JPWO2006098229A1 - インドロカルバゾール誘導体を含有する電極活物質 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的は、電気化学セル、特にプロトン移動型二次電池又はキャパシタにおいて、優れた電極容量密度を有する電極活物質を提供することにある。
(ただし、R1はそれぞれ独立に、電子吸引性基又は置換若しくは無置換のアリール基を示し、R2はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、置換カルボニル、ヒドロキシ、アルコキシ、又は置換若しくは無置換のアミノ基のいずれかを示す。)
インドロカルバゾール化合物としては、上記一般式(1)で示される化合物が好ましく例示される。式中に2つあるR1はそれぞれ独立に、電子吸引性基又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
(式中、R3〜R7は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、置換若しくは無置換のアミノ、カルボキシ、アルコキシカルボニル、置換若しくは無置換のアミノカルボニル、ニトロ又はシアノ基のいずれかを示す。)
また、使用するアルデヒドの種類により、一部中央のベンゼン環が完全に芳香化していない式(3)の括弧内に示された化合物で停止する場合があるが、このような場合は脱水素反応を追加して目的化合物とすることができる。その際に使用する脱水素化剤としては、通常の有機反応で使用する脱水素化剤であれば特に制約はないが、クロラニル、サルコミン、パラジウム担持炭素、2,3−ジクロロー5,6−ジシアノー1,4―キノン(DDQ)、活性炭の使用が好ましい。
式中、IC(a)及びIC(b)はインドロカルバゾール化合物(a)及びインドロカルバゾール化合物(b)を示し、IM(i)、IM(ii)及びIM(iii)は中間体(i)、(ii)及び(iii)を示す。
次に、二次電池又はキャパシタを作成する場合の電気化学セルの一実施形態の断面構造を示す図1により本発明を説明する。
集電体1及び6上にそれぞれ形成された正極材料層2及び負極材料層4がセパレータ3を挟んで対向配置され、セパレータ3を介して正極材料層2及び負極材料層4が積層された積層体の両側面には絶縁ゴム等からなるガスケット5が設けられている。正極材料層2(正電極)及び負極材料層4(負電極)にはプロトンを含有する電解液を含浸させている。本発明の化合物は、正極材料層2あるいは負極材料層4に含まれる電極活物質として使用する。
電極の作成方法は所望の特性が得られる限り任意であるが、所望の割合で混合されたインドロカルバゾール化合物、導電補助剤、バインダーを混練し、その混合物を圧縮成形することで得られる。この際、成形性を向上させるために適当量の溶剤を混合しても良い。また、所望の割合で混合されたカルバゾール化合物、導電補助剤、バインダーに適当量の溶剤を加えて混練することでペーストとし、そのペーストを集電体上に塗布し、乾燥させることで成型することもできる。使用する溶剤は特に制限はないが、ジメチルホルムアミド、エチレンカーボナート、プロピレンカーボナート、ジメチルカーボナートなどが好ましい。また、諸特性の向上のため、混練の際に、塩あるいは界面活性剤を添加してもよい。
合成した化合物の分析データについては特にことわらない限り、1H−NMRは日本電子(株)製JNM−LA400(400MHz)を使用した。マススペクトルは日本電子(株)製JMS−AX505HAを使用した。
6,12‐ジフェニル‐5,11‐2H‐インドロ[ 3,2-b]カルバゾールの合成
500ml3つ口フラスコに、インドール11.7g(0.1mol)とベンズアルデヒド10.6g(0.1mol)、メタノール200gを室温で装入・撹拌し、硫酸15.0g(0.15mol)を15分かけて滴下した。オイルバスにて槽内温度を64℃まで昇温、3時間加熱還流した。室温まで冷却し、生成した沈殿をろ別、50℃で減圧乾燥した。この沈殿を酢酸エチル100gでリスラリーし溶け残った沈殿をろ取し、50℃で減圧乾燥させ6,12‐ジフェニル‐5,6,11,12‐4H‐インドロ[3,2-b〕カルバゾール7.4g得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.69(2H、brs)、7.33(4H,d、J=7Hz)、7.27(4H,t,J=7Hz)、7.23(2H,d,J=7Hz)、7.18(2H,t,J=7Hz)、7.07(2H,d,J=8)、6.94(2H,dt,J=1,8Hz)、6.78(2H,dt,J=1,8Hz)、5.69(2H,s)
