JPWO2008004307A1 - 穴あけ加工方法、基板の製造方法、および電子部品の製造方法 - Google Patents

穴あけ加工方法、基板の製造方法、および電子部品の製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、光ビームを照射することにより加工対象物に穴あけ加工を施す穴あけ加工方法であり、介在物質を介在させて加工対象物にダミー板を重ね合わせる重ね合わせ過程と、ダミー板が重ね合わされた後の加工対象物に穴あけ加工用の光ビームを照射するビーム照射過程と、光ビームが照射された後の加工対象物からダミー板および介在物質を除去する除去過程とを備える。穴周辺の欠けや剥離を加工対象物ではなくダミー板で発生させることができるうえ、介在物質によってダミー板と加工対象物との溶着が回避されるため、ダミー板を除去する際に加工対象物の穴の形状が損なわれてしまう不具合も防止することができる。

Description

本発明は、光ビームを照射することにより加工対象物に穴あけ加工を施す穴あけ加工方法、基板を製造する製造方法、および電子部品を製造する製造方法に関する。
近年、電子素子部品の超微細化を目指すマイクロエレクトロニクスの研究開発がさかんに行われている。マイクロエレクトロニクスは、ガラスなどで構成された絶縁基板上にμmオーダーの電子構造を3次元的に作り込む技術であり、絶縁基板上に直径が数μm程度のスルーホールを多数設け、それらスルーホールに金属等を充填することによって、複数の高密度回路を確実に相互接続することが求められる。
ガラス等に穴をあける方法としては、酸などを使って対象物を溶解する方法や、光ビームを照射して対象物に穴をあける方法などが知られているが、処理速度が優れているという点から、光ビームを使った穴あけ加工方法が広く利用されている。以下では、光ビームを使った穴あけ加工方法について詳しく説明する。
図1は、光ビームを使った穴あけ加工方法の原理を説明するための図である。
穴あけ加工の対象物であるガラス10に光ビームLを照射すると、その光ビームLのエネルギーがガラス10の表面10Aで吸収され、エネルギーを得たガラス10の分子が爆発的に飛散する(アブレーション現象)。その結果、ガラス10の表面10Aが徐々に削られていき、貫通孔11が掘り進められていく。
ここで、光ビームを使って対象物に細く深い(高アスペクト比を有する)貫通孔をあける場合、対象物を掘り進める間に光ビームが損失していくうえ、一旦、対象物が貫通すると、その後に照射された光ビームは貫通孔から抜け出てしまって、対象物が掘削されなくなってしまう。その結果、図1に示すように、光ビームLによってガラス10にあけられた貫通孔11は、光ビームLの照射側(表面10A側)の穴径r1よりも光ビームLの貫通側(裏面10B側)の穴径r2の方が小さく、先細り形状となってしまう。このように、対象物の表面から裏面まで均一な大きさの貫通孔を掘削することは、大変困難な作業であるという問題がある。
また、ガラスのような脆弱な対象物に光ビームで加工を施すと、その加工部分の周囲に割れや欠け(チッピング)が発生し、加工部分の形状を損ねてしまうことがある。さらに、対象物に穴をあける場合、光ビームが集光されたビームウェストの中央部分では穴あけ加工が進められるが、その周囲部分では、光エネルギーが対象物に吸収されて加熱されたり、穴あけ加工によって発生してビームウェストの中央部分から伝達してきた熱によって加熱され、穴あけ加工後に急冷されることによって、ひび割れ等が生じてしまう恐れがある。
図2は、図1に示す穴あけ加工方法によって対象物にあけられた貫通孔の形状を示す図である。
図2(A)には、ガラス10を表面10A側から見たときの図が示されており、図2(B)には、ガラス10の裏面10B側から見たときの図が示されている。ガラス10にあけられた貫通孔11は、表面10A側の穴径(約20μm)に対して裏面10B側の穴径(約5μm)が小さく、さらに、貫通孔11の周囲に、欠け11A,11Cや剥離11B,11Dが生じてしまっている。
この点に関し、特許文献1および特許文献2には、対象物にダミー板を重ねてから光ビームを照射する技術について記載されている。対象物にダミー板が重ねられることによって、図2に示す欠け11A,11Cや剥離11B,11Dといった不具合を、対象物ではなくダミー板で発生させることができ、対象物が貫通した後もダミー板の掘削が続けられるため、対象物にあけられる貫通孔の先細りを軽減することができる。
