TW201630116A - 可調吸收之多層雷射剝離結構 - Google Patents

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Abstract

使用黏著層及燒蝕層兩者的吸收特性來促進裝置晶圓與玻璃操作體的剝離，而不會損害裝置晶圓。黏著層及燒蝕層的穿透深度係選擇使得不超過可忽略量的燒蝕注量會到達裝置晶圓的表面。

Description

可調吸收之多層雷射剝離結構
本發明關於半導體裝置的製造，特別是關於晶圓剝離。
三維(3D)晶片技術包含3D積體電路(IC)及3D封裝。3D晶片技術獲得廣泛重視，因為其能提供更加複雜電路的更大集成且具有較短的電路路徑以允許更快的性能並降低能量消耗。在3D IC中，多個薄的矽晶圓層係垂直地堆疊並互連以產生整體堆疊的單一積體電路。在3D封裝中，多個離散的IC係堆疊、互連並封裝。
用於3D晶片技術(包含3D IC及3D封裝)的現代技術可利用直通矽穿孔(through-silicon via，TSV)。TSV為垂直互連通路(vertical interconnect access，VIA)，其中連接係完全通過矽晶圓或晶粒。藉由使用TSV，3D IC及3D封裝，IC可更緊密地整合為邊緣配線。
暫時的晶圓接合/剝離一般為實施TSV及3D矽結構的重要技術。在此情況下，接合包含將矽裝置晶圓(其成為3D堆疊中的一層)附接至基板(substrate)或處理晶圓(handling wafer)的動作，使得其例如可進行佈線、接墊、及連接冶金的處理，同時允許晶圓薄化以例如暴露從頂部表面所蝕刻之盲孔(blind via)的TSV金屬。剝離為將已處理的矽裝置晶圓從基板或處理晶圓移除，使得已處理的矽裝置晶圓可加至3D堆疊。
用於暫時晶圓接合/剝離的許多現有方法包含使用直接放置於矽裝置晶圓及處理晶圓之間的一黏著層。當完成矽裝置晶圓的處理，矽裝置晶圓可藉由許多技術從處理晶圓釋出，例如藉由將晶圓對(wafer pair)暴露於由操作體中孔洞所放出的化學溶劑、藉由從邊緣起始點的機械剝落或藉由加熱黏著劑使其可鬆開至矽裝置晶圓可藉由剪切(sheering)而移除之處。
玻璃操作體晶圓與黏著接合裝置晶圓的剝離透過使用施加至玻璃操作體晶圓的燒蝕層(ablation layer)(其在特定臨界值的雷射輻射下分解)而實現。某些雷射注量(laser fluence)由燒蝕層所吸收以致能晶圓分離。其餘部分穿透黏著劑及/或基板。
本發明原則上提供一範例製造方法，其包含提供用以發射具有一選定波長之UV光的雷射裝置以及獲得包含一裝置晶圓、附著於裝置晶圓的一黏著層、一UV-透射操作體(UV-transmissive handler)、及介於操作體與黏著層之間且附著於黏著層的一燒蝕層之一結構。燒蝕層具有在選定波長下介於0.1微米至0.2微米的一光學穿透深度且具有至少為兩個穿透深度的一厚度。黏著層具有在選定波長下介於2微米至20微米的一光學穿透深度以及至少為一個穿透深度的一厚度。方法更包含使雷射裝置朝結構發射具有選定波長的UV光並將燒蝕層燒蝕以及使操作體與裝置晶圓分離。
範例性結構包含一裝置晶圓、附著於裝置晶圓的一黏著層(該黏著層具有在介於308奈米至355奈米間之一選定波長下介於2微米至20微米的一光學穿透深度且具有至少為一個穿透深度的一厚度)、一UV-透射操作體、以及介於UV-透射操作體與黏著層之間的一燒蝕層。燒蝕層具有在選定波長下介於0.1微米至0.2微米的一光學穿透深度且具有至少為兩個穿透深度的一厚度。燒蝕層在受到雷射注量時將進一步發生分解。
如本文中所使用，「促進(facilitating)」一動作包含施行該動作、使該動作更容易、有助於實行該動作、或導致該動作得以施行。因此，舉例來說(且非限制)，在一處理器上執行之指令可促進一動作藉由在一遠端處理器上執行之指令、藉由發送適當資料或命令而實行以導致或輔助該動作得以施行。為避免疑慮，若一作出動作者促進一動作而非執行該動作，則該動作仍藉由某個實體或實體組合施行。
