JPWO2006126428A1 - 光学活性３−メチルシクロペンタデカノン及びその中間体の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、極低温や低濃度などの反応条件をとらずに、比較的少ない触媒使用量による実用的な光学活性ムスコンの製造方法を提供することを課題とする。本発明は、２−シクロペンタデセン−１−オンに、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び配位子として光学活性ホスホラミダイトの存在下、好ましくは次の一般式（１）【化３４】（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ３は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ４は炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。また、Ａは光学活性なビアリールジイル基を表す。）で表される光学活性ホスホラミダイトの存在下、メチル化有機金属によりメチル基の１，４−共役付加反応を行い、一般式（２）【化３５】（式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表す。＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体、又はこれらの混合物であることを表す。）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を得、次いでこれを加溶媒分解することを特徴とする光学活性３−メチルシクロペンタデカン−１−オンの製造方法、それに用いる配位子に関する。

Description

本発明は光学活性３−メチルシクロペンタデカノン及びその中間体の製造方法に関する。また、本発明は、光学活性３−メチルシクロペンタデカノン又はその中間体を製造する際の新規な光学活性配位子に関する。

近年人々の自然志向が高まり、香料に関しても、自然環境を特徴的にイメージするような、嗜好性の高い香料に関心が集まっている。
麝香（ジャコウ）は、雄の麝香鹿の麝香腺分泌物を乾燥させたもので、古来から香料や生薬として珍重されてきた。麝香は、香気の強いものが良品とされてきたが、現在ではムスコンが２％以上含有されているものが上品とされてきている。麝香鹿は、シカ科の動物でヒマラヤの山岳地帯から中国の奥地に生息しているが、現在ではワシントン条約で輸出入が禁止されている。したがって、天然産の麝香は、ワシントン条約以前に輸入されたものしか使用することができず、ジャコウジカの人工飼育が成功しない限り、将来は使うことができないものである。
麝香の成分である３−メチルシクロペンタデカノン（以下、ムスコンということがある。）は、典型的なムスク系香料の１種であり、メチル基の立体配置により香気に違いがあることが知られている。ムスコンの光学活性体である（Ｒ）−（−）−体及び（Ｓ）−（＋）−体は共に香料として有用であるが、（Ｒ）−（−）−体は（Ｓ）−（＋）−体と比べてより強く、より豊かなムスク香気を有しており、例えば、（Ｓ）−（＋）−体の閾値が２２３ｐｐｂであるのに対し、（Ｒ）−（−）−体の閾値は６１ｐｐｂであって、（Ｒ）−（−）−体がより優れたものであることが報告されている（ 非特許文献１参照）。

活性面のみならず、自然志向の高まりや、環境面の観点からも生分解性の優れた（Ｒ）−体についての感心が高まってきており、ラセミ体ではなく光学活性体が求められてきている。そして、ラセミ体を光学分割する方法も多数検討されてきているが（例えば、特許文献１参照）、この方法では（Ｓ）−体の生成も避けられない。このようなことから、（Ｒ）−体のムスコンを選択的に製造する方法の検討が数多くなされてきた。光学活性な原料を用いて（Ｒ）−体を製造する方法（例えば、特許文献２参照）や、３−メチル−２−シクロペンタデセン−１−オンを不斉水素化する方法（特許文献３参照）などが開発されてきたが、ジメチル亜鉛などのアルキル化剤によるα，β−不飽和ケトンの１，４−付加反応によるアルキル化が報告され（特許文献４参照）、２−シクロペンタデセン−１−オンのメチル化が注目されてきた。近年になって、２−シクロペンタデセン−１−オンに対する、メチル基の１，４−共役付加反応による立体選択的な（Ｒ）−体のムスコンの製造法がいくつか報告されている。例えば、その例を挙げると、ボルナン骨格を有するキラル補助基を合成時に使用することにより、良好な結果が得られることが報告されている（非特許文献２）。また、他の例としては、種々のホスファイト化合物を配位子として用いる方法も知られている（非特許文献３）。その他の例としては、メソ体由来の４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピン等の配位子と銅の複合体を用いることによる光学活性ムスコンの製造（特許文献５）や、デオキシコール酸（Deoxycholic acid）及びビナフチル基をキラルベースとしたホスファイト化合物を光学活性配位子として用い、これと銅触媒とを組み合わせて、ジメチル亜鉛により不斉メチル化を行う（Ｒ）−ムスコンの合成が報告されている（非特許文献４）などが報告されてきている。
また、このような状況の中で、原料となる２−シクロペンタデセン−１−オンの新たな製造方法も開発されてきている（特許文献６参照）。

特開２００５−８５５５号公報 特開２００２−３００２２号公報 特開平６−１９２１６１号公報 特表２００１−３１６３０９号公報 韓国特許公開２０００−４９８１１号公報 特開２００１−２２６３０６号公報 Ｗ. Ｐｉｃｋｅｎｈａｇｅｎら、ＡＣＳシンポジウム ＳＥＲ.３８８Ｆｌａｖｏｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、１９８９ ｐ１５１ Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．Ｉ，１１９３，（１９９２） Ｓｙｎｌｅｔｔ，１９９９，Ｎｏ．１１，１１８１ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ，１５（２００４）２５３３

しかしながら、従来の方法では高濃度で反応を行うと高分子量の副生成物が生成し、満足できる収率が得られないという問題や、極低温や低濃度、あるいは長時間反応などの反応条件によっては、製造コストが高くなるなどの問題がある。また、高い光学純度を得ようとすると使用する触媒量が多くなるなどの問題もある。そこで本発明は、極低温や低濃度などの反応条件をとらずに、比較的少ない触媒使用量による実用的な光学活性ムスコンの製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、銅触媒及び光学活性配位子の存在下で２−シクロペンタデセン−１−オンに不斉メチル化反応を行う際に、反応中間体として生成するエノールアニオンを、適当なエノールアニオン捕捉剤によりトラップすることで光学活性なエノール誘導体が形成され、これにより不斉メチル化反応を極低温を避けて行うことが可能となるだけでなく、副生成物の生成を抑制でき、その後定法によりそのエノール誘導体を加溶媒分解することで、高濃度、高収率で目的の光学活性ムスコンが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
また、本発明者らは、この方法のための新規な触媒、及び新規な光学活性な配位子化合物を見出した。

即ち、本発明は、２−シクロペンタデセン−１−オンを、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ａは光学活性なビアリールジイル基を表す。）
で表される光学活性ホスホラミダイトの存在下、メチル化有機金属と反応させて、メチル基の１，４−共役付加反応を行い、一般式（２）

（式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表し、＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体又はこれらの混合物であることを表す。）
で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を製造し、次いでこれを加溶媒分解することを特徴とする光学活性３−メチルシクロペンタデカノンの製造方法に関する。

より詳細には、製造される光学活性３−メチルシクロペンタデカノンが、３−（Ｒ）−メチルシクロペンタデカノンである光学活性３−メチルシクロペンタデカノンの製造方法に関する。

また、本発明は、２−シクロペンタデセン−１−オンに、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。また、Ａは光学活性なビアリールジイル基を表す。）
で表される光学活性ホスホラミダイトの存在下、メチル化有機金属によりメチル基の１，４−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式（２）

（式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表し、＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体又はこれらの混合物であることを表す。）
で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法に関する。

さらに、本発明は、下記の一般式（１’）

（式中、Ｒ^１’及びＲ^２’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３’は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４’は１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、３，４−メチレンジオキシベンジル基、ビフェニルメチル基、アンスリルメチル基、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、炭素数１〜６のアルキル基で置換されたベンジル基、又はアリール基が置換若しくは縮合してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ａ’はビアリールジイル基を表す。）
で表される化合物に関する。本発明のこの化合物は、光学活性３−メチルシクロペンタデカン−１−オンを選択的に製造する際の、触媒の配位子として有用である。

また、本発明は、次の一般式（２）

（式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表し、＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体又はこれらの混合物であることを表す。）
で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体に関する。本発明の光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体は、光学活性３−メチルシクロペンタデカン−１−オンを製造する際の中間体として有用である。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられる２−シクロペンタデセン−１−オンとしては、例えば、（Ｅ）−２−シクロペンタデセン−１−オンを挙げることができるが、これに限定されるものではなく、（Ｚ）−２−シクロペンタデセン−１−オン又は（Ｅ）−体及び（Ｚ）−体の混合物でもよい。（Ｅ）−２−シクロペンタデセノンは、公知の方法、例えば特開平１−３２１５５６号公報、特開２００１−３６９４２２号公報、特開２００１−２２６３０６号公報、及びＪ．Ｋｏｒｅａｎ Ｃｈｅｍ．，４０，２４３（１９９６）等に記載の方法に準じて製造することができる。また、市販品を用いてもよい。
本発明に用いられる銅触媒としては、従来から１，４−共役付加反応に用いられている銅触媒の何れも用いることができる。これらの銅触媒を例示すると、例えば、銅（ＩＩ）トリフレート（Ｃｕ（ＯＴｆ）_２）、銅（Ｉ）トリフレート（Ｃｕ（ＯＴｆ））、トリフルオロ酢酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＯＣＯＣＦ_３）_２）、アセチルアセトナート銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ａｃａｃ）_２）、酢酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＯＡｃ）_２）、硫酸銅（ＩＩ）（ＣｕＳＯ_４）、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩化第二銅（ＣｕＣｌ_２）、臭化銅（ＣｕＢｒ）、臭化第二銅（ＣｕＢｒ_２）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ヨウ化第二銅（ＣｕＩ_２）、シアン化銅（ＣｕＣＮ）、過塩素酸銅（ＣｕＣｌＯ_４）、ナフテン酸銅（Ｃｕ（ＯＣＯＣ_１０Ｈ_９）_２）、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＢＦ_４）_２）、テトラクロロ銅ジリチウム（Ｌｉ_２ＣｕＣｌ_４）などが挙げられ、好ましくはＣｕ（ＯＴｆ）_２、Ｃｕ（ＯＴｆ）などが挙げられる。

また、本発明において用いられるエノールアニオン捕捉剤としては、エノールアニオンの酸素原子に結合することができる基及び当該結合に際して脱離する基を有する化合物が挙げられ、好ましいエノールアニオン捕捉剤としては、例えば、エノールの水酸基に結合してエノールエステル類、エノールカーボネート類、エノールエーテル類、又はシリルエノールエーテル類などのエノール誘導体を形成できる化合物が挙げられる。このようなエノールアニオン捕捉剤の具体例としては、例えば、次の一般式（３）
Ｒ^５−Ｘ^１ （３）
（式中、Ｒ^５は、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキル基、又はシリル基を示し；Ｘ^１は、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、ＯＲ^６（Ｒ^６は、アシル基又はアルコキシカルボニル基を示す。）を示す。）
で表されるエノールアニオン捕捉剤などを挙げることができる。
本発明における一般式（２）で表される化合物において、Ｒで表されるエノールアニオン捕捉剤の残基とは、前記したエノールアニオン捕捉剤におけるエノールアニオンの酸素原子に結合することができる基の相当するものであり、より具体的には上記の一般式（３）で表されるエノールアニオン捕捉剤のＲ^５に相当する基が挙げられる。
上記一般式（３）で示される化合物において、Ｒ^５及びＲ^６で表されるアシル基としては、炭素数２〜１５の飽和又は不飽和の鎖状又は環状の脂肪族カルボン酸、又は炭素数７〜１５の芳香族カルボン酸から誘導されるアシル基、即ちアルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基、アリールカルボニル基、アラルキルカルボニル基などが挙げられ、これらのカルボン酸はハロゲン、アルコキシ基、低級アルキル基、ニトロ基などの置換基を有していてもよい。このようなアシル基の具体的としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブチリル基、ピバロイル基、バレリル基、イソバレリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、シクロヘキサノイル基、ベンゾイル基、ｐ−トルオイル基、ｐ−ニトロベンゾイル基、ｐ−アニソイル基、ｐ−クロロベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基、アクリロイル基等が挙げられる。

上記一般式（３）で示される化合物において、Ｒ^５及びＲ^６で表されるアルコキシカルボニル基としては、飽和又は不飽和の、直鎖状、分岐状又は環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられ、当該アルコキシカルボニル基のアルキル基、シクロアルキル基、又はアルケニル基の部分は適宜、ハロゲン、アリール基、アラルキル基などの置換基を有していてもよい。このようなアルコキシカルボニル基の具体例としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４−クロロベンジルオキシカルボニル基及びシクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
上記一般式（３）で示される化合物において、Ｒ^５で表されるアルキル基としては直鎖状、分岐状又は環状でもよいアルキル基が挙げられる。これらアルキル基としては例えば炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

また、これらアルキル基、アリール基又はアラルキル基は適宜置換基を有していてもよく、当該置換基としては、炭化水素基、脂肪族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アルキレンジオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、及びハロゲン原子等が挙げられる。
アルキル基に置換する炭化水素基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
このようなアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状でもよく、例えば、炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基や、炭素数３〜１５、好ましくは炭素数３〜１０、より好ましくは炭素数３〜６のシクロアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アルケニル基としては、直鎖状又は分岐状の、例えば炭素数２〜１５、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられ、具体的にはビニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。
アリール基としては、例えば炭素数６〜１４の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも１個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、例えば炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、具体的にはベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、９−アンスリルメチル基などのアンスリルメチル基、４−ビフェニルメチル基などのビフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、３−ナフチルプロピル基等が挙げられる。

脂肪族複素環基としては、例えば炭素数２〜１４で、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環の脂肪族複素環基、多環又は縮合環の脂肪族複素環基が挙げられる。脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、ピロリジル−２−オン基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチエニル基等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えば炭素数２〜１５で、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式ヘテロアリール基、多環式又は縮合環式のヘテロアリール基が挙げられ、具体的にはフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、前記したアルキル基に酸素原子結合した基が挙げられる。例えば、炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、５−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
アルキレンジオキシ基としては、例えば炭素数１〜３のアルキレンジオキシ基が挙げられ、具体的にはメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基、イソプロピリデンジオキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、前記したアリール基に酸素原子が結合した基が挙げられる。例えば、炭素数６〜１４のアリールオキシ基が挙げられ、具体的にはフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、前記したアラルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられる。例えば、炭素数７〜１２のアラルキルオキシ基が挙げられ、具体的にはベンジルオキシ基、２−フェニルエトキシ基、１−フェニルプロポキシ基、２−フェニルプロポキシ基、３−フェニルプロポキシ基、１−フェニルブトキシ基、２−フェニルブトキシ基、３−フェニルブトキシ基、４−フェニルブトキシ基、１−フェニルペンチルオキシ基、２−フェニルペンチルオキシ基、３−フェニルペンチルオキシ基、４−フェニルペンチルオキシ基、５−フェニルペンチルオキシ基、１−フェニルヘキシルオキシ基、２−フェニルヘキシルオキシ基、３−フェニルヘキシルオキシ基、４−フェニルヘキシルオキシ基、５−フェニルヘキシルオキシ基、６−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。
ヘテロアリールオキシ基としては、前記した芳香族複素環基に酸素原子が結合した基が挙げられる。例えば、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の異種原子を含んでいる、炭素数２〜１４のヘテロアリールオキシ基が挙げられ、具体的には、例えば、２−ピリジルオキシ基、２−ピラジルオキシ基、２−ピリミジルオキシ基、２−キノリルオキシ基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
また、上記の一般式（３）で表される化合物において、Ｒ^５で表されるシリル基としては、例えばケイ素原子上の水素原子が上記した炭化水素基等の置換基で置換されたシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びトリフェニルシリル基等が挙げられる。

また、上記の一般式（３）で表される化合物において、Ｘ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基の、アルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜６のアルキル基が挙げられ、具体的なアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、プロパンスルホニルオキシ基、ブタンスルホニルオキシ基、ヘキサンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
また、上記の一般式（３）で表される化合物において、Ｘ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基の、アリール基としては、例えば炭素数６〜１４の単環式、多環式又は縮合環式のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられる。これらアリール基は、前記したようなアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子で適宜置換されていてもよい。具体的なアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
また、上記の一般式（３）で表される化合物において、Ｘ^１で表されるＯＲ^６のアシル基及びアルコキシカルボニル基としては、例えば前記したようなアシル基やアルコキシカルボニル基が挙げられる。

本発明において用いられるエノールアニオン捕捉剤として、具体的な化合物を例示すると、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ブタン酸、無水ペンタン酸、無水安息香酸、メタクリル酸無水物、トリフルオロ酢酸無水物等の酸無水物；塩化アセチル、臭化アセチル、塩化プロピオニル、臭化プロピオニル、塩化ブチリル、臭化ブチリル、塩化ペンタノイル、塩化ピバロイル、塩化ベンゾイル、塩化ｐ−ニトロベンゾイル等の酸ハロゲン化物；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、ジフェニルカーボネート、ジベンジルカーボネート等の炭酸エステル；トリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド等のハロゲン化ケイ素誘導体などが挙げられるが、酸無水物及び炭酸エステルが好ましい。
本発明の製造方法において用いられる光学活性ホスホラミダイトは銅の配位子として作用するものであり、一般式
（Ｚ^１−Ｏ）_２Ｐ−Ｎ（Ｚ^２）Ｚ^３
（式中、Ｚ^１、Ｚ^２、及びＺ^３はそれぞれ独立して有機残基を示す。）
の構造を有するものである。即ち、ホスホン酸トリエステルのひとつのエステル基がアミンによりアミド化された構造を有するものである。本発明の光学活性ホスホラミダイトは、Ｚ^１、Ｚ^２、及び／又はＺ^３の有機残基のうちの少なくとも１つの基、又は２つ以上の基が一緒になって不斉炭素原子による不斉、又は回転障害による軸性不斉を示すものであればよい。本発明の好ましい光学活性ホスホラミダイトとしては、次の一般式（１）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。また、Ａは光学活性なビアリールジイル基を表す。）
で表される化合物、又は次の一般式（１’）

（式中、Ｒ^１’及びＲ^２’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３’は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４’は１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、３，４−メチレンジオキシベンジル基、ビフェニルメチル基、アンスリルメチル基、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、炭素数１〜６のアルキル基で置換されたベンジル基、又はアリール基が置換若しくは縮合してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ａ’はビアリールジイル基を表す。）
で表される化合物の光学活性体が挙げられる。
一般式（１）及び一般式（１’）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^１’及びＲ^２’における炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
一般式（１）及び一般式（１’）において、Ｒ^３、及びＲ^３’における置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、単環式、多環式、縮合環式、又は架橋型の飽和又は不飽和の炭素数３〜１０、好ましくは炭素数５〜１０の脂肪族環式基が挙げられ、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。これらのシクロアルキル基における置換基としては、例えば、前記したアルキル基、当該アルキル基に１個以上のハロゲン原子が置換したハロゲン化アルキル基、フェニル基などのアリール基、前記したアルコキシ基、前記したアルキレンジオキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。また、これらのシクロアルキル基における置換基は、シクロアルキル基に縮合するフェニル基などのアリール基であってもよい。このようなアリール基が縮合したシクロアルキル基としては、インダン−１−イル基、テトラリン−１−イル基などが挙げられる。一般式（１’）のＲ^３’における好ましい例としては、炭素数３〜１０、より好ましくは炭素数５〜１０のシクロアルキル基が挙げられる。
一般式（１）及び一般式（１’）において、Ｒ^３及びＲ^３’で表される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、例えば炭素数６〜１４の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基が挙げられる。これらのアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられる。これらのアリール基における置換基としては、例えば、前記したアルキル基、当該アルキル基に１個以上のハロゲン原子が置換したハロゲン化アルキル基、前記したアルコキシ基、前記したアルキレンジオキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

一般式（１）及び一般式（１’）において、Ｒ^３及びＲ^３’で表される置換基を有していてもよいアリール基の具体的な例示としては、例えば、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３，５−キシリル基、２，４−キシリル基、２，６−キシリル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、２，４，６−トリメトキシフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、３，４−エチレンジオキシフェニル基、３，４−プロピレンジオキシフェニル基、３，４−イソプロピリデンジオキシフェニル基、４−ニトロフェニル基、４−シアノフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２，６−ジメチル−４−メトキシフェニル基、３，５−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、６−メチルナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられる。

一般式（１）及び一般式（１’）において、Ｒ^４及びＲ^４’で表される炭素数１〜１０のアルキル基としては、直鎖状又は分岐状もしくは環状のアルキル基が挙げられ、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−メチルシクロペンチル基、２−メチルシクロヘキシル基、２，６−ジメチルシクロペンチル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、（２−メチルシクロヘキシル）メチル基、１−シクロヘキシルエチル基、２−イソプロピル−５−メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
一般式（１）において、Ｒ^４で表される置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、前記したアルキル基の中の環状のアルキル基であって、単環式、多環式、縮合環式、又は架橋型の飽和又は不飽和の炭素数３〜１０、好ましくは炭素数５〜１０の脂肪族環式基が挙げられ、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。これらのシクロアルキル基における置換基としては、例えば、前記したアルキル基、当該アルキル基に１個以上のハロゲン原子が置換したハロゲン化アルキル基、フェニル基などのアリール基、前記したアルコキシ基、前記したアルキレンジオキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。また、これらのシクロアルキル基における置換基は、シクロアルキル基に縮合するフェニル基などのアリール基であってもよく、このようなアリール基が縮合したシクロアルキル基としては、インダン−１−イル基、テトラリン−１−イル基などが挙げられる。
一般式（１’）において、Ｒ^４’で表されるアリール基が置換若しくは縮合してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、単環式、多環式、縮合環式、又は架橋型の飽和又は不飽和の炭素数３〜１０、好ましくは炭素数５〜１０の脂肪族環式基が挙げられ、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。これらのシクロアルキル基には、置換基又は縮合する環としてフェニル基、ナフチル基などのアリール基が置換又は縮合していてもよい。好ましいアリール基が置換若しくは縮合してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基としては、アリール基が縮合している炭素数５〜１０のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基が縮合している炭素数５〜１０のシクロアルキル基としては、例えば、インダン−１−イル基、インデン−１−イル基、テトラリン−１−イル基等が挙げられる。
一般式（１）及び一般式（１’）において、Ｒ^４及びＲ^４’で表される置換基を有していてもよいアリール基は、前記したＲ^３及びＲ^３’の説明で述べたような置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。
一般式（１）においてＲ^４で表される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、前記してきたようなアラルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、９−アンスリルメチル基などのアンスリルメチル基、２−ビフェニルメチル基などのビフェニルメチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルエチル基、３−（１−ナフチル）−プロピル基等が挙げられる。
これらアラルキル基に置換する置換基としては、前記したアルキル基、前記したアルコキシ基、前記したアルキレンジオキシ基等が挙げられ、これら置換基はアラルキル基のアリール基に置換するものである。
一般式（１）においてＲ^４で表される置換基を有していてもよいアラルキル基の具体的な例示としては、ベンジル基、１−フェネチル基、１−フェニルプロピル基、２−メチル−１−フェニルプロピル基、２−フェネチル基、２−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、２−メトキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブトキシベンジル基、３，４−メチレンジオキシベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、２−ビフェニルメチル基、９−アンスリルメチル基等が挙げられる。

また、一般式（１’）においてＲ^４’で表される、炭素数１〜６のアルキル基で置換されたベンジル基の具体的な例示としては、２−メチルベンジル基、２−エチルベンジル基、２−イソプロピルベンジル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、２−シクロヘキシルベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、２，６−ジメチルベンジル基、２−メチル−４−イソプロピルベンジル基等が挙げられる。

本発明の一般式（１’）におけるＡ’のビアリールジイル基としては、２個のアリール環構造が直接結合した構造を有する２価の基であり、ビアリールジイル骨格が軸不斉により光学活性になっていなくてもよいが、軸不斉により光学活性となっているものが好ましい。このようなアリール環構造としては、単環状、多環状又は縮合環状の６員芳香族環、好ましくは単環状又は縮合環状の６員芳香環、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環などが挙げられる。ビアリールジイル基を形成する２個のアリール環はそれぞれ異なるものであってもよいが、同じものが好ましい。
本発明の一般式（１）におけるＡの光学活性なビアリールジイル基としては、前記したビアリールジイル基であって、ビアリールジイル骨格が軸不斉により光学活性になっているものである。
光学活性なビアリールジイル基とは、ビアリールジイル骨格が軸不斉により光学活性になっていることを表し、窒素原子上の置換基が光学活性であるとは、例えば２−ブチル基、１−シクロヘキシルエチル基、１−フェネチル基、１−ナフチルエチル基等の不斉炭素原子を有するアルキル基等が光学活性になっていることを表す。
Ａ及びＡ’で表されるビアリールジイル基としては例えば、１，１’−ビナフタレン−２，２’−ジイル基が挙げられ、該ビナフチル環はメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基；メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等のトリアルキルシリル基及びトリフェニルシリル基等のトリアリールシリル基などで置換されてもよい。
本発明の一般式（１）又は一般式（１’）におけるＡ及びＡ’で表されるビアリールジイル基の好ましい例としては、例えば、下記式（４）

（式中、Ｒ^７，Ｒ^８，Ｒ^９、Ｒ^１０，Ｒ^１１及びＲ^１２は、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ^８及びＲ^９とで置換基を有していてもよいアルキレン鎖を形成していてもよく、Ｒ^１１及びＲ^１２とで置換基を有していてもよいアルキレン鎖を形成していてもよい。環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立してベンゼン環、又は２個以上の６員芳香環が縮合した環を表す。）
で表される置換基を有してもよい１，１’−ビアリール−２，２’−ジイル基が挙げられる。
一般式（４）における環Ａ及び環Ｂとしては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環などが挙げられる。
一般式（４）におけるＲ^７〜Ｒ^１２のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等の直鎖又は分岐してもよい炭素数１〜６のアルキル基が挙げられ、アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等の直鎖又は分岐してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロパノイルオキシ基などの炭素数２〜６の直鎖状又は分枝状のアルキルカルボニルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基などの前記したアルキルカルボニルオキシ基のアルキル基部分にハロゲン原子が置換したハロゲン置換アルキルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などの炭素数７〜１６のアリールカルボニルオキシ基やアラルキルカルボニルオキシ基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子等が挙げられ、ハロアルキル基としては、これらのハロゲン原子で置換された前記したアルキル基、例えばトリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロアルキル基が挙げられ、ジアルキルアミノ基としては、前記したアルキル基で置換されたアミノ基、例えば、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基等が挙げられる。
Ｒ^８及びＲ^９とでアルキレン鎖を形成する場合、及びＲ^１１及びＲ^１２とでアルキレン鎖を形成する場合のアルキレン鎖としては、炭素数３〜５の直鎖状又は分枝状のアルキレン鎖が好ましく、具体的にはトリメチレン基、テトラメチレン基及びペンタメチレン基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキレン鎖の置換基としては、前記したアルキル基及び前記したハロゲン原子等が挙げられ、具体例としては炭素数１〜６の前記したようなアルキル基及びフッ素原子等が挙げられる。

本発明の一般式（１）で表される光学活性配位子は、基Ａのビアリールジイル基が軸不斉により（Ｒ）体又は（Ｓ）体の光学活性な基となっているものでよいし、また、基Ｒ^１、基Ｒ^２、基Ｒ^３、又はこれらの基が結合している炭素原子において不斉となり光学活性となっているものでもよいし、これらのビアリールジイル基及び窒素原子に結合する基の両方の基において不斉となり光学活性体となっているものであってもよい。
本発明の一般式（１’）で表される化合物は、必ずしも光学活性体に限定されるものではないが、前記した一般式（１）で表される光学活性配位子のように、一般式（１’）におけるビアリールジイル基、及び／又は窒素原子上の置換基の不斉により光学活性となっている化合物が好ましい。

本発明の一般式（１）で表される光学活性配位子、又は一般式（１’）で表される化合物は、公知の方法に準じて合成することができ、例えば、J.Org.Chem.,58,7313(1993)及びTetrahedron:Asymmetry,13,801(2002)に記載の方法に準じて、以下のスキームにより合成することができる。

（スキーム中、Ｒ^１〜Ｒ^４、Ｒ^１’〜Ｒ^４’、Ａ及びＡ’は前記と同じ意味を表す。Ｍは、水素原子、又はアルカリ金属原子を表し、Ｘ^２は脱離基を表す。）
すなわち、第２級アミン化合物又はそのアルカリ金属アミドに、脱離基を有するリン化合物を反応させ、リン−窒素結合を有する化合物を調製し（第１ステップ）、このものに塩基の存在下でビアリールジオールを反応させる（第２ステップ）、２つのステップにより行われる。ここで、用いる第２級アミン化合物として光学活性体を用いることにより、窒素原子上の置換基が光学活性な光学活性配位子を得ることができ、又、ビアリールジオールとして（Ｒ）体又は（Ｓ）体の光学活性ビアリールジオールを用いることによりビアリール骨格が光学活性な配位子を得ることができる。当然ながら第２級アミン化合物及びビアリールジオール共に光学活性体を用いることにより、両者の骨格が光学活性な化合物が得られることはいうまでもない。
上記スキーム中においてＭで表される、アルカリ金属アミドのアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等が挙げられるが、リチウム又はナトリウムが好ましい。
アルカリ金属アミドの調製法としては、第２級アミン化合物にアルカリ金属又はアルカリ金属化合物を作用させることにより行われる。用いられるアルカリ金属化合物としては、水素化ナトリウム、水素化リチウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化物；メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、２−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム等が挙げられるが、ｎ−ブチルリチウムが好ましい。
上記スキーム中においてＸ^２で表される、脱離基を有するリン化合物の脱離基としては、塩素、臭素等のハロゲン原子；メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等のスルホニルオキシ基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基等のアルコキシ基又はアリールオキシ基などが挙げられるが、ハロゲン原子が好ましい。

この方法における第１ステップでは、必ずしも塩基の存在は必須ではないが、第２ステップの反応は塩基の存在下で行うのが好ましい。これらのステップで使用される塩基（ｂａｓｅ）としては、無機塩基若しくは有機塩基、又はこれらの混合物のいずれもよく、特に限定されるものではないが、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムフェノキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムフェノキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムフェノキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化バリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、リン酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属のリン酸塩、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリシクロヘキシルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン等のアミン類、フッ化リチウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化ルビジウム等のアルカリ金属のフッ化物塩等が挙げられる。この中でも有機塩基が好ましく、特にトリエチルアミン、ジイソプロピルアミン等のアミン類が好ましい。
第２ステップにおいて使用される塩基の量は、リン−窒素結合を有する化合物に対し、２倍モル以上使用するのが好ましい。塩基の量が２倍モル未満では、目的化合物の収率が低くなる場合がある。また、塩基を大過剰に加えても目的化合物の収率にほとんど影響はないが、反応終了後の後処理操作が煩雑になることから、より好ましい塩基の量は、２〜１０倍モルの範囲である。

上記の各ステップにおける反応は溶媒の存在下で行うことが好ましい。使用される溶媒としては、これらの反応に不活性な溶媒であればよく、特に制限されるものではないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族系有機溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式系有機溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソランなどのエーテル系有機溶媒；アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等の非プロトン性極性溶媒を挙げることができる。好ましい溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒や、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系有機溶媒が挙げられる。
また、前記の各ステップの反応は、取り扱う化合物の性質上、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
第１ステップ（リン−窒素結合生成反応）の反応温度は、−７８℃〜４０℃の範囲で行われるが、−５０℃〜２５℃が好ましく、反応時間は反応温度によって自ずから異なるが、１〜４時間程度である。
第２ステップ（ビアリールジオールとの反応）の反応温度は、−２０℃〜４０℃の範囲で行われるが、−２０℃〜２５℃が好ましく、反応時間は反応温度によって自ずから異なるが、３〜１６時間程度である。反応終了後、常法によって処理することにより目的とする化合物を得ることができる。

また、本発明に用いられる光学活性配位子は、Tetrahedron,56,2865(2000)、又はTetrahedron:Asymmetry,9,1179(1998)等に記載の方法のように、先にビアリールジオールとＰ（Ｘ^２）_３を反応させ、続いて第２級アミン又はそのアルカリ金属アミドを反応させてもよい。
なお、スキーム中では便宜的にＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４の場合について説明しているが、Ｒ^１’、Ｒ^２’、Ｒ^３’及びＲ^４’の場合に関しても同様である。

本発明の方法は、２−シクロペンタデセン−１−オンに、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）で表される光学活性配位子の存在下に、メチル化有機金属によりメチル基を２−シクロペンタデセン−１−オンに１，４−共役付加させて、一般式（２）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を製造することを特徴とするものである。この方法における２−シクロペンタデセン−１−オン、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）で表される光学活性配位子としては、前記したものを使用することができる。
本発明のこの方法では、２−シクロペンタデセン−１−オン、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）で表される光学活性配位子を同時に存在させて反応させることもできるが、好ましくは銅触媒、及び一般式（１）で表される光学活性配位子の存在下に、２−シクロペンタデセン−１−オンをメチル化有機金属によりメチル基の１，４−共役付加反応を行い、ついで、反応混合物中へエノールアニオン捕捉剤を添加して、一般式（２）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体とする方法が挙げられる。後者の場合には、メチル化有機金属によるメチル基の１，４−共役付加反応を室温付近の温度で行うことができる。

この方法において用いられるメチル化有機金属としては、例えばジメチル亜鉛、塩化メチルマグネシウム、臭化メチルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、メチルリチウム、トリメチルアルミニウム等が挙げられる。好ましい例としては、ジメチル亜鉛などが挙げられる。
この方法において用いられる反応溶媒としては、反応に関与しない溶媒であればよく、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル系溶媒、塩化メチレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの中でも、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒及びエーテル系溶媒が好ましい。これら溶媒は夫々単独で用いても二種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
溶媒の使用量は、２−シクロペンタデセン−１−オン１重量部に対し、１〜２００倍容量、好ましくは３〜１００倍容量、より好ましくは５〜３０倍容量である。
この方法における銅触媒の使用量は、２−シクロペンタデセン−１−オン１モルに対し、０．１〜２０モル％程度、好ましくは１．０〜１０モル％程度の量で十分である。
この方法におけるエノールアニオン捕捉剤の使用量は、２−シクロペンタデセノン１モルに対し、１．０〜５．０モル、好ましくは１．２〜３．０モル程度の量で用いられる。
この方法における光学活性配位子の使用量は、使用する銅触媒の量に対して２倍モル以上、好ましくは２倍モル〜３倍モル程度が好ましい。
また、この方法におけるメチル化有機金属の使用量は、２−シクロペンタデセノン１モルに対し、１．０〜５．０モル、好ましくは１．２〜３．０モル程度の量が用いられる。
本発明の製造方法は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス中で行うことが好ましい。

この方法における反応温度としては、使用する試薬により自ずから異なるが、−８０℃〜５０℃程度の範囲、好ましくは−３０℃〜３０℃程度の範囲が挙げられる。エノールアニオン捕捉剤を１，４−共役付加反応の後に添加して行う場合には、当該１，４−共役付加反応は室温付近の温度で行うことができる。また、この方法の反応時間としては、１０分〜２０時間程度、好ましくは３０分〜１０時間程度の時間行われる。
反応終了後は、抽出、蒸留、再結晶又は各種クロマトグラフィー等の通常行われる操作を用いることにより目的物を得ることができる。

また、本発明の方法では、上記のようにして得られた下記の一般式（２）

（式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表す。＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体、又はこれらの混合物であることを表す。）
で表される光学活性３−メチルシクロペンタデセン誘導体のエノール部分を加溶媒分解することにより光学活性ムスコンを選択的に製造することができる。
当該加溶媒分解の方法としては、通常用いられているエノール類の加溶媒分解法を使用することができる。このような方法としては、例えば、一般式（２）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体におけるエノール誘導体が、エノールエステル類やエノールカーボネート類の場合には、塩基性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法が挙げられる。この加溶媒分解において用いられる塩基性触媒としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リチウムアルコキシド（リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド等）、ナトリウムアルコキシド（ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等）、カリウムアルコキシド（カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等）などが挙げられる。これらの中でも水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどが好ましい。これら塩基性触媒は１種又は２種以上を混合して使用することができる。
また、エノール誘導体がエノールエーテル類の場合には、酸性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法が挙げられる。本加溶媒分解において用いられる酸性触媒としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、酸性イオン交換樹脂などが挙げられる。好ましい酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが好ましい。これら酸性触媒は１種又は２種以上を混合して使用することができる。
さらに、エノール誘導体がシリルエノールエーテル類の場合には、上記酸性触媒を用いて溶媒中で反応させる方法などのほか、三フッ化ホウ素又はその錯化合物、フッ化四級アンモニウム塩などのフッ素系化合物が挙げられる。また、加溶媒分解の際に使用される溶媒は、加溶媒分解が進行する溶媒であればよく、例えば、水；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類及びこれらの混合溶媒が挙げられる。これらの中でも、メタノール、エタノールが好ましい。

さらに本加溶媒分解においては必要に応じて助溶媒が使用されてもよい。助溶媒としては、反応に関与しないものであればよく、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が挙げられる。
溶媒の使用量は、一般式（２）で表される光学活性３−メチルシクロペンタデセン誘導体１重量部に対し、０．５〜１００倍容量、好ましくは１〜３０倍容量である。また、反応は０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃程度の温度で行われ、通常は１０分〜２０時間、好ましくは３０分〜１０時間程度反応させることにより行われる。これらの反応条件は使用する溶媒や触媒などの種類や量により適宜変更されうる。
反応終了後は通常の後処理を行うことにより、必要に応じて蒸留やカラムクロマトグラフィー等の方法を用いて、目的物を単離することができる。

本発明は、製造が容易で比較的簡単な構造を有する光学活性配位子を用いて２−シクロペンタデセン−１−オンの１，４−付加による不斉メチル化反応を行うことができ、また、当該１，４−付加反応において生成するエノールアニオンをエノールアニオン捕捉剤によりエノール誘導体として捕捉することにより、生成したエノールアニオンによる分子間の副反応を抑制することができ、基質（２−シクロペンタデセノン）濃度を高濃度とすることができ反応効率を向上することができるだけでなく、１，４−付加反応をより高温で行うことも可能となった。さらに、本発明の光学活性配位子（リガンド）は触媒活性が高く、少量の触媒の存在で効率的に反応を進行させることができる。このような簡便な方法にもかかわらず目的の光学活性体を高収率、高光学純度で製造できる方法を提供するものである。また、本発明は、このような不斉メチル化反応に有効で、製造が容易な新規な化合物を提供するものである。さらに、本発明の配位子は、アミン部分が非対称の構造をしていてもよく、アミンの窒素原子に置換している２つの置換基の構造を容易に変更することができ、反応条件に合わせて変化に富んだ置換基の組み合わせを選択することができる。

以下、実施例により更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本実施例中の分析には、次の分析機器を用いて行った。
旋光度：Ｐ−１０２０（日本分光工業株式会社製）
^１Ｈ−ＮＭＲ：ＤＲＸ５００型（５００ＭＨｚ）（ブルッカー社製）（内部標準物質：テトラメチルシラン）
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）：Nicolet Avatar360 FT-IR（ニコレジャパン株式会社製）
質量スペクトル（ＭＳ）：Ｍ−８０Ｂ質量分析計（イオン化電圧：２０ｅＶ）（株式会社日立製作所製）
：PolarisQ iontraptype（DirectEI）（Thermoelecton社製）
ガスクロマトグラフィー：ＲＴｘ−１（ＲＥＳＴＥＸ社製）
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ−Ｈ (ダイセル化学工業株式会社)、

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−ベンジル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−１）の合成
窒素気流下、温度計、滴下ロートのついた５０ｍＬ３つ口フラスコに、ＴＨＦ２０ｍＬ、（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミン１．０５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）の溶液を入れ、−５０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（１．５８Ｍヘキサン溶液）３．２ｍＬ（５．０ｍｍｏｌ）を滴下した。−５０℃のまま１時間攪拌した後、三塩化リン６．８ｇ（５０ｍｍｏｌ）を加え、徐々に室温まで温度を上げ、２時間攪拌した。その後、減圧下で溶媒及び三塩化リンを除去し、残渣にトルエン２０ｍＬを加えた。このトルエン溶液を−２０℃に冷却し、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ（２−ナフトール）１．４３ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン２．５３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、トルエン１０ｍＬの混合溶液を滴下した。徐々に室温まで温度を上げ、１６時間攪拌した。反応終了後、固体をろ過し、ろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、標題の化合物１．８ｇ（３．４２ｍｍｏｌ、収率６８％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.68-1.70( 3H, m), 3.02( 1H, d, J=15.1Hz), 4.03( 1H, d, J=15.1Hz),
4.04-4.09( 1H, m), 7.02-7.99( 22H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）； １４２．８
ＭＳ m/z：525(Ｍ^＋)(5), 434(100), 420(10), 391(12), 315(8), 286(14), 253(4),
239(6), 105(5), 91(5), 79(3)

次の化学式

で表される（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネートの合成
窒素雰囲気下、温度計をつけた３０ｍｌ反応フラスコに、実施例１で得られた光学活性配位子Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−ベンジル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト２１．０ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ ７．２ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、及びトルエン７ｍＬを入れ、室温で３０分間攪拌した。その溶液にジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ）１．４ｍＬ（２．８ｍｍｏｌ）を加え３０分間攪拌した。その後溶液を−２０℃に冷却し、無水プロピオン酸０．２９ｇ（２．２ｍｍｏｌ）と２−（Ｅ）−シクロペンタデセノン０．４４ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、２時間攪拌した後、５％硫酸水溶液を加えて反応を停止し、分液した。得られた有機層を水洗し、溶媒を減圧除去して粗生成物０．８ｇを得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより表題化化合物を０．５３ｇ（１．８０ｍｍｏｌ）収率９０％を得た。ガスクロマトグラフィーの分析から、Ｅ／Ｚ＝１．０／９９．０であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
0.90( 3H, d, J=12.5Hz), 1.07-1.15( 2H, m), 1.20( 3H, t, J=7.6Hz),
1.26-1.40( 15H, m), 2.14-2.16( 1H, m), 2.30-2.39( 2H, m),
2.40( 2H, q, J=7.6), 4.77( 1H, d, J=9.6)
ＭＳ m/z：293(Ｍ^＋)(5), 265(3), 238(90), 220(30), 209(27), 195(13), 180(11),
158(7), 142(7), 125(38), 117(28), 97(60), 84(55), 69(62), 57(100),
41(37)
ＩＲ νmax（ｃｍ^−１）： ２９２６， ２８５６， １１５２
［α］_Ｄ＝７９．２（ｃ＝１．０ ｉｎ ＣＨＣｌ_３）

次式

で表される（Ｒ）−ムスコンの合成
３０ｍＬナスフラスコに、実施例２で得られた（Ｒ）−３−メチル−１−シクロペンタデセニル プロピオネート ０．５３ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、トルエン２０ｇを入れ攪拌した。２０℃にてナトリウムメトキシド−メタノール２８％溶液０．３９ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を滴下後、１時間攪拌した。続いて反応液に５％硫酸水溶液を加えた後、分液し、有機層を水洗後、溶媒を減圧除去して粗生成物０．６０ｇを得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより収率９７％で（Ｒ）−ムスコンを得た。高速液体クロマトグラフィーにて光学純度を測定した結果、８６．１％ｅｅであった。

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（１−ナフチル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−２）の合成
実施例１において、（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを（Ｒ）−Ｎ−（１−ナフチル）メチル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え、実施例１と同様の操作を行うことで、標題の化合物２．０７ｇ（３．６ｍｍｏｌ、収率７２％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.73-1.76( 3H, m), 3.76( 1H, d, J=15.8Hz), 4.10-4.54( 1H, m),
4.39( 1H, d, J=15.8Hz), 7.02-8.00( 24H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；１４６．１
ＭＳ m/z：575(Ｍ^＋)(14), 470(22), 434(100), 391(11), 333(4), 315(10), 268(25),
246(22), 239(13), 167(7), 149(20), 141(65), 115(16), 91(13), 79(5)

（Ｒ）−ムスコンの合成
窒素雰囲気下、３０ｍＬ反応フラスコに、実施例４で得られた光学活性配位子Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（１−ナフチル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト２３．０ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２ ７．２ｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トルエン７ｍＬを入れ、室温で３０分間攪拌した。その溶液にジメチル亜鉛トルエン溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ）１．４ｍＬ（２．８ｍｍｏｌ）を加え３０分間攪拌した。その後、反応溶液を−２０℃に冷却し、無水プロピオン酸０．２９ｇ（２．２ｍｍｏｌ）と２−（Ｅ）−シクロペンタデセノン０．４４ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、２時間攪拌した後、５％硫酸水溶液を加えて反応を停止し、分液後、有機層を２回水洗した。この有機層にナトリウムメトキシド−メタノール２８％溶液０．３９ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて３０分攪拌した後、５％硫酸水溶液を加えて反応を停止し、有機層を分液後水洗した後、溶媒を減圧下で除去して粗（Ｒ）−ムスコン０．５０ｇを得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより収率８４．８％で（Ｒ）−ムスコンを得た。高速液体クロマトグラフィにて光学純度を測定した結果、８９．２％ｅｅであった。

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−メトキシベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−３）の合成
実施例１において、（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを（Ｒ）−Ｎ−（２−メトキシベンジル）−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換えて、実施例１と同様の操作を行うことで、標題化合物１．８９ｇ（３．４０ｍｍｏｌ、収率６８％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.70-1.72( 3H, m), 3.52( 3H, s), 3.58-3.71( 2H, m),
4.15-4.19( 1H, m), 6.65-7.98( 21H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）； １４６．２

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（３，４−メチレンジオキシベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−４）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（３，４−メチレンジオキシベンジル）−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（３，４−メチレンジオキシベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト１．７９ｇ（３．１５ｍｍｏｌ、収率６３％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.68-1.71( 3H, m), 2.91( 1H, d, J=14.8Hz), 3.92( 1H, d, J=14.8Hz),
4.07-4.12( 1H, m), 5.86-5.89( 2H, m), 6.48-8.01( 20H, m)
^３１Ｐ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，δ）； １４２．５
ＭＳ m/z：569(Ｍ^＋)(1), 464(20), 434(100), 391(7), 333(3), 315(7), 268(15),
239(5), 135(13), 105(8), 77(5)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−シクロヘキシルメチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−５）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−シクロヘキシルメチル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−シクロヘキシルメチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト２．０７ｇ（３．９ｍｍｏｌ、収率７８％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
0.90-1.55( 11H, m), 1.72-1.74( 3H, m), 2.18-2.21( 1H, m),
2.45-2.49( 1H, m), 4.43-4.48( 1H, m), 6.99-7.97(17H,m)
^３１Ｐ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，δ）； １４８．２
ＭＳ m/z：531(Ｍ^＋)(11), 448(12), 434(17), 420(15), 391(60), 372(20), 344(15),
333(25), 315(85), 295(72), 268(100), 252(30), 239(27), 105(28),
79(10)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−メチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−６）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（２−メチルベンジル）−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−ベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト１．８９ｇ（３．５ｍｍｏｌ、収率７０％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.71( 3H, s), 1.77-1.79( 3H, m), 3.25( 1H,d, J=16.0Hz),
3.82( 1H, d, J=16.0Hz), 4.08-4.13( 1H, m), 6.94-7.98( 21H, m)
^３１Ｐ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，δ）； １４６．２
ＭＳ m/z：539(Ｍ^＋)(2), 524(18), 434(100), 420(7), 391(7), 333(5), 315(5),
268(17),239(8),105(8),79(6)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−ナフチル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−７）の合成
実施例１において、（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（２−ナフチル）メチル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−ナフチル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト１．３０ｇ（２．２５ｍｍｏｌ、収率５６％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.67-1.70( 3H, m), 3.20( 1H, d, J=15.0Hz), 4.08-4.12( 1H, m),
4.19( 1H, d, J=15.0Hz), 7.06-8.03( 24H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；143.0
ＭＳ m/z： 575(Ｍ^＋)(10), 470(30), 434(100), 391(11), 333(8), 315(7), 268(25),
252(7), 239(6), 141(65), 115(16)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２,６−ジメチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−８）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（２，６−ジメチルベンジル）−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２,６−ジメチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト０．９０ｇ（１．６６ｍｍｏｌ、収率４０％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.55-1.57( 3H, m), 1.95( 6H, s), 3.50( 1H, d, J=13.7Hz),
3.98-4.02( 1H, m),4.12( 1H, d, J=13.7Hz), 6.79-7.91( 20H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；148.0
ＭＳ m/z： 553(Ｍ^＋)(1), 538(4), 434(35), 333(5), 315(6), 268(45),
252(15), 239(28), 226(8), 180(5), 132(8), 119(100), 105(90),
91(93), 79(50), 65(13)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２,４−ジメチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−９）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（２，４−ジメチルベンジル）−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２,４−ジメチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト１．３９ｇ（２．６０ｍｍｏｌ、収率６５％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.62( 3H, s), 1.68-1.70( 3H, m), 2.15( 3H, s), 3.13( 1H, d, J=15.9Hz),
3.71( 1H, d, J=15.9Hz),3.99-4.04( 1H, m), 6.69-7.90( 20H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；146.3
ＭＳ m/z： 553(Ｍ^＋)(2),538(5), 434(63),391(5), 333(5), 315(6), 268(50),
252(15), 239(30), 226(8), 180(5), 166(6),149(7), 132(5),
119(100), 105(55), 91(78), 79(32),65(8)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−エチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−１０）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（２−エチルベンジル）−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−エチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト１．３１ｇ（２．３７ｍｍｏｌ、収率５９％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
0.46( 3H, t, J=7.6), 1.70-1.72( 3H, m), 1.92-2.03( 2H, m),
3.21( 1H, d, J=15.3Hz), 3.77( 1H, d, J=15.3Hz),3.99-4.04( 1H, m),
6.87-7.90( 21H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；146.5
ＭＳ m/z： 553(Ｍ^＋)(3),524(70), 434(100),420(48), 391(13), 333(15), 315(15),
268(85), 252(28), 239(36), 226(10), 180(5), 166(7), 152(15),
132(5), 117(55), 105(53), 91(55), 79(27), 65(5)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−ビフェニル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−１１）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（２−ビフェニル）メチル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−ビフェニル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト１．１２ｇ（１．８６ｍｍｏｌ、収率４６％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.63-1.66(3H, m), 3.03( 1H, d, J=16.2Hz), 3.74( 1H, d, J=16.2Hz),
3.79-3.83( 1H, m), 6.37-7.91( 26H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；146.6
ＭＳ m/z： 601(Ｍ^＋)(1),496(5), 434(100),420(2), 391(12), 333(8), 315(8),
268(44), 252(14), 239(20), 226(5), 180(6), 165(100), 152(36),
132(5), 105(34), 77(13)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（インダン−１−イル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−１２）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、Ｎ−（インダン−１−イル）−Ｎ−（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（インダン−１−イル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト０．８８ｇ（１．６０ｍｍｏｌ、収率４０％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.64-1.65(3H, m), 2.15-2.20( 1H, m), 2.47-2.51( 1H, m),
2.64-2.71( 1H, m), 2.95-3.01( 1H, m), 4.42-4.45( 1H, m),
4.60-4.66( 1H, m), 7.13-7.66( 21H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；151.5
ＭＳ m/z： 552(Ｍ^＋)(100),464(20), 434(90), 332(40), 315(15)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−メチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−シクロヘキシルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−１３）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、Ｎ−（２−メチルベンジル）−Ｎ−（Ｒ）−（１−シクロヘキシルエチル）ホスホラミダイトに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（２−メチルベンジル）−Ｎ−(Ｒ)−（１−シクロヘキシルエチル）ホスホラミダイト１．０７ｇ（１．９６ｍｍｏｌ、収率４９％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
0.93-1.08(2H, m), 1.09-1.30( 4H, m）,1.32（3H, d, J= 7.Hz）,
1.52-1.93(5H, m), 1.95（ 1H, s), 2.82-2.91( 1H, m),
3.52( 1H, d, J=13.7Hz), 3.93( 1H, d, J=13.7Hz), 6.90-7.95( 16H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；148.7
ＭＳ m/z：544(Ｍ^＋)(7), 530(100), 462(85), 434(8), 420(15), 404(4), 333(10),
315(60), 268(34), 252(14), 239(7), 105(50), 79(15)

次の化学式

で表されるＯ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（９−アンスリル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト（Ｌ−１４）の合成
実施例１の（Ｒ）−（＋）−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンを、（Ｒ）−Ｎ−（９−アントリル）メチル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アミンに換え同様の操作を行うことで、Ｏ，Ｏ’−(Ｒ)−(１，１’-ビナフタレン−２，２’−ジイル)−Ｎ−（９−アントリル）メチル−Ｎ−(Ｒ)−（１−フェニルエチル）ホスホラミダイト０．７５０ｇ（１．２０ｍｍｏｌ、収率３０％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ）;
1.48-1.50( 3H, m), 3.90-3.98( 1H, m), 4.47( 1H, d, J=14.1Hz),
5.11( 1H, d, J=14.1Hz), 7.16-8.32( 26H, m)
^３１Ｐ（２００ＭＨｚ，δ）；151.5
ＭＳ m/z： 625(Ｍ^＋)(63),520(70), 434(100),349(13), 333(8), 315(15), 268(26),
252(8), 239(7), 205(10), 191(62), 178(10), 165(6), 105(55), 79(32)

＜実施例１８〜２９＞
光学活性ムスコンの合成
配位子及び反応温度を次の表１に示すものに代えて、実施例５の操作に準じて光学活性ムスコンの合成を行った。結果を以下の表１に示す。

比較例１
実施例２１において、エノールアニオン捕捉剤である無水プロピオン酸０．２９ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を使用しない以外は、実施例２１と同様にして、（Ｒ）−ムスコン０．３００ｇ（１．２６ｍｍｏｌ，収率６３．１％）を得た。
この結果、エノールアニオン捕捉剤を用いる本発明の方法が、副反応を抑え高収率で目的物を得ることができる方法であることがわかった。

比較例２
特許文献５（韓国特許公開２０００−４９８１１号公報）に記載の方法（特許文献５の実施例４参照）では、リガンドとして次式

で表されるメソ体由来の４−（シス−２，６−ジメチルピペリジン）−（Ｒ）−ジナフトジオキサホスフェピンが使用されている。このリガンドを用いて、銅化合物、リガンド、及びジメチル亜鉛の量を本発明の方法の量に変更して実験してみた。即ち、特許文献５に記載の方法では、銅化合物を５．５４モル％使用し、リガンドを１０．０モル％使用し、さらにメチル化剤であるジメチル亜鉛を４．０当量使用しているが、この触媒量を本発明の方法に準じて、それぞれ１．０モル％、及び２．０モル％とし、ジメチル亜鉛を１．４当量として、特許文献５に記載の方法を行った。ただし、溶媒のトルエンは、本発明の方法と同様に原料の２−シクロペンタデセン−１−オンに対して２０倍量使用した。
その結果、（Ｒ）−ムスコンの収率は６０．７％に過ぎなかった。また、光学純度を測定した結果、７９．５％ｅｅであった。
このように、本発明の方法は、少ない触媒量で高い活性を示すことが明らかになった。

本発明により得られる光学活性ムスコンは、例えば香料の分野で有用であり、本発明の方法は、その製造方法として産業上の利用可能性を有する。また、本発明の化合物は、α，β−不飽和ケトン類の１，４−付加反応における配位子として有用であり、産業上の利用可能性を有する。

Claims (5)

1. ２−シクロペンタデセン−１−オンを、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ａは光学活性なビアリールジイル基を表す。）
   で表される光学活性ホスホラミダイトの存在下、メチル化有機金属と反応させて、メチル基の１，４−共役付加反応を行い、一般式（２）
   

   

   （式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表し、＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体又はこれらの混合物であることを表す。）
   で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体を製造し、次いでこれを加溶媒分解することを特徴とする光学活性３−メチルシクロペンタデカノンの製造方法。
2. 光学活性３−メチルシクロペンタデカノンが、３−（Ｒ）−メチルシクロペンタデカノンである請求項１に記載の方法。
3. ２−シクロペンタデセン−１−オンに、銅触媒、エノールアニオン捕捉剤、及び一般式（１）
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。また、Ａは光学活性なビアリールジイル基を表す。）
   で表される光学活性ホスホラミダイトの存在下、メチル化有機金属によりメチル基の１，４−共役付加反応を行うことを特徴とする、一般式（２）
   

   

   （式中、Ｒはエノールアニオン捕捉剤の残基を表し、＊は不斉炭素原子を表す。式中の波線はシス体若しくはトランス体又はこれらの混合物であることを表す。）
   で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法。
4. 一般式（２）で表される光学活性３−メチル−１−シクロペンタデセン誘導体の製造方法が、２−シクロペンタデセン−１−オンを、銅触媒、及び一般式（１）で表される光学活性配位子の存在下、メチル化有機金属と反応させて、メチル基の１，４−共役付加反応により生成した光学活性エノールアニオンに、エノールアニオン捕捉剤を添加して製造する方法である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. 下記の一般式（１’）
   

   

   （式中、Ｒ^１’及びＲ^２’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^３’は置換基を有してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^４’は１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、３，４−メチレンジオキシベンジル基、ビフェニルメチル基、アンスリルメチル基、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、炭素数１〜６のアルキル基で置換されたベンジル基、又はアリール基が置換若しくは縮合してもよい炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ａ’はビアリールジイル基を表す。）
   で表される化合物。