JPWO2006109895A1 - リン酸エステルを有するチオフェン化合物及びその製造法 - Google Patents
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Abstract
Description
有機エレクトロルミネッセンス素子は、高分子系デバイスと低分子デバイスとに大別されるが、特に低分子系デバイスでは、適切なキャリア易動度及び蛍光発光特性が要求されることから、π共役系化合物の誘導体展開において自由にそのバンドギャップを変化させることが要求されている。また、これらはその膜特性も重要であり、特に安定なアモルファス膜を形成することが要求されている(非特許文献1、非特許文献2、非特許文献3、特許文献1参照)。
半導体では、狭バンドギャップ化を達成するためπ共役系高分子の検討が一般に行われている。しかし、π共役系高分子は、一般的に溶剤への溶解性が低いため扱い難く、また、構造制御が難しいという問題がある。
また、バンドギャップを狭くする別の方法として、π共役系を2次元的に広げる方法があるが(非特許文献5、非特許文献6参照)、これらの材料も溶剤に不溶で扱いが不便である。
さらに、一般的なπ共役系高分子は、ドーピングにより不純物半導体としての挙動が得られるが、1つの物質でp型、n型の半導体を安定に作成することは難しい。
しかし、アニリン重合体は空気中の酸素による酸化に弱く、酸化の度合いによってその導電率が著しく損なわれるなどの欠点がある。しかも、重合時に発がん性化合物であるベンチジンが副生物として混入することも指摘されている(非特許文献5、非特許文献7参照)。
また、導電性高分子としてピロールの重合体も知られているが、これに関してもアニリン重合体同様、不溶、不融であることから膜形成し難いという問題がある。
この対策として、チオフェンモノマーの3位に炭化水素基を導入することで、対応するポリチオフェンの有機溶媒に対する溶解度を向上させることが行われている(特許文献3参照)。
しかし、ポリチオフェン系導電性高分子は、安定分散し得る固形分濃度が極めて低く、被膜膜厚のコントロールが難しいという問題がある。
このように、従来知られている導電性高分子は、その物性上導電性薄膜とするにあたって各種の問題を有していることから、これらの問題を解決し得る可能性を持った新たな導電性高分子が求められている。
1. 式[1]で表されることを特徴とするビスフォスフォリルチオフェン化合物、
2. 式[2]で表されることを特徴とするモノフォスフォリルチオフェン化合物、
3. 式[3]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物、
4. 前記Zが、前記式[4]で表されることを特徴とする3のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物、
5. 式[29]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンポリマー化合物、
6. 前記Zが、前記式[4]で表される2価の有機基であることを特徴とする5のスルフォニルチオフェンポリマー化合物、
7. 式[13]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物、
8. 式[30]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンポリマー化合物、
9. 3及び7のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を、電解酸化重合又は化学酸化重合して得られるフォスフォリルチオフェンポリマー化合物、
10. 3及び7のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を電解酸化重合又は化学酸化重合するフォスフォリルチオフェンポリマー化合物の製造方法、
11. 1のビスフォスフォリルチオフェン化合物、2のモノフォスフォリルチオフェン化合物、又は3及び7のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を、触媒重合して得られるフォスフォリルチオフェンポリマー化合物、
12. 1のビスフォスフォリルチオフェン化合物、2のモノフォスフォリルチオフェン化合物、又は3及び7のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を、触媒重合するフォスフォリルチオフェンポリマー化合物の製造方法、
13. 式[14]
で表されるブチンジオール化合物と、式[15]
で表されるフォスファイト化合物を塩基の存在下で反応させる、式[16]
で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物の製造方法、
14. 式[16]
で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物を、硫化金属と反応させる、式[17]
で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物の製造方法、
15. 式[17]
で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物を、無機酸化剤と反応させる、式[18]
で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物の製造方法、
16. 式[18]
で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物を、有機酸触媒存在下で有機酸無水物と反応させる、式[19]
で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物の製造方法、
17. 式[19]
で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物を、無機酸化剤で酸化する、式[20]
で表される3,4−ビスフォスフォリルチオフェン化合物の製造方法、
18. 式[21]
で表されるチオフェン化合物と、式[22]
で表されるフォスファイト化合物とを、金属触媒及び塩基の存在下で反応させる、式[23]
で表されるフォスフォリルチオフェン化合物の製造方法、
19. 式[21]
で表されるチオフェン化合物と、式[24]
で表されるフォスファイト化合物とを、金属触媒の存在下で反応させる、式[23]
で表されるフォスフォリルチオフェン化合物の製造方法、
20. 式[16]で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物、
21. 式[17]で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物、
22. 式[18]で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物、
23. 式[19]で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物、
24. 式[20]で表される3,4−ビスフォスフォリルチオフェン化合物、
25. 式[25]で表される3,3’,4,4’−テトラキスフォスフォリルビチオフェン化合物、
26. 式[26]で表される3,3’−ビスフォスフォリルビチオフェン化合物、
27. 式[27]で表される4,4’−ビスフォスフォリルビチオフェン化合物、
28. 式[28]で表される3,4’−ビスフォスフォリルビチオフェン化合物、
29. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなる電池用活物質、
30. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなる電極材料、
31. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなる有機エレクトロルミネッセンス材料、
32. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を酸化剤又は電気化学的ドーピングにより酸化してなるp型半導体、
33. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を還元剤又は電気化学的ドーピングにより還元してなるn型半導体、
34. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる半導体素子、
35. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる有機エレクトロルミネッセンス素子、
36. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる全固体有機太陽電池、
37. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる色素増感太陽電池、
38. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を含んでなるキャパシタ電極、
39. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなるアクチュエータ、
40. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を含んでなるコンデンサ用固体電解質、
41. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなるアンテナ材料、
42. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなるセンサ、
43. 3、4及び7のいずれかのフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに5、6及び8のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を含んでなる燃料電池セパレータ
を提供する。
このリン酸エステルを有するチオフェン化合物又はポリチオフェン化合物は、優れた耐熱性を有し、水又は有機溶媒への溶解性又は分散性が従来品に比べ良好で、電気化学的酸化還元電位を容易にコントロール可能で、また、化合物自体のバンドギャップが非常に狭い上、強い蛍光発光特性を有する。さらに、これらのチオフェン化合物は、1分子中に電子供与性基、電子受容性基を有することで、p型及びn型半導体特性を有する。
なお、本明細書中、「n」はノルマルを、「i」はイソを、「s」はセカンダリーを、「t」はターシャリーを、「c」はシクロを、「o」はオルトを、「m」はメタを、「p」はパラを意味し、「Me」はメチル基を、「Et」はエチル基を、「Pr」はプロピル基を、「Bu」はブチル基を、「Ph」はフェニル基を意味する。
式[1]及び[2]において、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基、Wで置換されていてもよいアントラニル基、ヒドロキシル基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルスタニル基、又は炭素数1〜10トリアルキルシリル基を表す。
炭素数1〜10アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、c−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、c−ブチル、n−ペンチル、1−メチル−n−ブチル、2−メチル−n−ブチル、3−メチル−n−ブチル、1,1−ジメチル−n−プロピル、c−ペンチル、2−メチル−c−ブチル、n−ヘキシル、1−メチル−n−ペンチル、2−メチル−n−ペンチル、1,1−ジメチル−n−ブチル、1−エチル−n−ブチル、1,1,2−トリメチル−n−プロピル、c−ヘキシル、1−メチル−c−ペンチル、1−エチル−c−ブチル、1,2−ジメチル−c−ブチル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル等が挙げられる。
