JPWO2008007706A1 - ガスセンサ及び窒素酸化物センサ - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1−1に係るガスセンサ1は、図1に示すように、ZrO2等の酸素イオン導伝性固体電解質を用いたセラミックスによりなる例えば6枚の固体電解質層12a〜12fが積層されて構成されたセンサ素子14を有する。
図4に本発明の実施の形態1−2に係るガスセンサを示す。実施の形態1−2においては、第1の拡散抵抗部26、第2の拡散抵抗部27、第3の拡散抵抗部28は、スリットとして形成され、有害物質トラップ層は、拡散抵抗部26,27,28のスリット30a,30bで形成されたガス流通部に形成されている。
図6に実施の形態1−3を示す。図6に示す実施の形態においては、有害物質トラップ層5は、外部空間から内部空所へと被測定ガスを導入するガス導入口22と、拡散抵抗部26,27間に形成された緩衝空間23とに形成されている。それぞれの場所に形成された有害物質トラップ層5は、ガス流通部に充填する形で形成されている。
さらに、図7に実施の形態1−4を示す。実施の形態1−4においては、第1の拡散抵抗部26、第2の拡散抵抗部27、第3の拡散抵抗部28は、スリットとして形成され、有害物質トラップ層5は、拡散抵抗部のスリットで形成されたガス流通部に充填する形で形成されている。図7に示すように、有害物質トラップ層5は、スリットにおけるガス流通部を形成する隔壁、より具体的には、第2固体電解質層12fの下面と、スリット間隔壁部30kの上面との間に、第1固体電解質層12dの上面とスリット間隔壁部30kの下面との間に形成されている。この場合において、ガス流通部は、間隙が残存しないように有害物質トラップ層5が形成されている。
次に、実施の形態2に係るガスセンサ1について図8を参照しながら説明する。なお、図1と対応するものについては同符号を付してその重複説明を省略する。
Claims (30)
- 外部空間における被測定ガス中の被測定ガス成分の量を測定するガスセンサであって、
前記外部空間に接する固体電解質と、
その固体電解質内部に形成された内部空所と、
前記外部空間からガス導入口を介して所定の拡散抵抗の基に前記被測定ガスを導入するための拡散抵抗部と、
前記内部空所の内外に形成された内側ポンプ電極と外側ポンプ電極を有し、かつ、前記外部空間から導入された前記被測定ガスに含まれる酸素を前記電極間に印加される制御電圧に基づいてポンピング処理するポンプ手段と、
前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる所定ガス成分を分解させ、その分解によって発生した酸素に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定する検出電極を有するガス成分測定手段と、
そのガス成分測定手段の前記検出電極を覆うように形成された多孔質検出電極保護層と、
前記固体電解質内部の前記被測定ガスが流通するガス流通部の、前記検出電極から離れた上流側に、有害物質をトラップする多孔質体によって形成された有害物質トラップ層と、
を備えるガスセンサ。 - 前記有害物質トラップ層が形成された前記ガス流通部のトラップ形成領域おいて、そのトラップ形成領域に前記有害物質トラップ層が形成されない場合の前記被測定ガスの80%以上の流量が通過可能に前記有害物質トラップ層が形成された請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、アルミナ、ジルコニア、マグネシウムアルミニウムスピネルのいずれかによって形成された請求項1または2に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、前記外部空間から前記内部空所へと前記被測定ガスを導入するガス導入口に形成された請求項1ないし3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記拡散抵抗部は複数設けられ、その拡散抵抗部間に前記有害物質トラップ層が形成された請求項1ないし4のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記拡散抵抗部は、スリットで形成され、前記有害物質トラップ層は、前記拡散抵抗部の前記スリットで形成されたガス流通部に形成された請求項1ないし3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、前記ガス流通部の隔壁部に形成された請求項1ないし6のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、気孔率が10%以上70%以下のアルミナ多孔質体によって形成された請求項7に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層のガス流通方向の長さは、前記ガス流通部の厚みに対し2倍以上の長さに構成された請求項7または8に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層の厚みは、前記ガス流通部の厚みに対し1/10以上の厚みに構成された請求項7ないし9のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、前記ガス流通部に充填する形で形成された請求項1ないし6のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、気孔率が40%以上80%以下のアルミナ多孔質体によって形成された請求項11に記載のガスセンサ。
- 前記有害物質トラップ層は、Si,P,Zn,Ca,Mgの少なくともいずれかをトラップする請求項1ないし12のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記ガス成分測定手段は、前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス成分中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び電気分解の少なくとも一方により分解させ、その分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段として構成され、
前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって前記測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定する請求項1ないし13のいずれか1項に記載のガスセンサ。 - 前記ガス成分測定手段は、前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用により分解させ、その分解によって発生した酸素の量と基準ガスに含まれる酸素の量との差に応じた起電力を発生する酸素分圧検出手段として構成され、
