JPH0570937A - 光デイスク用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 - Google Patents
光デイスク用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法Info
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- JPH0570937A JPH0570937A JP3075398A JP7539891A JPH0570937A JP H0570937 A JPH0570937 A JP H0570937A JP 3075398 A JP3075398 A JP 3075398A JP 7539891 A JP7539891 A JP 7539891A JP H0570937 A JPH0570937 A JP H0570937A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カルコゲナイド系元素を含み含有酸素の濃度
を８００ｐｐｍ以下とした光ディスク用タ−ゲット及び
その製造方法の提供を目的とする。 【構成】 タ−ゲットは、組成がＳｅ，Ｔｅのうち１種
類以上を含むカルコゲナイド系合金から構成され、含有
酸素の濃度を８００ｐｐｍ以下としている。また、タ−
ゲットの製造方法は、前記組成の混合物を溶融し、この
溶融物を鋳造してカルコゲナイド系合金とし、該合金を
不活性雰囲気中において粉砕した後、成形・焼結するこ
とに特徴がある。 【効果】 このタ−ゲットは、低酸素濃度のスパッタリ
ング膜を成膜し、該膜の酸化速度を抑制し、該膜及び保
護膜の付着強度を高めることができる。また、上記の製
造方法は、均ーな合金相を得ることができ、粉砕工程で
の酸化を防止し、タ−ゲットの含有酸素の濃度を低下さ
せることができる。
を８００ｐｐｍ以下とした光ディスク用タ−ゲット及び
その製造方法の提供を目的とする。 【構成】 タ−ゲットは、組成がＳｅ，Ｔｅのうち１種
類以上を含むカルコゲナイド系合金から構成され、含有
酸素の濃度を８００ｐｐｍ以下としている。また、タ−
ゲットの製造方法は、前記組成の混合物を溶融し、この
溶融物を鋳造してカルコゲナイド系合金とし、該合金を
不活性雰囲気中において粉砕した後、成形・焼結するこ
とに特徴がある。 【効果】 このタ−ゲットは、低酸素濃度のスパッタリ
ング膜を成膜し、該膜の酸化速度を抑制し、該膜及び保
護膜の付着強度を高めることができる。また、上記の製
造方法は、均ーな合金相を得ることができ、粉砕工程で
の酸化を防止し、タ−ゲットの含有酸素の濃度を低下さ
せることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、カルコゲナイド系の
スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法に係り、特
に含有酸素の濃度が８００ｐｐｍ以下であるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金の光ディスク用スパッタリングタ−ゲット
及びその製造方法に関するものである。
スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法に係り、特
に含有酸素の濃度が８００ｐｐｍ以下であるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金の光ディスク用スパッタリングタ−ゲット
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理技術の急速な進歩により
情報記録媒体としての光ディスクが益々注目されつつあ
る。この光ディスクは、例えばＡｌを蒸着したガラス基
板等の透明基板の表面に、Ｔｅ，Ｓｅ等のカルコゲン元
素にＳｂ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｂｉ等を２０〜４０％添加した
Ｔｅ−Ｓｅ系合金の薄膜を形成したもので、Ｔｅ−Ｓｅ
系合金の結晶−非晶質の相転移現象を利用して情報を高
密度に記録するものである。
情報記録媒体としての光ディスクが益々注目されつつあ
る。この光ディスクは、例えばＡｌを蒸着したガラス基
板等の透明基板の表面に、Ｔｅ，Ｓｅ等のカルコゲン元
素にＳｂ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｂｉ等を２０〜４０％添加した
Ｔｅ−Ｓｅ系合金の薄膜を形成したもので、Ｔｅ−Ｓｅ
系合金の結晶−非晶質の相転移現象を利用して情報を高
密度に記録するものである。
【０００３】この光ディスクに情報を記録する場合、パ
ワ−が高くパルス幅の狭いレ−ザ光を光ディスクに照射
し、その照射部分の温度を結晶の融点以上に上げて融解
させ、レ−ザ光照射が終了するとその部分は急冷されて
非晶質状態になり情報が記録される。また、記録を消去
する場合、長円のレ−ザ・ビ−ムを光ディスクの記録点
に照射し、非晶質状態にあるその照射部分の温度を非晶
質転移点以上の結晶化し易い温度まで上昇させ、所定時
間温度を保持することにより結晶状態になり情報が消去
される。
ワ−が高くパルス幅の狭いレ−ザ光を光ディスクに照射
し、その照射部分の温度を結晶の融点以上に上げて融解
させ、レ−ザ光照射が終了するとその部分は急冷されて
非晶質状態になり情報が記録される。また、記録を消去
する場合、長円のレ−ザ・ビ−ムを光ディスクの記録点
に照射し、非晶質状態にあるその照射部分の温度を非晶
質転移点以上の結晶化し易い温度まで上昇させ、所定時
間温度を保持することにより結晶状態になり情報が消去
される。
【０００４】この光ディスクは、非接触で記録再生がで
き、アクセス時間が短く、情報密度が磁気ディスクと比
