JPWO2009107498A1 - 焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット - Google Patents
焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009107498A1 JPWO2009107498A1 JP2010500647A JP2010500647A JPWO2009107498A1 JP WO2009107498 A1 JPWO2009107498 A1 JP WO2009107498A1 JP 2010500647 A JP2010500647 A JP 2010500647A JP 2010500647 A JP2010500647 A JP 2010500647A JP WO2009107498 A1 JPWO2009107498 A1 JP WO2009107498A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- target
- alloy
- sintering
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 98
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 47
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 25
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 33
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/547—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on sulfides or selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/408—Noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
Abstract
平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及びＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲットであって、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下、抗折力が５０ＭＰａ以上、相対密度が９９％以上であることを特徴とするＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲット。Ｓｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット組織の均一と微細化を図り、焼結ターゲットのクラック発生を抑制し、スパッタリング時にアーキングの発生を防止する。また、スパッタエロージョンによる表面の凹凸を減少させ、良好な品質のＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットを得る。
Description
この発明は、焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末、例えばＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット並びに該ターゲットを製造するために好適な焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法に関する。
近年、相変化記録用材料として、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体としてＳｂ−Ｔｅ系材料からなる薄膜が用いられるようになってきた。このＳｂ−Ｔｅ系合金材料からなる薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法などの、一般に物理蒸着法と言われている手段によって行われるのが普通である。特に、操作性や皮膜の安定性からマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することが多い。
スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したターゲットにＡｒイオンなどの正イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を放出させて、対面している陽極側の基板にターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる。
スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、安定した成膜速度でオングストローム単位の薄い膜から数十μｍの厚い膜まで形成できるという特徴を有している。
スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、安定した成膜速度でオングストローム単位の薄い膜から数十μｍの厚い膜まで形成できるという特徴を有している。
相変化記録膜用Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料からなる膜を形成する場合に特に問題となるのは、スパッタリング時にパーティクルが発生したりあるいは異常放電（マイクロアーキング）やクラスター状（固まりになって付着）の薄膜形成の原因となるノジュール（突起物）の発生や、スパッタリングの際にターゲットのクラック又は割れが発生したりすること、さらにはターゲット用焼結粉の製造工程で多量に酸素を吸収することである。
このようなターゲット又はスパッタリングの際の問題は、記録媒体である薄膜の品質を低下させる大きな原因となっている。
このようなターゲット又はスパッタリングの際の問題は、記録媒体である薄膜の品質を低下させる大きな原因となっている。
上記の問題は、焼結用粉末の粒径又はターゲットの構造や性状によって大きく影響を受けることが分かっている。しかしながら、従来は相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットを製造する際に、適度な粉末が製造することができないこと、また焼結によって得られるターゲットが十分な特性を保有していないということもあって、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生、さらにはターゲット中に含まれる多量の酸素を避けることができなかった。
従来のＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットの製造方法として、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲットの製造方法を例として挙げると、不活性ガスアトマイズ法により急冷することによりＧｅ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金のそれぞれの粉末を作製し、合金粉を均一に混合した後、加圧焼結を行うＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲットの製造方法が開示されている（例えば特許文献１参照）。
また、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む合金粉末のうち、タップ密度（相対密度）が５０％以上の粉末を型に流し込み、冷間もしくは温間で加圧し、冷間加圧後の密度が９５％以上である成形材をＡｒもしくは真空雰囲気中で熱処理を施すことにより焼結することにより、該焼結体の酸素含有量が７００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲットの製造方法及びこれらに使用する粉末をアトマイズ法により製造する技術の記載がある（例えば特許文献２参照）。
また、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む原料について不活性ガスアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末の内２０μｍ以上であり、かつ単位重量当たりの比表面積が３００ｍｍ２／ｇ以下である粒度分布を有する粉末を使用し、冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法の記載がある（例えば、特許文献３参照）。
この他にアトマイズ粉を使用してターゲットを製造する技術としては、下記特許文献４、５、６がある。
この他にアトマイズ粉を使用してターゲットを製造する技術としては、下記特許文献４、５、６がある。
しかし、以上の特許文献については、アトマイズ粉をそのまま使用するもので、ターゲットの十分な強度が得られておらず、またターゲット組織の微細化及び均質化が達成されているとは言い難い。また、許容される酸素含有量も高く、相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲットとしては、十分とは言えないという問題がある。
このようなことから、先に本出願人はＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット及びそれに使用する粉末を提案した（特許文献７、８、９参照）。これらは、上記の問題を解決するためのものである。