特開平6−335789号公報 特開2002−28799号公報
しかし、複数枚のガラス等を重ね合わせてから光ビームを照射する場合、以下に示すような不具合が生じる恐れがある。
図3は、複数枚のガラスを重ねてから光ビームを照射する穴あけ加工方法を説明するための図である。
図3(A)に示すように、2枚のガラス21,22を重ね合わせてから光ビームLを照射すると、上側のガラス21に貫通孔があけられた後も、下側のガラス22の掘削が続けられるため、上側のガラス21に均一な穴径の貫通孔をあけることができる。しかし、光ビームLでガラス21,22に穴をあける場合、その穴あけ加工部分が高温に加熱されるため、ガラス21,22が溶融して溶着してしまう恐れがある。このように溶着されたガラス21,22を剥がすと、図3(B)に示すように、ガラス21,22にあけられた貫通孔の周辺に凹部21A,22Aや凸部21B,22Bが形成されてしまい、結局は貫通孔の形状が損なわれてしまうという問題がある。
また、図3に示す穴あけ加工方法を適用して基板に貫通孔をあけ、形状が損なわれてしまった貫通孔に導電材を充填して配線化すると、基板の表裏面における貫通孔の穴径の寸法差が導電材の断面積の差となり、電気抵抗が増加してしまう。また、基板に貫通孔をあけてその内部を充填させ、基板を圧力差のある空間の隔壁に使用する場合、貫通孔の周辺に微小な欠けや割れが生じていると、その隙間から気体が流入/流出してしまい、隔壁としての役割を担うことができなくなってしまう。
尚、上述した問題は、ガラスに貫通孔を設ける場合のみに限らず、破損しやすい対象物に穴あけ加工処理を施す場合に一般的に当てはまるものである。
本発明は、上記事情に鑑み、穴周辺の欠けや割れなどを回避して、加工対象物に穴あけ加工を施すことができる穴あけ加工方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の穴あけ加工方法は、光ビームを照射することにより加工対象物に穴あけ加工を施す穴あけ加工方法において、
加工対象物に、ダミー板を、加工対象物にダミー板を付着させるための介在物質を介在させて重ね合わせる重ね合わせ過程と、
ダミー板が重ね合わされた後の加工対象物に穴あけ加工用の光ビームを照射するビーム照射過程と、
光ビームが照射された後の加工対象物からダミー板および介在物質を除去する除去過程とを備えたことを特徴とする。
本発明の穴あけ加工方法によると、加工対象物とダミー板とが介在物質を介在させて重ね合わされ、加工対象物に光ビームが照射されて穴あけ加工が施された後、ダミー板や介在物質が除去される。このため、穴あけ加工時の振動や熱などによる穴周辺の欠けや剥離を加工対象物ではなくダミー板で発生させることができるうえ、介在物質によってダミー板と加工対象物との溶着が回避されるため、ダミー板を除去する際に加工対象物の穴の形状が損なわれてしまう不具合も防止することができる。
尚、本発明にいう加工対象物とダミー板とは、相互に異なる材料で構成されたものであってもよい。
また、本発明の穴あけ加工方法において、上記重ね合わせ過程は、ダミー板を、加工対象物の、光ビーム照射側の面に重ね合わせる過程であることが好ましい。
加工対象物の、光ビーム照射側の面にダミー板が重ね合わされることによって、加工対象物にあけられた穴の周辺が欠けてしまう不具合を防止することができる。
また、本発明の穴あけ加工方法において、この穴あけ加工方法は、加工対象物に貫通孔を形成する穴あけ加工方法であって、
上記重ね合わせ過程は、ダミー板を、加工対象物の、光ビーム貫通側の面に重ね合わせる過程であることが好ましい。
加工対象物の、光ビーム貫通側の面にダミー板が重ね合わされることによって、光ビーム照射側から光ビーム貫通側まで均一な大きさの貫通孔をあけることができる。
また、本発明の穴あけ加工方法において、この穴あけ加工方法は、加工対象物に貫通孔を形成する穴あけ加工方法であって、
上記重ね合わせ過程は、加工対象物の、光ビーム照射側の面と光ビーム貫通側の面の双方に各ダミー板を重ね合わせる過程であることがさらに好ましい。
加工対象物の、光ビーム照射側の面と光ビーム貫通側の面の双方にダミー板が重ね合わされることによって、欠けや剥離などが生じておらず、穴径が均一な貫通孔をあけることができる。
