JPWO2007060814A1 - 放射線用シンチレータプレート - Google Patents

Abstract

鮮鋭性が均一な放射線用シンチレータプレート及び、ＣｓＩ結晶を用いて鮮鋭性が向上したシンチレータプレートを提供することを目的とする。 基板上に、放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層が形成された放射線用シンチレータプレートにおいて、蛍光体層は柱状結晶の複数の蛍光体を備え、任意の前記蛍光体の柱状結晶径ａ及びｂ（ａ≧ｂ）は下記式を満たすことを特徴とする。 １．０≦ａ／ｂ＜１．５さらに、基板上に、放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層２が形成された放射線用シンチレータプレートにおいて、蛍光体層は母剤としてのヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と付活剤とを用いて形成された蛍光体を備え、蛍光体層の成長方向が（ｎ００）面（ｎ＝１，２，３のいずれか）であることを特徴とする。

Description

本発明は、放射線用シンチレータプレートに関し、柱状結晶からなる蛍光体層を備え、特に、ＣｓＩ結晶を用いて鮮鋭性が向上した放射線用シンチレータプレートに関する。

従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。

しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような自由な画像処理や瞬時の画像転送を行うことができない。

そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場してい置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。

Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてＣＲが現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、鮮鋭性が十分でなく、空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、さらに新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば、雑誌Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｔｏｄａｙ、１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｕｓｈｅｒ ｉｎ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｘ−ｒａｙ Ｉｍａｇｉｎｇ”や、雑誌ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文“Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ａ Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ、Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ、 Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ Ｉｍａｇｅｒ ｗｉｔｈ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ”などに記載された、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。

このようなＦＰＤは、ＣＲより装置が小型化されており、高線量における撮影の画質が優れているという特徴がある。しかしながら、一方ではＴＦＴや回路を具備することで派生する電気ノイズのため、低線量での撮影において、ＳＮ比が低下し、十分な画質レベルに到達させることができないという問題を抱えていた。

また、ＦＰＤでは、放射線を可視光に変換するために放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体を用いて作製されたシンチレータプレートが使用されるが、低線量での撮影においてＳＮ比を向上させるために発光効率の高いシンチレータプレートを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータプレートの発光効率は、蛍光体層の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数により決まるが、蛍光体層の厚さを厚くするほど、蛍光体層内において発光光の散乱が発生し、鮮鋭性を低下させてしまう。

ここで、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成することが可能である。蛍光体を柱状結晶にすることにより、結晶内での発光が柱状結晶の側面より外に放射されてしまうことを少なくする光ガイド効果が得られるようになっている。つまり、蛍光体層における発光光の散乱を抑え、鮮鋭性の低下を抑制する。従って、鮮鋭性を低下させること無く蛍光体層の厚さを厚くすることが可能である。一般的に、ＣｓＩの柱状結晶径は３〜２０μｍとなっており、柱状結晶径が細いほど高い光ガイド効果が得られ、鮮鋭性を向上させるようになっている。

ところで、ＦＰＤの検出面積は大面積であり、検出器平面内の画質分布を均一にすることは極めて重要である。蛍光体の諸物性の面内分布は画質分布に大きく寄与しており、画質を向上させるためには蛍光体の諸物性の面内分布を均一にすることが必要である。中でも、前述の通り、蛍光体の柱状結晶径は鮮鋭性を決定するものであり、蛍光体の柱状結晶径を検出器平面内で均一にすることが望まれている。

そこで、特許文献１に記載のように、蛍光体層の中心から周辺に向けて蛍光体の柱状結晶径が大きくなる放射線用シンチレータプレートが知られている。このような放射線用シンチレータプレートによれば、蛍光体層の周辺部の蛍光体柱状結晶を太くして強度をもたせることにより、光電変換素子部を備えるセンサパネルとローラを用いて貼り合わせる際に破損しないようになっている。そのため、製造段階で蛍光体が破損せず、ボケのない画像を得ることがで
きる。

また、特許文献２に記載のように、ＣｓＩを用いて柱状結晶の蛍光体を作製し、蛍光体層をフィルムで被覆し固定支持したシンチレータプレートが知られている。このようなシンチレータプレートによれば、ＣｓＩ結晶を用いて鮮鋭性の低下を抑制し、フィルムで被覆することにより蛍光体を保護することが可能である。
特開２００３−６６１４７号公報 特開昭６３−２１５９８７号公報

