JPWO2007040283A1 - 探針及びカンチレバー - Google Patents

Abstract

【課題】 製造工程が簡便であり、なおかつ単結晶材料の性質が最大限に引き出せるような状態で使用することの出来る、走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）のカンチレバー２に用いるための探針１と、カンチレバー２の製造方法を提供することである。【解決手段】 ＳＰＭに用いるカンチレバー２の梁部２ａの先端に有する探針１であって、当該探針１が、１０μｍ以上の長さを有する針状部１ａと、カンチレバー２と接する面を有する平板部１ｂとからなり、当該針状部１ａと平板部１ｂは単結晶材料で一体に形成され、当該平板部１ｂの少なくとも一つの側面に、上記単結晶材料の結晶方位を示すための平面１ｃを有していることを特徴とする探針１である。【選択図】 図１

Description

本発明は、各種性質を有する単結晶材料を用いた走査プローブ顕微鏡に用いるための探針と、当該探針の取付けられたカンチレバーに関する。

物質表面をナノオーダーの分解能で観察する装置として、走査プローブ顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ； 以下ＳＰＭとする）が産業上広く用いられている。ＳＰＭは、プローブ先端の探針と試料との間に生じる、原子間力等の相互作用を利用して像を得るものである。

このＳＰＭのキーパーツともいえる探針は、先端が原子レベルで尖るように形成される必要があるが、単結晶材料を用いて探針を製造する場合には、一般に先端を容易に尖らせることが出来るという特徴がある。特に近年、アスペクト比の大きな試料に対しての測定及び計測についてのニーズが高まっており、針の部分が長い探針が強く求められており、単結晶材料の果たす役割は益々高まっている。

ここで、単結晶材料，例えばダイヤモンド単結晶からなる探針を、カンチレバーの梁部に固定する方法としては、
（１）シリコンウエハの前面にフォトレジストを形成する工程と、該フォトレジストをパターニングする工程と、該パターニングしたフォトレジストをマスクとして前記シリコンウエハをエッチングする工程と、エッチング終了後に前記フォトレジストを剥離する工程と、前記シリコンウエハのエッチング対向面に傷入れを行う工程と、該傷入れ部に探針となるダイヤモンドを成長させる工程と、該ダイヤモンド成長後前記シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜表面に窒化膜を形成する工程と、前記ダイヤモンド探針部及びシリコンウエハ裏面の窒化膜を取り除くエッチングのためのフォトレジストパターニングマスクを形成する工程と、該フォトレジストパターニングマスクを除去する工程と、前記シリコンウエハのダイヤモンド探針形成側の酸化膜が露出するまで前記シリコンウエハのエッチング部をさらにエッチングする工程とエッチング終了後に、前記シリコンウエハのエッチング部に金属薄膜を形成する工程とからなる原子間力顕微鏡用カンチレバーの製造方法（特許文献１）
（２）磁性物質から形成された円形のスタイラス保持部にダイヤモンド原石を固定し、前記ダイヤモンド原石を研削してスタイラスを形成し、前記スタイラス保持部の磁性物質を磁化させ、カンチレバーの梁部に接着剤を塗布し、前記スタイラス保持部を梁部の接着剤塗布面上に固定し、前記接着剤が硬化した後に前記磁石を前記梁部から離すと共に、前記スタイラス保持部の磁性物質を消磁させる方法（特許文献２）
が、従来知られている。

特開平０５−２０３４４４号公報

特開平０４−１０６８５２号公報

しかしながら、特許文献１の方法でダイヤモンドからなる探針をカンチレバーの梁部に形成させる方法では、レジスト膜や窒化膜等の成膜や除去を必要とする等、数多くの手順を踏まなければならず、簡便さに欠けるという問題点があった。

また、特許文献１の方法でダイヤモンドからなる探針をカンチレバーの梁部に形成させる方法では、シリコンからなる穴の内側でダイヤモンドを成長させる必要がある。ここで、成長するダイヤモンドと梁部のシリコンとの間では、結晶の格子定数が大きく異なる。そのため、成長した探針の結晶には欠陥が多く発生し、当該探針の機械的強度が低下するという問題点があった。

さらに、特許文献２の方法では、カンチレバーの上にスタイラス保持部が接着され、当該スタイラス保持部のさらに上にダイヤモンドからなるスタイラス（探針）が固定される。この場合には、スタイラスとカンチレバーとの間に接合部が２箇所存在するため、その各々でダイヤモンドの結晶方位がずれる可能性が大きく、当該探針の材料が有する性質を完全に生かせるような探針を作ることが出来ないという問題点があった。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、製造工程が簡便であり、なおかつ単結晶材料の性質が最大限に引き出せるような状態で使用することの出来る、ＳＰＭのカンチレバーに用いるための探針と、それを用いたカンチレバーを提供することである。