このようなことから、先に本出願人はＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット及びそれに使用する粉末を提案した（特許文献７、８、９参照）。これらは、上記の問題を解決するためのものである。
本発明は、結晶化速度を最適にすることが可能であり、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を行うことを目的とする。さらに、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制し、ターゲット中に含まれる酸素等の不純物を減少させることのできるターゲット焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末、特にＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットを製造するために好適な焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法並びにそれによって得られた焼結体ターゲットを提供するものである。
上記問題点を解決するための技術的な手段は、安定しかつ均質な相変化記録層は、粉末の性状並びにターゲットの構造及び特性を工夫することによって得ることができるとの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は
１）平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を提供する。
この知見に基づき、本発明は
１）平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を提供する。
本願発明の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末は添加元素として、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉを使用することが可能であり、これらから選択した１種以上の元素を１〜３０ａｔ％含有させることができる。一般に、これらの添加元素により、結晶化速度を最適にすることが可能であり、また融点及び結晶化温度を最適にすることが可能である。また、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を行うことができる。
上記の添加元素の選択と添加量は、元素も持つ特性に応じて添加量を調整する必要があるが、通常上記１ａｔ％未満では添加の効果がなく、また上限値である３０ａｔ％を超えると本来の相変化記録用材料としての機能が失われ、ターゲットの強度が大きく低下し、ターゲット製造中または使用中にターゲット割れが発生することがあるので、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素の添加量は１〜３０ａｔ％とするのが望ましいと言える。
上記の添加元素の選択と添加量は、元素も持つ特性に応じて添加量を調整する必要があるが、通常上記１ａｔ％未満では添加の効果がなく、また上限値である３０ａｔ％を超えると本来の相変化記録用材料としての機能が失われ、ターゲットの強度が大きく低下し、ターゲット製造中または使用中にターゲット割れが発生することがあるので、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素の添加量は１〜３０ａｔ％とするのが望ましいと言える。
粉末の平均粒径は０．１〜２００μｍの範囲とする。粒径は小さい方が良く、好ましくは平均粒径１〜５０μｍであり、より好ましくは１〜２０μｍである。粒径を一律にした粉末の製造することは難しいので、ある程度のばらつきは止むを得ないが、特に２００μｍを超える粉末が混在するような場合は、焼結体の均一性が損なわれるので、粉末の大部分（粒度分布の３σ以内）が０．１〜２００μｍの範囲になるように分級により粒度を揃えることが必要である。
さらに、酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下とする。酸素含有量が高くなると焼結性の劣る酸化物絶縁層が形成され、ターゲットの機械的強度が低下して亀裂や割れが発生し、絶縁層部による異常放電（アーキング）が発生しパーティクルの原因となるので好ましくない。このような欠点を防止するためにその上限値を１０００ｗｔｐｐｍとすることが必要である。酸素含有量は好ましくは、５００ｗｔｐｐｍ以下、更に好ましくは１００ｗｔｐｐｍ以下とする。
比表面積（ＢＥＴ）が０．１５〜０．２５ｍ２／ｇの粉末を用いると焼結の際に、緻密な焼結体ターゲットが製造できるので、より好ましいＳｂ−Ｔｅ系合金粉末である。
比表面積（ＢＥＴ）が０．１５〜０．２５ｍ２／ｇの粉末を用いると焼結の際に、緻密な焼結体ターゲットが製造できるので、より好ましいＳｂ−Ｔｅ系合金粉末である。
本発明は、また
２）Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる原料を溶解した後、これを加工して粉末とし、これにより得た粉末を還元して、酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下とし、平均粒径を０．１〜２００μｍの粉末とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法、を提供する。
２）Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる原料を溶解した後、これを加工して粉末とし、これにより得た粉末を還元して、酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下とし、平均粒径を０．１〜２００μｍの粉末とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法、を提供する。
この場合も、平均粒径が１〜５０μｍとすること、さらには、平均粒径が１〜２０μｍである焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末とすることが望ましい条件である。これは、粉末の加工方法の調整と分級により達成することが可能である。
また、粉末の製造工程において、還元処理としては、酸洗後の真空乾燥処理（例えば、５０％硝酸水溶液×１０分間の浸漬後、真空度１００ｍＴｏｒｒ（１３Ｐａ）以下で６時間の乾燥処理）、不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中熱処理（例えば、５００°Ｃ×２時間）、水素還元処理（例えば、５００°Ｃ×２時間）、還元材料（Ｍｇ、Ｆｅ）を混合した仮焼処理を行うことにより、粉末を還元することが可能である。
これらの処理の選択は任意であり、また還元条件も、粉末の量、酸化の程度によって、目的とする粉末の還元が達成されるようにすれば良く、特に制限はない。これによって、本願発明は酸素含有量を、５００ｗｔｐｐｍ以下、１００ｗｔｐｐｍ以下、さらには３００ｗｔｐｐｍ以下を達成することも可能である。本願発明は、これらを達成することができる。
さらに、比表面積（ＢＥＴ）を０．１５〜０．２５ｍ２／ｇの粉末に調整した焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法を提供することができる。これは同様に、粉砕の程度等、粉末の加工方法の調整により、比表面積の調整が可能である。
また、粉末の製造工程において、還元処理としては、酸洗後の真空乾燥処理（例えば、５０％硝酸水溶液×１０分間の浸漬後、真空度１００ｍＴｏｒｒ（１３Ｐａ）以下で６時間の乾燥処理）、不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中熱処理（例えば、５００°Ｃ×２時間）、水素還元処理（例えば、５００°Ｃ×２時間）、還元材料（Ｍｇ、Ｆｅ）を混合した仮焼処理を行うことにより、粉末を還元することが可能である。
これらの処理の選択は任意であり、また還元条件も、粉末の量、酸化の程度によって、目的とする粉末の還元が達成されるようにすれば良く、特に制限はない。これによって、本願発明は酸素含有量を、５００ｗｔｐｐｍ以下、１００ｗｔｐｐｍ以下、さらには３００ｗｔｐｐｍ以下を達成することも可能である。本願発明は、これらを達成することができる。
さらに、比表面積（ＢＥＴ）を０．１５〜０．２５ｍ２／ｇの粉末に調整した焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法を提供することができる。これは同様に、粉砕の程度等、粉末の加工方法の調整により、比表面積の調整が可能である。
３）以上によって得られた粉末を焼結することにより、Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲットであって、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下、抗折力が５０ＭＰａ以上、相対密度が９９％以上であるＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲットを得ることができる。
さらに、本願発明は、酸素含有量が５００ｗｔｐｐｍ以下、抗折力が６０ＭＰａ以上、相対密度が９９．５％以上であることを特徴とするＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲットを提供することができる。酸素含有量は、さらに５００ｗｔｐｐｍ以下とすることができる。
焼結したＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットは、ターゲットエロージョン面の表面粗さＲａが０．５μｍ以下であることが望ましいが、本願発明はこれを達成することができ、これによって、パーティクルの発生が少なく、より均一な成膜が可能となる。