また、本発明の穴あけ加工方法において、上記重ね合わせ過程は、介在物質として液体を用いる過程であることが好ましい。
介在物質として液体が用いられることによって、加工対象物とダミー板との間にムラなく介在物質を塗布することができ、穴周辺の欠けなどを確実に回避することができる。
また、本発明の穴あけ加工方法において、上記重ね合わせ過程は、介在物質として硬化性の液状の介在物質を用い、加工対象物にダミー板を重ね合わせた後に介在物質を硬化させる過程であることが好適である。
本発明の好適な穴あけ加工方法によると、加工対象物とダミー板とを確実に密着させることができ、ダミー板を加工対象物から除去する際に、加工対象物にあけられた穴の周囲が破損してしまう不具合を確実に回避することができる。
また、上記目的を達成する本発明の基板の製造方法は、スルーホールを有する基板の製造方法において、
基板上に介在部材を配置する工程と、介在部材の上にダミー板を配置する工程と、
ダミー板が配置された側から、基板に向けて光ビームを照射する工程と、
光ビーム照射によりスルーホールが形成された基板から、ダミー板及び介在部材を取り除く工程と、を有することを特徴とする。
本発明の基板の製造方法によると、穴の形状を損なわずに、基板上にスルーホールを形成することができる。
また、本発明の基板の製造方法において、上記介在部材は、基板とダミー板とを密着させることが好ましい。
基板とダミー板とを介在部材で密着させることによって、基板とダミー板とがずれてしまう不具合を防止し、穴周辺の欠けなどを確実に回避することができる。
また、本発明の基板の製造方法において、上記介在部材は流動性を備えることが好ましい。
流動性を有する介在部材が用いられることによって、加工対象物とダミー板との間にムラなく介在部材を塗布することができる。
また、本発明の基板の製造方法において、上記介在部材は、常温では固体であり、加熱によって流動性を表出することが好適である。
本発明の好適な基板の製造方法によると、加工対象物とダミー板とを確実に密着させることができるうえ、ダミー板を加工対象物から除去する際に、加工対象物にあけられた穴の周囲が破損してしまう不具合を確実に回避することができる。
また、上記目的を達成する本発明の電子部品の製造方法は、基板に形成されているスルーホール内に導体が充填された電子部品の製造方法において、
基板上に介在部材を配置する工程と、
介在部材の上にダミー板を配置する工程と、
ダミー板が配置された側から、基板に向けて光ビームを照射してスルーホールを形成する工程と、
基板から、前記ダミー板及び前記介在部材を取り除く工程と、
スルーホールに導体を充填する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の電子部品の製造方法によると、基板上にμmオーダーのスルーホールを精度良く形成することができる。
また、上記目的を達成する本発明の基板の製造方法は、貫通穴を有する基板の製造方法において、
基板の第一の面に、基板と密着するように第一のダミー板を配置する工程と、
基板の第二の面に、基板と密着するように第二のダミー板を配置する工程と、
第一のダミー板側から、ダミー板に向けてレーザ光を照射して、第二のダミー板にレーザ光が達するように前記基板に貫通穴を形成する工程と、
スルーホールが形成された基板から、ダミー板を取り除く工程とを有することを特徴とする。
本発明の基板の製造方法によると、基板に穴径が均一な貫通孔をあけることができる。
本発明によれば、欠けや割れなどを回避して加工対象物に穴あけ加工を施すことができる。
光ビームを使った穴あけ加工方法の原理を説明するための図である。 図1に示す穴あけ加工方法によって対象物にあけられた貫通孔の形状を示す図である。 複数枚のガラスを重ねてから光ビームを照射する穴あけ加工方法を説明するための図である。 本発明の一実施形態が適用された穴あけ加工処理の流れを示すフローチャートである。 図4のステップS1〜ステップS7に示す前処理の流れを説明するための図である。 図4のステップS8およびステップS9に示す本処理の流れを説明するための図である。 穴あけ処理が施されたワークの拡大図である。 第2実施形態の穴あけ加工処理において、レーザ光を照射する過程を説明するための図である。

