JP2008241412A - 放射線像変換パネル、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】蛍光体原料を混合する工程（Ａ）、該蛍光体原料を抵抗加熱ルツボに取り調湿する工程（Ｂ）、該抵抗加熱ルツボを蒸着装置に設置し、蒸着により基板上に蛍光体層を形成する工程（Ｃ）、保護フィルムを形成する工程（Ｃ）からなる放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体原料として下記一般式（１）により表される化合物とユーロピウム化合物とを混合した混合物を用い、（Ｂ）工程における相対湿度を３〜４０％とすることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′・ｂＭ³Ｘ″：ｅＡ
【選択図】なし

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネル、及びその製造方法に関する。

Ｘ線画像のような放射線画像は、病気診断用などの分野で多く用いられている。このＸ線画像を得る方法としては、被写体を通過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料（以下、単に感光材料ともいう。）に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、所謂放射線写真方式が広く利用されている。

しかしながら、近年ではハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が進展している。この方法は被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめた後、この蛍光体を、例えば、光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。

具体的には、例えば、米国特許第３，８５９，５２７号明細書及び特開昭５５−１２１４４号公報等に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換方法が知られている。この方法は輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を用いる放射線像変換パネルを使用するもので、この放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して電気信号を得て、この信号を感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生するものである。

上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組み合わせによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。

これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能である。つまり、従来の放射線写真法では一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。

更に近年診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善のための手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。

これらの試みの１つとして、例えば、特開昭６１−１４２４９７号公報に記載されている、微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。

また、特開昭６１−１４２５００号公報に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して、更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法（例えば、特許文献１参照）、更には支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている（例えば、特許文献２参照）。

更に気相成長法によって、支持体上に支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されている（例えば、特許文献３参照）。

最近では、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来得られていなかった高いＸ線変換効率を導き出すことが可能となった。

また、蛍光体の母体成分とＥｕＯＸまたはＥｕＯＸとＥｕＸｍの混合物といった賦活剤成分を含む１以上の蒸発源を所定の酸素分圧の雰囲気下で蒸発させることにより感度の向上を意図した技術も知られている（例えば、特許文献４参照）。
特開昭６２−３９７３７号公報 特開昭６２−１１０２００号公報 特開平２−５８０００号公報 特開２００４−２３３１３４号公報

本発明の目的は、放射線像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルの製造方法を提供することである。

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。

１．蛍光体原料を混合する工程（Ａ）、該蛍光体原料を抵抗加熱ルツボに取り調湿する工程（Ｂ）、該抵抗加熱ルツボを蒸着装置に設置し、蒸着により基板上に蛍光体層を形成する工程（Ｃ）、保護フィルムを形成する工程（Ｃ）からなる放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体原料として下記一般式（１）により表される化合物とユーロピウム化合物とを混合した混合物を用い、（Ｂ）工程における相対湿度を３〜４０％とすることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。

一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′・ｂＭ³Ｘ″：ｅＡ
（式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の２価金属原子であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の３価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、またａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）
２．前記（Ａ）工程の相対湿度が３〜６０％であることを特徴とする前記１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。

３．前記一般式（１）のＭ¹がＣｓ、ＸがＢｒであることを特徴とする前記１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。

４．前記１〜３のいずれか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法によって製造されることを特徴とする放射線像変換パネル。

本発明により、放射線像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルの製造方法を提供することができた。

以下、本発明について詳述する。

本発明、蛍光体原料を混合する工程（Ａ）、該蛍光体原料を抵抗加熱ルツボに取り調湿する工程（Ｂ）、該抵抗加熱ルツボを蒸着装置に設置し、蒸着により基板上に蛍光体層を形成する工程（Ｃ）、保護フィルムを形成する工程（Ｃ）からなる放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体原料として前記一般式（１）により表される化合物とユーロピウム化合物とを混合した混合物を用い、（Ｂ）工程における相対湿度３〜４０％とすることを特徴とする。更に、（Ａ）工程における相対湿度は３〜６０％であることが好ましい。

（Ｂ）工程での調湿が高すぎると粉体の吸湿を伴うため、粉体の流動性が低下し、輝度、鮮鋭性が低下することがある。蛍光体の結晶構造に悪影響が及ぼされているためと推定している。また、調湿が低すぎると、粉塵の発生頻度が上がること及び静電気の発生に伴い、作業性が低下する。

