JPWO2009008526A1 - 電子部品の製造方法及び該方法により製造する電子部品 - Google Patents
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Abstract
本発明は素材７０や下地層７２の組成成分原子が錫含有物層７４中に拡散することなく、外力型ウィスカの抑制する電子部品の製造方法と該方法により製造する電子部品を提供する。本目的は電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、錫含有物層７４を施す前に、素材７０や下地層７２の組成成分原子が錫含有物層７４に拡散することを防止して、錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
Description
本発明は、電子機器や電気機器内に使用される電子部品に関するもので、特に電子部品に使用される金属製の端子に表面処理を施す場合に、外力が負荷された際にウィスカの発生を抑制する電子部品の製造方法に関するものである。
電子部品に用いられる端子は、通常、耐腐食性や耐久性のために表面処理が施されている。表面処理としては、まず、下地めっきを施し、その上にさらに上層めっきを施している。上層めっきとしては、端子の部分での使用用途によって適宜選択している。例えば、相手との接触部分であれば、接続安定性やコストを考慮しており、金含有物めっきや銀めっきや錫含有物めっき等が挙げられる。さらに、基板等との接続部分であれば、半田付け性や環境問題やコストを考慮しており、金含有物めっきや錫含有物めっきなどを挙げられる。
まず、ウィスカの発生を抑制する文献として、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４を例示する。
次に、多層表面処理として、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８及び特許文献９を例示する。
特開２００６−１２７９３９号公報
まず、ウィスカの発生を抑制する文献として、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４を例示する。
次に、多層表面処理として、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８及び特許文献９を例示する。
特許文献１の要約によると、鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのウィスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供することを目的とし、電気接続部分に厚さ０．２μｍ〜１．０μｍ未満の錫メッキ２を施し、錫メッキ２は、熱処理により錫メッキ２の錫と電気導体１との合金層４の比率が５０％以上となるようにし、また、錫メッキ２にビスマスを１．０％以上添加して、半田濡れ性を向上させ、下地金属として厚さ０．１μｍ〜２．０μｍのニッケルメッキ５を施して電気導体１の酸化劣化を防ぎ、さらに、錫メッキ２に封孔処理剤を塗布して、電気接続に対する信頼性を高める構造が開示されている。
特開２００４−２９２９４４号公報
特許文献２の要約によると、ウィスカの発生を防止した半導体用の電子部品金属材料を提供することを目的とし、電子部品用金属材料表面に厚さ０．５〜５μｍのＮｉメッキ、さらに、Ｃｕめっきを０．５〜５μｍ電子部品用金属材料の表面にＳｎメッキ層を施す際、下地としてＮｉを０．５〜５μｍ、さらにその上にＣｕを０．５μｍ〜５μｍ施す事を特徴とするウィスカの発生を防止した電子部品用金属材料が開示されている。
特開２００７−５３０３９号公報
特許文献３の要約によると、コネクタとフレキシブル配線基板が接合される接触部に銀を含有する錫系のめっきを施すことにより接続部に加わる外部応力に起因して発生するウィスカを抑制することができる電気コネクタの接続構造を提供すること目的とし、フレキシブル配線基板１用の電気コネクタ接合構造であって、フレキシブル配線基板１の接続部を挿入できる接続孔を有し、該接続孔より電気コネクタ６のハウジング７内部に向かって形成された端子装着空間に装着された複数の金属端子８と、隣接する金属端子８が接触しないように当該金属端子間を電気的に分離する分離壁と、フレキシブル配線基板１の接続部に電気コネクタ６の金属端子が圧接される導電層４部とを備え、導電層４部は、所定の厚さの銅パターン上に銀を含有する所定の厚さの錫層が形成される構造が開示されている。
特開２００７−１０３５８６号公報
特許文献４の要約によると、ウィスカの発生を抑制するとともに、電子部品との接続性を確保しつつ接続性のばらつきを低減することができる配線回路基板の製造方法を提供することを目的とし、ベース絶縁層ＢＩＬ上に金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン１２を形成し、配線パターン１２を覆うように無電解錫めっき層３４を形成し、ここで、配線パターン１２および錫めっき層３４に加熱処理を施す。加熱処理温度は１７５〜２２５℃とし、加熱処理時間は２〜１０分とし、加熱処理を施すことにより、銅および錫からなる混合層３５が形成され、その後、ベース絶縁層上の所定領域で配線パターン１２および錫めっき層３４を覆うようにソルダーレジストＳＯＬを形成し、次に、ソルダーレジストＳＯＬの熱硬化処理を行う構造が開示されている。
特開２００６−１６１１５５号公報
特許文献５の要約によると、マグネシウム合金上に亜鉛／銅／ニッケル／アルミニウム４層構造めっき膜を形成した場合、被めっき物の形状が複雑化した際に、ニッケルめっき膜の内部応力により、アルミニウムめっき後に被膜全体の密着性が低下すると言った課題に対し、マグネシウム合金上にマグネシウム合金側から順にニッケル／銅／アルミニウムの３層構造を有する被膜をめっき法により形成し、更に表面のアルミニウム層の一部を陽極酸化する。ニッケルめっき膜とアルミニウムめっき膜との間に応力緩和層として銅めっき膜を形成することで、ニッケルめっき膜及びアルミニウムめっき膜に発生する内部応力が緩和されるので、被膜全体の密着性は向上する構造が開示されている。
特開２００６−２９５１１４号公報
特許文献６の要約によると、電子装置用基板側からコア基板を弱い力で引き剥がせ、電極面を下面に露出させるための化学的または電気化学的溶解法または機械的研磨作業の負荷を低減でき、更にサイズを縮小できるようにした電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置およびその製造方法を提供することを目的とし、金属によるコア基板１０１上には、電子部品が搭載されるフォトソルダーレジスト（ＰＳＲ）膜１０２が形成され、このＰＳＲ膜１０２には、金によるめっき膜１０４、ニッケルによるめっき膜１０５、および金によるめっき膜１０６の３層からなる複数の金属電極１１０が、ＰＳＲ膜１０２を厚み方向に貫通するようにしてＰＳＲ膜１０２の所定位置の内部に形成され、コア基板１０１は、電子装置の製造時の最終段階で、塩化第２鉄水溶液の噴射により化学的に溶解除去される構造が開示されている。
特開２００７−９３０５号公報
特許文献７の要約によると、無電解ニッケルめっき被膜／無電解パラジウムめっき被膜／置換金めっき被膜の３層めっき被膜端子において、取り扱いが簡単な置換金めっきのみで金被膜を形成し、汎用性の高い無電解ニッケル−リンを使用しても、ワイヤーボンディング接合及びはんだボール接合の両方において優れた接合強度を有し、ランニング特性にも優れた無電解パラジウムめっき液を提供し、少なくとも、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）（ａ）パラジウム塩有機錯体（ｂ）スルフィド基を有するモノカルボン酸又はその塩（ｃ）次亜リン酸又はその塩を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液により課題を解決した。
特開２００７−８８２１１号公報
特許文献８の要約によると、リードフレームと、半導体装置の樹脂封止用樹脂との密着性が悪くならず、半導体装置の信頼性を維持させ、リードフレームにブラストなどの粗面化処理を行った３層のリードフレームの表面では粗面化処理効果が薄れずに、密着性の改善した、ワイヤーボンディング性もある、且つ鉛フリーハンダを用いた実装可能なリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とし、金属板表面上にニッケル被膜を有し、ニッケル被膜表面上にパラジウム被膜、その表面上に金被膜をその順序に設けられてなる層構成を含むリードフレームは、ニッケル被膜の層厚が均一でなく、且つパラジウム被膜、金被膜の各々の層厚が均一に形成されている鉛フリーハンダ用のリードフレームであって、その不均一の層厚のニッケル被膜は、ニッケル被膜面にウェットブラストを行い、粗面化することで封止樹脂との密着強度を向上させたリードフレームが開示されている。
特開２００７−１１５９２５号公報
特許文献９の要約によると、アウターリードピッチが小さくても確実に鉛フリーはんだと濡れ合うめっきが施されたリードフレームを提供することを目的とし、リードフレーム素材９に四層のめっきを施し、これらのめっきは最下層から順に、下地めっき（Ｎｉ）１０／パラジウムめっき１１／銀めっき１２／金めっき１３であるものが開示されている。
今まで、相手物との接触部分には、接続安定性がよいということで、金含有物めっきが用いられてきたが、コストや環境問題で、図７のように錫含有物めっきが用いられるようになってきた（仕様上、問題がない程度の接続安定性を得ることができる）。
相手物との接触部分であり、接触部分には外力が加わることになるが、図８のように錫含有物めっきでは外力が加わるとウィスカが発生してしまうと言った課題があった。ウィスカが発生すると、隣接端子間が狭い場合には、隣接端子間で短絡が起こり、接続不良の原因になる。
特許文献５から特許文献９のような多層の表面処理は開示されているものの合金やめっきの成分が最上層めっきに拡散することを防止するようなバリア中間層を施したものはない。さらに、特許文献１から特許文献４に挙げた、ウィスカ抑制方法も合金やめっきの成分が最上層めっきに拡散することを防止するバリア中間層で行っているものはない。
そこで、本発明者は、ウィスカ発生の原因を確認すべく、ウィスカ部分の分析を行った。その結果、銅合金の素材の上に、下地としてニッケルめっき（約２μｍ以上）が施され、さらに、その上に錫含有物めっき（約１．５μｍ以上）が施されていた。
図９及び図１０から、ウィスカ部分には、錫以外の成分として、銅とニッケルが含まれていることが判る。銅は素材である銅合金中の成分であり、ニッケルはニッケルめっき中の成分であり、それぞれの銅及びニッケルが錫含有物めっき中に拡散することで、ウィスカの成長を助長していると考えられる。図９（Ａ）はウィスカ発生部分を断面方向から観察した断面図（写真）であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部拡大図（写真）である。図９の図（写真）は透過電子像である。図９（Ｂ）のＹ部で覆われている点１及び点２に対してＥＤＸ（エネルギー分散型元素分析装置）にて元素分析を実施した。Ｙ部の点１は図中で黒色にみえる析出物（介在物）であり、Ｙ部の点２は析出物がない領域である。図１０（Ａ）が点１の分析結果であり、（Ｂ）が点２の分析結果である。図１０（Ａ）には、Ｚ部のように錫（Ｓｎ）の他に、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）が検出されている。しかし、点２には図１０（Ｂ）のように錫（Ｓｎ）以外は検出されていない。このことから、上記のようなことが言えることが判った。
また、図１１のようにウィスカ発生部分における根元の錫（Ｓｎ）結晶が粗大化している。これは、錫含有物層に外力が負荷された場合、錫含有物層と下地層の界面部分及び錫めっき粒界を通じて錫（Ｓｎ）原子がある方向へ拡散（粒界及び粒内拡散）し易くなり、ある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化したものと推測できる。
上述した２つの原因（銅（素材）及びニッケル（下地めっき）が錫含有物めっき中に拡散することやある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化すること）が相まって、ウィスカの発生が助長されると思料される。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、素材や下地層の組成成分原子が錫含有物層中に拡散することなく、外力型ウィスカの抑制する電子部品の製造方法と該方法により製造する電子部品を提供せんとするものである。
上記目的は、請求項１に記載したように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
また、上記目的は、請求項２記載のように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
前記バリア中間層７６とは、下地層７２の全面に施すものや下地層７２上に表面処理の金属粒子が斑点状に点在するものの両方を含む。