較して１００倍程度大きい等の優れた特徴を有するため
に、様々な研究が精力的に行なわれている。
き、アクセス時間が短く、情報密度が磁気ディスクと比
較して１００倍程度大きい等の優れた特徴を有するため
に、様々な研究が精力的に行なわれている。
【０００５】上記のＴｅ−Ｓｅ系合金薄膜の形成は、通
常スパッタリング法により行なわれており、このスパッ
タリング法ではＴｅ−Ｓｅ系合金からなる光ディスク用
スパッタリングタ−ゲット（以下、単にタ−ゲットと略
称する）が使用される。
常スパッタリング法により行なわれており、このスパッ
タリング法ではＴｅ−Ｓｅ系合金からなる光ディスク用
スパッタリングタ−ゲット（以下、単にタ−ゲットと略
称する）が使用される。
【０００６】このタ−ゲットは、図３に示す様な方法に
より製造される。まず、タ−ゲットの原料となるＴｅ，
Ｓｅの主原料及びＳｂ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｂｉ等の副原料を
所定量秤量する。
より製造される。まず、タ−ゲットの原料となるＴｅ，
Ｓｅの主原料及びＳｂ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｂｉ等の副原料を
所定量秤量する。
【０００７】次に、これらの各原料を加熱溶融した後常
温まで冷却し、振動ミル等の粉砕機を用いて微粉砕し粉
体とする。次に、この得られた粉体を冷間静水圧プレス
（ＣＩＰ）により加圧・成形し、その後Ａｒ等の不活性
雰囲気中において焼結する。なお、ホットプレス（Ｈ
Ｐ）を用いれば、上記の加圧・成形工程と焼結工程を一
つの工程で行うことができる。
温まで冷却し、振動ミル等の粉砕機を用いて微粉砕し粉
体とする。次に、この得られた粉体を冷間静水圧プレス
（ＣＩＰ）により加圧・成形し、その後Ａｒ等の不活性
雰囲気中において焼結する。なお、ホットプレス（Ｈ
Ｐ）を用いれば、上記の加圧・成形工程と焼結工程を一
つの工程で行うことができる。
【０００８】上記の焼結体を所定の形状に加工した後、
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とする。
ボンディングにより銅板に接合し、仕上加工を行って製
品（タ−ゲット）とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のタ−
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、該タ−ゲ
ットの含有酸素濃度が高いためにスパッタリング膜の含
有酸素の濃度が２０００〜３０００ｐｐｍ程度まで高く
なるという欠点があった。
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、該タ−ゲ
ットの含有酸素濃度が高いためにスパッタリング膜の含
有酸素の濃度が２０００〜３０００ｐｐｍ程度まで高く
なるという欠点があった。
【００１０】この光ディスクに情報を記録する場合に光
ディスクの含有酸素の濃度が高いと結晶−非晶質の相転
移の速度が遅延し易くなり、記録精度が低下したり等の
問題が発生する恐れがある。
ディスクの含有酸素の濃度が高いと結晶−非晶質の相転
移の速度が遅延し易くなり、記録精度が低下したり等の
問題が発生する恐れがある。
【００１１】次に、上記のタ−ゲットの含有酸素の濃度
が高くなる原因を各工程毎に検討する。
が高くなる原因を各工程毎に検討する。
【００１２】Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｂｉ等の
原料の含有酸素の濃度は５〜１０ｐｐｍと極めて低く、
これらの原料を加熱溶融して得られるＴｅ−Ｓｅ合金に
おいても約２０ｐｐｍ程度である。ところが、振動ミル
等の粉砕機で微粉砕した粉体では５００〜１０００ｐｐ
ｍと含有酸素の濃度が大幅に高くなる。
原料の含有酸素の濃度は５〜１０ｐｐｍと極めて低く、
これらの原料を加熱溶融して得られるＴｅ−Ｓｅ合金に
おいても約２０ｐｐｍ程度である。ところが、振動ミル
等の粉砕機で微粉砕した粉体では５００〜１０００ｐｐ
ｍと含有酸素の濃度が大幅に高くなる。
【００１３】この理由としては、粉砕工程において発生
する熱によりＴｅやＧｅが酸化することと、粉体の表面
層に酸素が吸着することが考えられる。その後の焼結体
の含有酸素の濃度は２０００〜３０００ｐｐｍと更に高
くなるが、これは不活性雰囲気中の酸素濃度が２０００
ｐｐｍと高いことからこの雰囲気の影響を受けて含有酸
素の濃度が上昇するためと考えられる。したがって、粉
砕工程中の粉体の含有酸素濃度をいかに低く押さえるか
が大きな課題になると考えられる。
する熱によりＴｅやＧｅが酸化することと、粉体の表面
層に酸素が吸着することが考えられる。その後の焼結体
の含有酸素の濃度は２０００〜３０００ｐｐｍと更に高
くなるが、これは不活性雰囲気中の酸素濃度が２０００
ｐｐｍと高いことからこの雰囲気の影響を受けて含有酸
素の濃度が上昇するためと考えられる。したがって、粉
砕工程中の粉体の含有酸素濃度をいかに低く押さえるか
が大きな課題になると考えられる。
【００１４】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、以上の欠点を有効に解決することができる光デ
ィスク用スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法を
提供することにある。
もので、以上の欠点を有効に解決することができる光デ
ィスク用スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法を
提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な光ディスク用スパッタリングタ
−ゲット及びその製造方法を採用した。