ターゲットの成分組成として、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素を１〜３０ａｔ％含有させることが可能である。
これらの添加元素は、上記の通り、結晶化速度を最適にし、融点及び結晶化温度を最適にすることが容易となる。また、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を容易に行うことができる。
さらに、本願発明は、酸素含有量が５００ｗｔｐｐｍ以下、抗折力が６０ＭＰａ以上、相対密度が９９．５％以上であることを特徴とするＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲットを提供することができる。酸素含有量は、さらに５００ｗｔｐｐｍ以下とすることができる。
焼結したＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットは、ターゲットエロージョン面の表面粗さＲａが０．５μｍ以下であることが望ましいが、本願発明はこれを達成することができ、これによって、パーティクルの発生が少なく、より均一な成膜が可能となる。
ターゲットの成分組成として、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素を１〜３０ａｔ％含有させることが可能である。
これらの添加元素は、上記の通り、結晶化速度を最適にし、融点及び結晶化温度を最適にすることが容易となる。また、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を容易に行うことができる。
上記のように、Ｓｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット組織の均一と微細化が可能となり、焼結ターゲットのクラック発生がなくなり、スパッタリング時にアーキングの発生が抑制できるという効果が得られる。さらに、スパッタエロージョンによる表面の凹凸が減少し、ターゲット上面へのリデポ膜剥離によるパーティクル発生が減少するという効果がある。このように、ターゲット組織を微細化及び均質化することにより、作製される薄膜の面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変化上の記録層の品質が安定する効果がある。
また、粉末の製造工程の中で、粉末を還元することにより、低酸素濃度及び低炭素濃度の材料が得られるという効果がある。さらに、本発明のＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット焼結体は、抗折力が６０ＭＰａ以上であり強度が高く、スパッタリング時にクラックや割れが発生せず、極めて優れた特性を有する。本願発明のＳｂ−Ｔｅ系合金の粉末を使用することにより、結晶化速度を最適にすることが可能であり、また融点及び結晶化温度を最適にすることができる。
さらに、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を行うことができるという優れた効果を得ることができる。
また、粉末の製造工程の中で、粉末を還元することにより、低酸素濃度及び低炭素濃度の材料が得られるという効果がある。さらに、本発明のＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット焼結体は、抗折力が６０ＭＰａ以上であり強度が高く、スパッタリング時にクラックや割れが発生せず、極めて優れた特性を有する。本願発明のＳｂ−Ｔｅ系合金の粉末を使用することにより、結晶化速度を最適にすることが可能であり、また融点及び結晶化温度を最適にすることができる。
さらに、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を行うことができるという優れた効果を得ることができる。
本発明は、平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下である焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及びその製造方法並びに、この粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲットを提供するものである。
一般に、ガスアトマイズ粉は、機械粉末に比べ極めて微細な粉末を得ることができ、さらに粉砕機械の使用による汚染が防止できるので、そのまま焼結粉末として使用することが可能である。しかし、このガスアトマイズ法に限定される必要はなく、本願発明の合金粉末を得ることができる条件であれば、いずれの公知の粉砕加工も採用することができる。
しかし、実際に製造した粉砕粉には粒度にばらつきがあり、２００μｍ径を超える粒がある。焼結の際には、この粗大粒が起点となって、焼結体ターゲットにクラックが発生することがある。このようなターゲットを用いてスパッタリングした場合には、アーキングの起点となり易い。したがって、このようなことを避けるために、分級により粒度を揃えるのが良い。
しかし、実際に製造した粉砕粉には粒度にばらつきがあり、２００μｍ径を超える粒がある。焼結の際には、この粗大粒が起点となって、焼結体ターゲットにクラックが発生することがある。このようなターゲットを用いてスパッタリングした場合には、アーキングの起点となり易い。したがって、このようなことを避けるために、分級により粒度を揃えるのが良い。
適度の粒度分布（平均粒径が０．１〜２００μｍ）を有するアトマイズ粉を得ることが可能であるが、これを上記の手法で還元することにより、これをさらに微細化し、その粒度分布の調整が可能である。また、この還元処理により、酸素の混入により発生する酸化物、すなわちＳｂ又はＴｅの酸化物、さらにはＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素からなる酸化物の形成を減少させ、これらの酸化物を起点とするアーキングの発生を抑制することができる。
以上から、本願発明は、Ｓｂ−Ｔｅ系合金を溶解した後、粉砕加工し、これをさらに、還元して合金粉末とするものである。これによって、酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下とした平均粒径０．１〜２００μｍの球状粉末を製造することができ、得られた球状のＳｂ−Ｔｅ系合金粉末を焼結したターゲットにおいては、機械的強度の向上によって亀裂や割れの発生が少なくなる効果がある。好ましくは酸素含有量を５００ｗｔｐｐｍ以下、さらに好ましくは酸素含有量を３００ｗｔｐｐｍ以下、さらに亦酸素含有量を１００ｗｔｐｐｍ以下とすることで、一層の効果が得られる。
酸素の低減化は、水素還元処理における加熱温度と時間、酸洗真空換装処理においては、酸濃度、処理時間、真空度の調整、不活性ガス中熱処理による還元処理においては、加熱時間と時間、還元材（Mg, Fe)を使用した還元処理に際しては、混合処理量と仮焼温度の調整により達成できる。
これら条件については、Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の処理量及び酸素の存在（含有量）によっても、調整することが必要となるので、固定されたものではない。したがって、目的とする条件、すなわち目的とする酸素量に応じて任意に調整する。
これら条件については、Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の処理量及び酸素の存在（含有量）によっても、調整することが必要となるので、固定されたものではない。したがって、目的とする条件、すなわち目的とする酸素量に応じて任意に調整する。
一般に、Ｓｂ−Ｔｅ系合金は粘性が高いので、機械粉砕の際に粉砕治具に大量に付着し、また粉末相互が接触して粉末粒子が圧延されるという現象が起きる。したがって、長時間粉砕を行うと扁平状（平板状）の粒子が形成されると同時に、０．１μｍ未満の粒度の微紛も形成されるという問題がある。
このような平板状粒子は粒形状が大きくなり、粒子の不均一性の原因となるので焼結体には使用できず、原料歩留まりの悪化をもたらす。この意味では、球状粉が得やすいアトマイズ法は推奨される粉砕方法である。
このような平板状粒子は粒形状が大きくなり、粒子の不均一性の原因となるので焼結体には使用できず、原料歩留まりの悪化をもたらす。この意味では、球状粉が得やすいアトマイズ法は推奨される粉砕方法である。
本願発明は、最終的に平均粒径が０．１〜２００μｍの球状粉末を得ることができる。Ｓｂ−Ｔｅ系合金の粒子形状は、全体として見れば、平均粒径が０．１〜２００μｍの球状粉末からなるが、平均粒径が１０〜５０μｍの大径の球状粉末と平均粒径が０．１〜１０μｍの小径の球状粉末との混合体とすることもできる。そして、この大径の球状粉末と小径の球状粉末との容積比率が、それぞれ１０〜９０％の範囲にあることが望ましい。これはガスアトマイズ等の粉砕粉の製造段階で調整が可能である。
焼結の際には、大径の粒子間に小径の粒子が入り込み、均一で緻密な焼結体を得ることも、一つの利点として挙げることが可能である。容積比率が１０〜９０％は、このための最適な条件を示すものである。
焼結の際には、大径の粒子間に小径の粒子が入り込み、均一で緻密な焼結体を得ることも、一つの利点として挙げることが可能である。容積比率が１０〜９０％は、このための最適な条件を示すものである。
本発明の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及びこの粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲットには、添加元素としてＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素を最大３０ａｔ％含有させることができる。これによって、結晶粒が微細で強度が高いＳｂ−Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲットを得ることが可能となる。