しかしながら、従来の放射線用シンチレータプレートでは、蛍光体の柱状結晶径の面内分布を十分均一にすることができず、蛍光体層において得られる光ガイド効果が均一でないので、鮮鋭性の面内分布の均一化ができないという問題があった。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、柱状結晶の蛍光体の太さを均一にして鮮鋭性が均一な放射線用シンチレータプレートを提供することを目的とするものである。

また、従来のシンチレータプレートにおいては、鮮鋭性に関連するＣｓＩ結晶の結晶面の規定がされておらず、鮮鋭性の向上が難しいという問題もあった。

さらに、ＣｓＩ結晶を用いて鮮鋭性が向上したシンチレータプレートの提供を目的とするものである。

本発明の上記課題は以下の構成により達成される。
（構成１）基板上に、放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層が形成された放射線用シンチレータプレートにおいて、前記蛍光体層は柱状結晶の複数の蛍光体を備え、任意の二つの前記蛍光体の柱状結晶径ａ及びｂ（ａ≧ｂ）は下記式（１）を満たす放射線用シンチレータプレート。 １．０≦ａ／ｂ＜１．５ …（１）
（構成２）構成１に記載のシンチレータプレートにおいて、前記蛍光体の柱状結晶径ａ及びｂの少なくとも一方が３〜１０μｍであるシンチレータプレート。

（構成３）構成１に記載のシンチレータプレートにおいて、前記蛍光体層は母剤としてのヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と付活剤とを用いて形成された蛍光体を備え、当該蛍光体層の最も支配的な成長方向が（ｎ００）面（ｎ＝１，２，３のいずれか）であるシンチレータプレート。

（構成４）構成３に記載のシンチレータプレートにおいて、前記付活剤は、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、ユーロピウム（Ｅｕ）のうち少なくとも一つを含むシンチレータプレート。

本発明に係る放射線用シンチレータプレートの断面図である。 蒸着工程における蛍光体の状態を示す説明図である。 蒸着装置の概略構成図である。

以下に、本発明に係る放射線用シンチレータプレートの一実施形態について、図面を参照して説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。

図１に示すように、本発明に係る放射線用シンチレータプレート１０は、基板１上に蛍光体層２を備えるものであり、蛍光体層２に放射線が照射されると、蛍光体層２は入射した放射線のエネルギーを吸収して、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を発光するようになっている。

基板１としては、Ｘ線等の放射線を透過させることが可能なものであり、樹脂やガラス基板、金属板などが用いられるが、耐性の向上や軽量化といった観点から、厚さが１ｍｍ以下のアルミ板や炭素繊維強化樹脂シートを始めとする樹脂を用いるのが好ましい。

蛍光体層２には、図２に示すように、柱状結晶の複数の蛍光体が基板１の上面に略垂直になるように形成されている。なお、図２は後述する蒸着工程における蛍光体の説明図であり、図１における上下方向を逆に示している。蛍光体は、Ｃｓをベースとするものであり、ＣｓＩの他にも、ＣｓＢｒやＣｓＣｌ等が挙げられる。また、前述のＣｓをベースとする蛍光体層２を構成する複数の原料を任意の混合比率で用いて混晶体を形成し、当該混晶体をベースとして用いても構わない。

さらに、蛍光体は、母剤としてのヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と付活剤とを用いて形成されるものである。付活剤としては、特に制限は無いが、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、ユーロピウム（Ｅｕ）のうち少なくとも一つを用いるのが好ましく、これらを組み合わせて用いることとしても良い。付活剤の添加量は、母剤に対して０．０３〜３ｍｏｌ％用いるのが好ましい。

蛍光体層２には、発光効率を高めるための付活剤等を適宜添加することとしても良い。

付活剤としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、銅（Ｃｕ）、セリウム（Ｃｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）等の化合物が挙げられ、これらを組み合わせて用いることとしても良い。なお、蛍光体がＣｓＩの場合、付活剤原料としてヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を０．０３〜３ｍｏｌ％用いるのが好ましい。

蛍光体層２には複数の蛍光体の柱状結晶が備えられているが、任意の二つの蛍光体の柱状結晶径をａ及びｂ（ａ≧ｂ）とすると、下記式（１）を満たすようになっている。１．０≦ａ／ｂ＜１．５ …（１）
ここで、蛍光体の柱状結晶径とは柱径のことであり、円柱状の場合はその直径を、角柱状の場合はその対角線で最も長さ寸法の大きいものを示すようになっている。一般に、柱状結晶径の小さい蛍光体ほど高い光ガイド効果が得られ鮮鋭性が良好であり、柱状結晶径ａ及びｂの少なくとも一方は３〜１０μｍであることが好ましい。