請求項３記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法にある。
さらに、請求項４記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１、２または３、４記載の電子部品の製造方法にある。
請求項５記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１、２または３、４、５記載の電子部品の製造方法にある。
また、請求項６記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にある。
さらに、請求項７記載の電子部品の製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にある。
また、請求項８記載の電子部品の製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にある。
さらに、請求項９に記載の電子部品は、金属の端子を用いる電子部品において、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として ０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とする電子部品にある。
以上の説明から明らかなように、本発明の電子部品の製造方法と該方法により製造した電子部品によると、次のような優れた顕著な効果が得られる。
（１）請求項１に記載したように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。
（２）請求項２記載のように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、物質が錫（Ｓｎ）と結合し易く、金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（３）請求項３記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物めっき７６１やパラジウムめっき７６５であれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる（後の図３（Ａ）を参照願います）。
さらに、前記バリア中間層７６は、金含有物及び／又はパラジウムを含有する表面処理層であることを特徴とする請求項２記載の電子部品の製造方法にしているので、錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金・銅の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）や錫−パラジウム（Ｓｎ−Ｐｄ）等金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（４）請求項４記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の付着量としては、０．０１ｍｇ／ｃｍ２あれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（５）請求項５記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の厚さとしては、０．０３μｍあれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき（後の図５を参照願います）、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（６）請求項６記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。表面処理が斑点状に点在する前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物ストライクめっき７６６やパラジウムストライクめっきであれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止できる（後の図３（Ｂ）を参照願います）。
（７）請求項７記載の電子部品の製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し（図６を参照願います。）、かつ、錫原子と安定な化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
（８）請求項８記載の電子部品の製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、純金または金基合金の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する。金基合金とは、金（Ａｕ）が５０％以上含有しているものをいう。
（９）請求項９記載の電子部品は、金属の端子を用いる電子部品において、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とする電子部品にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制でき、隣接端子間が狭い場合でも隣接端子間で短絡が発生することなく、接続不良も発生しない。
相手物との接触部分であり、接触部分には外力が加わることになるが、図８のように錫含有物めっきでは外力が加わるとウィスカが発生してしまうと言った課題があった。ウィスカが発生すると、隣接端子間が狭い場合には、隣接端子間で短絡が起こり、接続不良の原因になる。
特許文献５から特許文献９のような多層の表面処理は開示されているものの合金やめっきの成分が最上層めっきに拡散することを防止するようなバリア中間層を施したものはない。さらに、特許文献１から特許文献４に挙げた、ウィスカ抑制方法も合金やめっきの成分が最上層めっきに拡散することを防止するバリア中間層で行っているものはない。
そこで、本発明者は、ウィスカ発生の原因を確認すべく、ウィスカ部分の分析を行った。その結果、銅合金の素材の上に、下地としてニッケルめっき（約２μｍ以上）が施され、さらに、その上に錫含有物めっき（約１．５μｍ以上）が施されていた。
図９及び図１０から、ウィスカ部分には、錫以外の成分として、銅とニッケルが含まれていることが判る。銅は素材である銅合金中の成分であり、ニッケルはニッケルめっき中の成分であり、それぞれの銅及びニッケルが錫含有物めっき中に拡散することで、ウィスカの成長を助長していると考えられる。図９（Ａ）はウィスカ発生部分を断面方向から観察した断面図（写真）であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部拡大図（写真）である。図９の図（写真）は透過電子像である。図９（Ｂ）のＹ部で覆われている点１及び点２に対してＥＤＸ（エネルギー分散型元素分析装置）にて元素分析を実施した。Ｙ部の点１は図中で黒色にみえる析出物（介在物）であり、Ｙ部の点２は析出物がない領域である。図１０（Ａ）が点１の分析結果であり、（Ｂ）が点２の分析結果である。図１０（Ａ）には、Ｚ部のように錫（Ｓｎ）の他に、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）が検出されている。しかし、点２には図１０（Ｂ）のように錫（Ｓｎ）以外は検出されていない。このことから、上記のようなことが言えることが判った。
また、図１１のようにウィスカ発生部分における根元の錫（Ｓｎ）結晶が粗大化している。これは、錫含有物層に外力が負荷された場合、錫含有物層と下地層の界面部分及び錫めっき粒界を通じて錫（Ｓｎ）原子がある方向へ拡散（粒界及び粒内拡散）し易くなり、ある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化したものと推測できる。
上述した２つの原因（銅（素材）及びニッケル（下地めっき）が錫含有物めっき中に拡散することやある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化すること）が相まって、ウィスカの発生が助長されると思料される。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、素材や下地層の組成成分原子が錫含有物層中に拡散することなく、外力型ウィスカの抑制する電子部品の製造方法と該方法により製造する電子部品を提供せんとするものである。
上記目的は、請求項１に記載したように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
また、上記目的は、請求項２記載のように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
前記バリア中間層７６とは、下地層７２の全面に施すものや下地層７２上に表面処理の金属粒子が斑点状に点在するものの両方を含む。
請求項３記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法にある。
さらに、請求項４記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１、２または３、４記載の電子部品の製造方法にある。
請求項５記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１、２または３、４、５記載の電子部品の製造方法にある。
また、請求項６記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にある。
さらに、請求項７記載の電子部品の製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にある。
また、請求項８記載の電子部品の製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にある。
さらに、請求項９に記載の電子部品は、金属の端子を用いる電子部品において、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として ０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とする電子部品にある。
以上の説明から明らかなように、本発明の電子部品の製造方法と該方法により製造した電子部品によると、次のような優れた顕著な効果が得られる。
（１）請求項１に記載したように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。
（２）請求項２記載のように、電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、物質が錫（Ｓｎ）と結合し易く、金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（３）請求項３記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物めっき７６１やパラジウムめっき７６５であれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる（後の図３（Ａ）を参照願います）。
さらに、前記バリア中間層７６は、金含有物及び／又はパラジウムを含有する表面処理層であることを特徴とする請求項２記載の電子部品の製造方法にしているので、錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金・銅の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）や錫−パラジウム（Ｓｎ−Ｐｄ）等金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（４）請求項４記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の付着量としては、０．０１ｍｇ／ｃｍ２あれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（５）請求項５記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の厚さとしては、０．０３μｍあれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき（後の図５を参照願います）、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（６）請求項６記載の電子部品の製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。表面処理が斑点状に点在する前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物ストライクめっき７６６やパラジウムストライクめっきであれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止できる（後の図３（Ｂ）を参照願います）。