本発明者は、探針の性質を最大限に引き出すには、最適に選択された結晶方位を有する探針をカンチレバーの梁部とは別に形成した上で、当該探針の基部に形成された平板部を活用して当該梁部に搭載させることが有効であることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、請求項１記載の発明は、ＳＰＭに用いるカンチレバーの先端に有する探針であって、当該探針が、１０μｍ以上の長さを有する針状部と、カンチレバーの梁部と接する面を有する平板部とからなり、当該針状部と平板部は単結晶材料で一体に形成され、当該平板部の少なくとも一つの側面に、上記単結晶材料の結晶方位を示すための平面を有することを特徴とする探針である。

また、請求項２記載の発明は、請求項１に記載の構成に加えて、上記平面が、当該平板部の両側面を互いに平行にして形成されたものであることを特徴とする探針である。

ここで、互いに平行な２つの平面を探針に形成させると、探針をカンチレバーの梁部に搭載する際に、当該探針を容易に保持することも可能である。

また、請求項３記載の発明は、請求項１〜２に記載の構成に加えて、当該単結晶材料がダイヤモンド単結晶からなることを特徴とする探針である。

ダイヤモンド単結晶は最も硬い物質として知られており、当該単結晶の性質として極めて大きな耐摩耗性を有している。ここで、比較的整形しやすい{１００}面の中でも、＜１１０＞方向が走査方向と平行となるように探針の走査方向を設定できれば、当該探針の磨耗を好ましく防ぐことが出来る。

また、請求項４記載の発明は、当該カンチレバーの梁部の両側面が互いに平行な平面を有するとともに、当該探針が、当該梁部の主面上に、当該平板部の両側面と当該梁部の両側面とが互いに平行になるように配され、当該平板部の両側面間の距離が、当該梁部の両側面間の距離に対して０．９〜１．１倍の距離を有し、当該探針を当該梁部の主面上に配する際に、液状の接着剤を用いて互いに接着されていることを特徴とする、請求項２〜３記載の探針を有するカンチレバーである。

ここで、上記のように探針と梁部との位置関係を構成することで、当該探針の平板部の両側面及び当該梁部の両側面を、ほぼ同一の平面上に合わせることが出来る。

本発明に係るＳＰＭに用いるための探針によれば、特徴的な性質を有した単結晶材料をＳＰＭの探針に用いた場合であっても、カンチレバーの梁部に搭載する際に結晶方位を高精度に合わせることが可能である。従って、当該単結晶材料の性質を最大限に引き出したカンチレバーの提供をすることが出来るという効果を奏する。

また、本発明の請求項４に係るカンチレバーの製造方法によれば、探針の平板部の両側面とカンチレバーの梁部の両側面とが略同一の平面になるようにした上で、液体の接着剤を用いてこれらを接着することで、液体の接着剤の表面には表面張力が働くため、当該表面張力が梁部及び平板部の両側面を押すことが出来る。それにより、自働的に探針の結晶方位を最適な方向に合わせることが出来るという効果を奏する。

以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
本実施形態の探針１は、図１に示すように、針状部１ａと平板部１ｂとが一体に形成され、ＳＰＭのカンチレバー２の先端に用いるためのものである。

＜探針の形態について＞
本実施形態における探針１の材料としては、特徴的な性質を有した単結晶材料４を用いることが出来る。具体的には、高い耐磨耗性を有する材料であるためダイヤモンド単結晶を用いることが好ましいが、サファイヤ単結晶や窒化珪素単結晶等を用いてもよい。

ＳＰＭによって測定又は観察を行う際、探針１と測定・観察の対象物とは、原子間力等の相互作用が働きうるような極めて近接した状態になるか、完全に接触した状態になる。ここで、単結晶材料４として耐磨耗性を有する材料を用いれば、当該探針１を有するカンチレバー２を走査させて測定又は観察を行う際にも、当該探針１の磨耗を防ぐことが出来、ＳＰＭの測定分解能を長く維持することが出来るため好ましい。

当該探針１の針状部１ａの長さは１０μｍ以上になるようにして、当該針状部１ａの先端部の直径は数ｎｍ〜数十ｎｍとなるようにする。当該針状部１ａはより長くすることで、アスペクト比の高い試料の凹凸にも容易に対応することが可能である。ここで、針状部１ａは１０００μｍの長さを有するものとしてもよい。半導体のディープエッチングに用いることができるからである。その一方で、針状部１ａの長さを５００μｍ以下としてもよい。当該探針１が試料に接触しても折れにくくなるからである。