本文所揭露的製造方法可提供相當多的有利技術效果。例如，一或多個具體實施例可提供一或多個以下的優點：●促進操作體從黏著接合的裝置晶圓剝離；●起始注量僅有可忽略的量到達裝置晶圓表面；●在燒蝕塗層或黏著塗層含有缺陷的情況下提供改良的最終製程良率。
從本發明之闡釋性具體實施例之下列詳細描述將明白本發明之此等及其他特徵及優點，其係結合隨附圖式而閱讀。
20‧‧‧結構
22‧‧‧裝置晶圓
24‧‧‧操作體
26‧‧‧主動裝置
27‧‧‧配線層
28‧‧‧保護層
30‧‧‧光學聚亞醯胺塗層
32‧‧‧端點金屬墊
34‧‧‧黏著層
36‧‧‧燒蝕層
圖1顯示接合至玻璃操作體之裝置晶圓的示意剖面圖；圖2A為顯示UV剝離程序的示意剖面圖，其中雷射注量由燒蝕層及黏著層所吸收；圖2B的圖式顯示強度衰減為以穿透深度表示之燒蝕層厚度的函數；以及圖2C的圖式顯示強度衰減為以穿透深度表示之黏著層厚度的函數。
本發明的範例具體實施例提供用於矽裝置晶圓與處理晶圓 或其他基板之暫時接合及剝離的各種方法。釋放層(release layer)(此處亦稱作燒蝕層)可為透明，使得矽裝置晶圓的底層電路可在剝離前進行光學檢測。剝離係藉由使用雷射將釋放層燒蝕而施行。所使用的雷射可為紫外光(UV)雷射，例如355奈米雷射、351奈米雷射或308奈米雷射。355奈米波長特別具吸引力，因為可取得堅固且相對便宜的二極體泵浦固態雷射(diode-pumped solid-state laser，DPSS laser)。
矽裝置晶圓對處理晶圓的接合包含使用黏著層及不同的釋放層兩者。根據針對這類接合的一方法，釋放層可為紫外光(UV)燒蝕層且其可施加至處理晶圓，其在某些範例具體實施例中為玻璃操作體。UV燒蝕層可接著固化。形成黏著層的接合黏著劑可施加至玻璃操作體或矽裝置晶圓。UV燒蝕層由高度吸收用於剝離之雷射的波長的材料所組成。材料在可見光譜中也可為光學透明，以允許黏著接合介面的檢查。UV燒蝕層以及接合黏著劑兩者為化學及熱穩定，使得其可完全承受半導體製程，包含加熱真空沉積(含PECVD及金屬濺射)、熱烘烤步驟(thermal bake step)、以及對濕式化學劑(包含溶劑、酸、鹼)的暴露(在接合晶圓介面的邊緣珠狀區域(edge bead region))。
範例製造方法開始於UV燒蝕材料藉由例如旋轉塗佈而施加於玻璃操作體上。具有旋轉塗佈的UV燒蝕材料於其上的玻璃操作體係軟烤以移除溶劑。旋轉塗佈參數可取決於UV燒蝕層的黏性，但可落在約500rpm至約3000rpm的範圍。軟烤的溫度可落在約80℃至約120℃的範圍。最終固化的溫度可落在200℃至400℃的範圍。在可能發生於350℃至400℃之間的標準CMOS BEOL製程期間，較高的固化溫度在確保UV燒蝕層的熱穩定性可更為有效。針對強UV-吸收或UV-敏感材料，約2000Å至約3000Å厚度等級之非常薄的最終層可足以作為釋放層。在某些具體實施例中，燒蝕層具有本質的UV-吸收特性。某些有機平面化層(organic planarizing layer，OPL)或有機介電層(organic dielectric layer，ODL)具有這類特性。在其他具體實 施例中，將染料併入包含燒蝕層的聚合材料，以給予所需的UV-吸收特性。在一或多個具體實施例中可使用的範例性染料包含以至少百分之十的重量百分比加入至任何非吸收材料(其能夠從例如聚甲基丙烯酸酯(polymethylmethacrylate，PMMA)的溶液形成一薄膜)的9-羧酸(9-anthracenecarboxylic acid)及苯并蒽酮(benzanthrone)。染料的加入將在下文中針對黏著層作進一步的討論。某些範例ODL材料係旋轉塗佈於玻璃並在350℃的氮環境下固化約1小時以產生一薄膜。此一薄膜可在所有可見光譜的範圍為光學透明，但對在低於約360奈米之UV波長範圍的分解強烈敏感，且可使用常見的UV雷射光源(例如操作在308奈米(如XeCl)或351奈米(如XeF)的準分子雷射或操作在355奈米的二極體泵浦三倍YAG雷射)而完全且乾淨地燒蝕。