（７）請求項７記載の電子部品の製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し（図６を参照願います。）、かつ、錫原子と安定な化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
（８）請求項８記載の電子部品の製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の電子部品の製造方法にしているので、純金または金基合金の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する。金基合金とは、金（Ａｕ）が５０％以上含有しているものをいう。
（９）請求項９記載の電子部品は、金属の端子を用いる電子部品において、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とする電子部品にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制でき、隣接端子間が狭い場合でも隣接端子間で短絡が発生することなく、接続不良も発生しない。
図１（Ａ）は、外力によるウィスカ発生を抑制する方法のより表面処理を施した端子を使用したコネクタの斜視図である。
図１（Ｂ）は、（Ａ）のコネクタより端子を１本抜いた状態のコネクタと端子の斜視図である。
図１（Ｃ）は、コネクタをある端子部分で断面した断面図である。
図２は、コンタクトに外力が掛かる部分の本願の表面処理を表した拡大断面図である。
図３（Ａ）は、バリア中間層として金含有物めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図３（Ｂ）は、バリア中間層として金含有物ストライクめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図４（Ａ）は、バリア中間層としてパラジウムめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図４（Ｂ）は、バリア中間層として白金めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図４（Ｃ）は、バリア中間層として銀めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図５（Ａ）は、バリア中間層として金含有物めっきを使用した場合の金含有物めっきの厚さによるウィスカの発生状態を示す図面である。
図５（Ｂ）は、金含有物めっき層の厚さ違いによる、外力を負荷した場合のウィスカの合計長さを示す図面である。
図６は、金含有物めっき若しくは金含有物ストライクめっき後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
図７は、外力が掛かる部分の従来の表面処理を表した拡大断面図である。
図８は、図７のウィスカ発生状態を示す図面である。
図９（Ａ）は、ウィスカ発生部分を断面方向から観察した断面図（写真）である。
図９（Ｂ）は、（Ａ）のＸ部拡大図（写真）である。
図１０（Ａ）は、銅とニッケルが拡散した状態の点１の分析結果である。
図１０（Ｂ）は、点２の分析結果である。
図１１は、従来の表面処理に外力を負荷した後、ウィスカ発生部分の集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
図１２は、Ｃｕからなる素材上に、Ｎｉからなる下地層、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層及び錫含有物層を順次形成してなる電子部品の一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真である。
図１３（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１３（Ｂ）は、領域Ａを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
図１４（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ｂ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１４（Ｂ）は、領域Ｂを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
図１（Ｂ）は、（Ａ）のコネクタより端子を１本抜いた状態のコネクタと端子の斜視図である。
図１（Ｃ）は、コネクタをある端子部分で断面した断面図である。
図２は、コンタクトに外力が掛かる部分の本願の表面処理を表した拡大断面図である。
図３（Ａ）は、バリア中間層として金含有物めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図３（Ｂ）は、バリア中間層として金含有物ストライクめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図４（Ａ）は、バリア中間層としてパラジウムめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図４（Ｂ）は、バリア中間層として白金めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図４（Ｃ）は、バリア中間層として銀めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。
図５（Ａ）は、バリア中間層として金含有物めっきを使用した場合の金含有物めっきの厚さによるウィスカの発生状態を示す図面である。
図５（Ｂ）は、金含有物めっき層の厚さ違いによる、外力を負荷した場合のウィスカの合計長さを示す図面である。
図６は、金含有物めっき若しくは金含有物ストライクめっき後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
図７は、外力が掛かる部分の従来の表面処理を表した拡大断面図である。
図８は、図７のウィスカ発生状態を示す図面である。
図９（Ａ）は、ウィスカ発生部分を断面方向から観察した断面図（写真）である。
図９（Ｂ）は、（Ａ）のＸ部拡大図（写真）である。
図１０（Ａ）は、銅とニッケルが拡散した状態の点１の分析結果である。
図１０（Ｂ）は、点２の分析結果である。
図１１は、従来の表面処理に外力を負荷した後、ウィスカ発生部分の集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
図１２は、Ｃｕからなる素材上に、Ｎｉからなる下地層、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層及び錫含有物層を順次形成してなる電子部品の一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真である。
図１３（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１３（Ｂ）は、領域Ａを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
図１４（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ｂ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１４（Ｂ）は、領域Ｂを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
まず、従来と比較をしながら、図２から図５に基づいて、本発明の外力型ウィスカの抑制方法について説明する。図２はコンタクトに外力が掛かる部分の本願の表面処理を表した拡大断面図である。図３（Ａ）はバリア中間層として金含有物めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）はバリア中間層として金含有物ストライクめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。図４（Ａ）はバリア中間層としてパラジウムめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）はバリア中間層として白金めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。図５（Ａ）はバリア中間層として金含有物めっきを使用した場合の金含有物めっきの厚さによるウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）は金含有物めっき層の厚さ違いによる、外力を負荷した場合のウィスカの合計長さを示す図面である。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
上述したように（図９のように）、素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４に拡散することで、ウィスカの成長を助長していることがわかった。そこで、本発明者は素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４内への拡散を防止するバリア中間層７６を下地層７２と錫含有物層７４との間に施してはどうかと考えた。そこで、図２のように、素材７０（銅合金）の上に１．０〜２．０μｍの下地層表面処理７２（ニッケルめっき７２１）を施し、その上に０．０３〜０．１μｍのバリア中間層７６（金めっき７６１）を施し、最後に２．０〜３．０μｍの錫含有物層を施し、試料１とした。さらに、金含有物めっき７６１の代わりに、金含有物ストライクめっき７６６を施したものを試料１−１とした。
上記試料１にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、錫含有物層７４の直ぐ下にバリア中間層７６である金含有物めっき７６１を施せば、図３（Ａ）のようにウィスカの発生を抑制できることがわかった。さらに、上記試料１−１にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、錫含有物層７４の直ぐ下にバリア中間層７６である金含有物ストライクめっき７６６を施せば、図３（Ｂ）のようにウィスカの発生を抑制できることもわかった。ここでいう、金含有物とは、純金または金基合金（金が５０％以上含有するもの）をいう。
そこで、本発明者は、パラジウム７６５、白金７６２及び銀７６７についても同様のことを試みた。バリア中間層７６として、白金めっき７６２を施したものを試料２とし、パラジウムめっき７６５を施したものを試料４とし、銀めっき７６７を施したものを試料８とした。それぞれの試料にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、図４のようになった。つまり、図４（Ａ）のように、パラジウム７６５についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られる。一方、図４（Ｂ）及び（Ｃ）のように、白金７６２（図４（Ｂ））及び銀７６７（図４（Ｃ））についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られなかった。
図３と図４の結果からみると、ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６として好ましいのは、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６である。金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、図６のように、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫（Ｓｎ）と金（Ａｕ）の金属間化合物層を形成し、よりいっそう、素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する結果になる。
ここで、図１２は、Ｃｕからなる素材７０上に、Ｎｉからなる下地層７２を形成し、該下地層７２上に、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層７６を形成し、該バリア中間層７６上に、錫含有物層７４を形成してなる電子部品の一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真（明視野像）である。図１２に示されているように、前記バリア中間層７６と前記錫含有層７４との間には、金属間化合物層が形成されていることがわかる。そして、この金属間化合物層の一部（図１２の領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、得られたスペクトルを図１３（Ａ）に示す。その結果、前記金属間化合物層の一部は、図１３（Ａ）に示されているように、Ａｕ及びＳｎのピークが見られ、Ａｕ−Ｓｎ金属間化合物が形成されていることがわかる。また、このＡｕ−Ｓｎ金属間化合物は、図１３（Ｂ）の各元素の分布を示す表からＡｕＳｎ４（金属間化合物層１）であることが判明した。さらに、前記下地層７２（Ｎｉ）と金属間化合物層１の間（領域Ｂ）にはＡｕＳｎ２（金属間化合物層２）なる物質の存在が、ＥＤＳにより得られたスペクトル（図１４（Ａ））及び各元素の分布（図１４（Ｂ））により明らかになった。おそらく、ＡｕとＳｎが反応した際に、まず、準安定相のＡｕＳｎ２が形成され、次いで安定相のＡｕＳｎ４が形成されたためである。
