SE449678B - Forfarande for framstellning av byggelement for sammankoppling av elektroniska komponenter - Google Patents

Forfarande for framstellning av byggelement for sammankoppling av elektroniska komponenter

Info

Publication number
SE449678B
SE449678B SE8202170A SE8202170A SE449678B SE 449678 B SE449678 B SE 449678B SE 8202170 A SE8202170 A SE 8202170A SE 8202170 A SE8202170 A SE 8202170A SE 449678 B SE449678 B SE 449678B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
coating
wire
metal
carrier
resp
Prior art date
Application number
SE8202170A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8202170L (sv
Inventor
C L Lassen
Original Assignee
Kollmorgen Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kollmorgen Tech Corp filed Critical Kollmorgen Tech Corp
Publication of SE8202170L publication Critical patent/SE8202170L/sv
Publication of SE449678B publication Critical patent/SE449678B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486Via connections through the substrate with or without pins
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/06Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure on insulating boards, e.g. wiring harnesses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12033Gunn diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372Pads and lands
    • H05K2201/09472Recessed pad for surface mounting; Recessed electrode of component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10287Metal wires as connectors or conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10727Leadless chip carrier [LCC], e.g. chip-modules for cards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/103Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding or embedding conductive wires or strips
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3442Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322Composite web or sheet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