可使用包含操作在308奈米(如XeCl)或351奈米(如XeF)的準分子雷射以及操作在355奈米的二極體泵浦(三倍)YAG雷射或操作在266奈米的二極體泵浦(四倍)YAG雷射的許多UV雷射光源中的任一個來執行雷射剝離，以釋放在燒蝕層介面的玻璃操作體。準分子雷射可能較為昂貴，可能需要更多維護/支持系統(如有毒氣體的控制)且通常在低重複率可能需要很大的輸出功率(如在數百Hz重複下之數百瓦輸出)。此處規定之材料的UV燒蝕臨界可能需要每平方公分100-150毫焦耳(mJ/sqcm)來實現釋放。由於準分子雷射的大輸出功率，其可在尺寸在數十平方毫米面積等級(例如0.5毫米x0.5毫米線光束外形)的相對大面積光束中供應此能量。由於它們的大輸出功率及相對低的重複率，使用準分子雷射的雷射剝離工具可包含具有固定光束的可移動x-y平台。平台移動可為每秒十到十五毫米等級。所要剝離的晶圓對可放置在平台上並來回掃描直到整體表面被照射。
可使用較便宜、較耐用且功率較低之在355奈米的固態泵浦三倍YAG雷射、藉由橫跨晶圓表面快速掃描小斑點光束而產生另一雷射剝離系統。355奈米波長雷射相較於266奈米的四倍YAG雷射是有利的，原因 為以下兩個理由：1)針對相同尺寸的二極體雷射泵浦功率，在355奈米的輸出功率一般為在266奈米的2到3倍大，以及2)許多常用的操作體晶圓玻璃(例如Schott Borofloat 33)在355奈米下有90%或更大的透射率，但在266奈米下只有約15%的透射率。由於在266奈米下80%的功率在玻璃中被吸收，起始雷射功率可能要高出約6倍以在釋放介面(release interface)達到相同的燒蝕注量。因此，在玻璃操作體本身中有熱衝擊(thermal shock)的一些風險。
示例性355奈米掃描雷射剝離系統可包含如下：1)Q-開關3倍YAG雷射，其在355奈米下具有5到10瓦的輸出功率，重複率在50到100kHz之間，且脈衝寬度在10奈秒到20奈秒之間。此雷射的輸出光束可擴展並導向至商用2-軸掃描器，其包含架設至x及y電流計掃描馬達的反射鏡。掃描器可架設在固定晶圓台上的一固定距離處，其中距離的範圍從20公分到100公分，取決於所要釋放晶圓的工作面積。50到100公分的距離可有效地達到10米/秒等級的移動斑點速度。F-theta透鏡可架設在掃描器的朝下輸出，且光束可聚焦至100到500微米等級的斑點尺寸。針對在355奈米的六瓦輸出功率、50kHz重複率及12奈秒的脈衝寬度、操作在10m/s光柵速度下之80公分的掃描器到晶圓距離，最佳的斑點尺寸可在200微米的等級，且所需約為100mJ/sq.cm的燒蝕注量可在約30秒傳遞到整體晶圓表面兩次(例如使用交疊行(overlapping rows))。交疊步進距離(overlap step distance)等於斑點直徑一半(例如100微米)的交疊行的使用可確保不會因掃描行之間的間隙而錯過晶圓的任何部分，並確保介面的所有部分都可看到相同的總注量。
根據本發明範例具體實施例之執行操作體晶圓接合及剝離的範例方法包含施加釋放層至操作體，而黏著層可施加至裝置晶圓。然而，根據其他範例方法，釋放層可施加至操作體，接著黏著層可施加至釋放層。釋放層係介於玻璃操作體與黏著劑之間。之後，裝置晶圓可接合至操作體，使得釋放層及黏著層設於裝置晶圓與操作體之間。接合可包含裝置晶圓與操作體在真空環境中的受控熱及壓力下(如一些商用接合工具中的任一個所 提供)的物理聚合。在裝置晶圓已成功地接合至操作體後，可執行所需的處理。這些處理可包含例如圖案化、蝕刻、薄化等製程步驟，直到達到裝置晶圓的所需狀態。之後，可檢查裝置晶圓的電路。裝置電路的檢查可執行以確保裝置晶圓已適當的處理。檢查可光學地施行，例如使用高品質的顯微鏡或其他影像檢查方法。光學檢查可通過操作體而執行，其中操作體(如上述)可為透明。裝置電路的光學檢查也可通過釋放及黏著層而執行，因為這些層的每一者也可為透明。雷射燒蝕係用以允許裝置晶圓與操作體沿燒蝕層的平面而分離。針對範圍在10-20奈秒的脈衝，燒蝕可包含燒蝕層的光熱、光機械及/或光化學燒蝕。裝置晶圓接著可清潔以移除殘留的黏著劑。