次に、どの程度の金含有物めっき７６１を施せば、ウィスカの発生の抑制に効果があるかを確かめることにした。金含有物めっき７６１の厚さを変えた試料を準備し、０．０３μｍの厚さを試料５とし、０．０５μｍの厚さを試料６とし、０．１μｍの厚さを試料７とした。それぞれの試料にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、図５（Ａ）のような結果になった。○印は良好、△印はどちらともいえない、×印は不良という判定をした。図５（Ｂ）からバリア中間層７６の厚さが厚いほど、ウィスカの発生を抑制できることが判る。図５（Ｂ）は外力を負荷した場合のウィスカの合計長さを示したものである。
つまり、少なくとも金含有物めっき７６１をバリア中間層７６として、０．０３μｍ施せば、ウィスカの発生を抑制できることがはっきりした。
上記厚さの０．０３μｍは、厚さを測定できる限界であるが、図３（Ｂ）のように、表面処理が斑点状に点在する金含有物ストライクでもウィスカの発生の抑制に効果があることは判っている。そのため、限界と考えられる上記試料１−１の付着量（ｍｇ／ｍｍ２）を確認したところ０．０１ｍｇ／ｃｍ２であった。
上記のような結果から、外力型ウィスカの抑制方法としては、錫含有物層７４の下に、バリア中間層７６を施せば、ウィスカの発生を抑制できる。つまり、測定できる最低限の厚さとしては、少なくとも０．０３μｍのバリア中間層７６を施すことで、素材７０や下地層表面処理７２の原子が錫含有物層７４への拡散を防止している。ウィスカの抑制やコストや半田濡れ性を考慮すると、理想的には０．０３〜０．１μｍが望ましい。さらに、測定できない厚さ（めっきが点在する場合を含む）としては、少なくとも０．０１ｍｇ／ｃｍ２の付着量のバリア中間層７６を施すことで、素材７０や下地層表面処理７２の原子が錫含有物層７４への拡散を防止している。
図６のように、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する結果になる。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
以下で、上述した外力型ウィスカの抑制方法を用いた電子部品であるコネクタについて説明する。
図１（Ａ）は外力によるウィスカ発生を抑制する方法のより表面処理を施した端子を使用したコネクタの斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）のコネクタより端子を１本抜いた状態のコネクタと端子の斜視図であり、（Ｃ）はコネクタをある端子部分で断面した断面図である。
本実施例であるコネクタは、主にハウジング１２と回動部材１８と端子１４とを備えている。
まず、図１に基づいて、端子１４について説明する。この端子１４は金属製であり、公知技術のプレス加工によって製作されている。前記端子１４の材質としては、バネ性や導電性などが要求されるので、銅合金である黄銅やベリリウム銅やリン青銅等を挙げることができる。
前記端子１４に、外力としての負荷が掛かる部分は、図１（Ｃ）のようにＦＰＣ６４と接触するＡ部と前記回動部材１８の押圧部５４により押圧されるＢ部と前記端子１４が前記ハウジング１２へ圧入される圧入部分である。少なくとも、これらの外力としての負荷が掛かる部分には、上述したように錫含有物層７４の下に、バリア中間層７６を設ける必要がある。つまり、本実施例では、工程を考慮して、部分的にではなく、全体として、素材７０としてのリン青銅の上に下地層表面処理７２としてのニッケルめっき７２１を施し、その上にバリア中間層７６としての金含有物めっき７６１（ここでは、金以外にコバルト（Ｃｏ）が約０．３％含まれたものを使用）を施し、最後に錫含有物層７４を施している。
前記端子１４は図１（Ｂ）のように倒略Ｈ形状をし、少なくとも前記ＦＰＣ６４と接触する接触部２６（図１（Ｂ）の図面の上側）と基板等に接続する接続部４０と前記ハウジング１２に固定する固定部３８と連結支点部３０と回動部材１８によって押圧される押受部３２を備えている。前記接触部２６と前記押受部３２は板状片の第一片２２の両端に設けられ、前記押受部３２の先端には内側に突出した突出部４２が設けられ、また、一端側に前記接触部２６と対向する方向に延設された延設部３６と他端側に基板と接続する接続部４０とを有する第ニ片２４を備え、前記第一片２２と前記第二片２４はほぼ中間付近で連結支点部３０によって連結されている。前記接触部２６と前記連結支点部３０と前記接続部４０とは略クランク形状に配置されており、前記押受部３２と前記接続部４０との間で前記回動部材１８の押圧部５４が回動するようなっている。
前記接続部４０の配置位置としては、基板のランド位置や基板のパターン位置や狭スペース等を考慮して適宜設計する。本実施例では、前記端子１４の前記接続部４０は前記押受部３２と対向する側に設けている。前記接触部２６は、ＦＰＣ６４と接触し易いように凸部形状にしており、前記接続部４０は本実施例では図１のように表面実装タイプ（ＳＭＴ）にしているが、ディップタイプでも良い。前記ＦＰＣ６４の仕様によっては、前記接触部２６と対向する側にも接触部２６を設ける場合もある。即ち、２つの接触部２６、２６を設けて、前記ＦＰＣ６４を挟持するようにしてもよい。
前記連結支点部３０と前記押受部３２とは、前記ＦＰＣ６４が挿入された際に、次のような作用を果たすための部分である。前記ＦＰＣ６４が前記ハウジング１２の嵌合口２０内に挿入された後に、前記回動部材１８の押圧部５４が前記端子４の接続部４０と押受部３２との間で回動すると、前記押受部３２が押圧部５４によって押し上げられることで前記端子４の連結支点部３０の下端（図１（Ｃ）の下側）を支点にし、前記端子１４の連結支点部３０の上端が前記接触部２６側に傾くことによって、前記接触部２６が前記ＦＰＣ６４側に押圧される。前記連結支点部３０と前記押受部３２の大きさや形状は、このような作用を果たすために、適宜設計されている。また、前記端子１４の押受部３２の先端に突出部４２を設け、前記回動部材１８の押圧部５４を前記端子１４の押受部３２と接続部４０との間で回動させるとき、前記回動部材１８の係止孔５８に係合させることで、前記回動部材１８の回動に対する強い反発力に対抗することが望ましい。前記突出部４２の大きさは、このような役割を果たすことが出来れば如何なる大きさでもよく、前記回動部材１８の係止孔が引っ掛かる程度に適宜設計する。
次に、回動部材１８について説明する。この回動部材１８は電気絶縁性のプラスチックであり、公知技術の射出成形によって製作され、この材質としては寸法安定性や加工性やコスト等を考慮して適宜選択するが、一般的にはポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポリアミド（６６ＰＡ、４６ＰＡ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリカーボネート（ＰＣ）やこれらの合成材料を挙げることができる。
前記回動部材１８は主に前記ハウジング１２に回動可能に装着される軸部分と前記端子１４の押受部３２を押圧する押圧部５４と前記端子１４の突出部４２が係合する係止孔５８と操作部５６とを備えている。前記軸は、回動部材１８を回動するための支点であり、ハウジング１２の長手方向両側に回動部材１８が回動可能に適宜装着され、上述したように前記押圧部５４が回動する際に回転軸７２が変化するように前記軸と前記ハウジング１２の軸受け部との関係ではクリアランスを設けている。また、長手方向両側には、前記端子１４の押受部３２を押圧した際に回動部材１８が高さ（図面の上）方向に持ち上がらないようにするためにハウジング１２と係合するロック部が設けられている。ロック部の形状や大きさ等は、ハウジング１２に係合できれば如何なるものでもよく、上述の役割やコネクタ１０の大きさや強度等を考慮して適宜設計する。
前記回動部材１８の前記押圧部５４は、前記端子１４の押受部３２に押し付ける部分であり、その形状としては細長形状にすることが望ましく、本実施例では楕円形状をしている。このように楕円形状にすることによって、前記端子１４の押受部３２と接続部４０との間で回転させることで、押圧部５４の大きさの変化により前記端子１４の押受部３２が持ち上げられ、ＦＰＣ６４を前記端子１４の接触部２６側に押し付けている。押圧部５４の形状としては、前記端子１４の押受部３２と接続部４０との間で回転でき、長軸と短軸といった大きさの違いにより前記端子１４の押受部３２を押し上げられれば、如何なるものでもよい。前記押圧部５４の形状や大きさは、このようなことを考慮して適宜設計する。また、前記回動部材１８には、操作性を考慮して、操作部５６が設けられている。
前記回動部材１８を回動した際に、前記回動部材１８の回動に対する反発力が強い為に、前記端子１４の突出部４２が係合する係止孔５８が別個独立に設けられている。前記係止孔５８を別個独立に設けることで、前記回動部材１８の強度アップや回動時の変形を防止している。
上述した前記回動部材１８は前記ハウジング１２の嵌合口２０と反対側（前記端子１４の接続部側）に回動自在に装着されている。
最後に、ハウジング１２について説明する。このハウジング１２は電気絶縁性のプラスチックであり、公知技術の射出成形によって製作され、この材質としては寸法安定性や加工性やコスト等を考慮して適宜選択するが、一般的にはポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポリアミド（６６ＰＡ、４６ＰＡ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリカーボネート（ＰＣ）やこれらの合成材料を挙げることができる。
前記ハウジング１２には、所要数の端子１４が装着される挿入溝４８が設けられており、圧入や引っ掛け（ランス）や溶着等によって固定されている。また、前記ハウジング１２には前記ＦＰＣ６４が挿入される嵌合口２０が設けられ、前記嵌合口２０の大きさは前記ＦＰＣ６４が挿入でき、前記ＦＰＣ６４が挿入された際に前記回動部材１８で前記端子１４に押圧できるように適宜設計されている。前記ハウジング１２の長手方向両側には、前記回動部材１８の軸が回動可能に装着される軸受部が設けられている。前記軸と前記軸受けとの関係は、上述したような前記回動部材１８の押圧部５４のコンパクトな回転が可能なようにクリアランスが設けられている。この軸受部の形状や大きさは、回動部材１８の軸が回動でき、前記押圧部５４のコンパクトな回転が可能なように装着されていれば如何なるものでもよく、この役割やハウジング１２の強度や大きさ等を考慮して適宜設計する。
前記ハウジング１２には、前記端子１４の接触部２６を被覆する天井部５０が設けられている。前記天井部５０は、前記端子１４の防塵性を高めるためのものであり、その大きさや形状はこの役割や前記ハウジング１２の強度や前記回動部材１８の回動性や強度等を考慮して適宜設計する。
上述したように（図９のように）、素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４に拡散することで、ウィスカの成長を助長していることがわかった。そこで、本発明者は素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４内への拡散を防止するバリア中間層７６を下地層７２と錫含有物層７４との間に施してはどうかと考えた。そこで、図２のように、素材７０（銅合金）の上に１．０〜２．０μｍの下地層表面処理７２（ニッケルめっき７２１）を施し、その上に０．０３〜０．１μｍのバリア中間層７６（金めっき７６１）を施し、最後に２．０〜３．０μｍの錫含有物層を施し、試料１とした。さらに、金含有物めっき７６１の代わりに、金含有物ストライクめっき７６６を施したものを試料１−１とした。
上記試料１にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、錫含有物層７４の直ぐ下にバリア中間層７６である金含有物めっき７６１を施せば、図３（Ａ）のようにウィスカの発生を抑制できることがわかった。さらに、上記試料１−１にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、錫含有物層７４の直ぐ下にバリア中間層７６である金含有物ストライクめっき７６６を施せば、図３（Ｂ）のようにウィスカの発生を抑制できることもわかった。ここでいう、金含有物とは、純金または金基合金（金が５０％以上含有するもの）をいう。
そこで、本発明者は、パラジウム７６５、白金７６２及び銀７６７についても同様のことを試みた。バリア中間層７６として、白金めっき７６２を施したものを試料２とし、パラジウムめっき７６５を施したものを試料４とし、銀めっき７６７を施したものを試料８とした。それぞれの試料にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、図４のようになった。つまり、図４（Ａ）のように、パラジウム７６５についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られる。一方、図４（Ｂ）及び（Ｃ）のように、白金７６２（図４（Ｂ））及び銀７６７（図４（Ｃ））についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られなかった。