10 15 20 25 30 449 678 2 lella rader, som sträcker sig från paketets plast- eller keramikstomme. Raderna kan vara 2,5 mm eller mera i sär; och paketen kan ofta vara sammankopplade på trådbestyckade eller tryckta kopplingsplattor av låg täthet med ledningarna åtskilda i ett 1,25 mm galler mönster.
Ehuru dual-in-line-paket med ledningar på 2,5 mm centra och plattor med 1,25 mm gallermönster har funnit om- fattande användning, har önskan att reducera den elektroniska Utrustningens storlek och tyngd och att öka antalet funk- tioner per volymenhet fått växande betydelse. Främst i denna strävan efter flera elektroniska funktioner på mindre utrymme är konstruktörerna och tillverkarna av integrerade kopplingar. Ett resultat av ökningen av antalet funktioner hos den integrerade kopplingen är att antalet ledningar por mikroelektroniskt paket ökar. I komplexa integrerade kopp- lingar med många ledningar gör dual-in-line-paketets geometri med dess båda rader av ledningar med 2,5 mm delning paketet mycket stort i förhållande till den integrerade kopplíngens storlek. Den försämrar också kopplíngens elektriska egen- skaper och gör inkopplingen i och urkopplingen från den tryckta kopplingsplattan besvärliga.
Nya och mera kompakta mikroelektroniska paket har utvecklats för upptagning av dessa komplexa integrerade kopplingar. En sådan typ av paket, vanligen kallade skiv- bärare, kan monteras på ytan i stället för anslutas medelst genom plattan gående ledningar. Dessa paket är fyrkantiga och har anslutningar på alla fyra kanterna i stället för på tvâ sidor, såsom dual-in-line-paketen. Anslutningarna är fördelade med delningar av 1,25 mm, 1 mm eller mindre, vil- ket väsentligt minskar paketets area i jämförelse med dual-in-line-paketets. Detta ökar väsentligt antalet an- slutningar per areaenhet.
Den av skivbäraren möjliggjorda minskningen av paketets area ökar väsentligt antalet mikroelektroniska paket som kan monteras och anslutas elektriskt till en kopplingsplatta eller kopplingsbärare av given area. 10 15 ZÛ 25 449 678 3 Denna ökning av antalet paket eller komponenttät- heten och tätare Fördelning av anslutningarna ökar emeller-7 tid kravet på anslutningstäthet på plattan eller underlaget och systemets värmetäthet. Denna ökade anslutningstäthet alstrar och kräver högre ledningstätheter. Kontaktplattor i stället för genomgående hål används på underlagets yta för att ge högre ledningstäthet. Elektrisk kontakt mellan dessa ytplattor och underlagets ledningar kan göras i dimensioner som närmar sig själva ledningens.
Föreliggande uppfinning är synnerligen lämpad för att tillfredsställa kraven på hög anslutningstäthet och ledningstäthet hos skivbärare och opaketerade integrerade kopplingar. Samtidigt möjliggör uppfinningen användning av underlagskärnor, som har speciella egenskaper, såsom god värmeavledning, billighet eller värmeutvidgningskoefficient överensstämmande med de i skivbäraren eller den integrerade kopplingen använda materialens. Av termiska påkänningar framkallade bristningar i lödfogar undgås.
Föreliggande uppfinning avser ett förfarande för framställning av ett byggelement med ett av isolerad led- ningstråd uppbygt kopplingsmönster såsom det framgår av kravet 1.
Trådarna anbringas eller dras på bäraren i ett förut- bestämt mönster med en apparat enligt de brittiska patent- skrifterna 1 352 557 och 1 352 558. Trådarna kan vara op- tiska fibrer eller förísolerade metalltrâdar, t.ex. koppar- tråd av 0,05 - 0,1 mm diameter, som har befunnits vara synnerligen lämplig för användning enligt uppfinningen.
E!! (Il 10 15 20 25 30 35 449 678 H Trådarna binds vid bäraren i ett tätt vertikalt och horisontellt nätverk med nätets mittlinjer på ca 0,3 mm av- stånd. Sedan anbringas ett skikt av material, företrädesvis i form av en vätska, över de tidigare vid bäraren bundna trådarna på sådant sätt, att trådarnas inbördes lägen på bäraren inte rubbas. Vätskan bildar en slät plan yta över bäraren och trådarna. Rubbande av trådarna skulle kunna in- verka ogynnsamt på den efterföljande bearbetningen och på artikelns användbarhet, varför det undviks. Det påförda flyt- ande materialet bör kunna härdas vid rumstemperatur eller låg temperatur, t.ex. under 100°C, för undvikande av stora tem- peraturhöjningar som också skulle kunna störa trådarnas lägen.
Företrädesvis härdas materialet vid rumstemperatur. Detta kan ernås medelst vid rumstemperatur verkande härdmedel eller genom härdning med ultraviolett strålning.
Det pålagda vätskeskiktets yta kan bringas i temporär intim kontakt med och den pålagda vätskan utjämnas medelst ytan på ett material, som inte häftar vid vätskeskiktets yta och den därav bildade härdade ytan. Denna temporära kontakt utjämnar vätskeytan utan störning av trådarna. Sålunda bildas en i huvudsak plan yta med trådarna inbäddade däri. Utjämning kan också åstadkommas med en rakel, rulle eller gummiraka förut- satt att trådarna inte förflyttas eller rubbas.
När det trådformiga organet är en metalltråd, är den härdade plana ytan företrädesvis kapabel till adhesionsför- bättring med kemiska eller mekaniska medel eller genom jon- bombardemang för bildning av mikroporer eller ytråhet för att bilda förankringscentra för avsättning av ledande material genom strömlös plätering, påângning eller andra passande me- toder i ett senare bearbetningsstadium. Detta kan man ernå genom att införliva preferentiellt etsbart material, såsom gummi eller polyetersulfon, i den härdade plana beläggningens yta.
Ytterligare skikt av trådverk kan tilläggas.
Bäraren, varpå trådarna har fästs och det plana mate- rialet anbringats och härdats, fastsätts på ett bord, som är rörligt i ett styrt mönster längs X- och Y-axlar, så att förut- 10 15 20 25 30 35 449 678 5 bestämda punkter på bäraren anbringas under en energirik stråle, såsom en koherent laser. Strålen riktas vinkelrätt mot bordet och den därpå monterade bäraren. Alternativt kan bäraren fixeras och strålen förflyttas längs X- och Y-axlar. Trådarnas läge i det härdade plana materialet kan bestämmas optiskt så att lägesfel väsentligen elimineras.
Bäraren förflyttas relativt den energirika strâlen, så att en önskad tråd är i linje med strålen i en bestämd punkt.