炭素数1〜10モノアルキルアミノ基の具体例としては、NHMe、NHEt、NHPr−n、NHPr−i、NHBu−n、NHBu−i、NHBu−s、NHBu−t、NHPen−n、NHCHEt2、NHHex−n等が挙げられる。
炭素数1〜10ジアルキルアミノ基の具体例としては、NMe2、NEt2、N(Pr−n)2、N(Pr−i)2、N(Bu−n)2、N(Bu−i)2、N(Bu−s)2、N(Bu−t)2、N(Pen−n)2、N(CHEt2)2、N(Hex−n)2等が挙げられる。
炭素数1〜10トリアルキルシリル基としては、SiMe3、SiEt3、Si(Pr−n)3、Si(Pr−i)3、Si(Bu−n)3、Si(Bu−i)3、Si(Bu−s)3、Si(Bu−t)3等が挙げられる。
炭素数1〜10アルキニル基の具体例としては、C≡CMe、C≡CEt、CH2C≡CH、CH2C≡CMe、CH2C≡CEt、CH2CH2C≡CH、CH2CH2C≡CMe、CHMeC≡CH、CHMeC≡CMe等が挙げられる。
炭素数1〜10アルキルチオ基の具体例としては、SMe、SEt、SPr−n、SPr−i、SBu−n、SBu−i、SBu−s、SBu−t、SPen−n、SCHEt2、SHex−n、SCHMe(Pr−n)、SCHMe(Bu−n)、SCHEt(Pr−n)、SCH2CH2CHMe2等が挙げられる。
炭素数1〜10アルコキシカルボニル基の具体例としては、OC(O)Me、OC(O)Et、OC(O)Pr−n、OC(O)Pr−i、OC(O)Bu−n、OC(O)Bu−i、OC(O)Bu−s、OC(O)Bu−t、OC(O)Pen−n、OC(O)CHEt2、OC(O)Hex−n等が挙げられる。
なお、炭素数1〜10アルキル基、Wで置換されていてもよいフェニル基の具体例は上述のとおりである。
式[2]において、R10は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表す。各置換基の具体例は、上述のとおりである。
これらの中でも、R10としては、水素原子、炭素数1〜10アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
式[1]及び[2]で表される化合物の具体例としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明のフォスフォリルチオフェンオリゴマー又はポリマー化合物において、R3〜R6は、上記式[1]で述べたとおりであり、この場合も、−OR7、−SR8又は−NR9 2におけるR7〜R9は、上記と同様、炭素数1〜10、特に、炭素数1〜5アルキル基、フェニル基が好適である。
R13〜R16も、それぞれ独立して、−OR7、−SR8又は−NR9 2を表し、この場合の、R7〜R9も、上記と同様、炭素数1〜10のアルキル基、特に炭素数1〜5アルキル基、フェニル基が好適である。
これらの中でも、R10及びR17としては、水素原子、炭素数1〜10アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
なお、R18〜R40におけるその他の置換基の具体例は、上述のとおりである。
式[13]において、m'、n'及びo'は、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、2≦m'+n'+o'≦50を満足するが、特に、2≦m'+n'+o'≦10が好適であり、m'、n'及びo'のいずれか2つが0であることが好ましい。
式[30]において、m'''、n'''及びo'''は、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、50<m'''+n'''+o'''<5000を満足するが、特に、50<m'''+n'''+o'''<500が好適である。
上記式[25]において、R51、R52、R53及びR54は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、−OR7、−SR8又は−NR9 2を表す。ここで、R7〜R9は、上述のとおりであるが、炭素数1〜10アルキル基、特に炭素数1〜5アルキル基、フェニル基が好適である。
R55及びR56は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表す。これらの置換基の具体例は、上述のとおりである。
これらの中でも、R55及びR56としては、水素原子、炭素数1〜10アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
式[20]の化合物は、下記スキームに示される(A)下記式[14]で表されるブチンジオール化合物を原料とし、これを環化させる方法で得ることができる。
この工程は、式[14]で表されるブチンジオール化合物と、式[15]で表されるフォスファイト化合物とを塩基の存在下で反応させ、式[16]で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物を製造する工程である。
フォスファイト化合物としては、例えば、クロロジメチルフォスファイト、クロロジエチルフォスファイト、クロロジ−n−プロピルフォスファイト、クロロジ−n−ブチルフォスファイト等に代表される炭素数1〜10のアルキル基を有するフォスファイト化合物や、クロロジフェニルフォスファイトに代表されるフェニル基を有するフォスファイト化合物が挙げられる。これらの中でも、経済的なクロロジメチルフォスファイト、クロロジエチルフォスファイトが好ましい。
この反応は、塩基の存在下で行うことが重要である。使用可能な塩基としては、例えば、ジエチルアミン,トリエチルアミン,ジイソプロピルアミン,ジイソプロピルエチルアミン,ジ−n−ブチルアミン等のアルキルアミン類、ピリジン,ピコリン等の芳香族アミン類、炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。これらの中でも、トリエチルアミンが好ましい。
塩基の使用量は、基質のブチンジオール化合物に対して1〜10モル倍が好ましく、特に、1.8〜2.2モル倍が適当である。
溶媒量は、基質のブチンジオール化合物に対して1〜100質量倍が好ましく、特には20〜50質量倍が適当である。
反応温度は、通常、−100〜100℃であるが、−100〜30℃が好ましい。
反応の進行は、薄層クロマトグラフィー、又はガスクロマトグラフィー分析により確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
この工程は、式[16]で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物と、硫化金属とを反応させ、式[17]で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物を製造する工程である。
硫化金属としては、例えば、硫化ナトリウム、硫化カリウム等が挙げられるが、反応性を考慮すると、硫化ナトリウムが好適である。
硫化金属の使用量は、基質のビスフォスフォリルブタジエン化合物に対して0.8〜3モル倍が好ましく、特に1.0〜1.3モル倍が適当である。
溶媒量は、基質のビスフォスフォリルブタジエン化合物に対して1〜100質量倍が好ましく、特に20〜50質量倍が適当である。
反応温度は、通常、−100〜100℃であるが、0〜40℃が好ましい。
反応の進行は、薄層クロマトグラフィー分析により確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
この工程は、式[17]で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物と、無機酸化剤とを反応させ、式[18]で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物を製造する工程である。
無機酸化剤としては、例えば、過マンガン酸塩、過ヨウ素酸塩等が挙げられるが、反応性を考慮すると、過ヨウ素酸塩が好ましく、特に過ヨウ素酸ナトリウムが好適である。
無機酸化剤の使用量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物に対して0.8〜3モル倍が好ましく、特に1.0〜1.3モル倍が適当である。
溶媒量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物に対して1〜100質量倍が好ましく、特に20〜50質量倍が適当である。
反応温度は、通常、−100〜100℃であるが、特に−20〜40℃が好ましい。
反応の進行は、薄層クロマトグラフィー分析により確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
この工程は、式[18]で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物と、有機酸無水物とを有機酸触媒存在下で反応させ、式[19]で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物を製造する工程である。
有機酸無水物としては、例えば、脂肪族カルボン酸無水物、芳香族カルボン酸無水物等が用いられるが、安価な脂肪族カルボン酸無水物が好ましく、特に無水酢酸が好適である。
有機酸無水物の使用量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物に対して0.8〜5.0モル倍が好ましく、特に1.0〜1.3モル倍が適当である。
有機酸触媒の使用量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物に対して0.1〜50モル%が好ましく、特には10〜30モル%が好適である。
溶媒量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物に対して1〜100質量倍が好ましく、特に20〜50質量倍が適当である。
反応温度は、通常、−100〜100℃であるが、特に−20〜40℃が好ましい。
反応の進行は、薄層クロマトグラフィー分析により確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
この工程は、式[19]で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物と、無機酸化剤とを反応させ、式[20]で表される3,4−ビスフォスフォリルチオフェン化合物を製造する工程である。
無機酸化剤としては、例えば、酸化マンガン、過マンガン酸塩、過ヨウ素酸塩等が挙げられるが、酸化マンガンが好ましい。
無機酸化剤の使用量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物に対して0.8〜30モル倍が好ましく、特に2〜22モル倍が好適である。
反応溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;塩化メチレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロプロパン等のハロゲン化炭化水素類等が挙げられるが、芳香族炭化水素類が好ましく、特にベンゼンが好ましい。
溶媒量は、基質の3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物に対して1〜100質量倍が好ましく、特に20〜50質量倍が適当である。
反応の進行は、薄層クロマトグラフィー分析により確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
なお、以上説明した第1〜5工程の各反応は、バッチ式でも流通式でも行うことができ、また、常圧下でも加圧下でも行うことができる。
上記各式において、R42及びR43は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、W''で置換されていてもよいフェニル基、炭素数1〜10アルキル基、又は炭素数1〜10ハロアルキル基を表し、R44は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW''で置換されていてもよいフェニル基を表し、W''は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、又はフェニル基を表す。