に、この発明は次の様な光ディスク用スパッタリングタ
−ゲット及びその製造方法を採用した。
【００１６】すなわち、請求項１記載の光ディスク用ス
パッタリングタ−ゲットとしては、Ｓｅ，Ｔｅの２種類
のカルコゲン元素のうち１種類以上を含み、含有酸素の
濃度が８００ｐｐｍ以下であることを特徴としている。
パッタリングタ−ゲットとしては、Ｓｅ，Ｔｅの２種類
のカルコゲン元素のうち１種類以上を含み、含有酸素の
濃度が８００ｐｐｍ以下であることを特徴としている。
【００１７】また、請求項２記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットとしては、Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓ
ｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組成を有し、
含有酸素の濃度が８００ｐｐｍ以下であることを特徴と
している。
タリングタ−ゲットとしては、Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓ
ｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組成を有し、
含有酸素の濃度が８００ｐｐｍ以下であることを特徴と
している。
【００１８】また、請求項３記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットの製造方法としては、Ｓｅ，Ｔｅの
２種類のカルコゲン元素のうち１種類以上を含む混合物
を溶融し、得られた溶融物を鋳造してカルコゲナイド系
合金とし、該合金を不活性雰囲気中において粉砕した
後、成形・焼結することを特徴としている。
タリングタ−ゲットの製造方法としては、Ｓｅ，Ｔｅの
２種類のカルコゲン元素のうち１種類以上を含む混合物
を溶融し、得られた溶融物を鋳造してカルコゲナイド系
合金とし、該合金を不活性雰囲気中において粉砕した
後、成形・焼結することを特徴としている。
【００１９】また、請求項４記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットの製造方法としては、Ｇｅ５〜５５
重量％、Ｓｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組
成の混合物を溶融し、得られた溶融物を鋳造してＴｅ−
Ｇｅ−Ｓｂ系合金とし、該合金を不活性雰囲気中におい
て粉砕した後、成形・焼結することを特徴としている。
タリングタ−ゲットの製造方法としては、Ｇｅ５〜５５
重量％、Ｓｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組
成の混合物を溶融し、得られた溶融物を鋳造してＴｅ−
Ｇｅ−Ｓｂ系合金とし、該合金を不活性雰囲気中におい
て粉砕した後、成形・焼結することを特徴としている。
【００２０】ここで、タ−ゲットが、Ｓｅ，Ｔｅの２種
類のカルコゲン元素のうち１種類以上を含む組成である
としたのは、これによりタ−ゲットの酸化を防止し、ス
パッタリング膜の結晶ー非晶質の相転移速度の遅延を防
止するためである。
類のカルコゲン元素のうち１種類以上を含む組成である
としたのは、これによりタ−ゲットの酸化を防止し、ス
パッタリング膜の結晶ー非晶質の相転移速度の遅延を防
止するためである。
【００２１】また、含有酸素の濃度を８００ｐｐｍ以下
としたのは、タ−ゲット本体の酸化速度を抑制し、酸素
に起因するスパッタリング膜の結晶や非晶質中の格子欠
陥を低減させるためである。
としたのは、タ−ゲット本体の酸化速度を抑制し、酸素
に起因するスパッタリング膜の結晶や非晶質中の格子欠
陥を低減させるためである。
【００２２】
【作用】この発明の請求項１記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットでは、Ｓｅ，Ｔｅの２種類のカルコ
ゲン元素のうち１種類以上を含むことにより、タ−ゲッ
トの酸化を防止するとともに該タ−ゲット中の含有酸素
の濃度を低下させ、スパッタリング膜の結晶−非晶質の
相転移速度の遅延を防止する。また、含有酸素の濃度を
８００ｐｐｍ以下としたことにより、低酸素濃度のスパ
ッタリング膜を成膜し、該膜の酸化速度を抑制し、膜及
び保護膜の付着強度が高まる。
タリングタ−ゲットでは、Ｓｅ，Ｔｅの２種類のカルコ
ゲン元素のうち１種類以上を含むことにより、タ−ゲッ
トの酸化を防止するとともに該タ−ゲット中の含有酸素
の濃度を低下させ、スパッタリング膜の結晶−非晶質の
相転移速度の遅延を防止する。また、含有酸素の濃度を
８００ｐｐｍ以下としたことにより、低酸素濃度のスパ
ッタリング膜を成膜し、該膜の酸化速度を抑制し、膜及
び保護膜の付着強度が高まる。
【００２３】また、請求項２記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットでは、Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓｂ１
０〜５０重量％、残部がＴｅの組成からなるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金としたことにより、タ−ゲット中のＧｅ及
びＴｅの酸化を防止するとともに該タ−ゲット中の含有
酸素の濃度を低下させ、スパッタリング膜の結晶ー非晶
質の相転移速度の遅延を防止する。また、含有酸素の濃
度を８００ｐｐｍ以下としたことにより、低酸素濃度の
スパッタリング膜を成膜し、該膜の酸化速度を抑制し、
膜及び保護膜の付着強度が高まる。
タリングタ−ゲットでは、Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓｂ１