図３と図４の結果からみると、ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６として好ましいのは、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６である。金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、図６のように、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫（Ｓｎ）と金（Ａｕ）の金属間化合物層を形成し、よりいっそう、素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する結果になる。
ここで、図１２は、Ｃｕからなる素材７０上に、Ｎｉからなる下地層７２を形成し、該下地層７２上に、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層７６を形成し、該バリア中間層７６上に、錫含有物層７４を形成してなる電子部品の一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真（明視野像）である。図１２に示されているように、前記バリア中間層７６と前記錫含有層７４との間には、金属間化合物層が形成されていることがわかる。そして、この金属間化合物層の一部（図１２の領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、得られたスペクトルを図１３（Ａ）に示す。その結果、前記金属間化合物層の一部は、図１３（Ａ）に示されているように、Ａｕ及びＳｎのピークが見られ、Ａｕ−Ｓｎ金属間化合物が形成されていることがわかる。また、このＡｕ−Ｓｎ金属間化合物は、図１３（Ｂ）の各元素の分布を示す表からＡｕＳｎ４（金属間化合物層１）であることが判明した。さらに、前記下地層７２（Ｎｉ）と金属間化合物層１の間（領域Ｂ）にはＡｕＳｎ２（金属間化合物層２）なる物質の存在が、ＥＤＳにより得られたスペクトル（図１４（Ａ））及び各元素の分布（図１４（Ｂ））により明らかになった。おそらく、ＡｕとＳｎが反応した際に、まず、準安定相のＡｕＳｎ２が形成され、次いで安定相のＡｕＳｎ４が形成されたためである。
次に、どの程度の金含有物めっき７６１を施せば、ウィスカの発生の抑制に効果があるかを確かめることにした。金含有物めっき７６１の厚さを変えた試料を準備し、０．０３μｍの厚さを試料５とし、０．０５μｍの厚さを試料６とし、０．１μｍの厚さを試料７とした。それぞれの試料にジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、図５（Ａ）のような結果になった。○印は良好、△印はどちらともいえない、×印は不良という判定をした。図５（Ｂ）からバリア中間層７６の厚さが厚いほど、ウィスカの発生を抑制できることが判る。図５（Ｂ）は外力を負荷した場合のウィスカの合計長さを示したものである。
つまり、少なくとも金含有物めっき７６１をバリア中間層７６として、０．０３μｍ施せば、ウィスカの発生を抑制できることがはっきりした。
上記厚さの０．０３μｍは、厚さを測定できる限界であるが、図３（Ｂ）のように、表面処理が斑点状に点在する金含有物ストライクでもウィスカの発生の抑制に効果があることは判っている。そのため、限界と考えられる上記試料１−１の付着量（ｍｇ／ｍｍ２）を確認したところ０．０１ｍｇ／ｃｍ２であった。
上記のような結果から、外力型ウィスカの抑制方法としては、錫含有物層７４の下に、バリア中間層７６を施せば、ウィスカの発生を抑制できる。つまり、測定できる最低限の厚さとしては、少なくとも０．０３μｍのバリア中間層７６を施すことで、素材７０や下地層表面処理７２の原子が錫含有物層７４への拡散を防止している。ウィスカの抑制やコストや半田濡れ性を考慮すると、理想的には０．０３〜０．１μｍが望ましい。さらに、測定できない厚さ（めっきが点在する場合を含む）としては、少なくとも０．０１ｍｇ／ｃｍ２の付着量のバリア中間層７６を施すことで、素材７０や下地層表面処理７２の原子が錫含有物層７４への拡散を防止している。
図６のように、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する結果になる。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
以下で、上述した外力型ウィスカの抑制方法を用いた電子部品であるコネクタについて説明する。
図１（Ａ）は外力によるウィスカ発生を抑制する方法のより表面処理を施した端子を使用したコネクタの斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）のコネクタより端子を１本抜いた状態のコネクタと端子の斜視図であり、（Ｃ）はコネクタをある端子部分で断面した断面図である。
本実施例であるコネクタは、主にハウジング１２と回動部材１８と端子１４とを備えている。
まず、図１に基づいて、端子１４について説明する。この端子１４は金属製であり、公知技術のプレス加工によって製作されている。前記端子１４の材質としては、バネ性や導電性などが要求されるので、銅合金である黄銅やベリリウム銅やリン青銅等を挙げることができる。
前記端子１４に、外力としての負荷が掛かる部分は、図１（Ｃ）のようにＦＰＣ６４と接触するＡ部と前記回動部材１８の押圧部５４により押圧されるＢ部と前記端子１４が前記ハウジング１２へ圧入される圧入部分である。少なくとも、これらの外力としての負荷が掛かる部分には、上述したように錫含有物層７４の下に、バリア中間層７６を設ける必要がある。つまり、本実施例では、工程を考慮して、部分的にではなく、全体として、素材７０としてのリン青銅の上に下地層表面処理７２としてのニッケルめっき７２１を施し、その上にバリア中間層７６としての金含有物めっき７６１（ここでは、金以外にコバルト（Ｃｏ）が約０．３％含まれたものを使用）を施し、最後に錫含有物層７４を施している。
前記端子１４は図１（Ｂ）のように倒略Ｈ形状をし、少なくとも前記ＦＰＣ６４と接触する接触部２６（図１（Ｂ）の図面の上側）と基板等に接続する接続部４０と前記ハウジング１２に固定する固定部３８と連結支点部３０と回動部材１８によって押圧される押受部３２を備えている。前記接触部２６と前記押受部３２は板状片の第一片２２の両端に設けられ、前記押受部３２の先端には内側に突出した突出部４２が設けられ、また、一端側に前記接触部２６と対向する方向に延設された延設部３６と他端側に基板と接続する接続部４０とを有する第ニ片２４を備え、前記第一片２２と前記第二片２４はほぼ中間付近で連結支点部３０によって連結されている。前記接触部２６と前記連結支点部３０と前記接続部４０とは略クランク形状に配置されており、前記押受部３２と前記接続部４０との間で前記回動部材１８の押圧部５４が回動するようなっている。
前記接続部４０の配置位置としては、基板のランド位置や基板のパターン位置や狭スペース等を考慮して適宜設計する。本実施例では、前記端子１４の前記接続部４０は前記押受部３２と対向する側に設けている。前記接触部２６は、ＦＰＣ６４と接触し易いように凸部形状にしており、前記接続部４０は本実施例では図１のように表面実装タイプ（ＳＭＴ）にしているが、ディップタイプでも良い。前記ＦＰＣ６４の仕様によっては、前記接触部２６と対向する側にも接触部２６を設ける場合もある。即ち、２つの接触部２６、２６を設けて、前記ＦＰＣ６４を挟持するようにしてもよい。
前記連結支点部３０と前記押受部３２とは、前記ＦＰＣ６４が挿入された際に、次のような作用を果たすための部分である。前記ＦＰＣ６４が前記ハウジング１２の嵌合口２０内に挿入された後に、前記回動部材１８の押圧部５４が前記端子４の接続部４０と押受部３２との間で回動すると、前記押受部３２が押圧部５４によって押し上げられることで前記端子４の連結支点部３０の下端（図１（Ｃ）の下側）を支点にし、前記端子１４の連結支点部３０の上端が前記接触部２６側に傾くことによって、前記接触部２６が前記ＦＰＣ６４側に押圧される。前記連結支点部３０と前記押受部３２の大きさや形状は、このような作用を果たすために、適宜設計されている。また、前記端子１４の押受部３２の先端に突出部４２を設け、前記回動部材１８の押圧部５４を前記端子１４の押受部３２と接続部４０との間で回動させるとき、前記回動部材１８の係止孔５８に係合させることで、前記回動部材１８の回動に対する強い反発力に対抗することが望ましい。前記突出部４２の大きさは、このような役割を果たすことが出来れば如何なる大きさでもよく、前記回動部材１８の係止孔が引っ掛かる程度に適宜設計する。
次に、回動部材１８について説明する。この回動部材１８は電気絶縁性のプラスチックであり、公知技術の射出成形によって製作され、この材質としては寸法安定性や加工性やコスト等を考慮して適宜選択するが、一般的にはポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポリアミド（６６ＰＡ、４６ＰＡ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリカーボネート（ＰＣ）やこれらの合成材料を挙げることができる。
前記回動部材１８は主に前記ハウジング１２に回動可能に装着される軸部分と前記端子１４の押受部３２を押圧する押圧部５４と前記端子１４の突出部４２が係合する係止孔５８と操作部５６とを備えている。前記軸は、回動部材１８を回動するための支点であり、ハウジング１２の長手方向両側に回動部材１８が回動可能に適宜装着され、上述したように前記押圧部５４が回動する際に回転軸７２が変化するように前記軸と前記ハウジング１２の軸受け部との関係ではクリアランスを設けている。また、長手方向両側には、前記端子１４の押受部３２を押圧した際に回動部材１８が高さ（図面の上）方向に持ち上がらないようにするためにハウジング１２と係合するロック部が設けられている。ロック部の形状や大きさ等は、ハウジング１２に係合できれば如何なるものでもよく、上述の役割やコネクタ１０の大きさや強度等を考慮して適宜設計する。
前記回動部材１８の前記押圧部５４は、前記端子１４の押受部３２に押し付ける部分であり、その形状としては細長形状にすることが望ましく、本実施例では楕円形状をしている。このように楕円形状にすることによって、前記端子１４の押受部３２と接続部４０との間で回転させることで、押圧部５４の大きさの変化により前記端子１４の押受部３２が持ち上げられ、ＦＰＣ６４を前記端子１４の接触部２６側に押し付けている。押圧部５４の形状としては、前記端子１４の押受部３２と接続部４０との間で回転でき、長軸と短軸といった大きさの違いにより前記端子１４の押受部３２を押し上げられれば、如何なるものでもよい。前記押圧部５４の形状や大きさは、このようなことを考慮して適宜設計する。また、前記回動部材１８には、操作性を考慮して、操作部５６が設けられている。
前記回動部材１８を回動した際に、前記回動部材１８の回動に対する反発力が強い為に、前記端子１４の突出部４２が係合する係止孔５８が別個独立に設けられている。前記係止孔５８を別個独立に設けることで、前記回動部材１８の強度アップや回動時の変形を防止している。
上述した前記回動部材１８は前記ハウジング１２の嵌合口２０と反対側（前記端子１４の接続部側）に回動自在に装着されている。
最後に、ハウジング１２について説明する。このハウジング１２は電気絶縁性のプラスチックであり、公知技術の射出成形によって製作され、この材質としては寸法安定性や加工性やコスト等を考慮して適宜選択するが、一般的にはポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポリアミド（６６ＰＡ、４６ＰＡ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリカーボネート（ＰＣ）やこれらの合成材料を挙げることができる。
前記ハウジング１２には、所要数の端子１４が装着される挿入溝４８が設けられており、圧入や引っ掛け（ランス）や溶着等によって固定されている。また、前記ハウジング１２には前記ＦＰＣ６４が挿入される嵌合口２０が設けられ、前記嵌合口２０の大きさは前記ＦＰＣ６４が挿入でき、前記ＦＰＣ６４が挿入された際に前記回動部材１８で前記端子１４に押圧できるように適宜設計されている。前記ハウジング１２の長手方向両側には、前記回動部材１８の軸が回動可能に装着される軸受部が設けられている。前記軸と前記軸受けとの関係は、上述したような前記回動部材１８の押圧部５４のコンパクトな回転が可能なようにクリアランスが設けられている。この軸受部の形状や大きさは、回動部材１８の軸が回動でき、前記押圧部５４のコンパクトな回転が可能なように装着されていれば如何なるものでもよく、この役割やハウジング１２の強度や大きさ等を考慮して適宜設計する。
前記ハウジング１２には、前記端子１４の接触部２６を被覆する天井部５０が設けられている。前記天井部５０は、前記端子１４の防塵性を高めるためのものであり、その大きさや形状はこの役割や前記ハウジング１２の強度や前記回動部材１８の回動性や強度等を考慮して適宜設計する。
