アルカリ性溶液、アルコール、エーテル、石油エーテル、ベンゼン、酢酸エチル、クロロホルム、アセトン、トルエン等が挙げられる。
しかしながら、未だ、十分にカーボンナチューブを溶媒に分散する方法は確立されていない。これはカーボンナノチューブ相互の凝集力(ファンデルワールス力)によって、束状及び縄状になってしまうためである。また、カーボンナノチューブの原子レベルでの滑らかな表面が溶媒に対する親和性を低下する要因となっている。したがって、カーボンナノチューブの特異で有用な性質にもかかわらず、これを均一に分散したポリマー系ナノコンポジットなどを製造することは極めて困難であり、カーボンナノチューブの各種用途への応用を事実上困難にしている。
これまでに、カーボンナノチューブの溶媒に対する分散性を改善するために様々な試みがなされているが、必ずしも十分な効果を得ていない。例えば、超音波をかけながらカーボンナノチューブをアセトン中に分散させる方法(下記、特許文献1参照)が提案されているが、超音波を照射している間は分散できても照射が終了するとカーボンナノチューブの凝集が始まり、カーボンナノチューブの濃度が高くなると凝集して分散性が低下するという問題がある。
また、界面活性剤を用いる方法も提案されているが、カーボンナノチューブの配合量を増加させると、カーボンナノチューブが凝集し、均一な分散液が得られないという問題がある。
特開2000−86219号公報 特開2000−72422号公報
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、カーボンナノチューブ等の炭素系材料をフッ素化処理することにより極性を付与し、これにより分散性に優れた炭素材料の分散液を提供することにある。
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、炭素材料の分散液、及びその製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明に係る炭素材料の分散液は、前記の課題を解決する為に、フッ素濃度が0.01〜100vol%の処理ガスを、150〜600℃の条件下で炭素材料に接触させ、その表面がフッ素化処理された炭素材料が分散媒に分散されてなることを特徴とする。
炭素材料を単に分散媒に分散させただけでは、炭素材料相互の凝集力(ファンデルワールス力)によって凝集物となり、均一な分散性を有する分散液を得ることは困難である。本発明においては、この様な炭素材料に対しフッ素化処理を施してその表面をフッ素化することにより、当該炭素材料に極性を付与する。その結果、炭素材料同士が凝集・沈殿するのを防止することができ、分散媒中に炭素材料が均一に分散した炭素材料の分散液を得ることができる。
前記構成に於いて、前記フッ素化処理された炭素材料は、その表面に炭素−フッ素結合が導入されたものであることが好ましい。
前記構成に於いては、前記分散媒が極性溶媒であることが好ましい。本発明に於いては、炭素材料に対しフッ素化処理を行うことにより、その表面に極性を付与するので、分散媒として極性溶媒を使用すると、分散媒との相溶性が増大する。その結果、炭素材料の分散性を一層向上させることができる。
前記炭素材料がカーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、フラーレン、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維又は非晶質カーボンであることができる。前記の構成によれば、これらの炭素材料に対してもフッ素化処理を施すことにより、凝集物を形成することなく均一に分散させた炭素材料の分散液が得られる。
また、本発明に係る炭素材料の分散液の製造方法は、前記の課題を解決する為に、フッ素濃度が0.01〜100vol%の処理ガスを、150〜600℃の条件下で炭素材料に接触させて、その表面がフッ素化処理された炭素材料を生成する工程と、前記フッ素化処理された炭素材料を分散媒に分散させる工程とを含むことを特徴とする。
前記の方法によれば、フッ素濃度が0.01〜100vol%の処理ガスを、温度150〜600℃の条件下で炭素材料に接触させることにより、当該炭素材料の表面をフッ素化処理することが可能になる。これにより、得られた炭素材料は、フッ素化処理前の炭素材料と比較して極性が付与されているので、当該分散媒中で凝集物となることがない。即ち、前記の方法であると、分散媒中に炭素材料が均一に分散した炭素材料の分散液を製造することが可能になる。
