JPWO2010073559A1 - 液状樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

Abstract

フリップチップ方式の半導体装置においてフィラー高充填化が可能で、狭ギャップへの充填性に優れる液状樹脂組成物、及びそれを用いた高い信頼性の半導体装置を提供する。本発明の液状樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤（Ｃ）フィラーを含む液状樹脂組成物であって、（Ｃ）フィラーの含有量が、前記液状樹脂組成物全体の６０重量％以上８０重量％以下であり、前記液状樹脂組成物の１１０℃における、ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠して測定される接触角（θ）が、３０度以下である。

Description

本発明は、液状樹脂組成物および半導体装置に関するものである。

フリップチップ方式の半導体装置では半導体素子と基板とを半田バンプで電気的に接続している。このフリップチップ方式の半導体装置は、接続信頼性を向上するために半導体素子と基板との間にアンダーフィル材と呼ばれる液状樹脂組成物を充填して半田バンプの周辺を補強している。このようなアンダーフィル充填型のフリップチップパッケージにおいては、近年のＬｏｗ−Ｋチップの採用や半田バンプの鉛フリー化に伴い、熱応力によるＬｏｗ−Ｋ層の破壊や半田バンプのクラックを防ぐためにアンダーフィル材にはより一層の低熱膨張化が求められる。

アンダーフィル材を低熱膨張化するにはフィラーの高充填化が必須であるが、フィラーの充填率の上昇に伴って粘度も増加し、半導体素子と基板の間隙へのアンダーフィル材の充填性が低下し、生産性が著しく低下するという問題がある。

例えば大粒径のフィラーを適用すれば高充填化に伴う粘度上昇は抑えられるが、フィラーの沈降や狭ギャップでのフィラー詰まりによる充填性の低下が問題となる。またこれまでフィラー充填率の上昇に伴う充填性の低下を解決するための多くの手法が提案されたが（例えば、特許文献１、２参照）、いずれも問題を解決するには不十分であり、狭ギャップ充填性を損なうことなくフィラー高充填化可能な画期的な手法が切望されている。

特開２００５−１１９９２９号公報 特開２００３−１３７５２９号公報

本発明の目的は、フリップチップ方式の半導体装置においてフィラー高充填化が可能で、狭ギャップへの充填性に優れる液状樹脂組成物、及びそれを用いた高い信頼性の半導体装置を提供することである。

このような目的は、下記［１］〜［１１］に記載の本発明により達成される。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤（Ｃ）フィラーを含む液状樹脂組成物であって、（Ｃ）フィラーの含有量が、前記液状樹脂組成物全体の６０重量％以上８０重量％以下であり、前記液状樹脂組成物の１１０℃における、ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠して測定される接触角（θ）が、３０度以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［２］ ［１］記載の液状樹脂組成物において、（Ｄ）ルイス塩基またはその塩、をさらに含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
［３］ ［２］記載の液状樹脂組成物において、（Ｄ）ルイス塩基またはその塩が、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７または１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、またはそれらの塩であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［４］ ［２］または［３］記載の液状樹脂組成物において、（Ｄ）ルイス塩基またはその塩の含有量が、前記液状樹脂組成物全体の０．００５重量％以上０．３重量％以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［５］ ［１］乃至［４］いずれかに記載の液状樹脂組成物において、（Ｅ）テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、およびホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれた少なくとも１種の化合物、をさらに含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
［６］ ［１］乃至［５］いずれかに記載の液状樹脂組成物において、（Ｃ）フィラーの最大粒子径が２５μｍ以下、かつ平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［７］ ［１］乃至［６］いずれかに記載の液状樹脂組成物において、（Ｃ）フィラーの含有量が、前記液状樹脂組成物全体の７０重量％以上８０重量％以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［８］ ［２］乃至［７］いずれかに記載の液状樹脂組成物において、（Ｃ）フィラーの含有量に対する（Ｄ）ルイス塩基またはその塩の含有量（（Ｄ）／（Ｃ））が、０．００００６以上０．００５以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［９］ ［１］乃至［８］いずれかに記載の液状樹脂組成物において、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤が、アミン硬化剤または酸無水物であることを特徴とする液状樹脂組成物。
［１０］ ［１］乃至［９］いずれかに記載の液状樹脂組成物において、（Ａ）エポキシ樹脂が、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
［１１］ ［１］乃至［１０］いずれかに記載の液状樹脂組成物を用いて、半導体素子と基板を封止して作製されたことを特徴とする半導体装置。