前記酸素分圧検出手段にて検出された起電力に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定する請求項1ないし13のいずれか1項に記載のガスセンサ。 - 外部空間における被測定ガス中の窒素酸化物成分の量を測定する窒素酸化物センサであって、
前記外部空間に接する酸素イオン伝導性固体電解質からなる基体と、
前記固体電解質内に形成され、前記外部空間と連通した第1の内部空所と、
所定の拡散抵抗の下に前記被測定ガスを前記第1の内部空所へ導入するためのスリットで形成された上流側拡散抵抗部と、
前記第1の内部空所内外に形成された第1の内側ポンプ電極と第1の外側ポンプ電極を有し、かつ、前記外部空間から導入された前記被測定ガスに含まれる酸素を前記電極間に印加される制御電圧に基づいてポンピング処理して、前記第1の内部空所内の酸素分圧を実質的にNOが分解され得ない所定の値に制御するポンプ手段と、
前記第1の内部空所と連通した第2の内部空所と、
所定の拡散抵抗の下に前記第1の内部空所内でポンピング処理された雰囲気を前記第2の内部空所へ導入するためのスリットで形成された下流側拡散抵抗部と、
前記第2の内部空所内外に形成された第2の内側ポンプ電極と第2の外側ポンプ電極を有し、かつ、前記第1の内部空所から導入された前記雰囲気中に含まれるNOを触媒作用及び電気分解の少なくともいずれか一方により分解させ、その分解によって発生した酸素に基づいて、前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定するための検出電極を有するガス成分測定手段と、
そのガス成分測定手段の前記検出電極を覆うように形成された多孔質検出電極保護層と、
前記固体電解質内部の被測定ガスが流通するガス流通部の、前記検出電極から離れた上流側に、有害物質をトラップする多孔質体によって形成された有害物質トラップ層と、
を備える窒素酸化物センサ。 - 前記有害物質トラップ層が形成された前記ガス流通部のトラップ形成領域おいて、そのトラップ形成領域に前記有害物質トラップ層が形成されない場合の前記被測定ガスの80%以上の流量が通過可能に前記有害物質トラップ層が形成された請求項16に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、アルミナ、ジルコニア、マグネシウムアルミニウムスピネルのいずれかによって形成された請求項16または17に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、前記外部空間から前記第1の内部空所へと前記被測定ガスを導入するガス導入口に形成された請求項16ないし18のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記拡散抵抗部は複数設けられ、その拡散抵抗部間に前記有害物質トラップ層が形成された請求項16ないし19のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記拡散抵抗部は、スリットで形成され、前記有害物質トラップ層は、前記拡散抵抗部の前記スリットで形成されたガス流通部に形成された請求項16ないし18のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、前記ガス流通部の隔壁部に形成された請求項16ないし21のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、気孔率が10%以上70%以下のアルミナ多孔質体によって形成された請求項22に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層のガス流通方向の長さは、前記ガス流通部の厚みに対し2倍以上の長さに構成された請求項22または23に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層の厚みは、前記ガス流通部の厚みに対し1/10以上の厚みに構成された請求項22ないし24のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、前記ガス流通部に充填する形で形成された請求項16ないし21のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、気孔率が40%以上80%以下のアルミナ多孔質体によって形成された請求項26に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記有害物質トラップ層は、Si,P,Zn,Ca,Mgの少なくともいずれかをトラップする請求項16ないし27のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
- 前記ガス成分測定手段は、前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス成分中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び電気分解の少なくとも一方により分解させ、その分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段として構成され、
前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって前記測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定する請求項16ないし28のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。 - 前記ガス成分測定手段は、前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用により分解させ、その分解によって発生した酸素の量と基準ガスに含まれる酸素の量との差に応じた起電力を発生する酸素分圧検出手段として構成され、
前記酸素分圧検出手段にて検出された起電力に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定する請求項16ないし28のいずれか1項に記載の窒素酸化物センサ。
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