圖1示意性地顯示包含接合至玻璃操作體24之裝置晶圓22的範例結構20。範例結構更包含在裝置晶圓22上的主動裝置26、在製程後端(back-end-of-line，BEOL)期間形成的配線層27、包含例如氮化矽的保護層28、選擇性聚亞醯胺塗層30、端點金屬墊32、黏著層34及在操作體24及黏著層34之間的燒蝕層36。在範例結構中，燒蝕層具有在0.1微米至0.5微米之間的一厚度。黏著層具有在1微米至100微米之間的一實質較大的厚度。
如前文所討論，燒蝕層36係選擇為在感興趣的紫外光光譜(即在308奈米及355奈米之間)中有高度吸收性。在某些具體實施例中，約80%到90%的雷射注量由燒蝕層所吸收。由於燒蝕層分裂，這類吸收將致能晶圓分離。剩餘的注量穿透進入黏著層。在範例結構20中，黏著層也能夠吸收在所需波長(308-355奈米)的注量。藉由提供燒蝕層及黏著層(兩者皆具有吸收特性)，如下文將進一步討論，只允許可忽略量的起始注量到達裝置晶圓表面。圖2A示意性地描述結構20的操作。
穿透深度為電磁輻射可穿透進入材料之深度的量測，特別是輻射的強度降至其在基板表面之原始值的1/e或約36.8%處的深度。穿透深度δp一般為針對一給定材料之波長的函數。強度降低為以穿透深度來量測之厚度的函數。舉例來說，當強度在一穿透深度處為原始強度的約36.8%，其 在兩個穿透深度處僅為原始強度的約13.5%且其三倍穿透深度處約5%。再次參考圖2A，UV光40係導向操作體24。在範例具體實施例中，在操作體表面的注量僅約5%到15%進入到黏著層34，其主要由於燒蝕層36的吸收。黏著層允許少於2%的原始注量朝裝置晶圓22離開。圖2B及2C所示的範例圖表分別描述燒蝕層及黏著層的透射率(為原始注量的百分比)，其分別為穿透深度的函數。在範例具體實施例中，燒蝕層的穿透深度在約0.1微米至0.2微米之間，而較厚的黏著層的穿透深度在2微米到20微米之間。燒蝕層在一或多個具體實施例中的厚度在0.2微米到0.3微米的等級。這限制雷射脈衝能量(在某些具體實施例中針對約10奈秒期間為約100mJ/cm2)到鄰近操作體之一非常薄的區域，以達到在合理注量下的完全釋放。
在某些具體實施例中，某些基於聚亞醯胺的高溫聚合物黏著劑吸收波長範圍在360奈米及300奈米之間的UV輻射且包含黏著層。因此，殘留UV注量到達主動晶圓表面的量可根據原始燒蝕層的厚度均勻性及底下黏著層的光學特性及厚度而變化。燒蝕層中的塗層缺陷可能導致產量的損失(yield loss)，除非在黏著層的實質較大厚度上有UV脈衝的額外濾波。用於此處所揭露之製造程序中的黏著層(與燒蝕層結合亦同)具有必要的光學特性來幫助避免雷射引起的損害，其可能由到達主動晶圓表面之可觀的燒蝕脈衝量所造成，其在該處可能與例如聚亞醯胺或PECVD氮化矽(SiNx)保護層的材料作用。因此，在燒蝕層或黏著層含有缺陷的情況下，可改善製程產量，因為隨機缺陷不太可能發生在兩個獨立施加材料的相同位置。
根據一或多個具體實施例，多層剝離結構包含兩個不同層，即燒蝕層及黏著層，其吸收特性及厚度係確保沒有超過可忽略量的燒蝕注量允許到達裝置晶圓表面。藉由指定燒蝕層及底下黏著劑的所需UV吸收需求(如圖2B及2C所示)，剝離可安全地進行，而沒有產生雷射所引起損害的實質風險。在範例具體實施例中，燒蝕層36具有至少兩個穿透深度的厚度，且較佳具有介於兩個至四個穿透深度的厚度。黏著層具有至少一個 穿透深度的厚度且較佳具有介於一到兩個穿透深度的厚度。燒蝕層的穿透深度在一或多個具體實施例中係介於0.1微米到0.2微米之間，而黏著層的穿透深度在一或多個具體實施例中係介於2到20微米之間。