本発明によれば、フリップチップ実装方式の半導体装置においてフィラー高充填化が可能で、狭ギャップへの充填性に優れる液状樹脂組成物およびそれを用いた高い信頼性の半導体装置を得ることができる。

以下、本発明の液状樹脂組成物および半導体装置について説明する。
本発明は、フリップチップ方式の半導体装置において半導体素子と基板との間を封止するために用いる液状樹脂組成物に関するものであって、（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤（Ｃ）フィラーを含む液状樹脂組成物であって、（Ｃ）フィラーの含有量が、前記液状樹脂組成物全体の６０重量％以上８０重量％以下であり、前記液状樹脂組成物の１１０℃における、ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠して測定される接触角（θ）が、３０度以下であることを特徴とする。

以下に本発明の液状樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。なお、下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。

本発明で用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、一分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂；Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンなどの芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂；ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。

さらに本発明の場合、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むエポキシ樹脂が耐熱性、機械特性、耐湿性が高くなる点からより好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性が低くなる点から使用する量を制限するほうがさらに好ましい。これらは単独でも２種以上混合して使用してもよい。

本発明の液状樹脂組成物は、室温で液状であるので、（Ａ）エポキシ樹脂として、１種の（Ａ）エポキシ樹脂のみを含む場合は、その１種の（Ａ）エポキシ樹脂は、室温で液状であり、また、２種以上の（Ａ）エポキシ樹脂を含む場合は、それら２種以上の（Ａ）エポキシ樹脂全部の混合物が、室温で液状である。そのため、（Ａ）エポキシ樹脂が、２種以上の（Ａ）エポキシ樹脂の組合せの場合、（Ａ）エポキシ樹脂は、全てが室温で液状のエポキシ樹脂の組合せであってもよく、あるいは、一部が室温で固形のエポキシ樹脂あっても他の室温で液状のエポキシ樹脂と混合することにより、混合物が室温で液状となるのであれば、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形のエポキシ樹脂との組合せであってもよい。また、（Ａ）エポキシ樹脂が、２種以上のエポキシ樹脂の組合せの場合、必ずしも、使用する全てのエポキシ樹脂を混合してから、他の成分と混合して、液状樹脂組成物を製造する必要はなく、使用するエポキシ樹脂を別々に混合して、液状樹脂組成物を製造してもよい。

なお、（Ａ）エポキシ樹脂が、室温で液状であるとは、エポキシ樹脂成分（Ａ）として使用する全てのエポキシ樹脂を混合した場合に、その混合物が室温で液状になるということである。また、本発明において、室温とは２５℃を指し、また、液状とは樹脂組成物が流動性を有していることを指す。

（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、本発明の液状樹脂組成物全体の５〜３０重量％が好ましく、特に５〜２０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、反応性や組成物の耐熱性や機械的強度、封止時の流動特性に優れる。

本発明に用いる（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ樹脂を硬化し得るものであれば特に構造は限定されない。（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤としては、アミン硬化剤または酸無水物が好ましい。

上記アミン硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン脂肪族ポリアミン；ｍ−キシレンジアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ビス（２−アミノ−２−メチルプロピル）ピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス（４−アミノベンゾエート）、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−Ｐ−アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類などが挙げられる。

上記酸無水物としては、例えば、テトラヒドロ酸無水物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸２無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリンビス（アンヒドロトリメリテート）モノアセテート、ドデセニル無水コハク酸などが挙げられる。

密着性、耐湿信頼性が高くなる点からアミン硬化剤が特に好ましい。これらのアミン硬化剤は、１種単独で用いても、２種以上の組合せでもよく、さらに半導体装置の封止用途を考慮すると、耐熱性、電気的特性、機械的特性、密着性、耐湿性が高くなる点から芳香族ポリアミン型硬化剤が一層好ましい。さらに本発明の液状樹脂組成物がアンダーフィルとして用いられることを踏まえると、室温（２５℃）で液状を呈するものがより好ましい。