以下図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図4は、本発明の一実施形態が適用された穴あけ加工処理の流れを示すフローチャートである。
図4に示す穴あけ加工処理は、レーザ光を照射してガラスなどの対象物を掘削し、穴あけ加工の対象物であるワークに貫通孔をあけるものである。まず、ワークにレーザ光を照射する前に、穴あけ加工による破損などを回避するための前処理が行われる(図4のステップS1〜ステップS7)。
図5は、図4のステップS1〜ステップS7に示す前処理の流れを説明するための図である。
前処理を実行するための前処理システムは、設置台210、加熱器220、噴射器230、加圧器240、冷却器250などで構成されている。
まず、設置台210上にワーク100が配置される(図4のステップS1)。本実施形態では、ワーク100として、厚さ0.5mmのパイレックスガラス(登録商標)が適用される。ワーク100は、本発明にいう加工対象物の一例に相当する。
続いて、加熱器220によって、設置台210上のワーク100が加熱され、噴射器230から密着剤110が噴射されて、密着剤110がワーク100上に塗布される(図4のステップS2)。本実施形態では、密着剤110として、高温では液体、常温では固体の状態を有するワックスが適用される。密着剤110は、本発明にいう介在物質の一例に相当する。この時点においては、ワーク100が高温に加熱されているため、液状の密着剤110がワーク100上に均一に塗布される。
密着剤110が塗布されると、ワーク100上にダミー板120が重ねられ(図4のステップS3)、加圧器240によってダミー板120がワーク100に押し付けられる。その結果、密着剤110を介在させて、ワーク100にダミー板120が密着される(図4のステップS4)。本実施形態では、ダミー板120として、厚さ0.1mmの白板ガラスが適用される。ダミー板120は、本発明にいうダミー板の一例に相当する。
ワーク100の表面にダミー板120が密着されると(図4のステップS5:No)、ワーク100が裏返され(図4のステップS6)、今度はワーク100の裏面に対して、密着剤110が塗布され(図4のステップS2)、ダミー板120が重ねられ(図4のステップS3)、ダミー板120が密着される(図4のステップS4)。
ワーク100の表裏面にダミー板120が密着されると(図4のステップS5:Yes)、冷却器250によってワーク100が冷却される。その結果、密着剤110が固化されて、ワーク100にダミー板120が確実に固定される(図4のステップS7)。
以上のようにして、ワーク100の表裏面それぞれに、密着剤110を介してダミー板120が密着される。図5で説明した前処理は、本発明にいう重ね合わせ過程の一例に相当する。
尚、本実施形態では、ワーク100上に密着剤110が塗布される時点では、密着剤110は液状であるため、ワーク100上に密着剤110をムラなく塗布することができる。また、ワーク100とダミー板120とを密着させた後で、密着剤110を冷却して固化することにより、ワーク100とダミー板120とを確実に固定することができる。
前処理が終了し、ワーク100の両面にダミー板120が密着されると(図4のステップS7)、穴あけ加工の本処理が開始される(図4のステップS8、ステップS9)。
図6は、図4のステップS8およびステップS9に示す本処理の流れを説明するための図である。
本処理を実行するための本処理システムは、レーザ照射器260、移動台270、および洗浄槽280などで構成されている。
まず、ダミー板120が重ねられたワーク100が移動台270上に配置される。
続いて、レーザ照射器260からレーザ光Lが照射されるとともに、ワーク100上の穴あけ位置がレーザ照射器260の下にくるように移動台270が移動することにより、ワーク100に穴あけ処理が施される(図4のステップS8)。
図7は、穴あけ処理が施されたワーク100の拡大図である。
図7に示すように、レーザ光Lが照射されることにより、まずは上のダミー板120が貫通され、続いてワーク100が貫通される。ワーク100が貫通された後も、レーザ光Lは下のダミー板120を掘削し続けるため、ワーク100に均一な大きさの貫通孔100aをあけることができる。尚、本実施形態では、レーザ光Lとして波長が400nm以下である紫外線を使用し、ワーク100に、レーザ光照射側の穴径r1が約20μm、レーザ光貫通側の穴径r2が約19μmの貫通孔100aを形成することができた。