一方で、当該探針１の平板部１ｂは、底面の幅が２０〜５００μｍであり、奥行きが２０〜５００μｍの大きさであり、厚さは５〜５００μｍ、好ましくは５〜２０μｍであるようにする。ここで、当該平板部１ｂの底面の厚さが２０μｍ以下であってもよい。探針１の重量が軽くなることから、カンチレバー２の共振周波数の低下を防いでＳＰＭの分解能を高められるからである。また、当該平板部１ｂの厚さが２０μｍ以上であってもよい。当該平板部１ｂが割れにくくなるからである。その一方で、当該探針１の底面積が４００μｍ^２よりも大きいことが好ましい。当該底面とカンチレバー２の梁部２ａとの接触面積を確保することで、当該探針１のカンチレバー２からの脱落を防ぐためである。

ここで、当該探針１の平板部１ｂの側面には、当該単結晶材料４の結晶方位を示すために少なくとも一つの平面１ｃを有するようにする。この平面１ｃの結晶方位は、カンチレバー２の走査方向と最も耐摩耗性のある単結晶材料４の結晶方位とを重ね合わせた際に、カンチレバー２の側面と平行になるような結晶方位を選択することが好ましい。このように平面１ｃの結晶方位を選択すると、カンチレバー２の梁部２ａに当該探針１を搭載する際に、当該結晶方位を容易に高精度に合わせることが可能になるからである。

また、当該平板部１ｂの側面に有する平面１ｃは、両側面に互いに平行に形成されていることが好ましい。特に当該探針１が点対称な形状を有する場合には、カンチレバー２の梁部２ａに当該探針１を搭載する際に、いずれの平面１ｃを用いても結晶方位を合わせることが出来る。また、当該探針１をカンチレバー２の梁部２ａに載置する際に、当該探針１の保持を容易に行うことが出来るため好ましい。

そして、これら針状部１ａと平板部１ｂとは、同一の単結晶材料４により一体に形成されるようにする。以下において、具体的な探針１の形成方法について述べる。

＜探針の形成方法について＞
上述するような、探針１の材料である単結晶材料４は、探針１の平板部１ｂの底面と同じような形状の底面を有するとともに、探針１の針状部１ａの長さと平板部１ｂの厚さとを足した厚さを有するように切り出される。そして、当該単結晶材料４の全体を、例えば固定砥粒や流動砥粒、特にダイヤモンド単結晶においてはスカイフ研磨といった、公知の研磨手段によって研磨される。

このとき、切り出された単結晶材料４の側面には、当該単結晶材料４の結晶方位を示すために少なくとも一つの平面１ｃを有するようにする。この平面１ｃの結晶方位は、カンチレバー２を走査方向と最も耐摩耗性のある結晶方位とを重ね合わせた際に、カンチレバー２の梁部２ａの側面と平行になるような面を選択することが好ましい。このようにして平面１ｃを選択すると、カンチレバー２の梁部２ａに当該探針１を搭載する際に、結晶方位を容易に高精度に合わせることが可能になるからである。

そして、研磨された単結晶材料４のうち針状部１ａを設ける側の面において、針状部１ａにあたる部分を除いて除去することで針状部１ａを形成する。除去の方法としては、レーザ加工やプラズマエッチング，ＦＩＢ（収束イオンビーム）加工，熱化学加工等を用いることが出来る。または、研磨された単結晶材料４からなる平板部１ｂにＣＶＤ法等の手段を用い、針状部１ａを成長させることで形成してもよい。

例えば、レーザ加工により針状部１ａを形成する場合には、例えば以下に示す第１〜第３の方法で、当該針状部１ａを形成させる部分以外の単結晶材料４の表面に改質領域５を形成させ、当該改質領域５をエッチング等により除去することで、単結晶材料４に針状部１ａを形成させることが出来る。

第１の方法は、単結晶材料４に対して固有吸収の生じるようなレーザ３を用い、その集光した焦点３ｃを、単結晶材料４に対して相対的に移動させる方法である。
この方法では、レーザ３として例えばＹＡＧレーザ及びその高調波，ＣＯ_２レーザ，エキシマレーザ等を用いる。そして単結晶材料４を、例えば図２（ａ）に示すように、ＸＹＺステージの付いた載置台１０の上に設置する。ここで、レーザ発光源３ａから出射されるレーザ３をレンズ３ｂで集光して単結晶材料４の表面に焦点３ｃを形成し、ＸＹＺステージ（図示せず）を操作して当該単結晶材料４を当該焦点３ｃに対して相対的に移動させて、当該焦点３ｃの近傍に改質領域５を形成させることが出来る。