（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の含有量は、特に限定されないが、本発明の液状樹脂組成物全体の５〜３０重量％が好ましく、特に５〜２０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、反応性や組成物の機械的特性や耐熱性などに優れる。

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量に対する（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の活性水素当量の比は、０．６〜１．４が好ましく、特に０．７〜１．３が好ましい。（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量に対する（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の活性水素当量の比が前記範囲内であると、反応性や樹脂組成物の耐熱性が特に向上する。

本発明で用いる（Ｃ）フィラーは、破壊靭性などの機械的強度、熱時寸法安定性、耐湿性を向上することから、液状樹脂組成物が（Ｃ）フィラーを含有することにより、半導体装置の信頼性を特に向上することができる。

（Ｃ）フィラーとしては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、合成シリカ、結晶シリカなどのシリカ粉末などの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物などを用いることができる。これらの（Ｃ）フィラーは、１種単独でも２種以上の組合せでもよい。これらの中でも樹脂組成物の耐熱性、耐湿性、強度などを向上できることから溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ粉末が好ましい。

（Ｃ）フィラーの形状は、特に限定されないが、粘度・流動特性の観点から形状は球状であることが好ましい。

（Ｃ）フィラーの最大粒子径および平均粒子径は、特に限定されないが、最大粒子径が２５μｍ以下、かつ平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。前記最大粒子径を前記上限値以下とすることにより液状樹脂組成物が半導体装置へ流動する際のフィラー詰まりによる部分的な未充填や充填不良を抑制する効果が高くなる。また前記平均粒子径を前記下限値以上にすることにより、液状樹脂組成物の粘度が適度に低下し、充填性が向上する。

（Ｃ）フィラーの含有量は、本発明の液状樹脂組成物全体の６０重量％以上８０重量％以下が好ましく、７０重量％以上８０重量％以下がより好ましい。含有量が前記下限値以上であることにより半導体装置の信頼性を向上させる効果が高くなり、前記上限値以下であることにより狭ギャップへの充填性と信頼性のバランスに優れる。

本発明の液状樹脂組成物は、１１０℃における、ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠して測定される接触角（θ）が、３０度以下であることを特徴とする。通常、フリップチップ方式の半導体装置においては、封止樹脂は毛細管現象により封入される。そこで本発明者は、実際にフリップチップ方式の半導体装置に液状樹脂組成物を封止させる高温での接触角に着目し、高温での接触角を低減することにより毛細管現象を誘発し、液状樹脂組成物の狭ギャップの充填性を向上させ、特にフィラーを高充填した場合でも良好な充填性を備えた液状樹脂組成物を開発するに至った。

本発明の液状樹脂組成物の上記接触角（θ）は、０度より大きく３０度以下が好ましい。１１０℃において３０度以下とすることにより、液状樹脂組成物の封止時における濡れ性の低下を抑制し、狭ギャップへの充填性を向上できる。

なお、本発明の液状封止樹脂組成物の１１０℃における接触角（θ）は、θ／２法（液適法）ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠して行い、スライドグラス（松浪硝子工業株式会社製 Ｓ１１１１）に対する接触角を求めた。

本発明の液状樹脂組成物は、上記接触角（θ）を低減させ易くなる点で、（Ｄ）ルイス塩基またはその塩を含むことが好ましい。

（Ｄ）ルイス塩基またはその塩としては、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、１，４−ジアザジシクロ（２．２．２）オクタン、イミダゾール類、ジエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチルフェノール）２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどのアミン化合物またはそれらの塩、トリフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、ジフェニルホスフィンなどのホスフィン化合物などが挙げられる。これらの中でも三級アミン化合物であるベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチルフェノール）、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、イミダゾール類、１，８ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、および１，４−ジアザジシクロ（２．２．２）オクタンまたはこれらの塩などが好ましい。特に、接触角（θ）を低減させる観点から、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、および１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５またはそれらの塩が好ましい。また、（Ｄ）がルイス塩基の塩として、具体的には、ルイス塩基のフェノール塩、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７のフェノール塩などが挙げられる