ここで、ハロゲン原子、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基の具体例については、上述のとおりである。
R44としても、立体障害の影響が小さい置換基が好適であり、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基(メチル、エチル、n−プロピル基等)、フェニル基、炭素数1〜3のアルキル基で置換されたフェニル基(o−メチルフェニル、m−メチルフェニル、p−メチルフェニル基等)などが好ましい。
特に、上述の第1〜5工程からなる(A)法は、R42及びR43が水素原子、R44がエチル基である、下記式の化合物の合成に最適な方法である。
式[23]の化合物は、下記スキームで示される(B)ハロゲン化チオフェン化合物と、フォスファイトとのカップリング法で得ることができる。なお、式[23]において、R50がフォスフォリル基の場合、上述の式[20]の化合物と同様のビスフォスフォリル化合物が得られることになる。
この(B)法は、下記(B−1)及び(B−2)の2つの反応を用いることができる。
この方法は、式[21]で表されるハロゲン化チオフェン化合物と、式[22]で表されるフォスファイト化合物とを、金属触媒及び塩基の存在下で反応させ、式[23]で表されるモノ、又はビスフォスフォリルブタジエン化合物とする方法である。
フォスファイト化合物としては、例えば、ジメチルフォスファイト、ジエチルフォスファイト、ジ−n−プロピルフォスファイト、ジ−n−ブチルフォスファイト等に代表される炭素数1〜10のアルキル基を有するフォスファイト化合物、ジフェニルフォスファイトに代表されるフェニル基を有するフォスファイト化合物が挙げられる。これらの中でも、経済的なジメチルフォスファイト、ジエチルフォスファイトが好ましい。
フォスファイト化合物の使用量は、基質のハロゲン化チオフェン化合物が有するハロゲン原子に対して0.1〜5モル倍が好ましく、特に1.0モル倍〜1.5モル倍が適当である。
金属触媒の使用量は、基質のハロゲン化チオフェン化合物が有するハロゲン原子に対して0.1〜50モル%が好ましく、特には2〜30モル%が好ましい。
塩基の使用量は、基質のハロゲン化チオフェン化合物が有するハロゲン原子に対して0.5〜5モル倍が好ましく、特に1.0〜1.5モル倍が適当である。
反応溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド化合物類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル化合物類が好ましい。中でも、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエンが好適である。
反応温度は、通常、−100〜100℃であり、40〜80℃が好ましい。
反応の進行は、ゲルパーミネーションクロマトグラフィーにより確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
この方法は、式[21]で表されるハロゲン化チオフェン化合物と、式[22]で表されるフォスファイト化合物とを、金属触媒の存在下で反応させ、式[23]で表されるモノ、又はビスフォスフォリルブタジエン化合物を製造する工程である。
フォスファイト化合物としては、トリメチルフォスファイト、トリエチルフォスファイト、トリ−n−プロピルフォスファイト、トリ−n−ブチルフォスファイト等に代表される炭素数1〜10のアルキル基を有するフォスファイト化合物;トリフェニルフォスファイトに代表されるフェニル基を有するフォスファイト化合物が挙げられる。中でも、経済的なトリメチルフォスファイト、トリエチルフォスファイトが好ましい。
フォスファイト化合物の使用量は、基質のハロゲン化チオフェン化合物が有するハロゲン原子に対して0.1〜5モル倍が好ましく、特に1.0〜1.5モル倍が適当である。
金属触媒の使用量は、基質のハロゲン化チオフェン化合物が有するハロゲン原子に対して0.1〜50モル%が好ましく、特に2〜30モル%が好適である。
溶媒量は、基質のハロゲン化チオフェン化合物に対して1〜100質量倍が好ましく、特に20〜50質量倍が適当である。
反応の進行は、薄層クロマトグラフィー、又は高圧液層クロマトグラフィー分析により確認することができる。
反応終了後は、一般的な後処理をし、必要に応じて精製することで、目的物を得ることができる。
なお、(B−1)及び(B−2)の各反応は、バッチ式でも流通式でも行うことができ、また、常圧下でも加圧下でも行うことができる。
上記各式中、Xは、ハロゲン原子を表し、R45及びR46は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、W'''で置換されていてもよいフェニル基、ヒドロキシル基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、又は炭素数1〜10ジアルキルアミノ基を表す。
R47は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、W'''で置換されていてもよいフェニル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又は−P(O)(OR48)2を表し、R48は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW'''で置換されていてもよいフェニル基を表し、R49は、炭素数1〜10アルキル基、又はW'''で置換されていてもよいフェニル基を表す。
W'''は、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はフェニル基を表す。
特に、上記(B)法は、いずれもR45〜R47が水素原子である化合物の合成に最適な方法である。
式[1]及び[2]([3],[13])のフォスフォリルチオフェン化合物の末端の置換基を、カップリングを目的として変更する方法の例を以下に挙げる。
フォスフォリルチオフェン化合物の末端置換基をハロゲンに変換する場合のハロゲン化方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ヘテロサイクルズ (Heterocycles),1996年,1927頁や、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J.Org.Chem.),1993年,3072頁に記載されている方法を用いることができる。
ビアリールカップリング法としては、特に限定されるものではなく、例えば、テトラへドロン(Tetrahedron),1980年,3327頁に記載されている方法を基本にすればよい。
Suzukiカップリング法としては、特に限定されるものではなく、例えば、テトラへドロン(Tetrahedron.),1994年,8301頁に記載されている方法を基本とすればよい。
Ullmannカップリング法としては、特に限定されるものではなく、例えば、オーガニック・レター(Org.Lett.),1994年,224頁に記載されている方法を基本とすればよい。
薗頭カップリング法としては、特に限定されるものではなく、例えば、テトラへドロン・レター(Tetrahedron.Lett.),1975年,4467頁に記載されている方法を基本にすればよい。
Grignard反応によるカップリング法としては、特に限定されるものではなく、例えば、オーガニック・シンセシス(J.Org.Synth.),1988年,407頁に記載されている方法を基本とすればよい。
フォスフォリルチオフェン化合物のリン酸エステル基を、水、アルコールで加溶媒分解することで、アルコキシル部分を変換することができる。
加溶媒分解法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイエティー(J.Chem.Soc.),1959年,3950頁や、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー(J.Am.Chem.Soc.),1953年,3379頁に記載されている方法を基本とすればよい。
フォスフォリルチオフェンポリマー化合物の分子量は特に限定されるものではないが、重量平均分子量9,000〜100,000が好ましく、10,000〜50,000がより好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲル濾過クロマトグラフィーによるポリスチレン換算値である。
このフォスフォリルチオフェンポリマー化合物の具体例としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、下記式中、kは、50〜5000の整数を示すが、上記重量平均分子量を与える数が好適である。
電解酸化重合は、例えば、フォスフォリルチオフェン化合物に、酸化剤を添加して充分に攪拌した後、有機溶媒を加えて均一な溶液を調製し、白金メッシュ対極等を備えた三極式ビーカー型セルなどを用いて行うことができる。具体的には、例えば、試験極基板として表面をエメリーペーパーなどにより傷つけた白金板を、参照極としてAg/Ag+を使用し、電気化学測定システムによる電位掃引法、定電位法などで重合を行う。これにより、目的とするチオフェンポリマーは、電極上で膜状に析出する。
また、有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等が挙げられ、特に、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミドを用いることが好適である。
触媒重合に用いられるフォスフォリルチオフェン化合物としては、特に限定されないが、末端置換基がハロゲン原子のフォスフォリルチオフェン化合物が好ましい。中でも、臭素原子が好適である。
配位子の使用量は、基質のフォスフォリルチオフェン化合物が有するハロゲン原子に対して0.05〜2.0モル倍が好ましく、特には0.5〜0.8モル倍が好ましい。
反応溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド化合物類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン(THF)、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル化合物類が好ましい。中でも、1,4−ジオキサンが生成したポリマーの重合度が高いという点で好適である。
なお、上記フォスフォリル化合物には、フィルムその他の成形品に成形するに際して、熱安定剤、光安定剤、充填剤、強化剤等の配合剤を適宜配合することができる。
なお、実施例にて使用した分析装置及び条件は、下記のとおりである。
[1]ガスクロマトグラフィー(GC)
機種:Hewlett Packard: HP6800,Column:DB−624(30m×0.53mmφ×3μm),カラム温度:40(保持0min.)〜290℃(保持0min.),10℃/分(昇温速度),注入口温度:180℃,検出器温度:250℃,キャリアガス:ヘリウム,検出法:FID法
[2]質量分析(MASS)
機種:LX−1000(JEOL Ltd.),検出法:FAB法
機種:JMS−SX102A(JEOL Ltd.),検出法:FAB法
[3]1H NMR
機種:JNM−A500(JEOL Ltd.),測定溶媒:CDCl3、DMSO−d6
機種:AVANCE 400S(Bruker),測定溶媒:CDCl3、DMSO−d6
[4]13C NMR
機種:JNM−A500(JEOL Ltd.),測定溶媒:CDCl3、DMSO−d6
機種:AVANCE 400S(Bruker),測定溶媒:CDCl3、DMSO−d6
[5]IR
機種:BIORAD FTS−40,KBr錠剤法
機種:JIR−Winspec50(JEOL Ltd.),neat法
[6]高圧液層クロマトグラフィー(LC)
機種:Hewlett Packard:HP1100,Column:Inertsil ODS−3(5μm,250mm×4.6mmφ+ガードカラム10mm×4.0mmφ),カラム温度:40℃,検出器:UV220nm,溶離液:H2O/CH3CN=6/4(保持0min.)から15min.でCH3CNにグラジエーション(保持45min.),10℃/min.,流速:2.0ml/min.