前記方法に於いては、前記炭素材料にフッ素化処理をした後、前記処理ガスを不活性ガスに置換して不活性雰囲気下にし、更に前記フッ素化処理後の炭素材料を室温まで冷却させる工程を行うことが好ましい。これにより、フッ素化処理された炭素材料の表面にフッ素ガスが吸着して残存するのを防止する。その結果、フッ素ガスの加水分解によりフッ化水素が副生するのを防止することができ、分散液及び分散液の利用に際して不具合が生じることもない。
前記方法に於いて、前記フッ素化処理は、前記炭素材料の表面に対し炭素−フッ素結合を導入するものであることが好ましい。
前記方法においては、前記分散媒として極性溶媒を使用することが好ましい。本発明に於いては、炭素材料に対しフッ素化処理を行うことにより、その表面に極性を付与するので、分散媒として極性溶媒を使用すると、分散媒との相溶性が増大する。その結果、炭素材料の分散性を一層向上させた分散液の製造が可能になる。
前記炭素材料として、カーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、フラーレン、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維又は非晶質カーボンを使用することが好ましい。前記の方法であると、これらの炭素材料に対しても凝集物を形成することなく均一に分散させた炭素材料の分散液を製造することができる。
本発明の実施例1に係るフッ素化処理された多層カーボンナノチューブを電界放射型透過電子顕微鏡(TEM)により撮影した図である。
本実施の形態に係る炭素材料の分散液について、以下に説明する。
本実施の形態に係る炭素材料の分散液は、表面がフッ素化処理された炭素材料が、分散質として分散媒に分散されたものである。本発明の分散とは、前記炭素材料が分散媒に対して親和性を示し、かつ、凝集・沈殿をすることなく均一に混ざり合って平衡な状態となっていることを意味する。
前記フッ素化処理された炭素材料は、炭素材料の表面に炭素−フッ素結合が導入されたことにより極性が付与されたものである。また、炭素系材料とは炭素原子のみで構成された物質を意味する。当該炭素材料としては特に限定されず、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、非晶質カーボン、フラーレン等が挙げられる。また、前記カーボンナノチューブとしては、6角網目のチューブ(グラフェンシート)が1枚の構造である単層カーボンナノチューブ(SWNT: Single Wall Nanotube)や、多層のグラフェンシートから構成されている多層カーボンナノチューブ(MWNT: Maluti Wall Nanotube)、フラーレンチューブ、バッキーチューブ、グラファイトフィブリルが挙げられる。
前記炭素材料は予め化学修飾されたものを使用してもよい。化学修飾された炭素材料としては特に限定されず、例えば、有機リチウムやグリニャール試薬により化学修飾された炭素材料が挙げられる。また、例えばシリコーン系官能基や酸素を含む置換基等が化学修飾された炭素材料が挙げられる。前記シリコーン系官能基や酸素を含む置換基としては、例えば、−Si(CH、−Si(CHOCH、−Si(CH)(OCH、−Si(CH)(OCH(CH、−OH、−COOH、=O等が挙げられる。更に、不飽和結合を持つ官能基を加えて、反応性を向上させた炭素材料を使用してもよい。不飽和結合を持つ官能基としては特に限定されず、例えば、アリル基、アリール基、−C≡C−R(Rはアルキル基)等が挙げられる。
前記分散媒としては特に限定されないが、本発明に於いては極性溶媒が好ましい。前記極性溶媒としては特に限定されず、例えば、水や有機溶媒、又はこれらの混合溶液が挙げられる。前記有機溶媒としては特に限定されず、例えば、エタノール等のアルコール、DMF(N,N−ジメチルホルムアミド)、THF(テトラヒドロフラン)、シクロヘキサン、イオン液体等が挙げられる。これらの有機溶媒のうち、本実施の形態に於いてはアルコールが炭素材料の分散性を最も高くすることができる。また、本発明においては、各種無機材料、各種金属材料、各種カーボン材料などの分散媒にも添加することができ、この様な場合であっても使用時の取扱い性に優れ、分散性も良好である。本発明においては、前記分散媒を単独で、あるいはこれらを混合して用いてもよい。