この添加元素により、結晶化速度を最適にすることが可能であり、また融点及び結晶化温度を最適にすることができる。また、アモルファスと結晶との変態の繰り返し耐性を向上させ、さらに成膜の比抵抗の最適化を行うことができる。
上記の添加元素の選択と添加量は、元素の持つ特性に応じて添加量を調整する。通常、添加量１ａｔ％未満では添加の効果がなく、また上限値を超えると本来の相変化記録用材料としての機能が失われる虞れがあるので、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素の添加量は１〜３０ａｔ％とするのが望ましいと言える。このような元素の選択と添加は任意である。
上記の添加元素の選択と添加量は、元素の持つ特性に応じて添加量を調整する。通常、添加量１ａｔ％未満では添加の効果がなく、また上限値を超えると本来の相変化記録用材料としての機能が失われる虞れがあるので、Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ，Ｃ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｉから選択した１種以上の元素の添加量は１〜３０ａｔ％とするのが望ましいと言える。このような元素の選択と添加は任意である。
一般に、スパッタリング後のエロージョン面は、表面粗さＲａが１μｍ以上の粗い面となり、スパッタリングの進行と共にさらに粗くなる傾向になるが、本発明のＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットについては、スパッタリングした後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．５μｍ以下になるという、極めて特異なＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットが得られる。
このように、均一微細な結晶構造のターゲットは、スパッタエロージョンによる表面凹凸が減少し、ターゲット上面へのリデポ（再付着物）膜剥離によるパーティクル発生が抑制できる。
また、組織微細化によりスパッタ膜も面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変化記録層の品質が安定するというメリットがある。そして、このようにスパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生等を効果的に抑制することができる。
また、組織微細化によりスパッタ膜も面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変化記録層の品質が安定するというメリットがある。そして、このようにスパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生等を効果的に抑制することができる。
また、本発明のＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲットでは、抗折力を６０ＭＰａ以上に向上する点が重要である。このように機械的強度を著しく向上させることにより、ターゲットの亀裂又は割れの発生を効果的に低減できる。
さらに、本発明のＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲットは酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下としたことにより、機械的強度をさらに向上させてターゲットの亀裂又は割れの発生を低減されるとともに、パーティクルの発生や異常放電の発生をさらに低減することができる。このように、還元は重要な役割を有する。
さらに、本発明のＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲットは酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下としたことにより、機械的強度をさらに向上させてターゲットの亀裂又は割れの発生を低減されるとともに、パーティクルの発生や異常放電の発生をさらに低減することができる。このように、還元は重要な役割を有する。
また、本願発明は、特にＮ，Ｃ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉ，Ｂの元素から選択したいずれか一成分以上を、１〜３０ａｔ％を添加した焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を提供できる。上記の通り、これらの軽元素の添加により、薄膜においてはＳｂ−Ｔｅ合金の格子間に進入し、薄膜の比抵抗の最適化が図れる効果がある。また、ターゲットにおいては、結晶粒界に析出し、内部応力の緩衝層として機能するので、機械的強度の増加を図ることができるという効果を有する。
なお、この場合、上記段落［００２８］に記載した添加元素と重複する元素もあるが、その選択と調整は任意であることは、容易に理解されるべきことである。このような添加の効果を保有させるためには１ａｔ％以上が必要であるが、必要に応じて行うものであり、添加は任意である。添加する場合には３０ａｔ％以下とする。この上限値を超えるとターゲットの強度が低下し、ターゲット製造中または使用中にターゲットの割れが発生するので好ましくない。
なお、この場合、上記段落［００２８］に記載した添加元素と重複する元素もあるが、その選択と調整は任意であることは、容易に理解されるべきことである。このような添加の効果を保有させるためには１ａｔ％以上が必要であるが、必要に応じて行うものであり、添加は任意である。添加する場合には３０ａｔ％以下とする。この上限値を超えるとターゲットの強度が低下し、ターゲット製造中または使用中にターゲットの割れが発生するので好ましくない。
結晶粒が微細で強度が高い本発明のＳｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲットの製造に使用する粉末は、０．５ｍ２／ｇ以上さらには０．７ｍ２／ｇ以上の比表面積（ＢＥＴ）を持つ粉末を使用することができる。
上記には、主要な構成要件を述べたが、付随的かつ付加的な要件は、必ずしも発明の主たる構成要件に組み入れられるものではないことは理解されるべきである。すなわち、ターゲットの必要とされる性質又は用途に応じて任意に採用することができる要件である。
上記には、主要な構成要件を述べたが、付随的かつ付加的な要件は、必ずしも発明の主たる構成要件に組み入れられるものではないことは理解されるべきである。すなわち、ターゲットの必要とされる性質又は用途に応じて任意に採用することができる要件である。
本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
（実施例１）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉の平均粒径は１５μｍ、酸素含有量は１１００ｗｔｐｐｍであった。
このガスアトマイズ粉をさらに、硝酸５０％水溶液に１０分間浸漬し、１０Ｐａで、６時間真空中で乾燥することにより還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は５５０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１４μｍであった。
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉の平均粒径は１５μｍ、酸素含有量は１１００ｗｔｐｐｍであった。
このガスアトマイズ粉をさらに、硝酸５０％水溶液に１０分間浸漬し、１０Ｐａで、６時間真空中で乾燥することにより還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は５５０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１４μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は７０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は３０個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は３０個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例２）
上記実施例１のガスアトマイズ粉を、Ａｒ雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は２９０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
これによって得られた粉末のＳＥＭ写真（画像）を図１に示す。図１のスケールは図内に示した通りである。
上記実施例１のガスアトマイズ粉を、Ａｒ雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は２９０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
これによって得られた粉末のＳＥＭ写真（画像）を図１に示す。図１のスケールは図内に示した通りである。
図１に示す通り、粒径が１〜５０μｍの範囲のきれいな球形の粉末が得られた。なお、この場合、平均粒径が１０〜５０μｍの大径の球状粉末は、容積率で約８０％であり、平均粒径が１〜１０μｍの小径の球状粉末は、容積率で約２０％であった。なお、大径の球状粉末は大部分が、１５〜２０μｍ程度の球状粉末であった。