（Ｄ）ルイス塩基およびその塩の含有量は特に限定されないが、本発明の液状樹脂組成物全体の０．００５重量％以上０．３重量％以下が好ましく、０．０１重量％以上０．２重量％以下が特に好ましく、０．０２重量％以上０．１重量％以下が更に好ましい。含有量が前記下限値より小さいと、１１０℃における接触角(θ)の低減が不十分となり、狭ギャップ充填性が低下する。また含有量が前記上限値より大きいと、液状樹脂組成物の増粘を招き、充填性が低下する。

（Ｄ）ルイス塩基またはその塩は、特に限定されないが、本発明の液状樹脂組成物を製造する前に、予め、（Ａ）エポキシ樹脂および／または（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と混合されていることが好ましい。これにより、（Ｄ）ルイス塩基またはその塩の、（Ａ）エポキシ樹脂および／または（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤への分散性が向上し、特に１１０℃における接触角（θ）を低減させる効果が高まる。また、特に（Ｃ）フィラーを高充填した場合での狭ギャップ充填性の向上効果に優れる。すなわち、（Ａ）エポキシ樹脂および／または（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤への分散性を向上させることにより、フリップチップ実装方式の半導体装置における半導体素子および基板に対する濡れ性を向上させ、狭ギャップへの充填性を一層向上することができる。

なお、予め混合とは、室温で攪拌混合することであり、特に攪拌混合時間に上限はない。（Ｄ）ルイス塩基またはその塩を（Ａ）エポキシ樹脂および／または（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤に均一に分散させる点から、１時間以上攪拌混合することが好ましい。

本発明の液状樹脂組成物は、（Ｄ）ルイス塩基またはその塩と同様に、１１０℃における接触角（θ）を低減させ易くする点で、化合物（Ｅ）として、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、およびホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましい。

化合物（Ｅ）のテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（１）で表される化合物が挙げられる。

（ただし、上記一般式（１）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、およびチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族化合物のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、およびチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族化合物を表す。ｘおよびｙは１〜３の整数、ｚは０〜３の整数であり、かつｘ＝ｙである。）

一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、炭素数が１〜１０の芳香族基またはアルキル基が好ましい。また、リン原子に結合するＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４がフェニル基であり、かつＡＨが芳香族環に結合するヒドロキシル基を有する化合物すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが１１０℃における接触角（θ）を低減させる効果が高くなる点から好ましい。

化合物（Ｅ）のホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式（２）で表される化合物が挙げられる。

（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子を表す。Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の整数であり、ｇは０〜３の整数である。）

化合物（Ｅ）のホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（３）で表される化合物が挙げられる。

（ただし、上記一般式（３）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、これらは互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、これらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ８とＲ９が結合して環状構造となっていてもよい。）

化合物（Ｅ）のホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。

また化合物（Ｅ）のホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。

化合物（Ｅ）のホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（４）で表される化合物が挙げられる。

（ただし、上記一般式（４）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、もしくは脂肪族基を表し、これらは互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ２は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。式中Ｘ３は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、およびＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環または複素環を有する有機基、もしくは脂肪族基である。）

一般式（４）において、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基などが挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基などの置換基を有する芳香族基または無置換の芳香族基がより好ましい。

また、一般式（４）において、Ｘ２は、Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｘ３は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ２およびＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。

このような一般式（４）中の−Ｙ２−Ｘ２−Ｙ３−、および−Ｙ４−Ｘ３−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものである。このようなプロトン供与体すなわち、プロトンを２個放出する前の化合物としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリンなどが挙げられる。これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。

また、一般式（４）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基、もしくは脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基などの脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基などの芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基およびビニル基などの反応性置換基などが挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。

本発明の液状樹脂組成物が（Ｄ）ルイス塩基またはその塩を含む場合、（Ｃ）フィラーの含有量に対する（Ｄ）ルイス塩基またはその塩の含有量（重量比（Ｄ）／（Ｃ））が、０．００００６以上０．００５以下であることが好ましく、０．０００１以上０．００３５以下が特に好ましい。これにより、１１０℃における接触角（θ）を低減させる効果が高くなる。

また、本発明の液状樹脂組成物が化合物（Ｅ）として、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、およびホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれる少なくとも１種以上を含む場合、（Ｃ）フィラーの含有量に対する化合物（Ｅ）の含有量（重量比（Ｅ）／（Ｃ））が、０．００００６以上０．００５以下であることが好ましく、０．０００１以上０．００３５以下が特に好ましい。これにより、１１０℃における接触角（θ）を低減させる効果が高くなる。

