JPWO2007023544A1 - 記憶装置、記憶装置の制御方法、および記憶制御装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
消去動作の単位であるメモリセル領域をセクタSとして、読出し動作または/および書込み動作の単位をセクタ内のブロックB0〜B3とするに当たり、ブロックB0〜B3の一つを選択するブロックアドレスBAが、ブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持される。保持動作は読出しまたは書込み動作に先立って行なわれるため、その後の読出し動作や書込み動作において再入力する必要はない。保持されたブロックアドレスBAに応じて選択信号YDn(n=0〜3)の何れかが選択され、選択信号YDnに応じて何れか一つのブロックが選択される。この状態はブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持されているブロックアドレスBAが書き換えられるまで維持されるため、読出し/書込み動作ごとにブロックアドレスBAの入力、デコードの処理を行なう必要がなくなり、アクセス動作を迅速かつ低消費電流で行なうことができる。
Description
本発明は、記憶装置において、メモリセルアレイ内のアクセス領域の制御に関するものである。
特許文献1に開示されている半導体装置では、メモリセルアレイは、データ消去の単位となるメモリセル範囲を1ブロックとし、1〜複数のブロックの集合を1コアとして複数コアが配列されている。コア選択手段により任意個数のコアを選択して、コア内の選択されたメモリセルにデータを書き込み、コア内の選択されたブロックのデータ消去を行なう。この間、選択されていないコア内のメモリセルに対してデータ読み出しを行なう。任意のコアを選択してデータ書き込み又は消去を実行し、同時に他の任意のコアでデータ読み出しが可能となる。同時動作の範囲が固定されず、自由度の高いフラッシュメモリを実現するものである。
この場合、アドレス信号はインターフェース回路内のアドレス入力回路により外部から入力され、アドレスバッファ回路に供給される。アドレスバッファ回路から、動作モードに応じて、読み出し用アドレスのアドレスバス線、書き込み又は消去用のアドレスバス線に、アドレスが供給され、各コアのデコード回路に選択的に転送される。
上記特許文献1は、データ書き込みまたは消去動作とデータ読み出し動作との同時実行を可能とするに当たり、任意に設定されたコアの範囲を一つのバンクとするバンクサイズの設定を可能とするものではある。アクセス動作ごとにシステムから要求されるデータ量が異なり、必要とされるデータ量に見合ったメモリセル領域をアクセス対象とすることができるものではある。
しかしながら、特許文献1では、データ書込み、消去、データ読み出しといったアクセス動作の違いに関わらず、アクセス動作ごとのアクセス対象は全てのメモリセルアレイにおよぶ。アクセス動作のたびに外部より全てのアドレス信号を入力しなければならない。一方、読出し動作や書込み動作などのデータの入出力を伴うアクセス動作においては、一連のアクセス動作において要求されるデータ量が所定量の範囲内に見積もられる場合があり、アクセス対象とすべきメモリセル領域を所定領域内に格納することができる。しかしながら特許文献1では、同一のメモリセル領域をアクセスする際、このメモリセル領域を指定する上位のアドレス信号は不変であるにも関わらず、アクセスのたびに外部より入力が行なわれ、デコード等の処理が行なわれることとなる。本来不要なアドレス信号の入力処理をアクセス動作ごとに行なわなければならず、アドレス信号の入力処理が煩雑である。
特に、記憶装置の大容量化が進展し、メモリセルアレイの一部を構成するメモリセル領域であってもシステムが要求するデータ量を充分に記憶することが可能なメモリ容量となる場合が考えられる。その場合に不変な上位のアドレス信号をアクセス動作のたびに入力することは無用な動作である。この回路動作に伴い、処理時間の短縮や消費電流の低減等が制約を受けてしまうおそれがあり問題である。