参考図として図２を示す。この図２は、ガスアトマイズ粉であり、粉末の粒径を調節していない、すなわち「でまま」の粉末である。このガスアトマイズ粉は粒径が６０〜７０μｍの範囲のものが大半であり、本願の目的には適していない。
参考図として図２を示す。この図２は、ガスアトマイズ粉であり、粉末の粒径を調節していない、すなわち「でまま」の粉末である。このガスアトマイズ粉は粒径が６０〜７０μｍの範囲のものが大半であり、本願の目的には適していない。
さらに、このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は７０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全くみとめられなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例３）
上記実施例１のガスアトマイズ粉を、水素雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は９０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は８０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１９個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
上記実施例１のガスアトマイズ粉を、水素雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は９０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は８０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１９個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例４）
上記実施例１のガスアトマイズ粉をさらに、予め還元処理した鉄粉と混合し、３００°Ｃで２４時間仮焼し、その後鉄粉を除去することにより還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は６００ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１４μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は６０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。そして、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。
この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は３５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
上記実施例１のガスアトマイズ粉をさらに、予め還元処理した鉄粉と混合し、３００°Ｃで２４時間仮焼し、その後鉄粉を除去することにより還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は６００ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１４μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は６０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。そして、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。
この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は３５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例５）
上記実施例１のガスアトマイズ粉を、Ａｒ雰囲気下で、５００°Ｃ、５時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素がさらに低減し、酸素含有量は２００ｗｔｐｐｍとなった。
また、この還元処理後の平均粒径は１３μｍであった。他の粉末の特性は、特に変化ないが、抗折力は７２ＭＰａとなり、実施例２に比較して、さらに高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
以上から、還元処理は酸素を低減し、かつ抗折力の増加に大きく貢献することが確認できた。これは、実施例には特に示さないが、Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金材料に限らず、本願発明の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の全てにおいて、同様の傾向があることが確認できた。
上記実施例１のガスアトマイズ粉を、Ａｒ雰囲気下で、５００°Ｃ、５時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素がさらに低減し、酸素含有量は２００ｗｔｐｐｍとなった。
また、この還元処理後の平均粒径は１３μｍであった。他の粉末の特性は、特に変化ないが、抗折力は７２ＭＰａとなり、実施例２に比較して、さらに高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
以上から、還元処理は酸素を低減し、かつ抗折力の増加に大きく貢献することが確認できた。これは、実施例には特に示さないが、Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金材料に限らず、本願発明の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の全てにおいて、同様の傾向があることが確認できた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例６）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、機械粉砕用の機器である振動ボールミルに導入し、雰囲気ガスとしてＡｒの不活性ガスを用いて機械粉砕を行った。機械粉砕時間は２０分である。その結果、平均粒径２０μｍの粉末を得た。この粉砕粉の２００μｍを超える粉末については、分級により取り除いた。粉砕粉の酸素含有量は２５００ｗｔｐｐｍであった。
この粉砕粉をさらに、硝酸５０％水溶液に１０分間浸漬し、１０Ｐａで、６時間真空中で乾燥することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は７００ｗｔｐｐｍとなった。また、この還元処理後の平均粒径は１９μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は６５ＭＰａとなり、高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は認められなかった。そして、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。
この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．９μｍであり、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、機械粉砕用の機器である振動ボールミルに導入し、雰囲気ガスとしてＡｒの不活性ガスを用いて機械粉砕を行った。機械粉砕時間は２０分である。その結果、平均粒径２０μｍの粉末を得た。この粉砕粉の２００μｍを超える粉末については、分級により取り除いた。粉砕粉の酸素含有量は２５００ｗｔｐｐｍであった。
この粉砕粉をさらに、硝酸５０％水溶液に１０分間浸漬し、１０Ｐａで、６時間真空中で乾燥することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は７００ｗｔｐｐｍとなった。また、この還元処理後の平均粒径は１９μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は６５ＭＰａとなり、高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は認められなかった。そして、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。
この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．９μｍであり、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例７）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、ジェットミル粉砕し平均粒径２μｍの粉末を得た。この粉砕粉の酸素含有量は６０００ｗｔｐｐｍであった。この粉砕粉をさらに、水素雰囲気下で、５００°Ｃ、１２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は９００ｗｔｐｐｍとなった。また、この還元処理後の平均粒径は２μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は９０ＭＰａとなり、高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は認められなかった。そして、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。