また、本実施の形態に係る炭素材料の分散液には、分散剤としての界面活性剤は添加されないことが好ましい。これにより、炭素材料と分散媒のみからなる分散液を提供できる。更に、界面活性剤中に混入しているアルカリ金属や有機物等が分散液中に含まれるのを防止することができる。
本実施の形態に係るフッ素化処理を行った炭素材料は、フッ素化処理を行っていない炭素材料の分散液を作成する際、分散剤として利用できる。
次に、本実施の形態に係る炭素材料の分散液の製造方法について説明する。
本実施の形態に係る炭素材料の分散液の製造方法は、炭素系材料の表面をフッ素化処理する工程と、フッ素化処理後の炭素材料を分散媒に分散させる工程とを少なくとも含む。
前記フッ素化処理を行う工程は、炭素材料に少なくともフッ素ガスを含む処理ガスを接触させることにより、その表面をフッ化処理する工程である。当該工程は炭素材料のフッ素化処理を目的とするものであり、具体的には、炭素材料の表面に炭素−フッ素結合を導入するものである。従って、例えば、炭素六角網面のエッジ部分に水酸基、カルボニル基、カルボキシル基等の含酸素官能基を付与する酸化処理とは異なる処理である。
前記処理ガスとしては、フッ素濃度が0.01〜100vol%、好ましくは0.1〜80vol%、より好ましくは1〜50vol%のものを使用するのがフッ素ガスの取扱いから好ましい。また、処理ガス中には酸素ガスを含まないことが好ましい。酸素ガスを含有させることにより、炭素材料の表面に水酸基やカルボキシル基等を導入することが可能になるが、当該酸化処理は再現性が低く、炭素材料に大きなダメージを与える場合があるからである。炭素材料として、カーボンナノチューブの様に、構造に起因して物性に特徴がある材料に対しては、フッ素化処理のみを行うのがより好ましい。尚、酸化処理をフッ素化処理とは別に単独で行う場合にも同様のことが言える。
更に、処理ガス中のフッ素ガスを希釈する目的で不活性ガスを含めてもよい。この様な不活性ガスとしては、前記処理ガスと反応し、前記構造体のフッ化に悪影響を及ぼすガス以外、および前記構造体と反応し悪影響を与えるガスあるいは該悪影響を与える不純物を含むガス以外であれば特に限定されず、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等を単独で、あるいはこれらを混合して用いることができる。また、不活性ガスの純度としては特に限定されないが、該悪影響を与える不純物については100ppm以下であることが好ましく、10ppm以下であることがより好ましく、1ppm以下であることが特に好ましい。
フッ素化処理を行う際の温度条件としては、150〜600℃の範囲内であることが好ましく、150〜400℃の範囲内であることがより好ましく、150〜350℃の範囲内であることが特に好ましい。温度を150℃以上にすることにより、フッ素化処理を促進させることができる。その一方、温度を600℃以下にすることにより、形成した炭素−フッ素結合からフッ素の脱離を抑制し、処理効率の低減を防止することができる。
フッ素化処理の時間(反応時間)としては特に限定されず、通常は0.5分〜24時間の範囲内で行われるが、1分〜12時間の範囲内が好ましく、1分〜9時間の範囲内がより好ましい。反応時間が0.5分未満であると、炭素材料のフッ素化が不十分となり、分散媒に対し十分な親和性を示さない場合がある。その一方、反応時間が24時間を超えてもそれ相応の効果が期待できず、経済性が悪くなるという不都合がある。
フッ素化処理を行う際の圧力条件としては特に限定されず、加圧下、又は減圧下で行ってもよい。経済上、安全上の観点からは、常圧で行う方が好ましい。フッ素化処理を行うための反応容器としては特に限定されず、固定床、流動床等の従来公知のものを採用することができる。
本発明に於いては、フッ素化処理の工程の直後に後処理工程を行ってもよい。後処理工程は、前記処理ガスを不活性ガスに置換して不活性雰囲気下にし、かつ、室温まで前記炭素材料を冷却させる工程である。室温までの冷却は放冷により行ってもよい。また、不活性ガスに置換するため真空排気した後、不活性ガスで大気圧にしてもよい。これにより、フッ素化処理された炭素材料の表面にフッ素ガスが吸着して残存するのを防止する。その結果、フッ素ガスの加水分解によりフッ化水素が副生するのを防止するので、分散液及び分散液の利用に際して不具合が生じることもない。前記不活性ガスとしては特に限定されず、窒素ガス等が挙げられる。