本発明の液状樹脂組成物には、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）フィラーなどの上述した各成分以外に、必要に応じて希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤、消泡剤などの添加剤を用いることができる。

本発明の液状樹脂組成物は、上述した各成分、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造することができる。

本発明の半導体装置は、本発明の液状樹脂組成物を用いて製造される。
具体的にはフリップチップ型半導体装置が挙げられる。このフリップチップ型半導体装置に関しては、半田電極が具備された半導体素子を基板に接続し、該半導体素子と該基板の間隙を封止する。この場合一般的に基板側の半田電極が接合する部位以外の領域は半田が流れないようにソルダーレジストが形成されている。

次に、半導体素子と基板との間隙に本発明の液状樹脂組成物を充填する。充填する方法としては、毛細管現象を利用する方法が一般的である。具体的には、半導体素子の一辺に本発明の液状樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の２辺に前記液状樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法、半導体素子の中央部にスルーホールを開けておき、半導体素子の周囲に本発明の液状樹脂組成物を塗布した後、半導体素子と基板との間隙に毛細管現象で流し込む方法などが挙げられる。また、一度に全量を塗布するのではなく、２度に分けて塗布する方法なども行われる。また、ポッティング、印刷などの方法を用いることもできる

次に、充填した本発明の液状樹脂組成物を硬化させる。硬化条件は、特に限定されないが、例えば１００℃〜１７０℃の温度範囲で１〜１２時間加熱を行うことにより硬化できる。さらに、例えば１００℃で１時間加熱した後、引き続き１５０℃で２時間加熱するような、段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行ってもよい。

このようにして、半導体素子と基板との間が、本発明の液状樹脂組成物の硬化物で封止されている半導体装置を得ることができる。
このような半導体装置には、フリップチップ方式の半導体装置、キャビティーダウン型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２１．０重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７．９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７１重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．１重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。なお、（Ａ）エポキシ樹脂とＤＢＵとは予め室温で１時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例２）
ＤＢＵの含有量を減らし、全体の含有量を以下のようにした以外は、実施例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２１．１重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７.９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７０．９９４重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．００６重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。なお、（Ａ）エポキシ樹脂とＤＢＵとは予め室温で１時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例３）
ＤＢＵの含有量を増やし、全体の含有量を以下のようにした以外は、実施例１と同様に樹脂組成物を作製した
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２０．８５重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７.９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７１重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．２５重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。なお、（Ａ）エポキシ樹脂とＤＢＵとは予め室温で１時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例４）
（Ｃ）フィラーの含有量を増やし、全体の含有量を以下のようにした以外は、実施例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１９．３重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７．５重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７３．１重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．１重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。なお、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤とＤＢＵとは予め室温で１時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例５）
ＤＢＵの代わりに、ＤＢＵ−フェノール塩（サンアプロ株式会社製 Ｕ−ＣＡＴ ＳＡ１）を用いた以外は、実施例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。なお、（Ａ）エポキシ樹脂とＤＢＵ−フェノール塩とは予め室温で１時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例６）
ＤＢＵの変わりに、下記式（５）で表される化合物（Ｅ）のテトラ置換ホスホニウム化合物を用いた以外は、実施例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。なお、（Ａ）エポキシ樹脂と下記式（５）で表される化合物（Ｅ）のテトラ置換ホスホニウム化合物とは予め室温混合していない。

（実施例７）
ＤＢＵの代わりに、下記式（６）で表される化合物（Ｅ）のホスホベタイン化合物を用いた以外は、実施例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。なお、（Ａ）エポキシ樹脂と下記式（６）で表される化合物（Ｅ）のホスホベタイン化合物とは予め室温混合していない。

（実施例８）
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）１４．１重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、酸無水物硬化剤（日立化成工業株式会社製 ＨＮ−２２００Ｒ）１４．４重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７１重量％と下記式（７）で表される化合物（Ｅ）のテトラ置換ホスホニウム化合物０．５重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。なお、（Ａ）エポキシ樹脂と下記式（７）で表される化合物（Ｅ）のテトラ置換ホスホニウム化合物とは予め室温混合していない。