本発明の活用例としては、電気機器や電子機器内で金属製の端子を使用される電子部品に活用され、特に電子部品に使用される金属製の端子に表面処理を施す場合に、外力が負荷製造方法を提供することが可能になった。
【０００１】
本発明は、電子機器や電気機器内に使用されるコネクタに関するもので、特にコネクタに使用される金属製の端子に表面処理を施す場合に、外力が負荷された際にウィスカの発生を抑制するコネクタの製造方法に関するものである。
背景技術
コネクタ等の電子部品に用いられる端子は、通常、耐腐食性や耐久性のために表面処理が施されている。表面処理としては、まず、下地めっきを施し、その上にさらに上層めっきを施している。上層めっきとしては、端子の部分での使用用途によって適宜選択している。例えば、相手との接触部分であれば、接続安定性やコストを考慮しており、金含有物めっきや銀めっきや錫含有物めっき等が挙げられる。さらに、基板等との接続部分であれば、半田付け性や環境問題やコストを考慮しており、金含有物めっきや錫含有物めっきなどを挙げられる。
まず、ウィスカの発生を抑制する文献として、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４を例示する。
次に、多層表面処理として、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８及び特許文献９を例示する。
特許文献１ 特開２００６−１２７９３９号公報
特許文献１の要約によると、鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのウィスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供することを目的とし、電気接続部分に厚さ０．２μｍ〜１．０μｍ未満の錫メッキ２を施し、錫メッキ２は、熱処理により錫メッキ２の錫と電気導体１との合金層４の比率
本発明は、電子機器や電気機器内に使用されるコネクタに関するもので、特にコネクタに使用される金属製の端子に表面処理を施す場合に、外力が負荷された際にウィスカの発生を抑制するコネクタの製造方法に関するものである。
背景技術
コネクタ等の電子部品に用いられる端子は、通常、耐腐食性や耐久性のために表面処理が施されている。表面処理としては、まず、下地めっきを施し、その上にさらに上層めっきを施している。上層めっきとしては、端子の部分での使用用途によって適宜選択している。例えば、相手との接触部分であれば、接続安定性やコストを考慮しており、金含有物めっきや銀めっきや錫含有物めっき等が挙げられる。さらに、基板等との接続部分であれば、半田付け性や環境問題やコストを考慮しており、金含有物めっきや錫含有物めっきなどを挙げられる。
まず、ウィスカの発生を抑制する文献として、特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４を例示する。
次に、多層表面処理として、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８及び特許文献９を例示する。
特許文献１ 特開２００６−１２７９３９号公報
特許文献１の要約によると、鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのウィスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供することを目的とし、電気接続部分に厚さ０．２μｍ〜１．０μｍ未満の錫メッキ２を施し、錫メッキ２は、熱処理により錫メッキ２の錫と電気導体１との合金層４の比率
【０００６】
考えられる。図９（Ａ）はウィスカ発生部分を断面方向から観察した断面図（写真）であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部拡大図（写真）である。図９の図（写真）は透過電子像である。図９（Ｂ）のＹ部で覆われている点１及び点２に対してＥＤＸ（エネルギー分散型元素分析装置）にて元素分析を実施した。Ｙ部の点１は図中で黒色にみえる析出物（介在物）であり、Ｙ部の点２は析出物がない領域である。図１０（Ａ）が点１の分析結果であり、（Ｂ）が点２の分析結果である。図１０（Ａ）には、Ｚ部のように錫（Ｓｎ）の他に、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）が検出されている。しかし、点２には図１０（Ｂ）のように錫（Ｓｎ）以外は検出されていない。このことから、上記のようなことが言えることが判った。
また、図１１のようにウィスカ発生部分における根元の錫（Ｓｎ）結晶が粗大化している。これは、錫含有物層に外力が負荷された場合、錫含有物層と下地層の界面部分及び錫めっき粒界を通じて錫（Ｓｎ）原子がある方向へ拡散（粒界及び粒内拡散）し易くなり、ある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化したものと推測できる。
上述した２つの原因（銅（素材）及びニッケル（下地めっき）が錫含有物めっき中に拡散することやある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化すること）が相まって、ウィスカの発生が助長されると思料される。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、素材や下地層の組成成分原子が錫含有物層中に拡散することなく、外力型ウィスカの抑制するコネクタの製造方法と該方法により製造するコネクタを提供せんとするものである。
上記目的は、請求項１に記載したように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記
考えられる。図９（Ａ）はウィスカ発生部分を断面方向から観察した断面図（写真）であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部拡大図（写真）である。図９の図（写真）は透過電子像である。図９（Ｂ）のＹ部で覆われている点１及び点２に対してＥＤＸ（エネルギー分散型元素分析装置）にて元素分析を実施した。Ｙ部の点１は図中で黒色にみえる析出物（介在物）であり、Ｙ部の点２は析出物がない領域である。図１０（Ａ）が点１の分析結果であり、（Ｂ）が点２の分析結果である。図１０（Ａ）には、Ｚ部のように錫（Ｓｎ）の他に、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）が検出されている。しかし、点２には図１０（Ｂ）のように錫（Ｓｎ）以外は検出されていない。このことから、上記のようなことが言えることが判った。
また、図１１のようにウィスカ発生部分における根元の錫（Ｓｎ）結晶が粗大化している。これは、錫含有物層に外力が負荷された場合、錫含有物層と下地層の界面部分及び錫めっき粒界を通じて錫（Ｓｎ）原子がある方向へ拡散（粒界及び粒内拡散）し易くなり、ある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化したものと推測できる。
上述した２つの原因（銅（素材）及びニッケル（下地めっき）が錫含有物めっき中に拡散することやある錫（Ｓｎ）結晶粒に錫（Ｓｎ）原子の拡散が集中し、粗大化すること）が相まって、ウィスカの発生が助長されると思料される。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、素材や下地層の組成成分原子が錫含有物層中に拡散することなく、外力型ウィスカの抑制するコネクタの製造方法と該方法により製造するコネクタを提供せんとするものである。
上記目的は、請求項１に記載したように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記
【０００７】
錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
また、上記目的は、請求項２記載のように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
前記バリア中間層７６とは、下地層７２の全面に施すものや下地層７２上に表面処理の金属粒子が斑点状に点在するものの両方を含む。
また、請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とする。
さらに、請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする。
請求項５記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタの製造方法にある。
また、請求項６記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１、２又は５記載のコネクタの製造方法にある。
錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
また、上記目的は、請求項２記載のように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
前記バリア中間層７６とは、下地層７２の全面に施すものや下地層７２上に表面処理の金属粒子が斑点状に点在するものの両方を含む。
また、請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とする。
さらに、請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする。
請求項５記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタの製造方法にある。
また、請求項６記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１、２又は５記載のコネクタの製造方法にある。
【０００８】
さらに、請求項７記載のコネクタの製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項５又は６記載のコネクタの製造方法にある。
また、請求項８記載のコネクタの製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載のコネクタの製造方法にある。
さらに、請求項９に記載のコネクタは、金属の端子を用いるコネクタにおいて、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として ０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とするコネクタにある。
以上の説明から明らかなように、本発明のコネクタの製造方法と該方法により製造したコネクタによると、次のような優れた顕著な効果が得られる。
（１）請求項１に記載したように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制するこ
さらに、請求項７記載のコネクタの製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項５又は６記載のコネクタの製造方法にある。
また、請求項８記載のコネクタの製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載のコネクタの製造方法にある。
さらに、請求項９に記載のコネクタは、金属の端子を用いるコネクタにおいて、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として ０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とするコネクタにある。
以上の説明から明らかなように、本発明のコネクタの製造方法と該方法により製造したコネクタによると、次のような優れた顕著な効果が得られる。
（１）請求項１に記載したように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４に拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制するこ
【０００９】
とで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。
（２）請求項２記載のように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、物質が錫（Ｓｎ）と結合し易く、金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（３）請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とするので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物めっき７６１やパラジウムめっき７６５であれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる（後の図３（Ａ）を参照願います）。
さらに、前記バリア中間層７６は、金含有物及び／又はパラジウムを含