更に、記憶装置の大容量化の進展に伴いメモリセルアレイを構成するアドレス空間が広がり、アドレス信号は多ビット構成にならざるを得ず、記憶装置内のアドレスデコーダは多入力、多論理段数にならざるを得ない。アドレス信号はアドレスデコーダにおいてデコードされ、メモリセルアレイ中のアクセス対象となるメモリセルが確定される。アドレスデコーダにおける確定時間が多入力、多論理段数によって遅れることは、メモリセルの確定が遅れメモリセルアクセスが遅延するという問題を生ずる。よって、記憶装置におけるアドレス信号の入力端子数の増大やメモリコントローラによる制御量の増大に対応して、効率的なアドレス信号の入力インターフェース技術と多入力、多論理段数のアドレスデコーダの高速化を確立することが必要である。
本発明は前記背景技術に鑑みなされたものであり、読出し動作または/および書込み動作において、一連のアクセス動作に必要とされるデータ量に見合ったメモリセル領域を、消去動作により一括消去されるメモリセル領域の一部に割り当て、継続する読出し動作または/および書込み動作において同一のメモリセル領域をアクセスする間は、メモリセル領域を指定するアドレス信号の再入力を不要にすることで、効率的なアクセス領域の制御とアドレスデコーダの高速化を可能とする記憶装置、および記憶装置の制御方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するためになされた本発明の記憶装置は、消去動作の単位であるメモリセル領域をセクタとして、メモリセルアレイが複数の前記セクタに区画される記憶装置であって、読出し動作または/および書込み動作の開始に伴い、読出し動作または/および書込み動作の単位をセクタ内の一部領域とする第1アドレス信号を保持するアドレス保持部を備えることを特徴とする。
本発明の記憶装置では、消去動作の単位であるセクタ内の一部領域を、読出し動作または/および書込み動作の開始に伴い第1アドレス信号により指定して、読出し動作または/および書込み動作の単位とする。そして、第1アドレス信号は、アドレス保持部に保持される。
また、本発明の記憶装置の制御方法は、消去動作の単位であるメモリセル領域をセクタとして、メモリセルアレイが複数のセクタに区画される記憶装置の制御方法であって、セクタ内の一部領域をアクセス単位として読出し動作または/および書込み動作を開始するに当たり、一部領域を選択する第1アドレス信号を入力するステップと、入力された第1アドレス信号を、一部領域への読出し動作または/および書込み動作の期間中保持するステップとを有することを特徴とする。
本発明の記憶装置の制御方法では、消去動作の単位であるセクタ内の一部領域をアクセス単位として読出し動作または/および書込み動作が開始される際、第1アドレス信号が入力され一部領域が選択される。そして、入力された第1アドレス信号は、一部領域への読出し動作または/および書込み動作が継続する期間中、保持され、アドレスデコーダにおける処理の一部が、予め保持された第1アドレス信号により高速に行なわれる。
本発明のメモリシステムとその制御方法では、記憶装置に対してアクセス制御を行なう記憶制御装置が、読出し動作や書込み動作の開始の際に一回、前記第1アドレス信号を供給すれば、その後は記憶装置において前記第1アドレス信号を保持する。更にその後、前記一部領域内のメモリセル位置を示す第2アドレス信号を記憶制御装置が出力し、記憶装置が前記第2アドレス信号を入力し前記一部領域内のメモリセルのデータ情報を出力する。また、前記第2アドレス信号の入力は、連続されることが望ましい。
これにより、読出し動作または/および書込み動作の開始に伴い、第1アドレス信号が保持されるため、同一の一部領域に対して読出し動作または/および書込み動作が継続する場合に、第1アドレス信号を再度入力する必要はない。
このため、同一の一部領域に対して継続されるアクセス動作において、第1アドレス信号については、デコード状態を維持することができアクセス動作ごとのデコード動作は不要となる。アクセス動作ごとのデコード動作として、セクタ内の一部領域に配置されているメモリセルを指定するアドレス信号に対するもののみを行なえばよく、デコード状態を早期に確定することができる。読出し動作や書込み動作の際、早期にバイアス印加を行なうことができ、アクセス速度の向上に寄与することができる。
また、同一の一部領域に対してアクセス動作が継続する際、アクセス動作のたびに第1アドレス信号の入力、および第1アドレス信号に対するデコード動作を行なう必要がない。不要な回路動作を防止することができ、消費電流の低減に寄与することができる。
更に、記憶装置に対してアクセス制御を行なうコントローラにおいても、読出し動作や書込み動作の開始の際に一回、第1アドレス信号を供給すれば、その後は記憶装置において第1アドレス信号を保持するので、コントローラは、第1アドレス信号に対する制御から解放される。コントローラにおける制御負荷の低減を図ることができる。
