JP2011038912A - 放射線画像検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層を有し、前記下引層にガラス転移温度が−30℃〜90℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。
【選択図】図2
Description
1.2次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層とを有し、前記下引層にガラス転移温度が−30℃〜90℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。
2.前記下引層に含まれる樹脂がポリウレタンまたはポリエステルであることを特徴とする前記1に記載の放射線画像検出装置。
3.前記下引層の厚みが4μm〜100μmであることを特徴とする前記1または2に記載の放射線画像検出装置。
4.前記シンチレータ層上に前記シンチレータ層上面を平坦化する平坦化層を有することを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
5.前記耐湿保護層が前記シンチレータ層上面を平坦化する材料で構成されることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
6.前記耐湿保護層に含まれる樹脂がポリパラキシリレンであることを特徴とする前記1に記載の放射線画像検出装置。
7.前記シンチレータ層が気相堆積法により形成されることを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
8.前記シンチレータ層がセシウムハライド系蛍光体を含むことを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
9.前記セシウムハライド系蛍光体が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする前記8に記載の放射線画像検出装置。
本発明に係る基板は、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、また、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム(プラスチックフィルム)、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートあるいは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートなどを用いることができる。
光電変換素子層22は、層構成としては、上述のように透明電極22aと、電荷発生層22bと、対電極22cとからなり格子状に2次元配列されている。一方、出力層23には、光電変換素子層22の各画素に対応したコンデンサとトランジスタが設けられ、その周囲に取り出し配線や配線接続部が設けられている。光電変換素子層22および出力層23は基板上に公知の方法で製造される。
上記光電変換素子層22上にはデバイス特性の安定化のために保護層21が配置される。保護層の厚みは、光の散乱が抑えられる点から、0.2〜5.0μmであるのが好ましく、より好ましくは0.5〜4.0μmが、特には0.7〜3.5μmであるのが好ましい。
本発明においては、保護層とシンチレータ層の間に、光電変換部112表面の凹凸を平坦化するための下引層を設けている。なお、シンチレータ層の下引層と反対側の面に平坦化層を設けることも可能である。この平坦化層は、シンチレータ層の柱状結晶先端部の凹凸を平坦化するために設けるもので、材料、性質は以下に説明する下引層と同様である。
シンチレータ層(蛍光体層)は、放射線の照射により蛍光を発するシンチレータ(蛍光体)から成る層である。すなわち、シンチレータとは、エックス線等の入射された放射線のエネルギーを吸収して、波長が300nmから800nmの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波(光)を発光する蛍光体をいう。
ここで、Ddev:充填率の標準偏差
Dav :平均充填率
充填率の変動係数を20%以下にするためには、シンチレータ層の製造装置において用いる蒸発源の配置を制御することで行うことができる。例えば、複数の蒸発源を円の円周上に配置することで行うことができるが、さらに円の中心部にも蒸発源が配置されることがより好ましい。さらに複数の蒸発源が半径の異なる複数の同心円の円周上に配置されることがより好ましい。また塗布法によりシンチレータ層を形成する場合には、塗布時に用いる塗布装置のスリット形状を精密研磨により制御することにより行うことができる。
シンチレータ層を形成する蛍光体材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、セシウムハライド系蛍光体であるヨウ化セシウム(CsI)が好ましい。ヨウ化セシウム(CsI)は、エックス線から可視光への変換率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層の厚さを厚くすることが可能である。
基本組成式(I):MIX・aMIIX’2・bMIIIX”3:zA
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が利用可能である。
基本組成式(II):MIIFX:zLn
で示される希土類賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体も好ましい材料である。
反射層は、シンチレータ層の蛍光体から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、シンチレータ層からの光を反射すると同時に放射線透過性を有し、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、PtおよびAuからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ag膜、Al膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を2層以上形成するようにしても良い。
反射層とシンチレータ層の間にはさらに少なくとも1層からなる酸化物層を設けても良い。酸化物層を設けることで反射率が向上し、輝度向上の効果がある。
耐湿保護層は、シンチレータ層を湿気から保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム(CsI)は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。本発明においては、耐湿保護層は、単にシンチレータ層を覆うのみならず、センサー基板の保護層や下引層も含めて全体を覆うように構成されることが望ましい。
本発明においては、基板上にフォトダイオードやトランジスタ(TFT)等からなる画素が2次元状に形成された光電変換部を形成した後、保護層および下引層を介してシンチレータ層を設け、さらにその上に耐湿保護層や反射層を配置することで、放射線画像検出装置とする。
厚さ0.7mmのガラス基板上の430mm×430mmの領域に、アモルファスシリコンからなるフォトダイオード(光電変換素子)、TFT、及びAlの配線からなる、画素サイズ160μm×160μmの画素を2次元的に配置して光電変換部を作成した。また、ガラス基板の周囲の領域には、光電変換素子層から読み出される光電変換情報を読み出すIC等の配線部材と電気的に接続するための、Alの取り出し配線および配線接続部を設けた。その後センサー基板上にSiNからなる保護層を設けた。次いで下記の下引層を配線接続部が形成された領域を除いて形成し、センサー基板を得た。
ポリウレタン樹脂(ポリカプロラクトン含有 Tg:20℃) 100質量部
ヘキサメチレンジイソシアナート 3質量部
フタロシアニンブルー 0.1質量部
メチルエチルケトン(MEK) 100質量部