０〜５０重量％、残部がＴｅの組成からなるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金としたことにより、タ−ゲット中のＧｅ及
びＴｅの酸化を防止するとともに該タ−ゲット中の含有
酸素の濃度を低下させ、スパッタリング膜の結晶ー非晶
質の相転移速度の遅延を防止する。また、含有酸素の濃
度を８００ｐｐｍ以下としたことにより、低酸素濃度の
スパッタリング膜を成膜し、該膜の酸化速度を抑制し、
膜及び保護膜の付着強度が高まる。
【００２４】また、請求項３記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットの製造方法では、得られた溶融物を
鋳造してカルコゲナイド系合金とし、該合金を不活性雰
囲気中において粉砕することにより、粉砕工程での酸化
を防止し、タ−ゲット本体の含有酸素の濃度を低下させ
る。
タリングタ−ゲットの製造方法では、得られた溶融物を
鋳造してカルコゲナイド系合金とし、該合金を不活性雰
囲気中において粉砕することにより、粉砕工程での酸化
を防止し、タ−ゲット本体の含有酸素の濃度を低下させ
る。
【００２５】また、請求項４記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットの製造方法では、得られた溶融物を
鋳造してＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金とし、該合金を不活性
雰囲気中において粉砕することにより、粉砕工程での酸
化を更に防止し、タ−ゲット本体の含有酸素の濃度を更
に低下させる。
タリングタ−ゲットの製造方法では、得られた溶融物を
鋳造してＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金とし、該合金を不活性
雰囲気中において粉砕することにより、粉砕工程での酸
化を更に防止し、タ−ゲット本体の含有酸素の濃度を更
に低下させる。
【００２６】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
【００２７】（実施例１）まず、図１に基づき光ディス
ク用スパッタリングタ−ゲットの製造方法について説明
する。
ク用スパッタリングタ−ゲットの製造方法について説明
する。
【００２８】表１に示す組成となる様にタ−ゲットの原
料Ｓｎ，Ｓｂ，Ｓｅをそれぞれ所定量秤量し、次にこれ
らの原料を抵抗加熱炉を用いて６００℃まで加熱し溶融
した後に鋳造し、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金とした。
料Ｓｎ，Ｓｂ，Ｓｅをそれぞれ所定量秤量し、次にこれ
らの原料を抵抗加熱炉を用いて６００℃まで加熱し溶融
した後に鋳造し、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金とした。
【００２９】
【表１】
【００３０】次に、該合金を常温まで冷却し、Ａｒ雰囲
気中においてハンマーミルを用いて微粉砕し粉体とし
た。次に、この得られた粉体を金型に充填し冷間静水圧
プレス（ＣＩＰ）により１ｔｏｎ／ｃｍ2の等方圧を加
え１６０φ×６ｍｍの円筒状の成形体とした。その後Ａ
ｒ雰囲気中において３００℃で１時間保持し焼結した。
該焼結の際のＡｒ中の酸素濃度は１５００ｐｐｍ以下に
制御した。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いて上記の
加圧・成形工程と焼結工程をーつの工程で行っても同様
の焼結体を得ることができた。上記の焼結体を所定の形
状に加工した後、ボンディングにより銅板に接合し、仕
上加工を行い製品（タ−ゲット）とした。
気中においてハンマーミルを用いて微粉砕し粉体とし
た。次に、この得られた粉体を金型に充填し冷間静水圧
プレス（ＣＩＰ）により１ｔｏｎ／ｃｍ2の等方圧を加
え１６０φ×６ｍｍの円筒状の成形体とした。その後Ａ
ｒ雰囲気中において３００℃で１時間保持し焼結した。
該焼結の際のＡｒ中の酸素濃度は１５００ｐｐｍ以下に
制御した。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いて上記の
加圧・成形工程と焼結工程をーつの工程で行っても同様
の焼結体を得ることができた。上記の焼結体を所定の形
状に加工した後、ボンディングにより銅板に接合し、仕
上加工を行い製品（タ−ゲット）とした。
【００３１】次に、上記の製造方法における工程毎の含
有酸素の濃度について説明する。Ｓｎ，Ｓｂ，Ｓｅの各
原料の含有酸素の濃度は１０ｐｐｍと極めて低く、これ
らの原料を加熱溶融・鋳造して得られる３元系のＳｎ−
Ｓｂ−Ｓｅ系合金では約２０ｐｐｍ程度であった。
有酸素の濃度について説明する。Ｓｎ，Ｓｂ，Ｓｅの各
原料の含有酸素の濃度は１０ｐｐｍと極めて低く、これ
らの原料を加熱溶融・鋳造して得られる３元系のＳｎ−
Ｓｂ−Ｓｅ系合金では約２０ｐｐｍ程度であった。
【００３２】次に、Ａｒ雰囲気中においてハンマ−ミル
により粉砕して得られた粉体では１５０ｐｐｍと従来の
方法と比較して含有酸素濃度が大幅に低下していた。こ
の理由としては、鋳造によりＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金と
したことでＳｎ及びＳｅの酸化が防止され、かつ粉体に
吸着する酸素の量も極めて僅かなものとなり、粉体の含
有酸素の濃度が大幅に低下したものと考えられる。した
がって、その後の焼結体の含有酸素の濃度は高々３００
ｐｐｍと従来のものより１桁小さい値であった。
により粉砕して得られた粉体では１５０ｐｐｍと従来の
方法と比較して含有酸素濃度が大幅に低下していた。こ
の理由としては、鋳造によりＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金と