Tråden utsätts sedan för strålen i denna punkt. Om tråden är av metall, användes företrädesvis en energirik stråle, såsom en koldioxidlaser. När strålen är inriktad på den önskade punkten på tråden, pulsas eller moduleras strålen, så att energi riktas mot tråden för att förånga eller bort- skaffa det härdade nande en exakt utformad kavitet med tråden i huvudsak blot- materialet och trådisoleringen, kvarläm- tad. Detta ernås med en koldioxidlaser under användning av kontrasten mellan metalltrådens förmåga att reflektera koldioxidlaserljuset och absorptionsförmâgan hos det i huvud- sak organiska isolationsmaterialet_och det över träden på bäraren påförda och härdade ytbeläggningsmaterialet.
Utom med hjälp av en energirik stråle, såsom en kol- dioxidlaser, skulle det härdade materialet och trådiso- leringen kunna bortskaffas med andra lämpliga lasrar eller mekaniska borrar med djupreglering, med en modulerad ström av slipande partiklar, en vattenstråle eller en ström av kemi- kalier eller lösningsmedel. I varje fall bör kaviteter av nog- grann storlek, inte väsentligt större än tråden och inte större än vad som erfordras för att frilägga tråden vid ytan, bildas. Det härdade plana materialet och isoleringen bort- skaffas, kvarlämnande tråden väsentligen intakt och frilagd, så attdess ledningsegenskaper inte försämras. Med en tråd- storlek av 0,05 - 0,1 mm bör kavitetens diameter vara mellan 0,15 och 0,3 mm.
När alla de förutbestämda trâdpunkterna har blottats och tillträdeskavíteter har utformats, kan kopplingen färdig- ställas på konventionellt sätt. När trådarna ärav metall er- nås detta genom adhesionsfrämjande behandling av ytan och 10 15 20 25 30 35 449 678 5 sensibilisering av kaviteterna,de blottade trådarna och ytan, t.ex. med en katalysator, samt strömlös avsättning av me- tall, t.ex. koppar. Detta kan utföras selektivt under bild- ning av ytdetaljer, eller också kan metallen avsättas över hela ytan och detaljerna bildas genom påföljande maskering och etsning. Ytterligare metalltjocklek kan byggas upp genom elektroplätering och ytdetaljerna bildas genom konventionella halvadditiva medel.
Under pläteringen avsätts metall på kaviteternas väggar och på ytan och ger intim kontakt med trädens blottade yta för sammanföring av tråden med den utvändiga ytan. Metall kan också avsättas i kavíteter, som inte har gemensamma ytor med trådar, men med andra ledande detaljer, såsom plattor, eller effekt- och jordplan på andra nivåer i kopplingen.
Alternativt kan man använda andra medel än plätering för att koppla ihop tråden eller andra ledande detaljer med den utvändiga ytan. Dessa medel kan innefatta förstoftning av me- tall, metallsprutning, ledande polymera pastor, lödpastor och vanligt lod. När tråden inte är av metall, kan man an- vända lämpliga med trådledningen förenliga medel för att hopkoppla tråden med den utvändiga ytan. Exempelvis skulle man kunna använda en optoelektronisk anordning för att hop- koppla optiska fibrer med elektroniska komponenter.
Enligt uppfinningen kan den med hög täthet utförda kopplingen bildas och bearbetas på en bärare, som skall ingå i det färdiga föremålet, eller bildas och bearbetas samt tas av från bäraren. När bäraren skall vara kvar som en del av det formade och bearbetade föremålet, bör den givetvis vara av ett material, som är lämpligt för föremålet och dimensions- stabilt för processen.
Om det färdiga föremålet exempelvis skall innefatta metalltrådar ur ett metallunderlag, anbringas först en di- elektrisk film eller beläggning på metallunderlaget. Denna film eller beläggning kan innefatta isolerade metallplattor vid de ställen där kaviteter skall bildas, för att avböja den energirika strålen och förebygga kortslutning av metall- underlaget. 10 15 20 25 30 35 449 678 7 När den bildade kopplingen efter bearbetningen skall avlägsnas från bäraren och denna användas på nytt, bildar, uppbygger och bearbetar man kopplingen på bäraren samt drar sedan av den. Den från bäraren avdragna kopplingen kan sedan lamineras vid ett underlag, eller också kan kopplingar byggas upp eller lamineras den ena över den andra för att bilda flerskiktade kopplingar.
Om exempelvis metalltrådar skall användas och det bildade och bearbetade föremålet skall tas av från bäraren, kan denna vara av rostfritt stål pläterat med svagt vidhäft- ande koppar. Andra svagt häftande kombinationer av bärare och pläteríng kan användas. Föremålet byggs upp och bear- betas på bäraren och dras av från denna tillsammans med pläteringen. Efter avtagningen från bäraren kan föremâlets plätering användas vid bildning av ledande detaljer med kon- ventionella processer.
Den höga ledningstäthet som kan erhållas med en nät- verksgeometri av ca 0,3 mm, i synnerhet med den lilla diame- tern hos trâdtillträdeskaviteterna enligt uppfinningen, gör det möjligt att utföra komplicerade kopplingsmönster med ett litet antal kopplingsplan. Kopplingen kan därför tillverkas med en tjocklek av 0,25 - 0,5 mm.
Den sålunda på ett underlag bildade eller laminerade 'kopplingens tunnhet gör, att komponenterna kan anbringas mycket nära underlaget. Detta gör att det blir lättare att bi- bringa komponenterna sådana egenskaper hos underlaget som värmeutvidgningskoefficient och värmeavledningsförmåga än vid tjockare flerplanskopplingar av lägre täthet. Svårighet- erna med värmning och värmeavledning mildras.
Uppfínningen beskrivs närmare i samband med bifogade ritningar.
Figur 1 är en planvy av ett kopplingsunderlag en- ligt uppfinningen.
Figur 2 är en sprängd perspektivvy av en skivbärare, en skiva och ett lock, för vilka uppfinningen är särskilt lämpad. 10 15 20 25 30 35 449 678 8 Figur 3 är en perspektivvy av skivbäraren enligt figur 2 sedd underifrån.
Figur H visar i snitt ett stycke av ett kopplings- underlag med förisolerad ledning före högenergiablation av beläggningen och isoleringen.
Figur 5 är en planvy av det i figur 4 visade stycket.
Figur 6 visar ett snitt liknande figur ll, men med den blottade ledningen efter bildning av kaviteten.
Figur 7 är en planvy av det i figur 6 visade stycket.
Figur 8 visar ett snitt liknande figur H och 6 med ledningen och ledníngsplattan efter plätering.
Figur 9 är en planvy av det i figur 8 visade stycket.