[7]薄層クロマトグラフィー(TLC)
MERCK シリカゲルプレート使用、UV254nm、リンモリブデン酸焼成で確認。
[8]サイクリックボルタンメトリー(CV)
機種:Electrochemical Analyzer Model 660B(ALC/HCH Instruments)
[9]ゲル濾過クロマトグラフィー(GPC)
機種:TOSOH:HLC−8220GPC,カラム:SHODEX GPC KF−804L+GPC KF−805L,カラム温度:40℃,検出器:UV検出器(254nm)及びRI検出器,溶離液:THF,カラム流速:1.0ml/min.
以下の(1)〜(5)の方法で合成した。
(1)2,3−ビス(ジエトキシフォスフォリル)−1,3−ブタジエンの合成
13C-NMR(CDCl3):16.2(t,3JP-C=3.1Hz), 61.2(t,2JP-C=3.1Hz), 133.3(d,1JP-C=187.3Hz), 134.7(t,2JP-C=5.2Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.0(t,3JP-C=27.7Hz), 32.4(d,2JP-C=36.1Hz), 40.5(dd,1JP-C=141.8Hz, 2JP-C=12.6Hz), 61.6-62.3(m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.1(t,3JP-C=28.9Hz), 36.5(dd,1JP-C=145.2Hz, 2JP-C=23.1Hz), 55.0(s), 62.3-62.9 (m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(t,3JP-C=6.2Hz), 36.1(s), 46.1(d,2JP-C=133.3Hz), 62.0-62.5(m), 120.3(dd,1JP-C=190.1Hz, 2JP-C=7.14Hz), 148.7(m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.20-1.33(12H,m), 4.05-4.19(8H,m), 8.15(2H,dd,2JP-H=7.3Hz, 3JP-H=3.9Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(d,3JP-C=7.0Hz), 62.4(d,2JP-C=6.0Hz), 131.0(dd,2JP-C=197.0Hz, 1JP-C=18.0Hz), 140.1(dd,2JP-C=18.0Hz, 3JP-C=18.0Hz) ppm.
以下の(1)〜(2)の方法で合成した。
(1)3−ブロモ−4−(ジエトキシフォスフォリル)チオフェンの合成
1H-NMR(CDCl3):1.20-1.33(12H,m), 4.05-4.19(8H,m), 8.15(2H,dd,2JP-H=7.3Hz, 3JP-H=3.9Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(d,3JP-C=7.0Hz), 62.4(d,2JP-C=6.0Hz), 131.0(dd,2JP-C=197.0Hz, 1JP-C=18.0Hz), 140.1(dd,2JP-C=18.0Hz, 3JP-C=18.0Hz) ppm.
(b)3−(ジエトキシフォスフォリル)チオフェン2
m/z(FAB+):221(計算値220.03).
1H-NMR(CDCl3):1.33(6H,t,J=7.1Hz), 4.06-4.18(4H,m), 7.32-7.35(1H,m), 7.42-7.45(1H,m), 7.98-8.01(1H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(d,3JP-C=6.4Hz), 62.0(d,2JP-C=5.4Hz), 127.1(d,2JP-C=19.4Hz), 128.8(d,3JP-C=16.8Hz), 129.3(d,1JP-C=201.2Hz), 135.2(d,2JP-C=19.8Hz) ppm.
保持時間:2.9min.
(b)3−ブロモ−4−(ジエトキシフォスフォリル)チオフェン2
保持時間:7.5min.
(c)3−(ジエトキシフォスフォリル)チオフェン3
保持時間:4.6min.
1H-NMR(CDCl3):1.32(6H,t,J=7.1Hz), 1.35(6H,t,J=7.0Hz), 4.11-4.21(8H,m), 8.21(1H,dd,3JP-H=2.7Hz, 2JP-H=9.4Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):12.7, 13.0, 16.2(m), 29.4, 61.8(m), 132.2(dd,2JP-C=22.4Hz, 1JP-C=192.9Hz), 135.2(dd,2JP-C=17.6Hz, 1JP-C=182.1Hz), 145.5(d,2JP-C=19.5Hz), 161.6(dd,3JP-C=12.7Hz, 2JP-C=32.2Hz) ppm.
以下の(1)〜(12)のそれぞれの方法で合成した。
(1)3,4−ビス(ジエトキシフォスフォリル)−[2,2']−ビチオフェンの合成
m/z(FAB+):439(計算値438.05).
1H-NMR(CDCl3):1.18(6H,t,J=7.1Hz), 1.39(6H,t,J=7.0Hz), 3.90-4.00(2H,m), 4.05-4.15(2H,m), 4.21-4.24(4H,m), 7.08-7.09(1H,m), 7.38(1H,m), 7.42(1H,m), 8.15(1H,dd) ppm.
600g(0.930mmol)と市販の塩化銅(I)0.1013g(1.023mmol)とをTHFに溶解させ、2−イオドチオフェン0.2344g(1.116mmol)を室温で加えた。その後、反応混合物を加熱し、還流条件で4時間攪拌した。反応後、反応混合物を室温まで冷却し、フッ化カリウム水溶液を加え、2時間攪拌した。その後、固体をセライト濾過で濾過して取り除き、濾液を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧留去して溶媒を除去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製(酢酸エチル:メタノール=15:1)し、目的物を収量0.3595g(収率88%)で得た。
1H-NMR(CDCl3):1.22(12H,tq,J=7.4Hz, J=7.4Hz), 1.37(12H,tq,J=7.1Hz, J=7.1Hz), 3.99-4.16(8H,m), 4.17-4.25(8H,m), 8.24(2H,dd,3JP-H=3.0Hz, 2JP-H=9.2Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.1(dd,J=10.9Hz, J=6.7Hz), 16.3(d,2JP-C=4.1Hz), 62.3(d,2JP-C=9.3Hz), 62.6(dd,J=30.0Hz, J=5.2Hz), 130.7(dd,2JP-C=22.4Hz, 1JP-C=195.9Hz), 132.6(dd,2JP-C=17.6Hz, 1JP-C=197.4Hz), 140.0(dd,3JP-C=14.4Hz, 2JP-C=18.6Hz), 145.5(dd,3JP-C=13.1Hz, 2JP-C=18.1Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.19-1.26(24H,m), 4.05-4.22(16H,m), 7.03-7.05(2H,m), 7.15(2H,d,J=3.7Hz), 7.22(2H,d,J=3.4Hz), 7.26-7.29(4H,m) ppm.
m/z(FAB+):1202(計算値1202.03).
1H-NMR(CDCl3):1.20-1.27(24H,m), 4.02-4.21(18H,m), 7.03-7.30(14H,m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.36(12H,t,J=7.1Hz), 4.13-4.23(8H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(d,3JP-C=6.0Hz), 62.8(d,2JP-C=5.9Hz), 93.6(dd,3JP-C=12.2Hz, 2JP-C=18.6Hz), 136.8(dd,2JP-C=17.4Hz, 1JP-C=195.5Hz) ppm.
Anal. Calcd for C36H74O6P2SSn2 C, 7.98, H,46.27; Found C, 7.99, H,46.43.
1H-NMR(CDCl3):0.88(18H,t,J=7.3Hz), 1.19(12H,q,J=7.0Hz), 1.29-1.36(24H,m), 1.57(12H,t,J=7.2Hz), 4.00-4.15(8H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):11.4, 13.6, 16.3(d,3JP-C=4.2Hz), 27.3(t,1JSn-C=33.2Hz), 29.1(t,2JSn-C=9.7Hz), 61.6(d,2JP-C=5.4Hz), 136.6(dd,2JP-C=22.1Hz, 1JP-C=192.36Hz), 167.3(dd,3JP-C=11.5Hz, 2JP-C=32.5Hz) ppm.