したことでＳｎ及びＳｅの酸化が防止され、かつ粉体に
吸着する酸素の量も極めて僅かなものとなり、粉体の含
有酸素の濃度が大幅に低下したものと考えられる。した
がって、その後の焼結体の含有酸素の濃度は高々３００
ｐｐｍと従来のものより１桁小さい値であった。
【００３３】最終製品のタ−ゲットの含有酸素濃度は１
００〜３００ｐｐｍの範囲に入っており、従来のタ−ゲ
ットの含有酸素濃度（２０００〜３０００ｐｐｍ）と比
べて大幅な低下であった。
００〜３００ｐｐｍの範囲に入っており、従来のタ−ゲ
ットの含有酸素濃度（２０００〜３０００ｐｐｍ）と比
べて大幅な低下であった。
【００３４】表２は、上記の製造方法によるＳｎ−Ｓｂ
−Ｓｅ系のタ−ゲット（実施例）と、従来の製造方法に
よるＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系のタ−ゲット（比較例）とを比
較したものである。
−Ｓｅ系のタ−ゲット（実施例）と、従来の製造方法に
よるＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系のタ−ゲット（比較例）とを比
較したものである。
【００３５】
【表２】
【００３６】表２から明らかな様に、この実施例のタ−
ゲットでは、比較例と比較してタ−ゲットの含有酸素濃
度及びその濃度の経時変化がいずれも小さいことがわか
る。また、該タ−ゲットを用いて成膜されたスパッタリ
ング膜の含有酸素濃度及びその濃度の経時変化も小さ
く、剪断強度も向上していることがわかる。
ゲットでは、比較例と比較してタ−ゲットの含有酸素濃
度及びその濃度の経時変化がいずれも小さいことがわか
る。また、該タ−ゲットを用いて成膜されたスパッタリ
ング膜の含有酸素濃度及びその濃度の経時変化も小さ
く、剪断強度も向上していることがわかる。
【００３７】以上説明した様に、この実施例のタ−ゲッ
トによれば、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金からなるタ−ゲッ
トとしたので、極めて均ーな合金相を得ることができ、
Ｓｅ及びＴｅの酸化を防止するとともに該タ−ゲット中
の含有酸素の濃度を低下させることができ、スパッタリ
ング膜の結晶−非晶質の相転移速度の遅延を防止するこ
とができる。
トによれば、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金からなるタ−ゲッ
トとしたので、極めて均ーな合金相を得ることができ、
Ｓｅ及びＴｅの酸化を防止するとともに該タ−ゲット中
の含有酸素の濃度を低下させることができ、スパッタリ
ング膜の結晶−非晶質の相転移速度の遅延を防止するこ
とができる。
【００３８】また、含有酸素の濃度を８００ｐｐｍ以下
としたので、低酸素濃度のスパッタリング膜を成膜する
ことができ、該膜の酸化速度を抑制することができ、該
膜及び保護膜の付着強度を高めることができる。
としたので、低酸素濃度のスパッタリング膜を成膜する
ことができ、該膜の酸化速度を抑制することができ、該
膜及び保護膜の付着強度を高めることができる。
【００３９】また、この実施例の製造方法によれば、Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｓｅの各原料を加熱溶融した後に鋳造し３元
系のＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金とし、Ａｒ雰囲気中におい
てハンマ−ミルを用いて微粉砕し粉体としたので、極め
て均ーな合金相を得ることができ、粉砕工程での酸化を
効果的に防止することができ、タ−ゲットの含有酸素の
濃度を大きく低下させることができる。
ｎ，Ｓｂ，Ｓｅの各原料を加熱溶融した後に鋳造し３元
系のＳｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系合金とし、Ａｒ雰囲気中におい
てハンマ−ミルを用いて微粉砕し粉体としたので、極め
て均ーな合金相を得ることができ、粉砕工程での酸化を
効果的に防止することができ、タ−ゲットの含有酸素の
濃度を大きく低下させることができる。
【００４０】（実施例２）まず、図２に基づき光ディス
ク用スパッタリングタ−ゲットの製造方法について説明
する。
ク用スパッタリングタ−ゲットの製造方法について説明
する。
【００４１】表３に示す組成となる様にタ−ゲットの原
料Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅをそれぞれ所定量秤量し、次にこれ
らの原料を抵抗加熱炉を用いて８００℃まで加熱し溶融
した後に鋳造し、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金とした。
料Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅをそれぞれ所定量秤量し、次にこれ
らの原料を抵抗加熱炉を用いて８００℃まで加熱し溶融
した後に鋳造し、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金とした。
【００４２】
【表３】
【００４３】次に、該合金を常温まで冷却し、Ａｒ雰囲
気中においてハンマ−ミルを用いて微粉砕し粉体とし
た。次に、この得られた粉体を金型に充填し冷間静水圧
プレス（ＣＩＰ）により１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力を加え
２１０φ×８ｍｍの円筒状の成形体とした。その後Ａｒ
雰囲気中において５００℃で１時間保持し焼結した。該
焼結の際のＡｒ中の酸素濃度は１５００ｐｐｍ以下に制
御した。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いて上記の加
圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行っても同様の
焼結体を得ることができる。上記の焼結体を所定の形状
に加工した後、ボンディングにより銅板に接合し、仕上
加工を行い製品（タ−ゲット）とした。
気中においてハンマ−ミルを用いて微粉砕し粉体とし
た。次に、この得られた粉体を金型に充填し冷間静水圧
プレス（ＣＩＰ）により１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力を加え
２１０φ×８ｍｍの円筒状の成形体とした。その後Ａｒ
雰囲気中において５００℃で１時間保持し焼結した。該
焼結の際のＡｒ中の酸素濃度は１５００ｐｐｍ以下に制
御した。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いて上記の加
圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行っても同様の
焼結体を得ることができる。上記の焼結体を所定の形状
に加工した後、ボンディングにより銅板に接合し、仕上
加工を行い製品（タ−ゲット）とした。
【００４４】次に、上記の製造方法における工程毎の含
有酸素の濃度について説明する。Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの各
原料の含有酸素の濃度は５〜１０ｐｐｍと極めて低く、
これらの原料を加熱溶融・鋳造して得られる３元系のＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金では約２０ｐｐｍ程度であった。
有酸素の濃度について説明する。Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの各
原料の含有酸素の濃度は５〜１０ｐｐｍと極めて低く、
これらの原料を加熱溶融・鋳造して得られる３元系のＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金では約２０ｐｐｍ程度であった。
【００４５】次に、Ａｒ雰囲気中においてハンマ−ミル
により粉砕して得られた粉体では２００ｐｐｍと従来の
方法と比較して含有酸素濃度が大幅に低下していた。こ
の理由としては、鋳造によりＧｅーＳｂーＴｅ系合金と
したことでＧｅ及びＴｅの酸化が防止され、かつ粉体に
吸着する酸素の量も極めて僅かなものとなり、粉体の含
有酸素の濃度が大幅に低下したものと考えられる。した
がって、その後の焼結体の含有酸素の濃度は高々４００
ｐｐｍと従来のものより１桁小さい値であった。
により粉砕して得られた粉体では２００ｐｐｍと従来の
方法と比較して含有酸素濃度が大幅に低下していた。こ
の理由としては、鋳造によりＧｅーＳｂーＴｅ系合金と
したことでＧｅ及びＴｅの酸化が防止され、かつ粉体に
吸着する酸素の量も極めて僅かなものとなり、粉体の含
有酸素の濃度が大幅に低下したものと考えられる。した
がって、その後の焼結体の含有酸素の濃度は高々４００
ｐｐｍと従来のものより１桁小さい値であった。
【００４６】最終製品のタ−ゲットの含有酸素濃度は５
０〜８００ｐｐｍの範囲に入っており、従来のタ−ゲッ
トの含有酸素濃度（２０００〜３０００ｐｐｍ）と比べ
て大幅な低下であった。
０〜８００ｐｐｍの範囲に入っており、従来のタ−ゲッ
トの含有酸素濃度（２０００〜３０００ｐｐｍ）と比べ
て大幅な低下であった。
【００４７】表４は、上記の製造方法によるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系のタ−ゲット（実施例）と、従来の製造方法に
よるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系のタ−ゲット（比較例）とを比
較したものである。
−Ｔｅ系のタ−ゲット（実施例）と、従来の製造方法に
よるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系のタ−ゲット（比較例）とを比
較したものである。
【００４８】
【表４】
【００４９】表４から明らかな様に、この実施例のタ−
ゲットでは、比較例と比較してタ−ゲットの含有酸素濃
度及びその濃度の経時変化がいずれも小さいことがわか
る。また、該タ−ゲットを用いて成膜されたスパッタリ
ング膜の含有酸素濃度及びその濃度の経時変化も小さ
く、剪断強度も向上していることがわかる。
ゲットでは、比較例と比較してタ−ゲットの含有酸素濃
度及びその濃度の経時変化がいずれも小さいことがわか
る。また、該タ−ゲットを用いて成膜されたスパッタリ
ング膜の含有酸素濃度及びその濃度の経時変化も小さ
く、剪断強度も向上していることがわかる。
【００５０】以上説明した様に、この実施例のタ−ゲッ
トにおいても、上述した実施例１と全く同様の作用・効
果を得ることができる。
トにおいても、上述した実施例１と全く同様の作用・効
果を得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載の光ディスク用スパッタリングタ−ゲットによれ
ば、Ｓｅ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素のうち１種類
以上を含むとしたので、タ−ゲットの酸化を防止すると
ともに該タ−ゲット中の含有酸素の濃度を低下させるこ
とができ、スパッタリング膜の結晶−非晶質の相転移速
度の遅延を防止することができる。また、含有酸素の濃
度を８００ｐｐｍ以下としたので、低酸素濃度のスパッ
タリング膜を成膜することができ、該膜の酸化速度を抑
制することができ、該膜及び保護膜の付着強度を高める
ことができる。
記載の光ディスク用スパッタリングタ−ゲットによれ