1 コマンドデコーダ
3 ブロックアドレスバッファ(BAB)
5 ブロックアドレスデコーダ
S セクタ
B0〜B3 ブロック
MWD メインワードデコーダ
S0〜S3 ブロック選択スイッチ
SWD サブワードデコーダ
WLS サブワード線
WLM メインワード線
YD0〜YD3 選択信号
YS Yセレクタ
3 ブロックアドレスバッファ(BAB)
5 ブロックアドレスデコーダ
S セクタ
B0〜B3 ブロック
MWD メインワードデコーダ
S0〜S3 ブロック選択スイッチ
SWD サブワードデコーダ
WLS サブワード線
WLM メインワード線
YD0〜YD3 選択信号
YS Yセレクタ
以下、本発明の記憶装置、および記憶装置の制御方法について具体化した実施形態を図1乃至図6に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、記憶装置のメモリセルアレイの区画を示す模式図である。各々、独立にアクセス制御が行なえるバンクを複数備えている(Bank0、Bank1、・・・)。各バンクには、消去動作の単位であるセクタSを複数備えて構成されている。各セクタは、ワード線方向であるX方向に4分割され、読出し動作または/および書込み動作の単位である4つのブロックB0〜B3に区画されている。
図1中、X方向がワード線方向であり、階層的なワード線構造を備える場合を例示している。各セクタSは、サブワードデコーダSWDを備え、4つのブロックB0〜B3に共通にサブワード線WLSが配線されている。更に、2つのセクタSごとにメインワードデコーダMWDが備えられ、2つのセクタに対してメインワード線が配線されている。4つのブロックB0〜B3はY方向に配線されているビット線(不図示)の所定本数ごとに区画され、同一セクタ内のブロックについては共通のサブワード線WLSが配線されている。このため、ブロックごとに固有のワード線を備える必要がなく、ブロックごとにワード線デコーダやワード線ドライバ等のワード線の制御回路を備える必要がない。ブロック間を最小の配置ピッチでメモリセルを配置することができる。
図2は、ブロックの選択制御を示している。セクタS内の4つのブロックB0〜B3の選択は、Y方向に配線されているビット線(不図示)の選択により行われる。各ブロックB0〜B3のビット線は、YセレクタYSとブロック選択スイッチS0〜S3とを介してデータ線DBに接続される。ここで、YセレクタYSはブロック内に配線されている複数のビット線をYセレクタデコーダ(不図示)により選択するスイッチ群である。
ブロック選択スイッチS0〜S3の選択信号YD0〜YD3は、読出し動作または/および書込み動作において、何れか一つが選択される。尚、図示はしないが、消去動作においては、必要に応じて全選択することにより、セクタSに対して一括消去を行なうことができる。
選択信号YD0〜YD3は、読出し動作または/および書込み動作に先立って、後述されるコマンドサイクルにより入力され、内部のブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持されているブロックアドレスBAに応じて選択される。
コマンドサイクルにおいては、データ入出力端子(IO)または/およびアドレス端子(ADD)からコマンドが入力される。入力されるコマンドは、データ入出力端子(IO)およびアドレス端子(ADD)に接続されているコマンドデコーダ1によりデコードされる。コマンドサイクルにおいて、例えば、データ入出力端子(IO)からブロックアドレスBAが入力されたことがデコードされると、コマンドデコーダ1はブロックアドレスセット信号BASETをブロックアドレスバッファ(BAB)3に向けて出力する。データ入出力端子(IO)に接続されているブロックアドレスバッファ(BAB)3は、ブロックアドレスセット信号BASETを受けると、データ入出力端子(IO)から入力されているブロックアドレスBAinを内部に保持する。ブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持されたブロックアドレスBAは、コマンドサイクルにおいて書き換えられるまで保持される。保持されたブロックアドレスBAは、ブロックアドレスデコーダ5によりデコードされ、選択信号YDn(n=0〜3)のうち何れか一つの選択信号をデコードして出力する。ブロックアドレスデコーダ5から出力される選択信号も、コマンドサイクルによりブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持されているブロックアドレスBAが書き換えられるまで、変化することはない。