（実施例９）
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２１．１重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７.９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７０．９重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．１重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、（Ａ）エポキシ樹脂とＤＢＵとは予め室温で４時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例１０）
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２１．１重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７.９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７０．９重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．１重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、（Ａ）エポキシ樹脂とＤＢＵとは予め室温で１２時間攪拌混合したものを用いた。

（実施例１１）
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２１．１重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）７.９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７０．９重量％と、（Ｄ）ルイス塩基として１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．１重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状封止樹脂組成物を得た。なお、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤とＤＢＵとは予め室温で１２時間攪拌混合したものを用いた。

（比較例１）
（Ｄ）ルイス塩基およびその塩、並びに（Ｅ）テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、およびホスホニウム化合物とシラン化合物のいずれも用いず、全体の含有量を以下のようにした以外は、実施例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２５．１重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン系硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）９．９重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）６５重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。

（比較例２）
（Ｃ）フィラーの含有量を増やし、全体の含有量を以下のようにした以外は、比較例１と同様に液状樹脂組成物を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂として（ＤＩＣ株式会社製 ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ）２１．５重量％と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤として、アミン系硬化剤（日本化薬株式会社製 カヤハードＡＡ）８．５重量％と、（Ｃ）フィラーとして（株式会社アドマテックス製、アドマファインＳＯ−Ｅ３、最大粒子径５μｍ、平均粒子径１μｍ）７０重量％とを３本ロールにて混練分散した後、真空脱泡して液状樹脂組成物を得た。

［評価項目］
得られた液状樹脂組成物について、以下の評価を行った。得られた結果を表１および２に示した。

１．流動性
１８ｍｍ×１８ｍｍのガラス板（上）とガラス板（下）とを７０±１０μｍの間隔が空くように張り合わせて、隙間のある平行平面を持つガラスセルを作製した。このガラスセルをホットプレートの上に置き、ガラス板（上）の上面温度が１１０±１℃になるよう温度調整しながら５分間静置した。その後、ガラスセルの一辺に、液状樹脂組成物を適量塗布し、１８ｍｍ流れきる時間（流動時間）を測定した。各符号は、以下の通りである。
ＡＡ：流動時間が、１００秒以上、１５０秒未満であったもの。
ＢＢ：流動時間が、１５０秒以上、２５０秒未満であったもの。
ＣＣ：流動時間が、２５０秒以上、３００秒未満であったもの。
ＤＤ：流動時間が、３００秒以上であったもの。

２．接触角
スライドグラス（松浪硝子工業株式会社製 Ｓ１１１１）に対する液状樹脂組成物の接触角（θ）を測定した。
接触角の測定は、協和界面化学株式会社製 ＣＡ−Ｖ型自動接触角計を用いて、１１０℃の測定雰囲気にてθ／２法（液適法）によりＪＩＳ Ｒ３２５７に準じて実施した。すなわち、接触角が小さいほど濡れ性がよいことを意味する。

３．半導体装置の評価
実施例１〜１１および比較例１、２で得られた液状樹脂組成物を半田バンプで接合された回路基板と半導体チップとの隙間に流動、封止し半導体装置を作製し、樹脂充填試験、リフロー試験、温度サイクル試験を実施した。試験、評価に使用した半導体装置の構成部材は以下のとおりである。

半導体チップとしては、日立超ＬＳＩ社製ＰＨＡＳＥ−２ＴＥＧウエハーに半導体チップの回路保護膜としてポリイミドを用い、半田バンプとしてＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ組成の無鉛半田を形成したものを１５ｍｍ×１５ｍｍ×０．８ｍｍｔに切断し使用した。

回路基板には、住友ベークライト株式会社製ＦＲ５相当の０．８ｍｍｔのガラスエポキシ基板をベースとして用い、その両面に太陽インキ製造株式会社製ソルダーレジストＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８を形成し、片面に上記の半田バンプ配列に相当する金メッキパッドを形成したものを５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し使用した。
接続用のフラックスにはＴＳＦ−６５０２（Ｋｅｓｔｅｒ製、ロジン系フラックス）を使用した。