ば、Ｓｅ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素のうち１種類
以上を含むとしたので、タ−ゲットの酸化を防止すると
ともに該タ−ゲット中の含有酸素の濃度を低下させるこ
とができ、スパッタリング膜の結晶−非晶質の相転移速
度の遅延を防止することができる。また、含有酸素の濃
度を８００ｐｐｍ以下としたので、低酸素濃度のスパッ
タリング膜を成膜することができ、該膜の酸化速度を抑
制することができ、該膜及び保護膜の付着強度を高める
ことができる。
【００５２】また、請求項２記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットによれば、Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓ
ｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組成としたの
で、タ−ゲット中のＧｅ及びＴｅの酸化を防止するとと
もに該タ−ゲット中の含有酸素の濃度を低下させること
ができ、スパッタリング膜の結晶−非晶質の相転移速度
の遅延を防止することができる。また、含有酸素の濃度
を８００ｐｐｍ以下としたので、低酸素濃度のスパッタ
リング膜を成膜することができ、該膜の酸化速度を抑制
することができ、該膜及び保護膜の付着強度を高めるこ
とができる。
タリングタ−ゲットによれば、Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓ
ｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組成としたの
で、タ−ゲット中のＧｅ及びＴｅの酸化を防止するとと
もに該タ−ゲット中の含有酸素の濃度を低下させること
ができ、スパッタリング膜の結晶−非晶質の相転移速度
の遅延を防止することができる。また、含有酸素の濃度
を８００ｐｐｍ以下としたので、低酸素濃度のスパッタ
リング膜を成膜することができ、該膜の酸化速度を抑制
することができ、該膜及び保護膜の付着強度を高めるこ
とができる。
【００５３】また、請求項３記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットの製造方法によれば、Ｓｅ，Ｔｅの
２種類のカルコゲン元素のうち１種類以上を含む混合物
を溶融し、得られた溶融物を鋳造してカルコゲナイド系
合金とし、該合金を不活性雰囲気中において粉砕した
後、成形・焼結することとしたので、極めて均ーな合金
相を得ることができ、粉砕工程での酸化を効果的に防止
することができ、タ−ゲットの含有酸素の濃度を大きく
低下させることができる。
タリングタ−ゲットの製造方法によれば、Ｓｅ，Ｔｅの
２種類のカルコゲン元素のうち１種類以上を含む混合物
を溶融し、得られた溶融物を鋳造してカルコゲナイド系
合金とし、該合金を不活性雰囲気中において粉砕した
後、成形・焼結することとしたので、極めて均ーな合金
相を得ることができ、粉砕工程での酸化を効果的に防止
することができ、タ−ゲットの含有酸素の濃度を大きく
低下させることができる。
【００５４】また、請求項４記載の光ディスク用スパッ
タリングタ−ゲットの製造方法によれば、Ｇｅ５〜５５
重量％、Ｓｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組
成の混合物を溶融し、得られた溶融物を鋳造してＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系の合金とし、該合金を不活性雰囲気中にお
いて粉砕した後、成形・焼結することとしたので、粉砕
工程での酸化を更に効果的に防止することができ、タ−
ゲットの含有酸素の濃度を更に大きく低下させることが
できる。
タリングタ−ゲットの製造方法によれば、Ｇｅ５〜５５
重量％、Ｓｂ１０〜５０重量％、残部がＴｅよりなる組
成の混合物を溶融し、得られた溶融物を鋳造してＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系の合金とし、該合金を不活性雰囲気中にお
いて粉砕した後、成形・焼結することとしたので、粉砕
工程での酸化を更に効果的に防止することができ、タ−
ゲットの含有酸素の濃度を更に大きく低下させることが
できる。
【図１】本発明の実施例１の光ディスク用スパッタリン
グタ−ゲットの製造方法を示す工程図である。
グタ−ゲットの製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の実施例２の光ディスク用スパッタリン
グタ−ゲットの製造方法を示す工程図である。
グタ−ゲットの製造方法を示す工程図である。
【図３】従来の光ディスク用スパッタリングタ−ゲット
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｅ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素の
うち１種類以上を含み、含有酸素の濃度が８００ｐｐｍ
以下であることを特徴とする光ディスク用スパッタリン
グタ−ゲット。 - 【請求項２】 Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓｂ１０〜５０重
量％、残部がＴｅよりなる組成を有し、含有酸素の濃度
が８００ｐｐｍ以下であることを特徴とする光ディスク
用スパッタリングタ−ゲット。 - 【請求項３】 Ｓｅ，Ｔｅの２種類のカルコゲン元素の
うち１種類以上を含む混合物を溶融し、得られた溶融物
を鋳造してカルコゲナイド系合金とし、該合金を不活性
雰囲気中において粉砕した後、成形・焼結することを特
徴とする光ディスク用スパッタリングタ−ゲットの製造
方法。 - 【請求項４】 Ｇｅ５〜５５重量％、Ｓｂ１０〜５０重