トルエン 100質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて15時間分散し、下引層塗設用の塗布液を得た。
基板回転機構を備えた基板ホルダに保護層と下引層を設けた前記センサー基板を設置した。次に、蛍光体原料(CsI:0.8Tlモル%)を蒸着材料として蒸発源るつぼに充填し、8個の蒸発源るつぼを真空容器の内部の底面付近であって、基板に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、基板と蒸発源との間隔を400mmに調節すると共に、基板に垂直な中心線と蒸発源との間隔を300mmに調節した。さらに、8個の遮蔽板を、蒸発源と基板のうち蒸発源に対向する面の中心点とを結ぶ線分上に、遮蔽板の上端部分が接する高さおよび位置となるように配置し、蛍光体が基板に蒸着する際の入射角の範囲を制限するようにした。次に、4個の蒸発源るつぼを真空容器の内部の底面付近であって、基板に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置した。このとき、基板と蒸発源との間隔を400mmに調節すると共に、基板に垂直な中心線と蒸発源との間隔を150mmに調節した。さらに真空容器の内部の底面付近であって、基板に垂直な中心線を中心とした円の中心に1個の蒸発源るつぼを配置した。
蒸着が終了し、シンチレータ層が形成されたシンチレータプレート上にアルミニウムをスパッタすることで反射層(0.1μm)を形成し、その上にCVD法により耐湿保護層としてポリパラキシリレン膜(30μm)を形成し、放射線画像検出装置(装置101)を作成した。
装置101の作製において、下引層の厚さ、下引層に使用するバインダー種類、下引層に使用するバインダーのガラス転移温度(Tg)を表1に示すように変更したこと以外は装置101と同様にして作製した。
〈画像欠陥の評価〉
12bitの出力データより発生した画像欠陥数を計測した。ここでの画像欠陥は画像の平均シグナルの90%以下、110%以上のシグナルを示す画素のことである。画像欠陥数は、500ピクセル×500ピクセルあたりの個数を計測した。
放射線画像検出装置に対して20cm離れた高さ位置から500gの鉄球を落下させた後、放射線画像検出装置について目視評価した。その後、管電圧80kVpのX線を基板の裏面側から照射し得られたFPD上の画像を出力装置よりプリントアウトし、得られたプリント画像を目視にて以下に示す基準にしたがって耐衝撃性の評価を行った。評価は0.5ランク刻みで行った。
5:ひび割れがなく、また、均一な画像である。
4:ひび割れがなく、画質的にほとんど気にならないレベルである。
3:ひび割れが見られ、画欠が確認されるが、実用上許容できるレベルである。
2:ひび割れが見られ、明らかな画欠が認められ、実用上問題が発生するレベルである。
1:ひび割れが多数見られ、画欠が多く、実用上問題が発生するレベルである。
鉛製のMTFチャートを通して管電圧80kVpのX線をFPDの放射線入射面側に照射し、画像データを検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたX線像の変調伝達関数MTF(空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値)を鮮鋭性の指標とした。表中、MTF値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。MTFはModulation Transfer Functionの略号を示す。試料101の鮮鋭性(MTF値)を100とする相対値にて示す。
11 平坦化層
12 反射層
13 酸化物層
14 シンチレータ層
20 下引層
21 保護層
22 光電変換素子層
22a 透明電極
22b 電荷発生層
22c 対電極
23 出力層
61 蒸着装置
62 真空容器
63、63a、63b、63c 蒸発源
64 基板ホルダ
65 基板回転機構
66 真空ポンプ
67 基板回転軸
68 シャッタ
100 放射線画像検出装置
110 撮像パネル
111 シンチレータ部
112 光電変換部
113 基板
Claims (9)
- 2次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層とを有し、前記下引層にガラス転移温度が−30℃〜90℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。
- 前記下引層に含まれる樹脂がポリウレタンまたはポリエステルであることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出装置。
- 前記下引層の厚みが4μm〜100μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線画像検出装置。
- 前記シンチレータ層上に前記シンチレータ層上面を平坦化する平坦化層を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
- 前記耐湿保護層が前記シンチレータ層上面を平坦化する材料で構成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
- 前記耐湿保護層に含まれる樹脂がポリパラキシリレンであることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出装置。
- 前記シンチレータ層が気相堆積法により形成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
- 前記シンチレータ層がセシウムハライド系蛍光体を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。
- 前記セシウムハライド系蛍光体が賦活剤としてタリウムを含有することを特徴とする請求項8に記載の放射線画像検出装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000009845A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線イメージセンサ |
JP2005502058A (ja) * | 2001-08-29 | 2005-01-20 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | イメージングシステムを用いて電離放射線を検出するシステム及び方法 |
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JP2005502058A (ja) * | 2001-08-29 | 2005-01-20 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | イメージングシステムを用いて電離放射線を検出するシステム及び方法 |
JP2006052982A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法、シンチレータパネル、及び放射線検出システム |
JP2006189377A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
JP2006017742A (ja) * | 2005-08-24 | 2006-01-19 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
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WO2008146602A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法及び支持基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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