これにより、保持されているブロックアドレスBAに応じて、ブロック選択スイッチS0〜S3のうち何れか一つが選択されることとなり、セクタS内の何れか一つのブロックが、読出し動作または/および書込み動作の対象として選択される。そして、この選択は、コマンドサイクルによりブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持されているブロックアドレスBAが書き換えられるまで維持される。
図3は、ブロック内のビット線からデータ線DBに至るまでのデータ入出力経路の構成を示している。図3では、ビット線の構造として階層構造を有するものを例として説明している。ブロックBnは、複数のグローバルビット線GBLを備え、各々のグローバルビット線GBLは、複数のセレクトスイッチSSELを介して複数のローカルビット線LBLに接続されている。各ローカルビット線LBLには複数のメモリセルが接続されている。ブロック内の複数のグローバルビット線GBLは、YセレクタYSを介してブロック選択スイッチSnに接続され、データ線DBに接続される。
ここで、記憶装置として不揮発性記憶装置の場合を考える。データの書込み動作であるプログラム動作では、プログラム動作の対象として選択されたブロックでは、プログラム対象のメモリセルが接続されているローカルビット線LBLとグローバルビット線GBLのみに、予め設定された時間が、高電圧のバイアス電圧が印加される。一方、同じグローバルビット線GBLに接続されており、プログラム対象ではないメモリセルが接続されているその他のローカルビット線LBLは、フローティング状態または接地電位状態等に制御して、メモリセルへのバイアス電圧の印加が行なわれないことが必要である。更に、プログラム動作の対象として選択されたブロックでプログラム動作の対象として選択されないグローバルビット線GBLとそのグローバルビット線GBLに接続される複数のローカルビット線LBLも、フローティング状態または接地電位状態等に制御して、メモリセルへのバイアス電圧の印加が行なわれないことが必要である。プログラム動作の対象として選択されないブロックのビット線についても同様に、フローティング状態または接地電位状態等とすることが必要である。ブロックB0〜B3間は共通のサブワード線WLSが配線されており、プログラム動作の対象ではないブロックにあるメモリセルにも、サブワード線WLSを介して高電圧のバイアス電圧が印加されていることより、これらのメモリセルについてローカルビット線LBLとサブワード線WLSによるディスターブ現象を防止する必要があるからである。
プログラム動作では、ローカルビット線LBLへの経路を確定する、セレクトスイッチSSEL、YセレクタYS、およびブロック選択スイッチSnの選択が完了してから、データ線DBにプログラム動作用のバイアス電圧の供給を開始する必要がある。データ線DBに供給されたバイアス電圧は、電源電圧(例えば、1.8V)に対して高電圧(例えば、9V)である。この高電圧のバイアス電圧を、セレクトスイッチSSEL、YセレクタYS、およびブロック選択スイッチSnを介してローカルビット線LBLに供給するためには、例えばNチャネルトランジスタで構成されたセレクトスイッチSSEL、YセレクタYS、およびブロック選択スイッチSnの各ゲート端子に与える電圧についても前記高電圧信号よりも更にトランジスタの閾値分高い高電圧を印加する必要がある。各ゲート端子に与える電圧振幅が大きくなるため、高電圧信号のライズおよびフォール時間である遷移時間が、プログラム動作におけるアクセス時間短縮の制約になるおそれがある。したがって、プログラム動作時、プログラム対象のメモリセル領域をブロックに固定し、予めブロックアドレスバッファ(BAB)3にブロックアドレスBAを保持することにより、ブロックアドレスデコーダ5におけるデコード動作も予め行なっておくことができ、選択信号YDnを固定することができる。ゲート端子への高電圧信号の印加をするべきスイッチ群の一つであるブロック選択スイッチSnを予め選択してゲート端子への高電圧信号の印加を先行させることができる。ゲート端子への高電圧信号の遷移時間を短縮することができる。また、プログラム動作ごとに高電圧信号を遷移する必要がないため低消費電流に寄与することができる。