さらに、蛍光体層２は、最も支配的な成長方向が（ｎ００）面（ｎ＝１，２，３のいずれか）である。ここで、最も支配的な成長方向とは、蛍光体層２をＸ線回折測定して得られたＸ線回折スペクトルにおいて測定されるピーク強度のうちの最大強度である。

次に、本実施形態に係る柱状結晶の蛍光体を備える蛍光体層２の製造方法について説明する。

蛍光体層２は、周知の気相堆積法や蒸着法で基板１上に蒸着を行い、基板１上に柱状結晶の蛍光体を成長させることにより形成される。ＣｓＩを蛍光体の主成分として用いた場合には、ＣｓＩと付活剤原料とを供給源として、基板１上に蒸着を行う（蒸着工程）。そして、蒸着工程後、蛍光体層２が形成された基板１は、ガス雰囲気下で熱処理を行う（加熱工程）。

このような蒸着法は、例えば、図３に示すような蒸着装置２０により行われる。蒸着装置２０には、内部の真空度が調整可能な真空容器２２が備えられている。真空容器２２には、真空容器２２内の空気を排出してから不活性ガスを導入して真空度を調節させる真空ポンプ２１が備えられている。また、真空容器２２の内部には、蒸着源としての抵抗加熱ルツボ２３が備えられており、抵抗加熱ルツボ２３の上方には基板１を保持する基板ホルダ２５が備えられている。基板ホルダ２５には、基板１の温度を調整しつつ抵抗加熱ルツボ２３の上方で回転させる回転機構２４が備えられている。また、抵抗加熱ルツボ２３と基板ホルダ２５との間には、抵抗加熱ルツボ２３からの蒸気流を調節するスリットを備えることとしても良い。

蒸着装置２０によって形成される蛍光体と基板１の表面（以下、「基板面」）の角度は、図２に示すように、抵抗加熱ルツボ２３から基板面への蒸気流Ｖの入射角度に依存するようになっている。その角度は蛍光体材料によって異なり、ＣｓＩをベースとした場合には、蒸気流Ｖを基板面の垂直な法線方向に対して０〜５度の範囲で入射させることにより、基板面に対して略垂直（法線方向とほぼ平行）な柱状結晶の蛍光体を得ることが出来る。

ここで、本実施形態においては、蒸着工程における基板１の温度は１５０〜３００℃の範囲に調整されている。また、真空容器２２内の真空度と蛍光体の成長速度を表す膜堆積レートとの条件を組み合わせることにより、均一な柱状結晶径の蛍光体を形成するようになっている。蛍光体材料や基板１によって異なるが、真空度は５．０Ｅ−３〜５．０Ｅ−２．０Ｐａ、膜堆積レートは５〜１５μｍ／ｍｉｎの範囲で条件を組み合わせて蛍光体を形成するのが好ましい。

本実施形態においては、蒸着工程における蛍光体の成長速度を表す膜堆積レートは５〜１５μｍ／ｍｉｎの範囲で調整されている。また、蒸着工程における基板１の温度と真空容器２２内の真空度との条件を組み合わせることにより、最も支配的な成長方向が（ｎ００）面（ｎ＝１，２，３のいずれか）の蛍光体層２を形成するようになっている。蛍光体材料や基板１によって異なるが、基板１の温度は１５０〜３００℃、真空度は５．０Ｅ−３〜５．０Ｅ−２．０Ｐａの範囲で条件を組み合わせて蛍光体を形成するのが好ましい。

次に、放射線用シンチレータプレート１０の作用について説明する。

放射線用シンチレータプレート１０に対し、蛍光体層２側から基板１側に向けて放射線が入射すると、蛍光体層２に入射した放射線は、蛍光体層２中の蛍光体粒子が放射線のエネルギーを吸収し、その強度に応じた電磁波が発光される。

このとき、蛍光体層２の表面には、柱状結晶径が均一な蛍光体が存在しており、同等の光ガイド効果で発光するので、蛍光体層２の鮮鋭性の分布を均一にさせることができる。

以上のように、本発明に係る放射線用シンチレータプレート１０では、蛍光体層２を構成する蛍光体の柱状結晶径が均一であるので、蛍光体層２の鮮鋭性分布が均一となっている。