以下の(1)〜(11)の方法でそれぞれ合成した。
(1)3',4'−ビス(ジエトキシフォスフォリル)−[2,2';5',2'']−テルチオフェンの合成
1H-NMR(CDCl3):1.08(12H,t,J=7.1Hz), 3.84-3.88(4H,m), 4.01-4.07(4H,m), 7.00-7.02(2H,m), 7.30(2H,d,J=3.4Hz), 7.35(2H,d,J=5.1Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.0(d,3JP-C=8.3Hz), 62.7(d,2JP-C=14.6Hz), 127.8(d, 1JP-C=42.2Hz), 128.8(d, J=16.7Hz), 130.0, 130.4(d, J=19.9Hz), 133.2(d, J=5.2Hz), 146.1(dd,3JP-C=9.4Hz, 2JP-C=17.2Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.12-1.40(36H,m), 3.93-4.23(24H,m), 7.10-7.12(2H,m), 7.34-7.46(2H,m) ppm.
m/z(FAB+):685(計算値684.01).
1H-NMR(CDCl3):1.20(12H,t,J=7.1Hz), 3.99-4.02(4H,m), 4.12-4.18(4H,m), 7.03(2H,dd,J=5.0,5.0Hz), 7.15(2H,d,J=3.7Hz), 7.21-7.22(2H,m), 7.32(2H,d,J=3.8Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.20-1.25(12H,m), 3.99-4.19(8H,m), 7.04-7.33(14H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.0(d,3JP-C=6.9Hz), 62.7(d,2JP-C=6.3Hz), 123.9, 124.0, 124.4, 124.8, 124.9, 127.9, 131.0, 131.9, 135.1, 136.8, 137.1, 139.7, 145.4) ppm.
m/z(FAB+):2049(計算値2048.01).
1H-NMR(CDCl3):1.18-1.28(36H,m), 4.00-4.21(24H,m), 7.04-7.35(26H,m) ppm.
m/z(FAB+):245(計算値243.94).
1H-NMR(CDCl3):4.81(4H,s), 7.81(2H,s) ppm.
13C-NMR(CDCl3):135.0(dd,2JP-C=19.6Hz, 1JP-C=187.1Hz), 138.3(dd,3JP-C=17.2Hz, 2JP-C=17.2Hz) ppm.
m/z(FAB+):409(計算値407.91).
1H-NMR(CDCl3):4.91(4H,s), 7.10-7.12(2H,m), 7.40(2H,d,J=0.7Hz), 7.21-7.22(2H,m), 7.55(2H,d,J=1.3Hz), ppm.
13C-NMR(CDCl3):128.7(d, 1JP-C=86.8Hz), 129.0, 131.1, 131.4, 133.9, 146.5(dd,3JP-C=11.9Hz, 2JP-C=19.1Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.18-1.25(4H,br), 6.96-6.97(2H,m), 7.10-7.11(2H,m), 7.18(2H,s), 7.22(2H,s), 7.27-7.28(2H,m) ppm、
13C-NMR(DMSO-d6):125.0(d, 1JP-C=201.5Hz), 124.3, 128.4, 130.9, 133.7, 136.0, 136.6(d, JP-C=17.5Hz), 137.7, 137.9(d, JP-C=19.6Hz), 139.9(dd,3JP-C=15.0Hz, 2JP-C=15.0Hz) ppm.
m/z(FAB+):469(計算値468.19).
1H-NMR(CDCl3):0.92(12H,t,J=7.4Hz), 1.40(8H,m,J=7.5Hz), 1.69(8H,m), 4.02-4.16(8H,m), 8.17(2H,dd,2JP-H =4.6Hz, 3JP-H =2.7Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):13.5(s), 18.6(s), 32.4(d,3J P-C=6.1Hz), 66.2(d,2JP-C=6.0Hz) 131.1(dd,2JP-C=18.0Hz, 1JP-C=180.0Hz) 140.0(dd,2JP-C=17.4Hz, 3J P-C=18.1Hz) ppm.
(b)3,4−ビス(ブトキシ−エトキシフォスフォリル)チオフェン2
黄色オイル
1H-NMR(CDCl3):0.93(12H,t,J=7.4Hz), 1.36-1.46(10H,m), 1.66-1.73(4H,m), 4.05-4.22(8H,m), 8.18(2H,dd,2JP-H =4.6Hz,3JP-H =2.7Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.93(9H,t,J=7.4Hz), 1.34-1.45(9H,m), 1.66-1.73(6H,m), 4.04-4.19(8H,m), 8.14-8.19(2H,m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.81(9H,m), 1.01-1.30(22H,m), 1.60-1.65(6H,m), 3.90-4.13(8H,m ), 8.11(2H,m) ppm.
(b)3,4−ビス(エトキシ−ヘキシロキシフォスフォリル)チオフェン2
1H-NMR(CDCl3):0.80(6H,t,J=6.8Hz), 1.21-1.30(18H,m), 1.60-1.67(4H,m), 3.96-4.13(8H,m), 8.11(2H,dd,2JP-H =4.5Hz, 3JP-H =2.3Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.88(12H,t,J=6.9Hz), 1.26-1.39(24H,m), 1.66-1.74(8H,m), 4.02-4.13(8H,m), 8.16(2H,dd, 2JP-H =4.6Hz, 3JP-H =2.7Hz) ppm.
(b)3,4−ビス(ジオクチロキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):0.88(12H,t,J=6.9Hz), 1.26-1.37(40H,m), 1.66-1.73(8H,m), 4.02-4.13(8H,m), 8.16(2H,dd,2JP-H =4.7Hz, 3JP-H =2.7Hz) ppm.
(c)3,4−ビス(ジデシロキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):0.88(12H,t,J=6.7Hz), 1.25-1.35(56H,m), 1.66-1.73(8H,m), 4.02-4.13(8H,m), 8.16(2H,dd, 2JP-H =4.6Hz, 3JP-H =2.7Hz) ppm.
(d)3,4−ビス(ジジイソプロポキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):1.27(12H,d,J=6.2Hz), 1.39(12H,d,J=6.2Hz), 4.77-4.82 (4H,m), 8.16(2H,dd, 2JP-H =4.6Hz, 3JP-H =2.6Hz) ppm.
(e)3,4−ビス(ジフェノキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):7.10-7.13(8H,m) 7.19-7.26(12H,m) 8.44(2H,dd, 2JP-H =4.9 Hz, 3JP-H =2.9Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.04(24H,t,J =7.1Hz), 3.00-3.08(8H,m), 3.16-3.24(8H,m), 7.68(2 H,dd, 2JP-H =3.8Hz, 3JP-H =2.8Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.36(12H,t,J =7.4Hz), 2.95-3.04(8H,m), 8.26(2H,dd, 2JP-H =4.1Hz, 3JP-H = 3.3 Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.86-0.92(30H,m), 1.17-1.21(12H,m), 1.30-1.39(20H,m), 1.54-1.56(12H,m), 1.63-1.65(8H,m), 3.89-4.01(8H,m) ppm.
(b)2,5−ビス(トリブチルスタニル)−3,4−ビス(ジヘキシロキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):0.85-0.92(30H,m), 1.17-1.21(12H,m), 1.27-1.35(36H,m), 1.54-1.56(12H,m), 1.65(8H,m), 3.85-4.01(8H,m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.85-0.90(30H,m), 1.16-1.21(12H,m), 1.25-1.35(52H,m), 1.54-1.58(12H,m), 1.66(8H,m), 3.86-3.99(8H,m) ppm.
(d)2,5−ビス(トリブチルスタニル)−3,4−ビス(ジデシロキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):0.86-0.90(30H,m), 1.17-1.35(80H,m), 1.55(12H,m), 1.66(8H,m), 3.86-3.99(8H,m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.85-0.89(18H,m, J=6.2Hz), 1.13(12H,d,J=6.2Hz), 1.17-1.34(12H,m),1.37(12H,d,J=6.2Hz), 1.50-1.57(12H,m), 4.64-4.69(4H,m) ppm.