FD−MS(M/z):410(M+,base)
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.61(2H,brs)、7.43(4H,d,J=7Hz)、7.15−7.34(8H,m)、7.05(2H,d,J=8Hz)、7.05(2H,d,J=8Hz)、6.93(2H,t,J=8Hz)、6.80(2H,t,J=8Hz)
FD−MS(M/z):408(M+)、78(base)
6,12-ビス‐(4−シアノフェニル)-5,11-2H-インドロ〔3,2-b〕カルバゾールの合成
1L4つ口フラスコに、インドール5.85g(0.05mol)と4-シアノベンズアルデヒド6.56g(0.05mol)、p−トルエンスルホン酸14.8g(0.075mol)、トルエン500gを室温下で順次装入・撹拌し、オイルバスにて槽内温度を105℃まで昇温加熱、1時間反応させた。原料消失後、槽内温度70℃まで冷却し、70℃になった時点で吸引ろ過した。ろ液を減圧留去し、得られた残渣を酢酸エチル400gに溶解し、この溶液を蒸留水400gで洗浄した。酢酸エチル層を減圧乾固し、得られた残渣をメタノール100gで洗浄し、40℃で減圧乾燥し表記化合物1.04gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.71(2H,brs)、8.18(4H,d,J=8Hz)、7.91(4H,d,J=8Hz)、7.74(2H,d,J=8Hz)、7.52(2H,d,J=8Hz)、7.28(2H,dt,J=1,8Hz)、6.87(2H,dt,J=1,8Hz)、
FD−MS(M/z):458(M+、base)
6,12-ビス‐(4‐ニトロフェニル)‐1,7‐2H‐インドロ[3,2-b]カルバゾールの合成
合成例2の4-シアノベンズアルデヒドを4-ニトロベンズアルデヒド7.56g(0.05mol)に変更した以外は全て同じ操作を行い、表記化合物0.70gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.79(2H,brs)、8.8.57(4H,d,J=8Hz)、8.02(4H,d,J=8Hz)、7.40(2H,d,J=8Hz)、7.30(2H,t,J=8Hz)、7.13(2H,d,J=8Hz)、6.88(2H,t,J=8Hz)
FD−MS(M/z):498(M+)
6,12‐ビス‐(4‐シアノフェニル)-2,8-ジメトキシ-5,11-2H-インドロ[3,2-b〕カルバゾールの合成
合成例2のインドールを5-メトキシインドール7.36g(0.05mol)に変更した以外は全て同じ操作を行い、表記化合物1.03gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.51(2H,brs)、8.19(4H,d,J=8Hz)、7.91(4H,d,J=8Hz)、7.33(2H,d,J=8Hz)、6.97(2H,dd,J=1、8Hz)、6.50(2H,d,J=1Hz)
6,12-ビス‐(4‐シアノフェニル)-2,8-メチル-5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾールの合成
合成例2のインドールを5-メチルインドール6.59g(0.05mol)に変更した以外は全て同じ操作を行い、表記化合物3.20gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.71(2H,brs)、8.18(4H,d,J=8Hz)、7.75(4H,d,J=8Hz)、7.31(2H,d,J=8Hz)、6.84(2H,s)、6.79(2H,d,J=8Hz)、2.21(6H,s)
FD−MS(M/z):486(M+、base)
6,12-ビス‐(4-フルオロフェニル)-5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾールの合成
合成例2の4-シアノベンズアルデヒドを4-フルオロベンズアルデヒド6.12g(0.05mol)に変更した以外は全て同じ操作を行い、表記化合物3.23gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.57(2H,brs)、7.73〜7.70(4H,m)、7.60〜7.54(4H,m)、7.42(2H,d,J=7Hz)、7.26(2H,d,J=7Hz)、7.06(2H,d,J=7Hz)、6.85(2H,t,J=7Hz)