フッ素化処理された炭素材料を分散媒に分散させる工程に於いては、適宜必要に応じて撹拌や、超音波処理を施してもよい。超音波処理は前記炭素材料を分散媒に加えながら行われる。このときの処理条件としては特に限定されず、分散媒に加えられる前記炭素材料の添加量や材料の種類等に応じて適宜設定される。通常は、例えば、20〜40kHz、80〜200W、0.5分〜2時間の範囲内で行われる。
分散媒に加えられる前記炭素材料の添加量は、当該炭素材料の種類や分散液の使用目的に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば分散液の全重量に対し、0.001〜25vol%の範囲内であることが好ましく、0.001〜10vol%の範囲内であることがより好ましく、0.001〜5vol%の範囲内であることが特に好ましい。前記添加量が0.001vol%未満であると、分散液の容量が過量となるという不都合がある。その一方、25vol%を超えると、分散液の粘度が高くなり取り扱いが困難であるという不都合がある。
以上の製造方法により得られる炭素材料の分散液は、電界効果トランジスタや、透明導電膜、カーボンとプラスチックの複合体、電解放出素子、センサー、導電性塗料、配線基板などの各種の用途に対し好適に用いることができる。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限り、本発明はそれらのみに限定する趣旨ではない。
(実施例1)
PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)容器(容量5mL)に多層カーボンナノチューブ(500mg)を導入し、本容器を電解研磨されたSUS316L製チャンバー(容量30mL)に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流(20mL/min)下、2℃/minで250℃に昇温して、3時間の恒温処理を行った。
次に、窒素でフッ素ガスを20vol%に希釈した処理ガスに真空置換し、20vol%フッ素を25mL/minで流した。更に、チャンバーを8℃/minで150℃に昇温して、4時間恒温処理をした。その後、窒素気流(20mL/min)の下、室温まで放冷して、窒素に真空置換し、多層カーボンナノチューブを取り出した。
処理した多層カーボンナノチューブ中の炭素―フッ素結合を赤外分光分析装置(島津製作所FTIR−8200PC)、及びX線光電子分光分析装置(KRATOS製AXIS−HSi)で確認した。赤外分光法(KBrペレット法)では1192.3付近にピークが、X線光電子分光法ではC1s289.5eV(未修飾炭素を285.0eVとして帯電補正した。)にピークが確認された。これらのピークは炭素―フッ素結合に起因する。
処理した多層カーボンナノチューブを電界放射型透過電子顕微鏡(TEM)(日立製作所製、HF−2000)で観察を行った画像を図1に示す。同図から分かる通り、多層カーボンナノチューブの外層の層間隔が大きくなっており、多層カーボンナノチューブの外層がフッ素化されていることが確認された。更に、電界放射型走査電子顕微鏡(SEM)(日立製作所製、S−1400)、TEM観察からカーボンナノチューブの分解によるグラファイト等が生成していないことを確認した。また、処理後、フッ素の導入程度を重量増加で測定し、「CF:x=フッ素原子数/炭素原子数」で表すと、フッ素化処理された多層カーボンナノチューブのCFxはx=0.10であった。
(実施例2)
ニッケル容器(容量5mL)に多層カーボンナノチューブ(500mg)を導入し、本容器をニッケル製チャンバー(容量30mL)に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流(20mL/min)下、2℃/minで350℃に昇温して、3時間恒温処理を行った。
次に、窒素でフッ素ガスを20vol%に希釈した処理ガスに真空置換し、20vol%フッ素を25mL/minで流した。更に、チャンバーを8℃/minで350℃に昇温して、4時間恒温処理をした。その後、窒素気流(20mL/min)の下、室温まで放冷して、窒素に真空置換し、多層カーボンナノチューブを取り出した。
処理した多層カーボンナノチューブ中の炭素―フッ素結合を赤外分光分析装置、及びX線光電子分光分析装置で確認した。赤外分光法(KBrペレット法)では1192.3付近にピークが、X線光電子分光法ではC1s289.5eV(未修飾炭素を285.0eVとして帯電補正した。)にピークが確認された。更に、SEMで観察を行い、カーボンナノチューブの分解によるグラファイト等が生成していないことを確認した。また、フッ素化処理された多層カーボンナノチューブのCFxはx=0.49であった。