また、レーザ光Lがダミー板120に照射されると、レーザ光Lの高エネルギー部分はダミー板120に穴あけ処理を施し、穴あけ処理のレベルにまで達していない低エネルギー部分はそのままダミー板120に吸収される。ダミー板120が貫通すると、レーザ光Lの高エネルギー部分はワーク100を掘削し始めるが、レーザ光Lの低エネルギー部分は、ダミー板120で吸収されることによってワーク100には直接照射されないため、ワーク100の表面が加熱されてしまって、貫通孔100aの周囲に割れや欠けが生じてしまう不具合が防止される。
このように、本実施形態によると、穴あけ処理時の振動や発熱による欠け120aなどを、ワーク100ではなく、ダミー板120で発生させることができ、さらに、ワーク100とダミー板120との間に密着剤110が介在しているため、ワーク100とダミー板120との溶着を回避することができる。
ワーク100に貫通孔100aがあけられ、移動台270が移動してレーザ光Lの照射位置が変更される処理が続けられると、図6のステップS8´に示すように、ワーク100に複数の貫通孔100aが形成される。ワーク100にレーザ光Lを照射して貫通孔100aをあけるステップS8の処理は、本発明にいうビーム照射過程の一例に相当する。
続いて、ワーク100が洗浄槽280内に浸漬される。
洗浄槽280には、密着剤110を溶解する洗浄液281(例えば、有機溶剤など)が収容されている。ワーク100が洗浄槽280に浸漬されると、密着剤110が溶解されて、ワーク100からダミー板120が除去される(図4のステップS9)。このダミー板120がワーク100から除去されるステップS9の処理は、本発明にいう除去過程の一例に相当する。本実施形態では、密着剤110によって、ワーク100とダミー板120との溶着が回避されているため、図6のステップS9´に示すように、ダミー板120が除去されたワーク100の貫通孔100aは、欠けや剥離などが生じておらず、均一な穴径を有している。
以上のように、本実施形態によると、破損しやすいガラスなどにも、欠けや破損などが生じていない均一な穴径の貫通孔をあけることができる。
ここで、ワーク100に穴あけ加工を施すためのエネルギーに対し、ダミー板120に穴をあけるのに要するエネルギーが低い場合、ダミー板120は、必要以上の過剰なエネルギーが与えられることによって大きなダメージを受け、そのダメージがワーク100やその貫通孔100aにまで及んでしまう恐れがある。このような不具合を解決する方法として、ダミー板120の厚さを調整することが考えられるが、ダミー板120の厚さはワーク100の穴あけ効率にも影響する。穴あけ効率を考慮すると、ダミー板120の厚さはワーク100の厚さ以下であることが望ましいが、ダミー板120は、レーザ光Lの余分な低エネルギー部分がワーク100に照射されるのを防ぐ役割を担っており、それら全般を考慮して、ダミー板120の材料や必要な厚さを選定することが好ましい。さらに、レーザ光を使った加工処理では、ワーク100の、レーザ光Lによる加工部周辺が高温に加熱されることもあり、ダミー板120は、レーザ光Lの照射による加熱だけではなく、加工部周辺から伝達される熱にも耐える耐熱性を有する必要がある。
以上で、本発明の第1実施形態の説明を終了し、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態は、本発明の第1実施形態とほぼ同様の処理が行われるため、同じ構成要素については同じ符号を付して説明を省略し、それらの相違点についてのみ説明する。
図8は、本実施形態の穴あけ加工処理において、レーザ光を照射する過程を説明するための図である。
本実施形態では、図7に示す第1実施形態とは異なり、2枚のダミー板120の間に密着剤110´を介在して2枚のワーク101,102が挟まれている。尚、本実施形態では、密着剤110´として、耐熱性の高いフッ化エチレン樹脂を含んだ潤滑油が適用されている。
図8に示すように、2枚のダミー板120の間に複数のワーク101,102を挟み、レーザ光Lを照射することにより、1度の処理で複数のワーク101,102に均一な大きさの貫通孔をあけることができる。