(実施例Ａ)
（放射線用シンチレータプレートの作製）
＜実施例Ａ−１＞
ＣｓＩに対し、付活剤原料としてヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を０．３ｍｏｌ％の比率で混合し、乳鉢にてこれらが均一になるように粉砕し、混合して蒸発原材料を調製した。

炭素繊維強化樹脂シートからなる基板１の片面に上記蒸着源材料を、図３に示す蒸着装置２０を使用して蒸着させ蛍光体層を形成した。

すなわち、まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として蒸着源である抵抗加熱ルツボ２３に充填するとともに、回転機構２４により回転される基板ホルダ２５に基板１を設置し、基板１と抵抗加熱ルツボ２３との間隔を４００ｍｍに調節した。続いて真空ポンプ２１により蒸着装置２０内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して５．０Ｅ−２Ｐａに真空度を調整した後、回転機構２４により基板１を回転させながら基板１の温度を２００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボ２３を加熱して蛍光体の蒸気流を発生させ、基板１に入射させて基板中心の膜堆積レートが１２μｍ／ｍｉｎとなるように蛍光体を形成させた。蛍光体層の厚さが５００μｍとなったところで基板１への蒸着を終了させ、実施例Ａ−１の放射線用シンチレータプレートを得た。
＜実施例Ａ−２＞
蒸着工程の真空度を２．５Ｅ−２Ｐａとし、基板中心の膜堆積レートを６μｍ／ｍｉｎとした以外は、実施例Ａ−１と同様に、実施例Ａ−２の放射線用シンチレータプレートを作製した。
＜比較例Ａ−１＞
蒸着工程の真空度を１．０Ｅ−２Ｐａとした以外は、実施例Ａ−１と同様に、比較例Ａ−１の放射線用シンチレータプレートを作製した。
（鮮鋭性分布の評価）
鮮鋭性分布については、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めることにより評価を行った。

具体的には、各放射線用シンチレータプレートにセンサパネルとしてのＣＴＦチャートを貼りつけた後、８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離；１．５ｍ）照射する。その後、蛍光体層２を有する面側から半導体レーザ光（６９０ｎｍ、放射線用シンチレータプレート上でのパワー４０ｍＷ）を照射して、直径１００μｍφの半導体レーザ光でＣＴＦチャートを走査することにより読み取り、ＭＴＦ値を測定した。このようにして任意の二箇所でＭＴＦ値α１、α２（α１＞α２）を測定し、下記式（２）に代入し、鮮鋭性分布Ｒを求め、結果を表１に示す。なお、ＭＴＦ値は空間周波数が１サイクル／ｍｍの際の値である。
Ｒ（％）＝｛（α１−α２）／（α１＋α２）｝×２×１００ …（２）
（柱状結晶径の測定）
蛍光体の柱状結晶径については、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立製 Ｓ８００）で蛍光体層２の表面画像を撮影した。得られた画像の５０μｍ×５０μｍ四方に存在する蛍光体の平均柱状結晶径を求め、任意の二箇所の５０μｍ×５０μｍ四方で求められる平均柱状結晶径をａ及びｂ（ａ＞ｂ）とした。また、柱状結晶径分布として平均柱状結晶径の比（ａ/ｂ）を求めた。その結果を表１に示す。

表１から明らかなように、本発明の実施例の結果は比較例に対して優れていることが分かる。
(実施例Ｂ)
（放射線用シンチレータプレートの作製）
＜実施例Ｂ−１＞
ＣｓＩに対し、付活剤原料としてヨウ化ルビジウム（ＲｂＩ）を０．３ｍｏｌ％の比率で混合し、乳鉢にてこれらが均一になるように粉砕し、混合して蒸発原材料を調製した。