在某些具體實施例中，黏著層在所希望的波長範圍中具有本質光學吸收特性(intrinsic optical absorption property)。可容易地吸收波長範圍在300奈米到360奈米之UV雷射輻射的範例性商業黏著劑為來自HD Microsystems之稱作HD-3007黏著劑的聚亞醯胺基底產品(polyimide-based product)。此商業黏著劑為非光界定的聚亞醯胺前驅物，其設計用作3D封裝應用中的暫時或永久黏著劑。在硬化後及在適當溫度及壓力下的接合期間，其將表現出熱塑性行為。具有基材(其在所需的雷射波長下不具本質光學吸收、或沒有足夠的光學吸收特性)的熱塑性黏著劑在某些具體實施例中係藉由加入微小奈米粒子而調整。當均勻地分散於整個黏著劑時，奈米粒子的懸浮可增加至導致近似中性濾光片(neutral density filter)的量，其中中性濾光片係散射已知比例的入射雷射脈衝而不論其波長。範例性的奈米粒子包含鋁及氧化鋁奈米粒子。在其他範例具體實施例中，將加入染料至沒有表現出所需吸收特性的熱塑性黏著劑中。某些染料已知為會吸收在一或多個具體實施例中所使用的雷射波長。舉例來說，如美國專利5,169,678(其係併入本文中作為參考)所揭露，可加入各種染料至聚合材料以影響其吸收性。在某些範例中，將聚合物熔化並將染料加入聚合物熔體。在其他範例中，使用溶劑使染料擴散或溶解至聚合物中。在某些具體實施例中將獲得染料的均勻分布。例如對苯偶氮苯酚(p-phenylazophenol)、N-p亞甲氧苯基-p-苯偶氮苯胺(N-p methoxybenzylidene-p-phenylazoaniline)、二羥蔥(dihydroxyanthraquinone)及β胡蘿蔔素等染料可用以提供在UV範圍的吸收性。這類染料在某些具體實施例中可用作配方或替代使用以調整吸收頻率。在一或多個具體實施例中，激子產品(exciton product)(例如“DPS”(CAS 2039-68-1)及“Bis MSB”(CAS 13280-61-0))為可用於聚合物中以提供在UV 範圍之吸收性的其他範例材料。可用於一或多個具體實施例中的其他範例染料包含9-羧酸蒽(9-anthracenecarboxylic acid)及苯并蒽酮(benzanthrone)。
薄燒蝕層或HD-3007黏著劑的範例塗佈程序包含分配數毫升的材料、在1000到3000rpm之間旋轉塗覆60秒、在約110℃下烘烤以除去溶劑、以及在電爐或在氮爐中以約350℃進行10分鐘的硬化。HD-3007黏著劑的一特定接合方法包含將塗佈黏著劑的晶圓對齊操作體、使用間隔物將其保持分開一小距離、以及將晶圓對引入將被抽真空的一腔室，使得它們之間的空間為完全真空。溫度將提升至高於100℃以幫助使黏著劑脫氣，且間隔物將被移除以使晶圓及操作體接觸。上及下的加熱板將提升至介於300℃至350℃的最終接合溫度，且將施加約8000mbar的壓力至該對並持續5分鐘以實現接合。當板降回至低於玻璃轉移溫度Tg，該對將保持在壓力下。