Figur 10 är en schematisk planvy av en apparat för genomförande av en del av förfarandet för framställning av kaviteterna.
Figur 11 är en sidovy av apparaten enligt figur 10.
Figur 12 visar ett snitt av kopplingsunderlaget en- ligt uppfinningen och åskådliggör kopplingen mellan led- ningen eller tråden, en skivbärare och en skiva.
Figur 13 är ett snitt av kopplingsunderlaget i en ut- föringsform av uppfinningen, visande kopplingen med ett metall- underlag och ytledning.
Figur 14 är en vy liknande figur 12 men visande kopp- lingen mellan ledningen eller tråden och en skiva utan skiv- bärare.
Figur 15 är en vy liknande figur 4 men visande en utföringsform där den färdiga kopplingen skall tas av från metallunderlaget.
Figur 16 är en vy liknande figur 15, men visande den blottade ledningen efter bildning av kaviteten.
Figur 17 är en vy liknande fig. 15 och 16, men visande ledningen och ledningsplattan efter plätering, med behand- língsmetallunderlaget avtaget och kopplingen bunden vid det permanenta underlaget. v Enligt figur 1 innefattar kopplingen 2 ett kopplings- underlag U, varpå aggregat 12 av skivbärare, skivor och lock är anbragta. Skivbärarna 12 är anslutna till ytplattor och 10 20 25 30 35 449 678 9 kan vara anslutna till effekt- och jordskenor lß, 16, som är utformade på underlagets 4 yta.
Skivbärarna 12 varierar i storlek, beroende på den däri burna skivans komplexitet och storlek. Som framgår av figur 2, består skivbäraren 12 av en kropp 6 med i mitten försänkt översida 20 och en plan undersida 22 (figur 3).
Av skäl som förklaras i det följande har den försänkta' översidan 20 flera runt densamma fördelade kontakter 24.
Kroppens 6 undersida 22 och sidokanter är försedda med flera runt sidokanterna fördelade kontakter 26, som sträcker sig in på undersidan 22 (figur 3). Skivan 10 har flera kontakter 30, som sträcker sig runt skivans överkant.
Skivan 10 monteras i kroppens 6 försänkning 20 med skivans 10 kontakter 30 anslutna till kontakterna ZH i kroppens 10 försänkning. Med skivan 10 i försänkningen 20 och kontakt- erna 30 och 2% anslutna placeras locket 32 över försänkningen 20, så att den täcker försänkningen och skivan 10 däri. Så- som beskrivs i det följande, monteras och löds kroppens 6 för anslutning till kopplingen 2 avsedda kontakter på kontakt- plattor på underlaget sedan kopplingen har tillverkats och de önskade kontaktplattorna formats därpå. Såsom också beskrivs i det följande, kan skivans 10 kontakter 30 anslutas genom lödning, trådskarvning eller andra lämpliga medel direkt till kontaktplattorna på underlaget, sedan dessa kontaktplattor har formats, varvid bärarkroppen 6 med locket 32 inte används.
Av fig. H - 9 framgår, att underlaget 46, som kan eller belagd metall, beläggs med ett med ultraljudenergi aktiverbart lim vara plast, glasfiberarmerad plast, keramik uu. En med isolerande beläggning H8 försedd metalltråd H6 läggs på och inbäddas i limmet HH på känt sätt. Underlaget med den i förutbestämt mönster dragna tråden kan värmas och bakas'för ytterligare härdning av limmet, vari den utlagda tråden är inbäddad, och för avdrivning av flyktiga material från limmet. Ett vätskeformigt material 50 gjuts sedan över de pålagda trådarna. Vätskans 50 frilagda yta bringas i kon- takt med ytan av en film, sâsom en polyester, som inte häftar vid beläggningen, beläggningen härdas vid en.temperatur under 10 15 20 25 30 35 449 678 10 10000, och den icke häftande filmen dras av. Denna procedur hör till teknikens ståndpunkt. Vätskans 50 frilagda yta skulle också kunna bredas ut och utjämnas med en kniv, en rakel el- ler rulle eller skulle kunna hällas på den trådförsedda plat- tan innan materialet 50 härdas. I varje fall anbringas på så sätt en jämn slät plan yta på underlaget. Dentorkade och härdade beläggningen bildar ett skikt 50 över den med tråd försedda ytan. En tunn häftande beläggning 52, såsom epoxi- gummi, kan anbringas över lagret 50 och torkas eller härdas till en beläggning över plattan för häftning av sedermera genom.tryckning, plätering eller liknande pålagd metall.
Enligt fig. 10 och 11 monteras det med tråd be- styckade och med lim belagda underlaget enligt figur H och inriktas på ett bord 60 i en XY-bordsmaskin 62, som är numeriskt styrd, t.ex. med ett diskettdatorverk SH, och pro- grammerad att förflytta bordet 60 och det därpå fästa under- laget i en förinställd följd. En högenergikälla, som kan fokuseras och ansättas som en vertikal stråle på underlaget på bordet, såsom en laser 70, projiceras som en laserstråle genom en tub 72 och appliceras vertikalt, t.ex. genom ett spegelhuvud 7H. En av Coherent Inc. tillverkad 150 W kol- dioxidlaser med benämningen Everlase har befunnits vara syn- nerligen anpassbar som högenergilaserkälla för användning i föreliggande uppfinning. Datorverket 64 styr inte bara rörel- serna och stoppandet av XY-bordet 62, utan även pulsningen av lasern 70. När bordet 60 och det därpå monterade trådför- sedda underlaget förflyttas från punkt till punkt och sedan stoppas av verket BN, pulsas lasern 70 vid varje uppehåll.
Som framgår av fig. 6 och 7, är bordet 60 och dator- verket 64 programmerade att med det trâdförsedda och epoxi- gummibelagda underlaget i fig. U monteratpå bordet 60 bringa ledningen H6 i linje med strâlen från spegelhuvudet 74. När ledningen H6 är inställd på detta sätt, stoppas bordet 60 och det därpå monterade underlaget och pulsas högenergikällanl' I den beskrivna utföringsformen med en laser kan högenergi- källan pulsas en gång under varje uppehåll eller en serie pulser påläggas. Energikällans effekt inställs så, att den 10 15 20 25 30 35 449 678 11 tillför underlaget energi vid önskad absorptionsnivå. I varje fall upphettas epoxigummibeläggningen och beläggningen över ledningen samt förångas och avdrivs. Isoleringen H8 utsätts för strålen och förängas och avdrivs tillsammans med belägg- ningen. Metallen i ledningen eller tråden H6, vilken i den föredragna utföringsformen är koppar, reflekterar den energi- rika strålen och förblir opåverkad. Som bäst framgår av fig. 6 och 7, bildas det en i huvudsak cylindrisk kavitet från ytan ned i underlaget, så att ledningen eller tråden 46 delvis blottas i öppningen.
Sedan det programmerade mönstret av kaviteter eller öppningar i plattans yta har färdigställts, pläteras hål- väggarna, den epoxígummibelagda ytan och den blottade tråden.