FD−MS(M/z):444(M+、base)
6,12-ビス‐(4-カルボキシフェニル)-5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾールの合成
合成例2の4-シアノベンズアルデヒドを4-ホルミル安息香酸4.53g(0.05mol)に変更した以外は全て同じ操作を行い、表記化合物0.88gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):10.65(2H,brs)、8.27(4H,d,J=8Hz)、7.93(2H,bs)、7.84(4H,d,J=8Hz)、7.43(2H,d,J=8Hz)、7.26(2H,t,J=8Hz)、7.08(2H,d,J=8Hz)、6.84(2H,t,J=8Hz)
FD−MS(M/z):496(M+、base)
5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾール-6,12-ジカルボン酸ジメチルの合成
500ml三ツ口フラスコにて、市販のジメチル1,4-シクロヘキサンジオン-2,5-ジカルボキシレート23.0g(0.10mol)とアニリン45.6g(0.49mol)と酢酸250gを加えた。オイルバスにて105℃で24時間加熱攪拌した。室温まで冷却した後、析出した固形物をろ別した。得られた固形物を水でリンスし、60℃で減圧乾燥し、ジメチル2,5−ジアニリノテレフタレート21.0gを得た。
1H−NMR(CDCl3)δ(ppm):12.05(2H,s)、7.93(2H,s)、7.26(4H,t,J=8Hz)、7.12(4H,d,J=8Hz)、6.95(2H,t,J=8Hz)、3.73(6H,s)
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):11.30(2H,s)、8.46(2H,d,J=8Hz)、7.7(2H,d,J=8Hz)、7.49(2H,t,J=8Hz)、7.19(2H,t,J=8Hz)、4.20(6H,s)
FD−MS(M/z):372(M+)
5,11-2H-インドロ〔3,2-b〕カルバゾール-6,12-ジカルボン酸ジアミドの合成
窒素雰囲気下、25ml三ツ口フラスコにて、5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾール-6,12-ジカルボン酸ジメチル0.50g(1.35mmol)とホルムアミド0.43g(9.45mmol)と脱水DMF3gを加えた。オイルバスにて100℃に加熱し、内温が100℃に到達後、28%のナトリウムメトキシドメタノール溶液0.37gを滴下した。滴下終了後、100℃で5時間攪拌した。室温まで冷却した後、析出した固形物をろ別した。得られた固形物をイソプロピルアルコールでリンスし、120℃で減圧乾燥し、表記化合物0.10gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(p pm):10.97(2H,s)、8.25(2H,bs)、7.99(2H,bs)、8.29(2H,d,J=8Hz)、7.58(2H,d,J=8Hz)、7.38(2H,t,J=8Hz)、7.10(2H,t,J=8Hz)
FD−MS(M/z):342(M+)
6,12-ジ(1−ピロリジノカルボニル)-5,11-2H-インドロ〔3,2-b〕カルバゾールの合成
300ml三ツ口フラスコにて、合成例8で得られた5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾール-6,12-ジカルボン酸ジメチル2.3g(6.14mmol)、メタノール24g、トルエン70gと10N水酸化ナトリウム水溶液5.98g(59.8mmol)を加えた。オイルバスにて105℃に加熱し、8.5時間攪拌した。室温まで冷却した後、析出した固形物をろ別した。母液を油水分離し、得られた水層に35%硫酸水溶液を14g加えて30分攪拌後、得られた固形物をろ別した。得られた固形物を水で洗浄後、120℃で減圧乾燥し、5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾール-6,12-ジカルボン酸1.84gを得た。