半導体装置の組立は、まず充分平滑な金属またはガラス板にドクターブレードを用いてフラックスを５０μｍ厚程度に均一塗布し、次にフリップチップボンダーを用いてフラックス膜に半田バンプが搭載された半導体チップの半田バンプ搭載面側を軽く接触させたのちに離し、半田バンプにフラックスを転写させ、次に半導体チップを回路基板上に圧着させた。次に、ＩＲリフロー炉で加熱処理し半田バンプを溶融接合して作製した。溶融接合後に洗浄液を用いて洗浄を実施した。液状樹脂組成物の充填、封止方法は、作製した半導体装置を１１０℃の熱板上で加熱し、半導体チップの一辺に調製した液状樹脂組成物を塗布し隙間充填させた後、１５０℃のオーブンで１２０分間液状樹脂組成物を加熱硬化し、評価試験用の半導体装置を得た。

３．１ 充填試験
液状樹脂組成物の充填試験としては、作製した半導体装置の硬化終了後、超音波探傷装置を用いて充填性を確認した。
良好 ：隙間を液状樹脂組成物が完全に充填しているもの
未充填：隙間を液状樹脂組成物が完全に充填できなかったもの

３．２ リフロー試験
リフロー試験の試験方法としては、上記の半導体装置をＪＥＤＥＣレベル３の吸湿処理（３０℃相対湿度６０％で１６８時間処理）を行った後、ＩＲリフロー処理（ピーク温度２６０℃）を３回行い、超音波探傷装置にて半導体装置内部での液状樹脂組成物の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いて半導体チップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し亀裂の有無を観測した。

３．３ 温度サイクル試験
温度サイクル試験としては、上記のリフロー試験を行った半導体装置に（−５５℃／３０分）と（１２５℃／３０分）の冷熱サイクル処理を施し、２５０サイクル毎に超音波探傷装置にて半導体装置内部の半導体チップと液状樹脂組成物界面の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いてチップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し、亀裂の有無を観測した。上記温度サイクル試験は最終的に１０００サイクルまで実施した。
以上の結果を表１および２に詳細にまとめた。

比較例１および２は、作製した半導体装置の充填性に問題があったため、リフロー試験と温度サイクル試験は実施しなかった。
実施例１〜１１の半導体装置は、問題なく作動した。

この出願は、２００８年１２月２５日に出願された日本出願特願２００８−３３０７６０を基礎とする優先権を主張し、その開示のすべてをここに取り込む。

Claims (11)

1. （Ａ）エポキシ樹脂
   （Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤
   （Ｃ）フィラー
   を含む液状樹脂組成物であって、
   （Ｃ）フィラーの含有量が、前記液状樹脂組成物全体の６０重量％以上８０重量％以下であり、
   前記液状樹脂組成物の１１０℃における、ＪＩＳ Ｒ３２５７に準拠して測定される接触角（θ）が、３０度以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
2. 請求項１記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｄ）ルイス塩基またはその塩、をさらに含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
3. 請求項２記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｄ）ルイス塩基またはその塩が、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７または１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、またはそれらの塩であることを特徴とする液状樹脂組成物。
4. 請求項２または３記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｄ）ルイス塩基またはその塩の含有量が、前記液状樹脂組成物全体の０．００５重量％以上０．３重量％以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
5. 請求項１乃至４いずれかに記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｅ）テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、およびホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれた少なくとも１種の化合物、をさらに含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
6. 請求項１乃至５いずれかに記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｃ）フィラーの最大粒子径が２５μｍ以下、かつ平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
7. 請求項１乃至６いずれかに記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｃ）フィラーの含有量が、前記液状樹脂組成物全体の７０重量％以上８０重量％以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
8. 請求項２乃至７いずれかに記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｃ）フィラーの含有量に対する（Ｄ）ルイス塩基またはその塩の含有量（（Ｄ）／（Ｃ））が、０．００００６以上０．００５以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
9. 請求項１乃至８いずれかに記載の液状樹脂組成物において、
   （Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤が、アミン硬化剤または酸無水物であることを特徴とする液状樹脂組成物。
10. 請求項１乃至９いずれかに記載の液状樹脂組成物において、
    （Ａ）エポキシ樹脂が、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
11. 請求項１乃至１０いずれかに記載の液状樹脂組成物を用いて、半導体素子と基板を封止して作製されたことを特徴とする半導体装置。