（Ａ）工程における湿度が高すぎると、（Ｂ）工程での調湿が高すぎる場合と同様、やはり輝度、鮮鋭性が低下することがある。また、湿度が低すぎると粉塵の発生頻度が上がること、及び静電気の発生に伴う作業性の低下がある。

（蛍光体母体原料）
次に、本発明に係る前記一般式（１）で表される化合物について説明する。

Ｍ¹はＮａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓなどの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。

Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉなどの各原子から選ばれる少なくとも１種の２価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａなどの各原子から選ばれる２価の金属原子である。

Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の３価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる３価の金属原子である。

ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。

一般式（１）で表される化合物の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。

一般式（１）において、ｅ＞０のとき、一般式（１）で表される化合物そのものが輝尽性蛍光体であり、これが蛍光体母体原料となる。

一般式（１）において、ｅ＝０のとき、本発明に係る一般式（１）で表される化合物について、その具体例を挙げる。

（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。

（ｂ）ＭｇＦ₂、ＭｇＣｌ₂、ＭｇＢｒ₂、ＭｇＩ₂、ＣａＦ₂、ＣａＣｌ₂、ＣａＢｒ₂、ＣａＩ₂、ＳｒＦ₂、ＳｒＣｌ₂、ＳｒＢｒ₂、ＳｒＩ₂、ＢａＦ₂、ＢａＣＩ₂、ＢａＢｒ₂、ＢａＢｒ₂・２Ｈ₂Ｏ、ＢａＩ₂、ＺｎＦ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、ＣｄＦ₂、ＣｄＣｌ₂、ＣｄＢｒ₂、ＣｄＩ₂、ＣｕＦ₂、ＣｕＣｌ₂、ＣｕＢｒ₂、ＣｕＩ、ＮｉＦ₂、ＮｉＣｌ₂、ＮｉＢｒ₂及びＮｉＩ₂の化合物から選ばれる少なくとも１種または２種以上の化合物が用いられる。

（ユーロピウム化合物）
本発明に用いられるユーロピウム化合物としては、ＥｕＸ₂、ＥｕＸ₃、ＥｕＯＸ（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びそれらの組み合わせよりなる群）が挙げられる。この中で、特にＥｕＢｒ₃、ＥｕＢｒ₂、ＥｕＣｌ₂、ＥｕＯＢｒが優れた結果を与えた。

（基板）
本発明に用いられる放射線像変換パネルの基板について説明する。

本発明の放射線像変換パネルに用いられる基板としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられ、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、またセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等の有機樹脂フィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートまたは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが挙げられる。

中でも有機樹脂フィルムが好ましい。有機樹脂フィルムは軟化点以上に基板温度を制御し、蒸着することで蒸着結晶が基板内部に入り込むことができる。また、入り込む量は基板温度だけでなく、蒸気の入射速度、蒸気温度等によっても制御できる。これらの入射速度や温度は、蒸着原料を蒸発させる時の温度により制御することができる。

（輝尽性蛍光体の気相成長法）
また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成される。輝尽性蛍光体の気相成長法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。

本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。

第１の方法の蒸着法は、まず基板を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、前記基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器、あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の基板側とは反対の側に保護層を設けることにより、本発明に係る放射線像変換パネルが製造される。なお、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、基板を設ける手順をとってもよい。

更に前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（基板、保護層または中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。

また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては、必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。

第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層または中間層を有する基板をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０^-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより前記基板上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。

スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。

第３の方法としてＣＶＤ法があり、また第４の方法としてイオンプレーティング法がある。

また、気相成長法における輝尽性蛍光体層の成長速度は、０．０５〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には、本発明に係る放射線像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また、成長速度が３００μｍ／分を越える場合には、成長速度のコントロールが難しく、好ましくない。

放射線像変換パネルを前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線像変換パネルが得られ好ましい。

前記輝尽性蛍光体層の膜厚は放射線像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜１ｍｍであり、好ましくは１００〜８００μｍであり、更に好ましくは１００〜７００μｍである。

上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される基板の温度は４０℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは８０℃以上であり、特に好ましくは１００〜４００℃である。

（封止−保護フィルム）
保護フィルムは蛍光体層を防湿し、蛍光体層の劣化を抑制するためのもので、透湿度の低いフィルムから構成される。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）を用いることができる。ＰＥＴの他には、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等を用いることができる。また、必要とされる防湿性に合わせて、これらフィルムに金属酸化物などを蒸着した蒸着フィルムを複数枚積層した構成とすることもできる。