ここで、ワークにダミー板を重ねる場合、ダミー板が貫通した後でレーザ光Lがワークへと進むため、ダミー板とワークとの間の空間は小さく、その空間をエネルギーが十分に効率よく伝導する必要がある。本実施形態では、密着剤110´として耐熱性(耐熱温度:約300℃)および熱伝導率に優れた物質が適用されており、ワークとダミー板間でエネルギーを効率よく伝達することができる。
また、一度に複数のワークに穴をあける場合、ワークやダミー板が重ねられてなる照射対象物の厚みが増すため、レーザ光Lの強度を増加させる必要があり、穴あけ加工による発熱量も増加してしまう。この点においても、ダミー板とワークとの間に耐熱性を有する密着剤を介在させることが好ましい。
ここで、上記では、ワークおよびダミー板として相互に異なる種類のガラスを適用する例について説明したが、本発明にいう加工対象物とダミー板とは同じ材料で構成されたものであってもよい。
また、加工対象物の、光ビーム照射側に配置されるダミー板は、光ビームの照射効率や、加工対象物の破損回避の点から、ダミー板の表面に照射される光ビームのエネルギーが加工対象物に達しない程度の厚さを有していることが好ましい。また、加工対象物の、光ビーム貫通側に配置されるダミー板は、加工対象物の掘削が行われている間は、光ビームの余剰エネルギーが確実にダミー板に吸収される程度の厚さを有していることが好ましい。
また、上記では、硬化性の液状の密着剤としてワックスを用いる例について説明したが、本発明にいう「硬化性の液状の介在物質」は、ワックスよりも安価な水であってもよく、レーザ光の照射等によって硬化する液体などであってもよい。
また、上記では、ワークの表裏面双方にダミー板を密着させる例について説明したが、本発明にいうダミー板は、ワークの光ビーム照射側の面のみに密着されるものであってもよく、ワークの光ビーム貫通側の面のみに密着されるものであってもよい。
また、上記では、ワークの表裏面を貫通する貫通孔をあける例について説明したが、本発明の穴あけ加工方法は、ワークに穴をあける場合などに適用してもよい。
なお、電子素子部品を製造する場合には、上記のように穴が形成された基板に導体などを充填する工程が付加される。このような穴への導体などの充填動作は、種々知られたものを適用することができる。

Claims (12)

  1. 光ビームを照射することにより加工対象物に穴あけ加工を施す穴あけ加工方法において、
    加工対象物に、ダミー板を、該加工対象物に該ダミー板を付着させるための介在物質を介在させて重ね合わせる重ね合わせ過程と、
    ダミー板が重ね合わされた後の加工対象物に穴あけ加工用の光ビームを照射するビーム照射過程と、
    光ビームが照射された後の加工対象物から前記ダミー板および前記介在物質を除去する除去過程とを備えたことを特徴とする穴あけ加工方法。
  2. 前記重ね合わせ過程は、前記ダミー板を、前記加工対象物の、光ビーム照射側の面に重ね合わせる過程であることを特徴とする請求項1記載の穴あけ加工方法。
  3. この穴あけ加工方法は、前記加工対象物に貫通孔を形成する穴あけ加工方法であって、
    前記重ね合わせ過程は、前記ダミー板を、前記加工対象物の、光ビーム貫通側の面に重ね合わせる過程であることを特徴とする請求項1記載の穴あけ加工方法。
  4. この穴あけ加工方法は、前記加工対象物に貫通孔を形成する穴あけ加工方法であって、
    前記重ね合わせ過程は、前記加工対象物の、光ビーム照射側の面と光ビーム貫通側の面の双方に各ダミー板を重ね合わせる過程であることを特徴とする請求項1記載の穴あけ加工方法。
  5. 前記重ね合わせ過程は、前記介在物質として液体を用いる過程であることを特徴とする請求項1記載の穴あけ加工方法。
  6. 前記重ね合わせ過程は、前記介在物質として硬化性の液状の介在物質を用い、前記加工対象物に前記ダミー板を重ね合わせた後に該介在物質を硬化させる過程であることを特徴とする請求項1記載の穴あけ加工方法。
  7. スルーホールを有する基板の製造方法において、
    前記基板上に介在部材を配置する工程と、前記介在部材の上にダミー板を配置する工程と、
    前記ダミー板が配置された側から、前記基板に向けて光ビームを照射する工程と、