根據到目前的討論並參考上述的範例具體實施例及圖式，將理解到，概括地說，範例性製造方法包含提供用以發射在一選定波長之UV光的雷射裝置以及獲得一結構，該結構包含一裝置晶圓、附著於裝置晶圓的一黏著層、一UV-透射操作體、及介於操作體與黏著層之間且附著於黏著層的一燒蝕層。燒蝕層具有在選定波長下介於0.1微米至0.2微米的一光學穿透深度且具有至少為兩個穿透深度的一厚度。黏著層具有在選定波長下介於2微米至20微米的一光學穿透深度以及至少為一個穿透深度的一厚度。方法更包含使雷射裝置朝結構發射具有選定波長的UV光(如圖2A所示)並將燒蝕層燒蝕，以及使操作體與裝置晶圓分離。在一或多個具體實施例中，選定波長係介於308奈米與355奈米之間。在某些具體實施例中，裝置晶圓包含矽。方法的某些具體實施例更包含使用裝置晶圓形成主動半導體裝置26及形成一金屬配線層27於裝置晶圓上的步驟。在某些範例具體實施例中，黏著層包含吸收選定波長之光的一染料。在某些範例具體實施例中，燒蝕層包含吸收選定波長之光的一染料。黏著層可包含均勻懸浮於其中的奈米粒子。在某些具體實施例中，燒蝕層及黏著層允許源自雷射裝置之雷 射注量的2%或更低離開黏著層，如圖2A的示意顯示。
如圖1所示意顯示的範例結構包含裝置晶圓22、附著至裝置晶圓的黏著層34、UV-透射操作體24、及介於UV-透射操作體與黏著層之間的燒蝕層36，其中黏著層具有在介於308奈米及355奈米之間的選定波長下介於2微米至20微米的一光學穿透深度以及至少為一個穿透深度的一厚度。燒蝕層具有在選定波長下介於0.1微米至0.2微米的一光學穿透深度且具有至少為兩個穿透深度的一厚度。燒蝕層在受到雷射注量時將進一步發生分解。在一或多個具體實施例中，操作體主要由實質上對選定波長為透明的一玻璃材料所組成。在某些具體實施例中，燒蝕層36在選定波長具有本質光學吸收特性。在其他具體實施例中，燒蝕層36包含吸收選定波長之光的一染料。在一或多個具體實施例中，燒蝕層為一有機平坦化層。在某些具體實施例中，燒蝕層的厚度介於兩個到四個穿透深度之間。在某些具體實施例中，黏著層的厚度介於一個到兩個穿透深度之間。
熟此技藝者將理解到，前文所討論的範例結構可以原始形式分布或併入作為中間產物或最終產物(如積體電路)的部分。
本文所用之術語僅係為達描述特定具體實施例之目的，且不欲為本揭示案之限制。如本文所用，單數形式的「一」、「一個」及「該」亦意欲包括複數形式，除非上下文另有清楚地表示。應進一步瞭解，本說明書中使用術語「包含」及/或「包括」時，該等術語指定所陳述的特徵、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但並不排除一或更多個其他的特徵、步驟、操作、元件、組件及/或以上各者之群組的存在或附加。術語例如「之上」及「之下」係用以指示元件或結構彼此的相對位置，而非相對高度。也應注意到，在某些替代的實施中，範例性方法的步驟所發生的順序可不同於圖式中提到的順序。例如，連續繪示的兩個步驟事實上可以實質上同時執行，或者某些步驟有時可以以相反的順序執行，取決於所涉及的功能。
以下申請專利範圍中所有手段或步驟加功能元件之相對應 的結構、材料、動作及其均等物意欲包括用於結合特定主張的其他主張元件執行功能的任何結構、材料或動作。為達說明及描述之目的已介紹各種具體實施例之描述，但此並不意欲為所揭示形式的窮盡內容或限制。在不脫離本發明之範疇及精神的情況下，許多修改及變化對於此技藝中一般技術者將顯而易見。選擇且描述具體實施例，以最好地解釋本發明之原理及實際應用，且為使此技藝中一般技術者之其他人能夠理解具有適合所涵蓋特定用途之多種修改之多種具體實施例。
24‧‧‧操作體
34‧‧‧黏著層
36‧‧‧燒蝕層

Claims (20)

  1. 一種方法，包含：提供一雷射裝置，用以發射在一選定波長的UV光；獲得一結構，其包含一裝置晶圓、附著於該裝置晶圓的一黏著層、一UV-透射操作體、及介於該操作體與該黏著層之間且附著於該黏著層的一燒蝕層，該燒蝕層具有在該選定波長下介於0.1微米至0.2微米的一光學穿透深度且具有至少為兩個穿透深度的一厚度，該黏著層具有在該選定波長下介於2微米至20微米的一光學穿透深度以及至少為一個穿透深度的一厚度；使該雷射裝置朝該結構發射具有該選定波長的UV光並燒蝕該燒蝕層；以及使該操作體與該裝置晶圓分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該選定