(f)2,5−ビス(トリブチルスタニル)−3,4−ビス(ジフェノキシフォスフォリル)チオフェン
1H-NMR(CDCl3):0.84(18H,t,J=7.3Hz), 1.07-1.12(12H,m), 1.22-1.27(12H,m), 1.45-1.50(12H,m), 7.06-7.08(12H,m), 7.16-7.20(8H,m) ppm.
黄色オイル
m/z(FAB+):797(計算値796.14).
1H-NMR(CDCl3):0.85(12H,t,J=7.4Hz), 1.25-1.34(8H,m), 1.47-1.55(8H,m), 3.90-3.97(4H,m), 4.07-4.15(4H,m), 7.04(2H,dd,J=3.7Hz,1.24Hz), 7.14(2H,d,J=3.8Hz), 7.20(2H,d,J=3.6Hz), 7.26(2H,d,J=5.0Hz), 7.31(2H,d,J=3.8Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):13.6(s), 18.7(s), 32.3(d,3JP-C=6.9Hz), 66.4(d,2JP-C=6.7Hz), 124.0(s), 124.2(s), 125.1(s), 127.9(s), 129.9(dd,2JP-C=18.2Hz,1JP-C=179.1Hz), 130.7(s), 132.0(s), 136.4(s), 140.0(s), 145.1(dd,2JP-C=6.4Hz,3JP-C=13.2Hz) ppm.
黄色オイル
m/z(FAB+):909(計算値908.26).
1H-NMR(CDCl3):0.83(12H,t,J=6.8Hz), 1.16-1.31(24H,m), 1.48-1.55(8H,m), 3.88-3.96(4H,m), 4.06-4.14(4H,m), 7.03(2H,dd,J=3.7Hz,1.4Hz), 7.16(2H,d,J=3.8Hz), 7.22(2H,d,J=3.5Hz), 7.27(2H,d,J=4.2Hz), 7.32(2H,d,J=3.8Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):14.0(s), 22.5(s), 25.2(s), 32.3(d,3JP-C=6.8Hz), 31.4(s), 66.8(d,2JP-C=6.6Hz), 123.9(s), 124.2(s), 125.0(s), 127.8(s) 129.8(dd,2JP-C=18.4Hz,1JP-C=176.4Hz), 130.7(s), 131.8(s), 136.4(s), 140.0(s), 145.0(dd,2JP-C=5.9Hz,3JP-C=13.5Hz) ppm.
黄色オイル
m/z(FAB+):1021(計算値1020.39).
1H-NMR(CDCl3):0.85(12H,t,J=6.8Hz), 1.25(40H,m), 1.49-1.54(8H,m), 3.88-3.96(4H,m), 4.06-4.14(4H,m), 7.03(2H,dd,J=3.8Hz,1.2Hz), 7.14(2H,d,J=3.8Hz), 7.20(2H,d,J=3.6Hz), 7.26(2H,d,J=5.1Hz), 7.31(2H,d,J=3.8 Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):14.0(s), 22.6(s), 25.6(s), 29.1(s), 29.2(s), 30.3(d,3JP-C=6.8Hz), 31.8(s), 66.8(d,2JP-C=6.6Hz), 123.9(s), 124.2(s), 125.1(s), 127.9(s) 130.0(dd,2JP-C=17.8Hz,1JP-C=181.1Hz), 130.8(s), 132.0(s), 136.5(s), 140.0(s), 145.1(dd,2JP-C=6.1Hz,3JP-C=13.4Hz) ppm.
黄色オイル
m/z(FAB+):1133(計算値1132.51).
1H-NMR(CDCl3):0.87(12H,t,J=6.9Hz), 1.20(56H,m), 1.48-1.54(8H,m), 3.88-3.96(4H,m), 4.06-4.14(4H,m), 7.03(2H,dd,J=3.7Hz,1.3Hz), 7.13(2H,d,J=3.8Hz), 7.20(2H,d,J=3.6Hz), 7.25(2H,d,J=5.1Hz), 7.31(2H,d,J=3.8Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):14.1(s), 22.6(s), 25.6(s), 29.2(s), 29.5(s), 30.3(d,3JP-C=6.7Hz), 31.9(s), 66.8(d,2JP-C=6.7Hz), 124.0(s), 124.2(s), 125.1(s), 127.9(s) 130.0(dd,2JP-C=18.0Hz,1JP-C=181.1Hz), 130.8(s), 132.0(s), 136.5(s), 140.0(s), 145.1(dd,2JP-C=6.2Hz,3JP-C=13.4Hz) ppm.
黄色アモルファス
m/z(FAB+):741(計算値740.07).
1H-NMR(CDCl3):1.23(12H,d,J=6.2Hz), 1.25(12H,d,J=6.2Hz), 4.89-4.93(4H,m), 7.03(2H,t,J=4.2Hz), 7.13(2H,d,J=3.9Hz), 7.20(2H,d,J=3.6Hz), 7.25(2H,d,J=5.9Hz), 7.25(2H,d,J=4.8Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):23.7(d,3JP-C=5.2Hz), 23.9(d,3JP-C=3.7Hz), 71.1(d,2JP-C=6.0Hz), 123.8(s), 124.1(s), 124.9(s), 127.9(s) 130.6(s),131.9(dd,2JP-C=19.4Hz,1JP-C=177.4Hz), 132.8(s), 136.7(s), 139.4(s), 144.4(dd,2JP-C=8.7Hz,3JP-C=11.6Hz) ppm.
黄色アモルファス
m/z(FAB+):877(計算値876.01).
1H-NMR(CDCl3):7.04(2H,dd,J=3.7Hz, 1.42Hz), 7.01-7.17(24H,m), 7.23(2H,dd,J=4.1Hz, 1.0Hz), 7.25(2H,d,J=3.8Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):120.4(s), 120.5(s), 124.2(s), 124.5(s), 124.7(s), 125.3(s), 127.7(dd,2JP-C=18.5Hz,1JP-C=187.1Hz), 127.9(s),129.3(s), 130.7(d,J =3.2Hz), 131.4(s), 136.2(s), 140.8(s), 147.4(dd,2JP-C=5.3Hz,3JP-C=14.7Hz), 150.4(d,J=8.6Hz) ppm.
黄色アモルファス
m/z(FAB+):741(計算値740.07).
1H-NMR(CDCl3):0.82-0.87(6H,m), 1.20-1.30(10H,m), 1.46-1.51(4H,m), 3.90-3.93(2H,m), 4.03-4.12(4H,m), 4.17-4.22(2H,m), 7.01-7.03(2H,m), 7.14(2H,d,J=3.8Hz), 7.20(2H,d,J=3.4Hz), 7.25(2H,d,J=5.1Hz), 7.30-7.32(2H,m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.33(6H,t,J=7.1Hz), 4.06-4.18(4H,m), 7.32-7.35(1H,m), 7.42-7.45(1H,m), 7.98-8.01(1H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(d,3JP-C=6.4Hz), 62.0(d,2JP-C=5.4Hz), 127.1(d,2JP-C=19.4Hz), 128.8(d,3JP-C=16.8Hz), 129.3(d,1JP-C=201.2Hz), 135.2(d,2JP-C=19.8Hz) ppm.