第２の方法は、予めマスキング１１を形成した単結晶材料４に対して固有吸収の生じるようなレーザ３を用い、一定の照射面積に対して当該レーザ３を照射し、改質領域５を形成する方法である。
この方法では、レーザ３として例えばＹＡＧレーザ及びその高調波，ＣＯ_２レーザ，エキシマレーザ等を用いる。予め単結晶材料４の表面のうち探針１を形成させる部分には、予めマスキング１１のパターンを形成しておき、当該単結晶材料４を、例えば図２（ｂ）に示すように載置台１０の上に設置する。ここで、当該レーザ３のビームを必要に応じてレンズ３ｂにより絞り込み、当該単結晶材料４の所定の面積に照射させることで、当該マスキング１１の無い領域に改質領域５を形成させることが出来る。

第３の方法は、単結晶材料４に対して多光子吸収を生じるようなレーザ３を用い、その集光した焦点３ｃを、単結晶材料４に対して相対的に移動させる方法である。
この方法では、レーザ３として例えばＴｉ−サファイヤレーザを用いる。そして、例えば図２（ｃ）に示すように、ＸＹＺステージの付いた載置台１０の上に、少なくとも片面を鏡面に研磨した状態で、当該鏡面がレーザ発光源３ａを向くように当該単結晶材料４を設置する。続いて、レーザ発光源３ａから出射するレーザ３をレンズ３ｂで集光して焦点３ｃを形成し、ＸＹＺステージ（図示せず）を操作して当該単結晶材料４を当該焦点３ｃに対して相対的に移動させて改質領域５を形成させる。ここで、当該レーザ３が多光子吸収を起こし、相変化に必要な活性化エネルギーを与えることで、単結晶材料４の内部に改質領域５を形成することが出来る。当該改質領域５の形成は、レーザ発光源３ａから遠い側の面から順次行っていき、最終的には単結晶材料４の表面に達するように行うことが好ましい。

一方で、熱化学加工により針状部１ａを形成する場合には、単結晶材料４としてダイヤモンド単結晶を用いる（図３（ａ））。ダイヤモンド単結晶は、処理面を鏡面研磨加工等の手段によってＲａ＝１ｎｍ以下に平坦化した後、ダイヤモンド単結晶の処理面上に、炭素を溶解しうる金属、例えばニッケル，ロジウム，パラジウム，白金，イリジウム，タングステン，モリブデン，マンガン，鉄，チタン，クロム，またはそれらの合金を用いた金属薄膜６を、０.１μｍ以上の厚さで均一に成膜する（図３（ｂ））。当該金属薄膜６の成膜方法としては、スパッタリング法，分子線ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法，真空蒸着法，イオンプレーティング法などを用いることが出来る。ここで、当該金属薄膜６の厚さを０.１μｍ以上としてもよい。以下に述べる熱処理の工程において、金属薄膜６の凝集が起こりにくくなるからである。

当該金属薄膜６に対しては、機械加工，レーザ加工，フォトリソグラフィ，収束イオンビーム（ＦＩＢ）等の手段により、針状部１ａの形状に合わせて当該金属薄膜６の一部を除去して、ダイヤモンド単結晶露出部７を形成させる（図３（ｃ））。そして、一部除去された金属薄膜６を有するダイヤモンド単結晶に対して熱処理を行い、当該金属薄膜６の内部にダイヤモンド単結晶の炭素原子を取り込ませる。それにより、当該金属薄膜６が当該ダイヤモンド単結晶露出部７を残してダイヤモンド単結晶の中に埋没していき（図３（ｄ））、その結果、当該ダイヤモンド単結晶露出部７の直下が処理されずに残る。ダイヤモンド単結晶の表面に残った金属薄膜６は、必要に応じて酸処理等の手段により除去することが出来る（図３（ｅ））。以上の工程により、ダイヤモンド単結晶に針状部１ａを高精度に形成させることが出来る。

＜探針のカンチレバー梁部への取り付けについて＞
このようにして形成された探針１は、カンチレバー２の梁部２ａの先端に取付けられる。ここで用いられる梁部２ａは、探針１が搭載される側の面を頂面としたときに、側面のうちの少なくとも１つが平坦な平面２ｃを有しているものである。

ここで、特に図４に示すように、カンチレバー２の梁部２ａのうち少なくとも探針１の搭載される位置の近辺において、両側面が互いに平行な平面２ｃとして形成されていることが好ましい。さらに、探針１についても、両側面が互いに平行な平面１ｃとして形成されていることが好ましい。