(実施例3)
ニッケル容器(容量5mL)に多層カーボンナノチューブ(500mg)を導入し、本容器をニッケル製チャンバー(容量30mL)に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流(20mL/min)下、2℃/minで600℃に昇温して、3時間恒温処理を行った。
次に、窒素でフッ素ガスを20vol%に希釈した処理ガスに真空置換し、20vol%フッ素を25mL/minで流した。更に、チャンバーを8℃/minで600℃に昇温して、10分恒温処理をした。その後、窒素気流(20mL/min)の下、室温まで放冷して、窒素に真空置換し、多層カーボンナノチューブを取り出した。
処理した多層カーボンナノチューブ中の炭素―フッ素結合を赤外分光分析装置、及びX線光電子分光分析装置で確認した。赤外分光法(KBrペレット法)では1192.3付近にピークが、X線光電子分光法ではC1s289.5eV(未修飾炭素を285.0eVとして帯電補正した。)にピークが確認された。更に、SEMで観察を行い、カーボンナノチューブの分解によるグラファイト等が生成していないことを確認した。また、フッ素化処理された多層カーボンナノチューブのCFxはx=0.32であった。
(実施例4)
PTFE容器(容量5mL)にグラファイト(500mg)を採取し、本容器を電解研磨されたSUS316L製チャンバー(容量30mL)に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流(20mL/min)下、2℃/minで250℃に昇温して、3時間恒温処理を行った。
次に、窒素でフッ素ガスを20vol%に希釈した処理ガスを真空置換し、20vol%フッ素を25mL/minで流した。更に、チャンバーを8℃/minで150℃に昇温して、4時間恒温処理をした。その後、窒素気流(20mL/min)の下、室温まで放冷して、窒素に真空置換し、グラファイトを取り出した。
処理したグラファイト中の炭素―フッ素結合を赤外分光分析装置、及びX線光電子分光分析装置で確認した。赤外分光法(KBrペレット法)では1192.3付近にピークが、X線光電子分光法ではC1s289.5eV(未修飾炭素を285.0eVとして帯電補正した。)にピークが確認された。また、フッ素化処理されたグラファイトのCFxはx=0.15であった。
(比較例1)
PTFE容器(容量5mL)に多層カーボンナノチューブ(500mg)を導入し、本容器を電解研磨されたSUS316L製チャンバー(容量30mL)に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流(20mL/min)下、2℃/minで250℃に昇温して、3時間恒温処理を行った。
次に、窒素で希釈した0.005vol%フッ素ガスに真空置換し、0.005vol%フッ素を25mL/minで流した。更に、チャンバーを8℃/minに150℃に昇温して、4時間恒温処理をした。その後、窒素気流(20mL/min)の下、室温まで放冷して、窒素に真空置換し、多層カーボンナノチューブを取り出した。
処理した多層カーボンナノチューブ中の炭素―フッ素結合を赤外分光分析装置、及びX線光電子分光分析装置で確認を行った。赤外分光法(KBrペレット法)では1192.3付近にピークが、X線光電子分光法ではC1s289.5eV(未修飾炭素を285.0eVとして帯電補正した。)に弱いピークが確認された。フッ素化処理された多層カーボンナノチューブのCFxはx=0.005であった。
(比較例2)
PTFE容器(容量5mL)に多層カーボンナノチューブ(500mg)を採取し、本容器を電解研磨されたSUS316L製チャンバー(容量30mL)に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流(20mL/min)の下、2℃/minで250℃に昇温して、3時間恒温処理を行った。
室温まで放冷後、窒素で希釈した20vol%フッ素ガスに真空置換し、20vol%フッ素を25mL/minで流して、20分恒温処理をした。その後、窒素気流(20mL/min)の下、窒素に真空置換して、多層カーボンナノチューブを取り出した。