以下の(1)〜(26)の方法で合成した。
(1)3−(ジエトキシフォスフォリル)−2−イオドチオフェンの合成
1H-NMR(CDCl3):1.21(12H,t,J=7.1Hz), 3.98-4.09(8H,m), 7.40(2H,dd,J=4.8,4.8Hz), 7.47(2H,dd,J=5.3,3.0Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.2(d,3JP-C=6.8Hz), 62.0(d,2JP-C=5.7Hz), 127.4(d,3JP-C=19.8Hz), 129.7(d,1JP-C=194.7Hz), 131.1(d,2JP-C=16.1Hz), 141.1(dd,3JP-C=3.2Hz, 2JP-C=15.4Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.88(12H,t,J=7.4Hz), 1.30(8H,qt,J=7.5Hz,J=7.5Hz), 1.49-1.57(8H,m), 3.87-4.03(8H,m), 7.38(2H,dd,J=4.8,4.8Hz), 7.45(2H,dd,J=5.2,3.0Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):13.5, 18.6, 32.3(d,3JP-C=6.7Hz), 65.7(d,2JP-C=6.0Hz), 127.3(d,3JP-C=19.7Hz), 129.7(d,1JP-C=195.0Hz), 131.1(d,2JP-C=15.9Hz), 141.1(dd,3JP-C=3.1Hz, 2JP-C=15.4Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.27(12H,t,J=7.1Hz), 4.07-4.15(8H,m), 7.03-7.04(2H,m), 7.09-7.12(4H,m), 7.19-7.20(2H,m), 7.24-7.27(2H,m), 7.44(2H,d,J=4.9Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.25(12H,m), 4.00-4.14(8H,m), 7.40-4.43(2H,m), 7.47-7.49(2H,m), 7.50-7.52(2H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):16.4(d,3JP-C=6.5Hz), 16.4(d,3JP-C=6.2Hz), 62.3(d,2JP-C=5.7Hz), 62.4(d,2JP-C=5.7Hz), 128.1(d,3JP-C=19.8Hz), 128.3(d,3JP-C=16.1Hz), 130.2(d,1JP-C=194.9Hz), 131.2(d,1JP-C=194.2Hz), 131.3(d,2JP-C=16.1Hz), 137.5(d,2JP-C=20.2Hz), 140.4(dd,3JP-C=3.4Hz, 2JP-C=15.3Hz), 140.6(dd,3JP-C=3.8Hz, 2JP-C=15.0Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):δ=16.0(d, 3JP-C=6.8Hz), 16.2(d, 3JP-C=6.5Hz), 62.1(d, 2JP-C=5.1Hz), 62.2(d, 2JP-C=4.9Hz), 125.6(d, 3JP-C=19.4Hz), 126.3(d, 1JP-C=194.6Hz), 130.0(d, 1JP-C=197.0Hz), 130.1(d, 2JP-C=16.7Hz), 133.1(d, 2JP-C=16.0Hz), 135.9(dd, 2JP-C=20.5, 3.1Hz), 136.6(d, 2JP-C=16.8Hz), 142.6(d, 2JP-C=15.4Hz) ppm.
UV λmax:247.8nm
1H-NMR(CDCl3):1.26-1.38(18H,m), 4.09-4.17(12H,m), 7.38(1H,s), 7.44(1H,s), 7.72(1H,d,J=4.3Hz), 7.75(1H,d,J=4.9Hz), 8.05(1H,d,J=8.6Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.15-1.29(24H,m), 3.98-4.13(18H,m), 7.29-7.31(1H,m), 7.35-7.37(1H,m), 7.64(1H,d,J=4.3Hz), 7.67(1H,d,J=4.9Hz), 7.73(1H,d,J=4.9Hz), 7.97(1H,d,J=8.6Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):δ=13.5, 18.7, 32.3(d, 3JP-C=6.4Hz), 66.0(d, 2JP-C=5.6Hz), 126.0(d, 2JP-C=16.5Hz), 130.8(d, 1JP-C=197.1Hz), 134.5(d, 2JP-C=16.4Hz), 137.9(d, 3JP-C=19.9Hz) ppm.
UV λmax=300.5nm
1H-NMR(CDCl3):0.86-0.90(12H,m), 1.30-1.37(8H,m), 1.58-1.65(8H,m), 4.01-4.11(8H,m), 7.01-7.04(2H,m), 7.14-7.15(2H,m), 7.21-7.25(4H,m), 7.50-7.54(4H,m) ppm.
13C-NMR(CDCl3):13.4, 18.5, 32.1(d,3JP-C=6.6Hz), 66.0(d,2JP-C=5.8Hz), 124.1, 124.2, 124.6, 125.0, 126.5, 127.8, 129.7, 130.1(d,J=15.6Hz), 131.9(d,J=3.2Hz), 134.2(d,J=19.8Hz), 137.9(d,1JP-C=313.2Hz), 143.0(d,J=14.8Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.89(t, 12H, J=7.40Hz), 1.35(sex, 8H, J=7.30Hz), 1.62(sex, 8H, J=6.67Hz), 4.02-4.12(m, 8H), 7.00(dd, 2H, J=4.95, 3.74Hz), 7.08(d, J=3.75Hz), 7.11(d, 2H, J=3.77Hz), 7.13(d, 2H, J=3.85Hz), 7.17(d, 2H, J=3.46Hz), 7.21(d, 2H, J=5.12Hz), 7.50(d, 2H, J=4.79Hz), 7.54(d, 2H, J=3.86Hz) ppm.
13C-NMR(CDCl3):δ=13.5, 18.6, 32.2(d, 3JP-C=6.6Hz), 66.0(d, 2JP-C=5.8Hz), 123.7, 124.2, 124.2, 124.6, 124.7, 125.6(d, 1JP-C=195.3Hz), 127.8, 129.9, 130.2(d, 2JP-C=15.4Hz), 132.1(d, 3JP-C=3.3Hz), 134.2(d, 3JP-C=19.9Hz), 135.0, 136.7, 136.9, 139.1, 143.0(d, 2JP-C=14.6Hz) ppm.
UV λmax=428.5nm
1H-NMR(CDCl3):0.86-1.67(12H,m), 1.32-1.40(8H,m), 1.59-1.67(8H,m), 4.02-4.14(8H,m), 7.02-7.03(2H,m), 7.09-7.10(2H,m), 7.15-7.29(5H,m), 7.50-7.51(1H,m), 7.58-7.59(1H,m), 7.74-7.76(1H,m) ppm.
1H-NMR(CDCl3):0.90(sep, 12H), 1.29-1.38(m, 8H), 1.63(q, 8H, J=7.77Hz), 4.03-4.12(m, 8H), 7.01(d, 1H, J=5.04Hz), 7.01(dd, 1H, J=7.32, 5.08Hz), 7.07-7.12(m, 6H), 7.15(d, 1H, J=3.85Hz), 7.18(t, 2H, J=3.65Hz), 7.22(t, 2H, J=3.85Hz), 7.49(d, 1H, J=4.88Hz), 7.58(d, 1H, 3.90Hz), 7.75(d, 1H, J=4.84Hz) ppm.
UV λmax=427.5nm
1H-NMR(CDCl3):0.89(sex, 18H), 1.34(sep, 12H, J=15.5, 7.52Hz), 1.60(o, 12H, J=6.64Hz), 3.97-4.12(m, 12H), 7.10(dd, 2H, J=4.96, 3.78Hz), 7.21(d, 4H, J=3.85Hz), 7.41(d, 2H, J=5.13Hz), 7.50(quin, 6H), 7.58(quin, 6H) ppm.
UV λmax=437.0nm.
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。3'',4''−ビス(ジエチルフォスフォノ)−[2,2';5',2'';5'',2''';5''',2'''']−ペンタチオフェン6.2mg(0.073mmol)と、市販のテトラブチルアンモニウムパークロレート1.727g(5.05mmol)とをアセトニトリル50mLに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、白金板(片面1.0cm2)を用い、参照極にAg/Ag+を使用し、電気化学測定システム(ビー・エス・エス株式会社)を用いて、電位範囲600〜1500mV、掃引速度50mVsec-1とし、520サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に目的化合物である暗青色固体の重合体が析出した。
原料IR(KBr):554、577、693、796、837、867、978、1026、1048、1098、1163、1260、1391、1475、1635、2902、2981、3069cm-1.
白金対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、電位掃引法によりサイクリックボルタンメトリー測定を行った。下記表23に示される各チオフェン誘導体(濃度0.0003〜0.002N)と、市販のテトラブチルアンモニウムパークロレート(濃度0.1N)とをアセトニトリルに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、グラッシーカーボン電極を用い、参照極にAg/Ag+を使用し、電気化学測定システム(ビー・エス・エス株式会社)を用いて、電位範囲−1000〜2500mV、掃引速度50mVsec-1として電位掃引を行い、測定を行った。
m/z(DI):379(計算値375.85)
1H-NMR(CDCl3):1.36(6H, t, J=6.6Hz), 4.18(4H, m, J=6.6Hz), 7.21(1H, d, J=4.3Hz) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.22(6H, t, J=7.1Hz), 3.96-4.15(4H, m), 7.19(1H, m), 7.30(1H, m), 7.36-7.41(2H, m), 7.51(1H, d) ppm.
1H-NMR(CDCl3):1.26(6H, t, J=7.1Hz), 3.99-4.12(4H, m), 7.04(1H, d, J=4.6Hz), 7.20(1H, d, J=4.6Hz), 7.33(1H, d, J=4.7Hz) ppm.
m/z(DI):678.53(計算値675.86)
1H-NMR(CDCl3):1.18(12H, t, J=7.2Hz), 3.93-4.04(4H, m), 4.10-4.20(4H, m), 7.05(2H, d, J=3.8Hz), 7.10(2H, d, J=3.8Hz) ppm.