この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．１μｍであり、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、ジェットミル粉砕し平均粒径２μｍの粉末を得た。この粉砕粉の酸素含有量は６０００ｗｔｐｐｍであった。この粉砕粉をさらに、水素雰囲気下で、５００°Ｃ、１２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は９００ｗｔｐｐｍとなった。また、この還元処理後の平均粒径は２μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は９０ＭＰａとなり、高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は認められなかった。そして、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。
この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２５個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．１μｍであり、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
（比較例１）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、機械粉砕用の機器である振動ボールミルに導入し、雰囲気ガスとしてＡｒの不活性ガスを用いて機械粉砕を行った。機械粉砕時間は２０分である。この機械粉砕後の酸素含有量は１５００ｗｔｐｐｍであった。また、最大粒径は３００μｍと非常に大きくなった。
これを分級し、平均粒径３０μｍの粉末を得た。そして、この粉末をホットプレスした。この結果、相対密度は９７％、抗折力は５０ＭＰａとなり、抗折力が低い焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生が認められた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生があり、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１４０個と増加した。また、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．９μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
以上に示すように、酸素含有量の増加は、パーティクルが大量に発生することが確認できた。
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、機械粉砕用の機器である振動ボールミルに導入し、雰囲気ガスとしてＡｒの不活性ガスを用いて機械粉砕を行った。機械粉砕時間は２０分である。この機械粉砕後の酸素含有量は１５００ｗｔｐｐｍであった。また、最大粒径は３００μｍと非常に大きくなった。
これを分級し、平均粒径３０μｍの粉末を得た。そして、この粉末をホットプレスした。この結果、相対密度は９７％、抗折力は５０ＭＰａとなり、抗折力が低い焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生が認められた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生があり、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１４０個と増加した。また、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．９μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
以上に示すように、酸素含有量の増加は、パーティクルが大量に発生することが確認できた。
（比較例２）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉の平均粒径は１５μｍ、酸素含有量は１１００ｗｔｐｐｍであった。
この粉末をホットプレスした。この結果、相対密度は９７％、抗折力は５２ＭＰａとなり、抗折力が低い焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生が認められた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生があり、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は９０個であった。また、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．５μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
以上に示すように、酸素含有量の増加は、パーティクルが大量に発生することが確認できた。
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉の平均粒径は１５μｍ、酸素含有量は１１００ｗｔｐｐｍであった。
この粉末をホットプレスした。この結果、相対密度は９７％、抗折力は５２ＭＰａとなり、抗折力が低い焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生が認められた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生があり、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は９０個であった。また、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．５μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
以上に示すように、酸素含有量の増加は、パーティクルが大量に発生することが確認できた。
（比較例３）
比較例２のガスアトマイズ粉を分級し平均粒径７μｍとした。この場合、酸素含有量は１５００ｗｔｐｐｍであった。
この粉末をホットプレスした。この結果、相対密度は９７％、抗折力は５５ＭＰａとなり、抗折力が低い焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生が認められた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生があり、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は７０個であった。また、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表２に示す。
以上に示すように、酸素含有量の増加は、パーティクルが大量に発生することが確認できた。
比較例２のガスアトマイズ粉を分級し平均粒径７μｍとした。この場合、酸素含有量は１５００ｗｔｐｐｍであった。
この粉末をホットプレスした。この結果、相対密度は９７％、抗折力は５５ＭＰａとなり、抗折力が低い焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生が認められた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生があり、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は７０個であった。また、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表２に示す。
以上に示すように、酸素含有量の増加は、パーティクルが大量に発生することが確認できた。
（実施例８）
上記比較例１に示す機械粉砕粉を分級して平均粒径３０μｍとし、これを水素還元して平均粒径２６μｍ、酸素濃度５５０ｐｐｍとした。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は６５ＭＰａとなり、高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２０個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．９μｍであり、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
上記比較例１に示す機械粉砕粉を分級して平均粒径３０μｍとし、これを水素還元して平均粒径２６μｍ、酸素濃度５５０ｐｐｍとした。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は６５ＭＰａとなり、高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は２０個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．９μｍであり、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例９）
Ａｇ5.0Ｉｎ5.0Ｓｂ70.0Ｔｅ20.0（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉の平均粒径は１５μｍ、酸素含有量は９０ｗｔｐｐｍであった。