とで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。
（２）請求項２記載のように、コネクタの製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、前記下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有するコネクタの製造方法において、前記錫含有物層７４を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層７２と前記錫含有物層７４の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有しているので、物質が錫（Ｓｎ）と結合し易く、金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（３）請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、金含有物７６１及び／又はパラジウム７６５を含有する表面処理層であることを特徴とするので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物めっき７６１やパラジウムめっき７６５であれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる（後の図３（Ａ）を参照願います）。
さらに、前記バリア中間層７６は、金含有物及び／又はパラジウムを含
【００１０】
有する表面処理層であることを特徴とする請求項２記載のコネクタの製造方法にしているので、錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金・銅の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）や錫−パラジウム（Ｓｎ−Ｐｄ）等金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（４）請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とするので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の付着量としては、０．０１ｍｇ／ｃｍ２あれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（５）請求項５記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタの製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止するこ
有する表面処理層であることを特徴とする請求項２記載のコネクタの製造方法にしているので、錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金・銅の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）や錫−パラジウム（Ｓｎ−Ｐｄ）等金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑制する。
（４）請求項１又は２記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とするので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の付着量としては、０．０１ｍｇ／ｃｍ２あれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（５）請求項５記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタの製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、防止するこ
【００１１】
とでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の厚さとしては、０．０３μｍあれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき（後の図５を参照願います）、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（６）請求項６記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１、２又は５記載のコネクタの製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。表面処理が斑点状に点在する前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物ストライクめっき７６６やパラジウムストライクめっきであれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止できる（後の図３（Ｂ）を参照願います）。
（７）請求項７記載のコネクタの製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項５又は６記載のコネクタの製造方法にしているので、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し（図６を参照願います。）、かつ、錫原子と安定な化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑
とでウィスカの発生を抑制できる。前記バリア中間層７６の厚さとしては、０．０３μｍあれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき（後の図５を参照願います）、かつ、錫原子と安定した化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止できる。
（６）請求項６記載のコネクタの製造方法では、前記バリア中間層７６は、前記下地層７２上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１、２又は５記載のコネクタの製造方法にしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４の拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制できる。表面処理が斑点状に点在する前記バリア中間層７６の種類としては、金含有物ストライクめっき７６６やパラジウムストライクめっきであれば、十分に前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止できる（後の図３（Ｂ）を参照願います）。
（７）請求項７記載のコネクタの製造方法は、前記バリア中間層７６として、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６を施した際に、少なくとも前記錫含有物層７４の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項５又は６記載のコネクタの製造方法にしているので、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し（図６を参照願います。）、かつ、錫原子と安定な化合物を生成し易い金属（例えば、純金及び金基合金）をめっきすることによりニッケルと錫含有物めっきの界面の拡散を抑制することで錫（Ｓｎ）結晶粒の粗大化が防止でき、ウィスカの発生を抑
【００１２】
制する。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
（８）請求項８記載のコネクタの製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載のコネクタの製造方法にしているので、純金または金基合金の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する。金基合金とは、金（Ａｕ）が５０％以上含有しているものをいう。
（９）請求項９記載のコネクタは、金属の端子を用いるコネクタにおいて、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とするコネクタにしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制でき、隣接端子間が狭い場合でも隣接端子間で短絡が発生することなく、接続不良も発生しない。
図面の簡単な説明
図１（Ａ）は、外力によるウィスカ発生を抑制する方法のより表面処理を施した端子を使用したコネクタの斜視図である。
図１（Ｂ）は、（Ａ）のコネクタより端子を１本抜いた状態のコネクタと端子の斜視図である。
図１（Ｃ）は、コネクタをある端子部分で断面した断面図である。
制する。図６は、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６後に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
（８）請求項８記載のコネクタの製造方法は、前記金含有物７６１は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載のコネクタの製造方法にしているので、純金または金基合金の場合、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫と金の所謂錫−金（Ｓｎ−Ａｕ）金属間化合物層を形成し、よりいっそう、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する。金基合金とは、金（Ａｕ）が５０％以上含有しているものをいう。
（９）請求項９記載のコネクタは、金属の端子を用いるコネクタにおいて、前記端子の表面に、まず、下地層７２の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層７６を施し、最後に錫含有物層７４を施し、前記端子の素材や前記下地層７２の組成成分原子が前記錫含有物層７４へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とするコネクタにしているので、前記素材７０や前記下地層７２の組成成分原子の前記錫含有物層７４への拡散を防止でき、防止することでウィスカの発生を抑制でき、隣接端子間が狭い場合でも隣接端子間で短絡が発生することなく、接続不良も発生しない。
図面の簡単な説明
図１（Ａ）は、外力によるウィスカ発生を抑制する方法のより表面処理を施した端子を使用したコネクタの斜視図である。
図１（Ｂ）は、（Ａ）のコネクタより端子を１本抜いた状態のコネクタと端子の斜視図である。
図１（Ｃ）は、コネクタをある端子部分で断面した断面図である。
【００１４】
図１１は、従来の表面処理に外力を負荷した後、ウィスカ発生部分の集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
図１２は、Ｃｕからなる素材上に、Ｎｉからなる下地層、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層及び錫含有物層を順次形成してなるコネクタの一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真である。
図１３（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１３（Ｂ）は、領域Ａを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
図１４（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ｂ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１４（Ｂ）は、領域Ｂを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
発明を実施するための最良の形態
まず、従来と比較をしながら、図２から図５に基づいて、本発明の外力型ウィスカの抑制方法について説明する。図２はコンタクトに外力が掛かる部分の本願の表面処理を表した拡大断面図である。図３（Ａ）はバリア中間層として金含有物めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）はバリア中間層として金含有物ストライクめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。図４（Ａ）はバリア中間層としてパラジウムめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）はバリア中間層として白金めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。図５（Ａ）はバリア中間層として金含有物めっきを使用した場合の金含有物めっきの厚さによるウィスカの