Detta kan ernås genom strömlös plätering eller med en kombi- nation av strömlös och galvanisk plätering, varvid kaviteten och den yttre epoxigummiytan först sensibiliseras med en katalysator, som appliceras efter högenergibildníngen av kaviteten eller införlivas under den ursprungliga gjutningen och beläggningen. Den med katalysator sensibiliserade ytan pläteras först strömlöst, så att det bildas en tunn belägg- ning av metall på ytan längs kavitetsväggarna och runt den blottade tråden, varpå den strömlöst avsatta metallen kan byggas upp genom elektroplätering eller ytterligare strömlös plätering.
Sedan underlaget och kaviteterna har pläterats, kan ledningsplattor och jord- och effektplan eller -ledningar formas på ytan genom maskering och etsning på något av de sätt som brukar tillämpas vid framställning av kopplinge- plattytor. Som bäst framgår av fig. 8 och 9, beläggs led- ningskaviteternas väggar vid 80 med metall, såsom koppar, och utformas ledningsplattor 82 och plan 8H (fig. 13) på ytan.
Som framgår av fig. 12, kopplas skivbäraren 12 elektriskt vid bärarkontakten 26 medelst en lödfog till lednings- plattan 82. Som framgår av fig. 12, kan skivan 10 monteras och limmas med kitt 79 och anslutas direkt till lednings- plattan 82 med en lödfog 81, trádskarv eller annat lämpligt medel till skivledningen 30, i vilket fall bäraren 12 inte används. 10 15 20 25 30 35 449 678 12 Den i fig. 15, 16 och 17 visade utföringsformen av uppfinningen liknar den redan beskrivna utföringsfonmen och framställs på i huvudsak samma sätt. De båda utföringsformerna skiljer sig emellertid åt i så måtto som den ovan beskrivna utföringsformen ger ett underlag med en bärare, som används för stabilisering under bearbetningen och som en del av den färdiga produkten, medan utföringsformen enligt fig. 15, 16 och 17 utnyttjar en bärare endast för bearbetningen. Sålunda förkoppras metallbasen H2 med en beläggning 100. Limmet HH' anbringas på kopparbeläggningen 100, trådarna 48' påläggs eller drages och beläggningar 50' och 52' anbringas på samma sätt som i den ovan beskrivna utföringsformen.
När kaviteterna sedan fylls med metall, såsom fram- går av fig. 17, erhålls metallísk kontakt icke blott mel- lan hålfyllnadsmetallen 80' och den blottade tråden H8', utan även med kopparbeläggningen 100. När metallbasen H2' har avlägsnats, såsom visas i fíg. 17, kan pläteringens 100 blottade yta maskeras och etsas under bildning av isolerade ledningsplattor*och effekt- eller jordfördelarskenor. Kopp- lingen monteras på underlaget 102 (fig. 17), vilket kan vara av metall eller annat bärmateríal belagt med ett lim IOH, vilket vid ett metallunderlag också bör vara dielektriskt.
I båda utföringsformerna är det dielektriska under- laget monterat eller fäst på en stabil stel bärare medan tråden påläggs, den flytande beläggningen appliceras, ut- jämnas, utslätas, tillplattas och härdas, de för blottande av trådarna eller ledningarna i kopplingen avsedda kaviteterna bildas med energirika strålar och hålen pläteras strömlöst eller galvaniskt. I utförandet enligt fig. U - 9 är under- laget permanent fastsatt och ingår i den färdiga produkten.
I utförandet enligt fig. 15 - 17 avlägsnas metallunderlaget, varpå kopplingen monteras och fästs för bearbetningen, den be- arbetade kopplingen med de medelst hög energi bildade kavi- teterna fyllda med strömlöst eller galvaniskt avsatt metall binds vid ett underlag, som kanvara ett dielektriskt be- lagt metallunderlag eller ett underlag av dielektriskt mate- rial eller av något annat dielektriskt belagt material. Flera 10 15 20 25 30 35 449 678 13 bearbetade kopplingar, vardera fäst vid och monterad på ett metallunderlag för bearbetningen och därefter avdragen från detta, kan lamineras och kopplas till varandra samt före el- ler efter lamineringen monteras och fästas på ett dielektriskt underlag eller ett dielektriskt belagt underlag.
I båda utföringsformerna av uppfinningen sträcker sig ledningen eller tråden genom den med hög energi bildade kavi- teten vid tiden för pläteringen. Detta ger bättre elektrisk kontakt och mekanisk styrka mellan ledningen och kavitetens pläteringsmetall än man skulle kunna få genom att borra genom en 0,05 - 0,1 mm tråd med en 0,15 - 0,3 mm borr.
Vid utövning av föreliggande uppfinning kan man gjuta beläggníngen 50, 50' in situ över den utlagda trâdkopplingen.
Hålrum mellan beläggningen och kopplingens yta kan bort- skaffas med hjälp av en mot beläggningens 50, 50' fria yta ansatt rakel eller rulle. I stället för att gjuta belägg- ningen 50, 50' in situ kan man som beläggningsmaterial an- vända ett vid låg temperatur härdbart eller ultraviolett- härdbart material, såsom en epoxi-, polyamid- eller akryl- plast, och gjuta detta mellan ytan och en förut utformad folie och applicera det på kopplingen med en rakel, rulle eller pressplatta för att utjämna beläggningen mellan folien p och kopplingen. Hur som helst bildar beläggningen 50, 50' en plan yta över den oregelbundna trådkopplingen och härdas innan kaviteter formas i kopplingen. Beläggningen 50, 50' bör vara av ett sådant material eller innehålla en sådan till- sats, att beläggningen kan härdas vid låg temperatur eller med hjälp av strålning, såsom ultraviolett strålning.
Ytterligare plana beläggningar kan givetvis läggas till kopplingen, eller också kan dessa beläggningars önskade egen- skaper, såsom adhesion, införlivas i beläggningen 50, 50'.
Kopplingar framställda enligt uppfinningen, i synner- het utförandet enligt fig. 15 - 17, kan lamineras den ena över den andra. Vid utförandet av denna laminering bör man använda dielektriska beläggningar eller lim mellan kopp- lingarna för att bibehålla dessas integritet. 449 678 11+ Vid genomförande av föreliggande uppfinning har kavitetsformning med hjälp av en energirik stråle, såsom en laser, befunnits vara synnerligen användbar. Andra medel, såsom en borrspets, ett slipmedel, kemikalier eller snabba vätskestrålar, kan också användas. Andra energirika strålar, som kan absorberas av det borrade materialet, men inte ledningen eller träden, och har förmåga att förflyktiga mate- rialet och isoleringen på ledningen eller träden, kan användas.