量％、残部がＴｅよりなる組成の混合物を溶融し、得ら
れた溶融物を鋳造してＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ系合金とし、該
合金を不活性雰囲気中において粉砕した後、成形・焼結
することを特徴とする光ディスク用スパッタリングタ−
ゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075398A JPH0570937A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 光デイスク用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075398A JPH0570937A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 光デイスク用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570937A true JPH0570937A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=13575038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3075398A Pending JPH0570937A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 光デイスク用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570937A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19613683C2 (de) * | 1996-04-05 | 2002-10-31 | Zsw | Verwendung eines Materials für photoelektrisch aktive Halbleiterdünnschichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| WO2009107498A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 日鉱金属株式会社 | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
| US7968075B2 (en) * | 2009-03-04 | 2011-06-28 | Jun-Wen Chung | Multi-element metal chalcogenide and method for preparing the same |
| KR20160078478A (ko) | 2014-03-25 | 2016-07-04 | 제이엑스금속주식회사 | Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟 |
| CN110527960A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-03 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法 |
| WO2020105676A1 (ja) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3075398A patent/JPH0570937A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19613683C2 (de) * | 1996-04-05 | 2002-10-31 | Zsw | Verwendung eines Materials für photoelektrisch aktive Halbleiterdünnschichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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| TWI382095B (zh) * | 2009-03-04 | 2013-01-11 | Jun Wen Chung | 多元金屬硫族元素化合物之製造方法 |
| KR20160078478A (ko) | 2014-03-25 | 2016-07-04 | 제이엑스금속주식회사 | Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟 |
| US10854435B2 (en) | 2014-03-25 | 2020-12-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target of sintered Sb—Te-based alloy |
| WO2020105676A1 (ja) * | 2018-11-20 | 2020-05-28 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
| CN110527960A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-03 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法 |
| CN110527960B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-05-10 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020507 |