図１１は、従来の表面処理に外力を負荷した後、ウィスカ発生部分の集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工後におけるめっき断面の二次イオン（ＳＩＭ）像である。
図１２は、Ｃｕからなる素材上に、Ｎｉからなる下地層、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層及び錫含有物層を順次形成してなるコネクタの一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真である。
図１３（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１３（Ｂ）は、領域Ａを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
図１４（Ａ）は、図１２中の金属間化合物層の一部（領域Ｂ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、分析して得られた回折線のピークを示したものである。
図１４（Ｂ）は、領域Ｂを、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、半定量分析して得られた各元素の分布を示す表である。
発明を実施するための最良の形態
まず、従来と比較をしながら、図２から図５に基づいて、本発明の外力型ウィスカの抑制方法について説明する。図２はコンタクトに外力が掛かる部分の本願の表面処理を表した拡大断面図である。図３（Ａ）はバリア中間層として金含有物めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）はバリア中間層として金含有物ストライクめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。図４（Ａ）はバリア中間層としてパラジウムめっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面であり、（Ｂ）はバリア中間層として白金めっきを使用した場合のウィスカの発生状態を示す図面である。図５（Ａ）はバリア中間層として金含有物めっきを使用した場合の金含有物めっきの厚さによるウィスカの
【００１６】
ジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、図４のようになった。つまり、図４（Ａ）のように、パラジウム７６５についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られる。一方、図４（Ｂ）及び（Ｃ）のように、白金７６２（図４（Ｂ））及び銀７６７（図４（Ｃ））についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られなかった。
図３と図４の結果からみると、ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６として好ましいのは、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６である。金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、図６のように、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫（Ｓｎ）と金（Ａｕ）の金属間化合物層を形成し、よりいっそう、素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する結果になる。
ここで、図１２は、Ｃｕからなる素材７０上に、Ｎｉからなる下地層７２を形成し、該下地層７２上に、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層７６を形成し、該バリア中間層７６上に、錫含有物層７４を形成してなるコネクタの一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真（明視野像）である。図１２に示されているように、前記バリア中間層７６と前記錫含有層７４との間には、金属間化合物層が形成されていることがわかる。そして、この金属間化合物層の一部（図１２の領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、得られたスペクトルを図１３（Ａ）に示す。その結果、前記金属間化合物層の一部は、図１３（Ａ）に示されているように、Ａｕ及びＳｎのピークが見られ、Ａｕ−Ｓｎ金属間化合物が形成されていることがわかる。また、このＡｕ−Ｓｎ金属間化合物は、図１３（Ｂ）の各元素の分布を示す表からＡｕＳｎ４（金属間化合物層１）であることが判明した。さらに、前記下地層７２（Ｎｉ）と金属間化合物層１の間（領域Ｂ）にはＡｕＳｎ２（金属間化合物層２）なる物質の存在が、ＥＤＳにより得られたスペクトル（図１４（Ａ））及び各元素の分布（図１４（Ｂ））により明らかになった。おそ
ジルコニア簡易荷重試験法により外力を加え、ウィスカの発生状態を確認した結果、図４のようになった。つまり、図４（Ａ）のように、パラジウム７６５についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られる。一方、図４（Ｂ）及び（Ｃ）のように、白金７６２（図４（Ｂ））及び銀７６７（図４（Ｃ））についてはウィスカの発生を抑制する効果が見られなかった。
図３と図４の結果からみると、ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６として好ましいのは、金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６である。金含有物めっき７６１若しくは金含有物ストライクめっき７６６の場合、図６のように、金（Ａｕ）が錫含有物層７４の錫（Ｓｎ）と結合し易く、錫（Ｓｎ）と金（Ａｕ）の金属間化合物層を形成し、よりいっそう、素材７０や下地層７２の原子が錫含有物層７４に拡散することを防止し、ウィスカの発生を抑制する結果になる。
ここで、図１２は、Ｃｕからなる素材７０上に、Ｎｉからなる下地層７２を形成し、該下地層７２上に、Ａｕを含有物めっきからなるバリア中間層７６を形成し、該バリア中間層７６上に、錫含有物層７４を形成してなるコネクタの一部断面を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて拡大して観察したときの写真（明視野像）である。図１２に示されているように、前記バリア中間層７６と前記錫含有層７４との間には、金属間化合物層が形成されていることがわかる。そして、この金属間化合物層の一部（図１２の領域Ａ）を、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＳ）によって、得られたスペクトルを図１３（Ａ）に示す。その結果、前記金属間化合物層の一部は、図１３（Ａ）に示されているように、Ａｕ及びＳｎのピークが見られ、Ａｕ−Ｓｎ金属間化合物が形成されていることがわかる。また、このＡｕ−Ｓｎ金属間化合物は、図１３（Ｂ）の各元素の分布を示す表からＡｕＳｎ４（金属間化合物層１）であることが判明した。さらに、前記下地層７２（Ｎｉ）と金属間化合物層１の間（領域Ｂ）にはＡｕＳｎ２（金属間化合物層２）なる物質の存在が、ＥＤＳにより得られたスペクトル（図１４（Ａ））及び各元素の分布（図１４（Ｂ））により明らかになった。おそ
【００２２】
できるように適宜設計されている。前記ハウジング１２の長手方向両側には、前記回動部材１８の軸が回動可能に装着される軸受部が設けられている。前記軸と前記軸受けとの関係は、上述したような前記回動部材１８の押圧部５４のコンパクトな回転が可能なようにクリアランスが設けられている。この軸受部の形状や大きさは、回動部材１８の軸が回動でき、前記押圧部５４のコンパクトな回転が可能なように装着されていれば如何なるものでもよく、この役割やハウジング１２の強度や大きさ等を考慮して適宜設計する。
前記ハウジング１２には、前記端子１４の接触部２６を被覆する天井部５０が設けられている。前記天井部５０は、前記端子１４の防塵性を高めるためのものであり、その大きさや形状はこの役割や前記ハウジング１２の強度や前記回動部材１８の回動性や強度等を考慮して適宜設計する。
産業上の利用可能性
本発明の活用例としては、電気機器や電子機器内で金属製の端子を使用されるコネクタに活用され、特にコネクタに使用される金属製の端子に表面処理を施す場合に、外力が負荷製造方法を提供することが可能になった。
できるように適宜設計されている。前記ハウジング１２の長手方向両側には、前記回動部材１８の軸が回動可能に装着される軸受部が設けられている。前記軸と前記軸受けとの関係は、上述したような前記回動部材１８の押圧部５４のコンパクトな回転が可能なようにクリアランスが設けられている。この軸受部の形状や大きさは、回動部材１８の軸が回動でき、前記押圧部５４のコンパクトな回転が可能なように装着されていれば如何なるものでもよく、この役割やハウジング１２の強度や大きさ等を考慮して適宜設計する。
前記ハウジング１２には、前記端子１４の接触部２６を被覆する天井部５０が設けられている。前記天井部５０は、前記端子１４の防塵性を高めるためのものであり、その大きさや形状はこの役割や前記ハウジング１２の強度や前記回動部材１８の回動性や強度等を考慮して適宜設計する。
産業上の利用可能性
本発明の活用例としては、電気機器や電子機器内で金属製の端子を使用されるコネクタに活用され、特にコネクタに使用される金属製の端子に表面処理を施す場合に、外力が負荷製造方法を提供することが可能になった。
Claims (9)
- 素材に表面処理を施す製造方法であって、
素材表面に下地層の表面処理を施す工程と、前記下地層の上方に錫含有物層の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、
前記錫含有物層を施す前に、前記素材や前記下地層の組成成分原子が前記錫含有物層に拡散することを防止して、前記錫含有物層の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層を施す工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 素材に表面処理を施す製造方法であって、
素材表面に下地層の表面処理を施す工程と、前記下地層の上方に錫含有物層の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、
前記錫含有物層を施す前に、錫原子と安定した化合物を生成し易い物質を含有する表面処理層であり、前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散する錫原子が前記物質と化合物を生成することにより拡散することを防止して、前記錫含有物層の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層を施す工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記バリア中間層は、金含有物及び／又はパラジウムを含有する表面処理層であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品の製造方法。
- 前記バリア中間層は、表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電子部品の製造方法。
- 前記バリア中間層は、表面処理の厚さが０．０３μｍ以上であることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の電子部品の製造方法。
- 前記バリア中間層は、前記下地層上に、表面処理の金属粒子が斑点状の点在状態になるように施すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の電子部品の製造方法。
- 前記バリア中間層として、金含有物めっき若しくは金含有物ストライクめっきを施した際に、少なくとも前記錫含有物層の界面部分に、錫と金の金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の電子部品の製造方法。
- 前記金含有物は、純金または金基合金であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の電子部品の製造方法。
- 金属の端子を用いる電子部品において、
前記端子の表面に、まず、下地層の表面処理を施し、次に表面処理の付着量として０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上のバリア中間層を施し、最後に錫含有物層を施し、前記端子の素材や前記下地層の組成成分原子が前記錫含有物層へ拡散すること及び錫原子が前記下地層と前記錫含有物層の界面で拡散することを防止することで、前記錫含有物層の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制することを特徴とする電子部品。
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