50ml三ツ口フラスコにて、上述の5,11-2H-インドロ[3,2-b]カルバゾール-6,12-ジカルボン酸0.50g(1.44mmol)、DMF12g、[ベンゾトリアゾール−1−イルオキシトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウム ヘキサフルオロホスフェート]1.42g(3.22mmol)、N,N−ジイソピルエチルアミン0.42g(3.25mmol)、ピロリジン0.25g(3.51mmol)、トリエチルアミン0.32g(3.21mmol)を加えた。室温で2日攪拌し、得られた溶液を酢酸エチル200g、水100gの溶液中に加えた。析出した固形物をろ別し、水で洗浄後、120℃で減圧乾燥し、表記化合物0.11gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):11.21(2H,s)、7.87(2H,d,J=8Hz)、7.52(2H,d,J=8Hz)、7.41(2H,t,J=8Hz)、7.15(2H,t,J=8Hz)、3.20(8H,m)、1.70(8H,m)
5,11-2H-インドロ〔3,2-b〕カルバゾールの合成
200ml三ツ口フラスコにて、市販の3,3'-メチレンジインドール2.91g(11.8mmol)とトリエチルオルソホルメート1.75g(11.8mmol)をメタノール54gに溶解し、撹拌しながら濃硫酸200μlを添加した。オイルバスにて15分間加熱還流した。室温まで冷却した後、析出した固形物をろ別した。得られた固形物をメタノールでリンスし、60℃で減圧乾燥し、表記化合物1.36gを得た。
1H−NMR(DMSO-d6)δ(ppm):11.00(2H,s)、8.46(2H,d,J=8Hz)、8.10(2H,s)、7.45(2H,d,J=8Hz)、7.36(2H,t,J=8Hz)、7.19(2H,t,J=8Hz)
このように合成した化合物について、サイクロックボルタンメトリー(CV)法により、化合物の評価を行った。なお、以下の記述においては二次電池の電極材料に適用した場合について説明しているが、容量や充放電速度等を適宜設定することにより電気二重層キャパシタなどの他の電気化学セルとして好適な構成にすることもできる。
CV測定は、北斗電工社製HZ−3000を使用した。3極式のガラス製セルを用い、作用極をサンプル極とし、対極にPt、参照極にAg/AgCl電極、電解液として20〜40wt%の硫酸水溶液を使用した。200〜1200mVの範囲について掃引速度20mV/secにて掃引し、得られたCV曲線から、活物質1g当りのの電極容量(実効容量)を算出した。
合成例4で得られたインドロカルバゾール化合物を正極活物質、導電補助剤としてVGCF、バインダーとしてPVdFを用い、活物質/VGCF/PVdFを70/25/5の質量比で混合し、加圧成型することにより正極電極を得た。次に、活物質としてポリフェニルキノキサリン、導電補助剤としてケッチェンブラック(KB)を用い、活物質/KBを70/30の質量比で混合し、加圧成型することにより負極電極を得た。電解液は40wt%硫酸水溶液を用いた。セパレータは厚さ50μmの多孔質性不織布を用いた。このセパレータを介して、正極電極および負極電極の電極面を対向させて貼り合わせ、ガスケットで外装し、コインケースに封入してコイン型二次電池を作製した。このセルを25℃で1時間充電した後、放電させた。その放電容量値と平均電圧値からエネルギー値に換算した。コイン型二次電池のエネルギーは、5.1mWhであった。
Claims (11)
- 二次電池あるいはキャパシタの電極反応に関与する電極活物質であって、電極反応前又は後における化合物がインドロ[3,2−b]カルバゾール骨格を有するインドロカルバゾール化合物であることを特徴とする電極活物質。
- 一般式(1)において、R1がそれぞれ独立に、ニトロ、シアノ、カルボキシ、置換カルボニル又は置換若しくは無置換のアリール基である請求項2記載の電極活物質。
- 電極活物質として、インドロ〔3,2−b〕カルバゾール骨格を有するインドロカルバゾール化合物を含有することを特徴とする電気化学セル。
- インドロカルバゾール化合物が、プロトンの吸脱着が関与する酸化還元反応に伴う電子授受を行うものである請求項5記載の電気化学セル。
- 一般式(1)において、R1がそれぞれ独立に、ニトロ、シアノ、カルボキシ、置換カルボニル又は置換若しくは無置換のアリール基である請求項7記載の電気化学セル。
- 電気化学セルが、正極材料層及び負極材料層がセパレータを挟んで対向配置された構造を有し、正極材料層又は負極材料層に電極活物質を存在させたものである請求項5記載の電気化学セル。
- 電気化学セルが、二次電池あるいはキャパシタである請求項5記載の電気化学セル。
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