また、読出し動作においても、例えばバーストリード等の連続読出し動作においては、読出しサイクルは短く(例えば、10nsec)、データ線DBに接続された読出し動作用のビット線へ与えるプリチャージ回路によって、読出し動作用のバイアス電圧の供給開始を早める必要がある。ブロックアドレスBAが保持されデコード動作も予め行なっておくことにより、選択信号YDnを固定することができる。ゲート端子への高電圧信号(5v)の印加をするべきスイッチ群の一つであるブロック選択スイッチSnを予め選択してゲート端子への高電圧信号の印加を先行させることができる。よって、読出し動作用のバイアス電圧の供給開始を早めることができるので、バースト動作等の高速な連続読出し動作において、特にファーストアクセスを含むアクセススピードの確保を図ることができる。
図4は、ブロックアドレスBAのセットを行なうためのコマンド体系を示す図である。個々のメモリセルへの読出し動作または/および書込み動作に先立つコマンドサイクルにおいて、後続する一連のアクセス動作においてアクセス対象となるブロックをセットするコマンドである。アドレス端子(ADD)、データ入出力端子(IO)から入力される信号の組み合わせに応じてコマンドおよびブロックアドレスBAinが入力される。
先ず、エントリーコマンドとして、3サイクルの信号セットが入力される。第1のサイクルでは、アドレス端子(ADD)から555hのコード、およびデータ入出力端子(IO)からAAhのコードを入力する。第2のサイクルでは、アドレス端子(ADD)から2AAhのコード、およびデータ入出力端子(IO)から55hのコードを、第3のサイクルでは、アドレス端子(ADD)から555hのコード、およびデータ入出力端子(IO)から93hのコードを入力する。これらのコードの組み合わせが、コマンドデコーダ1においてデコードされ、ブロックアドレスBAinのコマンドサイクルにエントリーしたことが認識される。
次に、ブロックアドレスBAinをライトコマンドにより入力する。第1のサイクルでは、アドレス端子(ADD)からXXhのコード、およびデータ入出力端子(IO)からA0hのコードを、第2のサイクルでは、アドレス端子(ADD)から00hのコード、およびデータ入出力端子(IO)からブロックアドレスBAinを入力する。これにより、コマンドデコーダ1では、第2のサイクルにおいてデータ入出力端子(IO)から入力される信号をブロックアドレスBAinとして認識すると共に、ブロックアドレスBAinをブロックアドレスバッファ(BAB)3に取り込むためのトリガ信号BASETを発する。
更に、イグジットコマンドである。第1のサイクルでは、アドレス端子(ADD)からXXhのコード、およびデータ入出力端子(IO)から90hのコードを、第2のサイクルでは、アドレス端子(ADD)からXXhのコード、およびデータ入出力端子(IO)から00hのコードを入力する。これらのコードの組み合わせが、コマンドデコーダ1においてデコードされ、ブロックアドレスBAinのコマンドサイクルからイグジットしたことが認識される。
図5は、ブロックアドレスバッファ(BAB)3の1ビットを格納する回路例である。トリガ信号BASET、およびインバータゲートI1による反転信号によりトランスファゲートT1が導通制御される。トランスファゲートT1は、データ入出力端子(IO)とラッチ回路L1との間に接続されている。ラッチ回路L1の出力はインバータゲートI2を介してブロックアドレスBAとして出力される。
ハイレベルのトリガ信号BASETに応じて、トランスファゲートT1が導通し、データ入出力端子(IO)に入力されたブロックアドレスBAinがラッチ回路L1に取り込まれる。その後のアクセス動作では、トリガ信号BASETはローレベルに維持されるので、ラッチ回路L1の内容は保持され、インバータゲートI2を介してブロックアドレスBAが出力される状態が維持される。ラッチ回路L1のブロックアドレスBA情報は、次のエントリーコマンド/ライトコマンドが入力されるまで維持される。