Claims (1)

10 15 20 25 30 449 678 15 PATENTKRAV
1. Förfarande för framställning av ett byggelement med ett av isolerad ledningstråd uppbyggt kopplingsmönster genom att påföra och fastsätta ledningarna i ett förprogrammerat gallermönster av isolerad tråd på en basplatta (42) som per- manent eller temporär bärare, vars yta är försedd med ett límskikt (åh), som aktiveras medelst ultraljud resp. värme- energí och/eller tryck punktvis vid ledningarnas påförings- plats, k ä n n e t e c k n a t av att basplattans yta resp. limskiktet, som innesluter gallermönstret är försedd resp. försett med en beläggning (50), bildande en slät plan yta, vilken anbringas antingen i flytande form eller som lätt formbar film, att vid påförandet liksom vid efterföljande torkning och härdning av beläggningen de härvid uppkomna formningskrafterna inte på något sätt medför en lägesför- skjutning av gallermönstret och uthärdningstemperaturen 10Û0C inte överskrids, att det selektiva avlägsnandet av beläggningen (50) och trådisoleríngen (A8) sker under Fri- läggning av ledningens metallkärna (A6) och bildning av hål- rumsartade fördjupningar på förutbestämda geometriska ställen med hjälp av en laser, företrädesvis en CO -laserstråle, så att tråden inom ett tangentiellt omfång av minst 1800 be- frias från isoleringen och att inom fördjupningarna fram- ställs elektriskt ledande kopplingar mellan de frilagda områdena på ledningarna och ytan på beläggningen resp. förberedda eller samtidigt bildade anslutningsytor på denna.
2. Förfarande enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k- n a t av att diametern på de hålrumsartade fördjupningarna är av samma storleksordning som den för ledningsmaterialet.
3. Förfarande enligt patentkravet 1 eller 2, k ä n n_e- t e e-k n a t av att gallermönstret påföres på ett di- elektriskt, plattformigt material eller på en med en di- elektrisk beläggning försedd melallplatta.
6. förfarande enligt ett av patentkraven 1 till 3, k ä n n e t e c k n a t av att beläggníngens yta antingen vid påförandet eller därefter bringas i kontakt med resp. betäcks med ett hjälpmaterial, såsom en folieyta med lämplig få' 10 15 20 25 30 449 678 16 textur, som inte fastnar på beläggningens yta, för att så påverka dess släta plana yta och att hjälpmaterialet avlägs- nas efter uthärdningen. S. förfarande enligt ett av patentkraven 1 till 4, k ä n n e t e c k n a t av att beläggningen själv uppvisar vidhäftningsegenskaper eller utrustas med ett extra límskikt.
6. förfarande enligt ett av patentkraven 1 till 5, k ä n n e t e c k n a t av-att beläggningens yta eller ett på denna påfört limskikt i sin helhet eller i områden, som omger de ställen på vilka hålrumsartade fördjupningar skall anbringas, förses med en metallbeläggning under friläggning av de ställen, som med avseende på läge och diameter resp. yta svarar mot de fördjupningar som skall bildas och att metallbeläggningen utnyttjas som mask vid inverkan av laserstrålen.
7. förfarande enligt ett av patentkraven 1 till 6, k ä n n e t e c k n a t av att de ledande kopplingarna mellan de frilagda ledníngsområdena och anslutningsytorna på beläggníngens yta framställs genom strömlös metallav- sättning.
8. förfarande enligt ett av patentkraven 1 till 7, k ä n n e t e c k n a t av att bärarens värmeutvidgnings- koefficient anpassas direkt till den för byggelementet.
9. förfarande enligt ett av patentkraven 1 till 7, k ä n n e t e c k n a t av att den färdigställda kopplinge- mönsterenheten avskiljs från den temporära bäraren.
10. Förfarande enligt patentkravet 9, k ä n n e t e c k- n a t av att den färdigställda kopplingsmönsterenheten anbringas på en mekaniskt stabil permanent bärare.
11. förfarande enligt patentkravet 9, k ä n n e L e c k- n a t_ av att den som temporär bärare tjänande metallplattan förses med en tunn, från ders yta n\dragbar kopparbeläggning.
SE8202170A 1981-04-14 1982-04-05 Forfarande for framstellning av byggelement for sammankoppling av elektroniska komponenter SE449678B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/254,132 US4500389A (en) 1981-04-14 1981-04-14 Process for the manufacture of substrates to interconnect electronic components