炭素繊維強化樹脂シートからなる基板１の片面に上記蒸着源材料を、図３に示す蒸着装置２０を使用して蒸着させ蛍光体層を形成した。

すなわち、まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として蒸着源である抵抗加熱ルツボ２３に充填するとともに、回転機構２４により回転される基板ホルダ２５に基板１を設置し、基板１と抵抗加熱ルツボ２３との間隔を４００ｍｍに調節した。続いて真空ポンプ２１により蒸着装置２０内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して１．０Ｅ−２Ｐａに真空度を調整した後、回転機構２４により基板１を回転させながら基板１の温度を２００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボ２３を加熱して蛍光体の蒸気流を発生させ、基板１に入射させて蛍光体を形成させた。蛍光体層の厚さが５００μｍとなったところで基板１への蒸着を終了させ、実施例Ｂ−１の放射線用シンチレータプレートを得た。
＜実施例Ｂ−２＞
付活剤原料としてヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を０．３ｍｏｌ％の比率で混合した以外は、実施例Ｂ−１と同様に、実施例Ｂ−２の放射線用シンチレータプレートを作製した。
＜比較例Ｂ−１＞
基板１の温度を１５０℃とした以外は、実施例Ｂ−１と同様に、比較例Ｂ−１の放射線用シンチレータプレートを作製した。
（蛍光体層の成長方向の測定）
得られた放射線用シンチレータプレートについて、Ｘ線回折装置（理学電機株式会社製）を用いてＸ線回折スペクトルを得た。それぞれのＸ線回折スペクトルにおける最大ピーク強度を蛍光体層の最も支配的な成長方向とし、その結果を表２に示す。
（鮮鋭性の評価）
鮮鋭性については、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めることにより評価を行った。

具体的には、各放射線用シンチレータプレートにセンサパネルとしてのＣＴＦチャートを貼りつけた後、８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離；１．５ｍ）照射する。その後、蛍光体層２を有する面側から半導体レーザ光（６９０ｎｍ、放射線用シンチレータプレート上でのパワー４０ｍＷ）を照射して、直径１００μｍφの半導体レーザ光でＣＴＦチャートを走査することにより読み取り、ＭＴＦ値を測定し、鮮鋭性を表す指標とした。なお、ＭＴＦ値は空間周波数が１サイクル／ｍｍの際の値である。

また、比較例Ｂ−１において測定された鮮鋭性を１．０として実施例Ｂ−１、実施例Ｂ−２の鮮鋭性向上比率を求めた。その結果を表２に示す。

表２から明らかなように、本発明の実施例の結果は比較例に対して優れていることが分かる。

構成１に記載の発明によれば、基板上に、複数の蛍光体を備える蛍光体層が形成された放射線用シンチレータプレートにおいて、蛍光体は柱状結晶であり、任意の蛍光体の柱状結晶径をａ及びｂ（ａ≧ｂ）とすると、式(１)を満たすので、蛍光体の柱状結晶径の面内分布を均一にすることができる。そのため、それぞれの蛍光体の柱状結晶で得られる光ガイド効果は同等であり、鮮鋭性の面内分布も均一にすることができる。

構成２に記載の発明によれば、放射線用シンチレータプレートにおいて、蛍光体の柱状結晶径ａ及びｂの少なくとも一方が３〜１０μｍであるので、柱状結晶径が細く鮮鋭性に優れた蛍光体とすることができる。そのため、優れた鮮鋭性で面内分布が均一な放射線用シンチレータプレートとすることができる。

構成３に記載の発明によれば、蛍光体層はＣｓＩと不活剤とを用いて形成された蛍光体を備えており、蛍光体層の最も支配的な成長方向は（ｎ００）面（ｎ＝１，２，３のいずれか）であるので、鮮鋭性を大幅に向上させ、感度の優れた放射線用シンチレータプレートとすることが可能である。

構成４に記載の発明によれば、蛍光体層は、ＣｓＩを母剤とし、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、ユーロピウム（Ｅｕ）のうち少なくとも一つを含む付活剤を蛍光体層に添加するので、輝度を向上させることが可能である。

Claims (4)

1. 基板上に、放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層が形成された放射線用シンチレータプレートにおいて、前記蛍光体層は柱状結晶の複数の蛍光体を備え、任意の二つの前記蛍光体の柱状結晶径ａ及びｂ（ａ≧ｂ）は下記式（１）を満たすことを特徴とする放射線用シンチレータプレート。１．０≦ａ／ｂ＜１．５ …（１）
2. 前記蛍光体の柱状結晶径ａ及びｂの少なくとも一方が３〜１０μｍであることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシンチレータプレート。
3. 前記蛍光体層は母剤としてのヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と付活剤とを用いて形成された蛍光体を備え、当該蛍光体層の最も支配的な成長方向が（ｎ００）面（ｎ＝１，２，３のいずれか）であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシンチレータプレート。
4. 前記付活剤は、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、ユーロピウム（Ｅｕ）のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求の範囲第３項に記載のシンチレータプレート。