図6は、ブロックアドレスBAをセットするコマンドサイクルのタイミングチャートである。図4において説明したコマンドコードが、ライトネーブル信号/WEのローレベル信号に同期して発せられる。エントリーコマンドがコマンドデコーダ1によりデコードされて、ブロックアドレスセットモード信号BAB_modeがハイレベルに遷移する。ブロックアドレスのセットコマンド状態にあることが報知される。次に、2サイクルのブロックアドレスBAinのライトコマンドが、ライトネーブル信号/WEのローレベル信号に同期して発せられる。ライトコマンドがコマンドデコーダ1によりデコードされて、ハイレベルのパルス信号としてトリガ信号BASETが発せられる。ブロックアドレスバッファ(BAB)3にデータ入力端子(IO)に入力されているブロックアドレスBAinが取り込まれ、ブロックアドレスBAが保持される。ブロックアドレスBAが保持された後に、2サイクルのイグジットコマンドが、ライトネーブル信号/WEのローレベル信号に同期して発せられる。イグジットコマンドがコマンドデコーダ1によりデコードされて、ブロックアドレスセットモード信号BAB_modeがローレベルに遷移する。ブロックアドレスのセットコマンド状態が終了する。
以上の説明から明らかなように本実施形態によれば、読出し動作または/および書込み動作の開始に伴い、第1アドレス信号の一例であるブロックアドレスBAが、アドレス保持部の一例であるブロックアドレスバッファ(BAB)3に保持されるため、同一の一部領域の一例であるブロック(B0〜B3の何れか一つのブロック)に対して、読出し動作または/および書込み動作が継続する場合に、ブロックアドレスBAを再度入力する必要はない。
このため、同一のブロックに対して継続されるアクセス動作において、同一の選択信号(YD0〜YD3の何れか一つの信号)の選択状態が維持される。ブロックアドレスBAのデコード状態を維持することができ、アクセス動作ごとのデコード動作は不要となる。アクセス動作ごとのデコード動作として、ブロック内の個々のメモリセルを選択するアドレス信号に応じて、セレクトスイッチSSELやYセレクタYSのデコードを行なえばよい。デコード状態を早期に確定することができる。読出し動作や書込み動作の際、早期にバイアス印加を行なうことができ、アクセス速度の向上に寄与することができる。
また、同一のブロックに対してアクセス動作が継続する際、アクセス動作のたびにブロックアドレスBAの入力、およびそのデコード動作を行なう必要がない。不要な回路動作を防止することができ、消費電流の低減に寄与することができる。
更に、記憶装置に対してアクセス制御を行なうコントローラにおいても、読出し動作や書込み動作の開始の際に一回、ブロックアドレスBAを供給すれば、その後は記憶装置においてブロックアドレスBAが保持されるので、コントローラは、ブロックアドレスBAに対する制御から解放される。コントローラにおける制御負荷の低減を図ることができる。
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。
例えば、実施形態では、セクタSを4つのブロックに区画して読出し動作または/および書込み動作を行なう場合を例示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。記憶装置が使用されるアプリケーションに応じて、一連の読出し動作や書込み動作でアクセスされるべきメモリセル領域は異なる場合がある。セクタ内のブロック区画については、アプリケーションに応じて的確なメモリ容量に区画することが好ましい。
更に、ブロック選択スイッチS0〜S3はセクタ内のブロック区画数によって多様な接続構成とすることができる。例えば、複数のYセレクタをグループ化して1つのブロック選択スイッチを割り当て、更にグループ内の複数のYセレクタの中の1つを選択するYセレクタを備えるYセレクタ階層構造でも良いし、複数のブロックをグループ化して1つのデータ線DBを割り当て、更にグループ毎のデータ線DBから1つを選択するYセレクタを備えるデータ線階層構造でも良い。
また、本発明のビット線構造は図3に限られない。更に、ローカルビット線LBLに接続されるメモリセルの接続方式についても、所謂NOR型接続やNAND型接続などを適用することができる。更に、プログラム方式/消去方式も様々な物理的作用を利用した不揮発性のプログラム/消去方法を適用できる。
例えば、実施形態では、セクタSを4つのブロックに区画して読出し動作または/および書込み動作を行なう場合を例示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。記憶装置が使用されるアプリケーションに応じて、一連の読出し動作や書込み動作でアクセスされるべきメモリセル領域は異なる場合がある。セクタ内のブロック区画については、アプリケーションに応じて的確なメモリ容量に区画することが好ましい。