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE8202170L SE8202170L (sv) 1982-10-15
SE449678B true SE449678B (sv) 1987-05-11

Family

ID=22963047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8202170A SE449678B (sv) 1981-04-14 1982-04-05 Forfarande for framstellning av byggelement for sammankoppling av elektroniska komponenter

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4500389A (sv)
JP (1) JPS5979594A (sv)
AT (1) AT385624B (sv)
AU (1) AU559827B2 (sv)
CA (1) CA1189196A (sv)
CH (1) CH660275A5 (sv)
DE (1) DE3211025A1 (sv)
ES (3) ES511413A0 (sv)
FR (1) FR2503931B1 (sv)
GB (2) GB2096834B (sv)
IT (1) IT1147672B (sv)
NL (1) NL191641C (sv)
SE (1) SE449678B (sv)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0113820B1 (en) * 1982-12-22 1987-09-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for embedding wire in a photocurable adhesive
EP0168602A1 (en) * 1984-06-25 1986-01-22 Kollmorgen Technologies Corporation Method for making interconnection circuit boards
US4581098A (en) * 1984-10-19 1986-04-08 International Business Machines Corporation MLC green sheet process
FR2573272A1 (fr) * 1984-11-14 1986-05-16 Int Standard Electric Corp Procede de realisation d'un substrat comportant un conducteur coaxial
US4818322A (en) * 1985-07-19 1989-04-04 Kollmorgen Technologies Corporation Method for scribing conductors via laser
FR2585210B1 (fr) * 1985-07-19 1994-05-06 Kollmorgen Technologies Corp Procede de fabrication de plaquettes a circuits d'interconnexion
US4693778A (en) * 1985-07-19 1987-09-15 Kollmorgen Technologies Corporation Apparatus for making scribed circuit boards and circuit board modifications
US4711026A (en) * 1985-07-19 1987-12-08 Kollmorgen Technologies Corporation Method of making wires scribed circuit boards
US4679321A (en) * 1985-10-18 1987-07-14 Kollmorgen Technologies Corporation Method for making coaxial interconnection boards
US4743710A (en) * 1985-10-18 1988-05-10 Kollmorgen Technologies Corporation Coaxial interconnection boards
US4972050A (en) * 1989-06-30 1990-11-20 Kollmorgen Corporation Wire scribed circuit boards and methods of their manufacture
JP2811811B2 (ja) * 1989-10-03 1998-10-15 三菱電機株式会社 液晶表示装置
EP0468767B1 (en) * 1990-07-25 1996-10-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Coaxial conductor interconnection wiring board
DE4037488A1 (de) * 1990-11-24 1992-05-27 Bosch Gmbh Robert Leistungsbausteine mit elektrisch isolierender thermischer ankopplung
US6631558B2 (en) 1996-06-05 2003-10-14 Laservia Corporation Blind via laser drilling system
WO1997046349A1 (en) * 1996-06-05 1997-12-11 Burgess Larry W Blind via laser drilling system
US7062845B2 (en) 1996-06-05 2006-06-20 Laservia Corporation Conveyorized blind microvia laser drilling system
US6005991A (en) * 1997-11-26 1999-12-21 Us Conec Ltd Printed circuit board assembly having a flexible optical circuit and associated fabrication method
DE102006059127A1 (de) * 2006-09-25 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Anordnung optoelektronischer Bauelemente und Anordnung optoelektronischer Bauelemente
DE102012223077A1 (de) * 2012-12-13 2014-06-18 Robert Bosch Gmbh Kontaktanordnung für einen mehrlagigen Schaltungsträger

