JPWO2006134902A1 - フォトレジスト現像液、および該現像液を用いた基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
R5−Z−{(YO)b−R6}a (2)
(式(2)中、aは1または2、bはaが1の場合には11〜70、aが2の場合には、二つの{(YO)b−R6}が有する(YO)が合計で11〜70となる整数であり、
R5およびR6は水素原子または炭素数1〜40の有機基、Zは(a+1)価のヘテロ原子、Yは炭素数2〜4のアルキレン基であり、一分子中で、全てのYOは同一であっても、異なる2種以上の組合せであってもよく、また、aが2である場合、二つの{(YO)b−R6}は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。)で示されるノニオン性界面活性剤であることが好ましい。このようなノニオン性界面活性剤を含有させることによって、スカムの発生をより効果的に防止することができる。
下記一般式(1)
下記式(3)
20 レジストパターン部
本発明の現像液で使用される塩基性水溶液としては、従来、フォトレジストの現像液の成分として公知のものが何ら制限なく使用できる。例えば、プロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン等の第一級、第二級または第三級アミン類の水溶液;例えば、ピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、オキサゾール、チアゾール等の塩基性ヘテロ環化合物の水溶液;例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(以下、TMAHと略称する。)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、トリエチル(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、トリプロピル(2−ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、トリメチル(1−ヒドロキシプロピル)アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム化合物の水溶液が使用できる。
本発明のフォトレジスト現像液が含有するノニオン性界面活性剤は、1種または2種以上のアルキレンオキサイド基の繰り返し構造を有し、かつ該アルキレンオキサイド基を11〜70単位有するノニオン性界面活性剤である。
R5−Z−{(YO)b−R6}a (2)
式(2)中、aは1または2、bはaが1の場合には11〜70、aが2の場合には、二つの{(YO)b−R6}が有する(YO)が合計で11〜70となる整数である。
以下の式(4)で表されるベンゼン環を一つ有する炭素数6〜20の炭化水素基またはアルコキシ基置換の炭化水素基、
以下の式(5)で表されるカルボニル基を有する炭素数10〜15の有機基、
以下の式(6)で表される少なくとも2つのベンゼン環を有する炭素数14〜29の単化水素基、
−(CH2CH2O)m−(CH(CH3)CH2O)n−
−(CH2CH2O)l−(CH(CH3)CH2O)m−(CH2CH2O)n−
−(CH(CH3)CH2O)l−(CH2CH2O)m−(CH(CH3)CH2O)n−
などが挙げられる。ここで、lおよびmは各々3〜40の整数であり、nは1〜30の整数であり、かつ前記aが1のときにはl+m+nは11〜70であり、aが2のときにはl+m+nは6〜35であることが好ましい。
本発明のフォトレジスト現像液が含有するアンモニウム化合物は、下記一般式(1)で表されるアンモニウム化合物である。
−CH2−Ar (7)
(式(7)中、Arはフェニル基、トルイル基、キシリル基等の炭素数6〜10の芳香族炭化水素基であり、好ましくは炭素数6〜8の芳香族炭化水素基であり、特にフェニル基である。)を挙げることができる。
なお、本発明の現像液には、本発明の効果を損なわない範囲で従来の現像液に使用されている公知の添加剤を適宜含有させることができる。そのような添加剤としては、他の界面活性剤、湿潤剤、安定剤および溶解助剤などが挙げられる。これらはそれぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて添加してもよい。
本発明の現像液を用いて露光されたフォトレジスト層を現像する場合、フォトレジスト現像方法としては、浸漬法、パドル現像法、スプレー現像法、等の公知の方法が特に限定なく採用できる。ここで、浸漬法とは、フォトレジスト層が形成されたシリコンウェハ等の基板を、一定時間現像液に浸漬した後、純水に浸して乾燥させる現像法である。また、パドル現像法とは、フォトレジスト面上に現像液を滴下して、一定時間静置して後、純水で洗浄して乾燥させる現像法であり、スプレー現像法とは、フォトレジスト面上に現像液をスプレーした後に、純水で洗浄して乾燥させる現像法である。
本発明の現像液は、厚膜レジストの現像を簡便かつ高精度で行うことができるという優れた特徴を有するので、厚膜レジストの現像工程を採用して「パターン形成された基板(加工基板、特に微細加工された基板)」を製造する際の現像液として好適に使用できる。半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ(FPD)、回路基板、磁気ヘッドなどの製造においては、磁気ヘッドの磁極の形成や大規模集積回路(LSI)の接続用端子として用いられるバンプと呼ばれる突起電極の形成は、厚膜レジストを用いたフォトリソ法により行われている。本発明の現像液を用いることによりこのような接続用端子を簡便かつ高精度に形成することが可能となる。
20.0質量%のTMAH水溶液(トクヤマ社製 商品名SD−20)を超純水で希釈し3.0質量%のTMAH水溶液を調製し、得られた水溶液に表1〜3に示す各種ノニオン性界面活性剤および各種アンモニウム化合物を表1〜3に示す量(単位は質量%である)を添加して各種現像液を調製した。
○:スカム発生なし
X:スカム有り
◎:非常に良好(パターン寸法誤差が目的とする寸法の交差5%以内)
○:良好(パターン寸法誤差が目的とする寸法の交差10%未満)
X:不良(パターン寸法誤差が目的とする寸法の交差10%以上)
Claims (9)
- ノニオン性界面活性剤とアンモニウム化合物とを含有する塩基性水溶液からなるフォトレジスト現像液であって、
前記ノニオン性界面活性剤が、1種または2種以上のアルキレンオキサイド基の繰り返し構造を有し、かつ該アルキレンオキサイド基を11〜70単位有するノニオン性界面活性剤であり、その含有量が前記フォトレジスト現像液全体の質量を100質量%として0.5〜10質量%であり、
前記アンモニウム化合物が、下記一般式(1)
- 前記ノニオン性界面活性剤が、下記一般式(2)
R5−Z−{(YO)b−R6}a (2)
(式(2)中、aは1または2、bはaが1の場合には11〜70、aが2の場合には、二つの{(YO)b−R6}が有する(YO)が合計で11〜70となる整数であり、R5およびR6は水素原子または炭素数1〜40の有機基、Zは(a+1)価のヘテロ原子、Yは炭素数2〜4のアルキレン基であり、一分子中で、すべてのYOは同一であっても、異なる2種以上の組み合わせであってもよく、また、aが2である場合、二つの{(YO)b−R6}は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。)で示されるノニオン性界面活性剤である、請求の範囲第1項に記載のフォトレジスト現像液。 - 一般式(1)におけるR1が、−CH2−Ar(但し、Arは炭素数6〜10の芳香族炭化水素基である。)で示される炭化水素基である、請求の範囲第1項または第2項に記載のフォトレジスト現像液。
- 一般式(2)におけるR5が、少なくとも2つのベンゼン環を有する炭化水素基である、請求の範囲第1項〜第3項のいずれかに記載のフォトレジスト現像液。
- 厚さ3μm〜100μmの露光されたフォトレジスト層を現像するための現像液である、請求の範囲第1項〜第4項のいずれかに記載のフォトレジスト現像液。
- 請求の範囲第1項〜第5項のいずれかに記載のフォトレジスト現像液を用いて、厚さ3μm〜100μmの露光されたフォトレジスト層を現像する、フォトレジスト現像方法。
- 基板表面にフォトレジストを塗布するレジスト塗布工程、該工程で塗布されたフォトレジストに、所定のパターンを有するフォトマスクを介して光を照射する露光工程、該工程で露光されたフォトレジスト層の露光領域または未露光領域を除去して前記フォトマスクのパターンに対応するレジストパターンを形成するフォトレジスト現像工程、該工程で得られたレジストパターンを表面に有する基板の当該レジストパターンで覆われていない領域にエッチング加工またはメッキ加工を施す加工工程を含むリソグラフィー法を用いてパターン形成された基板を製造する方法において、
前記レジスト塗布工程で基板表面に厚さ3μm〜100μmのフォトレジスト層を形成すると共に、前記現像工程において請求の範囲第1項〜第5項のいずれかに記載のフォトレジスト現像液を用いてフォトレジスト層の露光領域または未露光領域を除去する、基板の製造方法。 - 請求の範囲第1項〜第5項のいずれかに記載のフォトレジスト現像液を用いたフォトレジスト層の露光領域または未露光領域の除去を多段で行う、請求の範囲第7項に記載の基板の製造方法。
- ノニオン性界面活性剤と2種以上のアンモニウムカチオンとを含有する塩基性水溶液からなるフォトレジスト現像液であって、
当該フォトレジスト現像液は、
1種または2種以上のアルキレンオキサイド基の繰り返し構造を有し、かつ該アルキレンオキサイド基を11〜70単位有するノニオン性界面活性剤を、前記フォトレジスト現像液全体の質量を100質量%として0.5〜10質量%となる量、
下記一般式(1)
下記式(3)
を水に溶解して得ることのできる塩基性水溶液からなるものであるフォトレジスト現像液。
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