波長係介於308奈米與355奈米之間，且其中該燒蝕層及該黏著層允許源自該雷射裝置之雷射注量的2%或更低離開該黏著層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該裝置晶圓包含矽，更包含使用該裝置晶圓形成多個主動半導體裝置的步驟及形成一金屬配線層於該裝置晶圓上的步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該操作體主要由實質上對該選定波長為透明的一玻璃材料所組成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該裝置晶圓包含一保護層及金屬接觸墊。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該黏著層包含吸收該選定波長之光的一染料。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該黏著層包含懸浮於其中的奈米粒子，用以散射該選定波長的UV光。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該燒蝕層包含吸收該選定波長之光的一染料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該燒蝕層在該選定波長具有本質光學吸收特性。
  10. 一種結構，包含：一裝置晶圓；附著於該裝置晶圓的一黏著層，該黏著層具有在介於308奈米至355奈米間之一選定波長下介於2微米至20微米的一光學穿透深度且具有至少為一個穿透深度的一厚度；一UV-透射操作體；介於該UV-透射操作體與該黏著層之間的一燒蝕層，該燒蝕層具有在該選定波長下介於0.1微米至0.2微米的一光學穿透深度且具有至少為兩個穿透深度的一厚度，該燒蝕層在受到雷射注量時將進一步發生分解。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該操作體主要由實質上對該選定波長為透明的一玻璃材料所組成。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中該黏著層包含吸收該選定波長之光的一染料。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中該黏著層包含懸浮於其中的奈米粒子，用以散射該選定波長的UV光。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該黏著層在該選定波長具有本質光學吸收特性。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該燒蝕層在該選定波長具有本質光學吸收特性。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該燒蝕層包含一有機平坦化層。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該燒蝕層包含吸收該選定波長之光的一染料。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該燒蝕層具有小於0.5微米的一厚度。
  19. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該燒蝕層的該厚度係介於在該選定波長下的兩個到四個穿透深度。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之結構，其中該黏著層的該厚度係介於在該選定波長下的一個到兩個穿透深度。
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