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE394600B (sv) * 1967-03-17 1977-07-04 Thams J P B Forfarande for framstellning av en beleggning med onskad ytstruktur pa ett foremal
US3499219A (en) * 1967-11-06 1970-03-10 Bunker Ramo Interconnection means and method of fabrication thereof
US3674914A (en) * 1968-02-09 1972-07-04 Photocircuits Corp Wire scribed circuit boards and method of manufacture
DE1690347A1 (de) * 1968-02-24 1971-05-13 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtungsplatte
US3674602A (en) * 1969-10-09 1972-07-04 Photocircuits Corp Apparatus for making wire scribed circuit boards
JPS5550399B1 (sv) * 1970-03-05 1980-12-17
GB1379558A (en) * 1971-05-15 1975-01-02 Int Computers Ltd Methods of manufacture of multilayer circuit structures
CA1001320A (en) * 1972-02-28 1976-12-07 Robert P. Burr Electric wiring assemblies
US4030190A (en) * 1976-03-30 1977-06-21 International Business Machines Corporation Method for forming a multilayer printed circuit board
ZA781637B (en) * 1977-06-20 1979-02-28 Kollmorgen Tech Corp Wire scribed circuit board and method for the manufacture thereof
ZA775455B (en) * 1977-08-09 1978-07-26 Kollmorgen Tech Corp Improved methods and apparatus for making scribed circuit boards
US4258468A (en) * 1978-12-14 1981-03-31 Western Electric Company, Inc. Forming vias through multilayer circuit boards
JPS5810893A (ja) * 1981-07-14 1983-01-21 日本電気株式会社 配線板およびその製造方法
JPS5857782A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 日本電気株式会社 配線板およびその製造方法
EP0113820B1 (en) * 1982-12-22 1987-09-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for embedding wire in a photocurable adhesive

Also Published As

Publication number Publication date
ES513838A0 (es) 1985-03-16
FR2503931B1 (fr) 1986-02-21
DE3211025A1 (de) 1982-10-21
IT8248207A0 (it) 1982-04-09
SE8202170L (sv) 1982-10-15
AT385624B (de) 1988-04-25
ES8503920A1 (es) 1985-03-16
ATA116582A (de) 1987-09-15
AU559827B2 (en) 1987-03-19
GB2096834B (en) 1985-10-23
DE3211025C2 (sv) 1991-11-21
CH660275A5 (de) 1987-03-31
NL191641B (nl) 1995-07-17
GB2096834A (en) 1982-10-20
GB2146177B (en) 1985-10-23
AU8793982A (en) 1984-03-08
IT1147672B (it) 1986-11-26
NL8201570A (nl) 1982-11-01
NL191641C (nl) 1995-11-20
GB8422466D0 (en) 1984-10-10
JPS5979594A (ja) 1984-05-08
ES8400213A1 (es) 1983-11-01
US4500389A (en) 1985-02-19
CA1189196A (en) 1985-06-18
FR2503931A1 (fr) 1982-10-15
ES8304363A1 (es) 1983-03-01
ES513839A0 (es) 1983-11-01
GB2146177A (en) 1985-04-11
ES511413A0 (es) 1983-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE449678B (sv) Forfarande for framstellning av byggelement for sammankoppling av elektroniska komponenter
JP6991718B2 (ja) 配線基板の製造方法
RU2327311C2 (ru) Способ встраивания компонента в основание
US4602318A (en) Substrates to interconnect electronic components
GB2180696A (en) Wired scribed circuit boards
US4541882A (en) Process for the manufacture of substrates to interconnect electronic components and articles made by said process
US4544442A (en) Process for the manufacture of substrates to interconnect electronic components
CN106550554B (zh) 用于制造部件载体的上面具有伪芯和不同材料的两个片的保护结构
US7169707B2 (en) Method of manufacturing package substrate with fine circuit pattern using anodic oxidation
KR950003244B1 (ko) 다층 회로판 제조공정
CA1277429C (en) Process for the manufacture of substrates to interconnect electronic components
JP2004031710A (ja) 配線基板の製造方法
TWI569696B (zh) 製造電路板與晶片封裝之方法,以及藉由使用此方法製成之電路板
JPH08279678A (ja) 多層プリント配線板の製造方法
CN110891366B (zh) 具有感光性介电层和结构化导电层的部件承载件
JP3731360B2 (ja) 多層プリント配線板の製造方法
WO2017046762A1 (en) Sacrificial structure comprising low-flow material for manufacturing component carriers
GB2203290A (en) Manufacture of printed circuit boards
JP5287570B2 (ja) プリント配線板の製造方法
WO2000046877A2 (en) Printed circuit boards with solid interconnect and method of producing the same
JPS6233497A (ja) 多層回路板の製造方法
WO2022104943A1 (zh) 一种印制线路板及其制备方法
KR102436612B1 (ko) 다층인쇄회로기판의 최외층 형성 방법
JPH04342192A (ja) 多層配線回路板の製法
JP2549713B2 (ja) ブラインドスルーホールを有する多層プリント基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 8202170-0

Format of ref document f/p: F

NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8202170-0

Format of ref document f/p: F