更に、ブロック選択スイッチS0〜S3はセクタ内のブロック区画数によって多様な接続構成とすることができる。例えば、複数のYセレクタをグループ化して1つのブロック選択スイッチを割り当て、更にグループ内の複数のYセレクタの中の1つを選択するYセレクタを備えるYセレクタ階層構造でも良いし、複数のブロックをグループ化して1つのデータ線DBを割り当て、更にグループ毎のデータ線DBから1つを選択するYセレクタを備えるデータ線階層構造でも良い。
また、本発明のビット線構造は図3に限られない。更に、ローカルビット線LBLに接続されるメモリセルの接続方式についても、所謂NOR型接続やNAND型接続などを適用することができる。更に、プログラム方式/消去方式も様々な物理的作用を利用した不揮発性のプログラム/消去方法を適用できる。
Claims (12)
- 消去動作の単位であるメモリセル領域をセクタとして、メモリセルアレイが複数の前記セクタに区画される記憶装置であって、
読出し動作または/および書込み動作の開始に伴い、前記読出し動作または/および前記書込み動作の単位を前記セクタ内の一部領域とする第1アドレス信号を保持するアドレス保持部を備えることを特徴とする記憶装置。 - 前記一部領域は、前記セクタに配置されている複数のデータ読出し線を前記第1アドレス信号に応じて区画して構成される領域であることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
- 前記データ読出し線を前記一部領域ごとにデータ入出力回路に接続するコラムスイッチ部を備え、
前記第1アドレス信号は、前記コラムスイッチ部を選択的に導通することを特徴とする請求項2に記載の記憶装置。 - 前記セクタにおいて、前記データ読出し線に交差するメモリセル選択線は、前記一部領域を越えて共通に配置されることを特徴とする請求項2に記載の記憶装置。
- 前記一部領域内のメモリセルに対して行なわれる前記読出し動作または前記書込み動作に先立つ専用のコマンドサイクルに応じて、前記第1アドレス信号を前記アドレス保持部へ取り込むためのコマンドデコーダを備えることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
- 前記第1アドレス信号は、データ入出力端子、または/および前記一部領域内のメモリセル位置を示す第2アドレス信号が入力されるアドレス端子より、入力されることを特徴とする請求項5に記載の記憶装置。
- 消去動作の単位であるメモリセル領域をセクタとして、メモリセルアレイが複数の前記セクタに区画される記憶装置の制御方法であって、
前記セクタ内の一部領域をアクセス単位として読出し動作または/および書込み動作を開始するに当たり、前記一部領域を選択する第1アドレス信号を入力するステップと、
入力された前記第1アドレス信号を、前記一部領域への前記読出し動作または/および前記書込み動作の期間中保持するステップとを有することを特徴とする記憶装置の制御方法。 - 前記一部領域は、前記セクタに配置されている複数のデータ読出し線を区画して構成される領域であり、
保持された前記第1アドレス信号に応じて、前記読出し動作または/および前記書込み動作の期間中、前記複数のデータ読出し線が選択状態に維持されることを特徴とする請求項7に記載の記憶装置の制御方法。 - 前記セクタにおいて、前記データ読出し線に交差するメモリセル選択線は、前記第1アドレス信号に関わらず、共通に選択されることを特徴とする請求項8に記載の記憶装置の制御方法。
- 前記第1アドレス信号を入力するステップを含み、前記読出し動作または/および書込み動作に先立つ動作条件を入力するステップと、
前記動作条件を入力するステップの後、前記一部領域内のメモリセル位置を示す第2アドレス信号を入力するステップとを有することを特徴とする請求項7に記載の記憶装置の制御方法。 - 前記動作条件を入力するステップは、
エントリーを指示するステップと、前記第1アドレス信号の入力を指示するステップとを有することを特徴とする請求項10に記載の記憶装置の制御方法。 - 請求項1に記載の記憶装置を制御する記憶制御装置の制御方法であって、
前記読出し動作または/および前記書込み動作を行なうコマンドサイクルに先立って、前記第1アドレス信号を設定する専用のコマンドサイクルを発行するステップを有することを特徴とする記憶制御装置の制御方法。
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