このガスアトマイズ粉を水素雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は３５０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は８０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１９個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
Ａｇ5.0Ｉｎ5.0Ｓｂ70.0Ｔｅ20.0（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉の平均粒径は１５μｍ、酸素含有量は９０ｗｔｐｐｍであった。
このガスアトマイズ粉を水素雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は３５０ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は８０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１９個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
（実施例１０）
Ｇｅ２１．１Ｓｂ２１．１Ｔｅ５２．８Ｂ５．０（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。これにより、平均粒径１５μｍの粉末を得た。この粉砕粉の酸素含有量は１６００ｗｔｐｐｍであった。この粉砕粉にホウ素（Ｂ）を５ａｔ％となるように加え、水素雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は８５ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は８０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１９個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
Ｇｅ２１．１Ｓｂ２１．１Ｔｅ５２．８Ｂ５．０（ａｔ％）合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用しアトマイズ粉を製造した。これにより、平均粒径１５μｍの粉末を得た。この粉砕粉の酸素含有量は１６００ｗｔｐｐｍであった。この粉砕粉にホウ素（Ｂ）を５ａｔ％となるように加え、水素雰囲気下で、５００°Ｃ、２時間熱処理することにより、還元処理を行った。この還元処理により、酸素含有量は８５ｗｔｐｐｍとなった。また、平均粒径は１３μｍであった。
このようにして得た粉末をホットプレスにより、相対密度１００％の高密度ターゲットとした。このターゲットの抗折力は８０ＭＰａとなり、極めて高い強度をもつ焼結体（ターゲット）が得られた。そして、クラックの発生は全く認められなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒ後の平均パーティクル発生数は１９個であり、スパッタリングを実施した後のエロージョン面の表面粗さＲａが０．４μｍであった。以上の結果を、表１に示す。
以上の実施例及び比較例から明らかなように、酸素含有量が大きな影響を及ぼすことが分かった。酸素の含有量が増加すると、焼結体に空孔が残り、またクラックが発生するため、相対密度を十分に高くすることができず、このため焼結後のターゲット強度が低下し、スパッタリング時にパーティクルが大量に発生するという問題を生ずる。本願発明は、このような問題を解決できる焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を提供することができる。
以上に記載する通り、本発明の粉末を使用することにより、Ｓｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット組織の均一と微細化が可能となり、焼結ターゲットのクラック発生がなくなり、スパッタリング時にアーキングの発生が抑制できるという優れた効果が得られる。また、スパッタエロージョンによる表面の凹凸が減少し、ターゲット上面へのリデポ膜剥離によるパーティクル発生が減少するという効果がある。また、このようにターゲット組織を微細化及び均質化することにより、作製される薄膜の面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変化上の記録層の品質が安定する効果があり、さらにスパッタレートの違いによるノジュールの発生が低減し、結果としてパーティクルの発生が抑えられる。
したがって、焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末、例えばＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット、そのための焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法として極めて有用である。
したがって、焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末、例えばＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット、そのための焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法として極めて有用である。
Claims (14)
- 平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末。
- 平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が５００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末。
- 平均粒径が０．１〜２００μｍの粉末からなり、酸素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末。
- 平均粒径が１〜５０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末。
- 平均粒径が１〜２０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末。
- Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる原料を溶解した後、これを加工して粉末とし、これにより得た粉末を、さらに還元して酸素含有量を１０００ｗｔｐｐｍ以下とし、平均粒径を０．１〜２００μｍの粉末とすることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法。
- Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる原料を溶解した後、これを加工して粉末とし、これにより得た粉末を、さらに還元して酸素含有量を５００ｗｔｐｐｍ以下とし、平均粒径を０．１〜２００μｍの粉末とすることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法。
- Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる原料を溶解した後、これを加工して粉末とし、これにより得た粉末を、さらに還元して酸素含有量を１００ｗｔｐｐｍ以下とし、平均粒径を０．１〜２００μｍの粉末とすることを特徴とする焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法。
- 平均粒径が１〜５０μｍとすることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法。
- 平均粒径が１〜２０μｍとすることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法。
- 酸素含有量が１０００ｗｔｐｐｍ以下、抗折力が５０ＭＰａ以上、相対密度が９９％以上であることを特徴とするＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲット。
- 酸素含有量が５００ｗｔｐｐｍ以下、抗折力が６０ＭＰａ以上、相対密度が９９．５％以上であることを特徴とするＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲット。
- ターゲットのエロージョン面の表面粗さＲａが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１１又は１２記載のＳｂ−Ｔｅ系合金からなる焼結体ターゲット。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載の焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を用いて製造した焼結体ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010500647A JP5496078B2 (ja) | 2008-02-26 | 2009-02-16 | 焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008044405 | 2008-02-26 | ||
| JP2008044405 | 2008-02-26 | ||
| PCT/JP2009/052511 WO2009107498A1 (ja) | 2008-02-26 | 2009-02-16 | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