当該探針１は、当該カンチレバー２の梁部２ａの頂面上に搭載する。その際に、当該探針１に形成された平面１ｃが、当該梁部２ａに形成された平面２ｃと、互いに平行に（好ましくは同一平面上に）なるようにする。これらを平行に合わせることで、カンチレバー２における探針１の結晶方位を、探針１の性質を最も発揮出来る状態にすることが出来る。

ここで、当該平板部１ｂと当該カンチレバー２の両側面間における距離の比率が０．９〜１．１倍となるように構成し、さらに、液体となりうる接着剤８を用いて当該探針１と当該梁部２ａとを接着することが好ましい。係る場合には、当該液体の表面張力によって角度合せの工程が自働的になされるからである。液体となりうる接着剤８としては、例えば常温で液体であるエポキシ系接着剤や、加熱時に液体となる鑞材等を、好ましく用いることが出来る。

｛１００｝面を頂面に有し、底面が５０μｍ四方であり、厚さが１００μｍである直方体形状のダイヤモンド単結晶を用意した。当該ダイヤモンド単結晶の結晶方位は、頂面が｛１００｝面であり、両側面が｛１１０｝面である。当該ダイヤモンド単結晶の各面を研磨した後、その頂面に厚さ１μｍのニッケル薄膜を形成した。そして、当該ニッケル薄膜に電子ビームリソグラフィにより直径約１０ｎｍの開口部を形成した。これらに対して熱化学加工を行い、ダイヤモンド単結晶の厚さのうち５０μｍについて、当該開口部を除いた部分をニッケル薄膜に溶解させ、当該開口部に針状部を形成させた。その結果、針状部の長さは５０μｍ、針状部の先端の直径は１０ｎｍ、平板部との境界部分の直径は約１０μｍのダイヤモンド単結晶からなる探針が形成された。

次に、当該探針を、両側面が平行であり、両側面間の距離が５０μｍのカンチレバーの梁部を用意し、当該梁部における当該探針との接着面に、エポキシ系の接着剤を少量塗布し、その上に上記探針を載置して、これらを接着した。すると、当該カンチレバーの走査方向として予定される当該梁部の側面と垂直な方向に対する、当該ダイヤモンド探針の最も耐摩耗性の高い結晶方位である＜１１０＞方向のなす角度を、角度合せの作業を特に行っていないにも拘らず、約５°に抑えることが出来た。

本実施形態に係る、探針とカンチレバーを説明する断面図である。 本実施形態に係る、レーザ加工法を用いた探針の針状部を形成する工程の断面を用いて説明する図である。 本実施形態に係る、熱化学加工法を用いた探針の針状部を形成する工程の断面を用いて説明する図である。 本実施形態に係る、好ましい形態のカンチレバー梁部についての平面図である。 本実施形態に係る、探針とカンチレバー梁部との好ましい接着工程について断面を用いて説明する図である。

符号の説明

１ 探針
１ａ 針状部
１ｂ 平板部
２ カンチレバー
２ａ 梁部
１ｃ，２ｃ 平面
３ レーザ
３ａ レーザ発光源
３ｂ レンズ
３ｃ 焦点
４ 単結晶材料
５ 改質領域
６ 金属薄膜
７ ダイヤモンド単結晶露出部
８ 接着剤
９ カンチレバー支持部
１０ 載置台
１１ マスキング

Claims (4)

1. 走査プローブ顕微鏡に用いるカンチレバーの先端に有する探針であって、
   当該探針が、１０μｍ以上の長さを有する針状部と、カンチレバーの梁部と接する面を有する平板部とからなり、
   当該針状部と平板部は単結晶材料で一体に形成され、
   当該平板部の少なくとも一つの側面に、上記単結晶材料の結晶方位を示すための平面を有することを特徴とする探針。
2. 上記平面が、当該平板部の両側面を互いに平行にして形成されたものであることを特徴とする、請求項１に記載の探針。
3. 当該単結晶材料がダイヤモンド単結晶からなることを特徴とする請求項１〜２に記載の探針。
4. 当該カンチレバーの梁部の両側面が互いに平行な平面を有するとともに、
   当該探針が、当該梁部の主面上に、当該平板部の両側面と当該梁部の両側面とが互いに平行になるように配され、
   当該平板部の両側面間の距離が、当該梁部の両側面間の距離に対して０．９〜１．１倍の距離を有し、
   当該探針を当該梁部の主面上に配する際に、液状の接着剤を用いて互いに接着されていることを特徴とする、
   請求項２〜３記載の探針を有するカンチレバー。

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