また、蛍光体プレートの基板側と蛍光体層側の互いに対向する面には、互いを融着して封止するための融着層が形成されている。融着層としては、一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルムを使用できる。例えば、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）やポリプロペレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等が挙げられるが、これに限られたものではない。

蛍光体プレートを上下の保護フィルムで挟み、減圧雰囲気中で上下の保護フィルムが接触する端部を融着することにより封止することができる。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

実施例１
〔放射線像変換パネル１の作製〕
賦活剤のユーロピウム化合物として酸化臭化ユーロピウム（ＥｕＯＢｒ）粉末１．７ｇ、蛍光体母体成分として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末１０００ｇをそれぞれ秤量し、相対湿度３０％の環境下で混合した。

次に、このように混合した蛍光体原料を抵抗加熱ルツボに取り、相対湿度２０％に調湿した。

その後、蒸着装置内を真空排気して高真空度にした後、Ａｒガスを導入して、１．０×１０^-2Ｐａになるように真空度を調整した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して２μｍ／分の速度で蛍光体原料を蒸着し、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から基板を取り出した。アルミ基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蛍光体層（層厚：１５０μｍ）が形成されていた。

このようにして得られた蛍光体プレートを防湿性保護フィルムを用いて、減圧下で周辺部をインパルスシーラーを用いて融着、封止して、放射線像変換パネル１を作製した。

〔放射線像変換パネル２の作製〕
放射線像変換パネル１の作製において、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）に代えて、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を用い、（Ｂ）工程、（Ａ）工程の相対湿度を表１のように変えた以外は、同様にして放射線像変換パネル２を作製した。

〔放射線像変換パネル３の作製〕
放射線像変換パネル１の作製において、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）に代えて、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００５Ｅｕ）を用い、（Ｂ）工程、（Ａ）工程の相対湿度を表１のように変えた以外は、同様にして放射線像変換パネル３を作製した。

〔放射線像変換パネル４〜７の作製〕
放射線像変換パネル１の作製において、（Ｂ）工程、（Ａ）工程の相対湿度を表１のように変えた以外は、同様にして放射線像変換パネル４〜７を作製した。

〔評価〕
放射線像変換パネル１〜７について、下記のように評価した。

（鮮鋭性）
各々作製した放射線像変換パネルの鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めて評価した。ＭＴＦは放射線像変換パネルにＣＴＦチャートを貼付した後、放射線像変換パネル試料に８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：１．５ｍ）照射した後、１００μｍφの直径の半導体レーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用いて、ＣＴＦチャート像を走査読み取りして求めた。表の値は２．０ｌｐ／ｍｍのＭＴＦ値を足し合わせた値で示す。得られた結果を表１に示す。

（輝度）
輝度はコニカミノルタ（株）製Ｒｅｇｉｕｓ３５０を用いて評価を行った。鮮鋭性評価と同様にＸ線をタングステン管球にて、８０ｋＶｐ、１０ｍＡｓで爆射線源とプレート間距離２ｍで照射した後、Ｒｅｇｉｕｓ３５０に放射線像変換パネルを設置して読みとった。得られたフォトマルからの電気信号を元に相対評価を行った。放射線像変換パネル７の輝度１．０とし、その他の試料はその相対値で表した。

表１より、本発明の製造方法による放射線像変換パネルは、輝度、鮮鋭性ともに比較の放射線像変換パネルより優れていることがわかる。

Claims (4)

1. 蛍光体原料を混合する工程（Ａ）、該蛍光体原料を抵抗加熱ルツボに取り調湿する工程（Ｂ）、該抵抗加熱ルツボを蒸着装置に設置し、蒸着により基板上に蛍光体層を形成する工程（Ｃ）、保護フィルムを形成する工程（Ｃ）からなる放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体原料として下記一般式（１）により表される化合物とユーロピウム化合物とを混合した混合物を用い、（Ｂ）工程における相対湿度を３〜４０％とすることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
   一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′・ｂＭ³Ｘ″：ｅＡ
   （式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の２価金属原子であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の３価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、またａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）
2. 前記（Ａ）工程の相対湿度が３〜６０％であることを特徴とする請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
3. 前記一般式（１）のＭ¹がＣｓ、ＸがＢｒであることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法によって製造されることを特徴とする放射線像変換パネル。