処理した多層カーボンナノチューブ中の炭素―フッ素結合を赤外分光分析装置、及びX線光電子分光分析装置で確認を行った。赤外分光法(KBrペレット法)では1192.3付近のピーク、X線光電子分光法ではC1s289.5eV(未修飾炭素を285.0eVとして帯電補正した。)に弱いピークが確認された。フッ素化処理された多層カーボンナノチューブのCFxはx=0.003であった。
(比較例3)
本比較例においては、前記実施例1で使用した多層カーボンナノチューブに対し、フッ素化処理を行うことなく使用した。
(分散液の製造・分散性評価)
フッ素化処理後の各多層カーボンナノチューブを分散媒に添加し(以下、「初期溶液」という。)、下記表1に示す初期濃度に調製をした。分散媒の種類については、下記表1に示した通りである。これらの分散液を、それぞれ同一の分散媒を用いて10倍に希釈した後、更に100倍に希釈した。上記濃度に調製した各分散液に対し、分光光度計を用いて250nmにおける吸光度を測定し、濃度校正曲線を作成した。
一方、前記初期溶液を調製初期と120時間静置した後、各初期溶液から1mLを取り出し、これらの溶液を同一の分散媒により10倍に希釈した。その後、10倍に希釈した分散液の250nmの吸光度を測定し、吸光度を10倍して濃度校正曲線から各多層カーボンナノチューブの濃度を算出した。その結果を下記表1に示す。
フッ素化処理をした多層カーボンナノチューブの分散液は全て中性であった。これにより、フッ素化処理後の多層カーボンナノチューブには、フッ化水素が副生していないことが確認された。
(評価)
下記表1から分かる通り、各実施例1〜4に係る多層カーボンナノチューブ、グラファイトを分散媒に分散させた分散液においては、各分散液の初期濃度に対する変化量が小さいことが確認された。これにより、各実施例の炭素材料であると、120時間経過後であっても沈殿がほとんどなく、良好な分散性を示していることが確認された。その一方、各比較例1及び2に係る多層カーボンナノチューブを分散媒に分散させた分散液においては、各実施例の場合と比較して濃度が低下しており、沈殿が生じていることが確認された。また比較例3では、多層カーボンナノチューブがエタノールに添加した当初から分散しなかった。
Figure 2010074000


Claims (9)

  1. フッ素濃度が0.01〜100vol%の処理ガスを、150〜600℃の条件下で炭素材料に接触させ、その表面がフッ素化処理された炭素材料が分散媒に分散されてなる炭素材料の分散液。
  2. 前記フッ素化処理された炭素材料は、その表面に炭素−フッ素結合が導入されたものである請求項1に記載の炭素材料の分散液。
  3. 前記分散媒が極性溶媒である請求項1に記載の炭素材料の分散液。
  4. 前記炭素材料がカーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、フラーレン、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維又は非晶質カーボンである請求項1又は2に記載の炭素材料の分散液。
  5. フッ素濃度が0.01〜100vol%の処理ガスを、150〜600℃の条件下で炭素材料に接触させて、その表面がフッ素化処理された炭素材料を生成する工程と、前記フッ素化処理された炭素材料を分散媒に分散させる工程とを含む炭素材料の分散液の製造方法。
  6. 前記炭素材料にフッ素化処理をした後、前記処理ガスを不活性ガスに置換して不活性雰囲気下にし、更に前記フッ素化処理後の炭素材料を室温まで冷却させる工程を行う請求項5に記載の炭素材料の分散液の製造方法。
  7. 前記フッ素化処理は、前記炭素材料の表面に対し炭素−フッ素結合を導入するものである請求項5又は6に記載の炭素材料の分散液の製造方法。
  8. 前記分散媒として極性溶媒を使用する請求項5〜7の何れか1項に記載の炭素材料の分散液の製造方法。
  9. 前記炭素材料として、カーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、フラーレン、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維又は非晶質カーボンを使用する請求項5〜8の何れか1項に記載の炭素材料の分散液の製造方法。
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