| JP2010500647A JP5496078B2 (ja) | 2008-02-26 | 2009-02-16 | 焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009107498A1 true JPWO2009107498A1 (ja) | 2011-06-30 |
| JP5496078B2 JP5496078B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=41015898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010500647A Active JP5496078B2 (ja) | 2008-02-26 | 2009-02-16 | 焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5496078B2 (ja) |
| KR (2) | KR20090130315A (ja) |
| TW (1) | TWI481725B (ja) |
| WO (1) | WO2009107498A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160078478A (ko) | 2014-03-25 | 2016-07-04 | 제이엑스금속주식회사 | Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟 |
| CN112808994A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 南京理工大学 | 锑纳米片的制备方法 |
| CN112719278A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 锗锑碲合金粉体的制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213569A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-22 | Mitsubishi Metal Corp | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
| JPS63293102A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Mitsubishi Metal Corp | 高強度および高靭性を有するＦｅ系焼結合金部材の製造法 |
| JPH0570937A (ja) * | 1991-04-08 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | 光デイスク用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPH059509A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-19 | Koji Hayashi | 高合金工具鋼焼結体及びその製造方法 |
| JP2989169B2 (ja) * | 1997-08-08 | 1999-12-13 | 日立金属株式会社 | Ｎｉ−Ａｌ系金属間化合物ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
| JP2007046165A (ja) * | 2002-02-25 | 2007-02-22 | Nikko Kinzoku Kk | 相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2003264318A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Kyocera Corp | 熱電変換素子の製造方法 |
| JP2004162109A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット及び同製造用粉末 |
| JP4835973B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-12-14 | 日立金属株式会社 | 高融点金属系粉末の製造方法およびターゲット材の製造方法 |
| DE602005020509D1 (de) * | 2005-01-18 | 2010-05-20 | Nippon Mining Co | Pulver auf sb-te basierender legierung zum sintern und ein durch sintern des pulvers hergestelltes gesintertes sputtertarget und verfahren zur herstellung des pulvers auf sb-te basierender legierung zum sintern |
-
2009
- 2009-02-16 WO PCT/JP2009/052511 patent/WO2009107498A1/ja active Application Filing
- 2009-02-16 KR KR1020097023902A patent/KR20090130315A/ko active Search and Examination
- 2009-02-16 JP JP2010500647A patent/JP5496078B2/ja active Active
- 2009-02-16 KR KR1020127034295A patent/KR101475133B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-20 TW TW098105386A patent/TWI481725B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130007676A (ko) | 2013-01-18 |
| KR20090130315A (ko) | 2009-12-22 |
| TWI481725B (zh) | 2015-04-21 |
| WO2009107498A1 (ja) | 2009-09-03 |
| KR101475133B1 (ko) | 2014-12-22 |
| JP5496078B2 (ja) | 2014-05-21 |
| TW200946692A (en) | 2009-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4965579B2 (ja) | Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット | |
| JP4615527B2 (ja) | 焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及びこの粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲット並びに焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末の製造方法 | |
| US11846015B2 (en) | Sb—Te-based alloy sintered compact sputtering target | |
| JP4708361B2 (ja) | Ｓｂ−Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット | |
| US20210237153A1 (en) | Sintered compact target and method of producing sintered compact | |
| JP6037421B2 (ja) | Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット | |
| JP4642780B2 (ja) | Ｓｂ−Ｔｅ系合金焼結体ターゲット及びその製造方法 | |
| WO2011010529A1 (ja) | Cu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、Cu-Ga合金焼結体ターゲットから作製された光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池 | |
| JP3973857B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2004162109A (ja) | スパッタリングターゲット及び同製造用粉末 | |
| JP5496078B2 (ja) | 焼結用Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット | |
| JP5457609B2 (ja) | Ｃｕ−Ｔｅ合金系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP4685059B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130509 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140304 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5496078 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |