KR20080015095A - 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논 및 그 중간체의제조방법 - Google Patents

광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논 및 그 중간체의제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 2-사이클로펜타데센-1-온에 동 촉매, 에놀 음이온 포착제, 특정 광학활성 포스포라미다이트의 존재 하, 메틸화 유기금속에 의해 메틸기의 1,4-공역부가반응을 행하여 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체를 얻고, 이어서 이를 가용매 분해하는 것을 특징으로 하는 광학활성 3-메틸사이클로펜타데칸-1-온의 제조방법에 관련된다.
광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논, 무스콘, 동 촉매, 에놀 음이온 포착제.

Description

광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논 및 그 중간체의 제조방법{OPTICALLY ACTIVE 3-METHYLCYCLOPENTADECANONE AND METHOD FOR PRODUCING INTERMEDIATE THEREOF}
본 발명은 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논 및 그 중간체의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논 또는 그 중간체 제조에 사용되는 신규의 광학활성 배위자(ligand)와 관련된다.
근래 사람들의 자연에 대한 관심이 높아지고, 항료에 있어서도 자연환경을 특징적으로 환기시키는 기호성이 높은 항료에 관심이 모이고 있다.
사향은 수컷 사향노루의 사향선 분비물을 건조시킨 것으로, 예로부터 항료나 생약으로서 높이 평가되어 왔다. 사향은 향기가 강한 것이 우량품으로 되어왔지만, 현재는 무스콘(muscone)이 2% 이상 함유되어있는 것이 상품으로 되어있다. 사향노루는 사슴과의 동물로 히말라야의 산악지대부터 중국의 오지에 서식하고 있는데, 현재는 워싱턴 조약으로 수출입이 금지되어있다. 따라서 천연산의 사향은 워싱턴 조약 이전에 수입된 것 외에는 사용할 수 없고, 사향노루의 인공 사육이 성공하지 않는 한 장래에는 사용할 수 없는 것이다.
사향의 성분인　3-메틸사이클로펜타데카논(이하, 무스콘으로 지칭한다)은 전 형적인 무스크-계열 항료의 일종으로, 메틸기의 입체 배치에 의하여 향기에 차이가 있는 것으로 알려져 있다. 무스콘의 광학활성체인(R)-(-)-체 및 (S)-(+)-체는 모두 항료로서 유용하지만, (R)-(-)-체는 (S)-(+)-체에 비하여 더욱 강하고 더욱 풍부한 무스크 향을 가져, 예를 들어 (S)-(+)-체의 역치가 223 ppb인 반면, (R)-(-)-체의 역치는 61 ppb로, (R)-(-)-체가 보다 우수한 것으로 보고되어있다(비특허문헌 1 참조).
활성 면뿐 아니라, 자연에 대한 관심이 높아지면서 환경 면의 관점으로부터도 생분해성이 우수한 (R)-체에 대한 관심이 높아지고 있어, 라세미체가 아닌 광학활성체가 요구되고 있다. 또한, 라세미체를 광학 분할하는 방법도 다수 검토되어 있지만(예를 들어, 특허문헌 1 참조), 이 방법으로는 (S)-체의 생성을 피할 수 없다. 이에 따라, (R)-체의 무스콘을 선택적으로 제조하는 방법의 검토가 많이 이루어졌다. 광학활성 원료를 이용하여 (R)-체를 제조하는 방법(예를 들어, 특허문헌 2 참조)이나, 3-메틸-2-사이클로펜타데센-1-온을 부제 수소화하는 방법 등(특허문헌 3 참조)이 개발되어 있으며, 디메틸아연 등의 알킬화제에 의한 α,β-불포화 케톤의 1,4-부가 반응에 의한 알킬화가 보고되어 있고(특허문헌 4 참조), 2-사이클로펜타데센-1-온의 메틸화가 주목받고 있다. 근래 2-사이클로펜타데센-1-온에서 메틸기의 1,4-공역 부가 반응에 의한 입체 선택적인 (R)-체의 무스콘의 제조법이 몇 가지 보고되어있다. 이 방법의 예로서, 보난(bornane) 골격을 갖는 키랄 보조기를 합성시에 사용하는 것에 의하여 양호한 결과를 얻을 수 있음이 보고되어 있다(비특허문헌 2). 또 다른 예로서, 여러 가지의 포스파이트 화합물을 배위자로서 이용하는 방 법도 알려져 있다(비특허문헌 3). 그 밖의 예로서, 메소체 유래의 4-(시스-2,6-디메틸피페리딘)-(R)-디나프토디옥사포스페핀 등의 배위자와 동의 복합체를 이용하는 것에 의한 광학활성 무스콘의 제조(특허문헌 5)나, 데옥시콜산(deoxycholic acid) 및 바이나프틸(binaphthyl) 기를 키랄 베이스로 하는 포스파이트 화합물을 광학활성 배위자로 이용하고, 여기에 동 촉매를 조합하여 디메틸아연에 의해 부제 메틸화를 행하는 (R)-무스콘의 합성이 보고되어 있다(비특허문헌 4).
또한, 이와 같은 상황에서, 원료가 되는 2-사이클로펜타데센-1-온의 새로운 제조방법도 개발되고 있다(특허문헌 6 참조).
특허문헌 1: 일본 특허공개 2005-8555호 공보
특허문헌 2: 일본 특허공개 2002-30022호 공보
특허문헌 3: 일본 특허공개 평6-192161호 공보
특허문헌 4: 일본 특허출원 국내공개 2001-316309호 공보
특허문헌 5: 한국 특허공개 2000-49811호 공보
특허문헌 6: 일본　특허공개 2001-226306호 공보
비특허문헌 1:　W. Pickenhagen 등, ACS SYMPOSIUM SER. 388 Flavor Chemistry, 1989, p. 151
비특허문헌 2: J. Chem. Soc. Perkin Trans. I, 1193, (1992)
비특허문헌 3: Synlett, 1999, No. 11, 1181
비특허문헌 4: Tetrahedron: Asymmetry, 15 (2004) 2533
그러나, 종래의 방법에서는 고농도로 반응을 행할 경우 고분자량의 부생성물이 생성되어 만족할 수 있는 수율을 얻을 수 없다는 문제라든가, 극저온이나 저농도, 또는 장시간 반응 등의 반응 조건으로는 제조 비용이 높아지는 등의 문제가 있다. 또한, 높은 광학순도를 얻기 위해서는 사용하는 촉매량이 많아지는 등의 문제도 있다. 따라서, 본 발명은 극저온이나 저농도 등의 반응 조건을 취하지 않고, 비교적 적은 촉매 사용량에 의한 실용적인 광학활성 무스콘의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 동 촉매 및 광학활성 배위자의 존재 하에서 2-사이클로펜타데센-1-온에 부제 메틸화 반응을 행할 경우 반응 중간체로서 생성되는 에놀 음이온을 적절한 에놀 음이온 포착제로 포착하는 것에 의해 광학활성의 에놀 유도체가 형성되는데, 이에 따르면 부제 메틸화 반응을 극저온을 피하여 행하는 것이 가능해질 뿐만 아니라 부생성물의 생성을 억제할 수 있고 이후 표준 방법에 의해 에놀 유도체를 용매분해(solvolysis)함으로써 고농도, 고수율로 목적하는 광학활성 무스콘을 얻을 수 있음을 발견하여 본 발명의 완성에 이르게 되었다.
또한, 본 발명자들은 이 방법을 위한 신규의 촉매, 및 신규의 광학활성 배위자 화합물을 발견하였다.
즉, 본 발명은 2-사이클로펜타데센-1-온을 동 촉매, 에놀 음이온 포착제, 및 일반식 (1)
Figure 112007087460411-PCT00001
(식중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, A는 광학활성의 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
로 표시되는 광학활성 포스포라미다이트(phosphoramidite)의 존재 하, 메틸화 유기금속과 반응시켜 메틸기의 1,4-공역 부가반응을 행하여 일반식 (2)
Figure 112007087460411-PCT00002
(식중, R은 에놀 음이온 포착제의 잔기를 나타내고, ＊은 부제 탄소 원자를 나타낸다. 식중의 파선은 시스체 또는 트랜스체 또는 이들의 혼합물을 나타낸다.)
로 표시되는 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체를 제조하고, 다음에 이를 용매 분해하는 것을 특징으로 하는 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논의 제조방법에 관련된다.
보다 상세하게는, 제조된 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논이, 3-(R)-메틸사이클로펜타데카논인　광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논의 제조방법에 관련된다.
또한, 본 발명은 2-사이클로펜타데센-1-온에 동 촉매, 에놀 음이온 포착제, 및 일반식 (1)
[화학식 1]
Figure 112007087460411-PCT00003
(식중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, A는 광학활성의 바이아릴디일 기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
로 표시되는 광학활성 포스포라미다이트(phosphoramidite)의 존재 하, 메틸화 유기금속에 의해 메틸기의 1,4-공역 부가반응을 행하는 것을 특징으로 하는, 일반식 (2)
[화학식 2]
Figure 112007087460411-PCT00004
(식중, R은 에놀 음이온 포착제의 잔기를 나타내고, ＊은 부제 탄소 원자를 나타낸다. 식중의 파선은 시스체 또는 트랜스체 또는 이들의 혼합물을 나타낸다.)
로 표시되는 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체의 제조방법에 관련된다.
또한, 본 발명은 아래와 같은 일반식 (1')
[화학식 1']
Figure 112007087460411-PCT00005
(식중, R1' 및 R2'는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3'은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4'는 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 3,4-메틸렌디옥시벤질기, 바이페닐메틸기, 안트릴메틸기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환된 벤질기, 또는 아릴기가 치환 또는 축합될 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기를 나타낸다. A'는 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
로 표시되는 화합물에 관련된다. 본 발명의 이 화합물은, 광학활성 3-메틸사이클로펜타데칸-1-온을 선택적으로 제조할 때 촉매의 배위자로서 유용하다.
또한, 본 발명은 다음 일반식 (2)
[화학식 2]
Figure 112007087460411-PCT00006
(식중, R은 에놀 음이온 포착제의 잔기를 나타내고, ＊은 부제 탄소 원자를 나타낸다. 식중의 파선은 시스체 또는 트랜스체 또는 이들의 혼합물을 나타낸다.)
로 표시된 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체에 관련된다. 본 발명의 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체는 광학활성 3-메틸사이클로펜타데 칸-1-온을 제조할 때의 중간체로서 유용하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 사용되는 2-사이클로펜타데센-1-온으로서는, 예를 들어 (E)-2-사이클로펜타데센-1-온을 들 수 있으나, 이것만으로 한정되는 것은 아니고, (Z)-2-사이클로펜타데센-1-온 또는 (E)-체 및 (Z)-체의 혼합물일 수도 있다. (E)-2-사이클로펜타데세논은 공지의 방법, 예를 들어 일본 특허공개 평1-321556호 공보, 일본 특허공개 2001-369422호 공보, 일본 특허공개 2001-226306호 공보, 및 J. Korean　Chem., 40, 243(1996) 등에 기재된 방법에 준하여 제조할 수도 있다. 또한, 시판품을 이용해도 좋다.
본 발명에 사용되는 동 촉매로서는, 종래부터 1,4-공역 부가반응에 사용되고 있는 동 촉매의 어느 것이라도 이용할 수 있다. 이러한 동 촉매를 예시하면, 예를 들어, 동(Ⅱ)트리플레이트(Cu(OTf)2), 동(Ｉ)트리플레이트(Cｕ(OTf)), 동(Ⅱ)트리플루오로아세테이트(Cu(OCOCF3)2), 동(Ⅱ)아세틸아세토네이트(Cu(acac)2), 동(Ⅱ)아세테이트(Cu(OAc)2), 황산동(Ⅱ)(CuSO4), 염화동(CuCl), 염화제2동(CuCl2), 브롬화동(CuBr), 브롬화제2동(CuBr2), 요오드화동(CuI), 요오드화제2동(CuI2), 시안화동(CuCN), 과염소산동(CuClO4), 나프텐산동(Cu(OCOC10H9)2), 테트라플루오르붕산동(Ⅱ)(Cu(BF4)2), 테트라클로로동디리튬(Li2CuCl4) 등을 들 수 있고, 바람직한 것은 Cu(OTf)2, Cu(OTf) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 사용된 에놀 음이온 포착제로서는, 에놀 음이온의 산소 원자에 결합할 수 있는 기 및 당해 결합시 이탈하는 기를 갖는 화합물을 들 수 있으며, 바람직한 에놀 음이온 포착제로는, 예를 들어 에놀의 하이드록시 기에 결합하여 에놀 에스테르류, 에놀 카보네이트류, 에놀 에테르류, 또는 실릴 에놀 에테르류 등의 에놀 유도체를 형성할 수 있는 화합물을 들 수 있다. 이와 같은 에놀 음이온 포착제의 구체적인 예로서는, 예를 들어 다음 일반식 (3)
R5-X1　　　　(3)
(식중, R5는 아실기, 알콕시카르보닐기, 알킬기, 또는 실릴기를 나타내고; X1은 할로겐 원자, 알킬술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기, 또는 OR6(R6은 아실기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다.)을 나타낸다.)
로 표시된 에놀 음이온 포착제 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 일반식 (2)로 표시된 화합물에서 R로 표시된 에놀 음이온 포착제의 잔기는, 상기 에놀 음이온 포착제에서 에놀 음이온의 산소 원자에 결합할 수 있는 기에 상당하는 것이고, 보다 구체적으로는 상기 일반식 (3)으로 표시된 에놀 음이온 포착제의 R5에 상당하는 그룹을 들 수 있다.
상기 일반식 (3)으로 나타낸 화합물에 있어서, R5 및 R6으로 표시된 아실기로서는, 탄소수 2∼15의 포화 또는 불포화의 쇄상 또는 환상의 지방족 카르본산, 또는 탄소수 7∼15의 방향족 카르본산으로부터 유도된 아실기, 즉 알킬 카르보닐기, 알케닐 카르보닐기, 아릴 카르보닐기, 아르알킬 카르보닐기 등을 들 수 있고, 이들 카르본산은 할로겐, 알콕시기, 저급 알킬기, 니트로기 등의 치환기를 가질 수 있다. 이와 같은 아실기는 구체적으로, 예를 들어 아세틸기, 프로파노일기, 부티릴기, 피발로일기, 발레릴기, 이소발레릴기, 헥사노일기, 옥타노일기, 데카노일기, 도데카노일기, 사이클로헥사노일기, 벤조일기, ｐ-톨루오일기, ｐ-니트로벤조일기, ｐ-아니소일기, ｐ-클로로벤조일기, 트리플루오르아세틸기, 트리클로로아세틸기, 아크릴로일기 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (3)으로 나타낸 화합물에 있어서, R5 및 R6으로 표시된 알콕시카르보닐기는 포화 또는 불포화의 직쇄상, 분지상 또는 환상일 수 있으며, 예를 들어 탄소수 2∼19의 알콕시카르보닐기를 들 수 있고, 당해 알콕시카르보닐기의 알킬기, 사이클로알킬기, 또는 알케닐기 부분은 적절히 할로겐, 아릴기, 아르알킬기 등의 치환기를 가질 수 있다. 이와 같은 알콕시카르보닐기의 구체적인 예로서는, 예를 들어 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, ｎ-프로폭시카르보닐기, 이소프로폭시카르보닐기, ｎ-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐기, 펜틸옥시카르보닐기, 헥실옥시카르보닐기, 2-에틸헥실옥시카르보닐기, 라우릴옥시카르보닐기, 스테아릴옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 벤질옥시카르보닐기, 4-클로로벤질옥시카르보닐기 및 사이클로헥실옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
상기 일반식(3)으로 나타낸 화합물에서, R5로 표시된 알킬기로서는 직쇄상, 분지상 또는 환상일 수 있는 알킬기를 들 수 있다. 이들 알킬기로서는, 예를 들어 탄소수 1∼15, 바람직하게는 탄소수 1∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기를 들 수 있으며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, ｎ-프로필기, 이소프로필기, ｎ-부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, ｎ-펜틸기, 2-펜틸기, tert-펜틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, ｎ-헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 2-메틸펜탄-3-일기, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
또한, 이들 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기는 적절히 치환기를 가질 수 있으며, 당해 치환기로는 탄화수소기, 지방족 복소환기, 방향족 복소환기, 알콕시기, 알킬렌디옥시기, 아릴옥시기, 아르알킬옥시기, 헤테로아릴옥시기 및 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
알킬기에 치환된 탄화수소기로서는, 예를 들어 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기 등을 들 수 있다.
이와 같은 알킬기는 직쇄상, 분지상 또는 환상일 수 있고, 예를 들어 탄소수 1∼15, 바람직하게는 탄소수 1∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 3∼15, 바람직하게는 탄소수 3∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 3∼6의 사이클로알킬기를 들 수 있으며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, ｎ-프로필기, 이소프로필기, ｎ-부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, ｎ-펜틸기, 2-펜틸기, tert-펜틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, ｎ-헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 2-메틸펜탄-3-일기, 사이클 로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
알케닐기로는 직쇄상 또는 분지상의, 예를 들어 탄소수 2∼15, 바람직하게는 탄소수 2∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 2∼6의 알케닐기를 들 수 있으며, 구체적으로는 비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등을 들 수 있다.
아릴기로서는, 예를 들어 탄소수 6∼14의 단환식, 다환식, 또는 축합환식의 아릴기를 들 수 있고, 구체적으로는 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 바이페닐기 등을 들 수 있다.
아르알킬기로서는, 상기 알킬기의 적어도 1개의 수소 원자가 상기 아릴기로 치환된 기를 들 수 있고, 예를 들어 탄소수 7∼12의 아르알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 벤질기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 9-안트릴메틸기 등의 안트릴메틸기, 4-바이페닐메틸기 등의 바이페닐메틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐프로필기, 3-나프틸프로필기 등을 들 수 있다.
지방족 복소환기로서는, 예를 들어 탄소수 2∼14이고, 이종 원자로서 적어도1개, 바람직하게는 1∼3개의, 예를 들어 질소 원자, 산소 원자, 유황 원자 등의 헤테로 원자를 포함하고 있는 5∼8원, 바람직하게는 5 또는 6원의 단환의 지방족 복소환기, 다환 또는 축합환의 지방족 복소환기를 들 수 있다. 지방족 복소환기의 구체적인 예로서는, 예를 들어 피롤리딘-2-온기, 피페리디노기, 피페라지닐기, 모르폴리노기, 테트라하이드로푸릴기, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로티에닐기 등을 들 수 있다.
방향족 복소환기로서는, 예를 들어 탄소수 2∼15이고 이종 원자로서 적어도 1개, 바람직하게는 1∼3개의 질소 원자, 산소 원자, 유황 원자 등의 이종 원자를 포함하는 5∼8원, 바람직하게는 5 또는 6원의 단환식 헤테로아릴기, 다환식 또는 축합환식의 헤테로아릴기를 들 수 있고, 구체적으로는 푸릴기, 티에닐기, 피리딜기, 피리미딜기, 피라질기, 피리다질기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 벤조푸릴기, 벤조티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 프탈리딜기, 퀴나졸릴기, 나프티리딜기, 신놀릴기, 벤조이미다졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기 등을 들 수 있다.
알콕시기로서는, 상기 알킬기에 산소 원자가 결합한 그룹을 들 수 있다. 예를 들어 탄소수 1∼6의 알콕시기를 들 수 있고, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, ｎ-프로폭시기, 이소프로폭시기, ｎ-부톡시기, 2-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, ｎ-펜틸옥시기, 2-메틸부톡시기, 3-메틸부톡시기, 2,2-디메틸프로필옥시기, ｎ-헥실옥시기, 2-메틸펜틸옥시기, 3-메틸펜틸옥시기, 4-메틸펜틸옥시기, 5-메틸펜틸옥시기, 사이클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.
알킬렌디옥시기로서는, 예를 들어 탄소수 1∼3의 알킬렌디옥시기를 들 수 있고, 구체적으로는 메틸렌디옥시기, 에틸렌디옥시기, 프로필렌디옥시기, 이소프로필리덴디옥시기 등을 들 수 있다.
아릴옥시기로서는, 상기 아릴기에 산소 원자가 결합한 기를 들 수 있다. 예를 들어 탄소수 6∼14의 아릴옥시기를 들 수 있고, 구체적으로는 페닐옥시기, 나프틸옥시기, 안트릴옥시기 등을 들 수 있다.
아르알킬옥시기로서는, 상기 아르알킬기에 산소 원자가 결합한 기를 들 수 있다. 예를 들어 탄소수 7∼12의 아르알킬옥시기를 들 수 있고, 구체적으로는 벤질옥시기, 2-페닐에톡시기, 1-페닐프로폭시기, 2-페닐프로폭시기, 3-페닐프로폭시기, 1-페닐부톡시기, 2-페닐부톡시기, 3-페닐부톡시기, 4-페닐부톡시기, 1-페닐펜틸옥시기, 2-페닐펜틸옥시기, 3-페닐펜틸옥시기, 4-페닐펜틸옥시기, 5-페닐펜틸옥시기, 1-페닐헥실옥시기, 2-페닐헥실옥시기, 3-페닐헥실옥시기, 4-페닐헥실옥시기, 5-페닐헥실옥시기, 6-페닐헥실옥시기 등을 들 수 있다.
헤테로아릴옥시기로서는, 상기 방향족 복소환기에 산소 원자가 결합한 기를 들 수 있다. 예를 들어 이종 원자로서 적어도 1개, 바람직하게는 1∼3개의 질소 원자, 산소 원자, 유황 원자 등의 이종 원자를 포함하는 탄소수 2∼14의 헤테로아릴옥시기를 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어 2-피리딜옥시기, 2-피라질옥시기, 2-피리미딜옥시기, 2-퀴놀릴옥시기 등을 들 수 있다.
할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
또한, 상기의 일반식 (3)으로 표시된 화합물에 있어서, R5로 표시된 실릴기로서는, 예를 들어 규소 원자 상의 수소 원자가 상기 탄화수소기 등의 치환기로 치환된 실릴기를 들 수 있고, 구체적으로는 트리메틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, tert-부틸디페닐실릴기 및 트리페닐실릴기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식 (3)으로 표시된 화합물에 있어서, X1으로 표시된 알킬술 포닐옥시기의 알킬기로는, 직쇄상, 분지상 또는 환상일 수 있으며, 예를 들어 탄소수 1∼6의 알킬기를 들 수 있고, 구체적인 알킬술포닐옥시기로서는, 예를 들어 메탄술포닐옥시기, 에탄술포닐옥시기, 프로판술포닐옥시기, 부탄술포닐옥시기, 헥산술포닐옥시기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식 (3)으로 표시된 화합물에 있어서, X1으로 표시된 아릴술포닐옥시기의 아릴기로는, 예를 들어 탄소수 6∼14의 단환식, 다환식 또는 축합환식의 아릴기를 들 수 있고, 구체적으로는 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 바이페닐기 등을 들 수 있다. 이들 아릴기는 상기와 같은 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자로 적절히 치환될 수 있으며, 구체적인 아릴술포닐옥시기로서는, 예를 들어 벤젠술포닐옥시기, ｐ-톨루엔술포닐옥시기 등을 들 수 있다.
또한, 상기의 일반식 (3)으로 표시된 화합물에 있어서, X1으로 표시된 OR6의 아실기 및 알콕시카르보닐기로서는, 예를 들어 상기와 같은 아실기나 알콕시카르보닐기를 들 수 있다.
본 발명에 사용될 수 있는 에놀 음이온 포착제로서 구체적인 화합물을 예시하면, 예를 들어 무수 초산, 무수 프로피온산, 무수 부탄산, 무수 펜탄산, 무수 안식향산, 메타크릴산 무수물, 트리플루오로아세트산 무수물 등의 산 무수물； 염화아세틸, 브롬화아세틸, 염화프로피오닐, 브롬화프로피오닐, 염화부티릴, 브롬화부티릴, 염화펜타노일, 염화피발로일, 염화벤조일, 염화 ｐ-니트로벤조일 등의 산 할로겐화물； 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디프로필카보네이트, 디페닐카보 네이트, 디벤질카보네이트 등의 탄산 에스테르； 트리메틸실릴 염화물, 트리에틸실릴 염화물 등의 할로겐화 규소 유도체 등을 들 수 있으며, 산 무수물 및 탄산 에스테르가 바람직하다.
본 발명의 제조 방법에 사용되는 광학활성 포스포라미다이트는 동의 배위자로서 작용하는 것으로, 일반식
(Z1-O)2P-N(Z2)Z3
(식중, Z1, Z2, 및 Z3은 각각 독립적으로 유기 잔기를 나타낸다.)
의 구조를 갖는 것이다. 즉, 포스폰산 트리에스테르의 하나의 에스테르기가 아민에 의하여 아미드화된 구조를 갖는 것이다. 본 발명의 광학활성 포스포라미다이트는 Z1, Z2, 및／또는 Z3의 유기 잔기 중 적어도 1개의 그룹, 또는 2개 이상의 그룹이 결합하여 부제 탄소 원자에 의한 부제, 또는 회전 장해에 의한 축성 부제를 나타내는 것일 수 있다. 본 발명의 바람직한 광학활성 포스포라미다이트로서는, 다음 일반식 (1)
[화학식 1]
Figure 112007087460411-PCT00007
(식중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, A는 광학활성의 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
로 표시되는 화합물, 또는 다음 일반식 (1')
[화학식 1']
Figure 112007087460411-PCT00008
(식중, R1' 및 R2'는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3'은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4'는 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 3,4-메틸렌디옥시벤질기, 바이페닐메틸기, 안트릴메틸기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환된 벤질기, 또는 아릴기가 치환 또는 축합될 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기를 나타낸다. A'는 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
로 표시되는 화합물의 광학 활성체를 들 수 있다.
일반식 (1) 및 일반식 (1')의 R1, R2, R1' 및 R2'에서 탄소수 1∼4의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, ｎ-프로필기, 이소프로필기, ｎ-부틸기, 이소부틸기, 2-부틸기, tert-부틸기를 들 수 있다.
일반식 (1) 및 일반식 (1')의 R3 및 R3'에서 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기의 사이클로알킬기로서는 단환식, 다환식, 축합환식, 또는 가교형의 포화 또는 불포화의 탄소수 3∼10, 바람직하게는 탄소수 5∼10의 지방족 환식 그룹을 들 수 있고, 예를 들어 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 이러한 사이클로알킬기에서 치환기로는, 예를 들어 상기 알킬기, 당해 알킬기에 1개 이상의 할로겐 원자가 치환된 할로겐화 알킬기, 페닐기 등의 아릴기, 상기 알콕시기, 상기 알킬렌디옥시기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 사이클로알킬기에서 치환기는 사이클로알킬기에 축합한 페닐기 등의 아릴기일 수 있다. 이와 같은 아릴기가 축합한 사이클로알킬기로서는, 인단-1-일기, 테트랄린-1-일기 등을 들 수 있다. 일반식 (1')의 R3'에서 바람직한 예로는, 탄소수 3∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 5∼10의 사이클로알킬기를 들 수 있다.
일반식 (1) 및 일반식 (1')에서, R3 및 R3'로 나타낸 치환기를 가질 수 있는 아릴기의 아릴기로서는, 예를 들어 탄소수 6∼14의 단환식, 다환식, 또는 축합환식의 아릴기를 들 수 있다. 이러한 아릴기의 구체적인 예로는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 바이페닐기 등을 들 수 있다. 이러한 아릴기에 있어서 치환기로는, 예를 들어 상기 알킬기, 당해 알킬기에 1개 이상의 할로겐 원자가 치환된 할로겐화 알킬기, 상기 알콕시기, 상기 알킬렌디옥시기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
일반식 (1) 및 일반식 (1')에서, R3 및 R3'로 나타낸 치환기를 가질 수 있는 아릴기의 구체적인 예로서는, 예를 들어 페닐기, ｏ-톨릴기, ｍ-톨릴기, ｐ-톨릴기, 2-에틸페닐기, 4-ｎ-프로필페닐기, 4-이소프로필페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 3,5-크실릴기, 2,4-크실릴기, 2,6-크실릴기, 2,6-디이소프로필페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2-트리플루오로메틸페닐기, 3-트리플루오로메틸페닐기, 4-트리플루오로메틸페닐기, 3,5-디(트리플루오로메틸)페닐기, 2-메톡시페닐기, 4-메톡시페닐기, 2-에톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 4-이소프로폭시페닐기, 4-tert-부톡시페닐기, 2,4-디메톡시페닐기, 2,6-디메톡시페닐기, 2,4,6-트리메톡시페닐기, 3,4-메틸렌디옥시페닐기, 3,4-에틸렌디옥시페닐기, 3,4-프로필렌디옥시페닐기, 3,4-이소프로필리덴디옥시페닐기, 4-니트로페닐기, 4-시아노페닐기, 2-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 4-플루오로페닐기, 3,5-디플루오로페닐기, 3,4,5-트리플루오로페닐기, 2-클로로페닐기, 4-클로로페닐기, 3,5-디클로로페닐기, 2-메톡시-4-메틸페닐기, 2-메틸-4-메톡시페닐기, 2,6-디메틸-4-메톡시페닐기, 3,5-디메틸-4-tert-부톡시페닐 기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 6-메틸나프틸기, 6-메톡시-2-나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 바이페닐기 등을 들 수 있다.
일반식 (1) 및 일반식 (1')에서, R4 및 R4'로 나타낸 탄소수 1∼10의 알킬기로서는 직쇄상 또는 분지상 또는 환상의 알킬기를 들 수 있고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, ｎ-프로필기, 이소프로필기, ｎ-부틸기, 이소부틸기, 2-부틸기, tert-부틸기, ｎ-펜틸기, ｎ-헥실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 2-메틸사이클로펜틸기, 2-메틸사이클로헥실기, 2,6-디메틸사이클로펜틸기, 2,6-디메틸사이클로헥실기, 사이클로펜틸메틸기, 사이클로헥실메틸기, (2-메틸사이클로헥실)메틸기, 1-사이클로헥실에틸기, 2-이소프로필-5-메틸사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
일반식 (1)에서 R4로 나타낸 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기의 사이클로알킬기로서는, 상기 알킬기 중 환상의 알킬기로, 단환식, 다환식, 축합환식, 또는 가교형의 포화 또는 불포화된 탄소수 3∼10, 바람직하게는 탄소수 5∼10의 지방족환식기를 들 수 있고, 예를 들어 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 이러한 사이클로알킬기에서 치환기로는, 예를 들어 상기 알킬기, 당해 알킬기에 1개 이상의 할로겐 원자가 치환된 할로겐화 알킬기, 페닐기 등의 아릴기, 상기 알콕시기, 상기 알킬렌디옥시기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 그리고, 이러한 사이클로알킬기에서 치환기는 사이클로알킬기에 축합된 페닐기 등의 아릴기일 수 있고, 이러한 아릴기가 축합된 사이클로알킬기로서는, 인단-1-일기, 테트랄린-1-일기 등 을 들 수 있다.
일반식 (1')에서 R4'로 나타낸 아릴기가 치환 또는 축합될 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기의 사이클로알킬기로서는, 단환식, 다환식, 축합환식, 또는 가교형의 포화 또는 불포화된 탄소수 3∼10, 바람직하게는 탄소수 5∼10의 지방족환식기를 들 수 있고, 예를 들어 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 이러한 사이클로알킬기에는, 치환기 또는 축합된 환으로서 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기가 치환 또는 축합되어 있을 수 있다. 바람직한 아릴기가 치환 또는 축합될 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기로서는, 아릴기가 축합된 탄소수 5∼10의 사이클로알킬기를 들 수 있다. 아릴기가 축합된 탄소수 5∼10의 사이클로알킬기로서는, 예를 들어 인단-1-일기, 인덴-1-일기, 테트랄린-1-일기 등을 들 수 있다.
일반식 (1) 및 일반식 (1')에서 R4 및 R4'로 나타낸 치환기를 가질 수 있는 아릴기는 상기 R3 및 R3'의 설명에서 언급한 것과 같은 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 들 수 있다.
일반식 (1)에서 R4로 나타낸 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기의 아르알킬기로서는 상기한 바와 같은 아르알킬기를 들 수 있고, 구체적으로는 예를 들어 벤질기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 9-안트릴메틸기 등의 안트릴메틸기, 2-바이페닐메틸기 등의 바이페닐메틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐에틸기, 3-(1-나프틸)-프 로필기 등을 들 수 있다.
이들 아르알킬기에 치환되는 치환기로서는, 상기 알킬기, 상기 알콕시기, 상기 알킬렌디옥시기 등을 들 수 있고, 이들 치환기는 아르알킬기의 아릴기에 치환된 것이다.
일반식 (1)에서 R4로 나타낸 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기의 구체적인 예로는, 벤질기, 1-페네틸기, 1-페닐프로필기, 2-메틸-1-페닐프로필기, 2-페네틸기, 2-메틸벤질기, 4-메틸벤질기, 4-이소프로필벤질기, 4-tert-부틸벤질기, 2,4-디메틸벤질기, 2-메톡시벤질기, 3-메톡시벤질기, 4-메톡시벤질기, 4-tert-부톡시벤질기, 3,4-메틸렌디옥시벤질기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 2-바이페닐메틸기, 9-안트릴메틸기 등을 들 수 있다.
또한, 일반식 (1')에서 R4'로 나타낸 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환된 벤질기의 구체적인 예로서는, 2-메틸벤질기, 2-에틸벤질기, 2-이소프로필벤질기, 2-tert-부틸벤질기, 2-사이클로헥실벤질기, 2,4-디메틸벤질기, 2,6-디메틸벤질기, 2-메틸-4-이소프로필 벤질기 등을 들 수 있다.
본 발명의 일반식 (1')에서 A'의 바이아릴디일기로서는, 2개의 아릴환 구조가 직접 결합한 구조를 갖는 2가의 그룹이고, 바이아릴디일 골격이 축 부제에 의하여 광학활성이 되지 않을 수도 있지만, 축 부제에 의하여 광학활성으로 되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 아릴환 구조로서는, 단환상, 다환상 또는 축합환상의 6원 방향족환, 바람직하게는 단환상 또는 축합환상의 6원 방향족환, 예를 들어 벤 젠환, 나프탈렌환, 페난트렌환 등을 들 수 있다. 바이아릴디일기를 형성하는 2개의 아릴환은 각각 다른 것일 수도 있지만, 동일한 것이 바람직하다.
본 발명의 일반식 (1)에서 A의 광학활성 바이아릴디일기로는 상기 바이아릴디일기로, 바이아릴디일 골격이 축 부제에 의하여 광학활성으로 되어 있는 것이다.
광학활성의 바이아릴디일기란 바이아릴디일 골격이 축 부제에 의하여 광학활성으로 되어 있는 것을 나타내고, 질소 원자 상의 치환기가 광학활성이란, 예를 들어 2-부틸기, 1-사이클로헥실에틸기, 1-페네틸기, 1-나프틸에틸기 등의 부제 탄소 원자를 갖는 알킬기 등이 광학활성으로 되어 있는 것을 나타낸다.
A 및 A'로 나타낸 바이아릴디일기로서는, 예를 들어 1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일기를 들 수 있고, 당해 바이나프틸환은 메틸기, tert-부틸기 등의 알킬기; 메톡시기, tert-부톡시기 등의 알콕시기; 트리메틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, tert-부틸디메틸실릴기 등의 트리알킬실릴기 및 트리페닐실릴기 등의 트리아릴실릴기 등으로 치환될 수 있다.
본 발명의 일반식 (1) 또는 일반식 (1')에서 A 및 A'로 나타낸 바이아릴디일기의 바람직한 예로서는, 예를 들어 다음 식 (4)
Figure 112007087460411-PCT00009
(식중, R7, R8, R9, R10, R11 및 R12는 같거나 다를 수 있고, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기, 할로겐 원자, 할로알킬기 또는 디알킬아미노기를 나타내고, R8 및 R9는 치환기를 가질 수 있는 알킬렌 사슬을 형성할 수 있고, R11 및 R12은 치환기를 가질 수 있는 알킬렌 사슬을 형성할 수 있다. 환 A 및 환 Ｂ는, 각각 독립적으로 벤젠환, 또는 2개 이상의 6원 방향족환이 축합된 환을 나타낸다.)
로 표시된 치환기를 가질 수 있는 1,1'-바이아릴-2,2'-디일기를 들 수 있다.
일반식 (4)에서 환 A 및 환 Ｂ로서는, 예를 들어 벤젠환, 나프탈렌환, 페난트렌환 등을 들 수 있다.
일반식 (4)에서 R7∼R12의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, ｎ-프로필기, 이소프로필기, ｎ-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기 및 tert-부틸기 등의 직쇄 또는 분지의 탄소수 1∼6의 알킬기를 들 수 있고, 알콕시기로서는, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, ｎ-프로폭시기, 이소프로폭시기, ｎ-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기 및 tert-부톡시기 등의 직쇄 또는 분지의 탄소수 1∼6의 알콕시기를 들 수 있다. 아실옥시기로서는, 예를 들어 아세톡시기, 프로파노일옥시기 등의 탄소수 2∼6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬카르보닐옥시기, 트리플루오로아세톡시기 등의 상기 알킬카르보닐옥시기의 알킬기 부분에 할로겐 원자가 치환된 할로겐 치환 알킬카르보닐옥시기, 벤조일옥시기 등의 탄소수 7∼16의 아릴카르보닐옥시기나 아르알킬카르보닐옥시기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로서는, 예를 들어 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자 등을 들 수 있고, 할로알킬기로서는 이러한 할로겐 원자로 치환된 상기 알킬기, 예를 들어 트리플루오로메틸기 등의 탄소수 1∼6의 할로알킬기를 들 수 있고, 디알킬아미노기로서는 상기 알킬기로 치환된 아미노기, 예를 들어 디메틸아미노기 또는 디에틸아미노기 등을 들 수 있다.
R8 및 R9이 알킬렌 사슬을 형성한 경우, 및 R11 및 R12가 알킬렌 사슬을 형성한 경우의 알킬렌 사슬로는 탄소수 3∼5의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌 사슬이 바람직하고, 구체적으로는 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기 및 펜타메틸렌기 등을 들 수 있다. 또한, 치환기를 가질 수 있는 알킬렌 사슬의 치환기로서는 상기 알킬기 및 상기 할로겐 원자 등을 들 수 있고, 구체적인 예로서는 탄소수 1∼6의 상기와 같은 알킬기 및 불소 원자 등을 들 수 있다.
본 발명의 일반식 (1)로 표시된 광학활성 배위자는, 그룹 A의 바이아릴디일기가 축 부제에 의하여 (R)체 또는 (S)체의 광학활성인 기로 되어있는 것일 수 있 고, 또한, 기 R1, 기 R2, 기 R3, 또는 이러한 기가 결합하고 있는 탄소 원자가 부제로 되어 광학활성으로 되는 것일 수도 있고, 이러한 바이아릴디일기 및 질소 원자에 결합한 그룹의 양쪽 그룹이 부제로 되어 광학활성체로 될 수도 있다.
본 발명의 일반식 (1')로 나타낸 화합물은, 반드시 광학활성체로 한정되는 것은 아니지만, 상기 일반식 (1)로 나타낸 광학활성 배위자와 마찬가지로, 일반식 (1')에서 바이아릴디일기, 및／또는 질소 원자 상의 치환기의 부제에 의하여 광학 활성으로 되는 화합물이 바람직하다.
본 발명의 일반식 (1)로 나타낸 광학활성 배위자, 또는 일반식 (1')로 나타낸 화합물은 공지인 방법에 준하여 합성할 수 있으며, 예를 들어 J. Org . Chem ., 58, 7313(1993) 및 Tetrahedron: Asymmetry, 13, 801(2002)에 기재된 방법에 준하여 다음 반응식에 의해 합성할 수 있다.
Figure 112007087460411-PCT00010
(식중, R1∼R4, R1'∼R4', A 및 A'는 상기와 동일한 의미를 나타낸다. M은 수소 원자, 또는 알칼리 금속 원자를 나타내고, X2는 이탈기를 나타낸다.)
즉, 2급 아민 화합물 또는 이의 알칼리금속 아미드에, 이탈기를 갖는 인 화합물을 반응시켜 인-질소 결합을 갖는 화합물을 제조하고(단계 1), 이것에 염기의 존재하에서 바이아릴디올을 반응시키는(단계 2)의 2 단계로 수행된다. 여기에 사용되는 2급 아민 화합물로서 광학활성체를 이용하는 것에 의하여 질소 원자 상의 치환기가 광학활성인 광학활성 배위자를 얻을 수 있고, 또한, 바이아릴디올로서 (R)체 또는 (S)체의 광학활성 바이아릴디올을 이용하는 것에 의하여 바이아릴 골격이 광학활성인 배위자를 얻을 수 있다. 당연히, 2급 아민 화합물 및 바이아릴디올 모두 광학활성체를 이용하는 것에 의하여 양자의 골격이 광학활성인 화합물을 얻을 수 있음은 말할 필요도 없다.
상기 반응식 중에 M으로 표시된 알칼리금속 아미드의 알칼리금속으로는 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘 등을 들 수 있으며, 리튬 또는 나트륨이 바람직하다.
알칼리금속 아미드의 제조방법은, 2급 아민 화합물에 알칼리금속 또는 알칼리금속 화합물을 작용시키는 것에 의하여 행해진다. 사용되는 알칼리금속 화합물로는 수소화나트륨, 수소화리튬, 수소화칼륨 등의 알칼리금속 수소화물; 메틸리튬, ｎ-부틸리튬, 2-부틸리튬, tert-부틸리튬 등의 알킬리튬 등을 들 수 있으며, ｎ-부틸리튬이 바람직하다.
상기 반응식 중에 X2로 표시된 이탈기를 갖는 인 화합물의 이탈기로는 염소, 브롬 등의 할로겐 원자; 메탄술포닐옥시기, ｐ-톨루엔술포닐옥시기, 벤젠술포닐옥시기, 트리플루오로메탄술포닐옥시기 등의 술포닐옥시기; 메톡시기, 에톡시기, 부톡시기, 페녹시기 등의 알콕시기 또는 아릴옥시기 등을 들 수 있으며, 할로겐 원자가 바람직하다.
이 방법에 있어서 제 1 단계에서는 반드시 염기의 존재가 필수는 아니지만, 제 2 단계의 반응은 염기의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하다. 이 단계에서 사용되는 염기(base)로는 무기 염기 또는 유기 염기, 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 특히 한정되는 것은 아니지만 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산루비듐, 탄산세슘, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 탄산바륨 등의 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속의 탄산염, 나트륨 메톡사이드, 나트륨 에톡사이드, 나트륨 페녹사이드, 나트륨 tert-부톡사이드, 칼륨 메톡사이드, 칼륨 에톡사이드, 칼륨 페녹사이드, 칼륨 tert-부톡사이드, 리튬 메톡사이드, 리튬 에톡사이드, 리튬 페녹사이드, 리튬 tert-부톡사이드 등의 알칼리 금속 알콕사이드, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 수산화바륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속의 수산화물, 인산리튬, 인산칼륨, 인산나트륨 등의 알칼리 금속의 인산염, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리사이클로헥실아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디이소프로필아민 등의 아민류, 불화리튬, 불화칼륨, 불화나트륨, 불화세슘, 불화루비듐 등의 알칼리 금속의 불화물염 등을 들 수 있다. 이 중에서도 유기 염기 가 바람직하고, 특히 트리에틸아민, 디이소프로필아민 등의 아민류가 바람직하다.
제 2 단계에서 사용되는 염기의 양은, 인-질소 결합을 갖는 화합물에 대하여 2배 몰 이상 사용하는 것이 바람직하다. 염기의 양이 2배 몰 미만에서는 목적 화합물의 수율이 낮아지는 경우가 있다. 또한, 염기를 과잉으로 가해도 목적 화합물의 수율에는 거의 영향이 없지만, 반응 종료 후의 후처리 조작이 복잡해지므로, 더욱 바람직한 염기의 양은 2∼10배 몰의 범위이다.
상기의 각 단계에서 반응은 용매의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하다. 사용되는 용매는 이러한 반응에 불활성인 용매이면 좋고, 특히 제한되는 것은 아니지만 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄 등의 지방족계 유기 용매; 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지환식계 유기 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족계 유기 용매; 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디메톡시에탄, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 디옥솔란 등의 에테르계 유기 용매; 아세토니트릴, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드, 헥사메틸포스포트리아미드 등의 비프로톤(proton)성 극성 용매를 들 수 있다. 바람직한 용매로는 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족계 유기 용매나, 디에틸에테르, 디메톡시에탄, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 유기 용매를 들 수 있다.
또한, 상기 각 단계의 반응은 취급 화합물의 특성상 질소, 아르곤 등의 불활성 기체 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다.
제 1 단계(인-질소 결합 생성 반응)의 반응 온도는 -78∼40 ℃의 범위에서 행해지는데, -50∼25 ℃가 바람직하고, 반응 시간은 반응 온도에 따라 각각 다르지 만 1∼4 시간 정도이다.
제 2 단계(바이아릴디올과의 반응)의 반응 온도는 -20∼40 ℃의 범위에서 행해지는데, -20∼25 ℃가 바람직하고, 반응 시간은 반응 온도에 따라 각각 다르지만 3∼16 시간 정도이다. 반응 종료 후, 통상의 방법에 따라 처리하는 것에 의하여 목적 화합물을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 사용된 광학 활성 배위자는 Tetrahedron, 56, 2865(2000) 또는 Tetrahedron: Asymmetry, 9, 1179(1998) 등에 기재된 방법과 같이, 먼저 바이아릴디올과 P(X2)3을 반응시키고, 계속해서 2급 아민 또는 이의 알칼리 금속 아미드를 반응시킬 수 있다.
또한, 반응식 중에서는 편의상 R1, R2, R3 및 R4의 경우에 관하여 설명하고 있지만, R1', R2', R3' 및 R4'의 경우에도 마찬가지이다.
본 발명의 방법은, 2-사이클로펜타데센-1-온에 동 촉매, 에놀 음이온 포착 제, 및 일반식 (1)로 표시된 광학활성 배위자의 존재 하에, 메틸화 유기금속에 의하여 메틸기를 2-사이클로펜타데센-1-온에 1,4-공역 부가시켜, 일반식 (2)로 표시된 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체를 제조하는 것을 특징으로 한다. 이 방법에 있어서, 2-사이클로펜타데센-1-온, 동 촉매, 에놀 음이온 포착제, 및 일반식 (1)로 표시된 광학활성 배위자로는 상기 언급한 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 이 방법에서는, 2-사이클로펜타데센-1-온, 동 촉매, 에놀 음 이온 포착제, 및 일반식 (1)로 표시된 광학활성 배위자를 동시에 존재시켜 반응시키는 것도 가능하지만, 바람직한 것은 동 촉매, 및 일반식 (1)로 표시된 광학활성 배위자의 존재 하에 2-사이클로펜타데센-1-온을 메틸화 유기금속에 의하여 메틸기의 1,4-공역 부가반응을 행하고, 계속해서 반응 혼합물 중에 에놀 음이온 포착제를 첨가하여 일반식 (2)로 표시된 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체로 하는 방법을 들 수 있다. 후자의 경우에는 메틸화 유기금속에 의한 메틸기의 1,4-공역 부가반응을 실온 부근의 온도에서 행할 수 있다.
이 방법에 사용되는 메틸화 유기금속으로는, 예를 들어 디메틸아연, 염화메틸마그네슘, 브롬화메틸마그네슘, 요오드화메틸마그네슘, 메틸리튬, 트리메틸알루미늄 등을 들 수 있다. 바람직한 예로는 디메틸아연 등을 들 수 있다.
이 방법에 사용되는 반응 용매로는, 반응에 관여하지 않는 용매이면 좋으며, 예를 들어 펜탄, 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소계 용매, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 메틸 tert-부틸에테르, 디부틸에테르, 사이클로펜틸메틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 1,3-디옥솔란 등의 에테르계 용매, 염화메틸렌, 디클로로에탄, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 지방족 탄화수소계 용매, 방향족 탄화수소계 용매 및 에테르계 용매가 바람직하다. 이들 용매는 각각 단독으로 사용할 수도, 2 종 이상 적절히 조합하여 사용할 수도 있다.
용매의 사용량은, 2-사이클로펜타데센-1-온 1 중량부에 대하여 1∼200 배 용 량, 바람직하게는 3∼100 배 용량, 더욱 바람직하게는 5∼30 배 용량이다.
이 방법에서 동 촉매의 사용량은, 2-사이클로펜타데센-1-온 1 몰에 대하여, 0.1∼20 몰% 정도, 바람직하게는 1.0∼10 몰% 정도의 양으로 충분한다.
이 방법에서 에놀 음이온 포착제의 사용량은, 2-사이클로펜타데세논 1 몰에 대하여 1.0∼5.0 몰, 바람직하게는 1.2∼3.0 몰 정도의 양으로 사용된다.
이 방법에서 광학활성 배위자의 사용량은, 사용한 동 촉매의 양에 대하여 2 배 몰 이상, 바람직하게는 2∼3 배 몰 정도가 바람직하다.
또한, 이 방법에서 메틸화 유기금속의 사용량은, 2-사이클로펜타데세논 1 몰에 대하여, 1.0∼5.0 몰, 바람직하게는 1.2∼3.0 몰 정도의 양이 사용된다.
본 발명의 제조 방법은 질소 또는 아르곤 등의 불활성 기체 중에서 행하는 것이 바람직하다.
이 방법에서 반응 온도는 사용하는 시약에 따라 다르지만, -80∼50 ℃ 정도의 범위, 바람직하게는 -30∼30 ℃ 정도의 범위를 들 수 있다. 에놀 음이온 포착제를 1,4-공역 부가반응 후에 첨가하여 반응을 행하는 경우, 해당 1,4-공역 부가반응은 실온 부근의 온도에서 행할 수 있다. 또한, 이 방법의 반응 시간은 10 분∼20 시간 정도, 바람직하게는 30 분∼10 시간 정도 행해진다.
반응 종료 후에는 추출, 증류, 재결정 또는 각종 크로마토그래피 등 통상 행해지는 조작을 이용하는 것에 의하여 목적물을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 방법에서는 상기와 같이 하여 얻어진 다음 일반식 (2)
[화학식 2]
Figure 112007087460411-PCT00011
(식중, R은 에놀 음이온 포착제의 잔기를 나타내고, ＊은 부제탄소 원자를 나타낸다. 식중의 파선은 시스체 또는 트랜스체 또는 이들의 혼합물을 나타낸다.)
로 표시된 광학활성 3-메틸사이클로펜타데센 유도체의 에놀 부분을 가용매 분해(solvolysis)하는 것에 의하여 광학활성 무스콘을 선택적으로 제조할 수 있다.
당해 가용매 분해 방법으로는 통상 사용되는 에놀의 가용매 분해법을 사용할 수 있다. 이와 같은 방법으로는, 예를 들어 일반식 (2)로 표시된 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체에서 에놀 유도체가 에놀 에스테르류나 에놀 카보네이트류인 경우에는 알칼리성 촉매를 이용하여 용매 중에서 반응시키는 방법을 들 수 있다. 이러한 가용매 분해에 사용되는 알칼리성 촉매로는, 예를 들어 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 리튬 알콕사이드(리튬 메톡사이드, 리튬 에톡사이드, 리튬 tert-부톡사이드 등), 나트륨 알콕사이드(나트륨 메톡사이드, 나트륨 에톡사이드, 나트륨 tert-부톡사이드 등), 칼륨 알콕사이드 등(칼륨 메톡사이드, 칼륨 에톡사이드, 칼륨 tert-부톡사이드 등)을 들 수 있다. 이들 중에서 수산화나트륨, 수산화칼륨, 나트륨 메톡사이드, 나트륨 에톡 사이드 등이 바람직하다. 이들 알칼리성 촉매는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 에놀 유도체가 에놀 에테르류인 경우에는 산성 촉매를 이용하여 용매 중에서 반응시키는 방법을 들 수 있다. 본 가용매 분해에 사용되는 산성 촉매로는, 예를 들어 염산, 브롬화수소산, 황산, 인산, 메탄술폰산, ｐ-톨루엔술폰산, 아세트산, 클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 산성 이온교환수지 등을 들 수 있다. 바람직한 산성 촉매로는 염산, 황산, ｐ-톨루엔술폰산 등이 바람직하다. 이들 산성 촉매는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 에놀 유도체가 실릴 에놀 에테르류인 경우에는, 상기 산성 촉매를 이용하여 용매 중에서 반응시키는 방법 등 외에, 3불화붕소 또는 그 착화합물, 불화4급암모늄염 등의 불소계 화합물을 들 수 있다. 또한, 가용매 분해시 사용되는 용매는 가용매 분해가 진행되는 용매일 수 있는데, 예를 들어 물; 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로판올, ｎ-부탄올, 벤질알콜 등의 알콜류 및 이들의 혼합 용매를 들 수 있다. 이들 중에서, 메틸알콜, 에틸알콜이 바람직하다.
또한, 본 가용매 분해에서는, 필요에 따라 조용매(co-solvent)가 사용될 수 있다. 조용매는 반응에 관여하지 않는 것일 수 있는데, 예를 들어 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 메틸 tert-부틸에테르, 사이클로펜틸메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 디메톡시에탄, 디옥산 등의 에테르계 용매, 헥산, 헵탄, 옥탄 등의 지방족 탄화수소계 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족계 용매를 들 수 있다.
용매의 사용량은 일반식 (2)로 표시된 광학활성 3-메틸사이클로펜타데센 유 도체 1 중량부에 대하여 0.5∼100 배 용량, 바람직하게는 1∼30 배 용량이다. 또한, 반응은 0∼200 ℃, 바람직하게는 20∼100 ℃ 정도의 온도에서 수행되고, 통상 10 분∼20 시간, 바람직하게는 30 분∼10 시간 정도 반응시키는 것에 의하여 수행된다. 이러한 반응 조건은 사용하는 용매나 촉매 등의 종류나 양에 따라 적절히 변경될 수 있다.
반응 종료 후에는 통상의 후처리를 행하는 것에 의하여, 필요에 따라 증류나 칼럼 크로마토그래피 등의 방법을 이용하여, 목적물을 단리할 수 있다.
[발명의 효과]
본 발명에 따르면, 제조가 용이하고 비교적 간단한 구조를 갖는 광학활성 배위자를 이용하여 2-사이클로펜타데센-1-온의 1,4-부가에 의한 부제 메틸화 반응을 수행할 수 있고, 또한, 당해 1,4-부가반응에서 생성한 에놀 음이온을 에놀 음이온 포착제에 의해 에놀 유도체로서 포착하는 것에 의해, 생성된 에놀 음이온에 의한 분자간의 부반응을 억제할 수 있고, 기질(2-사이클로펜타데세논) 농도를 고농도로 하는 것이 가능하여, 반응 효율을 향상할 수 있을 뿐만 아니라, 1,4-부가반응을 더욱 고온에서 수행하는 것도 가능하게 된다. 또한, 본 발명의 광학활성 배위자(리간드)는 촉매 활성이 높고, 소량의 촉매의 존재로 효율적으로 반응을 진행시킬 수 있다. 이와 같은 간편한 방법에도 불구하고, 목적하는 광학활성체를 고수율, 고광학순도로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 이와 같은 부제 메틸화 반응에 유효하고 제조가 용이한 신규 화합물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 배위자는 아민 부분이 비대칭 구조를 가질 수도 있고, 아민의 질소 원자에 치환되어 있는 2개의 치환기의 구조를 용이하게 변경할 수 있고, 반응 조건에 따라 다양한 치환기의 조합을 선택하는 것이 가능하다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명이 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 실시예 중의 분석에는 다음 분석기기를 이용하여 수행하였다.
선광도: P-1020(일본 분광공업주식회사 제)
1H-NMR: DRX500 형(500 ㎒)(브루커사 제)(내부표준물질: 테트라메틸실란)
적외흡수스펙트럼(IR): Nicolet Avatar360 FT-IR(니콜레 일본 주식회사 제)
질량스펙트럼(MS) : M-80B 질량분석계(이온화전압: 20 eV)(주식회사 히타치제작소 제)
: PolarisQ iontraptype(DirectEI)(Thermoelecton사 제)
가스크로마토그래피: RTx-1(RESTEX사 제)
고속액체크로마토그래피(HPLC): CHIRALPAK AS-H(다이셀화학 공업 주식회사).
실시예 1
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00012
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-벤질-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-1)의 합성
질소기류 하, 온도계와 적하 깔때기가 장착된 50 mL 3-입구 플라스크에 THF 20 mL, (R)-(+)-N-벤질-N-(1-페닐에틸)아민 1.05 g(5.0 mmol)의 용액을 넣고 -50 ℃로 냉각하여, ｎ-부틸리튬(1.58 M 헥산 용액) 3.2 mL(5.0 mmol)를 적하하였다. -50 ℃에서 1 시간 교반한 후, 3염화인 6.8 g(50 mmol)을 가하고 서서히 실온까지 온도를 올려 2 시간 교반하였다. 그 후, 감압 하에서 용매 및 3염화인을 제거하고 잔사에 톨루엔 20 mL를 가하였다. 이 톨루엔 용액을 -20 ℃로 냉각하고, (R)-(+)-1,1'-바이(2-나프톨) 1.43 g(5.0 mmol), 트리에틸아민 2.53 g(25 mmol), 톨루엔 10 mL의 혼합 용액을 적하하였다. 서서히 실온까지 온도를 올려 16 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 고체를 여과하고 여과액을 농축하여 실리카겔 칼럼크로마토그래피로 정제하는 것에 의하여, 표제의 화합물 1.8 g(3.42 mmol, 수율 68%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.68-1.70(3H, m), 3.02(1H, d, J=15.1㎐), 4.03(1H, d, J=15.1Hz),
4.04-4.09(1H, m), 7.02-7.99(22H, m)
31P(200 ㎒, δ); 142.8
MS m/z:525(M+)(5), 434(100), 420(10), 391(12), 315(8), 286(14), 253(4),
239(6), 105(5), 91(5), 79(3)
실시예 2
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00013
로 표시된 (R)-3-메틸-1-사이클로펜타데세닐 프로피오네이트의 합성
질소 분위기 하, 온도계가 장착된 30 mL 반응 플라스크에 실시예 1에서 얻어진 광학활성 배위자 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-벤질-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 21.0 ㎎(0.04 mmol), Cu(OTf)2　7.2 ㎎(0.02 mmol), 및 톨루엔 7 mL를 넣고 실온에서 30 분간 교반하였다. 이 용액에 디메틸아연 톨루엔 용액(2.0 mol/L) 1.4 mL(2.8 mmol)를 가하여 30 분간 교반하였다. 그 후, 용액을 -20 ℃로 냉각하고, 무수 프로피온산 0.29 g(2.2 mmol)과 2-(E)-사이클로펜타데세논 0.44 g(2.0 mmol)을 적하하였다. 적하 종료 후, 2 시간 교반한 후, 5% 황산 수용액을 가하여 반응을 정지시키고 분액하였다. 얻어진 유기층을 물 세척하고, 용매를 감압 제거하여 조생성물 0.8 g을 얻었다. 이 조생성물을 실리카겔 칼럼크로마토그래피로 정제하여 표제 화화합물 0.53 g(1.80 mmol) 수율 90%를 얻었다. 가스크로마토그래피의 분석으로부터 E/Z＝1.0/99.0이었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
0.90(3H, d, J=12.5Hz), 1.07-1.15(2H, m), 1.20(3H, t, J=7.6Hz),
1.26-1.40(15H, m), 2.14-2.16(1H, m), 2.30-2.39(2H, m),
2.40(2H, q, J=7.6), 4.77(1H, d, J=9.6)
MS m/z:293(M+)(5), 265(3), 238(90), 220(30), 209(27), 195(13), 180(11),
158(7), 142(7), 125(38), 117(28), 97(60), 84(55), 69(62),
57(100), 41(37)
IR　νmax(㎝-1): 2926,　2856,　1152
[α]D＝79.2(ｃ＝1.0　in CHCl3)
실시예 3
다음 식
Figure 112007087460411-PCT00014
로 표시되는 (R)-무스콘의 합성
30 mL 회수 플라스크에 실시예 2에서 얻어진 (R)-3-메틸-1-사이클로펜타데세닐 프로피오네이트 0.53 g(1.8 mmol), 톨루엔 20 g을 넣고 교반하였다. 20 ℃에서 나트륨 메톡사이드-메탄올 28% 용액 0.39 g(2.0 mmol)을 적하 후, 1 시간 교반하였다. 계속해서 반응액에 5% 황산 수용액을 가한 후 분액하고, 유기층을 물 세척 후 용매를 감압 제거하여 조생성물 0.60 g을 얻었다. 이 조생성물을 실리카겔 칼럼크로마토그래피로 정제하는 것에 의하여 수율 97%로 (R)-무스콘을 얻었다. 고속액체크로마토그래피로 광학 순도를 측정한 결과, 86.1%ee였다.
실시예 4
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00015
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(1-나프틸)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-2)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(1-나프틸)메틸-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고, 실시예 1과 동일한 조작을 수행하여, 표제의 화합물 2.07 g(3.6 mmol, 수율 72%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.73-1.76(3H, m), 3.76(1H, d, J=15.8Hz), 4.10-4.54( 1H, m),
4.39(1H, d, J=15.8Hz), 7.02-8.00(24H, m)
31P(200 ㎒, δ); 146.1
MS m/z:575(M+)(14), 470(22), 434(100), 391(11), 333(4), 315(10),
268(25), 246(22), 239(13), 167(7), 149(20), 141(65), 115(16),
91(13), 79(5)
실시예 5
(R)-무스콘의 합성
질소 분위기 하, 30 mL 반응 플라스크에, 실시예 4에서 얻은 광학활성 배위자 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(1-나프틸)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-2) 23.0 ㎎(0.04 mmol), Cu(OTf)2　7.2 g(0.02 mmol), 톨루엔 7 mL를 넣고 실온에서 30 분간 교반하였다. 이 용액에 디메틸아연 톨루엔 용액(2.0 mol/L) 1.4 mL(2.8 mmol)을 가하고 30 분간 교반하였다. 그 후, 반응 용액을 -20 ℃로 냉각하고, 무수 프로피온산 0.29 g(2.2 mmol)과 2-(E)-사이클로펜타데세논 0.44 g(2.0 mmol)을 적하하였다. 적하 종료 후, 2 시간 교반한 후, 5% 황산 수용액을 가하여 반응을 정지시키고, 분액 후 유기층을 2회 물 세척하였다. 이 유기층에 나트륨 메톡사이드 메탄올 28% 용액 0.39 g(2.0 mmol)을 가하고 실온에서 30 분 교반한 후, 5% 황산 수용액을 가하고 반응을 정지시키고, 유기층을 분액 후 수세 한 후, 용매를 감압 하에서 제거하여 조(R)-무스콘 0.50 g을 얻었다. 이 조생성물을 실리카겔 칼럼크로마토그래피로 정제하는 것에 의하여 수율 84.8%로 (R)-무스콘을 얻었다. 고속액체크로마토그래피로 광학 순도를 측정한 결과 89.2%ee였다.
실시예 6
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00016
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-메톡시벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-3)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2-메톡시벤질)-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고, 실시예 1과 동일한 조작을 수행하여, 표제의 화합물 1.89 g(3.40 mmol, 수율 68%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.70-1.72(3H, m), 3.52(3H, s), 3.58-3.71( 2H, m),
4.15-4.19(1H, m), 6.65-7.98(21H, m)
31P(200 ㎒, δ); 146.2
실시예 7
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00017
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(3,4-메틸렌디옥시벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-4)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(3,4-메틸렌디옥시벤질)-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(3,4-메틸렌디옥시벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 1.79 g(3.15 mmol, 수율 63%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.68-1.71(3H, m), 2.91(1H, d, J=14.8Hz), 3.92(1H, d, J=14.8Hz),
4.07-4.12(1H, m), 5.86-5.89(2H, m), 6.48-8.01(20H, m)
31P-NMR(200 ㎒, δ); 142.5
MS m/z:569(M+)(1), 464(20), 434(100), 391(7), 333(3), 315(7), 268(15),
239(5), 135(13), 105(8), 77(5)
실시예 8
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00018
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-사이클로헥실메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-5)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-사이클로헥실메틸-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-사이클로헥실메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 2.07 g(3.9 mmol, 수율 78%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
0.90-1.55(11H, m), 1.72-1.74(3H, m), 2.18-2.21(1H, m),
2.45-2.49(1H, m), 4.43-4.48(1H, m), 6.99-7.97(17H,m)
31P-NMR(200 ㎒, δ); 148.2
MS m/z:531(M+)(11), 448(12), 434(17), 420(15), 391(60), 372(20),
344(15), 333(25), 315(85), 295(72), 268(100), 252(30), 239(27),
105(28), 79(10)
실시예 9
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00019
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-메틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-6)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2-메틸벤질)-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-메틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 1.89 g(3.5 mmol, 수율 70%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.71(3H, s), 1.77-1.79(3H, m), 3.25(1H,d, J=16.0Hz),
3.82(1H, d, J=16.0Hz), 4.08-4.13(1H, m), 6.94-7.98(21H, m)
31P-NMR(200 ㎒, δ); 146.2
MS m/z:539(M+)(2), 524(18), 434(100), 420(7), 391(7), 333(5), 315(5),
268(17),239(8),105(8),79(6)
실시예 10
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00020
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-나프틸)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-7)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2-나프틸)메틸-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-나프틸)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 1.30 g (2.25 mmol, 수율 56%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.67-1.70(3H, m), 3.20(1H, d, J=15.0Hz), 4.08-4.12(1H, m),
4.19(1H, d, J=15.0Hz), 7.06-8.03(24H, m)
31P(200 ㎒, δ); 143.0
MS m/z:575(M+)(10), 470(30), 434(100), 391(11), 333(8), 315(7),
268(25), 252(7), 239(6), 141(65), 115(16)
실시예 11
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00021
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2,6-디메틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-8)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2,6-디메틸벤질)-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2,6-디메틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 0.90 g(1.66 mmol, 수율 40%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.55-1.57(3H, m), 1.95(6H, s), 3.50(1H, d, J=13.7Hz),
3.98-4.02(1H, m), 4.12(1H, d, J=13.7Hz), 6.79-7.91( 20H, m)
31P(200 ㎒, δ); 148.0
MS m/z:553(M+)(1), 538(4), 434(35), 333(5), 315(6), 268(45),
252(15), 239(28), 226(8), 180(5), 132(8), 119(100), 105(90),
91(93), 79(50), 65(13)
실시예 12
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00022
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2,4-디메틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-9)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2,4-디메틸벤질)-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나 프탈렌-2,2'-디일)-N-(2,4-디메틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 1.39 g(2.60 mmol, 수율 65%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.62(3H, s), 1.68-1.70(3H, m),2.15(3H, s), 3.13(1H, d, J=15.9Hz),
3.71(1H, d, J=15.9Hz), 3.99-4.04(1H, m), 6.69-7.90( 20H, m)
31P(200 ㎒, δ); 146.3
MS m/z:553(M+)(2), 538(5), 434(63),391(5), 333(5), 315(6), 268(50),
252(15), 239(30), 226(8), 180(5), 166(6),149(7), 132(5),
119(100), 105(55), 91(78), 79(32),65(8)
실시예 13
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00023
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-에틸벤질)-N-(R)- (1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-10)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2-에틸벤질)-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-에틸벤질)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 1.31 g(2.37 mmol, 수율 59%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
0.46(3H, t, J=7.6), 1.70-1.72(3H, m), 1.92-2.03(2H, m),
3.21(1H, d, J=15.3Hz), 3.77(1H, d, J=15.3Hz),3.99-4.04(1H, m),
6.87-7.90(21H, m)
31P(200 ㎒, δ); 146.5
MS m/z:553(M+)(3),524(70), 434(100),420(48), 391(13), 333(15), 315(15),
268(85), 252(28), 239(36), 226(10), 180(5), 166(7), 152(15),
132(5), 117(55), 105(53), 91(55), 79(27), 65(5)
실시예 14
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00024
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-바이페닐)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-11)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(2-바이페닐)메틸-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-바이페닐)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 1.12 g(1.86 mmol, 수율 46%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.63-1.66(3H, m), 3.03(1H, d, J=16.2Hz), 3.74(1H, d, J=16.2Hz),
3.79-3.83(1H, m), 6.37-7.91(26H, m)
31P(200 ㎒, δ); 146.6
MS m/z:601(M+)(1),496(5), 434(100),420(2), 391(12), 333(8), 315(8),
268(44), 252(14), 239(20), 226(5), 180(6), 165(100), 152(36),
132(5), 105(34), 77(13)
실시예 15
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00025
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(인단-1-일)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-12)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 Ｎ-(인단-1-일)-Ｎ-(R)-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(인단-1-일)-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 0.88 g(1.60 mmol, 수율 40%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.64-1.65(3H, m), 2.15-2.20(1H, m), 2.47-2.51(1H, m),
2.64-2.71(1H, m), 2.95-3.01(1H, m), 4.42-4.45(1H, m),
4.60-4.66(1H, m), 7.13-7.66(21H, m)
31P(200 ㎒, δ); 151.5
MS m/z:552(M+)(100), 464(20), 434(90), 332(40), 315(15)
실시예 16
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00026
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-메틸벤질)-N-(R)-(1-사이클로헥실에틸)포스포라미다이트(L-13)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 Ｎ-(2-메틸벤질)-Ｎ-(R)-(1-사이클로헥실에틸)포스포라미다이트로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(2-메틸벤질)-N-(R)-(1-사이클로헥실에틸)포스포라미다이트 1.07 g(1.96 mmol, 수율 49%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
0.93-1.08(2H, m), 1.09-1.30(4H, m), 1.32(3H, d, J= 7.Hz),
1.52-1.93(5H, m), 1.95(1H, s), 2.82-2.91(1H, m),
3.52(1H, d, J=13.7Hz), 3.93(1H, d, J=13.7Hz), 6.90-7.95(16H, m)
31P(200 ㎒, δ); 148.7
MS m/z:544(M+)(7),　530(100), 462(85), 434(8), 420(15), 404(4),
333(10), 315(60), 268(34), 252(14), 239(7), 105(50), 79(15)
실시예 17
다음 화학식
Figure 112007087460411-PCT00027
로 표시된 O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(9-안트릴)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트(L-14)의 합성
실시예 1에서, (R)-(+)-Ｎ-벤질-Ｎ-(1-페닐에틸)아민을 (R)-Ｎ-(9-안트릴)메틸-Ｎ-(1-페닐에틸)아민으로 바꾸고 동일하게 실시하여, O,O'-(R)-(1,1'-바이나프탈렌-2,2'-디일)-N-(9-안트릴)메틸-N-(R)-(1-페닐에틸)포스포라미다이트 0.750 g(1.20 mmol, 수율 30%)을 얻었다.
1H-NMR(500 ㎒, CDCl3, δ);
1.48-1.50(3H, m), 3.90-3.98(1H, m), 4.47(1H, d, J=14.1Hz),
5.11(1H, d, J=14.1Hz), 7.16-8.32(26H, m)
31P(200 ㎒, δ); 151.5
MS m/z:625(M+)(63), 520(70), 434(100), 349(13), 333(8), 315(15),
268(26), 252(8), 239(7), 205(10), 191(62), 178(10), 165(6),
105(55), 79(32)
실시예 18∼29
광학 활성 무스콘의 합성
배위자 및 반응 온도를 다음 표 1에 나타내는 것으로 교체하여, 실시예 5의 조작에 준하여 광학활성 무스콘의 합성을 행하였다. 결과를 다음의 표 1에 나타낸다.
실시예 배위자 온도(℃) 수율(%) 광학순도(ee%) 입체배치
18 L－3 －20 86．0 86．3 （R）
19 L－4 －20 84．5 85．5 （R）
20 L－5 －20 88．7 87．2 （R）
21 L－6 －20 96．5 92．1 （R）
22 L－6 0 91．8 90．4 （R）
23 L－7 －20 85．9 85．0 （R）
24 L－8 －20 86．7 84．4 （R）
25 L－9 －20 84．4 92．2 （R）
26 L－10 －20 75．2 91．8 （R）
27 L－11 －20 70．6 90．3 （R）
28 L－12 －20 96．6 82．0 （S）
29 L－13 －20 85．0 89．5 （R）
비교예 1
실시예 21에서 에놀 음이온 포착제인　무수 프로피온산 0.29 g(2.2 mmol)을 사용하지 않는 것 이외에는 실시예 21과 동일하게 하여 (R)-무스콘 0.300 g(1.26 mmol, 수율 63.1%)을 얻었다.
그 결과, 에놀 음이온 포착제를 이용한 본 발명의 방법이 부 반응을 억제하고 고수율로 목적물을 얻을 수 있는 방법인 것이 밝혀졌다.
비교예 2
특허문헌 5(한국특허공개 2000-49811호 공보)에 기재된 방법(특허문헌 5의 실시예 4 참조)에서는 리간드로서 다음 식
Figure 112007087460411-PCT00028
로 나타낸 메소체 유래의 4-(시스-2,6-디메틸피페리딘)-(R)-디나프토디옥사포스페핀이 사용되고 있다. 이 리간드를 사용하고, 동 화합물, 리간드, 및 디메틸아연의 양을 본 발명의 방법의 양으로 변경하여 실험해 보았다. 즉, 특허문헌 5에 기재된 방법에서는 동 화합물을 5.54 몰% 사용하고, 리간드를 10.0 몰% 사용하고, 또한 메틸화제인　디메틸아연을 4.0 당량 사용하고 있는데, 이 촉매량을 본 발명의 방법에 준하여 각각 1.0 몰%, 및 2.0 몰%로 하고, 디메틸아연을 1.4 당량으로 하여, 특허문헌 5에 기재된 방법을 시행하였다. 단, 용매의 톨루엔은, 본 발명의 방법과 마찬가지로 원료인 2-사이클로펜타데센-1-온에 대하여 20 배량 사용하였다.
그 결과, (R)-무스콘의 수율은 60.7%％에 지나지 않았다. 또한, 광학순도를 측정한 결과, 79.5%ee였다.
이와 같이, 본 발명의 방법은 적은 촉매량으로 높은 활성을 나타내는 것이 밝혀졌다.
본 발명에 의해 얻을 수 있는 광학활성 무스콘은, 예를 들어 항료 분야에서 유용하고, 본 발명의 방법은 그 제조 방법으로서 산업상 이용 가능성을 갖는다. 또한, 본 발명의 화합물은 α,β-불포화 케톤류의 1,4-부가반응에서 배위자로서 유용하여 산업상의 이용 가능성을 갖는다.

Claims (5)

  1. 2-사이클로펜타데센-1-온을 동 촉매, 에놀 음이온 포착제, 및 일반식 (1)
    [화학식 1]
    Figure 112007087460411-PCT00029
    (식중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, A는 광학활성의 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
    로 표시되는 광학활성 포스포라미다이트(phosphoramidite)의 존재 하, 메틸화 유기금속과 반응시켜 메틸기의 1,4-공역 부가반응을 행하여 일반식 (2)
    [화학식 2]
    Figure 112007087460411-PCT00030
    (식중, R은 에놀 음이온 포착제의 잔기를 나타내고, ＊은 부제 탄소 원자를 나타낸다. 식중의 파선은 시스체 또는 트랜스체 또는 이들의 혼합물을 나타낸다.)
    로 표시되는 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체를 제조하고, 다음에 이를 용매 분해하는 것을 특징으로 하는 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 광학활성 3-메틸사이클로펜타데카논이, 3-(R)-메틸사이클로펜타데카논인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 2-사이클로펜타데센-1-온에 동 촉매, 에놀 음이온 포착제, 및 일반식 (1)
    [화학식 1]
    Figure 112007087460411-PCT00031
    (식중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, A는 광학활성의 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
    로 표시되는 광학활성 포스포라미다이트(phosphoramidite)의 존재 하, 메틸화 유기금속에 의해 메틸기의 1,4-공역 부가반응을 행하는 것을 특징으로 하는, 일반식 (2)
    [화학식 2]
    Figure 112007087460411-PCT00032
    (식중, R은 에놀 음이온 포착제의 잔기를 나타내고, ＊은 부제 탄소 원자를 나타낸다. 식중의 파선은 시스체 또는 트랜스체 또는 이들의 혼합물을 나타낸다.)
    로 표시되는 광학활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항의 어느 한 항에 있어서, 일반식 (2)로 표시되는 광학 활성 3-메틸-1-사이클로펜타데센 유도체의 제조방법이, 2-사이클로펜타데센-1-온을 동 촉매 및 일반식 (1)로 표시되는 광학활성 배위자의 존재 하에 메틸화 유기금속과 반응시켜 메틸기의 1,4-공역 부가반응에 의해 생성된 광학활성 에놀 음이온에 에놀 음이온 포착제를 첨가하여 제조하는 방법인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 다음 일반식 (1')
    [화학식 1']
    Figure 112007087460411-PCT00033
    (식중, R1' 및 R2'는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, R3'은 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 아릴기를 나타내고, R4'는 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 3,4-메틸렌디옥시벤질기, 바이페닐메틸기, 안트릴메틸기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 탄소수 1∼6의 알킬기로 치환된 벤질기, 또는 아릴기가 치환 또는 축합될 수 있는 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기를 나타낸다. A'는 바이아릴디일기(biaryldiyl group)를 나타낸다.)
    로 표시되는 화합물.
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