Mw(GPC):9700
1H-NMR(CDCl3):1.20-1.29(6H, m), 4.02-4.18(4H, m), 6.91(1H, s)
Mw(GPC):9800
1H-NMR(CDCl3):1.20-1.34(6H, m), 4.05-4.18(4H, m), 7.02-7.56(3H, m) ppm.
Mw(GPC):1500
1H-NMR(CDCl3):1.15-1.32(12H, t, J=6.5Hz), 3.98-4.25(8H, m), 7.20(2H, m), 7.33(2H, m) ppm.
1H-NMR(D2O):7.14(1H, s)
13C-NMR(D2O):112.7(d, J=21.9Hz), 117.9(s, J=7.6Hz), 135.1(d, J=13.4Hz), 138.8(d, 187.5Hz) ppm.
31P-NMR(D2O):4.06(s) ppm.
Claims (43)
- 式[1]で表されることを特徴とするビスフォスフォリルチオフェン化合物。
R3〜R6は、それぞれ独立して、−OR7、−SR8又は−NR9 2を表し、
R7〜R9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。) - 式[2]で表されることを特徴とするモノフォスフォリルチオフェン化合物。
R10は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
R11及びR12は、−SR8又は−NR9 2を表し、
R8及びR9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。) - 式[3]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物。
R10及びR17は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。
m、n及びoは、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、pは1以上の整数を表し、m+n+o≧1、かつ、2≦m+n+o+p≦50を満足し、
Zは、下記式[4]〜[12]から選ばれる少なくとも1種の2価の有機基であり、
ただし、当該フォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物の両末端は、互いに独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基、Wで置換されていてもよいアントラニル基、炭素数1〜10トリアルキルスタニル基、又は炭素数1〜10トリアルキルシリル基である。) - 前記Zが、前記式[4]で表されることを特徴とする請求項3記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物。
- 式[29]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンポリマー化合物。
R10及びR17は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。
m''、n''及びo''は、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、p'は0又は1以上の整数を表し、m''+n''+o''≧1、かつ、50<m''+n''+o''+p'<5000を満足する。
Zは、下記式[4]〜[12]から選ばれる少なくとも1種の2価の有機基であり、
ただし、当該フォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物の両末端は、互いに独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基、Wで置換されていてもよいアントラニル基、炭素数1〜10トリアルキルスタニル基、又は炭素数1〜10トリアルキルシリル基である。) - 前記Zが、前記式[4]で表される2価の有機基であることを特徴とする請求項5記載のスルフォニルチオフェンポリマー化合物。
- 式[13]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物。
R10及びR17は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。
m'、n'及びo'は、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、2≦m'+n'+o'≦50を満足する。
ただし、当該フォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物の両末端は、互いに独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基、Wで置換されていてもよいアントラニル基、炭素数1〜10トリアルキルスタニル基、又は炭素数1〜10トリアルキルシリル基である。) - 式[30]で表されることを特徴とするフォスフォリルチオフェンポリマー化合物。
R10及びR17は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。
m'''、n'''及びo'''は、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、50<m'''+n'''+o'''<5000を満足する。
ただし、当該フォスフォリルチオフェンポリマー化合物の両末端は、互いに独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基、Wで置換されていてもよいアントラニル基、炭素数1〜10トリアルキルスタニル基、又は炭素数1〜10トリアルキルシリル基である。) - 請求項3及び7記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を、電解酸化重合又は化学酸化重合して得られるフォスフォリルチオフェンポリマー化合物。
- 請求項3及び7記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を電解酸化重合又は化学酸化重合するフォスフォリルチオフェンポリマー化合物の製造方法。
- 請求項1記載のビスフォスフォリルチオフェン化合物、請求項2記載のモノフォスフォリルチオフェン化合物、又は請求項3及び7記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を、触媒重合して得られるフォスフォリルチオフェンポリマー化合物。
- 請求項1記載のビスフォスフォリルチオフェン化合物、請求項2記載のモノフォスフォリルチオフェン化合物、又は請求項3及び7記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物から選ばれる少なくとも1種を、触媒重合するフォスフォリルチオフェンポリマー化合物の製造方法。
- 式[14]
W''は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基又はフェニル基を表す。)
で表されるブチンジオール化合物と、式[15]
で表されるフォスファイト化合物を塩基の存在下で反応させる、式[16]
で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物の製造方法。 - 式[16]
R44は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW''で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W''は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、又はフェニル基を表す。)
で表されるビスフォスフォリルブタジエン化合物を、硫化金属と反応させる、式[17]
で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物の製造方法。 - 式[17]
R44は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW''で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W''は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、又はフェニル基を表す。)
で表される3,4−ビスフォスフォリルチオラン化合物を、無機酸化剤と反応させる、式[18]
で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物の製造方法。 - 式[18]
R44は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW''で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W''は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、又はフェニル基を表す。)
で表される3,4−ビスフォスフォリルスルフィラン化合物を、有機酸触媒存在下で有機酸無水物と反応させる、式[19]
で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物の製造方法。 - 式[19]
R44は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW''で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W''は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、又はフェニル基を表す。)
で表される3,4−ビスフォスフォリルジヒドロチオフェン化合物を、無機酸化剤で酸化する、式[20]
で表される3,4−ビスフォスフォリルチオフェン化合物の製造方法。 - 式[21]
R47は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、W'''で置換されていてもよいフェニル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又は−P(O)(OR48)2を表し、
R48は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW'''で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'''は、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はフェニル基を表す。)
で表されるチオフェン化合物と、式[22]
で表されるフォスファイト化合物とを、金属触媒及び塩基の存在下で反応させる、式[23]
で表されるフォスフォリルチオフェン化合物の製造方法。 - 式[21]
R47は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、W'''で置換されていてもよいフェニル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又は−P(O)(OR48)2を表し、
R48は、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はW'''で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'''は、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はフェニル基を表す。)
で表されるチオフェン化合物と、式[24]
で表されるフォスファイト化合物とを、金属触媒の存在下で反応させる、式[23]
で表されるフォスフォリルチオフェン化合物の製造方法。 - 式[25]で表されることを特徴とする3,3’,4,4’−テトラキスフォスフォリルビチオフェン化合物。
R7〜R9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。) - 式[26]で表されることを特徴とする3,3’−ビスフォスフォリルビチオフェン化合物。
R7〜R9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
R55及びR56は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。) - 式[27]で表されることを特徴とする4,4’−ビスフォスフォリルビチオフェン化合物。
R7〜R9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
R55及びR56は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。) - 式[28]で表されることを特徴とする3,4’−ビスフォスフォリルビチオフェン化合物。
R7〜R9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10アルキル基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
R55及びR56は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、又はWで置換されていてもよいフェニル基を表し、
Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、炭素数1〜10アルケニル基、炭素数1〜10アルキニル基、炭素数1〜10アルコキシ基、炭素数1〜10アルキルチオ基、炭素数1〜10モノアルキルアミノ基、炭素数1〜10ジアルキルアミノ基、W'で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、W'で置換されていてもよいジナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいジアントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−ナフチルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−フェニル−N−アントラニルアミノ基、W'で置換されていてもよいN−ナフチル−N−アントラニルアミノ基、炭素数1〜10トリアルキルシリル基、炭素数1〜10アルキルカルボニル基、炭素数1〜10アルコキシカルボニル基、又はW'で置換されていてもよいフェニル基を表し、
W'は、炭素数1〜10アルキル基、炭素数1〜10ハロアルキル基、又は炭素数1〜10アルコキシ基を表す。) - 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなる電池用活物質。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなる電極材料。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなる有機エレクトロルミネッセンス材料。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を酸化剤又は電気化学的ドーピングにより酸化してなるp型半導体。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を還元剤又は電気化学的ドーピングにより還元してなるn型半導体。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる半導体素子。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる全固体有機太陽電池。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなる色素増感太陽電池。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を含んでなるキャパシタ電極。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなるアクチュエータ。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を含んでなるコンデンサ用固体電解質。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種からなるアンテナ材料。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を用いてなるセンサ。
- 請求項3、4及び7のいずれか1項記載のフォスフォリルチオフェンオリゴマー化合物並びに請求項5、6及び8記載のフォスフォリルチオフェンポリマー化合物から選ばれる少なくとも1種を含んでなる燃料電池セパレータ。
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