    前記光ビーム照射によりスルーホールが形成された基板から、前記ダミー板及び前記介在部材を取り除く工程と、を有することを特徴とする、基板の製造方法。
  8. 前記介在部材は、前記基板と前記ダミー板とを密着させることを特徴とする、請求項7に記載の基板の製造方法。
  9. 前記介在部材は流動性を備えることを特徴とする、請求項7に記載の基板の製造方法。
  10. 前記介在部材は、常温では固体であり、加熱によって流動性を表出することを特徴とする、請求項9に記載の基板の製造方法。
  11. 基板に形成されているスルーホール内に導体が充填された電子部品の製造方法において、
    前記基板上に介在部材を配置する工程と、
    前記介在部材の上にダミー板を配置する工程と、
    前記ダミー板が配置された側から、前記基板に向けて光ビームを照射してスルーホールを形成する工程と、
    前記基板から、前記ダミー板及び前記介在部材を取り除く工程と、
    前記スルーホールに導体を充填する工程と、を有することを特徴とする、電子部品の製造方法。
  12. 貫通穴を有する基板の製造方法において、
    前記基板の第一の面に、前記基板と密着するように第一のダミー板を配置する工程と、
    前記基板の第二の面に、前記基板と密着するように第二のダミー板を配置する工程と、
    前記第一のダミー板側から、前記ダミー板に向けてレーザ光を照射して、前記第二のダミー板に前記レーザ光が達するように前記基板に貫通穴を形成する工程と、
    前記スルーホールが形成された基板から、前記ダミー板を取り除く工程とを有することを特徴とする、基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102820262A (zh) * 2012-09-05 2012-12-12 江苏物联网研究发展中心 一种玻璃通孔的制作及互连的方法
CN107810083A (zh) * 2015-04-28 2018-03-16 康宁股份有限公司 使用出口牺牲覆盖层在衬底中激光钻取通孔的工件和方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01262087A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Fujitsu Ltd 窒化硅素セラミックスのレーザ加工方法
JPH10217485A (ja) * 1997-02-10 1998-08-18 Toshiba Corp プリントヘッドの製造方法
JP2004104079A (ja) * 2002-07-15 2004-04-02 Murata Mfg Co Ltd セラミック多層回路基板及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06170822A (ja) * 1992-12-02 1994-06-21 Ngk Spark Plug Co Ltd シート加工品及びその製造方法
JPH10286968A (ja) * 1997-04-17 1998-10-27 Tec Corp インク吐出口形成のためのマスク板形成方法
JP4651771B2 (ja) * 2000-02-24 2011-03-16 株式会社クラレ 金属張積層体にバイアホールを形成する方法
JP2002240294A (ja) * 2001-02-21 2002-08-28 Ricoh Co Ltd 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びにインクジェット記録装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01262087A (ja) * 1988-04-13 1989-10-18 Fujitsu Ltd 窒化硅素セラミックスのレーザ加工方法
JPH10217485A (ja) * 1997-02-10 1998-08-18 Toshiba Corp プリントヘッドの製造方法
JP2004104079A (ja) * 2002-07-15 2004-04-02 Murata Mfg Co Ltd セラミック多層回路基板及びその製造方法

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